JPH1140816A5 - 薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法 - Google Patents

Description

この加熱処理は、５００℃〜ガラス基板の歪点（本実施例では６６７℃）の範囲において行うことができる。

〔実施例３〕
本実施例は、ＴＦＴを利用した各種装置の例を示す。図４に示すのは、ＴＦＴを利用した集積回路の例である。

以下において各種装置の具体的な構成の例を示す。図５に各種半導体装置の例を示す。これらの半導体装置は、ＴＦＴを少なくとも一部に用いている。

図５（Ａ）に示すのは、携帯型の情報処理端末である。この情報処理端末は、本体２００１にアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイを備え、さらに外部から情報を取り込むためのカメラ部２００２を備えている。また内部に集積回路２００６を備えている。

最近は、図５（Ａ）に示す携帯型情報処理端末と図５（Ｄ）に示す携帯電話とを組み合わせたような構成も商品化されている。

Claims (13)

1. 非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
2. ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
3. 非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
   前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
4. ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
   前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
5. 非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
6. ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
7. 非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
   前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
8. ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
   前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
   前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
   第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
   前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
   第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
   前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
   前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
   を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか１項において、前記非晶質珪素膜の代わりにＳｉ_XＧｅ_1-x（０．５＜Ｘ＜１）で示される膜を用いることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項において、前記１５族の元素は、リンであることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項において、前記第１の加熱処理は５００〜６６７℃の範囲で行われ、前記第２の加熱処理は４５０〜７５０℃の範囲で行われることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
13. 請求項１乃至１２のいずれか１項において、前記フラットパネルディスプレイはビデオカメラ、携帯型の情報処理端末、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、または携帯電話に組み込まれていることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。