JPH1140942A - 回路基板 - Google Patents
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- JPH1140942A JPH1140942A JP9210215A JP21021597A JPH1140942A JP H1140942 A JPH1140942 A JP H1140942A JP 9210215 A JP9210215 A JP 9210215A JP 21021597 A JP21021597 A JP 21021597A JP H1140942 A JPH1140942 A JP H1140942A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板の導体パターン部のボンディングエ
リアにバンプ付きのチップをバラツキが少なく、高いボ
ンディング強度で固着する。 【解決手段】 基板本体２上に設けられた導体層３にパ
ターンが形成された導体パターン部４を有し、超音波ボ
ンディングで搭載される部品のバンプが当たるボンディ
ング位置６ａ，６ｂ，６ｃが前記導体パターン部４に２
つ以上設定される回路基板１において、少なくとも１つ
のボンディング位置の近傍の導体層に、前記導体パター
ン部４の縁から内側に延びてボンディング位置近傍に至
る切欠部８ａ又は凹部が形成されるか、あるいは孤立し
た切欠部８ｂ又は凹部が形成されている。
リアにバンプ付きのチップをバラツキが少なく、高いボ
ンディング強度で固着する。 【解決手段】 基板本体２上に設けられた導体層３にパ
ターンが形成された導体パターン部４を有し、超音波ボ
ンディングで搭載される部品のバンプが当たるボンディ
ング位置６ａ，６ｂ，６ｃが前記導体パターン部４に２
つ以上設定される回路基板１において、少なくとも１つ
のボンディング位置の近傍の導体層に、前記導体パター
ン部４の縁から内側に延びてボンディング位置近傍に至
る切欠部８ａ又は凹部が形成されるか、あるいは孤立し
た切欠部８ｂ又は凹部が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上の導体層を
パターン形成して導体パターン部とした回路基板に係
り、特に、導体パターン部にボンディングエリアを定
め、超音波ボンディング方法を用いて基板上に実装する
部品のバンプを接合する回路基板に関するものである。
パターン形成して導体パターン部とした回路基板に係
り、特に、導体パターン部にボンディングエリアを定
め、超音波ボンディング方法を用いて基板上に実装する
部品のバンプを接合する回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に銅箔等の導体層を接着して積層
し、導体層を所望のパターン形状に形成して配線接続を
実現する回路基板は、大型な電子装置に用いられるカー
ド型のプリント基板としてだけでなく、最近では、マル
チチップ実装やベアチップ実装等の高密度実装方法が普
及したことにより、大小さまざまな回路基板が多様に使
われている。例えば、チップ部品を回路基板に直接にフ
ェースダウンボンディングする回路基板や、バンプやタ
ブを直接に回路基板上に超音波ボンディングすることが
できる回路基板、あるいは、配線基板であると同時に部
品の容器をも兼ねて電子部品に使われる回路基板等にも
その例を見ることができる。
し、導体層を所望のパターン形状に形成して配線接続を
実現する回路基板は、大型な電子装置に用いられるカー
ド型のプリント基板としてだけでなく、最近では、マル
チチップ実装やベアチップ実装等の高密度実装方法が普
及したことにより、大小さまざまな回路基板が多様に使
われている。例えば、チップ部品を回路基板に直接にフ
ェースダウンボンディングする回路基板や、バンプやタ
ブを直接に回路基板上に超音波ボンディングすることが
できる回路基板、あるいは、配線基板であると同時に部
品の容器をも兼ねて電子部品に使われる回路基板等にも
その例を見ることができる。
【０００３】以下、従来技術を総合的に駆使して高密度
実装化に対応する最近の回路基板の１例として、チップ
型表面弾性波素子に用いられる回路基板を例に取り、図
１１乃至図１２を参照して説明する。
実装化に対応する最近の回路基板の１例として、チップ
型表面弾性波素子に用いられる回路基板を例に取り、図
１１乃至図１２を参照して説明する。
【０００４】図１１は従来の表面弾性波素子の構造を分
解図として示す斜視図である。ニオブ酸リチウム結晶等
の表面弾性波チップ（以下、チップという）２１の片面
（図１１においては裏面）には、信号入出力用、グラン
ド接続用、あるいは、必要により電源接続用等の目的
で、高さが数十ミクロン程度の複数の電極バンプ（以
下、バンプという）２２が８カ所に取り付けられてい
る。チップ２１が搭載される回路基板２３には、導体パ
ターン部２４が導体層にパターン形成されており、導体
パターン部２４には、バンプ２２が超音波ボンディング
されて固着される所定の領域として、ボンディングエリ
ア２５が定められている。ここで、ボンディングエリア
２５は、バンプ２２が直接当たるボンディング位置と超
音波ボンディングにより当該バンプが広がって溶着、接
合した部分とを包含するエリアである。そして、前記チ
ップ２１が超音波ボンディングで装着されたのち、回路
基板２３は容器２６に収納されて蓋２７により封止され
る。このような従来技術の例は、特開平４−６５９０９
号公報にも見ることができる。
解図として示す斜視図である。ニオブ酸リチウム結晶等
の表面弾性波チップ（以下、チップという）２１の片面
（図１１においては裏面）には、信号入出力用、グラン
ド接続用、あるいは、必要により電源接続用等の目的
で、高さが数十ミクロン程度の複数の電極バンプ（以
下、バンプという）２２が８カ所に取り付けられてい
る。チップ２１が搭載される回路基板２３には、導体パ
ターン部２４が導体層にパターン形成されており、導体
パターン部２４には、バンプ２２が超音波ボンディング
されて固着される所定の領域として、ボンディングエリ
ア２５が定められている。ここで、ボンディングエリア
２５は、バンプ２２が直接当たるボンディング位置と超
音波ボンディングにより当該バンプが広がって溶着、接
合した部分とを包含するエリアである。そして、前記チ
ップ２１が超音波ボンディングで装着されたのち、回路
基板２３は容器２６に収納されて蓋２７により封止され
る。このような従来技術の例は、特開平４−６５９０９
号公報にも見ることができる。
【０００５】回路基板２３は、一般に厚さ０．２〜２．
５ミリ程度の樹脂やセラミックス等の絶縁基材上に厚さ
数十ミクロン程度の接着層を介して厚さ１２〜７５ミク
ロン程度の銅等の金属箔が導体層として積層され、導体
層が所望のパターン形状にエッチングされ、導体パター
ン部２４による平面状の回路を構成している。なお、最
近の回路基板では、導体層が数百ミクロン程度の幅やス
ペースでエッチングされ、高精度な導体パターン部を形
成している。
５ミリ程度の樹脂やセラミックス等の絶縁基材上に厚さ
数十ミクロン程度の接着層を介して厚さ１２〜７５ミク
ロン程度の銅等の金属箔が導体層として積層され、導体
層が所望のパターン形状にエッチングされ、導体パター
ン部２４による平面状の回路を構成している。なお、最
近の回路基板では、導体層が数百ミクロン程度の幅やス
ペースでエッチングされ、高精度な導体パターン部を形
成している。
【０００６】上記の回路基板にバンプ付きの部品を実装
する超音波ボンディングについて、図１２を参照して以
下に説明する。まず、超音波ボンダー２８のヘッド部２
９の先端でバンプ２２を下面にしてチップ２１を吸着
し、次いで、複数のバンプ２２のそれぞれを回路基板２
３上の導体パターン部２４のボンディングエリア中心
（ボンディング位置）に位置合わせし、ヘッド部２９を
下ろしてバンプ２２を導体パターン部２４の表面に押し
付けるとともに、ヘッド部２９からチップ２１経由で超
音波をバンプ２２に加え、超音波のエネルギーを利用し
てバンプ２２と導体パターン部２４を接合させ、回路基
板２３にチップ２１を固着させる。
する超音波ボンディングについて、図１２を参照して以
下に説明する。まず、超音波ボンダー２８のヘッド部２
９の先端でバンプ２２を下面にしてチップ２１を吸着
し、次いで、複数のバンプ２２のそれぞれを回路基板２
３上の導体パターン部２４のボンディングエリア中心
（ボンディング位置）に位置合わせし、ヘッド部２９を
下ろしてバンプ２２を導体パターン部２４の表面に押し
付けるとともに、ヘッド部２９からチップ２１経由で超
音波をバンプ２２に加え、超音波のエネルギーを利用し
てバンプ２２と導体パターン部２４を接合させ、回路基
板２３にチップ２１を固着させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の技術によると、次のような種々の未解決な課題が
残されていた。
従来の技術によると、次のような種々の未解決な課題が
残されていた。
【０００８】すなわち、複数のバンプを備えた部品を回
路基板上に超音波ボンディングする場合、全てのバンプ
に同程度のボンディング強度を持たせることが難しく、
バンプ毎のボンディング強度にバラツキが生じてしま
う。
路基板上に超音波ボンディングする場合、全てのバンプ
に同程度のボンディング強度を持たせることが難しく、
バンプ毎のボンディング強度にバラツキが生じてしま
う。
【０００９】バンプをボンディングエリアに超音波ボン
ディングする場合には、本来はバンプの形状やボンディ
ングエリアを含めた導体パターン部の形状等に応じて、
最適な超音波の接合エネルギーをバンプに加えることが
望ましい。例えば、図１１の導体パターン部２４のうち
導体ランド２４ａに示すように三方向がパターンの境界
で仕切られた比較的に幅の狭い導体ランド部分のボンデ
ィングエリアに対してバンプを超音波ボンディングする
場合には、バンプには比較的強い超音波エネルギーを時
間も長く加え、チップに加える荷重も大きくしてボンデ
ィングエリアにボンディングすることが望ましい。
ディングする場合には、本来はバンプの形状やボンディ
ングエリアを含めた導体パターン部の形状等に応じて、
最適な超音波の接合エネルギーをバンプに加えることが
望ましい。例えば、図１１の導体パターン部２４のうち
導体ランド２４ａに示すように三方向がパターンの境界
で仕切られた比較的に幅の狭い導体ランド部分のボンデ
ィングエリアに対してバンプを超音波ボンディングする
場合には、バンプには比較的強い超音波エネルギーを時
間も長く加え、チップに加える荷重も大きくしてボンデ
ィングエリアにボンディングすることが望ましい。
【００１０】また、図１１の導体パターン部２４のうち
導体ランド２４ｂに示すような比較的に幅の広い導体ラ
ンド部分のボンディングエリアにバンプを超音波ボンデ
ィングする場合には、上記のような強い超音波エネルギ
ーや荷重をバンプに加える必要はなく、反対に、あまり
強い超音波エネルギーをバンプに加えると、かえって回
路基板やチップにクラックを生じる等、破損してしまう
等の問題が起きる。
導体ランド２４ｂに示すような比較的に幅の広い導体ラ
ンド部分のボンディングエリアにバンプを超音波ボンデ
ィングする場合には、上記のような強い超音波エネルギ
ーや荷重をバンプに加える必要はなく、反対に、あまり
強い超音波エネルギーをバンプに加えると、かえって回
路基板やチップにクラックを生じる等、破損してしまう
等の問題が起きる。
【００１１】しかしながら、一方では、回路基板に形成
した導体パターン部の形状や面積は、電気信号の種類や
電流容量、あるいは、パターンの用途等によって多様に
異なるのが通常であるのにも拘わらず、他方では、超音
波ボンダーのヘッド部からチップに加わる超音波エネル
ギーは、チップが導体パターン部に押し当てられること
によって各バンプに機械的に単純に配分されるに過ぎな
い。
した導体パターン部の形状や面積は、電気信号の種類や
電流容量、あるいは、パターンの用途等によって多様に
異なるのが通常であるのにも拘わらず、他方では、超音
波ボンダーのヘッド部からチップに加わる超音波エネル
ギーは、チップが導体パターン部に押し当てられること
によって各バンプに機械的に単純に配分されるに過ぎな
い。
【００１２】その結果、それぞれのボンディングエリア
に対して組合わされる個々のバンプには、それぞれに適
した超音波エネルギーを各別に加えることが望ましいも
のの、実際には接合エネルギーの調整が不可能であり、
結果として、複数のバンプが付いたチップを回路基板に
超音波ボンディングする場合には、バンプとボンディン
グエリアの接合に働く接合エネルギーに過不足が生じ、
超音波ボンディングの不良率が高く、接合部の信頼性に
も欠けるものであった。
に対して組合わされる個々のバンプには、それぞれに適
した超音波エネルギーを各別に加えることが望ましいも
のの、実際には接合エネルギーの調整が不可能であり、
結果として、複数のバンプが付いたチップを回路基板に
超音波ボンディングする場合には、バンプとボンディン
グエリアの接合に働く接合エネルギーに過不足が生じ、
超音波ボンディングの不良率が高く、接合部の信頼性に
も欠けるものであった。
【００１３】さらに、最近の傾向であるフレキシブルマ
ニュファクチャリングシステムやロボット化した自動実
装装置を例にとれば、一台の超音波ボンダーを用いて、
多種類の回路基板に対して、バンプ付きのチップを超音
波ボンディングする場合や、大型回路基板の各所に多種
類のバンプ付き部品を超音波ボンディングするマルチチ
ップ実装等の場合には、回路基板の種類が変わる毎に、
あるいは、導体パターン部の形状が異なる毎に、さらに
は、部品のバンプ数が異なる毎に、その都度、最適なボ
ンディング条件になるように超音波ボンダーの動作条件
を調整し直さなければならず、実質的に生産性が極端に
低下するので実用性に欠けるという重大な欠点があっ
た。
ニュファクチャリングシステムやロボット化した自動実
装装置を例にとれば、一台の超音波ボンダーを用いて、
多種類の回路基板に対して、バンプ付きのチップを超音
波ボンディングする場合や、大型回路基板の各所に多種
類のバンプ付き部品を超音波ボンディングするマルチチ
ップ実装等の場合には、回路基板の種類が変わる毎に、
あるいは、導体パターン部の形状が異なる毎に、さらに
は、部品のバンプ数が異なる毎に、その都度、最適なボ
ンディング条件になるように超音波ボンダーの動作条件
を調整し直さなければならず、実質的に生産性が極端に
低下するので実用性に欠けるという重大な欠点があっ
た。
【００１４】結果的に、バンプ付きのチップを回路基板
に実装する場合には、超音波ボンディングは汎用性に欠
け、生産性に乏しく、しかも、接合後の信頼性にも欠け
るという課題を有していた。
に実装する場合には、超音波ボンディングは汎用性に欠
け、生産性に乏しく、しかも、接合後の信頼性にも欠け
るという課題を有していた。
【００１５】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、回路基板の導体パターン部のボンディングエ
リアにバンプ付きのチップをバラツキが少なく、高いボ
ンディング強度で固着することができる回路基板を提供
することを目的とする。
のであり、回路基板の導体パターン部のボンディングエ
リアにバンプ付きのチップをバラツキが少なく、高いボ
ンディング強度で固着することができる回路基板を提供
することを目的とする。
【００１６】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る第１の回路基板は、基板本体上に設け
られた導体層にパターンが形成された導体パターン部を
有し、超音波ボンディングで搭載される部品のバンプが
当たるボンディング位置が前記導体パターン部に２つ以
上設定される場合において、少なくとも１つのボンディ
ング位置の近傍の導体層に、孤立した切欠部又は凹部
（例えば四方が導体層の段差で囲まれた島状の切欠又は
凹パターン）が形成されていることを特徴としている。
に、本発明に係る第１の回路基板は、基板本体上に設け
られた導体層にパターンが形成された導体パターン部を
有し、超音波ボンディングで搭載される部品のバンプが
当たるボンディング位置が前記導体パターン部に２つ以
上設定される場合において、少なくとも１つのボンディ
ング位置の近傍の導体層に、孤立した切欠部又は凹部
（例えば四方が導体層の段差で囲まれた島状の切欠又は
凹パターン）が形成されていることを特徴としている。
【００１８】また、本発明に係る第２の回路基板は、基
板本体上に設けられた導体層にパターンが形成された導
体パターン部を有し、超音波ボンディングで搭載される
部品のバンプが当たるボンディング位置が前記導体パタ
ーン部に２つ以上設定される場合において、少なくとも
１つのボンディング位置の近傍の導体層に、前記導体パ
ターン部の縁から内側に延びてボンディング位置近傍に
至る切欠部又は凹部（例えば三方が導体層の段差で囲ま
れた溝状の切欠又は凹パターン）が形成されていること
を特徴としている。
板本体上に設けられた導体層にパターンが形成された導
体パターン部を有し、超音波ボンディングで搭載される
部品のバンプが当たるボンディング位置が前記導体パタ
ーン部に２つ以上設定される場合において、少なくとも
１つのボンディング位置の近傍の導体層に、前記導体パ
ターン部の縁から内側に延びてボンディング位置近傍に
至る切欠部又は凹部（例えば三方が導体層の段差で囲ま
れた溝状の切欠又は凹パターン）が形成されていること
を特徴としている。
【００１９】前記第１又は第２の回路基板において、前
記切欠部又は凹部が前記超音波ボンディングの超音波振
動の方向を横切る方向に延びて形成されているとよい。
記切欠部又は凹部が前記超音波ボンディングの超音波振
動の方向を横切る方向に延びて形成されているとよい。
【００２０】また、前記切欠部又は凹部が前記導体パタ
ーン部を部分的に狭隘（例えばくびれた形状）にして狭
隘パターン部を形成するものであってもよい。
ーン部を部分的に狭隘（例えばくびれた形状）にして狭
隘パターン部を形成するものであってもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る回路基板の実
施の形態を図面に従って説明する。
施の形態を図面に従って説明する。
【００２２】図１は本発明に係る回路基板の第１の実施
の形態を示す平面図、図２は正断面図である。これらの
図に示すように、回路基板１は、基板本体２上に導体層
３を積層し、導体層３に所望の形状のパターンを形成し
た導体パターン部４を構成したものである。回路基板１
上にフェースダウン実装される図２の仮想線で示す部品
２０は、１つのチップ２１に複数のバンプ２２が設けら
れており（例えば図１１に示したチップと同様のも
の）、導体パターン部４には、バンプが超音波ボンディ
ング方法により固着される領域として複数のボンディン
グエリア５ａ，５ｂ，５ｃが定められている。ここで、
ボンディングエリアは、バンプ２２が直接当たるボンデ
ィング位置と超音波ボンディングにより当該バンプが広
がって溶着した部分とを包含するエリアである。
の形態を示す平面図、図２は正断面図である。これらの
図に示すように、回路基板１は、基板本体２上に導体層
３を積層し、導体層３に所望の形状のパターンを形成し
た導体パターン部４を構成したものである。回路基板１
上にフェースダウン実装される図２の仮想線で示す部品
２０は、１つのチップ２１に複数のバンプ２２が設けら
れており（例えば図１１に示したチップと同様のも
の）、導体パターン部４には、バンプが超音波ボンディ
ング方法により固着される領域として複数のボンディン
グエリア５ａ，５ｂ，５ｃが定められている。ここで、
ボンディングエリアは、バンプ２２が直接当たるボンデ
ィング位置と超音波ボンディングにより当該バンプが広
がって溶着した部分とを包含するエリアである。
【００２３】ボンディングエリア５ａは、導体パターン
部４のうち、信号授受のための比較的導体パターン幅が
狭い導体ランド４ａにあり、ボンディングエリア５ｂ，
５ｃはグランドや電源となる比較的導体パターン幅が広
い導体ランド４ｂにある。ボンディングエリア５ａ，５
ｂ，５ｃの中央部は、バンプが導体層３に押し付けられ
るボンディング位置６ａ，６ｂ，６ｃである。さらに、
導体パターン部４の導体ランド４ａ，４ｂが延びて回路
基板１の縁には、回路基板と外部を接続する端子部７が
設けられている。
部４のうち、信号授受のための比較的導体パターン幅が
狭い導体ランド４ａにあり、ボンディングエリア５ｂ，
５ｃはグランドや電源となる比較的導体パターン幅が広
い導体ランド４ｂにある。ボンディングエリア５ａ，５
ｂ，５ｃの中央部は、バンプが導体層３に押し付けられ
るボンディング位置６ａ，６ｂ，６ｃである。さらに、
導体パターン部４の導体ランド４ａ，４ｂが延びて回路
基板１の縁には、回路基板と外部を接続する端子部７が
設けられている。
【００２４】前記基板本体２を形成する材料は十分な強
度を有する材料であればよく、絶縁性のエポシキ樹脂や
セラミックス、あるいは、金属板上に絶縁層を積層した
メタル基板等でもよい。また、導体層は、電気信号を伝
送できる導電性材料であればよく、銅や金、ニッケル等
の金属箔や焼成厚膜導体層等の導体であればよい。ま
た、これらの導体の表面にニッケルや金等メッキ層が施
されることによりボンディング性を良くすることもでき
る。
度を有する材料であればよく、絶縁性のエポシキ樹脂や
セラミックス、あるいは、金属板上に絶縁層を積層した
メタル基板等でもよい。また、導体層は、電気信号を伝
送できる導電性材料であればよく、銅や金、ニッケル等
の金属箔や焼成厚膜導体層等の導体であればよい。ま
た、これらの導体の表面にニッケルや金等メッキ層が施
されることによりボンディング性を良くすることもでき
る。
【００２５】本発明の第１の実施の形態の要部として、
導体パターン部４に含まれるボンディングエリア５ａ，
５ｂ，５ｃの縁にあたる導体層部分（ボンディングエリ
ア５ａ，５ｂ，５ｃの内又は近傍、つまりボンディング
位置６ａ，６ｂ，６ｃの近傍）には、超音波ボンディン
グを良好に行えるように、切欠部８ａ，８ｂが設けられ
ている。これらの切欠部８ａ，８ｂは電気接続のために
は必要とされないものである。また、それらの切欠部８
ａと切欠部８ｂは、共に設けられる必要はない。ここ
で、切欠部８ａは、ボンディングエリア５ｃのある導体
層３の周囲の三方を囲み、一端がボンディングエリア５
ｃの縁又は近傍に達した所で止まり、他端が導体パター
ン部４の縁に達するまで長く延びた導体層が欠落した空
白パターンである。図１の平面図によれば、切欠部８ａ
は、導体パターン部４の縁から導体パターン部４の内側
に延びてボンディングエリア５ｃの縁に達する帯状のス
リットとして形成されている。また、切欠部８ｂは、導
体パターン部４の縁から隔たった導体パターン部４の内
側に孤立する空白パターンであり、導体パターン部の縁
に対して不連続な島状のスリットとして形成されてい
る。なお、切欠部８ａ，８ｂは、導体層３が基板本体２
に当初から被着されていない空白パターン、あるいは、
基板本体２上に被着された導体層３が所定の幅で除去さ
れた空白パターンとして形成される。
導体パターン部４に含まれるボンディングエリア５ａ，
５ｂ，５ｃの縁にあたる導体層部分（ボンディングエリ
ア５ａ，５ｂ，５ｃの内又は近傍、つまりボンディング
位置６ａ，６ｂ，６ｃの近傍）には、超音波ボンディン
グを良好に行えるように、切欠部８ａ，８ｂが設けられ
ている。これらの切欠部８ａ，８ｂは電気接続のために
は必要とされないものである。また、それらの切欠部８
ａと切欠部８ｂは、共に設けられる必要はない。ここ
で、切欠部８ａは、ボンディングエリア５ｃのある導体
層３の周囲の三方を囲み、一端がボンディングエリア５
ｃの縁又は近傍に達した所で止まり、他端が導体パター
ン部４の縁に達するまで長く延びた導体層が欠落した空
白パターンである。図１の平面図によれば、切欠部８ａ
は、導体パターン部４の縁から導体パターン部４の内側
に延びてボンディングエリア５ｃの縁に達する帯状のス
リットとして形成されている。また、切欠部８ｂは、導
体パターン部４の縁から隔たった導体パターン部４の内
側に孤立する空白パターンであり、導体パターン部の縁
に対して不連続な島状のスリットとして形成されてい
る。なお、切欠部８ａ，８ｂは、導体層３が基板本体２
に当初から被着されていない空白パターン、あるいは、
基板本体２上に被着された導体層３が所定の幅で除去さ
れた空白パターンとして形成される。
【００２６】なお、図１中、超音波ボンディングの際に
印加される超音波振動は矢印Ｘ方向であり、前記切欠部
８ａ，８ｂは超音波振動の方向（Ｘ方向）を横切る向き
の空白パターン部分を少なくとも有している。
印加される超音波振動は矢印Ｘ方向であり、前記切欠部
８ａ，８ｂは超音波振動の方向（Ｘ方向）を横切る向き
の空白パターン部分を少なくとも有している。
【００２７】また、切欠部８ａ，８ｂは、実質的に各ボ
ンディングエリアに加わる接合エネルギーが揃うよう
に、回路基板１上のボンディングエリアに対する相対的
な位置や形状を設定する。
ンディングエリアに加わる接合エネルギーが揃うよう
に、回路基板１上のボンディングエリアに対する相対的
な位置や形状を設定する。
【００２８】そして、この第１の実施の形態によれば、
導体パターン部４のうち導体ランド４ｂに、超音波振動
の方向（Ｘ方向）を横切る向きの切欠部８ａ，８ｂが設
けられことにより、導体ランド４ｂのボンディングエリ
ア５ｂ，５ｃは、ボンディングエリア５ｂ，５ｃに広が
る導体層のＸ方向の領域が物理的に限定され、ボンディ
ングエリア５ｂ，５ｃにつながる導体ランド４ｂの導体
層の幅は切欠部８ａ，８ｂによって狭く絞られた狭隘パ
ターン部となるので、ボンディングエリア５ａのある幅
の狭い導体ランド４ａの領域と近似する。つまり、超音
波ボンディングの条件が相互に近似することになる。そ
の結果、ボンディングエリア５ａ，５ｂ，５ｃを含めた
導体パターン部４に広狭があっても、どのボンディング
エリアにも一様な超音波エネルギーが加わることにな
り、超音波ボンディングの際のチップ２１側のバンプ２
２とボンディングエリアの導体層とに加わる接合エネル
ギーを揃えることができる。従って、バンプとボンディ
ングエリアの接合に働く接合エネルギーに過不足が発生
することを防止でき、接合不良の発生を防ぐことができ
る。なお、切欠部８ａ，８ｂが超音波振動の方向（Ｘ方
向）を横切る向きの空白パターン部分を有するようにし
たのは、ボンディングエリア５ａ，５ｂ，５ｃの周囲の
超音波振動方向（Ｘ方向）の導体層幅が超音波ボンディ
ングの接合条件に大いに影響するからである。
導体パターン部４のうち導体ランド４ｂに、超音波振動
の方向（Ｘ方向）を横切る向きの切欠部８ａ，８ｂが設
けられことにより、導体ランド４ｂのボンディングエリ
ア５ｂ，５ｃは、ボンディングエリア５ｂ，５ｃに広が
る導体層のＸ方向の領域が物理的に限定され、ボンディ
ングエリア５ｂ，５ｃにつながる導体ランド４ｂの導体
層の幅は切欠部８ａ，８ｂによって狭く絞られた狭隘パ
ターン部となるので、ボンディングエリア５ａのある幅
の狭い導体ランド４ａの領域と近似する。つまり、超音
波ボンディングの条件が相互に近似することになる。そ
の結果、ボンディングエリア５ａ，５ｂ，５ｃを含めた
導体パターン部４に広狭があっても、どのボンディング
エリアにも一様な超音波エネルギーが加わることにな
り、超音波ボンディングの際のチップ２１側のバンプ２
２とボンディングエリアの導体層とに加わる接合エネル
ギーを揃えることができる。従って、バンプとボンディ
ングエリアの接合に働く接合エネルギーに過不足が発生
することを防止でき、接合不良の発生を防ぐことができ
る。なお、切欠部８ａ，８ｂが超音波振動の方向（Ｘ方
向）を横切る向きの空白パターン部分を有するようにし
たのは、ボンディングエリア５ａ，５ｂ，５ｃの周囲の
超音波振動方向（Ｘ方向）の導体層幅が超音波ボンディ
ングの接合条件に大いに影響するからである。
【００２９】なお、この第１の実施の形態では、基板本
体２として厚さ０．５ミリ、一辺が７５ミリ四方のビス
マレイミドトリアジン樹脂の積層基板を用い、導体層３
としては、基板に積層した厚さ１８ミクロンの銅箔上に
厚さが１０ミクロンの銅メッキ層と、厚さが５〜１０ミ
クロンのニッケルメッキ層、厚さが０．５〜１ミクロン
の金メッキ層を被覆して用いている。なお、回路基板１
は、チップ実装後に数ミリ角にダイシングによってカッ
トされ、最終的には図示の形状に分離される。回路基板
上にフェースダウン実装する部品としては、ニオブ酸リ
チウム単結晶の表面弾性波チップ素子（図１１で説明し
たチップ２１と同様のもの）を用い、その片面には、径
が２５ミクロンの金バンプが８個所に設けられている。
そして、ボンディングエリア５ａ，５ｂ，５ｃの周りに
は、導体層をエッチングすることにより幅が５０〜１５
０ミクロンの細長いスリット状の空白パターンとなる切
欠部を形成した。
体２として厚さ０．５ミリ、一辺が７５ミリ四方のビス
マレイミドトリアジン樹脂の積層基板を用い、導体層３
としては、基板に積層した厚さ１８ミクロンの銅箔上に
厚さが１０ミクロンの銅メッキ層と、厚さが５〜１０ミ
クロンのニッケルメッキ層、厚さが０．５〜１ミクロン
の金メッキ層を被覆して用いている。なお、回路基板１
は、チップ実装後に数ミリ角にダイシングによってカッ
トされ、最終的には図示の形状に分離される。回路基板
上にフェースダウン実装する部品としては、ニオブ酸リ
チウム単結晶の表面弾性波チップ素子（図１１で説明し
たチップ２１と同様のもの）を用い、その片面には、径
が２５ミクロンの金バンプが８個所に設けられている。
そして、ボンディングエリア５ａ，５ｂ，５ｃの周りに
は、導体層をエッチングすることにより幅が５０〜１５
０ミクロンの細長いスリット状の空白パターンとなる切
欠部を形成した。
【００３０】本実施の形態において、図２の仮想線に示
したチップ２１を図１２に図示した如き超音波ボンダー
のヘッド部に吸引させ、回路基板１のボンディングエリ
ア５ａ，５ｂ，５ｃに各バンプ２２を位置合わせして１
００℃に加熱した条件下で押圧７００ｇでバンプを導体
層に押し付けながら、周波数６０ｋＨｚ、超音波出力
１．５Ｗの超音波を０．５秒間、加えて超音波ボンディ
ングを行った。
したチップ２１を図１２に図示した如き超音波ボンダー
のヘッド部に吸引させ、回路基板１のボンディングエリ
ア５ａ，５ｂ，５ｃに各バンプ２２を位置合わせして１
００℃に加熱した条件下で押圧７００ｇでバンプを導体
層に押し付けながら、周波数６０ｋＨｚ、超音波出力
１．５Ｗの超音波を０．５秒間、加えて超音波ボンディ
ングを行った。
【００３１】図４は、本実施の形態によって得られた超
音波ボンディングの接合強度とバラツキを、せん断方向
に応力を加えて測定し、従来技術による接合強度と比較
したグラフを示している。超音波ボンディングを良好に
するための切欠部を導体パターン部に有しない従来の回
路基板では、平均の接合強度が５００ｇであり、最大強
度が７００ｇ、最低強度が３００ｇであったのに比較
し、この実施の形態によれば、平均の接合強度が７６０
ｇに顕著に強化され、最大強度も９００ｇ、最低強度で
も６００ｇであった。
音波ボンディングの接合強度とバラツキを、せん断方向
に応力を加えて測定し、従来技術による接合強度と比較
したグラフを示している。超音波ボンディングを良好に
するための切欠部を導体パターン部に有しない従来の回
路基板では、平均の接合強度が５００ｇであり、最大強
度が７００ｇ、最低強度が３００ｇであったのに比較
し、この実施の形態によれば、平均の接合強度が７６０
ｇに顕著に強化され、最大強度も９００ｇ、最低強度で
も６００ｇであった。
【００３２】さらに、注目すべきことに、破壊試験の結
果によると、従来例によれば、バンプと基板上の金メッ
キの間で剥離する破壊モードが１５％も生じているのに
対して、本実施の形態の場合には、このような剥離モー
ドが皆無であり、全てが素子の破壊か、あるいは、素子
の電極自体の破壊等による破壊モードを示している。
果によると、従来例によれば、バンプと基板上の金メッ
キの間で剥離する破壊モードが１５％も生じているのに
対して、本実施の形態の場合には、このような剥離モー
ドが皆無であり、全てが素子の破壊か、あるいは、素子
の電極自体の破壊等による破壊モードを示している。
【００３３】この第１の実施の形態によれば、搭載部品
側のバンプとボンディングエリア５ａ、５ｂ、５ｃに加
わる超音波エネルギーは、導体パターン部４に切欠部８
ａ，８ｂが設けられていることにより、各ボンディング
エリア周囲の条件が揃えられ、過不足無く、有効に接合
エネルギーとなって各バンプに作用し、強固でバラツキ
の少ないバンプのボンディングを実現することができる
という著しい効果がある。この傾向は、特に樹脂基板を
基板本体２に用いた場合には顕著である。
側のバンプとボンディングエリア５ａ、５ｂ、５ｃに加
わる超音波エネルギーは、導体パターン部４に切欠部８
ａ，８ｂが設けられていることにより、各ボンディング
エリア周囲の条件が揃えられ、過不足無く、有効に接合
エネルギーとなって各バンプに作用し、強固でバラツキ
の少ないバンプのボンディングを実現することができる
という著しい効果がある。この傾向は、特に樹脂基板を
基板本体２に用いた場合には顕著である。
【００３４】なお、上記の第１の実施の形態の説明で
は、切欠部８ａ，８ｂについて、導体層３をスリット状
にエッチングする例を挙げたが、厚膜導体層を形成する
場合には、スクリーンでマスキングを行い、厚膜導体が
基板本体上に被着しないようにすることによって切欠部
を形成することもできる。もちろん、切欠部８ａ，８ｂ
をレーザ加工等により形成し、導体層３に後加工でスリ
ットを切り込むこともできる。これによれば、試験的に
回路基板上に部品を実際に取り付け、超音波ボンディン
グの接合強度のバラツキを計測し、その結果によって量
産時の回路基板の切欠部を後加工する際の位置や長さ、
形状を設定することができるという効果がある。
は、切欠部８ａ，８ｂについて、導体層３をスリット状
にエッチングする例を挙げたが、厚膜導体層を形成する
場合には、スクリーンでマスキングを行い、厚膜導体が
基板本体上に被着しないようにすることによって切欠部
を形成することもできる。もちろん、切欠部８ａ，８ｂ
をレーザ加工等により形成し、導体層３に後加工でスリ
ットを切り込むこともできる。これによれば、試験的に
回路基板上に部品を実際に取り付け、超音波ボンディン
グの接合強度のバラツキを計測し、その結果によって量
産時の回路基板の切欠部を後加工する際の位置や長さ、
形状を設定することができるという効果がある。
【００３５】上記第１の実施の形態では、導体パターン
部４に、基板本体２に至るまでの導体層３を厚み方向の
全てにわたり除去した切欠部８ａ，８ｂを設けた場合を
例示したが、必ずしも基板本体２に至るまでの導体層３
の厚み方向全部を除去する必要はなく、超音波ボンディ
ングの伝搬条件を実質的に揃えることができる程度に導
体層の肉厚を薄くするように凹部を形成してもよく、こ
の場合を本発明の第２の実施の形態として図３に示す。
部４に、基板本体２に至るまでの導体層３を厚み方向の
全てにわたり除去した切欠部８ａ，８ｂを設けた場合を
例示したが、必ずしも基板本体２に至るまでの導体層３
の厚み方向全部を除去する必要はなく、超音波ボンディ
ングの伝搬条件を実質的に揃えることができる程度に導
体層の肉厚を薄くするように凹部を形成してもよく、こ
の場合を本発明の第２の実施の形態として図３に示す。
【００３６】図３の第２の実施の形態では、第１の実施
の形態の切欠部８ａ，８ｂの代わりに導体層３の肉厚を
薄くして導体層３の厚みを一部残した凹部８ａ’，８
ｂ’を基板本体２上の導体パターン部４に形成してい
る。その他の構成部分は前述の第１の実施の形態と同様
であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省
略する。
の形態の切欠部８ａ，８ｂの代わりに導体層３の肉厚を
薄くして導体層３の厚みを一部残した凹部８ａ’，８
ｂ’を基板本体２上の導体パターン部４に形成してい
る。その他の構成部分は前述の第１の実施の形態と同様
であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省
略する。
【００３７】この第２の実施の形態の場合も、各ボンデ
ィングエリア５ａ、５ｂ、５ｃ周囲の導体パターン部４
の超音波ボンディングの条件を揃えることで、搭載部品
側のバンプ２２及びボンディングエリア５ａ、５ｂ、５
ｃに過不足無く超音波エネルギーを与えて、強固なバン
プのボンディングを実現することができる。この第２の
実施の形態は、レーザ加工等の後加工で凹部８ａ’，８
ｂ’を形成するのに好都合である。
ィングエリア５ａ、５ｂ、５ｃ周囲の導体パターン部４
の超音波ボンディングの条件を揃えることで、搭載部品
側のバンプ２２及びボンディングエリア５ａ、５ｂ、５
ｃに過不足無く超音波エネルギーを与えて、強固なバン
プのボンディングを実現することができる。この第２の
実施の形態は、レーザ加工等の後加工で凹部８ａ’，８
ｂ’を形成するのに好都合である。
【００３８】以上の本発明の第１及び第２の実施の形態
では、１個の部品を回路基板上にフェースダウンボンデ
ィングすることを前提として説明したが、マルチチップ
実装の場合にも、本質的に本発明は適用できるものであ
り、この場合を本発明の第３の実施の形態として図５で
説明する。すなわち、図５に示すように、回路基板１０
上には、導体層３にパターンが形成された導体パターン
部４が設けられており、回路基板１０上には、バンプ数
が異なる部品Ａ、Ｂ、Ｃを搭載するために、それぞれの
部品に備わる複数のバンプが超音波ボンディングされる
領域として導体パターン部４にボンディングエリア５
ａ，５ｂが設定されている。しかも、少なくとも１つの
ボンディングエリアの内または近傍（換言すれば、少な
くとも１つのボンディング位置６ａ，６ｂの近傍）の導
体層には空白パターンである切欠部８ａ，８ｂが設けら
れている。そして、部品Ａ、Ｂ、Ｃに対応して、ボンデ
ィングエリアの内又は近傍の導体層に設けられる切欠部
８ａ，８ｂは、それぞれの部品に対応して形状と配置が
異なっている。特に、各部品Ａ、Ｂ、Ｃが有するバンプ
の数（６個、８個、２個）に応じて切欠部８ａ，８ｂの
位置や形状が異なって形成される点が先の第１の実施の
形態とは異なる。その他の構成部分は前述の第１の実施
の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付
して説明を省略する。
では、１個の部品を回路基板上にフェースダウンボンデ
ィングすることを前提として説明したが、マルチチップ
実装の場合にも、本質的に本発明は適用できるものであ
り、この場合を本発明の第３の実施の形態として図５で
説明する。すなわち、図５に示すように、回路基板１０
上には、導体層３にパターンが形成された導体パターン
部４が設けられており、回路基板１０上には、バンプ数
が異なる部品Ａ、Ｂ、Ｃを搭載するために、それぞれの
部品に備わる複数のバンプが超音波ボンディングされる
領域として導体パターン部４にボンディングエリア５
ａ，５ｂが設定されている。しかも、少なくとも１つの
ボンディングエリアの内または近傍（換言すれば、少な
くとも１つのボンディング位置６ａ，６ｂの近傍）の導
体層には空白パターンである切欠部８ａ，８ｂが設けら
れている。そして、部品Ａ、Ｂ、Ｃに対応して、ボンデ
ィングエリアの内又は近傍の導体層に設けられる切欠部
８ａ，８ｂは、それぞれの部品に対応して形状と配置が
異なっている。特に、各部品Ａ、Ｂ、Ｃが有するバンプ
の数（６個、８個、２個）に応じて切欠部８ａ，８ｂの
位置や形状が異なって形成される点が先の第１の実施の
形態とは異なる。その他の構成部分は前述の第１の実施
の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付
して説明を省略する。
【００３９】この第３の実施の形態によれば、超音波ボ
ンダーのヘッド部から部品に加わる超音波エネルギーや
荷重が同じであっても、バンプの数に対応させて導体パ
ターン部４に形成される切欠部８ａ，８ｂの形状あるい
は位置がそれぞれの部品に適合するように設定されてい
るので、バンプの数が異なる異種の部品を同一の回路基
板に実装する場合にも、それぞれのバンプとボンディン
グエリアに加わる超音波の接合エネルギーを揃えること
ができる。とりわけ、超音波出力をプログラム設定する
ことができない簡易な超音波ボンダーを用いることによ
っても、マルチチップ実装を実現できるという特別な効
果がある。
ンダーのヘッド部から部品に加わる超音波エネルギーや
荷重が同じであっても、バンプの数に対応させて導体パ
ターン部４に形成される切欠部８ａ，８ｂの形状あるい
は位置がそれぞれの部品に適合するように設定されてい
るので、バンプの数が異なる異種の部品を同一の回路基
板に実装する場合にも、それぞれのバンプとボンディン
グエリアに加わる超音波の接合エネルギーを揃えること
ができる。とりわけ、超音波出力をプログラム設定する
ことができない簡易な超音波ボンダーを用いることによ
っても、マルチチップ実装を実現できるという特別な効
果がある。
【００４０】なお、第３の実施の形態において、切欠部
８ａ，８ｂの代わりに導体層３の厚みの一部を残した凹
部を形成するようにしても同様の効果が得られる。
８ａ，８ｂの代わりに導体層３の厚みの一部を残した凹
部を形成するようにしても同様の効果が得られる。
【００４１】図６乃至図１０は、超音波ボンディングを
良好に行うために、ボンディングエリア５の内又は近
傍、換言すればボンディング位置６の近傍に形成した切
欠部８又は凹部８’の変形例をそれぞれ示す。ここで、
切欠部８は導体層３の厚み方向全てを除去した空白パタ
ーン、凹部８’は導体層３の厚みの一部を残したもので
ある。切欠部又は凹部は直線状又は矩形状のスリットに
限らず、図６の円弧状切欠部８又は凹部８’、図７のＬ
字状（鉤状）切欠部８又は凹部８’、図８の円形状（点
状）切欠部８又は凹部８’であってもよく、ボンディン
グ位置６を囲むように複数個設けるとよい。また、図９
のように導体パターン部４の縁から斜めに傾斜させて導
体層３に切欠部８又は凹部８’を形成してもよく、図１
０のように導体パターン部４の縁から二股に分岐させて
導体層３に切欠部８又は凹部８’を形成してもよい。
良好に行うために、ボンディングエリア５の内又は近
傍、換言すればボンディング位置６の近傍に形成した切
欠部８又は凹部８’の変形例をそれぞれ示す。ここで、
切欠部８は導体層３の厚み方向全てを除去した空白パタ
ーン、凹部８’は導体層３の厚みの一部を残したもので
ある。切欠部又は凹部は直線状又は矩形状のスリットに
限らず、図６の円弧状切欠部８又は凹部８’、図７のＬ
字状（鉤状）切欠部８又は凹部８’、図８の円形状（点
状）切欠部８又は凹部８’であってもよく、ボンディン
グ位置６を囲むように複数個設けるとよい。また、図９
のように導体パターン部４の縁から斜めに傾斜させて導
体層３に切欠部８又は凹部８’を形成してもよく、図１
０のように導体パターン部４の縁から二股に分岐させて
導体層３に切欠部８又は凹部８’を形成してもよい。
【００４２】さらに、図示はしないが、切欠部又は凹部
をくさび形、ジグザグ形状等、状況に応じて最適な形状
に設定することも本発明に含まれる。特に、十文字型の
スリット形状とすれば、ボンディング時の位置決めの目
標になり、コーナーマークやオリエンテーションマー
ク、極性マーク等としても利用できるという効果があ
る。
をくさび形、ジグザグ形状等、状況に応じて最適な形状
に設定することも本発明に含まれる。特に、十文字型の
スリット形状とすれば、ボンディング時の位置決めの目
標になり、コーナーマークやオリエンテーションマー
ク、極性マーク等としても利用できるという効果があ
る。
【００４３】いずれにしても、導体パターン部のボンデ
ィングエリアにバンプから加わる超音波エネルギーは、
幅広な導体ランドに切欠部や凹部がない場合に比べて、
ボンディング位置の近傍の導体層に切欠部又は凹部が設
けられることによって、幅の狭い導体ランドと同様の伝
搬条件で加わることになる。その結果、幅狭な導体パタ
ーン部のボンディングエリアにバンプを超音波ボンディ
ングする場合と同等のボンディング条件で過不足の無い
超音波エネルギーでボンディングできるという効果があ
る。
ィングエリアにバンプから加わる超音波エネルギーは、
幅広な導体ランドに切欠部や凹部がない場合に比べて、
ボンディング位置の近傍の導体層に切欠部又は凹部が設
けられることによって、幅の狭い導体ランドと同様の伝
搬条件で加わることになる。その結果、幅狭な導体パタ
ーン部のボンディングエリアにバンプを超音波ボンディ
ングする場合と同等のボンディング条件で過不足の無い
超音波エネルギーでボンディングできるという効果があ
る。
【００４４】上記の切欠部又は凹部の形成は、導体パタ
ーン部の複数の導体ランドのうち、幅が比較的に狭い入
出力信号用の導体ランドよりも、幅が比較的に広い導体
ランドとなる部分、例えばグランドパターンやシールド
パターン、あるいは、電源パターンや補強用の捨てパタ
ーン等に適用すると、格別の効果がある。
ーン部の複数の導体ランドのうち、幅が比較的に狭い入
出力信号用の導体ランドよりも、幅が比較的に広い導体
ランドとなる部分、例えばグランドパターンやシールド
パターン、あるいは、電源パターンや補強用の捨てパタ
ーン等に適用すると、格別の効果がある。
【００４５】なお、本発明による切欠部又は凹部は、回
路基板上の全ての導体ランドに設ける必要がないことは
もちろんである。
路基板上の全ての導体ランドに設ける必要がないことは
もちろんである。
【００４６】以上、本発明の実施形態について説明して
来たが、本発明は、これに限定されることなく、本発明
の技術的思想の範囲内において、各種の改変が可能なこ
とは自明である。
来たが、本発明は、これに限定されることなく、本発明
の技術的思想の範囲内において、各種の改変が可能なこ
とは自明である。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板本体上に設けられた導体層にパターンが形成された
導体パターン部を有し、超音波ボンディングで搭載され
る部品のバンプが当たるボンディング位置が前記導体パ
ターン部に２つ以上設定される回路基板において、少な
くとも１つのボンディング位置の近傍の導体層に、孤立
した切欠部又は凹部、あるいは前記導体パターン部の縁
から内側に延びてボンディング位置近傍に至る切欠部又
は凹部が形成されているので、それぞれのボンディング
位置を含むボンディングエリアにおいて実質的にボンデ
ィングエリアに加わる接合エネルギーを揃えることが可
能となる。この結果、複数のバンプが付いたチップを回
路基板に超音波ボンディングする場合にも、バンプとボ
ンディングエリアの接合に働く接合エネルギーに過不足
が生じることなく、超音波ボンディングの接合強度を高
めてバラツキを減少させ、超音波ボンディングの不良率
を著しく低下させ、信頼性の優れた超音波ボンディング
を実現可能な回路基板を提供できるという優れた効果を
奏する。
基板本体上に設けられた導体層にパターンが形成された
導体パターン部を有し、超音波ボンディングで搭載され
る部品のバンプが当たるボンディング位置が前記導体パ
ターン部に２つ以上設定される回路基板において、少な
くとも１つのボンディング位置の近傍の導体層に、孤立
した切欠部又は凹部、あるいは前記導体パターン部の縁
から内側に延びてボンディング位置近傍に至る切欠部又
は凹部が形成されているので、それぞれのボンディング
位置を含むボンディングエリアにおいて実質的にボンデ
ィングエリアに加わる接合エネルギーを揃えることが可
能となる。この結果、複数のバンプが付いたチップを回
路基板に超音波ボンディングする場合にも、バンプとボ
ンディングエリアの接合に働く接合エネルギーに過不足
が生じることなく、超音波ボンディングの接合強度を高
めてバラツキを減少させ、超音波ボンディングの不良率
を著しく低下させ、信頼性の優れた超音波ボンディング
を実現可能な回路基板を提供できるという優れた効果を
奏する。
【図１】本発明に係る回路基板の第１の実施の形態を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】同断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第１の実施の形態の場合の回路基板の
強度試験結果を従来の場合と比較して示す説明図であ
る。
強度試験結果を従来の場合と比較して示す説明図であ
る。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図６】本発明に係る切欠部又は凹部の変形例であって
円弧状の場合の平面図である。
円弧状の場合の平面図である。
【図７】本発明に係る切欠部又は凹部の変形例であって
Ｌ字状の場合の平面図である。
Ｌ字状の場合の平面図である。
【図８】本発明に係る切欠部又は凹部の変形例であって
円形状の場合の平面図である。
円形状の場合の平面図である。
【図９】本発明に係る切欠部又は凹部の変形例であって
導体パターン部の縁から斜めに形成されたスリットの場
合の平面図である。
導体パターン部の縁から斜めに形成されたスリットの場
合の平面図である。
【図１０】本発明に係る切欠部又は凹部の変形例であっ
て導体パターン部の縁から２股状に形成されたスリット
の場合の平面図である。
て導体パターン部の縁から２股状に形成されたスリット
の場合の平面図である。
【図１１】従来技術を説明する分解斜視図である。
【図１２】超音波ボンディングを説明する説明図であ
る。
る。
１，１０，２３ 回路基板 ２ 基板本体 ３ 導体層 ４，２４ 導体パターン部 ４ａ，４ｂ 導体ランド ５，５ａ，５ｂ，５ｃ ボンディングエリア ６，６ａ，６ｂ，６ｃ ボンディング位置 ７ 端子部 ８，８ａ，８ｂ 切欠部 ８’，８ａ’，８ｂ’ 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 修一郎 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板本体上に設けられた導体層にパター
ンが形成された導体パターン部を有し、超音波ボンディ
ングで搭載される部品のバンプが当たるボンディング位
置が前記導体パターン部に２つ以上設定される回路基板
において、少なくとも１つのボンディング位置の近傍の
導体層に、孤立した切欠部又は凹部が形成されているこ
とを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】 基板本体上に設けられた導体層にパター
ンが形成された導体パターン部を有し、超音波ボンディ
ングで搭載される部品のバンプが当たるボンディング位
置が前記導体パターン部に２つ以上設定される回路基板
において、少なくとも１つのボンディング位置の近傍の
導体層に、前記導体パターン部の縁から内側に延びてボ
ンディング位置近傍に至る切欠部又は凹部が形成されて
いることを特徴とする回路基板。 - 【請求項３】 前記切欠部又は凹部が前記超音波ボンデ
ィングの超音波振動の方向を横切る方向に延びて形成さ
れている請求項１又は２記載の回路基板。 - 【請求項４】 前記切欠部又は凹部が前記導体パターン
部を部分的に狭隘にして狭隘パターン部を形成するもの
である請求項１又は２記載の回路基板。
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