JPH1144705A - 半導体加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 センサチップを小型化してもセンサの感度を
良好にする。 【解決手段】 加速度を受けて変位する厚肉の重り部２
と、この重り部２と所定の間隔を有し重り部２を囲むよ
うに形成された厚肉の支持部３と、重り部２を支持部３
に支持する薄肉の梁部４〜７と、梁部４〜７に形成され
たピエゾ抵抗８〜１１とから構成されたセンサチップ１
を有する半導体加速度センサにおいて、重り部２とし
て、第１、第２の梁部４、５間と第３、第４の梁部６、
７間にそれぞれ突出部２ａ、２ｂを有する十字形状のも
のとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車などにおけ
る加速度を検出する半導体加速度センサおよびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体加速度センサにお
いては、加速度を受けて変位する厚肉の重り部と、重り
部と所定の間隔を有し重り部を囲むように形成された厚
肉の支持部と、重り部を支持部に支持する薄肉の梁部
と、梁部に形成されたピエゾ抵抗とを有するセンサチッ
プを備え、ピエゾ抵抗の抵抗値変化に基づいて加速度を
検出するようにしたものが種々提案されている。

【０００３】例えば、特開平４−３５６９７１号公報に
おいては、微小な加速度を検出するために、長方形状の
重り部の対向する２辺と支持部間をそれぞれ２つの梁部
により支持する構造のものが提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような半導体加速
度センサにおいては、センサチップの小型化が要望され
ている。センサチップを小型化するためには、センサの
感度を上げ、重り部、梁部などのチップ構成素子のサイ
ズを小さくする必要がある。ここで、センサの感度は、
梁部の長さ、厚さ、幅、重り部の重さなどによって決定
され、梁部によって重り部の両側が支持部に支持される
両持ち構造の場合、センサの感度Ｓは数式１で表され
る。

【０００５】

【数１】

【０００６】この数式１において、ｋはピエゾ係数、Ｅ
はヤング率、ｍは重り部の重さ、ｌは梁部の長さ、ｄは
梁部の厚さ、ｂは梁部の幅を示している。そこで、本発
明は、重り部の重さに着目し、重り部を重くできる構造
にすることによって、センサチップを小型化してもセン
サの感度を良好にすることができる半導体加速度センサ
およびその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、例えば、
特開平４−３５６９７１号公報に示される半導体加速度
センサなどのように、長方形状の重り部の対向する２辺
と支持部間をそれぞれ２つの梁部により支持するものに
おいて、２つの梁部の間の領域に着目した。すなわち、
その領域は、重り部が本来形成されない領域であるが、
その領域に重り部を突出させた構造とすれば、重り部を
重くすることができる。

【０００８】本発明はこのような着想を基になされたも
ので、請求項１に記載の発明においては、重り部（２）
と支持部（３）の間に２つの梁部（４、５又は６、７）
が平行に形成され、重り部（２）が、その２つの梁部の
間に突出した突出部（２ａ又は２ｂ）を有していること
を特徴としている。このように２つの平行な梁部の間に
重り部の突出部（２ａ又は２ｂ）を設けることにより、
重り部を重くし、センサの感度を良好にすることができ
る。

【０００９】請求項２に記載の発明においては、支持部
（３）は複数辺（３ａ〜３ｄ）を有する形状のものであ
って、支持部の１辺（３ａ又は３ｂ）と重り部との間に
２つの梁部（４、５又は６、７）が形成され、重り部
が、その２つの梁部の間に突出した突出部（２ａ又は２
ｂ）を有していることを特徴としている。この構成によ
っても請求項１に記載の発明と同様、重り部を重くし、
センサの感度を良好にすることができる。

【００１０】請求項３に記載の発明においては、支持部
（３）は４つの辺（３ａ〜３ｄ）からなる形状のもので
あって、支持部の対向する２辺（３ａ、３ｂ）と重り部
との間には梁部（４〜７）がそれぞれ２つ形成されてお
り、重り部が、それぞれの梁部間に突出した突出部（２
ａ、２ｂ）を有し、その厚み方向から見て十字形状にな
っていることを特徴としている。

【００１１】この構成によれば、重り部を梁部によって
両側から支持する両持ち構造において、請求項１に記載
の発明と同様、重り部を重くし、センサの感度を良好に
することができる。請求項４に記載の発明においては、
重り部を第１乃至第４の梁部（４〜７）のみによって支
持部（３）に支持するように構成したものであって、重
り部が、第１、第２の梁部（４、５）間に突出する第１
の突出部（２ａ）と、第３、第４の梁部（６、７）間に
突出する第２の突出部（２ｂ）と、第１、第２の突出部
の突出方向と直交する方向に突出する第３、第４の突出
部（２ｃ、２ｄ）を有し、その厚み方向から見て十字形
状になっていることを特徴としている。

【００１２】この構成によっても請求項３に記載の発明
と同様、重り部を重くし、センサの感度を良好にするこ
とができる。請求項５に記載の発明によれば、シリコン
基板の表面に十字形状の重り部および支持部の厚肉部を
形成するパターンで被覆膜（２５）を形成し、シリコン
基板を異方性エッチングする工程を有して、請求項３又
は４に記載の半導体加速度センサを適切に製造すること
ができる。

【００１３】この場合、請求項６に記載の発明のよう
に、シリコン基板として｛１００｝面を表面とする単結
晶シリコン基板（２０）を用い、被覆膜（２５）を、重
り部の十字形状に対応した形状に加えてその形状の角部
に｛１１０｝面方位に目合わせされた形状補償部を有す
る形状にパターニングすることにより、コーナー・アン
ダーカットの不具合を生じることなく十字形状の重り部
を形成することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。この実施形態は、加速度の検出範囲
を±１Ｇ程度に設定した自動車のＶＳＣ（Vehicle Stab
ility Control ）用の半導体加速度センサに適用したも
のであり、これは自動車の安定な走行制御を行うため
に、走行中の横揺れなどの小さい加速度の値を高精度で
検出する場合に使用するものである。

【００１５】図１に、半導体加速度センサにおけるセン
サチップの外観構成を示し、図２、図３に、半導体加速
度センサ全体の外観構成、その断面構成を示す。センサ
チップ１は、図１に示すように、加速度を受けて変位す
る厚肉の重り部２と、この重り部２と所定の間隔を有し
重り部２を囲むように形成された厚肉の支持部（フレー
ム部）３と、重り部２を支持部３に支持する薄肉の梁部
（ビーム部）４〜７と、梁部４〜７に形成された抵抗体
としてのピエゾ抵抗（拡散抵抗）８〜１１とから構成さ
れている。

【００１６】支持部３は、４つの辺３ａ〜３ｄからなる
四角形状のもので、支持部３の第１の辺３ａと重り部２
の間に第１、第２の梁部４、５が平行に形成され、支持
部３の第２の辺３ｂと重り部２の間に第３、第４の梁部
６、７が平行に形成されている。そして、第１乃至第４
の梁部４〜７にて重り部２を両側から支持する両持ち構
造となっている。

【００１７】また、重り部２は、第１、第２の梁部４、
５間に突出する第１の突出部２ａと、第３、第４の梁部
６、７間に突出する第２の突出部２ｂと、第１、第２の
突出部２ａ、２ｂの突出方向と直交する方向に突出する
第３、第４の突出部２ｃ、２ｄを有し、その厚み方向か
ら見て十字形状のものとなっている。このように、第
１、第２の梁部４、５間および第３、第４の梁部６、７
間に、第１、第２の突出部２ａ、２ｂを設けることによ
り、重り部２を重くし、センサの感度を向上させること
ができる。

【００１８】なお、センサチップ１は、図３に示すよう
に、ｐ型シリコン基板１３と、その上に形成されたｎ型
エピタキシャル層１４とから構成されている。そして、
基板表面に垂直な方向に加速度が生じると、重り部２が
その厚み方向に変位し、梁部４〜７に歪みが生じる。こ
の歪み量に応じてピエゾ抵抗８〜１１の抵抗値が変化し
て加速度が検出される。すなわちピエゾ抵抗８〜１１
は、図５に示すようにフルブリッジ回路を構成してお
り、ピエゾ抵抗８とピエゾ抵抗１０の接続点、およびピ
エゾ抵抗９とピエゾ抵抗１０の接続点から加速度に応じ
た電圧が出力され、その出力電圧に基づいて加速度が検
出される。

【００１９】上述したセンサチップ１において、チップ
サイズは３．６ｍｍ×３．６ｍｍであり、厚さ寸法が３
００μｍ程度になっている。また、梁部４〜７は、厚さ
寸法が５．３μｍ程度を中心値として４．３〜６．３μ
ｍ程度の範囲に形成され、幅寸法が１６０μｍを中心値
として１４０〜１８０μｍ程度の範囲に形成され、長さ
寸法が５５０μｍを中心値として５３０〜５７０μｍ程
度の範囲に形成されている。また、重り部２は、１．８
ｍｇ程度となるように設定されている。

【００２０】このような寸法設定にすることにより、Ｓ
／Ｎ比が改善され、全体の特性としての感度の温度係数
ＴＣＳ（ｐｐｍ／℃）の値を、±３００ｐｐｍ／℃以下
とすることができた。これによって、ＶＳＣ用の半導体
加速度センサとして使用する場合に、使用温度範囲が−
３０℃から８０℃程度の広い範囲で、温度の変動度合を
所定の値以下に抑えることができ、これを温度補償回路
などを介して補償することにより、最終的に感度の変動
度合を１〜２％以下に抑えることができた。

【００２１】また、センサチップ１は、図２、図３に示
すように、シリコン台座（厚さ寸法は１．８ｍｍ程度）
１５上に固定されている。シリコン台座１５は、セラミ
ック製の基板１６上に固定されている。この場合、セン
サチップ１とシリコン台座１５の間およびシリコン台座
１５とセラミック基板１６との間は、それぞれ接着剤１
７により接着固定されている。接着剤１７には、ベース
接着剤１７ａに樹脂粒子を金メッキした金メッキビーズ
１７ｂが配合されている。ベース接着剤１７ａは、可撓
性樹脂の一種であるシリコーン樹脂を用いており、この
シリコーン樹脂の弾性率は１ＭＰａ程度である。

【００２２】なお、センサチップ１とシリコン台座１５
との間に設けられる接着剤１７の金メッキビーズ１７ｂ
は、例えば８μｍ程度の形状をなすポリジビニルベンゼ
ン樹脂を金メッキしたもので、ベース接着剤１７ａ中に
０．１ｗｔ％以下となるように配合されている。この樹
脂ビーズ１７ｂの弾性率は４．８ＧＰａ程度である。ま
た、シリコン台座１５とセラミック基板１６との間に設
けられる接着剤１７の樹脂ビーズ１７ｂは、例えば２８
μｍ程度の粒径でベース接着剤１７ａ中に０．５４ｗｔ
％程度配合されている。

【００２３】図２、図３に示す構成とすることにより、
センサチップ１はシリコン台座１５上に接着固定された
状態となり、これによって重り部２はシリコン台座１５
との間に接着剤１７の厚さ寸法（例えば、８μｍ〜１５
μｍ程度）だけ離間した状態に配設される。この程度の
空隙を設けることによって、重り部２が過大な加速度を
受けたときのダンパとして空気を用いたエアダンパとす
ることができる。

【００２４】次に、上記したセンサチップ１の製造工程
を図５〜図１０を用いて説明する。なお、図５〜図１０
は、図１のＡ−Ａ断面を示すものである。まず、図５に
示すように、面方位が｛１００｝の単結晶のｐ型シリコ
ンウェハ２０を用意し、そのｐ型シリコンウェハ２０の
上にｎ型エピタキシャル層２１を形成する。

【００２５】そして、ｎ型エピタキシャル層２１の表層
部における所定領域にピエゾ抵抗としてのｐ⁺ 拡散層２
２を形成する。また、ｎ型エピタキシャル層２１の表層
部における所定領域にｎ⁺ 拡散層２３を形成する。ｎ⁺
拡散層２３は、電気化学エッチング時の電極コンタクト
となるものであり、上部分離溝（図８の符号３７にて示
す）の形成に伴って除去されるものである。

【００２６】その後、エピタキシャル層２１上に酸化膜
（図示略）を形成し、所定領域を開口させる。その上に
アルミ配線（図示略）を配置してｐ⁺ 拡散層２２の所定
領域とコンタクトをとる。その後、シリコン酸化膜等か
らなるパッシベーション膜（図示略）を堆積し、このパ
ッシベーション膜の所定領域を開口してワイヤボンディ
ング用のコンタクトホールを形成する。また、ｎ⁺ 拡散
層２３にコンタクトするための通電用アルミコンタクト
部を設ける。その後、レジスト膜（又はＰＩＱ膜）２４
を全面に形成し、所定領域を開口させる。

【００２７】そして、ｐ型シリコンウェハ２０の裏面に
プラズマ窒化膜２５を全面に形成するとともにレジスト
およびマスク（フォトマスク）を用いてプラズマ窒化膜
２５を所望の形状にフォトパターニングする。このフォ
トパターニングを図１１、図１２を用いてより詳細に説
明する。図１２に示すように、堆積したプラズマ窒化膜
２５の上にレジスト膜２６をスピニングにより塗布する
とともに、異方性エッチングマスク２７を用意する。図
１１に、異方性エッチングマスク２７の平面図を示す。
この異方性エッチングマスク２７は、図１２に示すよう
に、ガラス基板２８の表面に所定の形状を有するＣｒ薄
膜２９を配置したものである。

【００２８】図１１において、異方性エッチングマスク
２７は、四角環状の枠部３０と、枠部３０の内方に形成
され重り部２の十字形状に対応した形状の十字形状部３
１と、十字形状部３１の角部に形成された長方形状の８
つの形状補償部３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２
ｅ、３２ｆ、３２ｇ、３２ｈとを有する。形状補償部３
２ａ〜３２ｈは、それぞれ、１辺がシリコンの例えば
（０１１）面方位に、その辺と直交する１辺がシリコン
の（０１−１）面方位に目合わせされる形状で形成さ
れ、（０１１）面方位に目合わせされる辺の長さの方が
（０１−１）面方位に目合わせされる辺の長さよりも長
くなっている。このように異方性エッチングマスク２３
は、十字形状部３１の角部に（０１１）面方位および
（０１−１）面方位に目合わせされ、かつ各方位での長
さが異なる長方形状の形状補償部３２ａ〜３２ｈが設け
られた形状になっている。なお、面方位における「１
−」は、図面中に示すように、１の上にバーが付された
ものを表している。

【００２９】そして、図１２に示すように、異方性エッ
チングマスク２３を介して光を照射してレジスト膜２６
をホトパターニングした後、露出しているプラズマ窒化
膜２５を除去する。その結果、被覆膜としてのプラズマ
窒化膜２５は、図１１に示すものと同様の形状、すなわ
ち、枠部と、枠部の内方に形成された十字形状部と、十
字形状部の角部に形成され（０１１）面方位および（０
１−１）面方位に目合わせされた長方形状の８つの形状
補償部を有する形状にパターニングされる。換言すれ
ば、このパターニングされたプラズマ窒化膜２５を用い
た異方性エッチングにより十字形状を有する重り部２お
よび支持部３を形成するように、プラズマ窒化膜２５が
パターニングされる。

【００３０】このプラズマ窒化膜２５のパターニング
後、図６に示すように、エピタキシャル層２１の表面
を、ワックス３３で保護しつつアルミナからなる支持板
３４に接着し、この後、エッチング液に浸漬して電気化
学エッチングを行う。なお、支持板３４上には白金電極
が延設されており、この白金電極の先端をアルミコンタ
クト部に接触させ、ｎ⁺ 拡散層２３を通じてエピタキシ
ャル層２１およひｐ型シリコンウェハ２０を通電して上
記電気化学エッチングを行う。この電気化学エッチング
において、ｐ型シリコンウェハ２０とｎ型エピタキシャ
ル層２１とのｐｎ接合部にてエッチングがストップし、
その結果、ｐ型シリコンウェハ２０に下部分離溝３５が
形成される。

【００３１】この電気化学エッチングにおいては、被覆
膜としてのプラズマ窒化膜２５の下に、いわゆるコーナ
ー・アンダーカット（角落ち：角部における斜状の側
壁）が形成される不具合が生じる。このようなコーナー
・アンダーカットの不具合に対しては、被覆膜の角部に
コーナー・アンダーカット補償パターンとしての正方形
状の形状補償部を付加する技術が、「Ｓｉマイクロマシ
ニング先端技術」（１９９２）、株式会社サイエンスフ
ォーラム、ｐ１１７〜１１８に示されている。そこで、
本実施形態においては、その技術を応用し、上述したよ
うに、プラズマ窒化膜２５を、十字形状部の角部に８つ
の長方形状の形状補償部を有する形状にすることによっ
て、コーナー・アンダーカットを極力小さくするように
している。図１３に、異方性エッチングを行った後の、
十字形状を有する重り部２および支持部３の裏面形状を
示す。

【００３２】この異方性エッチングを行った後、図７に
示すように、フッ酸によりプラズマ窒化膜２５を除去す
る。そして、支持板３４をホットプレートに載せ、ワッ
クス３３を軟化させてｎ型エピタキシャル層２１を支持
板３４より分離し、分離したｐ型シリコンウェハ２０を
有機溶剤中に浸漬し、ワックス３３を洗浄する。この
後、ｐ型シリコンウェハ２０の裏面にレジスト３６を全
面塗布する。

【００３３】そして、図８に示すように、レジスト膜２
４の開口部からエピタキシャル層２１をドライエッチン
グして、下部分離溝３５と連通する上部分離溝３７を形
成する。引き続き、図９に示すように、レジスト３６を
有機溶剤にて除去して上部分離溝３７と下部分離溝３５
とからなる貫通溝を形成する。この貫通溝により、図１
に示すように、重り部２、支持部３、梁部４〜７が形成
される。

【００３４】そして、図１０に示すように、レジスト膜
２４を酸素プラズマアッシングにより除去する。最後
に、ダイシングしてチップ化し、センサチップ１を得
る。なお、上記した実施形態においては、梁部４〜７に
より重り部２が支持部３に支持される両持ち構造のもの
を示したが、本発明は片持ち構造にも適用することがで
きる。すなわち、重り部を２本の平行な梁部のみで支持
部に支持し、その２本の梁部に重り部を突出した構造と
する。この場合も、重り部を重くすることができるの
で、センサの感度を良好にすることができる。

【００３５】また、重り部２としては、２本の梁部の間
に突出部が形成されていればよいため、十字形状以外の
形状をしていてもよい。また、支持部３においても、重
り部２を支持できればよいため、四角形状以外の形状を
していてもよい。また、特開平４−３５６９７１号公報
に示されるように、支持部が、第１、第２支持部にて構
成されるものであってもよい。

【００３６】さらに、上記した実施形態においては、重
り部２の厚み方向の加速度を検出する１軸方向の検出を
行うものを示したが、例えば、重り部２の第３、第４の
突出部２ｃ、２ｄと支持部３との間にも梁部を設け、重
り部２に斜め方向から加速度が加えられたときに、ＸＹ
Ｚの３軸方向の加速度を検出できるように構成してもよ
い。

【００３７】また、上記実施形態では、梁部４〜７に形
成したピエゾ抵抗８〜１１によって加速度を検出する形
式の半導体加速度センサについて説明したが、この形式
に限定されるものではない。例えば、シリコン台座１５
の表面と重り部２の対向表面との間にコンデンサを形成
し、加速度の印加によって重り部２が変位したときのコ
ンデンサの容量変化に基づいて、加速度を検出する形式
であっても、重り部２の面積が増せば出力が大きくな
る。このような容量型の加速度センサであってもよい。

【００３８】また、上記種々の実施形態では、面方位が
｛１００｝の単結晶シリコンウェハにおいて、形状補償
部３２ａ〜３２ｈの形状を、その１辺がシリコンの（０
１１）面方位に、その辺と直交する１辺がシリコンの
（０１−１）面方位に目合わせされたものとして説明し
たが、補償部３２ａ〜３２ｈの形状を、例えば、１辺を
（０１−１）面方位に、その辺と直交する１辺を（０１
−１−）面方位に、また、１辺を（０１−１−）面方位
に、その辺と直交する１辺を（０１１−）面方位に、ま
た、１辺を（０１１−）面方位に、その辺と直交する１
辺を（０１１）面方位に、等、夫々目合わせされるもの
として形成してもよい。

【００３９】なお、シリコンの面方位を示す｛ ｝は、
等価な対称性をもつ面のことであり、例えば立方対称で
は、請求項６に記載したような｛１１０｝は、（１１
０）、（１−１−０）、（１−１０）、（１１−０）、
（１０１）、（１−０１−）、（１−０１）、（１０１
−）、（０１１）、（０１−１−）、（０１−１）、
（０１１−）すべてを表す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る半導体加速度センサ
におけるセンサチップ１の外観構成を示す図である。

【図２】本発明の一実施形態に係る半導体加速度センサ
の外観構成を示す図である

【図３】本発明の一実施形態に係る半導体加速度センサ
の断面構成を示す図である。

【図４】図１に示すピエゾ抵抗８〜１１により加速度に
応じた電圧を出力する回路の構成を示す図である。

【図５】図１に示すセンサチップ１の製造工程を示す工
程図である。

【図６】図５に続く製造工程を示す工程図である。

【図７】図６に続く製造工程を示す工程図である。

【図８】図７に続く製造工程を示す工程図である。

【図９】図８に続く製造工程を示す工程図である。

【図１０】図９に続く製造工程を示す工程図である。

【図１１】図５に示す工程におけるプラズマ窒化膜２５
のエッチングの際に用いるエッチングマスクを示す平面
図である。

【図１２】図１１に示すエッチングマスクを用いてプラ
ズマ窒化膜２５上にレジストをパターニング形成する工
程を示す図である。

【図１３】図６に示す工程において、電気化学エッチン
グを行った後の、十字形状を有する重り部２および支持
部３の厚肉部の裏面形状を示す図である。

【符号の説明】

１…センサチップ、２…重り部、３…支持部、４〜７…
梁部、８〜１１…ピエゾ抵抗。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 加速度を受けて変位する厚肉の重り部
   （２）と、 前記重り部と所定の間隔を有し前記重り部を囲むように
   形成された厚肉の支持部（３）と、 前記重り部を前記支持部に支持する薄肉の梁部（４〜
   ７）と、 前記重り部（２）の変位に基づいて加速度を検出する検
   出部（８〜１１）とを有するセンサチップ（１）を備
   え、 前記検出部の検出出力に基づいて加速度を検出するよう
   にした半導体加速度センサにおいて、 前記重り部と前記支持部の間に前記梁部が２つ平行に形
   成されており、 前記重り部は、前記２つの梁部の間に突出した突出部
   （２ａ、２ｂ）を有していることを特徴とする半導体加
   速度センサ。
2. 【請求項２】 加速度を受けて変位する厚肉の重り部
   （２）と、 前記重り部と所定の間隔を有し前記重り部を囲むように
   形成された厚肉の支持部（３）と、前記重り部を前記支
   持部に支持する薄肉の梁部（４〜７）と、 前記重り部（２）の変位に基づいて加速度を検出する検
   出部（８〜１１）とを有するセンサチップ（１）を備
   え、 前記検出部の検出出力に基づいて加速度を検出するよう
   にした半導体加速度センサにおいて、 前記支持部は複数辺（３ａ〜３ｄ）を有する形状のもの
   であり、前記支持部の１辺と前記重り部との間に前記梁
   部が２つ形成されており、 前記重り部は、前記２つの梁部の間に突出した突出部
   （２ａ、２ｂ）を有していることを特徴とする半導体加
   速度センサ。
3. 【請求項３】 加速度を受けて変位する厚肉の重り部
   （２）と、 前記重り部と所定の間隔を有し前記重り部を囲むように
   形成された厚肉の支持部（３）と、前記重り部を前記支
   持部に支持する薄肉の梁部（４〜７）と、 前記重り部（２）の変位に基づいて加速度を検出する検
   出部（８〜１１）とを有するセンサチップ（１）を備
   え、 前記検出部の検出出力に基づいて加速度を検出するよう
   にした半導体加速度センサにおいて、 前記支持部は４つの辺（３ａ〜３ｄ）からなる形状のも
   のであり、前記支持部の対向する２辺（３ａ、３ｂ）と
   前記重り部との間には前記梁部がそれぞれ２つ形成され
   ており、 前記重り部は、前記それぞれの梁部間に突出した突出部
   （２ａ、２ｂ）を有し、その厚み方向から見て十字形状
   になっていることを特徴とする半導体加速度センサ。
4. 【請求項４】 加速度を受けて変位する厚肉の重り部
   （２）と、 前記重り部と所定の間隔を有し前記重り部を囲むように
   ４つの辺（３ａ〜３ｄ）から構成された厚肉の支持部
   （３）と、 前記支持部の第１の辺（３ａ）と前記重り部の間に形成
   され、前記重り部を前記第１の辺に支持する薄肉の第
   １、第２の梁部（４、５）と、 前記支持部の前記第１の辺と対向する第２の辺（３ｂ）
   と前記重り部の間に形成され、前記重り部を前記第２の
   辺に支持する薄肉の第３、第４の梁部（６、７）と、 前記第１乃至第４の梁部にそれぞれ形成された抵抗体
   （８〜１１）とを有し、前記重り部が前記第１乃至第４
   の梁部のみによって前記支持部に支持されてなるセンサ
   チップ（１）を備え、 前記抵抗体の抵抗値変化に基づいて加速度を検出するよ
   うにした半導体加速度センサにおいて、 前記重り部は、前記第１、第２の梁部間に突出する第１
   の突出部（２ａ）と、前記第３、第４の梁部間に突出す
   る第２の突出部（２ｂ）と、前記第１、第２の突出部の
   突出方向と直交する方向に突出する第３、第４の突出部
   （２ｃ、２ｄ）を有し、その厚み方向から見て十字形状
   になっていることを特徴とする半導体加速度センサ。
5. 【請求項５】 請求項３又は４に記載の半導体加速度セ
   ンサを製造する方法であって、 エピタキシャル層（２１）を有するシリコン基板（２
   ０）を用意し、前記シリコン基板の表面に前記十字形状
   の重り部および前記支持部を形成するパターンで被覆膜
   （２５）を形成して、前記シリコン基板を異方性エッチ
   ングし、この後、前記エピタキシャル層の所定領域に前
   記異方性エッチングされた領域と貫通する溝を形成し
   て、前記十字形状の重り部、前記梁部および前記支持部
   を形成する工程を有することを特徴とする半導体加速度
   センサの製造方法。
6. 【請求項６】 前記シリコン基板は、｛１００｝面を表
   面とする単結晶シリコン基板であって、 前記被覆膜を、前記重り部の十字形状に対応した形状に
   加えその形状の角部に｛１１０｝面方位に目合わせされ
   た形状補償部を有する形状にパターニングすることを特
   徴とする請求項５に記載の半導体加速度センサの製造方
   法。