JPH11501455A - コンデンサ用金属化フイルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 半導電性層（２４）が非金属化マージン（２３）横断方向の抵抗路を形成すべく該マージン横断方向に延在するフイルムコンデンサ（１０）。該層は、それ自身、コンデンサ（１０）内で並列抵抗路を形成し、外部抵抗の必要性を事前に排除する。また、該層は、マージン横断方向の電界を緩和し、つまり、電界をより均一化し、それによって、電気的絶縁破壊を伴うことなくマージンのより狭幅化を可能とし、コンデンサ（１０）の物理的サイズの小型化を可能とする。耐熱・半導電性層（１９）は、金属層（２２）と誘電体フイルム（１８）との間に設けられる。この耐熱層（１９）は、下層の誘電体フイルムを蒸発金属により生じた熱から断熱することによりセルフクリアリングプロセスを促進し、それによって蒸発を速め、誘電体フイルム（１８）が炭化する傾向を抑える。その結果、欠陥が、実質的により少ないエネルギー消費によって取り除かれる。好ましくは、電界放射現象を低減するためにこの耐熱層（１９）も半導電性であり、それによって誘電体フイルム（１８）の欠陥の頻度が低減される。

Description

【発明の詳細な説明】 コンデンサ用金属化フイルム 背景技術 本発明は、コンデンサ用金属化フイルムに関する。 図１を参照するに、フイルムコンデンサは、典型的には、一対の金属化フイル ム１、２を側部で互いにわずかにずらして重ね合わせ、これらフイルムをコンデ ンサ素子を形成するように巻回することによって構成されている。素子の両端部 には金属が溶着されて電気的端子４が形成される。この電気的端子には、コンデ ンサの外部接続子を形成する導線が溶接される。コンデンサ素子は、時には、ハ ウジング内で誘電性の液に浸漬される。 各金属化フイルムは、誘電体フイルム３ｂ（たとえば、ポリプロピレン）上に 金属３（たとえば、亜鉛）を蒸着した非常に薄い層からなる。金属層は、典型的 には、長手方向に延びる一つの端縁（非金属化マージン５）以外の誘電体フイル ムの全面を覆っている。非金属化マージンは、金属化フイルム１、２上の金属層 間の電気的絶縁を保ち、各端子４が一方の金属化フイルムにのみ接触することを 確保している。 標準的な回路構成においては、フイルムコンデンサに抵抗（放電抵抗）を並列 に接続することが要求されてきた。これは、従来、コンデンサハウジングの外部 に別個の抵抗を取り付けることにより、製造コストの大幅な増大をもって、設け られている。 フイルムコンデンサにおける電気エネルギーを蓄える能力は、誘電体フイルム の幅方向に安全に印加できる電界強度によって制限される。近年、金属化フイル ムコンデンサをより高電界（または、より高電圧）で作動させること、および、 該コンデンサをより薄いフイルムを使用することによって小型化すること（これ は、コンデンサの内部電界強度を増加させる）が要請されている。しかし、電界 強度が上がるにつれ、コンデンサの誘電欠陥の頻度は増加する。 誘電欠陥は、ある特定の箇所における絶縁破壊電圧が不十分で、誘電体フイル ムを通してある金属層から次の金属層に電弧が発生するときに生じる。誘電欠陥 は、たとえば、異物のコンデンサ巻層内への侵入や、誘電体フイルムの局部欠点 自身の結果発生しやすい。 絶縁欠陥は、まれに、セルフクリアリングまたはセルフヒーリング（自己回復 ）として知られている過程で発生することがある。欠陥の直近部位にある金属化 部分は、欠陥側へと流れる大電流により生じた熱によって蒸発される。従来のフ イルムコンデンサは、６０〜８４Ｖ／μｍの電界強度（または、電気的ストレス ）で働く。このようなコンデンサの設計電界強度を越えての作動は、うまくクリ アリングできないほど頻繁に欠陥を発生させ、その結果、コンデンサのオーバー ヒートや故障を引き起こす。 セルフクリアリング中には、２つの互いに競合するプロセスが作用する。欠陥 方向へ流れる電流により発生する熱は、金属を該欠陥周りで蒸発させ、それを絶 縁する。しかし同時に、欠陥近傍における熱と電弧は周囲の誘電体を炭化し（た とえば、導電性のカーボントラックを作り出し）、それを導電性化し、それによ って電流を増大させてしまう。コンデンサは、欠陥周りの金属の蒸発が誘電体の 加熱や炭化を止めるのに十分にす速く生じないほどに、誘電欠陥が頻繁にあるい は時間的に近接して発生したり、クリアリング過程における放出エネルギー量が 高かったりする場合に、故障する。 強電界は、誘電欠陥の発生に加え、コンデンサ素子の端子４と金属層３との間 において非金属化マージン５横断方向に、電弧、あるいはコロナ放電を発生させ ることがある。コロナ放電は、主として金属層を酸化することによって、マージ ン部に隣接する金属層の端縁の劣化を引き起こす。この劣化は、その端縁から内 側に向けて徐々に進行し、金属層の一部の絶縁化を引き起こす。その結果、金属 層の面積が減少し、それがコンデンサの容量低下を生じさせる。 コンデンサにおける金属層間の絶縁破壊電圧は、一般に、コンデンサに印加さ れる電圧よりもはるかに高いので、コンデンサ内の非金属化マージン横断方向の 電弧の強さおよび頻度は、典型的に、該コンデンサの誘電欠陥による結果に影響 を及ぼす。このように、マージン横断方向のコロナ放電による劣化は、高電圧印 加の、あるいは薄いフイルムを用いたコンデンサを使用する上での制限要因とな る。 マージン部に隣接する金属層の端縁における電界を低減することにより、非金 属化マージン横断方向の電弧を防止しようとする、いくつかの方法が試みられて いる。たとえば、特開昭５０−８０５０号公報では、金属層３が非金属化マージ ン近傍でより厚く形成されている（部分３’）（図２）。別の方法として、特開 昭５０−８５８６０号公報では図３に示すように、ＳｉまたはＧｅからなる半導 体層７が、マージン５に隣接する金属層３の端縁上に形成されている。特開昭５ ０−８５８６１号公報では（図４）、金属層３の端縁と半導体層７との間に酸化 層８が追加されている。特開昭５１−８４０６１号公報（図５）は、金属層３の 端縁部において高抵抗の半導体層９の下側に半導体層７を設けることを記載して いる。 上記方法の変化例として、特開昭５０−４５２６４号公報（図６）は、両面に 金属層３、１２を備えた金属化フイルム１０を有するコンデンサを記載している 。金属化フイルム１０は、中央部に非金属化マージン５を有している。コンデン サ内のもう一方のフイルム１１は金属化されていない。フイルム１１の端縁と金 属層１２は半導体層７で被覆され、中央部のマージン５は被覆されないままとさ れている。 メイランドによる米国特許第３，２９８，８６４号は、金属層の境界に沿って 半導電性材料（たとえば、金属酸化物）の帯体を設けることを教えている。この 半導電性材料は非金属化マージン横断方向に部分的にのみ延びており、マージン によって電気絶縁性を保っている。 発明の要旨 概して、第１の態様においては、本発明は、マージン横断方向の抵抗路を形成 すべく、非金属化マージンに該マージン横断方向に延びる半導電性層を設けた新 規なフイルムコンデンサであることを特徴とする。この抵抗路は、コンデンサ内 に並列抵抗路を形成でき、外部抵抗の必要性を事前に排除する。また、半導電性 層のマージン横断方向への延在は、マージン横断方向の電界の緩和を改良し（つ まり、電界をより均一化し）、それによって、電気的絶縁破壊を伴うことなくマ ージンのより狭幅化を可能とし、コンデンサの物理的サイズの小型化を可能とす る。 本発明の実施態様には、次のような特徴を含む。コンデンサの金属化フイルム （の半導電性層）は、１０⁶Ω−ｃｍ（Ω／□）〜１０¹⁴Ω−ｃｍ（Ω／□）の 範囲、好ましくは、１０⁸Ω−ｃｍ〜１０¹²Ω−ｃｍの範囲にある表面固有抵抗 を有する。半導電性層は、亜鉛酸化物、銅酸化物、セレニウム酸化物およびカー ボンなどを含む群より選ばれた材質からなる。誘電体フイルム上への金属層は、 変化する厚みを有する。 さらに、半導電性層は、フイルムの金属化領域にわたるまで、あるいは、金属 層と誘電体フイルムとの間に延びていてもよく、また、半導電性層は、実質的に 非金属化マージンの全領域にわたって延びていてもよい。 第２の態様においては、本発明は、金属層と誘電体フイルムとの間に耐熱層を 設けることを特徴とする。耐熱層は、金属層の下側に実質的に全領域にわたって 延びている。好ましくは、この耐熱層も半導電性のものである。耐熱層は、下層 の誘電体フイルムを蒸発金属により生じた熱から断熱することによりセルフクリ アリングプロセスを促進し、それによって蒸発を速め、誘電体フイルムが炭化す る傾向を抑える。その結果、欠陥が、実質的により少ないエネルギー消費によっ て取り除かれる。 耐熱層も半導電性であれば、電界放射として知られている現象を低減すること により、誘電体の欠陥の頻度を低減できるという利点も得られる。この現象は、 作動中に電子がフイルムを横切って移動するもので、誘電体の欠陥の頻度を増加 させる傾向をもつ。 この中間層の耐熱・半導電特性は、フイルムコンデンサがその誘電体中でより 高電界強度で作動することを可能ならしめ、それによってより大きなエネルギー 蓄積が可能となる。 好ましくは、同じ半導電性層が金属層の下側と非金属化マージン横断方向とに 延びることにより、上記本発明の両態様を満足できる。第２の金属層（たとえば 、アルミニウムやアルミニウム−亜鉛合金）を第１の金属層と誘電体フイルムと の間に介装することができ、第２の金属層の非金属化層領域として暴露されてい る部分を、半導電性化する（たとえば、Ａｌ₂Ｏ₃にする）ために酸化することが できる。 このように、本発明は、非金属化マージン横断方向の厳しいコロナ放電に対し より影響を受けにくく、かつ、高電圧作動時にもほんの僅かな容量変化しか示さ ないコンデンサを提供する。 本発明の他の特徴や効果は、以下に述べる望ましい実施の態様および請求の範 囲の記載から明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 図１ないし図６は、各種従来の金属化フイルムコンデンサの概略横断面図であ る。 図７は、本発明により構成された金属化フイルムコンデンサ素子の斜視図であ る（素子は部分的に巻き戻して示されており、この素子は正規には図示しないハ ウジング内に設置される）。 図８は、図７のコンデンサ素子の模式的な横断面図である（寸法は明確化のた め大きく拡大してある）。 図９は、別の金属化フイルムの概略横断面図である。 図１０と図１１は、コンデンサの別の好ましい態様の模式的な横断面図である 。 図１２は、別の金属化フイルムの概略横断面図である。 図１３は、金属化フイルムの一製造方法の説明図である。 図１４は、金属化フイルム製造途中の概略横断面図である。 図１５は、完成した金属化フイルムの概略横断面図である。 図１６は、別の金属化フイルム製造途中の概略横断面図である。 図１７は、図１６の金属化フイルムが完全に形成された状態の概略横断面図で ある。 望ましい実施の態様 図７を参照するに、コンデンサ素子１０は、２枚の金属化フイルム１６、１７ （典型的には３０〜１２５ｍｍ幅）の巻回体からなる。巻回されたコンデンサ素 子の各端部には（１２、１４部には）端部亜鉛溶着が施されており、各端部溶着 部には、コンデンサへの接続部を構成するために図示を省略した導線が溶接され る。素子は、正規にはハウジング内に設置され、図示を省略した誘電性の液に浸 漬される。 図８を参照するに、各金属化フイルム１６、１７は、ポリマーフイルム体１８ からなる。ポリマーフイルムは、良好な誘電特性、高耐電圧・耐熱性を備えた天 然、半合成、または合成高分子からなる。このようなポリマーの例として、ポリ オレフィン、ポリエステル、ポリスルフィド、ポリスルホン、ポリスチレン、フ ッ化樹脂、これらいずれかの混合または共重合樹脂が挙げられ、中でも、ポリプ ロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカー ボネート、ポリスチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリフロロエチレン、四 フッ化エチレンと六フッ化プロピレンの共重合体などが挙げられる。 ポリマーフイルム上に延在する薄い金属層２２（厚さ：１００〜３００オング ストローム）は、Ａｌ、Ｃｕ、ＳｎまたはＡｌ−Ｚｎ合金等の良好なセルフヒー リング特性と高導電性を有する金属から形成される。この金属層は、該金属と上 記端部溶着部との機械的および電気的接続を改良するために、該端部溶着部に隣 接する長手方向に延びる端縁部に沿って（部位２０にて）より厚く形成されてい る。この厚肉化されたマージン２０は、幅が５ｍｍ未満で、１〜３Ω／□の（蒸 着膜）抵抗を有している。主金属化領域２２は、効果的なセルフヒーリングを行 わせるために１００〜５００オングストロームの厚さとされ、（蒸着膜）抵抗は ４〜１０Ω／□である。 金属層は、非金属化マージン２３に沿う部分以外、各ポリプロピレンフイルム の上面全体を覆っており、２枚のフイルムの互いに反対側の長手方向に延びる端 縁に沿って延びている。 非金属化マージンは、コンデンサとしての使用に適合するために、非金属化フ イルム端縁部以外にも、種々の部位に形成されてもよい。たとえば、図９に示す ように、非金属化マージンは金属層の中央にあってもよい。さらに、金属層と非 金属化マージンはフイルムの両面に形成されてもよい。 半導電性層２４または半導電性薄膜は、各非金属化マージンの全幅にわたって 設けられる（図８）。半導電性層は、半導電カーボン等の無機材料や金属酸化物 等の有機材料を含む、種々の半導体のいずれかから形成できる。この層は、好ま しくは３×１０⁹Ωの表面抵抗にて、１０⁶〜１０¹⁴Ω−ｃｍの範囲の、好ましく は１０⁸〜１０¹²Ω−ｃｍの範囲の表面固有抵抗を有する。これよりも高い表面 固有抵抗をもつ半導体では、マージンに隣接する金属層の端縁で効果的に電界 を低減できない。これよりも低い表面固有抵抗をもつ半導体では、大きな誘電損 失を有することとなり、コンデンサ内でいわゆる熱暴走が生じる。 非金属化マージン横断方向に（好ましくは、実質的にマージン全領域にわたっ て）延びることにより、半導電性膜は、金属層を端部溶着部に電気的に接続し、 それによってコンデンサに並列に接続された抵抗を形成する。これによって、コ ンデンサに並列の放電抵抗を設ける必要がなくなる。加えて、半導体層は、金属 層の端縁において顕著な電界低下を付与する。 図８に模式的に示すように、金属化フイルム１６、１７は、フイルム１６の厚 肉化されたマージン２０の全てが端部溶着部１２に接触するように、かつ、同様 にフイルム１７の厚肉化されたマージン２０の全てが端部溶着部１４に接触する ように、巻回素子内に交互に配置される。フイルム１６、１７は、厚肉化された マージン２０と端部溶着部１２、１４との接触がうまくいくように、互いにずら されている。（図８、１０および１１では、分かりやすくするために、端部溶着 部が金属化フイルムに接触していない状態で示されているが、もちろん、実際に は接触している。） 金属化フイルムは、一般に、ボート抵抗加熱や誘導加熱、電子ビーム加熱を含 む各種金属加熱技術の一つを用いて、金属をポリマー層上に蒸着することにより 形成される。続いて、有機半導体が、非金属化マージン上にコーティングまたは 蒸着される。あるいは、金属または金属酸化物の半導体が、マージン上に蒸着ま たはプラズマ溶着されてもよい。 図１０、１１および１２は、本発明の他の望ましい実施態様を示している。図 １０に示すように、中間層１９が金属層２２と誘電体フイルム１８との間に形成 されてもよい。該中間層１９は、第１の金属（たとえば、アルミニウム）を誘電 体フイルム１８の全幅にわたって蒸着することによって形成される。この中間層 は、非金属化マージン部で層厚さがより小さくなるようにマスクを用いて蒸着さ れる。そして、第２の金属層２２（たとえば、亜鉛）が、マージン部２３以外の 部分の中間層１９上に蒸着され、マージン部２３では中間層１９が暴露される。 続いて、この中間層の暴露域が酸化されて半導電性層２４（たとえば、Ａｌ₂Ｏ₃ ）が生成される。たとえば、中間層にアルミニウムが使用されると、層２４部 分にアルミニウム酸化物が形成される。 あるいは、図１１に示すように、中間層１９を第２の金属を施す前に酸化して 、半導電性層２４が誘電体フイルム１８と金属層２２との間でフイルムの全幅に わたって延びるようにしてもよい。 図１１の中間層は、耐熱性と半導電性の両特性を有する。この耐熱特性は、下 層の誘電体フイルムを蒸発金属により生じた熱から断熱することにより、セルフ クリアリングプロセスを促進し、それによって蒸発を速め、誘電体フイルムが炭 化する傾向を抑える。その結果、欠陥が、実質的により少ないエネルギー消費に よって取り除かれる。この層の半導電特性は、電界放射として知られている現象 を低減することにより、誘電体の欠陥の頻度を低減できるという、さらなる利点 を与える。この現象は、作動中に電子がフイルムを横切って移動するもので、誘 電体の欠陥の頻度を増加させる傾向をもつ。 さらに、図１２に示す態様では、まず金属層２２が非金属化マージン２３の部 分以外のポリマーフイルム１８の全面にわたって蒸着される。続いて、非常に薄 い金属膜または高融点を有する金属酸化物半導体２４がその金属層の上に全面に あるいは部分的に蒸着される。ポリマーフイルム上に、たとえば、電子ビーム加 熱やスパッタリング法により、金属と半導体層の両方を蒸着するには、同じ蒸着 機を用いることができる。 図１３に金属化フイルム製造方法の一例を示すが、まず、真空蒸着機１０２内 においてロール１００からポリマーフイルム１８が第２のロール１０４上へと巻 き出される。そして、抵抗加熱されたボート１０６からのＡｌが、蒸着速度が制 御されながら、ポリマーフイルムの全幅にわたって蒸着される。次に、Ｚｎるつ ぼ１０８からのＺｎが、蒸着速度が制御されながら、Ｚｎ−Ａｌ合金層２２を形 成すべくフイルム全幅にわたって蒸着される。この合金層の厚さは、Ｚｎるつぼ に設置されたマスクを使用することにより調整される。たとえば、図１４に示す ように、合金層は、マージン部２３では薄いままとし、端部溶着部により良好に 接触するように端縁部２０では厚く形成される。 次に、酸化装置１１２が、酸素、オゾンあるいは低温プラズマ中でのグロー放 電により生成された酸素ガスプラズマによって、上記合金層を酸化する。該酸化 により、図１５に示すように、金属層上に半導電性薄膜２４が形成される。続い て、金属化フイルム１６、１７はロール１１４上に連続的に巻き上げられる。 続いて、該金属化フイルムは、Ｘ−Ｘ’、Ｙ−Ｙ’、Ｚ−Ｚ’でスリットされ て２つの部分（ａ）、（ｂ）に形成される。これら（ａ）、（ｂ）部分は、互い に幅方向に僅かにずらして重ねられ、コンデンサ素子を形成すべく巻回される。 続いて、該コンデンサ素子の端部に金属が溶着され、熱処理、導線取り付け、ケ ース挿入、油含浸、封入を経て、従来法によりコンデンサが作成される。 さらに別の態様として、図１３、１６および１７に示すように、ポリマーフイ ルム１８は、まずロール１００から巻き出され、Ａｌ酸化物半導電性層２４で被 覆される。これは、蒸着機１０２内に酸素を供給しながらフイルム１８上にボー ト１０６からのＡｌを蒸着することによって達成される。続いて、ポリマーフイ ルムが蒸着機から取り出され、再度ロール１００上にセットされ、油蒸発装置１ ５０下に引き出される。該油蒸発装置は、マージン２３部において半導体層上に 油層を蒸着する。しかる後、ＺｎがＺｎるつぼ１０８から半導体層上に蒸着され る。この油層は、Ｚｎがマージン部に蒸着されるのを防止している。続いて、金 属化フイルムは２つの部分（ａ）、（ｂ）に切断され、上述の方法でコンデンサ へと組み立てられる。 以下の請求の範囲内における他の実施態様もある。たとえば、中間層は、低結 晶密度ポリプロピレン上のアクリレート層からなるものであってもよい。さらに 中間層を追加することもできる。巻回型コンデンサ素子が示されているが（以下 の請求の範囲は巻回素子に関するが）、該請求の範囲は、巻回型とともに（金属 化フイルムのシートが積層される）積層型コンデンサ素子も含むことを意図して いる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，Ｕ Ｇ)，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 ヒューディス，マーチン アメリカ合衆国 02739 マサチューセッ ツ州 マッタポイセット，ローラレーン ７ (72)発明者 古胡 守 滋賀県守山市古高町381−６ (72)発明者 畑田 研司 滋賀県栗太郡栗東町霊仙寺758

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．誘電体フイルムと、 該誘電体フイルム上に蒸着され、該誘電体フイルムの欠陥発生に対しセルフヒ ーリング性を有すべく十分に薄い第１の金属層と、 前記誘電体フイルムに沿って延びる非金属化マージンと、 該非金属化マージンを横断して延び、該マージン横断方向の抵抗路を形成する 半導電性層と、 を有するコンデンサ用金属化フイルム。 ２．少なくとも２枚の金属化フイルムを用いて構成された巻回型コンデンサ素子 を有し、各金属化フイルムは、 誘電体フイルムと、 該誘電体フイルム上に蒸着され、該誘電体フイルムの欠陥発生に対しセルフヒ ーリング性を有すべく十分に薄い第１の金属層と、 前記誘電体フイルムに沿って延び、前記２枚のフイルム上において互いに反対 側の端縁に配置された非金属化マージンと、 該非金属化マージンを横断して延び、該マージン横断方向の抵抗路を形成し、 それによってコンデンサ内に並列抵抗路を形成する半導電性層と、 を有する金属化フイルムコンデンサ。 ３．前記半導電性層が１０⁶Ω−ｃｍ〜１０¹⁴Ω−ｃｍの範囲にある表面固有抵 抗を有する、請求項１または請求項２に記載の発明。 ４．前記半導電性層が１０⁸Ω−ｃｍ〜１０¹²Ω−ｃｍの範囲にある表面固有抵 抗を有する、請求項３に記載の発明。 ５．前記半導電性層が亜鉛酸化物、銅酸化物、セレニウム酸化物およびカーボン からなる群より選ばれた材質からなる、請求項１または請求項２に記載の発明。 ６．前記第１の金属層の厚みが変化している、請求項１または請求項２に記載の 発明。 ７．前記第１の金属層が、その長手方向に延びる端縁でより厚い、請求項６に記 載の発明。 ８．前記半導電性層が前記第１の金属層上まで延びている、請求項１または請求 項２に記載の発明。 ９．前記半導電性層が前記第１の金属層の全面を覆っている、請求項８に記載の 発明。 １０．前記半導電性層が前記誘電体フイルムと第１の金属層間に延びている、請 求項１または請求項２に記載の発明。 １１．前記半導電性層が前記誘電体フイルムの全面にわたって蒸着され、前記第 １の金属層が前記半導電性層上の前記非金属化マージン以外の部分に蒸着されて いる、請求項１または請求項２に記載の発明。 １２．前記非金属化マージンが、前記誘電体フイルムの長手方向に延びる端縁に 沿って延びている、請求項１または請求項２に記載の発明。 １３．前記半導電性層が、前記第１の金属層の下側に延びることなく、該第１の 金属層の一端縁に突き合わされている、請求項１または請求項２に記載の発明。 １４．前記半導電性層が、前記第１の金属層に用いられるのと同じ酸化物からな る、請求項１または請求項２に記載の発明。 １５．前記半導電性層が、前記第１の金属層が前記誘電体フイルム上に蒸着され た後に、該第１の金属層の一部を酸化することによって形成されている、請求項 １４に記載の発明。 １６．さらに、前記第１の金属層と前記誘電体フイルムとの間に蒸着され前記非 金属化マージンへと延びる第２の金属層を有し、該第２の金属層が非金属化マー ジンの領域で前記半導電性層を形成するために酸化されている、請求項１または 請求項２に記載の発明。 １７．前記金属層の主金属化領域が１００〜５００オングストロームの厚さに形 成されている、請求項１または請求項２に記載の発明。 １８．誘電体フイルムと、 該誘電体フイルム上に蒸着され、該誘電体フイルムの欠陥発生に対しセルフヒ ーリング性を有すべく十分に薄い第１の金属層と、 前記誘電体フイルムに沿って延びる非金属化マージンと、 前記第１の金属層と前記誘電体フイルムとの間に介装され、該金属層の下側に 実質的に全領域にわたって延び、前記誘電体フイルムをクリアリング中に前記第 １の金属層に発生する熱から断熱するように材質が選択された耐熱層と、 を有するコンデンサ用金属化フイルム。 １９．少なくとも２枚の金属化フイルムを用いて構成された巻回型コンデンサ素 子を有し、各金属化フイルムは、 誘電体フイルムと、 該誘電体フイルム上に蒸着され、該誘電体フイルムの欠陥発生に対しセルフヒ ーリング性を有すべく十分に薄い第１の金属層と、 前記誘電体フイルムに沿って延び、前記２枚のフイルム上において互いに反対 側の端縁に配置された非金属化マージンと、 前記第１の金属層と前記誘電体フイルムとの間に介装され、該金属層の下側に 実質的に全領域にわたって延び、前記誘電体フイルムをクリアリング中に前記第 １の金属層に発生する熱から断熱するように材質が選択された耐熱層と、 を有する金属化フイルムコンデンサ。 ２０．前記耐熱層が、前記第１の金属層と前記誘電体フイルムとの間の領域にお いて、前記誘電体フイルムの欠陥の頻度を低減させるような半導電性を有する、 請求項１８または請求項１９に記載の発明。 ２１．前記耐熱・半導電性層が非金属化マージンへと延びている、請求項２０に 記載の発明。 ２２．前記耐熱層が１０⁶Ω−ｃｍ〜１０¹⁴Ω−ｃｍの範囲にある表面固有抵抗 を有する、請求項１８または請求項１９に記載の発明。 ２３．前記耐熱層が１０⁸Ω−ｃｍ〜１０¹²Ω−ｃｍの範囲にある表面固有抵抗 を有する、請求項２２に記載の発明。 ２４．前記耐熱層が亜鉛酸化物、銅酸化物、セレニウム酸化物およびカーボンか らなる群より選ばれた材質からなる、請求項１８または請求項１９に記載の発明 。 ２５．前記第１の金属層の厚みが変化している、請求項１８または請求項１９に 記載の発明。 ２６．前記第１の金属層が、その長手方向に延びる端縁でより厚い、請求項２５ に記載の発明。 ２７．前記非金属化マージンが、前記誘電体フイルムの長手方向に延びる端縁に 沿って延びている、請求項１８または請求項１９に記載の発明。 ２８．前記耐熱・半導電性層が、前記非金属化マージンを横断して延び、該マー ジン横断方向の抵抗路を形成している、請求項２０に記載の発明。 ２９．前記耐熱・半導電性層が、実質的に前記誘電体フイルムの全領域を横断し て延びている、請求項２０に記載の発明。 ３０．前記半導電性層が、実質的に前記非金属化マージンの全領域を横断して延 びている、請求項１または請求項２に記載の発明。