JPH1140937A - 半田供給方法および半田供給装置 - Google Patents

半田供給方法および半田供給装置

Info

Publication number
JPH1140937A
JPH1140937A JP9197342A JP19734297A JPH1140937A JP H1140937 A JPH1140937 A JP H1140937A JP 9197342 A JP9197342 A JP 9197342A JP 19734297 A JP19734297 A JP 19734297A JP H1140937 A JPH1140937 A JP H1140937A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
mask
circuit board
pot
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9197342A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3731842B2 (ja
Inventor
Kimihito Kuwabara
公仁 桑原
Kazumi Ishimoto
一美 石本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP19734297A priority Critical patent/JP3731842B2/ja
Publication of JPH1140937A publication Critical patent/JPH1140937A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3731842B2 publication Critical patent/JP3731842B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3465—Application of solder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01204—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using temporary auxiliary members, e.g. using sacrificial coatings or handle substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
    • H10W72/01251—Changing the shapes of bumps
    • H10W72/01255—Changing the shapes of bumps by using masks

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 生産能率が高く所定の導体パターン上に対す
る微小な予備半田供給、あるいは半田ボール，半田バン
プの形成を安定して行うことを可能にする。 【解決手段】 回路基板１上の導体パターン２に対応し
た開口部６を形成したマスク５を回路基板１上に密着さ
せ、マスク５の開口部６内に溶融した半田７を充填し、
回路基板１の導体パターン２への溶融半田７の濡れ力に
より、半田の導体パターン２への転写供給を可能にす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板への予備
半田供給および電子部品の半田ボールならびにバンプを
形成するために適用される半田供給方法および半田供給
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基板への予備半田供給方
法の第１の方法として、図31(a)〜(c)に示すように、ま
ず、プリント基板１上に形成された導体パターン２にフ
ラックス３を塗布し(図31(a))、その後に半田ゴテ20に
よって糸半田21を溶かして(図31(b))、プリント基板１
上の導体パターン２上に半田23を供給する(図31(c))よ
うな方法がある。
【０００３】また第２の方法として、溶融した半田を噴
流させ、電子部品とプリント基板とを半田接合する噴流
半田装置にプリント基板のみを通し、プリント基板の導
体パターン部に半田を濡れ付着させた後、スリットから
圧縮エアーを吹き付けて不要な半田を飛ばすようにし、
狭ピッチパターン部における半田ブリッジを解消する方
法もある。
【０００４】さらに第３の方法として、粉体状の半田粒
子とフラックスなどを混練してペースト状にしたクリー
ム半田を用いて孔版印刷方法によって印刷する予備半田
供給方法も一般的である。
【０００５】すなわち、図32(a)〜(e)に示すように、ま
ず、プリント基板上の導体パターンに対応した開口部５
aが形成された厚み150mm程度のステンレスもしくはニッ
ケル製のメタルマスク５(図32(a))を、プリント基板１
上に開口部５aとプリント基板１の導体パターン２とを
合わせるように密着させる(図32(b))。その後、前記の
ように粉体状の半田粒子とフラックスなどからなるクリ
ーム半田22をスキージ25によってメタルマスク５の開口
部５a内に押し込み、同時にメタルマスク５上の余分な
クリーム半田22を掻き取る(図32(c))。この後、プリン
ト基板１からメタルマスク５を版離させることにより、
プリント基板１上の導体パターン２に対応してクリーム
半田22が供給される(図32(d))。そして、このプリント
基板１をリフロー炉などに入れて加熱し、クリーム半田
22を溶融させることによって、金属半田12の予備半田供
給が行われる(図32(e))。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の半田供給方法においては、次のような問題がある。
【０００７】すなわち、第１の方法では、個別の導体パ
ターンごとに同様の作業を行う必要があるために作業能
率が悪く、また導体パターンの１つ１つのパッドごとの
半田にバラツキが生じてしまうという問題がある。
【０００８】また、第２の方法のように、フロー半田付
け装置による噴流半田を用いて基板に一括して溶融半田
のコーティングをする方法では、生産効率は良いが、微
小な導体パターンへの半田供給が難しいという問題があ
る。そして圧縮エアーによるエアーナイフ効果だけで
は、特にピッチ0.5mm以下のパターンにおいて半田ブリ
ッジ不良，半田量のバラツキが大きいなどの問題もあっ
た。
【０００９】さらに、第３の方法のように、クリーム半
田をメタルマスクを使って所定の位置に半田を供給する
場合、メタルマスクの開口部にクリーム半田を充填した
後、メタルマスクを良好に版離れさせるためには、導体
パターン幅に対してあまり厚いメタルマスクでは抜けが
悪くなるため、クリーム半田層の厚みは導体パターンの
パッド幅との比が0.8程度が限界となり、ピッチ0.2mm以
下のファインパターン部の半田印刷、あるいは半田ボー
ルの形成を目的とした場合のサイズの微小化に制限があ
る。
【００１０】また、クリーム半田に含まれる半田粒子が
完全に凝集し切れず、半田ボールとして基板の導体パタ
ーン付近に残ることがあり、これによって、回路上の電
気的なショートを引き起こすおそれがあった。
【００１１】また、微小なサイズの半田バンプ形成にお
いても、クリーム半田に含まれる半田粒子の径が20〜40
μmであるため、このままではピッチ200μm以下のパッ
ドについてはメタルマスクの版離れが円滑に行えない
か、あるいはメタルマスクの開口部に充填される半田量
にバラツキが生じるという問題を有している。
【００１２】そこで、本発明の目的は、前記従来の問題
を解決することにあって、生産能率が高く所定の導体パ
ターン上に対する微小な予備半田供給、あるいは半田ボ
ール，半田バンプの形成を安定して行うことを可能にし
た半田供給方法および半田供給装置を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、回路基板あるいは部品上の導体パターン
に対応した開口部を形成したマスクを前記回路基板上に
密着させ、その後、マスクの開口部内に溶融した半田を
圧力を加えて充填する半田供給方法、およびその方法を
実施するための装置であって、溶融した半田を導体パタ
ーンに対応したマスクを介して半田を塗布することによ
り、所望量の半田を採取することが可能になり、半田量
のバラツキの少ない半田供給が実現される。また使用す
る溶融半田は、クリーム半田に比べて粘度が低く、微小
孔からの吐出が可能であって、ファインピッチパターン
への半田供給が可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
図面に基づいて説明する。
【００１５】図１〜図６は本発明の第１実施形態を説明
するための半田供給装置の構成および半田供給の工程の
説明図である。回路基板１は表面に導体パターン２が形
成されている構成である(図１)。次に半田供給工程であ
るが、回路基板１上にフラックス３をフラックスディス
ペンサー４により塗布する(図２)。その後、導体パター
ン２に対応した開口部６が形成されているマスク５を、
マスク移動手段30によって回路基板１上に導電パターン
２と開口部６との位置合わせをして密着させる(図３)。
ただし、フラックス塗布はマスク５を回路基板１上に位
置合わせし、密着させた後で行ってもよい。この場合、
フラックスはマスク５の開口部６の部分にのみ供給され
るようにする。
【００１６】一方、半田ポット８には、半田をヒータ９
によって加熱し、溶融半田７の状態として内部に蓄えて
おく、半田ポット８の下方には、溶融半田７を射出する
スリット開口が形成された溶融半田供給部であるスリッ
トノズル10が設けてある。この半田ポット８のスリット
ノズル10部を、回路基板１上に密着して設置されている
マスク５に接触する。その後、半田ポット７の中へ圧縮
ガス供給手段31から圧縮ガス15、例えばＮ2ガス，Ａrガ
スなどの不活性ガスあるいはＮ2ガスなどの還元ガスあ
るいは空気を注入する。Ｎ2ガスを用いれば半田の酸化
を防止し、目詰まりなどを少なくすることができる。そ
して半田ポット８内の溶融半田７は、スリットノズル10
から射出されてマスク５の開口部６の中へ注入される。
【００１７】半田ポット８は、開口部６に射出された半
田11が冷却凝固しないようにするため、ヒータ９によっ
て加熱される。その加熱温度は、共晶半田で融点183
℃、ポットからの射出時に250℃以上とする。射出され
た半田11はフラックスを介し、回路基板１の導体パター
ン２に濡れ付着する。次に、半田ポット８ならびにスリ
ットノズル10を、Ｎ2ガス供給手段32からマスク５上に
Ｎ2ガス24を吹き付けながら、ポット移動手段33によっ
て水平に連続的に移動させる(図４)。
【００１８】凝固していない半田11は表面張力のため、
スリットノズル10側とマスク５の開口部６内に充填され
る側に分かれ、回路基板１上の導体パターン２のすべて
に半田11が塗布されることになる。導体パターン２以外
の部分は、マスク５の開口がなくて、マスク５によって
覆われているため半田が付くことはない。
【００１９】また導体パターン２に濡れ付着する半田11
の量は、導体パターン２上に設置されたマスク５の開口
部６の容量によって決まるため、安定した半田量の供給
が行える。
【００２０】この後、マスク移動手段30によって半田ポ
ット８をマスク５から離す。すると回路基板１上に塗布
された半田11は凝固して金属半田12となり、マスク５を
基板より引き離すことによって(図５)、回路基板１の導
体パターン２への半田供給が完了する(図６)。なお、Ｂ
ＧＡやＣＳＰパッケージの半田ボールのグリッド形成に
おいては、さらにもう一度、リフロー炉に通してボール
形状を整える処理を行う。
【００２１】マスク５を介して、その開口部６へ溶融半
田７を供給する方法に関しては、図１〜図６に基づいて
説明したような、溶融半田を射出するスリットノズル10
を水平方向に移動して、連続的に溶融半田を充填付着さ
せる方法，構成でなく、後述するような半田塗布対象の
面積以上の底面を有する半田ポット８´を使用して、一
括して同時にすべてのマスク５の開口部６へ半田を供給
する方法もある。
【００２２】図７〜図15は、前記のように一括して同時
にすべてのマスクの開口部へ半田を供給する、本発明の
第２実施形態を説明するための半田供給装置の構成およ
び半田供給の工程の説明図である。なお、既に説明した
部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は
省略する。
【００２３】まず、第１実施形態において説明したのと
同様に、回路基板１上の導体パターン２へフラックス３
を塗布し(図７，図８)、マスク５を開口部６が導体パタ
ーン２に対応するように密着させる(図９)。その後、半
田ポット８´を垂直にマスク５上面に押し付ける。半田
ポット８´内にはヒータ９によって半田が溶融半田７と
なって蓄えられている。半田ポット８´の底面はメッシ
ュノズル13となっている(図10)。
【００２４】半田ポット８´の底面は、図16(a)に示す
ように、微小な開口を持つメッシュノズル13であって、
上方からの圧縮空気などによる圧力が加わらなければ、
溶融半田７が表面張力により自重での落下(漏下)をしな
いような構成になっている。このメッシュノズル13に、
化学メッキあるいは電気メッキによってテフロン(商品
名)などの撥水メッキを施せば、メッシュノズル13に対
する溶融半田の漏れが少なくなり、前記自重落下をより
効果的に防止することができる。
【００２５】次に図16(b)および図11に示すように、溶
融半田７の上面から圧力Ｐを加えると溶融半田７はメッ
シュノズル13の各微小開口部から射出され、マスク５の
開口部６内に充填される。開口部６への充填は導体パタ
ーン２のすべてに一括同時に行なわれる。充填された溶
融半田７は導体パターン２に濡れ付着し、この後、圧力
を無くすと(図16(c)，図12)、溶融半田７は、自身の表
面張力によりメッシュノズル13の上面側と導体パターン
２とに濡れて、マスク５の開口部６内において球面形状
となって分離されることになり、半田11の一括塗布が行
われる。
【００２６】この後、図13〜図15に示すように、Ｎ2ガ
スをマスク５上に吹き付けながら半田ポット８´および
メッシュノズル13をマスク５から引き離し、次にマスク
５を引き離すことによって、金属半田の回路基板１にお
ける導体パターン２上への供給が完了する。
【００２７】なお、半田ポット８´の底面を構成するメ
ッシュノズル13の構成としては、図17(a)に示す金網上
のメッシュ、あるいは図17(b)に示す開口のあるパンチ
ングメタルのようなものであってもよい。メッシュノズ
ル13の材質としては、ステンレスあるいはインバーなど
の熱膨張の少ない合金であり、かつ微小加工が可能な材
質であり、しかも半田に漏れない表面処理を施すとよ
い。また250℃以上の高温環境においても耐熱性のある
ポリイミド樹脂なども採用することができる。
【００２８】この第２実施形態における方法，構成によ
る半田塗布によれば、第１実施形態における方法，構成
による半田塗布に比べて処理の速くなる一括塗布を行う
ことが可能であって、生産効率の高い半田供給を実現す
ることができる。
【００２９】図18〜図26は本発明の第３実施形態を説明
するための半田供給装置の構成および半田供給の工程の
説明図である。
【００３０】この第３実施形態は第２実施形態における
半田ポットの構造とそれによる半田供給が異なってお
り、その他については第２実施形態と基本的には同様で
ある。図18〜図20に示すように、回路基板１にフラック
ス３を塗布してマスク５を密着させた後、図21に示すよ
うに、回路基板１の導体パターン２およびマスク５の開
口部６と同一箇所に溶融半田７が自重落下しない程度の
微小なサイズの貫通孔14aを形成したマスクノズル14を
底面に構成した半田ポット８´´により、一括して溶融
半田７をマスク５の開口部６内に充填供給する(図22，
図23)。
【００３１】この後、図24〜図26に示すように、半田ポ
ット８´´をマスク５から引き離し、次にマスク５を引
き離すことによって、金属半田の回路基板１における導
体パターン２上への供給が完了する。
【００３２】この第３実施形態では、半田ポット８´´
の汎用性は失われるが、必要部分にのみ溶融半田の流出
用の開口が設けられるため、開口における半田の酸化を
防ぐことができ、また精度よく半田の充填量を規制する
ことができて、安定した半田供給が可能となる。
【００３３】半田の酸化に関しては、既述したように、
Ｎ2ガス24をマスク５と半田ポット８，８´，８´´の
間に供給，充満させることにより、酸化を防止すること
ができる。
【００３４】なお、マスク５と半田ポット８，８´，８
´´を同時に回路基板１に密着させ、溶融半田７の塗布
処理の後、マスク５と半田ポット８，８´，８´´を同
時に回路基板１から引き離すことも考えられる。
【００３５】図27は本発明の第４実施形態を説明するた
めの半田ポット８´´´の要部を示す断面図であり、こ
の半田ポット８´´´は、マスク５にマスクノズル14を
形成し、そのマスク５を半田ポット８´´´の底部に一
体化したものである。図27の例におけるマスクノズル14
は、マスク５の上側が小径であり、下側が大径になって
いる段付の複数の孔20から構成されている。図28は半田
ポット８´´´の変形例を示し、図27の例とはマスクノ
ズル14を構成する孔21の断面形状がテーパ状になってい
る点が異なっている。両例ともに半田ポット８´´´
を、フラックスを塗布した後の回路基板１の導体パター
ン２に対して直接位置決めし、押し当てて溶融半田７を
塗布する。
【００３６】第４実施形態の半田ポット８´´´におい
て、マスク５は常に高温であり、回路基板１を加熱して
しまうため、回路基板１に熱膨張が生じて反りなどの不
具合を発生しやすいので、あまり大きなサイズは難し
い。しかし簡便な構造にて半田の供給を行うことが可能
となる。
【００３７】なお、溶融半田７をマスク５の開口部６に
押し込むための圧力は、半田ポットポット内に圧縮ガス
を加える他に、半田ポット８´´内において図29に示す
ようなシリンダ17によりピストン16を上下動させること
によって、溶融半田７を押下するような構成によっても
得ることができる。
【００３８】さらに、図30に示すようにシリンダ17に超
音波発振子18とＴ型のホーン19を付設し、半田ポット８
´´内の溶融半田に超音波振動を加えてキャビテーショ
ンを発生させる構成にして、半田ポット８´´およびマ
スク５を回路基板１にセットした後、溶融半田７に圧力
をかけてマスク５の開口部６内に半田11を充填させ、し
かも、このとき溶融半田７が固まらないように、半田ポ
ット８´´の温度をヒータ９によって加熱して上げてお
きながら、超音波26を溶融半田７に加えることにより、
導体パターン２の表面の酸化膜が破壊され、半田が良好
に濡れることになる。
【００３９】このようにすることによって、事前のフラ
ックスが全く必要なしに、あるいは非常に少量で済む半
田供給を行うことが可能になる。
【００４０】前記各実施形態によって説明したように、
本半田供給方法とその装置は、回路基板上の所定の位置
へ半田を所望量供給する方法において、基本的には、回
路基板上の導体パターンに対応した開口部を形成したマ
スクを回路基板上に密着させ、マスクの開口部内に溶融
した半田を充填し、回路基板の導体パターンへの溶融半
田の濡れ力により、半田を導体パターンへ転写供給する
ものである。
【００４１】このため、マスクの開口部に充填された溶
融半田は導体パターンのパッドに漏れ広がり、ファンピ
ッチな導体パターンに対してマスクの開口部がブリッジ
不良を抑止する作用がある。次いで溶融半田に加えてい
た圧力をなくすと、導体パターンに濡れ付着した溶融半
田とマスク上の溶融半田は、互いに表面張力により分裂
して、導体パターン上に溶融半田が転写されることにな
る。
【００４２】さらに、マスクの開口部から微小な孔を底
面に有する半田ポットを通じて、マスクの開口部に溶融
半田を射入する手段を採用することによって、溶融半田
と導体パターンに漏れたマスクの開口部内の溶融半田
は、半田ポットの底面の微小な孔において分離するた
め、供給される半田の量は、マスクの開口部における容
積に比例して一層安定化することになる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半田供給
方法および半田供給装置によれば、溶融した半田を導体
パターンに対応したマスクを介して半田を塗布すること
によって、所望量の半田を採取することができ、半田量
のバラツキの少ない半田供給が実現される。また溶融半
田はクリーム半田に比べて粘度も１／1000以上も低いた
め、微小孔からの吐出が可能であるため、ファインピッ
チパターンへの半田供給が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を説明するための半田供
給装置の構成および半田供給の第１工程の説明図であ
る。
【図２】本発明の第１実施形態における半田供給装置の
構成および半田供給の第２工程の説明図である。
【図３】本発明の第１実施形態における半田供給装置の
構成および半田供給の第３工程の説明図である。
【図４】本発明の第１実施形態における半田供給装置の
構成および半田供給の第４工程の説明図である。
【図５】本発明の第１実施形態における半田供給装置の
構成および半田供給の第５工程の説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態における半田供給装置の
構成および半田供給の第６工程の説明図である。
【図７】本発明の第２実施形態を説明するための半田供
給装置の構成および半田供給の第１工程の説明図であ
る。
【図８】本発明の第２実施形態における半田供給装置の
構成および半田供給の第２工程の説明図である。
【図９】本発明の第２実施形態における半田供給装置の
構成および半田供給の第３工程の説明図である。
【図１０】本発明の第２実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第４工程の説明図である。
【図１１】本発明の第２実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第５工程の説明図である。
【図１２】本発明の第２実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第６工程の説明図である。
【図１３】本発明の第２実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第７工程の説明図である。
【図１４】本発明の第２実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第８工程の説明図である。
【図１５】本発明の第２実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第９工程の説明図である。
【図１６】本発明の第２実施形態における半田供給装置
におけるメッシュノズル部分での溶融半田の動きを示す
説明図である。
【図１７】メッシュノズルの構成例を示す斜視図であ
る。
【図１８】本発明の第３実施形態を説明するための半田
供給装置の構成および半田供給の第１工程の説明図であ
る。
【図１９】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第２工程の説明図である。
【図２０】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第３工程の説明図である。
【図２１】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第４工程の説明図である。
【図２２】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第５工程の説明図である。
【図２３】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第６工程の説明図である。
【図２４】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第７工程の説明図である。
【図２５】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第８工程の説明図である。
【図２６】本発明の第３実施形態における半田供給装置
の構成および半田供給の第９工程の説明図である。
【図２７】本発明の第４実施形態を説明するための半田
ポットの要部を示す断面図である。
【図２８】図27の半田ポットの変形例を示す断面図であ
る。
【図２９】本実施形態における溶融半田への加圧構成の
説明図である。
【図３０】本実施形態における溶融半田への加振構成の
説明図である。
【図３１】従来のプリント基板への予備半田供給方法の
説明図である。
【図３２】従来のプリント基板への予備半田供給方法の
説明図である。
【符号の説明】
１…回路基板、 ２…導体パターン、 ３…フラック
ス、 ４…フラックスディスペンサー、 ５…マスク、
６…マスクの開口部、 ７…溶融半田、 ８，８´，
８´´，８´´´…半田ポット、 ９…ヒータ、 10…
スリットノズル、11…半田、 12…金属半田、 13…メ
ッシュノズル、 14…マスクノズル、16…ピストン、
17…シリンダ、 18…超音波発振子、 19…ホーン、
30…マスク移動手段、 31…圧縮ガス供給手段、 32…
Ｎ2ガス供給手段、 33…ポット移動手段。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路基板上に配置された導体パターンに
    対応させて半田を供給する半田供給方法において、前記
    回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されて
    いるマスクを前記回路基板上に密着させて設置した後、
    前記マスクの開口部内に溶融した半田を充填させて、前
    記導体パターンに半田を供給することを特徴とする半田
    供給方法。
  2. 【請求項２】 回路基板上に配置された導体パターンに
    対応させて半田を供給する半田供給方法において、前記
    回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されて
    いるマスクを前記回路基板上に密着させて設置し、細長
    いスリット状の開口を持つスリットノズルを先端に備え
    た半田ポットの内で半田を加熱溶融し、その後、前記ス
    リットノズルを前記マスクの上面に押し当てた後、前記
    半田ポット内の溶融半田に圧力を加え、前記スリットノ
    ズルの開口から溶融半田を押し出しながら、スリットノ
    ズルを前記マスク上における水平方向に移動させ、前記
    マスクの開口部内に溶融半田を充填させることにより、
    前記回路基板上における導体パターンに対して半田を供
    給することを特徴とする半田供給方法。
  3. 【請求項３】 回路基板上に配置された導体パターンに
    対応させて半田を供給する半田供給方法において、前記
    回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されて
    いるマスクを前記回路基板上に密着させて設置し、圧力
    が加わらなければ溶融半田が漏下しない大きさの微小開
    口を有するメッシュによって底面を構成した半田ポット
    により半田を加熱溶融し、その後、前記半田ポットの底
    面を前記マスクに近接させた後、前記半田ポット内の溶
    融半田に圧力を加え、前記半田ポットのメッシュから溶
    融半田を射出させ、前記マスクの開口部内に溶融半田を
    充填させることにより、前記回路基板上における導体パ
    ターンに対して半田を供給することを特徴とする半田供
    給方法。
  4. 【請求項４】 前記回路基板上における導体パターンに
    対して溶融半田を供給する際、前記マスクと前記半田ポ
    ットにおける溶融半田供給部分との間に、不活性ガスあ
    るいは還元ガスを供給することを特徴とする請求項１な
    いし請求項３のいずれか１項に記載の半田供給方法。
  5. 【請求項５】 前記マスクに前記半田ポットにおける溶
    融半田供給部分を接触させたまま、前記マスクと前記半
    田ポットとを前記回路基板に対して位置決めして一体化
    させて、この一体化した状態で前記回路基板上における
    導体パターンに対して溶融半田を供給して塗布した後、
    前記半田ポットを前記マスクから離し、さらに前記マス
    クを回路基板から離することを特徴とする請求項１ない
    し請求項３のいずれか１項に記載の半田供給方法。
  6. 【請求項６】 前記回路基板上における導体パターンに
    対して溶融半田を供給する際、前記半田ポット内の溶融
    半田に対して超音波振動を加えることを特徴とする請求
    項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の半田供給方
    法。
  7. 【請求項７】 回路基板上に配置された導体パターンに
    対応させて半田を供給するための半田供給装置におい
    て、前記回路基板の導体パターンに対応した開口部が形
    成されているマスクを前記回路基板上に密着させて設置
    する手段と、内部において半田を加熱溶融するポット部
    および前記マスクの上面に接触してマスクの開口部内に
    溶融半田を充填する溶融半田供給部を有する手段と、前
    記半田ポット内の溶融半田に押出圧力を加える手段とを
    備えたことを特徴とする半田供給装置。
  8. 【請求項８】 回路基板上に配置された導体パターンに
    対応させて半田を供給する半田供給装置において、前記
    回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されて
    いるマスクを前記回路基板上に密着させて設置する手段
    と、内部において半田を加熱溶融するポット部および前
    記マスクの上面に押し当てられる細長いスリット状の開
    口部を持つスリットノズルを有する半田ポットと、前記
    スリットノズルの開口部からマスクの開口部内に溶融半
    田を押し出すために前記半田ポット内の溶融半田に圧力
    を加える手段と、前記スリットノズルを前記マスク上に
    おける水平方向に移動させる手段とを備えたことを特徴
    とする半田供給装置。
  9. 【請求項９】 回路基板上に配置された導体パターンに
    対応させて半田を供給する半田供給装置において、前記
    回路基板の導体パターンに対応した開口部が形成されて
    いるマスクを前記回路基板上に密着させて設置する手段
    と、内部において半田を加熱溶融するポット部および底
    面に対して外力を加えなければ溶融半田が漏下しない大
    きさの微小開口を有するメッシュ状の底面を有する半田
    ポットと、前記半田ポットのメッシュ状の底面からマス
    クの開口部内に溶融半田を射出させるために前記半田ポ
    ット内の溶融半田に圧力を加える手段とを備えたことを
    特徴とする半田供給装置。
  10. 【請求項１０】 前記半田ポットの底面を、溶融半田が
    漏下しない大きさの微小な複数の孔を有するパンチング
    プレートにより構成したことを特徴とする請求項９記載
    の半田供給装置。
  11. 【請求項１１】 前記半田ポットの溶融半田供給部にお
    ける開口を、前記回路基板上における導体パターンに対
    応した前記マスクの開口部と同一位置のみに溶融半田を
    供給することができるように形成したことを特徴とする
    請求項７ないし請求項10のいずれか１項に記載の半田供
    給装置。
  12. 【請求項１２】 前記回路基板上における導体パターン
    に対して溶融半田を供給する際、前記マスクと前記半田
    ポットにおける溶融半田供給部分との間に、不活性ガス
    あるいは還元ガスを供給する手段を備えたことを特徴と
    する請求項７ないし請求項11のいずれか１項に記載の半
    田供給装置。
  13. 【請求項１３】 回路基板上に配置された導体パターン
    に対応させて半田を供給するための半田供給装置におい
    て、前記回路基板の導体パターンに対応した開口部の形
    成されているマスクを内部において半田を加熱溶融する
    半田ポットに位置決めして一体化し、さらにこの一体化
    した状態で前記回路基板上における導体パターンに対し
    て前記マスクの開口部から溶融半田を供給する溶融半田
    供給部を有する手段と、前記ポット部内の溶融半田に押
    出圧力を加える手段とを備えたことを特徴とする半田供
    給装置。
  14. 【請求項１４】 前記マスクを前記半田ポットに固定し
    たことを特徴とする請求項13記載の半田供給装置。
  15. 【請求項１５】 前記マスクの開口部を段付きの貫通孔
    とし、その断面形状を、前記開口部における溶融半田側
    は外圧を加えなければ溶融半田が漏下しない微小径に
    し、かつ開口部における回路基板側は前記微小径の開口
    より大きな径にしたことを特徴とする請求項７ないし請
    求項14のいずれか１項に記載の半田供給装置。
  16. 【請求項１６】 前記マスクの開口部をテーパー付きの
    貫通孔とし、その断面形状を、前記開口部における溶融
    半田側は外圧を加えなければ溶融半田が漏下しない微小
    径をなす三角形状としたことを特徴とする請求項７ない
    し請求項14のいずれか１項に記載の半田供給装置。
  17. 【請求項１７】 前記マスクを熱膨張の少ない合金材に
    よって形成したことを特徴とする請求項７ないし請求項
    16のいずれか１項に記載の半田供給装置。
  18. 【請求項１８】 前記半田ポットに溶融半田を加圧する
    ためのピストンを上下可能に設けたことを特徴とする請
    求項７ないし請求項14のいずれか１項に記載の半田供給
    装置。
  19. 【請求項１９】 前記半田ポット内の溶融半田に超音波
    振動を加えて、半田の導体パターンへの濡れ性を向上さ
    せるための加振部材を備えたことを特徴とする請求項７
    ないし請求項14のいずれか１項に記載の半田供給装置。
  20. 【請求項２０】 前記マスクの開口部あるいは前記半田
    ポットの溶融半田供給部における開口に撥水性加工を施
    したことを特徴とする請求項７ないし請求項19のいずれ
    か１項に記載の半田供給装置。
JP19734297A 1997-07-23 1997-07-23 半田供給方法および半田供給装置 Expired - Fee Related JP3731842B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19734297A JP3731842B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 半田供給方法および半田供給装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19734297A JP3731842B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 半田供給方法および半田供給装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1140937A true JPH1140937A (ja) 1999-02-12
JP3731842B2 JP3731842B2 (ja) 2006-01-05

Family

ID=16372888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19734297A Expired - Fee Related JP3731842B2 (ja) 1997-07-23 1997-07-23 半田供給方法および半田供給装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3731842B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294952A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> はんだを射出成形するための充填ヘッド
JP2007294959A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 導電性材料の射出成形方法およびシステム（はんだの射出成形のための回転充填技術）
JP2007294954A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 導電性結合材の充填技術
KR100923249B1 (ko) * 2007-12-21 2009-10-27 세크론 주식회사 템플릿의 캐버티들에 용융된 솔더를 주입하는 방법 및 이를수행하기 위한 장치
US7833567B2 (en) * 2001-01-19 2010-11-16 Yazaki Corporation Method for forming electrical circuit by jetting molten metal
WO2011027958A1 (ko) * 2009-09-07 2011-03-10 세크론 주식회사 솔더 범프 형성 장치
WO2013058299A1 (ja) 2011-10-18 2013-04-25 千住金属工業株式会社 はんだバンプ形成方法および装置
JP2013149976A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 溶融ソルダ射出ヘッド
KR101408729B1 (ko) * 2007-12-20 2014-07-02 세메스 주식회사 템플릿의 캐버티들에 강자성 물질을 포함하는 용융된솔더를 주입하는 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR20180095864A (ko) * 2015-12-15 2018-08-28 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 범프의 수정 방법
US10396469B1 (en) * 2015-07-24 2019-08-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method for manufacturing three-dimensional electronic circuit

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7833567B2 (en) * 2001-01-19 2010-11-16 Yazaki Corporation Method for forming electrical circuit by jetting molten metal
JP2007294959A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 導電性材料の射出成形方法およびシステム（はんだの射出成形のための回転充填技術）
JP2007294954A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 導電性結合材の充填技術
JP2007294952A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> はんだを射出成形するための充填ヘッド
KR101408729B1 (ko) * 2007-12-20 2014-07-02 세메스 주식회사 템플릿의 캐버티들에 강자성 물질을 포함하는 용융된솔더를 주입하는 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR100923249B1 (ko) * 2007-12-21 2009-10-27 세크론 주식회사 템플릿의 캐버티들에 용융된 솔더를 주입하는 방법 및 이를수행하기 위한 장치
WO2011027958A1 (ko) * 2009-09-07 2011-03-10 세크론 주식회사 솔더 범프 형성 장치
JP5656097B2 (ja) * 2011-10-18 2015-01-21 千住金属工業株式会社 はんだバンプ形成方法および装置
KR20140101732A (ko) 2011-10-18 2014-08-20 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 범프 형성 방법 및 장치
WO2013058299A1 (ja) 2011-10-18 2013-04-25 千住金属工業株式会社 はんだバンプ形成方法および装置
EP2770528A4 (en) * 2011-10-18 2015-05-20 Senju Metal Industry Co METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SOLUBLE HOLES
TWI552824B (zh) * 2011-10-18 2016-10-11 千住金屬工業股份有限公司 焊料凸塊形成方法及裝置
US9511438B2 (en) 2011-10-18 2016-12-06 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder bump forming method and apparatus
JP2013149976A (ja) * 2012-01-20 2013-08-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 溶融ソルダ射出ヘッド
US10396469B1 (en) * 2015-07-24 2019-08-27 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method for manufacturing three-dimensional electronic circuit
KR20180095864A (ko) * 2015-12-15 2018-08-28 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 범프의 수정 방법
CN108713246A (zh) * 2015-12-15 2018-10-26 千住金属工业株式会社 焊锡凸块的修正方法
US10681822B2 (en) * 2015-12-15 2020-06-09 Senju Metal Industry Co., Ltd. Method for correcting solder bump
TWI698970B (zh) * 2015-12-15 2020-07-11 日商千住金屬工業股份有限公司 焊料凸塊之修正方法
JP2020115574A (ja) * 2015-12-15 2020-07-30 千住金属工業株式会社 はんだバンプの修正方法
CN108713246B (zh) * 2015-12-15 2022-04-29 千住金属工业株式会社 焊锡凸块的修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3731842B2 (ja) 2006-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6077380A (en) Method of forming an adhesive connection
JP3583462B2 (ja) 電子成分のための微小はんだ付け装置および方法
US6586685B2 (en) Bump electrode and printed circuit board
CN100505197C (zh) 导电粘着材料注塑到非矩形模具中多个空腔的方法和系统
US6280858B1 (en) Substrate with solder alloy for mounting electronic parts
JPH0215698A (ja) はんだ付着装置
JPH0878833A (ja) プリント回路板およびはんだ被覆物の形成方法
JP4855459B2 (ja) 半導体チップの実装のためのハンダ吐出装置、及び、その装置を用いた半導体チップの実装方法
US6871776B2 (en) Manufacture of solid-solder-deposit PCB utilizing electrically heated wire mesh
JPH1140937A (ja) 半田供給方法および半田供給装置
JP3066963B1 (ja) はんだバンプの成形方法及び成形装置
JP4631851B2 (ja) はんだプリコート方法および電子機器用ワーク
JPH11297886A (ja) はんだバンプ形成方法
JP7117615B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6500693B2 (en) Electrode forming method and bump electrode formable base used therefor
US7422973B2 (en) Method for forming multi-layer bumps on a substrate
Nah et al. Injection molded solder-A new fine pitch substrate bumping method
WO2001043269A2 (en) Method and apparatus for making an electrical device
KR100863772B1 (ko) 솔더볼 및 공동이 형성된 몰드를 이용한 솔더볼의 제조방법
JP2000349416A (ja) 基板の加工方法
JP4338056B2 (ja) 選択的はんだ付けのためのプロセス
JPH04293297A (ja) プリント配線板および半田付け方法
JP3705152B2 (ja) 半田バンプの形成方法
JP3961876B2 (ja) 半導体装置用はんだバンプの製造方法
KR20090112506A (ko) 잉크젯 방식에 의하여 기판의 전극 패드에 박막 범프를형성하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040921

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050722

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051007

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091021

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees