JPH11500721A - フェニルジケトン誘導体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
式I
で表され、式中L、Mが水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシを意味し、これら各基は非置換であっても、1−5個のハロゲン原子またはC1−C4アルコキシ基により置換されていてもよく、またはハロゲン、シアノ、ニトロ、−(Y)n−S(O)mR7で表される基または−(Y)n−CO−R8で表される基を意味し、Zが酸素、硫黄および窒素から選択される1〜3個のヘテロ原子を有し、非置換であっても、ハロゲン、シアノ、ニトロ、−CO−R8、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、C1−C4アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキルチオ、ジ−C1−C4アルキルアミノにより置換されてもよい、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルによって置換されてもよいフェニルに置換されてもよい、または縮合炭素環と共に、または縮合した第二の複素環と共に二環化合物を形成する5員または6員の複素環式飽和または不飽和基を意味し、YがOまたはNR9を意味し、nが0または1であり、mが0、1または2であり、R7がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキルまたはNR9N10を意味し、R8がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C1−C4アルコキシまたはNR9R10を意味し、R9が水素またはC1−C4アルキルを意味し、R10がC1−C4アルキルを意味し、R1がシクロプロピル、1−メチルシクロプロピル、1−メチルチオシクロプロピルまたはtert−ブチルを意味することを特徴とするフェニルジケトン、または化合物Iの農業上使用可能な塩。
Description
【発明の詳細な説明】
フェニルジケトン誘導体
本発明は除草作用を有する新規のフェニルジケトン誘導体、このフェニルジケ
トン誘導体の製造法、これらを含有する組成物、および該誘導体または該誘導体
を含有する組成物の、雑草を防除するための使用法に関する。
除草作用を有するフェニルジケトン誘導体はEP625505号などの文献に
開示されている。
しかしながら公知化合物の除草特性および農作物によるこれらに対する耐性は
十分に満足なものとは言えない。
しかるに本発明は、より優れた特性を有する新規のフェニルジケトン誘導体を
提供することをその課題とする。
本発明の上記課題は、式I
で表され、式中
L、Mが水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル
、C1−C4アルコキシを意味し、これら各基は非置換であっても、1−5個のハ
ロゲン原子またはC1−C4アルコキシ基により置換されていてもよく、またはハ
ロゲン、シアノ、ニトロ、−(Y)n−S(O)mR7で表される基または−(Y
)n−CO−R8で表される基を意味し、
Zが酸素、硫黄および窒素から選択される1〜3個のヘテロ原子を有し、非置
換であっても、ハロゲン、シアノ、ニトロ、−CO−R8、C1−C4アルキル、
C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、C1−C4アルコキシ、C1−
C4ハロアルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキルチオ、ジ−
C1−C4アルキルアミノにより置換されてもよい、または非置
換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアル
キルによって置換されているフェニルによって置換されてもよい、または互変異
性状態のヒドロキシル基として存在可能なオキソ基によって置換されてもよい、
または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−
C4ハロアルキルにより置換された縮合フェニル環と共に、または縮合炭素環と
共に、または非置換またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキル、ジ−
C1−C4アルキルアミノ、C1−C6アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシまたは
C1−C4ハロアルキルにより置換された縮合した第二の複素環と共に二環化合物
を形成する、5員または6員の複素環式飽和または不飽和基を意味し、
YがOまたはNR9を意味し、
nが0または1であり、
mが0、1または2であり、
R7がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキルまたはNR9R10を意味し、
R8がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C1−C4アルコキシまたは
NR9R10を意味し、
R9が水素またはC1−C4アルキルを意味し、
R10がC1−C4アルキルを意味し、
R1がシクロプロピル、1−メチルシクロプロピル、1−メチルチオシクロプ
ロピル、またはtert−ブチルを意味することを特徴とするフェニルジケトン
誘導体、または化合物Iの農業上使用可能な塩により、達成されることを本発明
者らが見出した。
フェニルジケトン誘導体は以下の互変異性形状で存在可能である。
式Iの化合物は式A1のシアノケトン
のマグネシウムエノラートA2を、式III(T=C)の安息香酸誘導体でアシ
ル化することにより得られ、この結果エノール化化合物Icを得る。
上記式中、L、M、Zは上記定義による各基を意味し、Tはハロゲンを意味す
る。
反応経路の第一工程は、式A1のシアノケトンのメタノール性溶液をマグネシ
ウムと、少量のCCl4とで処理し、これによりマグネシウムエノラートが得ら
れるまで反応が促されるように行われる。同様に、例えばヨーロッパ特許出願公
開第496630号、同第496631号各公報にシアノケトンのC−アシル化
が記載されている。
メタノールを除去し、得られた式A2のマグネシウムエノラートをトルエンま
たはアセトニトリル、好ましくはアセトニトリルに溶解する。次いでA1に対し
て当量の酸塩化物を溶液の形状でアセトニトリルに滴下する。得られた混合物を
25−50℃で1−16時間攪拌すると、反応が終了する。後処理として、混合
物を減圧下に濃縮し、得られた残渣を溶媒、例えば酢酸エチルまたは塩化メチレ
ンに取り込み、マグネシウム塩を破壊するために10%濃度のHClで洗浄する
。有機相を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムなどの乾燥剤を用いて乾燥し、濃縮
する。炭化水素、例えば石油エーテル、シクロヘキサンまたはn−ペンタンと共
に磨砕して得られた残渣から生成物が沈殿する。
出発材料として使用される式A1のシアノケトンは一般に公知の化合物である
。これは、例えばシアノ酢酸をブチルリチウムと、次いで酸塩化物R1−COC
lと反応させる。
酸塩化物R1−COClは、公知方法により対応のカルボン酸R1−COOHを
、塩化チオニルと反応させることにより得られる。カルボン酸R1−COOHは
文献により公知であり、ピバリン酸、シクロプロパンカルボン酸等の化合物は市
販されている。1−メチルシクロプロパンカルボン酸は、市販のエチルエステル
を加水分解して、或いは公知方法によりα−リチオシクロプロパンカルボン酸リ
チウムをメチル化して製造される[Warner+Le、JOC47、893(
1982)]。1−メチルチオシクロプロパンカルボン酸は公知方法により1−
メチルチオシクロプロパンカルボニトリルから得られ、1−メチルチオシクロプ
ロパンカルボニトリルはメチルメルカプロアセトニトリルと二臭化エチレンから
、ナトリウムアミドの存在下に得られる[ドイツ特許出願公開DOS第2120
908号公報=CA76:72099]。
以下のように式IIIの安息香酸誘導体を製造する。
式III(T=Cl)の塩化ベンゾイルなどのハロゲン化ベンゾイルは、公知
方法により式III(T=OH)の安息香酸を塩化チオニルと反応させて製造さ
れる。
式III(T=OH)の安息香酸は公知方法により、酸性またはアルカリ性加
水分解により式III(T=C1−C4アルコキシ)の対応するエステルから得ら
れる。
式IIIの中間生成物は以下の式2および3により示される例により、以下に
記載の経路により合成可能である。式2
上記式中
TはC1−C4アルコキシを、
XはCl、Br、I、−OS(O)2CF3、−OS(O)2Fを、
A1はSn(C1−C4アルキル)3、B(OH)2、ZnHal(HalはCl
またはBrを示す)を意味し、
L、M、Zは上記定義と同様の意味を有するものとする。
この工程によると、アリールハロゲン化合物またはアリールスルホナートIV
を、公知方法により錫酸ヘテロアリール(スチレカップリング(StilleC
oupling))、ヘテロアリール硼素化合物(スズキカップリング)、また
はヘテロアリール−亜鉛化合物(ネギシ反応)Vと(例えばSynthesis
1987、51−53、Synthesis 1992、413)、パラジウム
またはニッケル遷移金属触媒の存在下に、および塩基の存在または不存在下に反
応させ、式IIIbで表される新規化合物を得る。
また、式VI式3
で表され、
Z1がZまたはCNを意味し、
TがOHまたはC1−C4アルコキシを意味し、
LおよびMが上記定義による意味を有する、適当な臭素または沃素置換化合物
を一酸化炭素および水と、圧力を上昇させて、パラジウム、ニッケル、コバルト
またはロジウム繊維金属触媒、および塩基の存在下に反応させることによっても
式IIIの安息香酸誘導体が得られる。
本発明における好ましいフェニルジケトン誘導体は式Ia
で表され、式中
LがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4
アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアル
コキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、
ニトロまたはシアノを意味し、
Mが水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1
−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハ
ロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロ
ゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
Zが上記定義と同様の意味を有するものである。
更に、式Ib
で表され、式中
L、MがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1
−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハ
ロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロ
ゲン、ニトロまたはシアノを意味し、
R1およびZが上記定義による意味を有するフェニルジケトン誘導体が好まし
い。
ニッケル、コバルト、ロジウム、および特にパラジウム触媒は金属状態で、ま
たは慣用の塩の形態で、例えばPdCl2、PhCl3・H2O等のハロゲン化合
物、Pd(OAc)2等の酢酸塩、またはシアン化物等の形状で、公知原子価水
準で存在可能である。また、第三ホスフィンとの金属錯体、金属アルキルカルボ
ニル、金属カルボニル、例えばCO2(CO)8、Ni(CO)4、第三ホスフィ
ンとのカルボニル錯体、例えば(PPh3)2Ni(CO2)、または第三ホスフ
ィンと遷移金属塩との錯体も存在可能である。ここで最後に挙げた例は触媒とし
てのパラジウムの場合に特に好ましい。ホスフィン配位子の性質は大幅に変化す
る。例えば、これらは以下の式
(式中のnは1、2、3または4の数値を意味し、R11−R14で示される基は低
分子量アルキル、例えばC1−C6アルキル、アリール、C1−C4アルキルアリー
ル、例えばベンジル、フェネチルまたはアリールオキシ)で表される。ここでア
リールとしては、例えばナフチル、アントリルおよび、好ましくは置換または非
置換のフェニルが挙げられる。この場合置換基は広範囲に選択可能であり、
カルボニル化反応において不活性であることのみに注意を払う必要がある。この
様な置換基の例にはあらゆるC−有機基、例えばC1−C6アルキル基、例えばメ
チル、カルボキシル基、例えばCOOH、COOM(Mは例えばアルキル金属、
アルカリ土類金属またはアンモニウム塩である)、または酸素原子を介して結合
しているC−有機基、例えばC1−C6アルコキシ基がある。
ホスフィン錯体は公知方法で、例えば冒頭に記載した文献中に記載されている
方法により製造可能である。例えば、出発材料としては慣用の、市販されている
金属塩、例えばPdCl2またはPd(OCOCH3)2が用いられ、ホスフィン
、例えばP(C6H5)3、P(n−C4H9)3、PCH3(C6H5)または1,2
−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタンが添加される。
遷移金属に対するホスフィン塩基の使用量は通常0−20モル当量、特に0.
1−10モル当量、特に好ましくは1−5モル当量である。
遷移金属の使用量は臨界的でははいが、経済的な理由により、例えば出発材料
VIに対して0.1〜10モル%、特に1〜5モル%といった少量の遷移金属を
用いると良いことは言うまでもない。
安息香酸III(T=OH)を製造するために、一酸化炭素と、少なくとも出
発材料VIに対して当モル量の水とを用いて、反応を行う。反応体である水を同
時に溶媒としても用いることが可能であり、最大使用量は臨界的ではない。
しかしながら、出発材料と使用する触媒によっては、反応体ではない溶媒とし
て、他の不活性溶媒またはカルボニル化用の塩基を用いることも有効である。
適する不活性溶媒としては、カルボニル化反応に慣用の溶媒、例えばトルエン
、キシレン、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン等の炭化水素、メチルter
t−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタンなど
のエーテル、ジメチルホルムアミドなどの置換アミド、テトラ−C1−C4アルキ
ル尿素などの多置換尿素、またはベンゾニトリルまたはアセトニトリルなどのニ
トリルが用いられる。
この方法による好ましい実施の形態において、反応体の1つ、好ましくは塩基
を過剰で用い、他の溶媒を用いる必要を省くことができる。
上記方法において適する塩基としては、反応中に遊離した沃化水素または臭化
水素を結合可能なあらゆる不活性塩基が用いられる。この様な塩基の例は、te
rt−アルキルアミンなどの第三アミン、例えばトリエチルアミンなどのトリア
ルキルアミン、N−メチルピペリジンまたはN,N’−ジメチルピペラジンなど
の環状アミン、ピリジン、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、また
はテトラアルキル置換尿素誘導体、例えばテトラメチル尿素などのテトラ−C1
−C4アルキル尿素が用いられる。
塩基の使用量は臨界的ではなく、一般的に1−10、特に1−5モルが従来よ
り用いられている。塩基を同時に触媒としても用いる場合は、実際的な理由によ
り反応体が溶解した後の必要以上の過剰が避けられるような量に計量して用いら
るのが一般的であり、これによりコストが節減され、小さな反応容器の使用を可
能とし、反応体同士を最大限に接触させることが可能となる。
反応中の一酸化炭素圧を、VIに対してCOが常に過剰となるように調整する
。室温における一酸化炭素圧は1−250バール、特に5−150バールである
と好ましい。
通常、カルボニル化は20−250℃、特に30−150℃で、連続的にもバ
ッチ式にも行われる。操作をバッチ式に行う場合、一酸化炭素を反応混合物に連
続的に圧入し、一定圧を保つことが有効である。
これまで公知ではなかったアリールハロゲン化合物VIは公知合成法を好適に
組み合わせることにより容易に得られる。
例えば、ハロゲン化合物VIはサンドマイヤー反応により、適するニトロ化合
物を還元することにより合成可能な適当なアニリンから合成することができる(
例えばVI(Z1=CN)の場合:Liebigs Ann.Chem.1980
、768−778)。更に臭化アリールVIは適当な出発化合物を直接臭素化す
ることにより得られる[例えばMonatsh.Chem.99、815−82
2(1968)参照]。式4
(上記式中、
TはC1−C4アルコキシを、
XはCl、Br、I、−OS(O)2CF3、−OS(O)2Fを意味し、
L、M、Zは上述の定義と同様の意味を有し、
R15は水素、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアル
キル、非置換または置換フェニルまたはトリメチルシリルを、および
R16は水素、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキルまたは非置換ま
たは置換フェニルを意味する。)
パラジウムまたはニッケル遷移金属触媒の存在下、塩基の存在下または不存在
下に、文献に公知の方法によりアリールハロゲン化合物またはアリールスルホナ
ートIVから出発し、これをビニルアルキルエーテルと反応させた後、加水分解
に付すことによりアリールメチルケトンIVaが得られる[例えばTetrah
edron Lett.32、1753−1756(1991)参照]。
エチニル化芳香族化合物IVbは、アリールハロゲン化合物またはアリールス
ルホナートIVを置換アセチレンと、パラジウムまたはニッケル繊維金属触媒の
存在下に反応させることにより得られる(例えばHeterocycles、2
4、31−32(1986))。R15=Hの場合の誘導体IVbを、R15=−S
i(CH3)3の場合のシリル化合物IVbから得ると有利である[J.Org.
Chem.46、2280−2286(1981)]。
パラジウム触媒の存在下のアリールハロゲン化合物またはアリールスルホナー
トIVとオレフィンとのヘック反応(Heck reaction)によりアリ
ールアルケンIVcが得られる(例えばHeck、ParadiumReage
nts in Organic Synthesis、アカデミックプレス、ロン
ドン1985、またはSynthesis 1993、735−762参照)。
これまでに知られていないこのようなベンゾイル誘導体IV[例えばColl
.Czech.Chem.Commn.40、3009−3019(1975)
]は、公知合成法を適宜組み合わせることにより簡単に製造可能である。
例えば、スルホナートIV(X=−OS(O)2CF3、−OS(O)2F)は
対応のフェノールから得られる。ここで用いられるフェノールは公知であり、(
EP195247)または公知方法により製造される(例えばSynthesi
s 1993、735−762)。
ハロゲン化合物IV(X=Cl、BrまたはI)は、例えばサンドマイヤー反
応により対応するアニリンから得られる。式5
上記AはS、NHまたはNOHを意味し、
TはC1−C4アルコキシを、LおよびMは上記定義の意味を有する。
イソフタル酸誘導体IVfはアルデヒドIVeから公知方法により得られる[
J.March Advanced Organic Chemistry 第三版
、629頁等、Wiley−Interscience Publicatio
n(1985)]。
オキシムIVgを、アルデヒドIVeを公知方法によりヒドロキシルアミンと
反応させることにより得ると有利である[J.March Advanced O
rganic Chemistry第三版、805−806頁、Wiley−I
nterscience Publication(1985)]。
オキシムIVgは公知方法によりニトリルIVhに変換可能である[J.Ma
rch Advanced Organic Chemistry 第三版、931
−932頁、Wiley−Interscience
Publication(1985)]。
出発化合物として必要であり、これまでに公知ではないアルデヒドIVeは公
知方法により製造可能である。例えば式6に準じてメチル化合物VIIからアル
デヒドIVeを合成することができる。式6
上記式中、T、MおよびLは式5と同様の基を意味する。メチル化合物VII
を、例えばN−ブロムスクシンイミドまたは1,3−ジブロモ−5,5−ジメチ
ルヒダントインと、一般的に公知の方法により反応させて臭化ベンジルVIII
を得ることができる。ベンズアルデヒドIVeを得るための臭化ベンジルの反応
も文献により公知である[Synth.Commum.22 1967−197
1(1992)参照]。
先駆物質IVa−IVhは複素環式中間体IIIの合成に適している。
例えば、5−オキサゾリル[例えばJ.Heterocyclic Chem
.28、17−28(1991)参照]または4−チアゾリル誘導体[例えばM
etzger、Thiazoles in:The Chemistry of
heterocyclic compounds、第34p、175頁等、(1
976)]は、アセトフェノールIVaから、ハロゲン化中間体IVdを経て得
られる。
アセチレンIVbまたはアルケンIVcは4−イソキサゾリル、5−イソキサ
ゾリル、4,5−ジヒドロイソキサゾール−4−イル、4,5−ジヒドロイソキ
サゾール−5−イル誘導体[例えばHowben−Weyl、 Methode
n der organischen Chemie[Methods in Or
ganic Chemistry]、第四版、第X/3巻、843頁
等、(1965)参照]。
2−オキサゾリル、1,2,4−オキサジアゾール−5−イルまたは1,3,
4−オキサジアゾール−2−イル誘導体[例えばJ.Heterocyclic
Chem.28、17−28(1991)]または2−ピロリル誘導体[例え
ばHeterocycles 26、3141−3151(1987)]は、例
えば文献により公知の方法で、標準的な方法で得られる安息香酸IVfまたは酸
塩化物IViから得られる。
1,2,4−トリアゾール−3−イル誘導体はベンゾニトリルIVhから、公
知方法により得られる[例えばJ.Chem.Soc.3461−3464(1
954)参照]。
ベンゾニトリルIVhは、1,2,4−オキサジアゾール−3−イル[例えば
J.Heterocyclic Chem.、28、17−28(1991)]
、2−チアゾリル、4,5−ジヒドロチアゾール−2−イル、または5,6−ジ
ヒドロ−4H−1,3−チアジン−2−イル誘導体[例えばHowben−We
yl、Methoden der organischen Chemie[Me
thods in Organic Chemistry]、第4版、第E5巻、
1268頁等、(1985)]に、中間体としてのチオアミド、アミドオキシム
またはアミジンIVmを経て変換される。更に、1,2,4−チアジアゾール−
5−イル誘導体[例えばJ.Org.Chem.45 3750−3753(1
980)]または1,3,4−チアジアゾール−2−イル誘導体[例えばJ.C
hem.Soc.Perkin Trans.I、1987−1991(198
2)]が、チオアミドIVm(A=S)より、文献により公知の方法により得ら
れる。
オキシムIVgは、公知方法により、中間体としてのヒドロキサモイルクロリ
ドIVk[例えばHowben−Weyl、Metohden derorga
nischen Chemie[Methods in Organic Chem
istry]、第4版、第X/3巻、843頁等(1965)参照]を経て、3
−イソキサゾリル誘導体に変換される。
式Iのベンゾイル誘導体の目的に応じた使用を考慮すると、置換基として以下
の基が好ましく用いられる。
LおよびMは水素、
C1−C6アルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、1−メチルエチル、ブ
チル、1−メチルプロピル、2−メチルプロピルまたは1,1−ジメチルエチル
、ペンチル、1−メチルブチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、1,1
−ジメチルプロピル、1,2−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピル、
1−エチルプロピル、ヘキシル、1−メチルペンチル、2−メチルペンチル、3
−メチルペンチル、4−メチルペンチル、1,1−ジメチルブチル、1,2−ジ
メチルブチル、1,3−ジメチルブチル、2,2−ジメチルブチル、2,3−ジ
メチルブチル、3,3−ジメチルブチル、1−エチルブチル、1,1,2−トリ
メチルプロピル、1,2,2−トリメチルプロピル、1−エチル−1−メチルプ
ロピルまたは1−エチル−2−メチルプロピル、特にメチル、エチル、1−メチ
ルエチル、1−メチルプロピル、2−メチルプロピル、1,1−ジメチルエチル
または1,1−ジメチルプロピル、または
C2−C6アルケニル、例えば2−プロペニル、2−ブテニル、3−ブテニル、
1−メチル−2−プロペニル、2−メチル−2−プロペニル、2−ペンテニル、
3−ペンテニル、4−ペンテニル、3−メチル−2−ブテニル、1−メチル−2
−ブテニル、2−メチル−2−ブテニル、1−メチル−3−ブテニル、2−メチ
ル−4−ブテニル、3−メチル−3−ブテニル、1,1−ジメチル−2−プロペ
ニル、1,2−ジメチル−2−プロペニル、1−エチル−2−プロペニル、2−
ヘキセニル、3−ヘキセニル、4−ヘキセニル、5−ヘキセニル、1−メチル−
2−ペンテニル、2−メチル−2−ペンテニル、3−メチル−2−ペンテニル、
4−メチル−2−ペンテニル、1−メチル−3−ペンテニル、2−メチル−3−
ペンテニル、3−メチル−3−ペンテニル、4−メチル−3−ペンテニル、1−
メチル−4−ペンテニル、2−メチル−4−ペンテニル、3−メチル−4−ペン
テニル、4−メチル−4−ペンテニル、1,1−ジメチル−2−ブテニル、1,
1−ジメチル−3−ブテニル、1,2−ジメチル−2−ブテニル、1,3−ジメ
チル−3−ブテニル、2,2−ジメチル−3−ブテニル、2,3−ジメチル−2
−ブテニル、2,3−ジメチル−3−ブテニル、1−エチル−2−ブテニ
ル、1−エチル−3−ブテニル、2−エチル−2−ブテニル、2−エチル−3−
ブテニル、1,1,2−トリメチル−2−プロペニル、1−エチル−1−メチル
−2−プロペニルまたはエチル−2−メチル−2−プロペニル、
特に1−メチル−2−プロペニル、1−メチル−2−ブテニル、1,1−ジメ
チル−2−プロペニルまたは1,1−ジメチル−2−ブテニルまたは、
C2−C6アルキニル、例えばプロパルギル、2−ブチニル、3−ブテニル、2
−ペンチニル、3−ペンチニル、4−ペンチニル、1−メチル−3−ブチニル、
2−メチル−3−ブチニル、1−メチル−2−ブチニル、1,1−ジメチル−2
−プロピニル、1−エチル−2−プロピニル、2−ヘキシニル、3−ヘキシニル
、4−ヘキシニル、5−ヘキシニル、1−メチル−2−ペンチニル、1−メチル
−3−ペンチニル、1−メチル−4−ペンチニル、3−メチル−4−ペンチニル
、4−メチル−2−ペンチニル、1,1−ジメチル−2−ブチニル、1,1−ジ
メチル−3−ブチニル、1,2−ジメチル−3−ブチニル、2,2−ジメチル−
3−ブチニル、1−エチル−2−ブチニル、1−エチル−3−ブチニル、2−エ
チル−3−ブチニルまたは1−エチル−1−メチル−2−プロピニルまたは、
C1−C4アルコキシ、例えばメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、1−メチ
ルエトキシ、n−ブトキシ、1−メチルプロポキシ、2−メチルプロポキシまた
は1,1−ジメチルエトキシ、
特にC1−C3アルコキシ、例えばメトキシ、エトキシまたはi−プロポキシで
あり、
これらの基は非置換であるか、または上述のように1−5個までのハロゲン原
子、例えば弗素、塩素、臭素および沃素、好ましくは弗素および塩素、またはC1
−C4アルコキシにより置換されてもよい。
上記定義による−(Y)n−S(O)mR7は例えば、
C1−C4アルキルチオ、例えばメチルチオ、エチルチオ、n−プロピルチオ、
1−メチルエチルチオ、n−ブチルチオ、1−メチルプロピルチオ、2−メチル
プロピルチオまたは1,1−ジメチルエチルチオ、特にメチルチオ、
C1−C4アルキルスルフィニル、例えばメチルスルフィニル、エチルスルフ
ィニル、n−プロピルスルフィニル、1−メチルエチルスルフィニル、n−ブチ
ルスルフィニル、1−メチルプロピルスルフィニル、2−メチルプロピルスルフ
ィニルまたは1,1−ジメチルエチルスルフィニル、特にメチルスルフィニル、
C1−C4アルキルスルホニル、例えばメチルスルホニル、エチルスルホニル、
n−プロピルスルホニル、1−メチルエチルスルホニル、n−ブチルスルホニル
、1−メチルプロピルスルホニル、2−メチルプロピルスルホニルまたは1,1
−ジメチルエチルスルホニル、特にメチルスルホニル、
C1−C4アルコキシスルホニル、例えばメトキシスルホニル、エトキシスルホ
ニル、n−プロポキシスルホニル、1−メチルエトキシスルホニル、n−ブトキ
シスルホニル、1−メチルプロポキシスルホニル、2−メチルプロポキシスルホ
ニルまたは1,1−ジメチルエトキシスルホニル、特にメトキシスルホニル、
N−C1−C4アルキルスルファモイル、例えばN−メチルスルファモイル、N
−エチルスルファモイル、N−n−プロピルスルファモイル、N−1−メチルエ
チルスルファモイル、N−n−ブチルスルファモイル、N−1−メチルプロピル
スルファモイル、N−2−メチルプロピルスルファモイルまたはN−1,1−ジ
メチルエチルスルファモイル、特にN−メチルスルファモイル、
N−C1−C4アルキルスルフィナモイル、例えばN−メチルスルフィナモイル
、N−エチルスルフィナモイル、N−n−プロピルスルフィナモイル、N−1−
メチルエチルスルフィナモイル、N−n−ブチルスルフィナモイル、N−1−メ
チルプロピルスルフィナモイル、N−2−メチルプロピルスルフィナモイルまた
はN−1,1−ジメチルエチルスルフィナモイル、例えばN−メチルスルフィナ
モイル、
ジ−C1−C4アルキルスルファモイル、例えばジメチルスルファモイル、ジエ
チルスルファモイル、ジプロピルスルファモイル、ジブチルスルファモイル、N
−メチル−N−エチルスルファモイル、N−メチル−N−プロピルスルファモイ
ル、N−メチル−N−1−メチルエチルスルファモイル、N−メチル−N−1,
1−ジメチルエチルスルファモイル、ジ−1−メチルエチルスルファモイル、N
−エチル−N−1−メチルスルファモイルまたはN−エチル−N−1,1−ジメ
チルエチルスルファモイル、特にジメチルスルファモイル、
ジ−C1−C4アルキルスルフィナモイル、例えばジメチルスルフィナモイル、
ジエチルスルフィナモイル、ジプロピルスルフィナモイル、ジブチルスルフィナ
モイル、N−メチル−N−エチルスルフィナモイル、N−メチル−N−プロピル
スルフィナモイル、N−メチル−N−1−メチルエチルスルフィナモイル、N−
メチル−N−1,1−ジメチルエチルスルフィナモイル、ジ−1−メチルエチル
スルフィナモイル、N−エチル−N−1−メチルエチルスルフィナモイルおよび
N−エチル−N−1,1−ジメチルエチルスルフィナモイル、特にジメチルスル
フィナモイル、
C1−C4アルキルスルフィニルオキシ、例えばメチルスルフィニルオキシ、エ
チルスルフィニルオキシ、n−プロピルスルフィニルオキシ、1−メチルエチル
スルフィニルオキシ、n−ブチルスルフィニルオキシ、1−メチルプロピルスル
フィニルオキシ、2−メチルプロピルスルフィニルオキシおよび1,1−ジメチ
ルエチルスルフィニルオキシ、特にメチルスルフィニルオキシ、
C1−C4アルキルスルホニルオキシ、例えばメチルスルホニルオキシ、エチル
スルホニルオキシ、n−プロピルスルホニルオキシ、1−メチルエチルスルホニ
ルオキシ、n−ブチルスルホニルオキシ、1−メチルプロピルスルホニルオキシ
、2−メチルプロピルスルホニルオキシまたは1,1−ジメチルエチルスルホニ
ルオキシ、特にメチルスルホニルオキシ、
C1−C4アルキルスルフィニルアミノ、例えばメチルスルフィニルアミノ、エ
チルスルフィニルアミノ、n−プロピルスルフィニルアミノ、1−メチルエチル
スルフィニルアミノ、n−ブチルスルフィニルアミノ、1−メチルプロピルスル
フィニルアミノ、2−メチルプロピルスルフィニルアミノまたは1,1−ジメチ
ルエチルスルフィニルアミノ、特にメチルスルフィニルアミノ、
C1−C4アルキルスルホニルアミノ、例えばメチルスルホニルアミノ、エチル
スルホニルアミノ、n−プロピルスルホニルアミノ、1−メチルエチルスルホニ
ルアミノ、n−ブチルスルホニルアミノ、1−メチルプロピルスルホニルアミノ
、2−メチルプロピルスルホニルアミノまたは1,1−ジメチルエチルスルホニ
ルアミノ、特にメチルスルホニルアミノ、
N−C1−C4アルキルスルフィニル−N−メチルアミノ、例えばN−メチル
スルフィニル−N−メチルアミノ、N−エチルスルフィニル−N−メチルアミノ
、N−n−プロピルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルエチルス
ルフィニル−N−メチルアミノ、N−n−ブチルスルフィニル−N−メチルアミ
ノ、N−1−メチルプロピルスルフィニル−N−メチルアミノ、N−2−メチル
プロピルスルフィニル−N−メチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルス
ルフィニル−N−メチルアミノ、特にN−メチルスルフィニル−N−メチルアミ
ノ、
N−C1−C4アルキルスルフィニル−N−エチルアミノ、例えばN−メチルス
ルフィニル−N−エチルアミノ、N−エチルスルフィニル−N−エチルアミノ、
N−n−プロピルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−1−メチルエチルスル
フィニル−N−エチルアミノ、N−n−ブチルスルフィニル−N−エチルアミノ
、N−1−メチルプロピルスルフィニル−N−エチルアミノ、N−2−メチルプ
ロピルスルフィニル−N−エチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルスル
フィニル−N−エチルアミノ、特にN−メチルスルフィニル−N−エチルアミノ
、
N−C1−C4アルキルスルホニル−N−メチルアミノ、例えばN−メチルスル
ホニル−N−メチルアミノ、N−エチルスルホニル−N−メチルアルキル、N−
n−プロピルスルホニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルエチルスルホニル
−N−メチルアミノ、N−n−ブチルスルホニル−N−メチルアミノ、N−1−
メチルプロピルスルホニル−N−メチルアミノ、N−2−メチルプロピルスルホ
ニル−N−メチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルスルホニル−N−メ
チルアミノ、特にN−メチルスルホニル−N−メチルアミノ、
N−C1−C4アルキルスルホニル−N−エチルアミノ、例えばN−メチルスル
ホニル−N−エチルアミノ、N−エチルスルホニル−N−エチルアミノ、N−n
−プロピルスルホニル−N−エチルアミノ、N−1−メチルエチルスルホニル−
N−エチルアミノ、N−n−ブチルスルホニル−N−エチルアミノ、N−1−メ
チルプロピルスルホニル−N−エチルアミノ、N−2−メチルプロピルスルホニ
ル−N−エチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルスルホニル−N−エチ
ルアミノ、特にN−メチルスルホニル−N−エチルアミノ、または
C1−C4ハロアルキルチオ、例えばクロロメチルチオ、ジクロロメチルチオ、
トリクロロメチルチオ、フルオロメチルチオ、ジフルオロメチルチオ、トリフル
オロメチルチオ、クロロフルオロメチルチオ、クロロジフルオロメチルチオ、1
−フルオロエチルチオ、2−フルオロエチルチオ、2,2−ジフルオロエチルチ
オ、2,2,2−トリフルオロエチルチオ、2−クロロ−2,2−ジフルオロエ
チルチオ、2,2−ジクロロ−2−フルオロエチルチオ、2,2,2−トリクロ
ロエチルチオまたはペンタフルオロエチルチオ、特にトリフルオロメチルチオを
意味する。
上記定義による−(Y)n−CO−R8で示される基は、例えば
C1−C4アルキルカルボニル、例えばメチルカルボニル、エチルカルボニル、
n−プロピルカルボニル、1−メチルエチルカルボニル、n−ブチルカルボニル
、1−メチルプロピルカルボニル、2−メチルプロピルカルボニルまたは1,1
−ジメチルエチルカルボニル、特にメチルカルボニル、
C1−C4アルコキシカルボニル、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボ
ニル、n−プロポキシカルボニル、1−メチルエトキシカルボニル、n−ブトキ
シカルボニル、1−メチルプロポキシカルボニル、2−メチルプロポキシカルボ
ニルまたは1,1−ジメチルエトキシカルボニル、特にメトキシカルボニル、
N−C1−C4アルキルカルバモイル、例えばN−メチルカルバモイル、N−エ
チルカルバモイル、N−n−プロピルカルバモイル、N−1−メチルエチルカル
バモイル、N−n−ブチルカルバモイル、N−1−メチルプロピルカルバモイル
、N−2−メチルプロピルカルバモイルまたはN−1,1−ジメチルエチルカル
バモイル、特にN−メチルカルバモイル、
ジ−C1−C4アルキルカルバモイル、例えばジメチルカルバモイル、ジエチル
カルバモイル、ジプロピルカルバモイル、ジブチルカルバモイル、N−メチル−
N−エチルカルバモイル、N−メチル−N−プロピルカルバモイル、N−メチル
−N−1−メチルエチルカルバモイル、N−メチル−N−1,1−ジメチルエチ
ルカルバモイル、ジ−1−メチルエチルカルバモイル、N−エチル−N−1−メ
チルエチルカルバモイルまたはN−エチル−N−1,1−ジメチルエチルカルバ
モイル、特にジメチルカルバモイル、
C1−C4アルキルカルボニルオキシ、例えばメチルカルボニルオキシ、エチル
カルボニルオキシ、n−プロピルカルボニルオキシ、1−メチルエチルカルボニ
ルオキシ、n−ブチルカルボニルオキシ、1−メチルプロピルカルボニルオキシ
、2−メチルプロピルカルボニルオキシまたは1,1−ジメチルエチルカルボニ
ルオキシ、特にメチルカルボニルオキシ、
C1−C4アルキルカルボニルアミノ、例えばメチルカルボニルアミノ、エチル
カルボニルアミノ、n−プロピルカルボニルアミノ、1−メチルエチルカルボニ
ルアミノ、n−ブチルカルボニルアミノ、1−メチルプロピルカルボニルアミノ
、2−メチルプロピルカルボニルアミノまたは1,1−ジメチルエチルカルボニ
ルアミノ、特にメチルカルボニルアミノ、
N−C1−C4アルキルカルボニル−N−メチルアミノ、例えばN−メチルカル
ボニル−N−メチルアミノ、N−エチルカルボニル−N−メチルアミノ、N−n
−プロピルカルボニル−N−メチルアミノ、N−1−メチルエチルカルボニル−
N−メチルアミノ、N−n−ブチルカルボニル−N−メチルアミノ、N−1−メ
チルプロピルカルボニル−N−メチルアミノ、N−2−メチルプロピルカルボニ
ル−N−メチルアミノまたはN−1,1−ジメチルエチルカルボニル−N−メチ
ルアミノ、特にN−メチルカルボニル−N−メチルアミノを意味する。
Zは例えば、
酸素、硫黄および窒素から選択される1−3個のヘテロ原子を有する飽和また
は不飽和の5員または6員複素環基、例えば2−フリル、3−フリル、2−チエ
ニル、3−チエニル、2−ピロリル、3−ピロリル、3−イソキサゾリル、4−
イソキサゾリル、5−イソキサゾリル、3−イソチアゾリル、4−イソチアゾリ
ル、5−イソチアゾリル、3−ピラゾリル、4−ピラゾリル、5−ピラゾリル、
2−オキサゾリル、4−オキサゾリル、5−オキサゾリル、2−チアゾリル、4
−チアゾリル、5−チアゾリル、2−イミダゾリル、4−イミダゾリル、1,2
,4−オキサジアゾール−3−イル、1,2,4−オキサジアゾール−5−イル
、1,3,4−オキサジアゾール−2−イル、1,2,3−オキサジアゾール−
4−イル、1,2,3−オキサジアゾール−5−イル、1,2,5−オキサジア
ゾール−3−イル、1,2,4−チアジアゾール−3−イル、1,2,4−チ
アジアゾール−5−イル、1,3,4−チアジアゾール−2−イル、1,2,3
−チアジアゾール−4−イル、1,2,3−チアジアゾール−5−イル、1,2
,5−チアジアゾール−3−イル、1,2,4−トリアゾール−3−イル、1,
3,4−トリアゾール−2−イル、1,2,3−トリアゾール−4−イル、1,
2,3−トリアゾール−5−イル、1,2,4−トリアゾール−5−イルまたは
テトラゾール−5−イル、特に2−チアゾリルまたは3−イソキサゾリル、
6員の複素環基、例えば2−ピリジニル、3−ピリジニル、4−ピリジニル、
3−ピリダジニル、4−ピリダジニル、2−ピリミジニル、4−ピリミジニル、
5−ピリミジニル、2−ピラジニル、1,3,5−トリアジン−2−イル、1,
2,4−トリアジン−5−イル、1,2,4−トリアジン−3−イル、1,2,
4−トリアジン−6−イル、1,2,4,5−トリアジン−3−イル、または
1−3個の窒素原子および/または1−2個の酸素または硫黄原子を有する飽
和または部分的に不飽和の5員または6員の複素環基、例えば2−テトラヒドロ
フラニル、3−テトラヒドロフラニル、2−テトラヒドロチエニル、3−テトラ
ヒドロチエニル、テトラヒドロチオピラン−2−イル、テトラヒドロチオピラン
−3−イル、テトラヒドロチオピラン−4−イル、1,3−ジチオラン−2−イ
ル、1,3−ジチオラン−4−イル、1,3−ジチアン−2−イル、1,3−ジ
チアン−4−イル、5,6−ジヒドロ−4H−1,3−チアジン−2−イル、1
,3−オキサチオラン−2−イル、1,3−オキサチアン−2−イル、1−ピロ
リジニル、2−ピロリジニル、3−ピロリジニル、3−イソキサゾリジニル、4
−イソキサゾリジニル、5−イソキサゾリジニル、3−イソチアゾリジニル、4
−イソチアゾリジニル、5−イソチアゾリジニル、3−ピラゾリジニル、4−ピ
ラゾリジニル、5−ピラゾリジニル、2−オキサゾリジニル、4−オキサゾリジ
ニル、5−オキサゾリジニル、2−チアゾリジニル、4−チアゾリジニル、5−
チアゾリジニル、2−イミダゾリジニル、4−イミダゾリジニル、1,2,4−
オキサジアゾリジン−3−イル、1,2,4−オキサジアゾリジン−5−イル、
1,2,4−チアジアゾリジン−3−イル、1,2,4−チアジアゾリジン−5
−イル、1,3,5−オキサジアゾリジン−2−イル、1,3,4−チアジアゾ
リジン−2−イル、1,3,4−トリアゾリジン−2−イル、2,3−ジヒ
ドロフラ−2−イル、2,3−ジヒドロフラ−3−イル、2,4−ジヒドロフラ
−2−イル、2,4−ジヒドロフラ−3−イル、2,3−ジヒドロチエン−2−
イル、2,3−ジヒドロチエン−3−イル、2,4−ジヒドロチエン−2−イル
、2,4−ジヒドロチエン−3−イル、2,3−ピロリン−2−イル、2,3−
ピロリン−3−イル、2,4−ピロリン−2−イル、2,4−ピロリン−3−イ
ル、2,3−イソキサゾリン−3−イル、3,4−イソキサゾリン−3−イル、
4,5−イソキサゾリン−3−イル、2,3−イソキサゾリン−4−イル、3,
4−イソキサゾリン−4−イル、4,5−イソキサゾリン−4−イル、2,3−
イソキサゾリン−5−イル、3,4−イソキサゾリン−5−イル、4,5−イソ
キサゾリン−5−イル、2,3−イソチアゾリン−3−イル、3,4−イソチア
ゾリン−3−イル、4,5−イソチアゾリン−3−イル、2,3−イソチアゾリ
ン−4−イル、3,4−イソチアゾリン−4−イル、4,5−イソチアゾリン−
4−イル、2,3−イソチアゾリン−5−イル、3,4−イソチアゾリン−5−
イル、4,5−イソチアゾリン−5−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−1−
イル、2,3−ジヒドロピラゾール−2−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−
3−イル、2,3−ジヒドロピラゾール−4−イル、2,3−ジヒドロピラゾー
ル−5−イル、3,4−ジヒドロピラゾール−1−イル、3,4−ジヒドロピラ
ゾール−3−イル、3,4−ジヒドロピラゾール−4−イル、3,4−ジヒドロ
ピラゾール−5−イル、4,5−ジヒドロピラゾール−1−イル、4,5−ジヒ
ドロピラゾール−3−イル、4,5−ジヒドロピラゾール−4−イル、4,5−
ジヒドロピラゾール−5−イル、2,3−ジヒドロオキサゾール−2−イル、2
,3−ジヒドロオキサゾール−3−イル、2,3−ジヒドロオキサゾール−4−
イル、2,3−ジヒドロオキサゾール−5−イル、4,5−ジヒドロオキサゾー
ル−2−イル、4,5−ジヒドロオキサゾール−4−イル、4,5−ジヒドロオ
キサゾール−5−イル、1,3−ジオキソラン−2−イル、1,3−ジオキソラ
ン−4−イル、1,3−ジオキサン−5−イル、1,4−ジオキサン−2−イル
、2−ピペリジニル、3−ピペリジニル、4−ピペリジニル、3−テトラヒドロ
ピリダジニル、4−テトラヒドロピリダジニル、2−テトラヒドロピリミジニル
、4−テトラヒドロピリミジニル、5−テトラヒドロピリミジニル、2−
テトラヒドロピラジニル、1,3,5−テトラヒドロトリアジン−2−イルまた
は1,2,4−テトラヒドロトリアジン−3−イル、特に2−テトラヒドロフラ
ニル、1,3−ジオキソラン−2−イルまたは1,3−ジオキサン−2−イルを
意味し、
非置換であっても、上述のハロゲン、例えば弗素または塩素、
シアノ、ニトロ、
−COR8で示される基、例えば上述のアルキルカルボニル、上述のアルコキ
シカルボニル、上述のN−アルキルカルバモイル、または上述のジアルキルカル
バモイル、
上述のC1−C4アルキル、
C1−C4ハロアルキル、例えばクロロメチル、ジフルオロメチル、ジクロロメ
チル、トリフルオロメチル、トリクロロメチル、クロロジフルオロメチル、1−
フルオロエチル、2−フルオロエチル、2,2−ジフルオロエチル、1,1,2
,2−テトラフルオロエチル、2,2,2−トリフルオロエチル、2−クロロ−
1,1,2−トリフルオロエチルまたはペンタフルオロエチル、デカフルオロブ
チル、1,1−ビストリフルオロメチル−2,2,2−トリフルオロエチル、好
ましくはジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリクロロメチルまたはクロ
ロジフルオロメチル、
C3−C8クロロアルキル、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペン
チル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、特にシクロプロピル
およびシクロヘキシル、
上述のC1−C4アルコキシ、
C1−C4ハロアルコキシ、例えばクロロメトキシ、ジクロロメトキシ、トリク
ロロメトキシ、トリフルオロメトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメト
キシ、クロロジフルオロメトキシ、ジクロロフルオロメトキシ、1−フルオロエ
トキシ、2−フルオロエトキシ、2,2−ジフルオロエトキシ、1,1,2,2
−テトラフルオロエトキシ、2,2,2−トリフルオロエトキシ、2−クロロ−
1,1,2−トリフルオロエトキシ、ペンタフルオロエトキシ、特にC1−C3ハ
ロアルコキシ、例えば2,2,2−トリフルオロエトキシ、および2−ク
ロロ−2,2−ジクロロエトキシ、
上述のC1−C4アルキルチオ、
上述のC1−C4ハロアルキルチオ、
ジ−C1−C4アルキルアミノ、例えばジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプ
ロピルアミノ、ジブチルアミノ、N−メチル−N−エチルアミノ、N−メチル−
N−プロピルアミノ、N−メチル−N−1−メチルエチルアミノ、N−メチル−
N−1,1−ジメチルエチルアミノ、ジ−1−メチルエチルアミノ、N−エチル
−N−1−メチルエチルアミノまたはN−エチル−N−1,1−ジメチルエチル
アミノ、
置換または非置換のフェニル、または
互変異性形態としてヒドロキシル基としても存在可能なオキソ基、例えばチア
ゾリン−4,5−ジオン−2−イル、3−オキソ−3H−1,2,4−ジチアゾ
リルまたは2−オキソ−2H−1,3,4−ジチアゾリルにより置換されてもよ
い。
ベンゾ縮合した5員または6員のヘテロ芳香族基は、例えばベンゾフラニル、
ベンゾチエニル、インドリル、ベンズオキサゾリル、ベンゾイソキサゾリル、ベ
ンゾチアゾリル、ベンゾイソチアゾリル、ベンゾピラゾリル、インダゾリル、1
,2,3−ベンゾチアジアゾリル、2,1,3−ベンゾチアジアゾリル、ベンゾ
トリアゾリル、ベンゾフロキサニル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニ
ル、キナゾリニル、キノキサリニルまたはフタラジニルを意味する。一般式Iで
表される特に好ましい化合物の例を以下の表1に挙げる。
化合物Iまたはこれらの農業において有効な塩は、異性体混合物形態、および
純粋な異性体の形態のいずれによっても除草剤として好適に使用される。Iを含
有する除草組成物は非耕作地帯において、特に高使用率で、草木を非常に良好に
防除する。これらは、栽培植物に大きな害を与えることなく、小麦、稲、とうも
ろこし、大豆、綿花などの栽培植物における広葉の雑草および稲科の雑草を非常
に良好に防除することができる。この効果は特に低使用量において顕著である。
施与方法に応じて、化合物Iまたはこれらを含有する除草剤を多種類の農作物
に使用して望ましくない植物を除去することも可能である。使用に適する農作物
の例を以下に示す。
タマネギ(Allium cepa)
パイナップル(Ananas comosus)
ナンキンマメ(Arachis hypogaea)
アスパラガス(Asparagus officinalis)
フダンソウ(Betavulgaris spp.altissima)
サトウジシヤ(Betavulgaris spp.rapa)
アブラナ(変種カブラ)(Brassica napus var.napus
)
カブカンラン(変種ナポプラシーカ)(Brassica napusvar
.napobrassica)
テンサイ(変種シルベストリス)(Brassica rapavar.si
lvestris)
トウツバキ(Camellia sinensis)
ベニバナ(Carthamus tinctorius)
キヤリーヤイリノイネンシス(Carya illinoinensis)
レモン(Citrus limon)
ナツミカン(Citrus sinensis)
コーヒー〔Coffea arabica(Coffeacanephora
,Coffea liberica)〕
キユウリ(Cucumis sativus)
ギヨウギシバ(Cynodon dactylon)
ニンジン(Daucus carota)
アブラヤシ(Elaeis guineensis)
イチゴ(Fragaria vesca)
大豆(Glycinemax)
木棉〔Gossypium hirsutum(Gossypiumarbo
reum、Gossypium herbaceum、Gossypium vi
tifolium)〕
ヒマワリ(Helianthus annuus)
ゴムノキ(Hevea brasiliensis)
大麦(Hordeum vulgare)
カラハナソウ(Humulus lupulus)
アメリカイモ(Ipomoea batatas)
オニグルミ(Juglans regia)
レンズマメ(Lens culinaris)
アマ(Linum usitatissimum)
トマト(Lycopersicon lycopersicum)
リンゴ属(Malus spp.)
キヤツサバ(Manihot esculenta)
ムラサキウマゴヤシ(Medicago sativa)
バシヨウ属(Musa spp.)
タバコ〔Nicotiana tabacum(N.rustica)〕
オリーブ(Olea europaea)
イネ(Oryza sativa)
アズキ(Phaseolus lunatus)
ゴガツササゲ(Phaseolus vulgaris)
トウヒ(Pice aabies)
マツ属(Pinus spp.)
シロエンドウ(Pisum sativum)
サクラ(Prunus avium)
モモ(Prunus persica)
ナシ(Pyrus communis)
スグリ(Ribes sylvestre)
トウゴマ(Ricinus communis)
サトウキビ(Saccharum officinarum)
ライムギ(Secale cereale)
ジャガイモ(Solanum tuberosum)
モロコシ〔Sorghum bicolor(s.vulgare)〕
カカオ(Theobroma cacao)
ムラサキツメクサ(Trifolium pratense)
小麦(Triticum aestivum)
トリテイカム、ドラム(Triticum durum)
ソラマメ(Vicia faba)
ブドウ(Vitis vinifera)
トウモロコシ(Zea mays)。
更に、遺伝子工学的方法等の栽培の結果として、除草剤の作用に抵抗性を有す
る農作物においても化合物Iを使用することができる。
除草剤またはその有効物質は事前法または事後法により施用される。有効物質
がある種の栽培植物にうまく適合しない場合は、下部に成長している雑草または
露出している土壌には付着しても、敏感な栽培植物の葉にできるだけ接触しない
ように、噴霧装置により除草剤を噴霧することができる(後直接撒布、レイーバ
イ)。
化合物Iおよびこれを含有する除草剤は、例えば直接的に噴霧可能な溶液、粉
末、懸濁液、高濃度の水性、油性またはその他の懸濁液または分散液、エマルジ
ョン、油性分散液、ペースト、ダスト剤、散布剤又は顆粒の形で噴霧、ミスト法
、ダスト法、散布法又は注入法によって適用することができる。適用形式は、完
全に使用目的に基づいて決定される。いずれの場合にも、本発明の有効物質の可
能な限りの微細分が保証されるべきである。
適する不活性添加剤としては、主に中位乃至高位の沸点の鉱油留分、例えば燈油
又はディーゼル油、更にコールタール油等、並びに植物性又は動物性産出源の油
、脂肪族、環状及び芳香族炭化水素、例えばパラフィン、テトラヒドロナフタリ
ン、アルキル置換ナフタレン又はその誘導体、アルキル化ベンゼン及びその誘導
体、アルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、
シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、または強極性溶剤、例えばN−メチル
ピロリドン、水が使用される。
水性使用形は乳濁液濃縮物、懸濁液、ペースト、又は湿潤可能の粉末、水分散
可能の粉末より水の添加により製造することができる。乳濁液、ペースト又は油
分散液を製造するためには、物質を油又は溶剤中に溶解して、湿潤剤、接着剤、
分散剤又は乳化剤により水中に均質に混合することができる。しかも有効物質、
湿潤剤、接着剤、分散剤又は乳化剤及び場合により溶剤又は油よりなる濃縮物を
製造することもでき、これは水にて希釈するのに適する。
適する界面活性剤としては、芳香族スルホン酸、たとえばリグノスルホン酸、
フェノールスルホン酸、ナフタリンスルホン酸、ジブチルナフタリンスルホン酸
の各アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、並びに脂肪酸、ア
ルキルスルホナート、アルキルアリールスルホナート、アルキルスルファート、
ラウリルエーテルスルファート、脂肪アルコールスルファートのアルカリ金属塩
及びアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、並びに硫酸化ヘキサデカノール、ヘ
プタデカノール及びオクタデカノールの塩、並びに硫酸化脂肪アルコールグリコ
ールエーテルの塩、スルホン化ナフタリン及びナフタリン誘導体とホルムアルデ
ヒドとの縮合生成物、ナフタリン或はナフタリンスルホン酸とフェノール及びホ
ルムアルデヒドとの縮合生成物、ポリオキシエチレン−オクチルフェノールエー
テル、エトキシル化イソオクチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェ
ノール、アルキルフェノールポリグリコールエーテル、トリブチルフェニルポリ
グリコールエーテル、アルキルアリールポリエーテルアルコール、イソトリデシ
ルアルコール、脂肪アルコールエチレンオキシド−縮合物、エトキシル化ヒマシ
油、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、又はポリオキシプロピレン、ラウリ
ルアルコールポリグリコールエーテルアセタート、ソルビットエステル、リグニ
ン−亜硫酸廃液及びメチルセルロースが挙げれれる。
粉末、散布剤及び振りかけ剤は有効物質と固状担体物質とを混合又は一緒に磨
砕することにより製造することができる。
粒状体例えば被覆−、含浸−及び均質粒状体は、有効物質を固状担体物質に結
合することにより製造することができる。固状担体物質は、例えば鉱物土、例え
ばシリカゲル、珪酸、珪酸ゲル、珪酸塩、滑石、カオリン、石灰石、石灰、白亜
、膠塊粒土、石灰質黄色粘土、粘土、白雲石、珪藻土、硫酸カルシウム、硫酸マ
グネシウム、酸化マグネシウム、磨砕合成樹脂、肥料例えば硫酸アンモニウ
ム、燐酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、尿素及び植物性生成物例えば穀物粉
、樹皮、木材及びクルミ穀粉、セルロース粉末及び他の固状担体物質である。
直接使用可能な組成における有効物質の濃度は広範囲に変更可能であるが、例
えば0.001〜98重量%、特に0.01〜95重量%を含有する。この際有
効物質は純度90〜100%、特に95〜100%(NMRスペクトルによる)
で使用される。
本発明による化合物Iは以下のように調製される。
I.20重量部の化合物No.1.23を、アルキル化ベンゼン80重量部、
エチレンオキシド8乃至10モルをオレイン酸−N−モノエタノールアミド1モ
ルに付加した付加生成物10重量部、ドデシルベンゼンルスルホン酸のカルシウ
ム塩5重量部、およびエチレンオキシド40モルをヒマシ油1モルに付加した付
加生成物5重量部よりなる混合物中に添加する。この混合物を100000重量
部に注入しかつ細分布することにより有効物質0.02重量%を含有する水性分
散液が得られる。
II.20重量部の化合物No.1.23を、シクロヘキサノン40重量部、
イソブタノール30重量部、エチレンオキシド7モルをイソオクチルフェノール
1モルに付加した付加生成物20重量部、エチレンオキシド7モルをイソオクチ
ルフェノール1モルに付加した付加生成物20重量部、エチレンオキシド40モ
ルをヒマシ油1モルに付加した付加生成物10重量部よりなる混合物中に溶解す
る。この溶液を水100000重量部に注入することにより有効成分0.02重
量%を含有する水性分散液が得られる。
III.20重量部の有効成分No.1.23を、シクロヘキサノン25重量
部、沸点210乃至280℃の鉱油留分65重量部、およびエチレンオキシド4
0モルをヒマシ油1モルに付加した付加生成物10重量部よりなる混合物中に分
散する。この混合物を水100000重量部に注入することにより有効物質0.
02重量%を含有する水性分散液が得られる。
IV.20重量部の有効成分No.1.23を、ジイソブチルナフタレン−α
−スルホン酸のナトリウム塩3重量部、亜硫酸−廃液よりのリグニンスルホン酸
のナトリウム塩17重量部及び粉末状シリカゲル60重量部と充分に混和し、か
つハンマーミル中において磨砕する。この混合物を水20000重量部に細分布
することにより有効物質0.1重量%を含有する噴霧液が得られる。
V.3重量部の有効成分No.1.23を細粒状カオリン97重量部と密に混
和する。かくして有効物質3重量%を含有する噴霧液が得られる。
VI.20重量部の有効成分No.1.23を、ドデシルベンゼンスルホン酸
のカルシウム塩2重量部、脂肪アルコールポリグリコールエーテル8重量部、フ
ェノール−尿素−ホルムアルデヒド−縮合物のナトリウム塩2重量部及びパラフ
ィン系鉱油68重量部と密に混和する。安定な油状分散液が得られる。
VII.1重量部の化合物No.1.23を、シクロヘキサノン70重量部、
エトキシル化イソオクチルフェノール20重量部、およびエトキシル化ヒマシ油
10重量部から成る混合物に溶解する。これにより安定な乳濁液濃縮物が得られ
る。
VIII.1重量部の化合物No.1.23をシクロヘキサノン80重量部と
Emulphor EL20重量部から成る混合物に溶解する。これにより安定
な乳濁液濃縮物が得られる。
有効作用範囲を拡張し、相乗効果を達成するために、ピラゾリルベンゾイル誘
導体Iは、多様な他の除草剤ないし生長抑制有効物質と混合され、同時に施与さ
れる。その混合対称物質としては、例えばジアジン、4H−3,1−ベンズオキ
サジン誘導体、ベンゾチアジアジノン、2,6−ジニトロアニリン、N−フェニ
ルカルバマート、チオカルバマート、ハロゲンカルボン酸、トリアジン、アミド
、尿素、ジフェニルエーテル、トリアジノン、ウラシル、ベンゾフラン誘導体、
2−位に例えばカルボキシ基、カルボイミノ基を有するシクロヘキサン−1,3
−ジオン誘導体、キノリンカルボン酸誘導体、イミダゾリノン、スルホンアミド
、スルホニル尿素、アリールオキシ−ならびにヘテロアリールオキシ−フェノキ
シプロピオン酸ならびにこれらの塩、エステル、アミドなどが挙げられる。
更に、化合物Iは、単独でまたは他の除草剤または生長抑制剤と、また更なる
植物保護剤と組み合わせ、混合し、例えば殺害虫剤または植物殺菌剤または殺バ
クテリア剤と共に施用することができるという利点を有する。苗栄養不足、希元
素欠乏などの症状治癒のために使用されるミネラル塩溶液と混合し得ること、植
物に無害の油類、油濃縮物類に添加し得ることも重要である。
有効成分の施与割合は、使用目的、季節、対象植物および発育段階に応じて1
ヘクタールあたりの有効成分(a.i.)0.001−3.0、好ましくは0.
01−1.0kgとされる。使用実施例
式Iのフェニルジケトン誘導体の除草効果を以下の温室実験で示す。
プラスチック植木鉢を栽培容器として用い、約3.0%腐蝕したローム質の砂
を培養基とした。被検植物の種子を種類ごとに播種した。
事前法により、水中に懸濁または乳化させた有効物質を、種子を撒いた後に細
分布したノズルを使用して直接撒布した。出芽と成長を促進するために容器を軽
く灌水し、次いで植物が根付くまで透明のプラスチックの覆いを被せた。有効物
質により害が与えられない限り、この被覆が被検植物の均一な出芽を促進する。
事後法による処理を行う目的で、被検植物を発育型により、草丈3−15cm
となった後、水中に懸濁または乳化させた有効物質で処理した。この場合、被検
植物を直接播種し同一の容器で栽培することも、当初は別々に苗として植え、処
理の行われる2−3日前に試験用容器に移植することも可能である。
各被検植物を種類ごとに10−25℃または20−35℃に保持し、実験期間
を2−4週間とした。この間、被検植物を管理し、個々の処理に対する反応を評
価した。
0−100の基準に基づき評価を行った。この基準において100は植物が全
く出芽しないか、或いは少なくとも地上に出ている部分の全てが破壊してしまっ
たことを示し、0は全く被害がなく正常な成長を遂げたことを示す。製造実施例 A)出発材料の合成
1. 2−クロロ−3−ホルミル−4−メチルスルホニル安息香酸メチル
a.420ミリリットルの1,2−ジクロロエタン中の157g(2モル)の塩
化アセチルの溶液を、420モルの1,2−ジクロロエタン中の286g(2.
14モル)の三塩化アルミニウムの溶液を15−20℃で滴下した。
次いで1リットルの12−ジクロロエタン中の346g(2モル)の2−クロ
ロ−6−メチルチオトルエン溶液をこれに滴下した。攪拌を12時間継続し、反
応混合物を3リットルの氷と、1リットルの濃塩酸との混合物に注入した。塩化
メチレンを用いて混合物を抽出し、有機相を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥
し、濃縮した。残渣を減圧下に蒸留した。
これにより256g(化学量論量の60%)の2−クロロ−3−メチル−4−
メチルチオアセトフェノンを得た。融点:46℃。
b.163g(0.76モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルチオアセ
トフェノンを1.5リットルの氷酢酸に溶解し、18.6gのタングステン酸ナ
トリウムを添加し、冷却しつつ173.3gの濃度30%の過酸化水素溶液を滴
下した。攪拌を2日間継続し、次いで混合物を水で希釈した。沈殿した固体を吸
引濾過し、水で洗浄し、乾燥した。
これにより164g(化学量論量の88%)の2−クロロ−3−メチル−4−
メチルスルホニルアセトフェノンを得た。融点:110−111℃。
c.82g(0.33モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニル
アセトフェノンを700ミリリットルのジオキサン中に溶解し、1リットルの濃
度12.5%の次亜塩素酸ナトリウム溶液で室温にて添加した。80℃にて更に
1時間攪拌を継続した。冷却後、形成された2相の下相を水で希釈し、弱酸性と
した。沈殿した固体を水で洗浄し、乾燥した。
これにより60g(化学量論量の73%)の2−クロロ−3−メチル−4−メ
チルスルホニル安息香酸が得られた。融点:230−231℃。
d.100g(0.4モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニル
安息香酸を1リットルのメタノール中に溶解し、還流温度にてHClを5時間通
過させた。次いで混合物を濃縮した。
これにより88.5g(化学量論量の84%)の2−クロロ−3−メチル−4
−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。融点:107−108℃。
e.82g(0.31モル)の2−クロロ−3−メチル−4−メチルスルホニル
ベンゾエートを、2リットルのテトラクロロメタンに溶解し、56g(0.31
モル)の一度に少量づつのN−ブロモスクシンイミドを添加し、露光し
た。反応混合物を濾過し、濾液を濃縮し、残渣を200ミリリットルのメチルt
ert−ブチルエーテルに取り込んだ。溶液を石油エーテルで処理し、沈殿によ
り得られた固体を吸引濾過し、乾燥した。
これにより74.5g(化学量論量の70%)3−ブロモメチル−2−クロ
ロ−4−メチルスルホニル安息香酸メチルが得られた。融点:74−75℃。
f.250ミリリットルのアセトニトリル中の41g(0.12モル)の3−ブ
ロモメチル−2−クロロ−4−メチルスルホニル安息香酸メチルの溶液を、42
.1g(0.36モル)のN−メチルモルホリンN−オキシドで処理した。バッ
チの攪拌を室温にて12時間継続し、この後、混合物を濃縮し、残渣を酢酸エチ
ル中に取り込んだ。溶液を水で抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより31.2g(化学量論量の94%)の2−クロロ−3−ホルミル−
4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。融点:98−105℃。
2. 2−クロロ−4−メチルスルホニル−3−(トリフルオロメチルスルホニ ル)オキシ安息香酸メチル
a.101g(0.41モル)の2−クロロ−3−ヒドロキシ−4−メチルスル
ホニル安息香酸を1.3リットルのメタノールに溶解し、還流下にHCLガスを
4時間通過させた。溶液を濃縮し、残渣をジクロロメタン中に取り込み、K2C
O3溶液で抽出した。希塩酸を用いて水相をpH7とし、ジクロロメタンを用い
て洗浄した。次いでpH1に酸性化し、生成物をジクロロメタンで抽出した。
これにより76.2g(化学量論量の71%)の2−クロロ−3−ヒドロキシ
−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
b.700ミリリットルのジクロロメタン中の76g(0.29モル)2−クロ
ロ−3−ヒドロキシ−4−メチルスルホニル安息香酸メチルおよび68gのピリ
ジンの溶液に、89g(0.32モル)の無水トリフルオロメタンスルホン酸を
−20℃で添加した。溶液の攪拌を室温にて12時間継続し、溶液をジクロロメ
タンで希釈し、水で抽出した。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した
。
これにより、94g(化学量論量の82%)の2−クロロ−4−メチルスルホ
ニル−3−(トリフルオロメチルスルホニル)オキシ安息香酸メチルを得た。融
点:69%。B)中間生成物の製造法
1. 3−(3−イソプロピルイソキサゾール−5−イル)−4−メチルスルホ ニル安息香酸メチル
a.10g(102ミリモル)の(トリメチルシリル)アセチレンおよび180
mgの沃化銅(I)を、200ミリリットルのジエチルアミンおよび60ミリリ
ットルのジメチルホルムアミド中の30g(102ミリモル)の3−ブロモ−4
−メチルスルホニル安息香酸メチル、90mgの二塩化パラジウム、および24
0mgのトリフェニルホスフィンに添加し、混合物を40℃で、4.5時間攪拌
した。室温での攪拌を更に12時間継続した。得られた反応混合物を濾過し、濾
液を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付した。溶離液としてトル
エンを用いた。
これにより17.3g(化学量論量の55%)の4−メチルスルホニル−3−
(トリメチルシリル)エチニル安息香酸メチルを油状物として得た。
b.25gの4−メチルスルホニル−3−(トリメチルシリル)エチニル安息香
酸メチルを100ミリリットルのメタノールおよび0.9gの炭酸カリウムと共
に室温で18時間攪拌した。次いで固体を吸引濾過し、濾液を濃縮して、酢酸エ
チル/水で抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより15g(化学量論量の79%)の4−メチルスルホニル−3−エチ
ル安息香酸メチルを得た。融点:95−98℃。
c.13.5g(57ミリモル)の4−メチルスルホニル−3−エチニル安息香
酸メチルを50ミリリットルのジクロロメタンに溶解し、5.2g(60ミリモ
ル)のイソブチルアルデヒドオキシムを添加し、濃度12.5%の次亜塩素酸ナ
トリウム溶液41gを滴下した。次いで、得られた混合物の攪拌を室温にて24
時間継続した。この後、反応バッチをジクロロメタン/水を用いて抽出し、有機
相を濃縮し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーに付
し、溶離液としてトルエン/酢酸エチルを用いた。
これにより8.8g(化学量論量の48%)の3−(3−イソプロピルイソキ
サゾール−5−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルが得られた。融点
:102−104℃。
2. 2−クロロ−3−(イソキサゾール−3−イル)−4−メチルスルホニル 安息香酸メチル
a.15g(54ミリモル)の2−クロロ−3−ホルミル−4−メチルスルホニ
ル安息香酸メチル(Ex.A.1.)および4.2g(60ミリモル)の塩化ヒ
ドロキシルアミンを300ミリリットルのメタノールとともに攪拌し、80ミリ
リットルの水中の炭酸ナトリウム3.18g(30ミリモル)の溶液を滴下した
。反応混合物を室温にて一晩攪拌し、次いでメタノールを留去し、バッチをエー
テル/水で抽出した。エーテル相を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。
これにより14.4g(化学量論量の91%)の2−クロロ−3−ヒドロキシ
イミノメチル−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。融点126−12
8℃。
b.5.3g(18ミリモル)の2−クロロ−3−ヒドロキシイミノメチル−4
−メチルスルホニル安息香酸メチルを50ミリリットルのジクロロメタンに溶解
し、アセチレンを0−5℃で、30分間通過させた。次いでスパチュラに1杯の
酢酸ナトリウムを添加し、更にアセチレンを通過させながら、濃度10%の次亜
塩素酸ナトリウム溶液15ミリリットルを10℃で滴下した。添加終了後、アセ
チレンを10℃で更に15分間通過させ、更に攪拌を12時間継続した。各相を
分離し、有機相を水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより、4.8g(化学量論量の84%)2−クロロ−3−(イソキサゾ
ール−3−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルが得られた。融点14
5−147℃。
3. 2−クロロ−3−(トリアゾール−2−イル)−4−メチルスルホニル安 息香酸メチル
33g(88ミリモル)の2−(トリブチルスタニル)−チアゾール、17.5
g(44ミリモル)の2−クロロ−4−メチルスルホニル−3−(トリフルオロ
メチルスルホニル)オキシ安息香酸メチル(EX.A.2.)、5.8gの塩化
リチウム、1gのテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム−(0)、
スパチュウラ1杯分の2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、
および200ミリリットルの1,4−ジオキサンを140℃のオートクレーブ中
、固有圧力下に3時間攪拌した。冷却後、反応混合物をシリカゲル層を通して濾
過し、メチルtert−ブチルエーテルで洗浄し、濃縮した。残渣をシリカゲル
クロマトグラフィーに付し、溶離液としてトルエン/酢酸エチルを用いた。
これにより9.1g(化学量論量の62.6%)の2−クロロ−3−(チアゾ
ール−2−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。融点:135
−138℃。
4. 2−クロロ−3−(オキサゾール−2−イル)−4−メチルスルホニル安 息香酸メチル
25g(0.09モル)の2−クロロ−3−ホルミル−4−メチルスルホニル
安息香酸メチル(Ex.A.1.)、17.6g(0.09ミリモル)のイソシ
アン化トシルメチレンおよび6.2g(0.045モル)の微粉砕状の炭酸カリ
ウムを、450ミリリットルのメタノールと共に還流温度にて5時間攪拌した。
次いで溶媒を除去し、残渣を酢酸エチルに取り込み、水で抽出した。酢酸エチル
相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより24.7g(化学量論量の87%)の2−クロロ−3−(オキサゾ
ール−2−イル)−4−メチルスルホニル安息香酸メチルを得た。
1H NMR(CDCl3)
δ:8.24(d、1H)、8.15(s、1H)、8.01(d、1H)、
7.40(s、1H)、4.0(s、3H)、2.96(s、3H)。
以下の表に記載の中間生成物を同様の方法で得た。
C)最終生成物の製造
1. 2−シアノ−3−シクロプロピル−1−[2−クロロ−4−メチルスルホ ニル−(3−チアゾール−2−イル)−フェニル]プロパン−1,3−ジオン
a.8g(25ミリモル)の2−クロロ−4−メチルスルホニル−(3−チアゾ
ール−2−イル)安息香酸メチルを、50ミリリットルのメタノールに溶解し、
1.5g(37ミリモル)のNaOHを添加した。溶液を室温にて12時間攪拌
した。次いで反応混合物を濃縮し、残渣を水に取り込み、塩酸で酸性化した。更
に攪拌を継続すると淡黄色の結晶が生じた。この固体を吸引濾過し、乾燥した。
これにより6.6g(化学量論量の86%)の2−クロロ−4−メチルスルホ
ニル−(3−チアゾール−2−イル)安息香酸を得た。融点:288−290℃
。
b.6g(19ミリモル)の2−クロロ−4−メチルスルホニル−(3−チアゾ
ール−2−イル)安息香酸を60ミリリットルのトルエンに溶解し、ジメ
チルホルムアミド1滴を添加し、得られた混合物を3.2g(27ミリモル)の
塩化チオニルで処理した。4時間還流後、反応混合物を濃縮した。
これにより6.3g(化学量論量の99%)の塩化2−クロロ−4−メチルス
ルホニル−(3−チアゾール−2−イル)ベンゾイルを得た。融点:97−98
℃。
c.50ミリリットルのメタノール中の3.5ミリモルの3−シクロプロピル−
3−オキソプロピオニトリルを0.15g(6ミリモル)のマグネシウム屑で処
理し、2ミリリットルのCCl4を25℃で滴下した。混合物を2時間攪拌した
後、メタノールを減圧除去し、残渣を50ミリリットルのアセトニトリルに溶解
した。次いで25ミリリットルのアセトニトリル中の1.2g(3.5ミリモル
)の塩化2−クロロ−4−メチルスルホニル−(3−チアゾール−2−イル)ベ
ンゾイル溶液を20−25℃で滴下し、混合物を25℃で16時間攪拌した。後
処理としてまずアセトニトリルを減圧下に除去し、残渣を酢酸エチルに溶解し、
得られた溶液を水で洗浄し、濃縮した。粗生成物をジクロロメタンに溶解し、5
%濃度の炭酸カリウム溶液で抽出した。塩酸を用いて水相をpH5−6と成し、
ジクロロメタンで抽出した。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。
これにより0.23g(化学量論量の17%)の2−シアノ−3−シクロプロ
ピル−1−[2−クロロ−4−メチルスルホニル−(3−チアゾール−2−イル
)−フェニル]プロパン−1,3−ジオンを得た。融点:162−164℃。
同様の方法で以下の表に記載の化合物を得た。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.6 識別記号 FI
C07D 213/64 C07D 213/64
213/70 213/70
215/14 215/14
231/12 231/12 B
249/08 513 249/08 513
261/04 261/04
261/08 261/08
263/32 263/32
271/06 271/06
271/10 271/10
275/02 275/02
277/32 277/32
277/34 277/34
277/36 277/36
277/66 277/66
279/06 279/06
285/00 285/00
285/08 285/08
285/12 307/46
307/46 317/36
317/36 333/34
333/34 339/06
339/06 339/08
339/08 285/12 A
(72)発明者 カルドルフ,ウヴェ
ドイツ国、D−68159、マンハイム、4、
デー3
(72)発明者 エンゲル,シュテファン
ドイツ国、D−65510、イ−トシュタイン、
フリードリヒ−エーベルト−シュトラー
セ、13
(72)発明者 オッテン,マルチナ
ドイツ国、D−67069、ルートヴィッヒス
ハーフェン、グンターシュトラーセ、28
(72)発明者 フォセン,マルクス
ドイツ国、D−68199、マンハイム、ヴィ
ルヘルム−ヴント−シュトラーセ、7
(72)発明者 プラト,ペーター
ドイツ国、D−67227、フランケンタール、
ハンス−バルケ−シュトラーセ、13
(72)発明者 ラング,ハーラルト
ドイツ国、D−67122、アルトリプ、ツィ
ーゲライシュトラーセ、7
(72)発明者 ハロイス,アルブレヒト
ドイツ国、D−67063、ルートヴィッヒス
ハーフェン、ボイテナー、シュトラーセ、
10
(72)発明者 ケーニヒ,ハルトマン
ドイツ国、D−69115、ハイデルベルク、
ブルーメンシュトラーセ、16
(72)発明者 ヴァルター,ヘルムート
ドイツ国、D−67283、オブリッヒハイム、
グリューンシュタッテル、シュトラーセ、
82
(72)発明者 ヴェストファレン,カール−オットー
ドイツ国、D−67346、シュパイァ、マウ
スベルクヴェーク、58
(72)発明者 ミスリッツ,ウルフ
ドイツ国、D−67433、ノイシュタット、
アム、ヘルツェル、40
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.式I で表され、式中 L、Mが水素、C1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニル 、C1−C4アルコキシを意味し、これら各基は非置換であっても、1−5個のハ ロゲン原子またはC1−C4アルコキシ基により置換されていてもよく、またはハ ロゲン、シアノ、ニトロ、−(Y)n−S(O)mR7で表される基または−(Y )n−CO−R8で表される基を意味し、 Zが酸素、硫黄および窒素から選択される1〜3個のヘテロ原子を有し、非置 換であっても、ハロゲン、シアノ、ニトロ、−CO−R8、C1−C4アルキル、 C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、C1−C4アルコキシ、C1− C4ハロアルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキルチオ、ジ− C1−C4アルキルアミノにより置換されてもよい、または非置換またはハロゲン 、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルによって置換 されているフェニルによって置換されてもよい、または互変異性状態のヒドロキ シル基として存在可能なオキソ基によって置換されてもよい、または非置換また はハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルに より置換された縮合フェニル環と共に、または縮合炭素環と共に、または非置換 またはハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキル、ジ−C1−C4アルキルア ミノ、C1−C6アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシまたはC1−C4ハロアルキ ルにより置換された縮合した第二の複素環と共に二環化合物を形成する、5員ま たは6員の複素環式飽和または不飽和基を意味し、 YがOまたはNR9を意味し、 nが0または1であり、 mが0、1または2であり、 R7がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキルまたはNR9R10を意味し、 R8がC1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C1−C4アルコキシまたは NR9R10を意味し、 R9が水素またはC1−C4アルキルを意味し、 R10がC1−C4アルキルを意味し、 R1がシクロプロピル、1−メチルシクロプロピル、1−メチルチオシクロプ ロピル、またはtert−ブチルを意味することを特徴とするフェニルジケトン 誘導体、または化合物Iの農業上使用可能な塩。 2.式Ia で表され、式中LがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アルキニ ル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1 −C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホニ ル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、Mが水素、C1−C6アルキル、C2 −C6アルケニル、C2−C6アルキニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキ ルチオ、C1−C4ハロアルキル、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキ ルチオ、C1−C4アルキルスルホニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し 、R1およびZが請求項1で定義した意味を有することを特徴とするフェニルジ ケトン誘導体。 3.式Ib で表され、式中L、MがC1−C6アルキル、C2−C6アルケニル、C2−C6アル キニル、C1−C4アルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4ハロアルキル、 C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4ハロアルキルチオ、C1−C4アルキルスルホ ニル、ハロゲン、ニトロまたはシアノを意味し、R1およびZが請求項1で定義 した意味を有することを特徴とするフェニルジケトン誘導体。 4.LおよびMで示される基が、水素、メチル、メトキシ、メチルチオ、塩素、 シアノ、メチルスルホニル、ニトロまたはトリフルオロメチルを意味することを 特徴とする、請求項1に記載のフェニルジケトン誘導体。 5.式A2 で表される化合物を、式III で表され、式中Tがハロゲンを意味し、L、MおよびZが請求項1で定義した意 味を有する安息香酸誘導体と反応させることを特徴とする、請求項1に記載の式 1のフェニルジケトン誘導体の製造法。 6.請求項1に記載の式Iで示される少なくとも1種類のフェニルジケトン誘導 体と、慣用の不活性添加剤とを含有することを特徴とする除草組成物。 7.請求項1に記載の式Iで示されるフェニルジケトン誘導体の除草有効量を植 物またはその生長圏に作用させることを特徴とする、望ましくない草木の防除方 法。 8.請求項1に記載の式Iで表され、式中Zが酸素、硫黄および窒素から選択さ れる1〜3個のヘテロ原子を有し、非置換であっても、ハロゲン、シアノ、ニト ロ、C1−C4アルキル、C1−C4ハロアルキル、C3−C8シクロアルキル、C1 −C4アルコキシ、C1−C4ハロアルコキシ、C1−C4アルキルチオ、C1−C4 ハロアルキルチオ、ジ−C1−C4アルキルアミノ、または非置換またはハロゲン 、シアノ、ニトロ、C1−C4アルキルまたはC1−C4ハロアルキルにより置換さ れているフェニルにより置換されてもよい、5員または6員のヘテロ芳香族基を 意味するか、或いは非置換であっても、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1−C4ア ルキルまたはC1−C4ハロアルキルにより置換されてもよい、ベンゾ縮合した5 員または6員のヘテロ芳香族環を意味し、 L、MおよびR1が請求項1に記載の意味を有する、フェニルジケトン誘導体 。
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