JPH1145814A

JPH1145814A - フライバックトランス

Info

Publication number: JPH1145814A
Application number: JP9203793A
Authority: JP
Inventors: Shunji Onodera; 俊二小野寺
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1997-01-10
Filing date: 1997-07-14
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】リンギングを良好に低減させることができ、
安価で、製造工数もさほどかからず、小型化でき、温度
上昇が小さく、高圧レギュレーション特性や絶縁性能及
び信頼性に優れたフライバックトランスを提供する。【解決手段】低圧コイルボビン２には１次側の低圧コ
イル３が巻回される。低圧コイルボビン２にはコア１，
１が挿入される。高圧コイルボビン４には２次側の高圧
コイル５が巻回され、低圧コイルボビン２の外周に嵌装
される。このような構成のフライバックトランスにおい
て、低圧コイル３と高圧コイル５との間に強磁性体１０
を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テレビジョン受像
機やコンピュータディスプレイ端末装置等に用いられる
陰極線管（ＣＲＴ）のアノード（陽極）に高電圧を供給
するためのフライバックトランスに関する。

【０００２】

【従来の技術】テレビジョン受像機やディスプレイ端末
装置等に用いられるＣＲＴは、画像を表示させるに際し
て、かなり高い陽極電圧を必要とするので、フライバッ
クパルスを昇圧・整流して高電圧を発生するフライバッ
クトランスを備えている。

【０００３】ところで、ＣＲＴが用いられている機器の
中で、最近のカラーテレビジョン受像機においては、Ａ
Ｖ対応機種の普及により、文字多重放送への対応、画面
の大型化等が要求されている。また、ディスプレイ端末
装置においては、画面の大型化、高精細化が要求され、
特に、高精細化の要求は日増しに高まっている。このよ
うな要求に伴って、画質に大きな影響を与えるフライバ
ックトランスについても、高圧出力電圧が高くて高圧出
力電流が大きく、しかも、高圧負荷変動やリンギング、
不要輻射等が限りなく小さいことが要求されるようにな
ってきた。特に、リンギングは、画面上に明暗の縦縞と
なって現れるので画質を劣化させる。また、リンギング
は、フライバックトランスの１次側の電流に重畳してコ
イルの温度を上昇させ、信頼性を劣化させるという弊害
がある。そのため、従来より種々の対策が施されてき
た。

【０００４】さらに、高性能のフライバックトランスを
汎用のテレビジョン受像機やディスプレイ端末装置にも
搭載するために、フライバックトランスをより安価に提
供することも重要な条件の１つになっている。

【０００５】さて、ここで、従来のフライバックトラン
スの構成について、図１０及び図１１を用いて説明す
る。図１０はフライバックトランスの一般的な構成を示
す断面図であり、図１１はその回路図である。図１０に
おいて、円筒状の低圧コイルボビン２には、１次コイル
である低圧コイル３が巻回されている。この低圧コイル
ボビン２の中空部には、２つのコ字状のコア１の脚部が
挿入され、コア１は全体として方形となっている。

【０００６】さらに、円筒状の高圧コイルボビン４に
は、２次コイルである高圧コイル５が巻回されている。
高圧コイル５は、高圧コイルボビン４にソレノイド状に
一層または複数層に分割して巻回される。図１１に示す
ように、高圧コイル５が複数の巻線区分５ａからなり、
図１０に示すように、巻線区分５ａ毎に積層して巻回さ
れる場合には、それぞれの巻線区分５ａの間にはポリエ
ステルフィルム等からなる層間絶縁材６が配置される。
即ち、高圧コイルボビン４上には、高圧コイル５の巻線
区分５ａと層間絶縁材６とが交互に配置された積層巻線
構造が形成される。

【０００７】それぞれの巻線区分５ａは、図１１に示す
ように、各部分に発生する電圧が共に同位相で加算整流
されるようにダイオード８を介して直列接続される。図
１１に示すように、高圧コイル５の電圧の入力側（アー
ス側端）にもダイオード８ａが接続され、出力側にもダ
イオード８ｂが接続される。高圧コイル５の電圧の入力
側は、高圧コイルボビン４への高圧コイル５の巻き始め
側であり、出力側は、高圧コイル５の巻き終わり側であ
る。入力側のダイオード８ａは、高圧レギュレーション
特性や耐圧特性（信頼性）を向上させるという点で設け
ることが望ましいが、場合によっては省略されることが
ある。なお、図１０中の７は、ダイオード８，８ａ，８
ｂを接続するための端子である。

【０００８】高圧コイルボビン４の中空部には、低圧コ
イルボビン２が挿入され、低圧コイルボビン２と高圧コ
イルボビン４とが一体化される。このようにして、低圧
コイルボビン２の外周に高圧コイルボビン４が嵌装され
て一体化された低圧コイルボビン２と高圧コイルボビン
４とは、図１０に示すように、ケース９内に収納され
る。そして、ケース９内の空隙には絶縁樹脂１１が充填
される。

【０００９】このように概略構成されるフライバックト
ランスの従来のリンギング減衰対策について図１２〜図
１５を用いて説明する。図１２〜図１５において、Ｃ１
はフライバックトランス外部の自動輝度制限回路（ＡＢ
Ｌ）回路側に接続されたコンデンサであり、Ｃ２はフラ
イバックトランス外部の低圧コイル３の一端に供給され
る電源電圧＋Ｂ側に接続されたコンデンサである。低圧
コイル３の他の一端は、周知のように、ここでは図示し
ていない水平出力トランジスタのコレクタに接続され
る。

【００１０】図１２は第１の従来例である。この第１の
従来例は、高圧コイル５の巻き始め側、即ち、ＡＢＬ回
路側である電圧の入力側に、抵抗Ｒ１とコイルＬ１との
並列回路を接続したものである。この図１２において、
リンギング電流は、コンデンサＣ１→抵抗Ｒ１とコイル
Ｌ１との並列回路→高圧コイル５の巻線区分５ａ→分布
容量→低圧コイル３→コンデンサＣ２→コンデンサＣ１
というループで流れ、抵抗Ｒ１でジュール熱に変換され
て減衰する。なお、分布容量とは、低圧コイルボビン
２，高圧コイルボビン４，絶縁樹脂１１等の誘電体によ
り形成される容量のことである。

【００１１】図１３は第２の従来例である。この第２の
従来例は、低圧コイル３側に、リンギングの周波数に共
振する、抵抗Ｒ１，コンデンサＣ３の直列回路とコイル
Ｌ１との並列回路を接続したものである。この図１３に
おいて、リンギング電流は抵抗Ｒ１を流れることによ
り、ジュール熱に変換されて減衰する。

【００１２】図１４は第３の従来例である。この第３の
従来例は、低圧コイル３と高圧コイル５との間に、円筒
状の抵抗体１２を入れたものである。この第３の従来例
は、特開昭６１−２１２００８号公報に記載されてい
る。この図１４において、リンギング電流は、高圧コイ
ル５の巻線区分５ａ→分布容量→抵抗体１２→分布容量
→高圧コイル５の巻線区分５ａというループで流れ、抵
抗体１２でジュール熱に変換されて減衰する。

【００１３】図１５は第４の従来例である。高圧コイル
５のそれぞれの巻線区分５ａの両端部には、正負のパル
スが発生する。ここでは簡略化のため、１つの巻線区分
５ａのみに正負のパルスを図示している。この第４の従
来例は、低圧コイル３と高圧コイル５との間の、正負パ
ルスの発生部の間に、２つの導体１３を入れ、この２つ
の導体１３を抵抗Ｒ１で接続したものである。この第４
の従来例は、特公昭６３−３６２３２号公報に記載され
ている。この図１５において、リンギング電流は抵抗Ｒ
１を流れることにより、ジュール熱に変換されて減衰す
る。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上述した第１〜第４の
従来例は、いずれもリンギングを低減させることを目的
としたものであるが、それぞれ以下のような問題点を有
する。

【００１５】図１２に示す第１の従来例は、図１１に示
すような、高圧コイル５の電圧の入力側にダイオード８
ａを設けたフライバックトランスに対しては効果がな
い。また、抵抗Ｒ１が局部的に発熱するため、この近傍
の絶縁樹脂１１を劣化させ、信頼性が低下する。特に、
水平偏向周波数が高くなると、リンギングが大きくなっ
て抵抗Ｒ１での消費電力が大きくなり、信頼性は著しく
低下する。さらに、コイルＬ１，抵抗Ｒ１の材料費もか
かり、製造工程において抵抗Ｒ１，コイルＬ１を取り付
ける際の作業性が悪い。また、抵抗Ｒ１，コイルＬ１の
設置スペースが必要であり、小型化の障害となる。

【００１６】図１３に示す第２の従来例は、高圧コイル
５に発生するリンギングを、電流の多い１次側で減衰さ
せるため、抵抗Ｒ１の消費電力が大きい。従って、容量
の大きい部品が必要になり、コストがかかる。１次電流
が抵抗Ｒ１，コンデンサＣ３，コイルＬ１で減衰するた
め、高圧レギュレーション特性が悪い。抵抗Ｒ１の抵抗
値を大きくすると、抵抗Ｒ１の消費電力がさらに大きく
なり、高圧レギュレーション特性もさらに悪くなるた
め、抵抗Ｒ１の抵抗値をあまり大きくすることができな
い。よって、リンギングの減衰は不十分なものとなる。

【００１７】図１４に示す第３の従来例において、リン
ギングを十分減衰させるためには、抵抗体１２の抵抗値
は数ｋΩ程度必要である。リンギングを減衰させるのに
十分な抵抗値を持つ円筒状の抵抗体１２を安価に作成す
るのは困難である。よって、リンギングの減衰は不十分
となる。リンギングを十分に減衰させようとすると、特
開昭６１−２１２００８号公報にも記載されているよう
に、１次側に抵抗Ｒ１とコイルＬ１の並列回路等を接続
する方法を併用する必要がある。この場合には、第２の
従来例と同様の問題点を有することになる。また、抵抗
体１２における発熱も問題となる。

【００１８】図１５に示す第４の従来例も同様に、抵抗
Ｒ１における発熱が問題となる。また、導体１３と抵抗
Ｒ１との接続作業が難しく、製造工数がかかる。抵抗Ｒ
１を支持する構造体が必要になり、形状が大きくなる。
部品点数が多く、コストがかかる。

【００１９】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであり、リンギングを良好に低減させることがで
き、さらに、安価で、製造工数もさほどかからず、小型
化でき、温度上昇が小さく、高圧レギュレーション特性
や絶縁性能及び信頼性に優れたフライバックトランスを
提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した従来
の技術の課題を解決するため、高電圧を発生するための
フライバックトランスにおいて、１次側の低圧コイル
（３）を巻回する低圧コイルボビン（２）と、前記低圧
コイルボビンに挿入されるコア（１）と、２次側の高圧
コイル（５）を巻回し、前記低圧コイルボビンの外周に
嵌装される高圧コイルボビン（４）と、前記低圧コイル
と前記高圧コイルとの間に配置される強磁性体（１０）
とを備えて構成したことを特徴とするフライバックトラ
ンスを提供するものである。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のフライバックトラ
ンスについて、添付図面を参照して説明する。図１は本
発明のフライバックトランスの一実施例を示す断面図、
図２は本発明のフライバックトランスの主要部品の分解
斜視図、図３は本発明のフライバックトランスにおける
低圧コイルボビンと高圧コイルボビンとを組み立てた状
態を示す斜視図、図４及び図５は本発明のフライバック
トランスに用いる強磁性体の構成例を示す斜視図、図６
は本発明のフライバックトランスによるリンギング減衰
作用を説明するための図、図７は本発明のフライバック
トランスによる効果を説明するための特性図、図８は本
発明のフライバックトランスの他の実施例を示す断面
図、図９は本発明のフライバックトランスのさらに他の
実施例を示す断面図である。なお、図１，図８，図９に
おいて、図１０と同一部分には同一符号が付してある。

【００２２】まず、本発明のフライバックトランスの一
実施例の構成について、図１〜図３を用いて説明する。
本発明のフライバックトランスの回路図は、図１１と同
様である。図１において、円筒状の低圧コイルボビン２
には、１次コイルである低圧コイル３が巻回されてい
る。低圧コイルボビン２は、図２（Ｂ）に示すように、
中空部２ａを有している。この低圧コイルボビン２の中
空部２ａには、図２（Ｃ）に示すような２つのコ字状の
コア１の脚部が挿入され、図１に示すように、コア１は
全体として方形とされる。なお、１ｇはコア１のギャッ
プである。

【００２３】さらに、円筒状の高圧コイルボビン４に
は、２次コイルである高圧コイル５が巻回されている。
高圧コイルボビン４は、図２（Ａ）に示すように、中空
部４ａを有している。高圧コイル５は、高圧コイルボビ
ン４にソレノイド状に一層または複数層に分割して巻回
される。図１１で説明したように、高圧コイル５が複数
の巻線区分５ａからなり、図１に示すように、巻線区分
５ａ毎に積層して巻回される場合には、それぞれの巻線
区分５ａの間にはポリエステルフィルム等からなる層間
絶縁材６が配置される。即ち、高圧コイルボビン４上に
は、高圧コイル５の巻線区分５ａと層間絶縁材６とが交
互に配置された積層巻線構造が形成される。

【００２４】それぞれの巻線区分５ａは、図１１に示す
ように、各部分に発生する電圧が共に同位相で加算整流
されるようにダイオード８を介して直列接続される。図
１１で説明したように、高圧コイル５の電圧の入力側
（アース側端）にもダイオード８ａが接続され、出力側
にもダイオード８ｂが接続される。入力側のダイオード
８ａは、高圧レギュレーション特性や耐圧特性（信頼
性）を向上させるという点で設けることが望ましい。本
発明によるリンギング低減対策は、後に詳述するよう
に、入力側のダイオード８ａを設けたフライバックトラ
ンスにも用いることができる。なお、図１，図２中の７
は、ダイオード８，８ａ，８ｂを接続するための端子で
ある。

【００２５】低圧コイル３が巻回された低圧コイルボビ
ン２には、さらに、円筒状の強磁性体１０が巻回されて
いる。高圧コイルボビン４の中空部４ａには、低圧コイ
ル３上に強磁性体１０が巻回された低圧コイルボビン２
が挿入され、図３に示すように、低圧コイルボビン２と
高圧コイルボビン４とが一体化される。本発明のフライ
バックトランスにおいては、図１より分かるように、低
圧コイル３と高圧コイル５との間に、強磁性体１０が配
置された構造となっている。

【００２６】他の実施例として、強磁性体１０を低圧コ
イルボビン２側でなく、図８に示すように、高圧コイル
ボビン４側に設けてもよい。即ち、強磁性体１０を高圧
コイルボビン４にまず巻回し、その上にポリエステルフ
ィルム等からなる層間絶縁材６を巻回した後、高圧コイ
ル５を巻回する。このように、低圧コイル３と高圧コイ
ル５との間に、強磁性体１０を配置した構成であればよ
い。

【００２７】このようにして、低圧コイルボビン２の外
周に高圧コイルボビン４が嵌装されて一体化された低圧
コイルボビン２と高圧コイルボビン４とは、図１，図８
に示すように、ケース９内に収納される。そして、ケー
ス９内の空隙には絶縁樹脂１１が充填される。

【００２８】なお、図１，図８や図１１においては、高
圧コイル５の巻線区分５ａの数を４つとして図示してい
るが、巻線区分５ａの数はこれに限定されない。従っ
て、巻線区分５ａの間に接続されるダイオード８の数も
３つに限定されることはなく、図３に示すように、４つ
という場合もある。

【００２９】ここで、強磁性体１０について図４，図５
を用いて詳細に説明する。強磁性とは、磁性原子または
金属の自由電子が、正の交換相互作用によって磁気モー
メントを平行に整列させて自発磁化を形成している場合
の磁性と定義されるものである。このように定義される
強磁性を示す物質が強磁性体である。強磁性体１０は、
図４（Ａ）に示すように、そこに短絡電流が流れないよ
うにするためにコア１の磁束に対して閉ループを形成し
ないよう、例えばコア１の軸方向にスリット１０ｓを入
れ、円筒状の巻き方向の端部が互いに非接触の構造とす
ることが望ましい。強磁性体１０の抵抗がある程度大き
く、閉ループを形成しても流れる電流が小さく発熱が問
題とならなければ、閉ループを形成しても構わない。

【００３０】また、図４（Ｂ）に示すように、強磁性体
１０の巻き方向の端部を絶縁体１４に貼着して円筒状と
することにより、コア１の磁束に対して閉ループを形成
しないよう構成してもよい。さらに、強磁性体１０を複
数層に巻回してもよく、あるいは、１周に満たない例え
ば３／４周程度の円筒状でもよい。

【００３１】さらに、強磁性体１０を図５（Ａ）〜
（Ｃ）のように構成してもよい。図５（Ａ）は、コア１
の軸方向に複数のスリット１０ｓを形成し、複数の矩形
状の強磁性体によって全体として円筒状の強磁性体１０
としたものである。図５（Ｂ）は、図４（Ａ）と同様
に、コア１の軸方向にスリット１０ｓを入れ、円筒状の
巻き方向の端部が互いに非接触しないようにし、かつ、
複数の窓部１０ｗを形成したものである。図５（Ｃ）
は、円筒状の強磁性体１０をコア１の軸方向に少なくと
も２つ以上に分割したものである。

【００３２】図５（Ａ）〜（Ｃ）のように、強磁性体１
０の形状、長さ、幅、あるいは、厚さ、材質を変える
と、後に詳述する強磁性体１０のインピーダンスが変化
する。図５（Ａ）〜（Ｃ）のように、スリット１０ｓを
複数形成したり、窓部１０ｗを形成したり、強磁性体１
０を分割したりすることによって、フライバックトラン
スの自己共振周波数を変化させることができ、高圧レギ
ュレーション特性をさらに向上させることができる。ま
た、図５（Ａ）〜（Ｃ）のような構成においては、コア
１のギャップ１ｇからの漏洩磁束が強磁性体１０を磁化
して発熱させるのを防ぎ、温度上昇をさらに低減させる
ことができる。

【００３３】特に、円筒状の強磁性体１０をコア１の軸
方向に例えば２分割した図５（Ｃ）に示す構成において
は、図中上側の強磁性体１０と図中下側の強磁性体１０
との間の空隙部をコア１のギャップ１ｇに位置せしめる
ことにより、強磁性体１０を、コア１のギャップ１ｇ上
を避けて配置することができる。よって、コア１のギャ
ップ１ｇと強磁性体１０との間隔をより大きくとること
ができ、強磁性体１０の磁化による発熱の防止、温度上
昇の低減に極めて効果的である。

【００３４】この強磁性体１０の材質は、コバルト，ニ
ッケル，鉄，純鉄，けい素鋼，パーマロイ，ステンレ
ス，フェライト等を用いることができる。強磁性体は比
透磁率が大きいものと定義することもでき、例えばコバ
ルトのそれは２５０、ニッケルのそれは６００、鉄のそ
れは５０００である。強磁性体１０として用いる物質の
比透磁率は、１００以上が望ましく、さらには２００以
上が望ましい。

【００３５】強磁性体１０としては、一例として、住友
スリーエム（株）の品番ＦＥ−２０ＣＸの鉄箔や、大同
特殊鋼（株）の品番ＭＥＮＰＣ２のパーマロイ箔を用い
ることができる。特に、品番ＦＥ−２０ＣＸの鉄箔は、
片面が粘着層とされたテープ状となっているので、製造
工程において、低圧コイル３が巻回された低圧コイルボ
ビン２にその鉄箔を巻回するだけで低圧コイルボビン２
に保持され、極めて作業性がよい。このとき、テープ状
の鉄箔を、低圧コイル３が巻回された状態の低圧コイル
ボビン２の円周よりも短く切断しておけば、図４（Ａ）
に示すような形態の強磁性体１０を容易に形成すること
ができる。

【００３６】次に、本発明によるリンギング減衰作用に
ついて説明する。図６（Ａ）は高圧コイル５の入力側に
ダイオード８ａが接続されていない場合、図６（Ｂ）は
高圧コイル５の入力側にダイオード８ａが接続されてい
る場合である。図６（Ａ）において、リンギング電流
は、一部は、コンデンサＣ１→高圧コイル５の巻線区分
５ａ→分布容量→強磁性体１０→分布容量→コンデンサ
Ｃ２→コンデンサＣ１というループで流れる。他の一部
は、コンデンサＣ１→高圧コイル５の巻線区分５ａ→分
布容量→低圧コイル３→コンデンサＣ２→コンデンサＣ
１というループで流れる。

【００３７】図６（Ｂ）において、リンギング電流は、
一部は、高圧コイル５の巻線区分５ａ→分布容量→強磁
性体１０→分布容量→高圧コイル５の巻線区分５ａとい
うループで流れる。他の一部は、高圧コイル５の巻線区
分５ａ→分布容量→低圧コイル３→分布容量→高圧コイ
ル５の巻線区分５ａというループで流れる。

【００３８】このようにリンギング電流が流れる閉ルー
プに強磁性体１０を配置することにより、磁性体１０の
内部インピーダンスと外部インピーダンスによるインピ
ーダンスＺが形成される。インピーダンスＺは、強磁性
体１０の抵抗をＲ、（−１）^1/2を表す虚数単位をｊ、
リンギングの周波数をｆ、強磁性体１０のインダクタン
スをＬ、円周率をπとすれば、Ｚ＝Ｒ＋ｊ２πｆＬ …（１）で表すことができる。

【００３９】また、リンギング電流ｉは、数１に示す
（２）式となる。

【数１】

【００４０】リンギングの周波数は１ＭＨｚ程度あるた
め、リンギング電流ｉは、（２）式よりインピーダンス
Ｚにより抑制され、さらに、強磁性体１０の抵抗分であ
る（１）式中のＲでジュール熱に変換される。従って、
リンギングは十分に減衰される。このことは、高圧コイ
ル５の入力側におけるダイオード８ａの接続の有無にか
かわらず達成される。即ち、本発明は、高圧レギュレー
ション特性や耐圧特性（信頼性）を向上させるという点
でより望ましい形態である高圧コイル５の入力側にダイ
オード８ａを接続したフライバックトランスに対して
も、リンギングを効果的に低減させることができる。

【００４１】本発明によるリンギング減衰対策は、上述
した従来例のように、リンギングを抵抗だけでジュール
熱に変換する方法に比べ、比較的小さい抵抗で済む。従
って、ジュール熱による発熱も小さく、温度上昇の小さ
なフライバックトランスを提供することができる。換言
すれば、温度上昇の規格が同じであれば、フライバック
トランスの小型化が可能となる。

【００４２】さらに、高圧コイル５の入力側にダイオー
ド８ａを接続した場合には、高圧コイル５の巻線区分５
ａの略中央部に中性点ができ、巻線区分５ａに発生する
パルスが正と負のパルスに２分される。よって、等価的
に分布容量が減少し、高次共振が可能になり、高圧負荷
変動がなく、また、パルスのピーク値が略半減するため
信頼性が向上するという特長を併せ持つことができる。

【００４３】図７は高圧コイル５の入力側にダイオード
８ａを接続した構成のフライバックトランスの実測波形
である。図７において、（Ａ）は本発明との比較のた
め、リンギング減衰未対策の（即ち、強磁性体１０を備
えていない）フライバックトランスである。また、
（Ｂ）は強磁性体１０として０．１ｍｍ厚のステンレス
ＳＵＳ４３０の箔を、（Ｃ）は強磁性体１０として０．
０３ｍｍ厚の鉄箔を、（Ｄ）は強磁性体１０として０．
２ｍｍ厚のパーマロイ箔をそれぞれ用い、図４（Ａ）で
説明したように、コア１に対して閉ループを形成しない
ように巻き始めと巻き終わりを接触しないように略一周
巻回して低圧コイル３と高圧コイル５との間に嵌装した
フライバックトランスである。

【００４４】図７（Ａ）〜（Ｄ）において、上側の波形
は、低圧コイル３の入力電流波形であり、縦軸は電流で
ある。下側の波形は、高圧コイル５の誘導波形であり、
縦軸は電圧である。横軸はいずれも時間軸である。図７
（Ａ）と図７（Ｂ）〜（Ｄ）とを比較すれば明らかなよ
うに、低圧コイル３と高圧コイル５との間に強磁性体１
０を配置した本発明のフライバックトランスにおいて
は、リンギングが良好に低減されていることが分かる。

【００４５】ここでは図示していないが、強磁性体１０
の代わりに、逆磁性体である０．２ｍｍ厚の銅箔、逆磁
性体である０．３ｍｍ厚の鉛箔、逆磁性体である０．２
ｍｍ厚の燐青銅箔、常磁性体である０．２ｍｍ厚のアル
ミニウム箔を同様に嵌装して、同様な方法で特性を測定
した。この場合には、図７（Ａ）と同様の特性となり、
リンギングの減衰効果がないことが確かめられた。この
ことからも、低圧コイル３と高圧コイル５との間に強磁
性体１０を配置することが、リンギングの低減に効果的
であることが分かる。

【００４６】本発明のフライバックトランスのさらに他
の実施例の構成について、図９を用いて説明する。図９
に示す実施例は、高圧コイル５を、高圧コイルボビン４
の円周方向に設けられ、高圧コイルボビン４の軸方向に
並んで形成された複数の溝４ｂに分割巻回した、いわゆ
る分割巻のフライバックトランスを示している。図９に
おいては、高圧コイル５の中間部にダイオード８を備
え、巻き終わり側にダイオード８ｂを備えている。勿
論、巻き始め側にダイオード８ａを備えることもある。

【００４７】このような分割巻のフライバックトランス
においても、図１，図８に示す実施例と全く同様、低圧
コイル３と高圧コイル５との間に強磁性体１０を配置す
ることにより、リンギングを低減させることができる。

【００４８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のフ
ライバックトランスは、１次側の低圧コイルを巻回する
低圧コイルボビンと、この低圧コイルボビンに挿入され
るコアと、２次側の高圧コイルを巻回し、低圧コイルボ
ビンの外周に嵌装される高圧コイルボビンと、低圧コイ
ルと高圧コイルとの間に配置される強磁性体とを備えて
構成したので、リンギングを良好に低減させることがで
き、さらに、安価で、製造工数もさほどかからず、小型
化でき、温度上昇が小さく、高圧レギュレーション特性
や絶縁性能及び信頼性に優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。

【図２】本発明の主要部品の分解斜視図である。

【図３】本発明における低圧コイルボビンと高圧コイル
ボビンとを組み立てた状態を示す斜視図である。

【図４】本発明に用いる強磁性体の構成例を示す斜視図
である。

【図５】本発明に用いる強磁性体の構成例を示す斜視図
である。

【図６】本発明によるリンギング減衰作用を説明するた
めの図である。

【図７】本発明による効果を説明するための特性図であ
る。

【図８】本発明の他の実施例を示す断面図である。

【図９】本発明のさらに他の実施例を示す断面図であ
る。

【図１０】従来例を示す断面図である。

【図１１】フライバックトランスの回路図である。

【図１２】第１の従来例によるリンギング減衰作用を説
明するための図である。

【図１３】第２の従来例によるリンギング減衰作用を説
明するための図である。

【図１４】第３の従来例によるリンギング減衰作用を説
明するための図である。

【図１５】第４の従来例によるリンギング減衰作用を説
明するための図である。

【符号の説明】

１コア１ｇギャップ２低圧コイルボビン３低圧コイル４高圧コイルボビン５高圧コイル５ａ巻線区分６層間絶縁材７端子８，８ａ，８ｂダイオード９ケース１０強磁性体１０ｓスリット１０ｗ窓部１１絶縁樹脂１４絶縁体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高電圧を発生するためのフライバックトラ
ンスにおいて、１次側の低圧コイルを巻回する低圧コイルボビンと、前記低圧コイルボビンに挿入されるコアと、２次側の高圧コイルを巻回し、前記低圧コイルボビンの
外周に嵌装される高圧コイルボビンと、前記低圧コイルと前記高圧コイルとの間に配置される強
磁性体とを備えて構成したことを特徴とするフライバッ
クトランス。
【請求項２】請求項１記載のフライバックトランスにお
いて、前記高圧コイルは複数の巻線区分よりなり、それぞれの
巻線区分の間にはダイオードが接続され、さらに、前記
高圧コイルの電圧の入力側の最初の巻線区分の前記入力
側にはダイオードが接続されていることを特徴とするフ
ライバックトランス。
【請求項３】請求項１または２のいずれかに記載のフラ
イバックトランスにおいて、前記低圧コイルボビンは円筒状とされ、前記強磁性体は、前記低圧コイルボビンに巻回された前
記低圧コイルを巻回するように円筒状に形成され、か
つ、前記コアの磁束に対して閉ループを形成しないよう
構成されていることを特徴とするフライバックトラン
ス。
【請求項４】請求項１記載のフライバックトランスにお
いて、前記高圧コイルは、前記高圧コイルボビンの円周方向に
設けられ、前記高圧コイルボビンの軸方向に並んで形成
された複数の溝に分割巻回されていることを特徴とする
フライバックトランス。
【請求項５】請求項３記載のフライバックトランスにお
いて、前記強磁性体には、前記コアの軸方向に延びる少なくと
も１つのスリットが形成されていることを特徴とするフ
ライバックトランス。
【請求項６】請求項３記載のフライバックトランスにお
いて、前記強磁性体には、少なくとも１つの窓部が形成されて
いることを特徴とするフライバックトランス。
【請求項７】請求項３記載のフライバックトランスにお
いて、前記強磁性体は、前記コアの軸方向に少なくとも２分割
され、前記コアのギャップ上を避けて配置されているこ
とを特徴とするフライバックトランス。