JPH1146018A - 表面実装型発光ダイオード - Google Patents
表面実装型発光ダイオードInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ダイオード素子に大電流を流したときの
発熱を効率よく放出することで、発光ダイオード素子の
発光領域の温度上昇や発光効率の低下を防ぎ、電流量に
比例した高輝度の表面実装型発光ダイオードを得るこ
と。 【解決手段】 絶縁基板１６の上面に形成されたダイボ
ンド電極パターン１７とセカンド電極パターン１８のう
ち、発光ダイオード素子２３が固着されるダイボンド電
極パターン１７のダイボンドエリア１７ａを厚肉に形成
し、前記発光ダイオード素子２３に発生する熱を該ダイ
ボンドエリア１７ａを通じて放出する。
発熱を効率よく放出することで、発光ダイオード素子の
発光領域の温度上昇や発光効率の低下を防ぎ、電流量に
比例した高輝度の表面実装型発光ダイオードを得るこ
と。 【解決手段】 絶縁基板１６の上面に形成されたダイボ
ンド電極パターン１７とセカンド電極パターン１８のう
ち、発光ダイオード素子２３が固着されるダイボンド電
極パターン１７のダイボンドエリア１７ａを厚肉に形成
し、前記発光ダイオード素子２３に発生する熱を該ダイ
ボンドエリア１７ａを通じて放出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マザーボードの表
面に直接実装されるタイプの表面実装型発光ダイオード
に関する。
面に直接実装されるタイプの表面実装型発光ダイオード
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の表面実装型発光ダイオー
ドとして、図８乃至図１０に示したものが知られてい
る。この表面実装型発光ダイオードは、矩形状の絶縁基
板２の上面２ａから側面２ｂを回り込んで下面２ｃに至
るダイボンド電極パターン３及びセカンド電極パターン
４を立体的に形成し、ダイボンド電極パターン３のダイ
ボンドエリア３ａに導電性接着剤５を介して発光ダイオ
ード素子６を固着し、この発光ダイオード素子６とセカ
ンド電極パターン４とをボンディングワイヤ７によって
接続し、発光ダイオード素子６とボンディングワイヤ７
とを透光性樹脂体８を用いて樹脂封止したものである。
ダイボンド電極パターン３及びセカンド電極パターン４
は、図１０に示したように、絶縁基板２の表面に銅箔９
を無電解メッキし、この銅箔９の上にニッケルメッキ１
０及び金メッキ１１を積層形成したものである。これら
電極パターンの厚みは、銅箔９、ニッケルメッキ１０及
び金メッキ１１がそれぞれ３０μｍ、１０μｍ、０．３
〜０．４μｍ程度に設定されている。
ドとして、図８乃至図１０に示したものが知られてい
る。この表面実装型発光ダイオードは、矩形状の絶縁基
板２の上面２ａから側面２ｂを回り込んで下面２ｃに至
るダイボンド電極パターン３及びセカンド電極パターン
４を立体的に形成し、ダイボンド電極パターン３のダイ
ボンドエリア３ａに導電性接着剤５を介して発光ダイオ
ード素子６を固着し、この発光ダイオード素子６とセカ
ンド電極パターン４とをボンディングワイヤ７によって
接続し、発光ダイオード素子６とボンディングワイヤ７
とを透光性樹脂体８を用いて樹脂封止したものである。
ダイボンド電極パターン３及びセカンド電極パターン４
は、図１０に示したように、絶縁基板２の表面に銅箔９
を無電解メッキし、この銅箔９の上にニッケルメッキ１
０及び金メッキ１１を積層形成したものである。これら
電極パターンの厚みは、銅箔９、ニッケルメッキ１０及
び金メッキ１１がそれぞれ３０μｍ、１０μｍ、０．３
〜０．４μｍ程度に設定されている。
【０００３】上述のように構成される表面実装型発光ダ
イオード１では、ダイボンド電極パターン３とセカンド
電極パターン４との間に２５ｍＡ程度の微電流を流すこ
とで発光ダイオード素子６を発光させて所望の輝度を得
ていた。
イオード１では、ダイボンド電極パターン３とセカンド
電極パターン４との間に２５ｍＡ程度の微電流を流すこ
とで発光ダイオード素子６を発光させて所望の輝度を得
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、発光ダイオ
ード素子６は、流す電流の量に比例して輝度がアップす
るため、高い輝度を得るためには電流を増加させる必要
がある。しかしながら、電流を増加させると発光ダイオ
ード素子６固有の熱抵抗によって、発光ダイオード素子
６の発光領域の温度が上昇し、逆に発光効率が低下して
しまうという問題があるため、電流を増加させても電流
量に比例した輝度が得られなくなっていた。図９は、上
記従来の発光ダイオード素子６から発生する熱ｈの放熱
経路を模式的に示したものであり、熱ｈは主にダイボン
ド電極パターン３のダイボンドエリア３ａ及び透光性樹
脂体８を通じて放出される。しかしながら、発光ダイオ
ード素子６を覆う透光性樹脂体８は熱伝導率が小さいた
め、発光ダイオード素子６から発生する熱ｈを充分に逃
すことができず、また、熱伝導率の高いダイボンド電極
パターン３は４０μｍと薄く形成されているため、ダイ
ボンド電極パターン３側へ熱ｈを充分に逃すことができ
なかった。その結果、大電流を流したときに、発光ダイ
オード素子６の発光領域の温度が上昇し、発光効率が低
下してしまい、電流に比例した輝度を得られなくなって
いた。一般に、表面実装型発光ダイオード１の場合、こ
の現象は２００ｍＡ以上の電流を流したときに発生し、
３００ｍＡ以上の電流では発光ダイオード６の輝度は飽
和し、電流を上げても輝度をアップすることができなく
なっていた。
ード素子６は、流す電流の量に比例して輝度がアップす
るため、高い輝度を得るためには電流を増加させる必要
がある。しかしながら、電流を増加させると発光ダイオ
ード素子６固有の熱抵抗によって、発光ダイオード素子
６の発光領域の温度が上昇し、逆に発光効率が低下して
しまうという問題があるため、電流を増加させても電流
量に比例した輝度が得られなくなっていた。図９は、上
記従来の発光ダイオード素子６から発生する熱ｈの放熱
経路を模式的に示したものであり、熱ｈは主にダイボン
ド電極パターン３のダイボンドエリア３ａ及び透光性樹
脂体８を通じて放出される。しかしながら、発光ダイオ
ード素子６を覆う透光性樹脂体８は熱伝導率が小さいた
め、発光ダイオード素子６から発生する熱ｈを充分に逃
すことができず、また、熱伝導率の高いダイボンド電極
パターン３は４０μｍと薄く形成されているため、ダイ
ボンド電極パターン３側へ熱ｈを充分に逃すことができ
なかった。その結果、大電流を流したときに、発光ダイ
オード素子６の発光領域の温度が上昇し、発光効率が低
下してしまい、電流に比例した輝度を得られなくなって
いた。一般に、表面実装型発光ダイオード１の場合、こ
の現象は２００ｍＡ以上の電流を流したときに発生し、
３００ｍＡ以上の電流では発光ダイオード６の輝度は飽
和し、電流を上げても輝度をアップすることができなく
なっていた。
【０００５】そこで、本発明は、大電流を流したときに
も発光ダイオード素子の輝度をアップすることができる
高輝度の表面実装型発光ダイオードを提供することを目
的とする。
も発光ダイオード素子の輝度をアップすることができる
高輝度の表面実装型発光ダイオードを提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、請求項１に係る表面実装型発光ダイオー
ドが、基板の上面に一対の電極パターンを形成し、一方
の電極パターンの上に導電性接着剤によって発光ダイオ
ード素子を固着すると共に、発光ダイオード素子と他方
の電極パターンとをボンディングワイヤによって接続
し、発光ダイオード素子及びボンディングワイヤを樹脂
封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記
一対の電極パターンのうち、少なくとも発光ダイオード
素子が固着される電極パターンのダイボンドエリアを厚
肉に形成し、前記発光ダイオード素子に発生する熱を該
ダイボンドエリアを通じて放出することを特徴とする。
決するために、請求項１に係る表面実装型発光ダイオー
ドが、基板の上面に一対の電極パターンを形成し、一方
の電極パターンの上に導電性接着剤によって発光ダイオ
ード素子を固着すると共に、発光ダイオード素子と他方
の電極パターンとをボンディングワイヤによって接続
し、発光ダイオード素子及びボンディングワイヤを樹脂
封止してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記
一対の電極パターンのうち、少なくとも発光ダイオード
素子が固着される電極パターンのダイボンドエリアを厚
肉に形成し、前記発光ダイオード素子に発生する熱を該
ダイボンドエリアを通じて放出することを特徴とする。
【０００７】また、請求項２に係る表面実装型発光ダイ
オードが、基板の両側に上面から側面を回り込んで下面
に至る電極パターンをそれぞれ形成し、一方の電極パタ
ーンの上面に導電性接着剤によって発光ダイオード素子
を固着すると共に、発光ダイオード素子と他方の電極パ
ターンの上面とをボンディングワイヤによって接続し、
発光ダイオード素子及びボンディングワイヤを樹脂封止
してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記一対
の電極パターンのうち少なくとも発光ダイオード素子が
固着される側の電極パターンの上面あるいは上面及び側
面、もしくは上面、側面及び下面を厚肉に形成し、前記
発光ダイオード素子に発生する熱を該電極パターンを通
じて放出することを特徴とする。
オードが、基板の両側に上面から側面を回り込んで下面
に至る電極パターンをそれぞれ形成し、一方の電極パタ
ーンの上面に導電性接着剤によって発光ダイオード素子
を固着すると共に、発光ダイオード素子と他方の電極パ
ターンの上面とをボンディングワイヤによって接続し、
発光ダイオード素子及びボンディングワイヤを樹脂封止
してなる表面実装型発光ダイオードにおいて、前記一対
の電極パターンのうち少なくとも発光ダイオード素子が
固着される側の電極パターンの上面あるいは上面及び側
面、もしくは上面、側面及び下面を厚肉に形成し、前記
発光ダイオード素子に発生する熱を該電極パターンを通
じて放出することを特徴とする。
【０００８】また、請求項３に係る表面実装型発光ダイ
オードが、前記電極パターンの厚肉部に銅系合金を用い
たことを特徴とする。
オードが、前記電極パターンの厚肉部に銅系合金を用い
たことを特徴とする。
【０００９】また、請求項４に係る表面実装型発光ダイ
オードが、前記電極パターンの厚肉部を略８０μｍ以上
の厚さにしたことを特徴とする。
オードが、前記電極パターンの厚肉部を略８０μｍ以上
の厚さにしたことを特徴とする。
【００１０】また、請求項５に係る表面実装型発光ダイ
オードが、前記基板にガラスエポキシ板、アルミニウム
板、又はアルミニウム系合金板のいずれかを用いたこと
を特徴とする。
オードが、前記基板にガラスエポキシ板、アルミニウム
板、又はアルミニウム系合金板のいずれかを用いたこと
を特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る表面実装型発光ダイオードの第１実施例を詳細に
説明する。図１乃至図３は本発明に係る表面実装型発光
ダイオードの第１実施例を示したものである。この実施
例において、表面実装型発光ダイオード１５は、従来例
と同様に、ガラスエポキシ板からなる矩形状の絶縁基板
１６の両側に上面１６ａから側面１６ｂを回り込んで下
面１６ｃに至るダイボンド電極パターン１７とセカンド
電極パターン１８をそれぞれ形成している。ダイボンド
電極パターン１７は、絶縁基板１６の上面１６ａに発光
ダイオード素子２３を載置するためのダイボンドエリア
１７ａを有するが、このダイボンドエリア１７ａは、他
の側面及び下面部分とは異なって厚肉状に形成されてい
る。
に係る表面実装型発光ダイオードの第１実施例を詳細に
説明する。図１乃至図３は本発明に係る表面実装型発光
ダイオードの第１実施例を示したものである。この実施
例において、表面実装型発光ダイオード１５は、従来例
と同様に、ガラスエポキシ板からなる矩形状の絶縁基板
１６の両側に上面１６ａから側面１６ｂを回り込んで下
面１６ｃに至るダイボンド電極パターン１７とセカンド
電極パターン１８をそれぞれ形成している。ダイボンド
電極パターン１７は、絶縁基板１６の上面１６ａに発光
ダイオード素子２３を載置するためのダイボンドエリア
１７ａを有するが、このダイボンドエリア１７ａは、他
の側面及び下面部分とは異なって厚肉状に形成されてい
る。
【００１２】図３は、絶縁基板１６の上面１６ａに形成
されたダイボンドエリア１７ａの断面構造を示したもの
である。この図に示したように、ダイボンドエリア１７
ａは、絶縁基板１６の表面に銅箔１９を無電解メッキ
し、さらにこの銅箔１９の上にニッケルメッキ２０、金
メッキ２１を形成したものであるが、それぞれの厚み
は、銅箔１９、ニッケルメッキ２０及び金メッキ２１の
順にそれぞれ７０μｍ、１０μｍ、０．３〜０．４μｍ
に設定されている。従って、ダイボンドエリア１７ａの
厚み寸法Ｗは、従来のダイボンド電極パターン３の厚み
４０μｍに比べて略２倍の８０μｍと厚く形成されてい
る。ダイボンドエリア１７ａは、必ずしも８０μｍ以上
である必要はなく、概ね従来の約１．５倍である６０μ
ｍ以上の厚みから放熱効果を期待することができるの
で、発光ダイオードの輝度と流す電流値等との関係から
必要に応じて設計上、厚みを任意に設定すればよい。な
お、ダイボンドエリア１７ａの上面には、従来例と同様
に、銀ペーストからなる導電性接着剤２２を介して発光
ダイオード素子２３がダイボンドされる。また、発光ダ
イオード素子２３とセカンド電極パターン１８とはボン
ディングワイヤ２４によって接続され、この発光ダイオ
ード素子２３及びボンディングワイヤ２４が透光性樹脂
体２５で封止されている。
されたダイボンドエリア１７ａの断面構造を示したもの
である。この図に示したように、ダイボンドエリア１７
ａは、絶縁基板１６の表面に銅箔１９を無電解メッキ
し、さらにこの銅箔１９の上にニッケルメッキ２０、金
メッキ２１を形成したものであるが、それぞれの厚み
は、銅箔１９、ニッケルメッキ２０及び金メッキ２１の
順にそれぞれ７０μｍ、１０μｍ、０．３〜０．４μｍ
に設定されている。従って、ダイボンドエリア１７ａの
厚み寸法Ｗは、従来のダイボンド電極パターン３の厚み
４０μｍに比べて略２倍の８０μｍと厚く形成されてい
る。ダイボンドエリア１７ａは、必ずしも８０μｍ以上
である必要はなく、概ね従来の約１．５倍である６０μ
ｍ以上の厚みから放熱効果を期待することができるの
で、発光ダイオードの輝度と流す電流値等との関係から
必要に応じて設計上、厚みを任意に設定すればよい。な
お、ダイボンドエリア１７ａの上面には、従来例と同様
に、銀ペーストからなる導電性接着剤２２を介して発光
ダイオード素子２３がダイボンドされる。また、発光ダ
イオード素子２３とセカンド電極パターン１８とはボン
ディングワイヤ２４によって接続され、この発光ダイオ
ード素子２３及びボンディングワイヤ２４が透光性樹脂
体２５で封止されている。
【００１３】図２は、上記第１実施例の表面実装型発光
ダイオード１５に電流を流した場合に、発光ダイオード
素子２３に発生する熱ｈの放熱経路を模式的に示したも
のである。この図に示すように、発光ダイオード素子２
３から発生する熱ｈは、熱伝導率の大きい導電性接着剤
２２を介してダイボンド電極パターン１７のダイボンド
エリア１７ａ内を伝わり、空気中に放出されると共に、
広い範囲で絶縁基板１６及び透光性樹脂体２５にも放出
される。即ち、ダイボンドエリア１７ａを厚肉状に形成
してあるため、発光ダイオード素子２３に大電流を流し
たとしても、発光ダイオード素子２３内での発熱分をダ
イボンドエリア１７ａに十分に逃がすことができる。こ
のため、発光ダイオード素子２３の発光領域の温度上昇
が抑えられ、発光ダイオード素子２３に流す電流量に比
例した輝度が得られる。
ダイオード１５に電流を流した場合に、発光ダイオード
素子２３に発生する熱ｈの放熱経路を模式的に示したも
のである。この図に示すように、発光ダイオード素子２
３から発生する熱ｈは、熱伝導率の大きい導電性接着剤
２２を介してダイボンド電極パターン１７のダイボンド
エリア１７ａ内を伝わり、空気中に放出されると共に、
広い範囲で絶縁基板１６及び透光性樹脂体２５にも放出
される。即ち、ダイボンドエリア１７ａを厚肉状に形成
してあるため、発光ダイオード素子２３に大電流を流し
たとしても、発光ダイオード素子２３内での発熱分をダ
イボンドエリア１７ａに十分に逃がすことができる。こ
のため、発光ダイオード素子２３の発光領域の温度上昇
が抑えられ、発光ダイオード素子２３に流す電流量に比
例した輝度が得られる。
【００１４】図４は、発光ダイオード素子２３に流す電
流の量と輝度との関係を示したグラフである。図中の
曲線は、絶縁基板１６の上面１６ａに形成されるダイボ
ンドエリア１７ａの厚みを４０μｍにした場合を示し、
図中の曲線は、ダイボンドエリア１７ａの厚みを８０
μｍの場合を示したものである。この図に示すように、
２００ｍＡ以下の電流では、ダイボンドエリア１７ａの
厚みに関係なく電流量にほぼ比例した輝度が得られる
が、２００ｍＡを越えると、厚みが４０μｍの場合には
輝度が極端に低下してくるのに対して、厚みが８０μｍ
の場合には低下の度合いが緩やかで前記２００ｍＡまで
の直線上に近い値の輝度を得ることが出来る。これは、
放熱量が多い分だけ発光効率の低下を防ぐことができる
からである。この輝度の差は、最大電流３００ｍＡの電
流を流した場合にδＩｖの差を生じる。このため、従来
の発光ダイオードよりも高輝度の発光ダイオード１５が
得られ、室外用としても用いることが可能となる。
流の量と輝度との関係を示したグラフである。図中の
曲線は、絶縁基板１６の上面１６ａに形成されるダイボ
ンドエリア１７ａの厚みを４０μｍにした場合を示し、
図中の曲線は、ダイボンドエリア１７ａの厚みを８０
μｍの場合を示したものである。この図に示すように、
２００ｍＡ以下の電流では、ダイボンドエリア１７ａの
厚みに関係なく電流量にほぼ比例した輝度が得られる
が、２００ｍＡを越えると、厚みが４０μｍの場合には
輝度が極端に低下してくるのに対して、厚みが８０μｍ
の場合には低下の度合いが緩やかで前記２００ｍＡまで
の直線上に近い値の輝度を得ることが出来る。これは、
放熱量が多い分だけ発光効率の低下を防ぐことができる
からである。この輝度の差は、最大電流３００ｍＡの電
流を流した場合にδＩｖの差を生じる。このため、従来
の発光ダイオードよりも高輝度の発光ダイオード１５が
得られ、室外用としても用いることが可能となる。
【００１５】本実施例にあっては、熱伝導率の高い銅系
合金を用いてダイボンド電極パターン１７の銅箔１９を
厚く形成しているので、熱伝導率の低いニッケルメッキ
２０を厚くする場合に比べ、より放熱効果を上げること
ができ、また金メッキ２１を厚くする場合に比べてコス
トの上昇を抑えることができる。さらに、放熱効果を上
げるためには、導電性接着剤２２には熱伝導率の大きい
銀ペーストを用い、透光性樹脂体２５、絶縁基板１６等
のその他の構成材料にも熱伝導率の大きい材料を用いる
のが望ましい。
合金を用いてダイボンド電極パターン１７の銅箔１９を
厚く形成しているので、熱伝導率の低いニッケルメッキ
２０を厚くする場合に比べ、より放熱効果を上げること
ができ、また金メッキ２１を厚くする場合に比べてコス
トの上昇を抑えることができる。さらに、放熱効果を上
げるためには、導電性接着剤２２には熱伝導率の大きい
銀ペーストを用い、透光性樹脂体２５、絶縁基板１６等
のその他の構成材料にも熱伝導率の大きい材料を用いる
のが望ましい。
【００１６】図５は、上記第１実施例のダイボンド電極
パターン１７及びセカンド電極パターン１８の形成方法
を示したものである。基板２７毎にダイシングライン２
８が想定される集合基板２９の上面に長孔スルーホール
３０を設ける。次に、集合基板２９の上面に無電解銅メ
ッキを集合基板２９のダイボンド電極パターン部３１及
びセカンド電極パターン部３２にそれぞれ所定の厚みに
施し、マスクを使った露光処理後、エッチング処理やレ
ジスト剥離を行うことにより所定の電極パターンの形状
を得る。その後銅箔１９にニッケル２０、金２１を電解
メッキし、電極パターンを完成する。
パターン１７及びセカンド電極パターン１８の形成方法
を示したものである。基板２７毎にダイシングライン２
８が想定される集合基板２９の上面に長孔スルーホール
３０を設ける。次に、集合基板２９の上面に無電解銅メ
ッキを集合基板２９のダイボンド電極パターン部３１及
びセカンド電極パターン部３２にそれぞれ所定の厚みに
施し、マスクを使った露光処理後、エッチング処理やレ
ジスト剥離を行うことにより所定の電極パターンの形状
を得る。その後銅箔１９にニッケル２０、金２１を電解
メッキし、電極パターンを完成する。
【００１７】図６は本発明に係る表面実装型発光ダイオ
ード１５の第２実施例を示したものである。この実施例
におけるダイボンド電極パターン１７は、絶縁基板１６
の上面１６ａに形成されるダイボンドエリア１７ａのみ
ならず、側面電極１７ｂも同じ８０μｍの厚さで形成さ
れている。この実施例では、第１実施例と同様に、発光
ダイオード素子２３から発生する熱ｈは、まず熱伝導率
の大きい導電性接着剤２２を介してダイボンド電極パタ
ーン１７のダイボンドエリア１７ａ内を伝わり、広い面
積で空気中や絶縁基板１６、透光性樹脂体２５に放出さ
れるが、本実施例ではさらに、ダイボンドエリア１７ａ
から側面電極１７ｂにも伝わって、マザーボード３３の
配線パターン３４に伝わる。その結果、マザーボード３
３の配線パターン３４からも空気中に放出されることに
なり、第１実施例よりもさらに大きな放熱効果が得られ
ることになる。
ード１５の第２実施例を示したものである。この実施例
におけるダイボンド電極パターン１７は、絶縁基板１６
の上面１６ａに形成されるダイボンドエリア１７ａのみ
ならず、側面電極１７ｂも同じ８０μｍの厚さで形成さ
れている。この実施例では、第１実施例と同様に、発光
ダイオード素子２３から発生する熱ｈは、まず熱伝導率
の大きい導電性接着剤２２を介してダイボンド電極パタ
ーン１７のダイボンドエリア１７ａ内を伝わり、広い面
積で空気中や絶縁基板１６、透光性樹脂体２５に放出さ
れるが、本実施例ではさらに、ダイボンドエリア１７ａ
から側面電極１７ｂにも伝わって、マザーボード３３の
配線パターン３４に伝わる。その結果、マザーボード３
３の配線パターン３４からも空気中に放出されることに
なり、第１実施例よりもさらに大きな放熱効果が得られ
ることになる。
【００１８】図７は、本発明に係る表面実装型発光ダイ
オードの第３実施例を示したものである。この実施例で
は、ダイボンド電極パターン１７の厚肉部がダイボンド
エリア１７ａのみならず、側面電極１７ｂ及び下面電極
１７ｃにも同じ厚さで形成される。また、セカンド電極
パターン１８も全体がダイボンド電極パターン１７と同
じ厚みで形成されている。この実施例では、マザーボー
ド３３の配線パターン３４に接するダイボンド電極パタ
ーン１７の下面電極１７ｃが厚肉に形成されているた
め、より一層マザーボード３３の配線パターン３４を通
じて放熱させることができる。また、セカンド電極パタ
ーン１８を厚肉にすることで絶縁基板下面１６ｃの高さ
を揃えることができ、マザーボード３３上での高さの不
揃いを防ぐことができると共に、図４で示した集合基板
２９上での電極パターンの形成が容易となる。
オードの第３実施例を示したものである。この実施例で
は、ダイボンド電極パターン１７の厚肉部がダイボンド
エリア１７ａのみならず、側面電極１７ｂ及び下面電極
１７ｃにも同じ厚さで形成される。また、セカンド電極
パターン１８も全体がダイボンド電極パターン１７と同
じ厚みで形成されている。この実施例では、マザーボー
ド３３の配線パターン３４に接するダイボンド電極パタ
ーン１７の下面電極１７ｃが厚肉に形成されているた
め、より一層マザーボード３３の配線パターン３４を通
じて放熱させることができる。また、セカンド電極パタ
ーン１８を厚肉にすることで絶縁基板下面１６ｃの高さ
を揃えることができ、マザーボード３３上での高さの不
揃いを防ぐことができると共に、図４で示した集合基板
２９上での電極パターンの形成が容易となる。
【００１９】なお、上述したいずれの実施例もガラスエ
ポキシ板などの絶縁基板１６を用いた場合について説明
したが、本発明ではこれに限定されるものではなく、例
えばアルミニウム板やアルミニウム系合金を基板として
用いることで、基板からの放熱効果を一層期待すること
ができる。
ポキシ板などの絶縁基板１６を用いた場合について説明
したが、本発明ではこれに限定されるものではなく、例
えばアルミニウム板やアルミニウム系合金を基板として
用いることで、基板からの放熱効果を一層期待すること
ができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る表面
実装型発光ダイオードによれば、発光ダイオード素子が
固着される電極パターンのダイボンドエリアを厚肉に形
成することで、発光ダイオード素子に発生する熱をダイ
ボンドエリアを通じて効率的に放出することができる。
そのため、大電流を流しても、発光ダイオード素子の発
光領域の温度上昇や発光効率の低下を防ぐことができ、
電流量に比例して輝度をアップさせた高輝度の発光ダイ
オードを得ることができる。
実装型発光ダイオードによれば、発光ダイオード素子が
固着される電極パターンのダイボンドエリアを厚肉に形
成することで、発光ダイオード素子に発生する熱をダイ
ボンドエリアを通じて効率的に放出することができる。
そのため、大電流を流しても、発光ダイオード素子の発
光領域の温度上昇や発光効率の低下を防ぐことができ、
電流量に比例して輝度をアップさせた高輝度の発光ダイ
オードを得ることができる。
【００２１】また、電極パターンの厚肉部を絶縁基板の
側面側あるいは側面及び下面側にも延長したことで、発
光ダイオード素子からの発熱をマザーボードの配線パタ
ーンに効率よく伝えることができ、該配線パターンから
空気中に放熱させることで、より一層発光ダイオード素
子に発生する熱を放出することができる。
側面側あるいは側面及び下面側にも延長したことで、発
光ダイオード素子からの発熱をマザーボードの配線パタ
ーンに効率よく伝えることができ、該配線パターンから
空気中に放熱させることで、より一層発光ダイオード素
子に発生する熱を放出することができる。
【００２２】また、電極パターンの厚肉部に銅系合金を
用いたため、電極パターンの熱伝導率を大きくすること
ができ、電極パターンに熱を放出し易くすることができ
る。
用いたため、電極パターンの熱伝導率を大きくすること
ができ、電極パターンに熱を放出し易くすることができ
る。
【００２３】また、電極パターンの厚肉部を略８０μｍ
以上の厚みにしたため、表面実装型発光ダイオードに２
００ｍＡ以上の大電流を流した場合でも、それに比例し
て輝度をアップすることができ、高輝度の表面実装型発
光ダイオードを得ることができる。
以上の厚みにしたため、表面実装型発光ダイオードに２
００ｍＡ以上の大電流を流した場合でも、それに比例し
て輝度をアップすることができ、高輝度の表面実装型発
光ダイオードを得ることができる。
【００２４】さらに、本発明では発光ダイオード素子を
載置する基板にアルミニウム板やアルミニウム系合金を
用いることで、基板からの放熱効果を一層期待すること
ができる。
載置する基板にアルミニウム板やアルミニウム系合金を
用いることで、基板からの放熱効果を一層期待すること
ができる。
【図１】本発明の表面実装型発光ダイオードの第１実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図２】上記図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】上記図２のＢ部拡大図である。
【図４】第１実施例の表面実装型発光ダイオードにおい
て、発光ダイオード素子に流す電流量と輝度との関係を
示すグラフである。
て、発光ダイオード素子に流す電流量と輝度との関係を
示すグラフである。
【図５】上記第１実施例の電極パターンの形成方法を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明に係る表面実装型発光ダイオードの第２
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図７】本発明に係る表面実装型発光ダイオードの第３
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図８】従来の表面実装型発光ダイオードを示す斜視図
である。
である。
【図９】上記図８のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１０】上記図９のＤ部拡大図である。
１５ 表面実装型発光ダイオード １６ 基板 １６ａ 基板の上面 １６ｂ 基板の側面 １６ｃ 基板の下面 １７ ダイボンド電極パターン １７ａ ダイボンドエリア １７ｂ 側面電極 １７ｃ 下面電極 １８ セカンド電極パターン ２２ 導電性接着剤 ２３ 発光ダイオード素子 ２４ ボンディングワイヤ ２５ 透光性樹脂体
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の上面に一対の電極パターンを形成
し、一方の電極パターンの上に導電性接着剤によって発
光ダイオード素子を固着すると共に、発光ダイオード素
子と他方の電極パターンとをボンディングワイヤによっ
て接続し、発光ダイオード素子及びボンディングワイヤ
を樹脂封止してなる表面実装型発光ダイオードにおい
て、 前記一対の電極パターンのうち、少なくとも発光ダイオ
ード素子が固着される電極パターンのダイボンドエリア
を厚肉に形成し、前記発光ダイオード素子に発生する熱
を該ダイボンドエリアを通じて放出することを特徴とす
る表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項２】 基板の両側に上面から側面を回り込んで
下面に至る一対の電極パターンをそれぞれ形成し、一方
の電極パターンの上面に導電性接着剤によって発光ダイ
オード素子を固着すると共に、発光ダイオード素子と他
方の電極パターンの上面とをボンディングワイヤによっ
て接続し、発光ダイオード素子及びボンディングワイヤ
を樹脂封止してなる表面実装型発光ダイオードにおい
て、 前記一対の電極パターンのうち少なくとも発光ダイオー
ド素子が固着される側の電極パターンの上面あるいは上
面及び側面、もしくは上面、側面及び下面を厚肉に形成
し、前記発光ダイオード素子に発生する熱を該電極パタ
ーンを通じて放出することを特徴とする表面実装型発光
ダイオード。 - 【請求項３】 前記電極パターンの厚肉部には、銅系合
金が用いられることを特徴とする請求項１又は２記載の
表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記電極パターンの厚肉部を略８０μｍ
以上の厚さにしたことを特徴とする請求項１乃至３に記
載の表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項５】 前記基板には、ガラスエポキシ板、アル
ミニウム板、又はアルミニウム系合金板のいずれかが用
いられることを特徴とする請求項１又は２記載の表面実
装型発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201247A JPH1146018A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 表面実装型発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201247A JPH1146018A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 表面実装型発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1146018A true JPH1146018A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16437784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9201247A Pending JPH1146018A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 表面実装型発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1146018A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000079605A1 (fr) * | 1999-06-23 | 2000-12-28 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Diode électroluminescente |
| US6396082B1 (en) * | 1999-07-29 | 2002-05-28 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| EP1359627A2 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-05 | Omron Corporation | Light emitting module |
| JP2005079593A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Lumileds Lighting Us Llc | 半導体発光装置のためのパッケージ |
| US7012277B2 (en) | 2003-01-06 | 2006-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device |
| US7161190B2 (en) | 2004-08-02 | 2007-01-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US7462880B2 (en) | 2006-07-28 | 2008-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting element assembly |
| JP2009044082A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光装置 |
| JP2009130195A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US7598532B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode |
| WO2009141960A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same |
| US20090315068A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
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| DE102004003928B4 (de) * | 2004-01-26 | 2012-02-23 | Tay Kheng Chiong | Ein miniaturisiertes mit SM-Technologie bestückbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements |
| US8421088B2 (en) | 2007-02-22 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface mounting type light emitting diode |
| US8604506B2 (en) | 2007-02-22 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same |
| JP2015043374A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用部品および発光装置 |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP9201247A patent/JPH1146018A/ja active Pending
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| US7598532B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting diode |
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