JPH1145859A - エピタキシャル成長装置 - Google Patents
エピタキシャル成長装置Info
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- JPH1145859A JPH1145859A JP20120097A JP20120097A JPH1145859A JP H1145859 A JPH1145859 A JP H1145859A JP 20120097 A JP20120097 A JP 20120097A JP 20120097 A JP20120097 A JP 20120097A JP H1145859 A JPH1145859 A JP H1145859A
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- susceptor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エピタキシャル成長装置に係り、特に有機金
属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）による半導体薄膜成長工
程における基板加熱方法及び基板温度監視方法の改良に
関し、基板を均一に加熱して基板温度を正確に監視し、
基板温度の再現性を維持し、基板の面内温度の分布を均
一にすることが可能となるエピタキシャル成長装置の提
供を目的とする。 【解決手段】 半導体基板を搭載するサセプタを収容
し、上部に原料ガス供給部が設けられており、下部に石
英窓が設けられている反応管と、この石英窓に隣接する
ランプ加熱装置とを備えたエピタキシャル成長装置にお
いて、このサセプタとこの石英窓との間に流入するこの
原料ガスがこの石英窓と反応するのを防止する反応防止
手段を具備するように構成する。
属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）による半導体薄膜成長工
程における基板加熱方法及び基板温度監視方法の改良に
関し、基板を均一に加熱して基板温度を正確に監視し、
基板温度の再現性を維持し、基板の面内温度の分布を均
一にすることが可能となるエピタキシャル成長装置の提
供を目的とする。 【解決手段】 半導体基板を搭載するサセプタを収容
し、上部に原料ガス供給部が設けられており、下部に石
英窓が設けられている反応管と、この石英窓に隣接する
ランプ加熱装置とを備えたエピタキシャル成長装置にお
いて、このサセプタとこの石英窓との間に流入するこの
原料ガスがこの石英窓と反応するのを防止する反応防止
手段を具備するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル成
長装置に係り、特に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）による半導体薄膜成長工程における基板加熱方法及
び基板温度監視方法の改良に関するものである。
長装置に係り、特に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ
法）による半導体薄膜成長工程における基板加熱方法及
び基板温度監視方法の改良に関するものである。
【０００２】ＭＯＶＰＥ法は原料ガスを加熱基板上で分
解反応させて基板上に半導体薄膜を形成する結晶成長法
であるため、均一な半導体薄膜を優れた再現性により成
長させるためには、基板を均一に加熱し、基板温度を正
確に監視することが可能なエピタキシャル成長装置が要
望されている。
解反応させて基板上に半導体薄膜を形成する結晶成長法
であるため、均一な半導体薄膜を優れた再現性により成
長させるためには、基板を均一に加熱し、基板温度を正
確に監視することが可能なエピタキシャル成長装置が要
望されている。
【０００３】
【従来の技術】従来のエピタキシャル成長装置について
図３により詳細に説明する。図３は従来のエピタキシャ
ル成長装置を示す図である。
図３により詳細に説明する。図３は従来のエピタキシャ
ル成長装置を示す図である。
【０００４】従来のエピタキシャル成長装置は図に示す
ように、反応管１の内部には処理すべき半導体基板11を
搭載するサセプタ２が設けられている。この反応管１の
上部には原料ガスを供給する原料ガス供給部３が設けら
れ、この反応管１の下部には石英窓５が設けられてお
り、この石英窓５に隣接してランプ加熱装置６が設けら
れている。
ように、反応管１の内部には処理すべき半導体基板11を
搭載するサセプタ２が設けられている。この反応管１の
上部には原料ガスを供給する原料ガス供給部３が設けら
れ、この反応管１の下部には石英窓５が設けられてお
り、この石英窓５に隣接してランプ加熱装置６が設けら
れている。
【０００５】このサセプタ２はサセプタ支持部４により
支持され、搭載する半導体基板11の面内の温度分布や原
料ガスの供給を均一にするように回転されている。原料
ガス供給部３としては半導体基板11に形成される膜厚の
分布を制御することができるようにハニカム型インジェ
クタが用いられている。
支持され、搭載する半導体基板11の面内の温度分布や原
料ガスの供給を均一にするように回転されている。原料
ガス供給部３としては半導体基板11に形成される膜厚の
分布を制御することができるようにハニカム型インジェ
クタが用いられている。
【０００６】ハニカム型インジェクタは図に示すように
複数のマスフローコントローラを用いて分流した原料ガ
スを、図に示すように蜂の巣状に配設した19のテーパ状
の供給管により半導体基板11の全面に原料ガスを吹き付
けるものである。
複数のマスフローコントローラを用いて分流した原料ガ
スを、図に示すように蜂の巣状に配設した19のテーパ状
の供給管により半導体基板11の全面に原料ガスを吹き付
けるものである。
【０００７】ランプ加熱装置６は５本の直線状のランプ
からなり、直径100mm の開口孔を備えた遮蔽板の開口孔
を通した光線を反応管１の下部に設けた石英窓５を通し
て反応管１内に照射させるものである。
からなり、直径100mm の開口孔を備えた遮蔽板の開口孔
を通した光線を反応管１の下部に設けた石英窓５を通し
て反応管１内に照射させるものである。
【０００８】原料ガス供給部３から反応管１内に供給さ
れた原料ガスは、反応管１の周辺部に配置された排気口
1aから排気されるが、拡散によりサセプタ２と石英窓５
との間の空間に図において矢印にて示すようにもぐり込
んでくる。
れた原料ガスは、反応管１の周辺部に配置された排気口
1aから排気されるが、拡散によりサセプタ２と石英窓５
との間の空間に図において矢印にて示すようにもぐり込
んでくる。
【０００９】半導体基板11に面内膜厚分布が均一なエピ
タキシャル成長膜を成長させるためには、基板温度の再
現性を図ることが必要であるから、熱電対９をサセプタ
２のの下に設けて半導体基板11の温度を監視している。
タキシャル成長膜を成長させるためには、基板温度の再
現性を図ることが必要であるから、熱電対９をサセプタ
２のの下に設けて半導体基板11の温度を監視している。
【００１０】熱電対９とは別に反応管１に設けたのぞき
窓1bを通して放射温度計10でも半導体基板11の温度を監
視している。
窓1bを通して放射温度計10でも半導体基板11の温度を監
視している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来のエ
ピタキシャル成長装置においては、複数回のエピタキシ
ャル成長を繰り返して行うと、原料ガス供給部により上
部から供給され、反応管の排気口から排気されずに、拡
散によりサセプタと石英窓との間の空間にもぐり込んだ
原料ガスの、加熱された石英窓との反応により石英窓に
くもりが生じるためランプ加熱装置からの光線にバラツ
キが生じ、半導体基板の面内温度分布が悪くなり、基板
温度の再現性が悪くなるという問題点がある。
ピタキシャル成長装置においては、複数回のエピタキシ
ャル成長を繰り返して行うと、原料ガス供給部により上
部から供給され、反応管の排気口から排気されずに、拡
散によりサセプタと石英窓との間の空間にもぐり込んだ
原料ガスの、加熱された石英窓との反応により石英窓に
くもりが生じるためランプ加熱装置からの光線にバラツ
キが生じ、半導体基板の面内温度分布が悪くなり、基板
温度の再現性が悪くなるという問題点がある。
【００１２】また、サセプタと石英窓との間の温度勾配
が非常に大きいので、保守作業に際して熱電対の位置が
垂直方向にずれると、基板温度の再現性を維持できなく
なり、また放射温度計の設置位置が斜め方向であるた
め、斜方向計測では基板温度の再現性を維持できず、の
ぞき窓にくもりが生じると基板温度の再現性が悪くなる
という問題点があった。
が非常に大きいので、保守作業に際して熱電対の位置が
垂直方向にずれると、基板温度の再現性を維持できなく
なり、また放射温度計の設置位置が斜め方向であるた
め、斜方向計測では基板温度の再現性を維持できず、の
ぞき窓にくもりが生じると基板温度の再現性が悪くなる
という問題点があった。
【００１３】本発明は以上のような状況から、基板を均
一に加熱して基板温度を正確に監視し、基板温度の再現
性を維持し、基板の面内温度の分布を均一にすることが
可能となるエピタキシャル成長装置の提供を目的とした
ものである。
一に加熱して基板温度を正確に監視し、基板温度の再現
性を維持し、基板の面内温度の分布を均一にすることが
可能となるエピタキシャル成長装置の提供を目的とした
ものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のエピタキシャル
成長装置は、半導体基板を搭載するサセプタを収容し、
上部に原料ガス供給部が設けられており、下部に石英窓
が設けられている反応管と、この石英窓に隣接するラン
プ加熱装置とを備えたエピタキシャル成長装置におい
て、このサセプタとこの石英窓との間に流入するこの原
料ガスがこの石英窓と反応するのを防止する反応防止手
段を具備するように構成する。
成長装置は、半導体基板を搭載するサセプタを収容し、
上部に原料ガス供給部が設けられており、下部に石英窓
が設けられている反応管と、この石英窓に隣接するラン
プ加熱装置とを備えたエピタキシャル成長装置におい
て、このサセプタとこの石英窓との間に流入するこの原
料ガスがこの石英窓と反応するのを防止する反応防止手
段を具備するように構成する。
【００１５】この反応防止手段が、この石英窓に接触し
て設けられた、このランプ加熱装置の光源の断面積より
も大きいカーボン板であるか、或いは噴出孔をこの石英
窓に向けて設けられた、このランプ加熱装置の光源の断
面積よりも大きいガスパージ機構であるように構成す
る。
て設けられた、このランプ加熱装置の光源の断面積より
も大きいカーボン板であるか、或いは噴出孔をこの石英
窓に向けて設けられた、このランプ加熱装置の光源の断
面積よりも大きいガスパージ機構であるように構成す
る。
【００１６】また、この反応防止手段とこのサセプタと
の間に、熱電対を収容する熱電対収容管が設けられてい
るように構成し、このサセプタの中心とこの原料ガスの
供給部の中心とを結ぶ線上に放射温度計が設けられてい
るように構成する。
の間に、熱電対を収容する熱電対収容管が設けられてい
るように構成し、このサセプタの中心とこの原料ガスの
供給部の中心とを結ぶ線上に放射温度計が設けられてい
るように構成する。
【００１７】即ち本発明においては、反応管の中にサセ
プタを設けて半導体基板をこのサセプタに搭載し、反応
管の上部に設けた原料ガス供給部から原料ガスを供給
し、反応管の下部に設けた石英窓に隣接するランプ加熱
装置により処理すべき半導体基板を加熱しているが、こ
の石英窓とこのサセプタとの間にこの原料ガスがこの石
英窓と反応するのを防止する反応防止手段を設けてお
り、この反応防止手段の大きさをランプ加熱装置の光源
の断面積よりも大きくしているので、原料ガスが石英窓
と反応して石英窓にくもりが生じるのを防止することが
でき、半導体基板を均一に加熱することが可能となる。
プタを設けて半導体基板をこのサセプタに搭載し、反応
管の上部に設けた原料ガス供給部から原料ガスを供給
し、反応管の下部に設けた石英窓に隣接するランプ加熱
装置により処理すべき半導体基板を加熱しているが、こ
の石英窓とこのサセプタとの間にこの原料ガスがこの石
英窓と反応するのを防止する反応防止手段を設けてお
り、この反応防止手段の大きさをランプ加熱装置の光源
の断面積よりも大きくしているので、原料ガスが石英窓
と反応して石英窓にくもりが生じるのを防止することが
でき、半導体基板を均一に加熱することが可能となる。
【００１８】また、この反応防止手段とこのサセプタと
の間に、熱電対収容管が設けられて熱電対を収容するよ
うになっているから、保守作業に際して熱電対の位置が
変わらないので半導体基板の温度測定の再現性を維持す
ることが可能となる。更に、放射温度計をサセプタの中
心と原料ガスの供給部の中心とを結ぶ線上に設けている
ので、半導体基板の温度を常に中心において測定するこ
とが可能となる。
の間に、熱電対収容管が設けられて熱電対を収容するよ
うになっているから、保守作業に際して熱電対の位置が
変わらないので半導体基板の温度測定の再現性を維持す
ることが可能となる。更に、放射温度計をサセプタの中
心と原料ガスの供給部の中心とを結ぶ線上に設けている
ので、半導体基板の温度を常に中心において測定するこ
とが可能となる。
【００１９】
【発明の実施形態】以下図１〜図２により本発明の実施
例について詳細に説明する。図１は本発明による第１の
実施例のエピタキシャル成長装置を示す図、図２は本発
明による第２の実施例のエピタキシャル成長装置を示す
図である。
例について詳細に説明する。図１は本発明による第１の
実施例のエピタキシャル成長装置を示す図、図２は本発
明による第２の実施例のエピタキシャル成長装置を示す
図である。
【００２０】本発明による第１の実施例のエピタキシャ
ル成長装置は図１に示すように、従来のエピタキシャル
成長装置と同様に、反応管１の内部には処理すべき半導
体基板11を搭載する厚さ10mmで直径80mmのカーボンから
なるサセプタ２が設けられている。
ル成長装置は図１に示すように、従来のエピタキシャル
成長装置と同様に、反応管１の内部には処理すべき半導
体基板11を搭載する厚さ10mmで直径80mmのカーボンから
なるサセプタ２が設けられている。
【００２１】この反応管１の上部には原料ガスを供給す
る原料ガス供給部３が設けられ、この反応管１の下部に
は直径 200mmの石英窓５が設けられており、この石英窓
５に隣接してランプ加熱装置６が設けられている。
る原料ガス供給部３が設けられ、この反応管１の下部に
は直径 200mmの石英窓５が設けられており、この石英窓
５に隣接してランプ加熱装置６が設けられている。
【００２２】このサセプタ２はサセプタ支持部４により
支持され、搭載する半導体基板11の面内の温度分布や原
料ガスの供給を均一にするように回転されている。原料
ガス供給部３としては従来のエピタキシャル成長装置と
同様に、半導体基板11に形成される膜厚の分布を制御す
ることができるようにハニカム型インジェクタが用いら
れており、19個の吹き出し口の直径は60mmである。
支持され、搭載する半導体基板11の面内の温度分布や原
料ガスの供給を均一にするように回転されている。原料
ガス供給部３としては従来のエピタキシャル成長装置と
同様に、半導体基板11に形成される膜厚の分布を制御す
ることができるようにハニカム型インジェクタが用いら
れており、19個の吹き出し口の直径は60mmである。
【００２３】本発明による第１の実施例のエピタキシャ
ル成長装置においては、このハニカム型インジェクタの
中心の吹き出し口にＴ型継ぎ手を用いて焦点距離が 250
mmの放射温度計10をサセプタ２に搭載した半導体基板11
に対して垂直上方 250mmの位置に設置し、のぞき窓がく
もらないように水素パージを行っている。
ル成長装置においては、このハニカム型インジェクタの
中心の吹き出し口にＴ型継ぎ手を用いて焦点距離が 250
mmの放射温度計10をサセプタ２に搭載した半導体基板11
に対して垂直上方 250mmの位置に設置し、のぞき窓がく
もらないように水素パージを行っている。
【００２４】ランプ加熱装置６は従来のエピタキシャル
成長装置と同様に、５本の直線状のランプからなり、直
径100mm の開口孔を備えた遮蔽板の開口孔を通した光線
を反応管１の下部に設けた石英窓５を通して反応管１内
に照射させるものである。
成長装置と同様に、５本の直線状のランプからなり、直
径100mm の開口孔を備えた遮蔽板の開口孔を通した光線
を反応管１の下部に設けた石英窓５を通して反応管１内
に照射させるものである。
【００２５】本実施例においては、この石英窓５に接触
させて厚さ３mmで直径 150mmの円形のカーボン板７が設
けられている。このカーボン板７はランプ加熱装置６に
より不均等に加熱されて温度分布がばらつくので、カー
ボン板７の温度のばらつきを緩和するように板厚に分布
を設けることにより、このカーボン板７からサセプタ２
に照射する熱線の強度を均等にしている。
させて厚さ３mmで直径 150mmの円形のカーボン板７が設
けられている。このカーボン板７はランプ加熱装置６に
より不均等に加熱されて温度分布がばらつくので、カー
ボン板７の温度のばらつきを緩和するように板厚に分布
を設けることにより、このカーボン板７からサセプタ２
に照射する熱線の強度を均等にしている。
【００２６】このカーボン板７とサセプタ２との間隔を
10mmとし、このカーボン板７とサセプタ２との間に内径
２mmの直線形状の透明石英管からなる熱電対収容管9aを
設けてその中にＲ型のシース熱電対９を挿入した。
10mmとし、このカーボン板７とサセプタ２との間に内径
２mmの直線形状の透明石英管からなる熱電対収容管9aを
設けてその中にＲ型のシース熱電対９を挿入した。
【００２７】本発明による第１の実施例のエピタキシャ
ル成長装置では、このようにランプ加熱装置６から放射
され石英窓５を透過した光線によりカーボン板７を加熱
し、この加熱されたカーボン板７を熱源として回転され
ているサセプタ２を加熱するので、半導体基板11を均等
に加熱することが可能であり、サセプタ２とカーボン板
７の10mmの間隔に設けた熱電対収容管9aに挿入した熱電
対９によりサセプタ２の温度を測定するので、保守を行
う場合においても熱電対９の位置が変動せず、このサセ
プタ２に搭載された半導体基板11の中心部の温度を放射
温度計10により測定しているので、半導体基板11の温度
分布を制御することが可能となる。
ル成長装置では、このようにランプ加熱装置６から放射
され石英窓５を透過した光線によりカーボン板７を加熱
し、この加熱されたカーボン板７を熱源として回転され
ているサセプタ２を加熱するので、半導体基板11を均等
に加熱することが可能であり、サセプタ２とカーボン板
７の10mmの間隔に設けた熱電対収容管9aに挿入した熱電
対９によりサセプタ２の温度を測定するので、保守を行
う場合においても熱電対９の位置が変動せず、このサセ
プタ２に搭載された半導体基板11の中心部の温度を放射
温度計10により測定しているので、半導体基板11の温度
分布を制御することが可能となる。
【００２８】原料ガス供給部３から反応管１内に供給さ
れた原料ガスは、反応管１の周辺部に配置された排気口
1aから排気され、加熱されたカーボン板７が石英窓５に
接触して設けられているので、拡散によりサセプタ２と
石英窓５との間の空間にもぐり込んだ原料ガスが石英窓
５と反応して石英窓５の表面にくもりを生じさせなくな
る。
れた原料ガスは、反応管１の周辺部に配置された排気口
1aから排気され、加熱されたカーボン板７が石英窓５に
接触して設けられているので、拡散によりサセプタ２と
石英窓５との間の空間にもぐり込んだ原料ガスが石英窓
５と反応して石英窓５の表面にくもりを生じさせなくな
る。
【００２９】本発明による第２の実施例のエピタキシャ
ル成長装置は図２に示すように、第１の実施例のエピタ
キシャル成長装置と同様な装置である。本発明による第
２の実施例のエピタキシャル成長装置においては、この
石英窓５との間に５mmの間隔を設けて、透明石英からな
る厚さ５mmで直径 150mmのガスパージ機構８が設けられ
ている。このガスパージ機構８の下面には直径１mmの噴
出孔8aを 1,000個設け、この噴出孔8aからパージガスを
噴出させ、このガスパージ機構８とサセプタ２との間に
内径２mmの直線形状の透明石英管からなる熱電対収容管
9aを設けてその中にＲ型のシース熱電対９を挿入した。
ル成長装置は図２に示すように、第１の実施例のエピタ
キシャル成長装置と同様な装置である。本発明による第
２の実施例のエピタキシャル成長装置においては、この
石英窓５との間に５mmの間隔を設けて、透明石英からな
る厚さ５mmで直径 150mmのガスパージ機構８が設けられ
ている。このガスパージ機構８の下面には直径１mmの噴
出孔8aを 1,000個設け、この噴出孔8aからパージガスを
噴出させ、このガスパージ機構８とサセプタ２との間に
内径２mmの直線形状の透明石英管からなる熱電対収容管
9aを設けてその中にＲ型のシース熱電対９を挿入した。
【００３０】本発明による第２の実施例のエピタキシャ
ル成長装置では、このようにランプ加熱装置６から放射
され、石英窓５とガスパージ機構８を透過した光線によ
り回転されているサセプタ２を加熱するので、半導体基
板11を均等に加熱することが可能であり、サセプタ２と
ガスパージ機構８の間に透明石英管からなる熱電対収容
管9aを設けて、これに挿入した熱電対９によりサセプタ
２の温度を測定するので、保守を行う場合においても熱
電対９の位置が変動せず、このサセプタ２に搭載された
半導体基板11の中心部の温度を放射温度計10により測定
しているので、半導体基板11の温度分布を制御すること
が可能となる。
ル成長装置では、このようにランプ加熱装置６から放射
され、石英窓５とガスパージ機構８を透過した光線によ
り回転されているサセプタ２を加熱するので、半導体基
板11を均等に加熱することが可能であり、サセプタ２と
ガスパージ機構８の間に透明石英管からなる熱電対収容
管9aを設けて、これに挿入した熱電対９によりサセプタ
２の温度を測定するので、保守を行う場合においても熱
電対９の位置が変動せず、このサセプタ２に搭載された
半導体基板11の中心部の温度を放射温度計10により測定
しているので、半導体基板11の温度分布を制御すること
が可能となる。
【００３１】原料ガス供給部３から反応管１内に供給さ
れた原料ガスは、反応管１の周辺部に配置された排気口
1aから排気され、拡散によりサセプタ２と石英窓５との
間の空間にもぐり込んだ原料ガスは、ガスパージ機構８
の噴出孔8aから噴出されたパージガスにより吹き飛ばさ
れるので、原料ガスが石英窓５と反応して石英窓５の表
面にくもりを生じさせることがなくなる。
れた原料ガスは、反応管１の周辺部に配置された排気口
1aから排気され、拡散によりサセプタ２と石英窓５との
間の空間にもぐり込んだ原料ガスは、ガスパージ機構８
の噴出孔8aから噴出されたパージガスにより吹き飛ばさ
れるので、原料ガスが石英窓５と反応して石英窓５の表
面にくもりを生じさせることがなくなる。
【００３２】ドーピング濃度が成長温度に敏感なモノシ
ラン（SiＨ4)ドーピングを行って、基板加熱とその温度
モニターの再現性を第１の実施例と第２の実施例につい
てチェックした。
ラン（SiＨ4)ドーピングを行って、基板加熱とその温度
モニターの再現性を第１の実施例と第２の実施例につい
てチェックした。
【００３３】２インチのインジウム燐（InＰ）基板を用
い、成長温度 650℃で、１回当たり１μm 成長させるモ
ノシラン（SiＨ4)ドーピングを 100回行ったが、基板中
心のシリコン濃度と面内シリコン濃度分布は、 100回成
長した後でもほとんど変化しなかった。このことは、基
板加熱とその温度モニターの再現性が高いことを示して
いる。
い、成長温度 650℃で、１回当たり１μm 成長させるモ
ノシラン（SiＨ4)ドーピングを 100回行ったが、基板中
心のシリコン濃度と面内シリコン濃度分布は、 100回成
長した後でもほとんど変化しなかった。このことは、基
板加熱とその温度モニターの再現性が高いことを示して
いる。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の変更により原料ガスが石英
窓と反応してくもりが生じるのを防止することが可能で
あり、熱電対の設置位置が安定し、半導体基板の温度測
定を中心部で行うので、半導体基板の温度を安定して正
確に測定することが可能となる利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できるエピタキシャル
成長装置の提供が可能である。
によれば極めて簡単な構造の変更により原料ガスが石英
窓と反応してくもりが生じるのを防止することが可能で
あり、熱電対の設置位置が安定し、半導体基板の温度測
定を中心部で行うので、半導体基板の温度を安定して正
確に測定することが可能となる利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できるエピタキシャル
成長装置の提供が可能である。
【図１】 本発明による第１の実施例のエピタキシャル
成長装置を示す図
成長装置を示す図
【図２】 本発明による第２の実施例のエピタキシャル
成長装置を示す図
成長装置を示す図
【図３】 従来のエピタキシャル成長装置を示す図
１ 反応管 1a 排気口 1b のぞき窓 ２ サセプタ ３ 原料ガス供給部 ４ サセプタ支持部 ５ 石英窓 ６ ランプ加熱装置 ７ カーボン板 ８ ガスパージ機構 8a 噴出孔 ９ 熱電対 9a 熱電対収容管 10 放射温度計 11 半導体基板
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板を搭載するサセプタを収容
し、上部に原料ガス供給部が設けられており、下部に石
英窓が設けられている反応管と、前記石英窓に隣接する
ランプ加熱装置とを備えたエピタキシャル成長装置にお
いて、 前記サセプタと前記石英窓との間に流入する前記原料ガ
スが前記石英窓と反応するのを防止する反応防止手段を
具備することを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 【請求項２】 前記反応防止手段が、前記石英窓に接触
して設けられた、前記ランプ加熱装置の光源の断面積よ
りも大きいカーボン板である請求項１記載のエピタキシ
ャル成長装置。 - 【請求項３】 前記反応防止手段が、噴出孔を前記石英
窓に向けて設けられた、前記ランプ加熱装置の光源の断
面積よりも大きいガスパージ機構である請求項１記載の
エピタキシャル成長装置。 - 【請求項４】 前記反応防止手段と前記サセプタとの間
に、熱電対を収容する熱電対収容管が設けられている請
求項１記載のエピタキシャル成長装置。 - 【請求項５】 前記サセプタの中心と前記原料ガスの供
給部の中心とを結ぶ線上に放射温度計が設けられている
請求項１記載のエピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20120097A JPH1145859A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20120097A JPH1145859A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145859A true JPH1145859A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16437014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20120097A Withdrawn JPH1145859A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1145859A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090961A1 (ja) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Tokyo Electron Limited | シャワーヘッド構造及び処理装置 |
| JP2011511459A (ja) * | 2008-01-31 | 2011-04-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｖｄ装置 |
| CN114918087A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-19 | 重庆理工大学 | 一种圆管外壁镀膜装置 |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP20120097A patent/JPH1145859A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004090961A1 (ja) * | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Tokyo Electron Limited | シャワーヘッド構造及び処理装置 |
| KR100753695B1 (ko) | 2003-04-10 | 2007-08-30 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 샤워 헤드 구조 및 처리 장치 |
| US8070910B2 (en) | 2003-04-10 | 2011-12-06 | Tokyo Electron Limited | Shower head structure and treating device |
| JP2011511459A (ja) * | 2008-01-31 | 2011-04-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｃｖｄ装置 |
| CN114918087A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-19 | 重庆理工大学 | 一种圆管外壁镀膜装置 |
| CN114918087B (zh) * | 2022-04-14 | 2023-01-20 | 重庆理工大学 | 一种圆管外壁镀膜装置 |
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