JPH11509652A - 能動マトリックス液晶表示装置 - Google Patents

能動マトリックス液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 関連の切換手段(25)を有するとともに行アドレスライン及び列アドレスライン(14,16)のセットを通じて行方向に順次アドレス指定されるLC画像素子(12)のアレイを有する能動マトリックス表示装置は、その駆動回路中にデータ信号調整回路(40)を有し、このデータ信号調整回路は、列ライン(16)に供給する前にデータ信号を調整して、画像素子アレイの漂遊容量性結合が原因のクロストークの垂直及び水平形態の予期される影響を補償する。画像素子データ信号に対する訂正値は、同一行及び一つ又は両方の隣接列の他の画像素子に対する次のフィールド周期全体に亘る意図したデータ信号の値及び関連の容量性結合係数に従って調整回路(40)で取り出される。表示装置を、TFT,TFDを用いるタイプの表示装置又はプラズマアドレス指定表示装置とすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 能動マトリックス液晶表示装置 本発明は、切換手段を結合した液晶表示素子の行を具える画像素子の行列アレ イと、前記画像素子の行列にそれぞれ結合した行アドレスライン及び列アドレス ラインのセットと、データ信号を前記列アドレスラインに供給するとともに前記 行アドレスラインを走査して、前記画像素子の各行を順次選択し、関連の列アド レスラインに供給されるデータ信号に従って選択した行の表示素子を駆動する駆 動回路とを有する能動マトリックス表示装置に関するものである。 上記種類の表示装置は十分既知である。通常、このような表示装置に用いられ る切換手段は、TFT(薄膜トランジスタ)を具える。TFTタイプの表示装置 の一例は、米国特許出願明細書第4845482号に記載されている。このよう な表示装置において、行アドレスライン及び列アドレスラインのセットを、表示 素子電極及びアドレスラインのセット間の各交差部に隣接するTFTとともに二 つの離間した基板のうちの一方に支持し、それに対して他方の基板は共通電極を 支持する。各TFTを、その関連の表示素子電極並びに各行アドレスライン及び 列アドレスラインに接続する。行アドレスライン及び列アドレスラインに接続し た駆動回路は、選択信号を各行ラインに順に供給するとともに、データ信号を列 ラインに供給し、これによって、選択した行の表示素子を、各切換装置を通じて 、関連の列ラインのデータ信号の値に依存ずるレベルまで充電して、要求される 表示出力の発生させる。画像素子の行は、1フィールド周期全体に亘って表示画 像が確立されるように各行アドレス周期中に順次個別に駆動され、この際、画像 素子は、連続的なフィールド周期中同様にして繰り返しアドレス指定される。こ のような表示装置は、データグラフ表示又はビデオ画像に好適であり、この際、 データ信号は、入力ビデオ、例えば、TV信号をサンプリングすることによって 取り出される。 これら表示装置の問題は、列アドレスラインと当該列ラインに関連する表示素 子の表示素子電極との間の各画像素子回路の寄生すなわち漂遊容量性の影響によ って生じるとともにソース端子及びドレイン端子を列ライン及び表示素子電極に それぞれ接続したTFTの自己キャパシタンスの結果としての垂直クロストーク である。このようなキャパシタンスの結果、選択の際に列ライン上に存在すると ともに列ラインに関連した画像素子を駆動する際に用いるためのデータ電圧信号 を、垂直クロストークが生じるとともに絶縁したと仮定した表示素子の出力に悪 影響を及ぼす列の選択されていない画像素子に結合する。この垂直クロストーク を、同一行の他の表示素子に対するデータ信号に応答して所定の表示素子のRM S電圧に依存するものと考えることができる。このようなクロストークの問題は 米国特許出願明細書第4845482号に記載されており、これには、標準的な 行アドレス周期より短い時間中ゲーティング信号を行ラインに供給し、周期の残 りの時間中に補償信号を列ラインに供給することによって影響を減少させる方法 が記載されており、補償信号は全データ信号の一部となり、その結果、当該デー タ信号の結果として列ラインに接続した他の画像素子に生じた任意のクロストー クを減少させる。しかしながら、行アドレス周期が短縮されるので、表示素子を 通常より短い時間で充電する必要があり、これは、より高いゲーティング電圧を 用いる必要があり、したがって、TFTに対するエージングの増大及び比較的高 い電圧の行駆動回路の必要を含む多数の不都合を有する。これによってゲーティ ング信号が低下するので、行ラインの抵抗も更に著しくなる。 垂直クロストークの影響の程度は、表示装置を駆動する方法に依存する。フィ ールド反転を用いる場合、この影響は相当なものとなるおそれがある。フリッカ ーを除去するためにライン反転駆動形態を用いることによって、この影響をある 程度軽減することができ、この際、列ラインに供給されるデータ信号は行ごとに 反転され、その結果、結合された列電圧は、交互に正の値及び負の値を交互に有 するようになり、これによって、全体に亘って結合されたRMS電圧は零に近づ くとともに垂直クロストークの量を減少させる。しかしながら、デルタカラーフ ィルタパターンを用いるカラー表示装置で単一ライン反転を用いる際に問題が生 じ、この場合、各列ラインは、二つの色のみを有する画像素子に接続される。こ の場合、赤のような原色の大領域に対するデータ信号は、フィールド反転を有す る平坦な黒又は白領域に対するものと同一であり、多量のクロストークが発生す るおそれがある。また、コンピュータデータグラフ表示において、あるビデオパ ターンの性質は反転手順を相殺するおそれがあり、これによって垂直クロストー クは一層顕著になる。 国際特許出願公開明細書第96/16393号には、上記種類の能動マトリッ クス表示装置が記載されており、この場合、駆動回路は、表示素子とこれに関連 する列アドレスラインとの間の容量性結合が原因の表示パネルの垂直クロストー クの影響を補償するデータ信号調整回路を有し、この調整回路は、データ信号が 供給される入力部を有し、画像素子が次にアドレス指定されるまで周期中に当該 画像素子と同一の列アドレスラインに接続した他の画像素子に対するデータ信号 から取り出されるクロストーク補償値に従う画像素子に対する入力データ信号を 調整し、この際、調整されたデータ信号を、画像素子を駆動するに当たり列アド レスラインに供給する。したがって、単に列アドレスラインのデータ信号が原因 の垂直クロストークの量を減少させることを試みるよりは、列結合現象を通じた 垂直クロストークの影響を、画像素子に対するデータ信号が原因の予測される列 結合を許容することができるようにデータ信号がこれら画像素子に供給される前 に画像素子の列に対するデータ信号を変更し、その結果、これらデータ信号を適 切な画像素子に供給した後、個々の画像素子の垂直クロストークの影響によって 、ほぼ意図された正確な電圧を有する表示素子となり、その結果、このような調 整前にデータ信号の値によって決定されるような意図した出力に近くなる出力を 発生させる表示素子となる。調整回路は、実際、このようなクロストークが原因 のRMS表示素子電圧の誤差を予測し、予測した誤差とほぼ同一の大きさで符号 が逆のデータ信号を発生させることによって調整を行う。この技術を用いると、 画像素子アドレス周期は減少されず、したがって、アドレス周期の減少を必要と する上記アプローチによって生じる問題は回避される。それは、他の重大な利点 も提供する。従来、垂直クロストークの結果は、画像素子サイズに制限を課して いた。例えば、高密度アレイを提供するために画像素子サイズを減少させると、 列結合係数が増大し、垂直クロストークは悪化する。既知の方法はクロストーク を十分減少させることができないという制限がある。しかしながら、この技術を 用いると、このような画像素子サイズの制限を克服することができる。 本発明の目的は、クロストークが原因の不所望な表示の影響を減少させること ができる更に向上した能動マトリックス表示装置を提供することである。 本発明によれば、冒頭で説明した種類の能動マトリックス表示装置は、前記駆 動回路は、クロストーク補償値に従って前記列アドレスラインに供給される前に 入力データ信号を調整するとともに前記表示素子に対する漂遊容量性結合が原因 のクロストークの影響を補償するために前記表示素子を駆動するのに用いるため に調整したデータ信号を前記列アドレスに供給するデータ信号調整回路を有し、 この調整回路を、当該画像素子が存在する画像素子の列に関連する前記列アドレ スライン及び画像素子の隣接する列に関連する列アドレスラインのうちの少なく とも一つに対して画像素子を選択するまでの周期中に供給するように意図したデ ータ信号から画像素子に対するクロストーク補償値を取り出すために配置したこ とを特徴とするものである。 この表示装置を用いると、予測される垂直クロストークの影響が考慮されるだ けでなく、表示素子と画像素子の隣接する列を駆動するために用いられる列ライ ンの一方又は両方との間の不所望な結合が原因のクロストークの水平形態も考慮 される。TFTを用いるような能動マトリックス表示装置において、行アドレス ライン及び列アドレスラインのセットを、表示素子電極の隣接する行間のギャッ プ及び隣接する列間のギャップに延在するように、TFT及び表示素子電極とと もに一つのプレート上に配置する。その結果、所定の列の画像素子に対して、表 示素子電極及び列アドレスラインの物理的なレイアウトによって、表示素子電極 と画像素子に関連する列アドレスラインの次の列アドレスラインとの間に容量性 結合が生じる。この隣接する列アドレスラインに対するデータ信号及び関連の列 アドレスラインのデータ信号を考慮することによって、関連の列アドレスライン のデータ信号の影響に加えて、これらデータ信号の予測される影響は、調整回路 で計算されるとともに両列アドレスラインからの予測される影響を無効にするた めに所定の画像素子に対するデータ信号を調整するために用いられる補償値で併 合される。その結果、クロストークの影響は更に減少される。 所定の種類の表示用途に対して、上記列アドレス導体に関連する全てでない一 部の画像素子に対するデータ信号の値によってデータ信号を補償することによっ て十分な向上を得ることかできるが、好適には、データ信号の変更を、最適な結 果を得るためにこれらアドレスラインに関連する他のほぼ全ての画像素子に対す るデータ信号を考慮する。本発明の結果としてのクロストークの減少は、考慮さ れる列導体に供給すべき複数のデータ信号の電圧とともにほぼ線形的に変動する ために理解することができる。 大抵の表示状況で有効に補償を行うために、入力データ信号に行う調整を、好 適には、同一列の他の画像素子及び当該入力データ信号による特定の画像素子の アドレス指定に続くフィールド周期中に隣接する列の少なくとも一つの対応する 画像素子に対する入力データ信号の値によって行う。したがって、好適な実施の 形態において、入力データ信号を、1フィールド周期中に調整回路の記憶装置に 保持し、その後、同一列及び当該フィールド周期中に記憶装置に保持された隣接 する一つ以上の列の画像素子に対する入力データ信号の値から決定された補償値 によって調整する。関連の入力データ信号による画像素子のアドレス指定の前の これら他の画像素子に対する、供給されるビデオ信号によって決定されるような 実際のデータ信号を知る必要があるので、記憶装置が必要とされる。この際、補 償値を導き出す際に用いられる意図されたデータ信号は、使用すべき供給された ビデオ信号による実際のデータ信号となる。実際には、フィールド記憶装置を用 いてデータ信号を保持する。 所定の状況、特に、静止画像すなわち静止部を含む画像を原則的に表示するた めに表示装置を大幅に用いる場合、より簡単なアプローチが可能である。したが って、他の実施の形態において、データ信号調整回路は、直前のフィールド周期 中にデータ信号入力の値から導き出されるクロストーク補償値によって入力デー タ信号を調整する。したがって、補償値を誘導する際に用いられる意図したデー タ信号は、同一及び隣接する列の他の画像素子に対する実際の入力データ信号で なく、仮定されたデータ信号であり、例えばフィールド反転の場合に符号の変化 が用いられることを除いて次のフィールド周期のデータ信号が静止画像に対して 同一であるということに基づいて予測される。換言すれば、実際の、将来のデー タ信号電圧を、単に現在のデータ信号電圧の逆であると仮定することができる。 現在のデータ信号電圧を用いて、将来のデータ信号電圧を予測することができる 。 この場合、フィールド記憶装置を設ける必要がなくなる。当然、データ信号予測 は、相違する表示画像を提供するために入力データ信号を変化させる場合には不 正確である。しかしながら、データ信号調整前の二つの表示画像感のこのような 変化の影響を、気付くことのできないような二つのフィールドに制限することが できる。しかしながら、好適には、連続的な動作を表示すべき状況に適応するた めに、データ信号調整回路を配置して、連続的なフィールド中の列に対する入力 データ信号に依存する値を比較するとともに、連続的なフィールド中の値が予め 決定された量相違する場合に列に対する入力データ信号の調整を中止する。した がって、入力データ信号を用いて、クロストーク補償に対して調整することなく 関連の列の画像素子をアドレス指定することができる。この際にクロストークの 影響が存在しても、不正確な、予測されるデータ信号に基づく調整が連続的であ る場合に生じる影響に比べて目に見えにくい。 好適には、データ信号を、同一又は一つ以上の隣接する列アドレスラインに接 続した他の画像素子に対するデータ信号によって決定された補償係数、意図した 表示素子電圧、及び画像素子回路に対する容量性結合係数によってほぼ調整する 。結合係数は、例えば、表示素子キャパシタンス及び表示素子とアドレスライン との間の漂遊キャパシタンスに依存する。連続的なフィールドがフィールドブラ ンキング間隔によって分離される供給されたビデオ、例えば、TV信号から導き 出されたデータ信号の場合、ブランキング間隔はフィールド周期の顕著な部分と なるおそれがあるので、調整されたデータ信号の誘導を考慮する。 TFTタイプの表示装置の場合、補償値を、好適には、関連の画像素子と同一 列の画像素子に対するデータ信号及び関連のアドレスラインが当該画像素子に沿 って延在する隣接する列の画像素子に対するデータ信号によって導き出す。 切換手段としてTFTを用いる表示装置に加えて、本発明を、表示素子の行に 対する有効な切換手段としてプラズマチャネルを用いるプラズマアドレス指定表 示装置(PALC表示装置)にも同様に適用することができる。この場合、画像 素子に対するクロストーク補償値を、好適には、関連の画像素子と同一列の画像 素子に対するデータ信号及び隣接する二つの列、すなわち、当該列の両側の画像 素子に対するデータ信号によって誘導することができる。本発明を、切換手段が 薄膜ダイオードのような2端子の非線形切換装置を具える能動マトリックス表示 装置に適用することもできる。他のタイプの表示装置において、例えば、2端子 切換装置を用いる表示装置に関連する上記国際特許出願公開明細書第96/16 393号に記載された、列ラインに関連した表示素子に対する列ライン上に存在 するデータ信号の結合が原因でクロストークが発生するおそれがある。しかしな がら、それに加えて、表示タイプの形態に依存する中間キャパシタンスを通じて 直接的に又は間接的に表示素子と隣接する列ラインとの間の漂遊容量性結合の結 果表示素子に関連する隣接する列ラインのデータ信号が原因で、水平タイプのク ロストークが生じるおそれがある。したがって、本発明を、これら結合が原因の 不所望なクロストークの大きさを有効に減少させるのに用いることができる。 本発明による能動マトリックス表示装置の実施の形態を、添付図面を参照して 例示して説明する。図面中、 図1は、本発明による能動マトリックス表示装置の簡単化した線形ブロック図 である。 図2は、表示装置の第1の実施の形態の代表的な画像素子の回路を示す。 図3は、表示装置の第1の実施の形態の画像素子アレイの一部の物理的なレイ アウトを線形的に示す。 図4は、第1の実施の形態の代表的な素子の等価回路である。 図5及び6は、表示装置の第1の実施の形態の駆動回路に用いられる訂正回路 の他の形態の一部の回路形態を線図的に示す。 図7は、訂正回路の動作を線形的に示す。 図8は、表示装置の第2の実施の形態の表示パネルの一部を線形的な断面図で ある。 図9は、表示装置の第2の実施の形態の画像素子の代表的なグループの等価回 路を示す。 図10及び11は、表示装置の第2の実施の形態の駆動回路で用いられる訂正 回路の他の形態の一部の回路形態を線図的に示す。 図面中、同一又は同様な部材に同一参照符号を付すものと理解されたい。 図1を参照すると、ビデオ表示用、例えば、TV、画像又はグラフ情報表示用 の能動マトリックス表示装置は、液晶表示パネル10を具え、この液晶表示パネ ル10は、n行m列の行列アレイを画像素子12を有し、その各々を、導体14 及び16を具える行アドレスライン及び列アドレスラインのセット間の各交差部 に隣接して配置し、これら導体14及び16に対して、駆動信号を行駆動回路2 0及び列駆動回路21から供給する。パネル10を、既知の種類のものとし、画 像素子に対する切換装置としてTFTを用いるタイプとする。図2は、パネルの 代表的な画像素子の回路形態を示す。TFT25のゲートを行アドレス導体14 に接続し、そのソース端子及びドレイン端子を、アドレス導体16及び表示素子 30の電極にそれぞれ接続する。パネルの導体14及び16のセット、TFT並 びに表示素子電極の全てを、パネルの、例えば、ガラス製の第1透明基板上に支 持し、この基板を第2透明基板から離間し、これら基板間に液晶材料、例えば、 捩じれネマチックLC材料を配置する。第2基板上に支持された連続的な透明電 極の各部分は、表示素子の第2電極を構成し、これによって、各表示素子30は 、LC材料を挟んだ離間電極の対から成る。同一行の全ての画像素子を、行アド レス導体14のセットの一つにそれぞれ接続し、同一列の全ての画像素子を、列 アドレス導体16のセットの一つにそれぞれ接続する。これら基板は、通常の方 法で外側表面及び内側表面上に、偏光層、LC配向層及び保護層をそれぞれ支持 する。 表示装置の行駆動回路20及び列駆動回路21も、それぞれ通常の種類のもの とする。行駆動回路20、例えば、デジタルシフトレジスタ回路は、列導体14 を周期的に走査し、選択信号を各行アドレス周期中に各行導体に順次供給する。 この動作は、同期分離回路27からの同期信号が供給されるタイミング及び制御 回路22からのタイミング信号によって制御され、タイミング信号は、入力部2 8に供給される入力ビデオ、例えば、TV信号から得られる。列駆動回路21は 、一つ以上のシフトレジスタ/サンプル−ホールド回路を具え、そのシフトレジ スタ/サンプル−ホールド回路に対して、供給されたビデオ信号から得られるデ ータ(ビデオ情報)信号が、ビデオ信号処理回路24から供給される。回路21 は、タイミング及び制御回路22の制御下でこれら信号をサンプルするように作 動し、このタイミング及び制御回路22は、列走査に対して同期をとって、パネ ルのアドレス指定時に行に対して適切な並列変換を順次行う。各行ライン導体1 4を、選択信号を用いて走査するので、画像素子の関連の列のTFT25をター ンオンして、その行の表示素子30を、関連の列ライン導体16の各々に存在す るデータ信号のレベルに従って、所望の表示素子電圧まで充電する。表示素子電 圧はデータ信号電圧に比例する。選択信号が終了すると、画像素子のTFTはタ ーンオフし、これによって、表示素子は、これらが次のフィールド周期でアドレ ス指定されるまで表示素子を列導体から絶縁する。パネルの表示素子の各行をこ のようにアドレス指定して、表示画像をフィールド周期中に確立し、その動作を 、連続的なフィールド周期中に繰り返して、一連の表示画像フィールドを発生さ せる。例えば、TV表示の場合、表示素子の各行に、TVライン周期又はそれ以 下に対応する選択信号の持続時間を有するTVラインの画像情報、データを設け て、半解像度のPAL規格に対して、TV表示は64μsのライン周期を有し、 各行アドレス導体に、20msの間隔で選択信号を供給する。 LC材料の電気機械的な低下を回避するために、駆動信号の極性を、例えば、 各フィールドの後に周期的に反転させる(フィールド反転)。極反転を、通常ラ イン(行)反転及び二重ライン(行)反転と称する1行ごと又は2行ごとに実行 して、フリッカの影響を低減させることもできる。 以上説明したように、動作中、各列アドレス導体16が、一連のデータ信号電 圧レベルからなる電圧波形を搬送し、データ信号電圧レベルの各々が、列導体に 接続した画像素子の列の画像素子の各々に対するものであることは明らかである 。理想的には、列の各表示素子は、その関連の列導体を選択したときにアクセス され、表示サイクルの残りに対しては電気的に絶縁された状態である。しかしな がら、列導体電圧波形を隣接する表示素子に結合する漂遊容量が存在し、この結 合によってクロストークが生じる。この結合は、表示素子電圧、したがって選択 されていない表示素子の伝播に悪影響を及ぼす。表示解像度を増大させることに よって、漂遊結合容量がより顕著になるので、悪影響がより顕著になる。TFT タイプの表示装置において、不所望な結合の主要な原因は、列アドレス導体と表 示素子電極との間の漂遊容量である。図3は、表示装置の能動基板上の素子に対 する代表的な物理的なレイアウトを線形的に示す。表示素子電極35をTFT2 5 のドレインに接続し、TFT25のソースを、列アドレス導体16、この場合導 体dに接続し、この導体を通じてデータ信号が電極に供給される。この列導体は 、電極35の一方の側に沿って近接するように続き、画像素子の隣接する列に対 する列導体であるd+1列導体は、その反対の側に近接するように延在する。行 アドレス導体g及びg+1は、電極の各々の上端及び下端に沿って延在する。記 憶キャパシタ36は、表示素子に並列して本例の画像素子回路に有効に含まれる 。図4は、この回路形態に存在する種々のキャパシタンスを示す等価回路図であ る。Pxは、表示素子電極35を表し、CLC,Cs及びCgは、表示素子キャパ シタンス、記憶キャパシタのキャパシタンス及び電極35と行導体との間の全漂 遊キャパシタンスをそれぞれ表す。容量性結合は、表示素子電極と表示素子が配 置された二つの列導体16との間の寄生キャパシタンスCdp及びCdp’を通 じて発生する。所定の結合は、Cdpに並列なTFTのソース/ドレインキャパ シタンスに起因するが、これは比較的小さい傾向にある。列導体d及びd+1は 、図4にVCOL(c,r)で示した電圧波形として一連のデータ信号を搬送する。この 場合、c及びrは、接続した列及び行を表す。 x行目の表示素子を考察すると、次の表示フィールドの表示素子1〜x−1に 対する列電圧に続く電流フィールドの関連の表示素子x+1〜nに対する列導体 d及びd+1の電圧をx番目の表示素子に結合する。換言すれば、x行目の表示 素子のアドレス指定の後、当該表示素子としての同一列の他のn−1表示素子に 対する全てのデータ電圧信号及び当該表示素子を再びアドレス指定する前にフィ ールド周期に対応する周期中に関連の列導体d及びd+1に現れる隣接する列の 他のn−1表示素子に対する全てのデータ電圧信号を、結合する。したがって、 任意の表示素子に対して結合された列電圧は、同時刻の次のn−1表示素子に対 する列電圧に対応する列波形の一部となる。実際には、表示装置をある手段の反 転(フィールド、ライン、2重ライン)で走査しているので、結合された電圧は 、列信号の極の変化によって影響を及ぼされる。 クロストークの影響を減少させるために、表示装置は、その駆動回路に、デジ タル信号処理回路を具えるデータ信号調整回路40(図1)を有し、そのデータ 信号調整回路40は、表示素子から所望の出力を発生させるために、列導体に供 給する前に、供給されるデータ信号を調整するように動作して、このクロストー クの予測される影響を補償し、その結果、表示素子が、調整されたデータ信号を 用いて駆動される前に、クロストークがない場合に意図される表示出力に接近す る表示出力を発生させるように表示素子にクロストークの影響を及ぼすことがで きる。このために、列導体を通じて画像素子に供給するための入力ビデオ信号か らの入力データ信号の値は、画像素子が次にアドレス指定されるまで、(画像素 子の最終列は別にして、)列導体を通じて次にアドレス指定された他の画像素子 のうちの少なくとも一部に対して又は隣接する列導体によってアドレス指定され た隣接する列の画像素子に対して用いようとするビデオ信号からの入力データ信 号の値に関連して調整される。これら列導体に接続した他の画像素子に対するデ ータ信号から得られる、したがってそのデータ信号によって決定されるクロスト ーク補償値の形態で各データ信号に対して行われる調整は、容量性結合によって 生じたクロストークが原因の表示素子電圧に及ぼされる影響をほぼ補償する。 列導体d及びd+1(図3)から表示素子にそれぞれ結合される列データ信号 の比は、以下の式によって決定される。 これら結合係数F及びF’は、高解像度表示では、表示素子が小さくなるとと もに寄生キャパシタンスがCLC及びCsに対して増大するので顕著になる。 1フィールド周期に亘るRMS表示素子電圧は、ブランキングラインを含む入 力信号のビデオラインの数によって除算された各ライン周期に亘る表示素子電圧 の2乗の和の平方根にによって与えられる。したがって、以下の式を、列導体か らの容量性結合を考慮する列導体dとd+1との間に配置された列c及び行rの 表示素子のRMS電圧に対して得ることができる。 この場合、 素子(c,r)を選択する際のライン周期から1フィールド周期に亘るRMS表 示素子電圧である(包含的)。 b)Vcolを、アドレス指定後に表示素子電圧(Vpix)を決定するデータ信号の 値とする。 c)V0(c,r)=Vcol(c,r)−F.Vcol(c,r)−F.Vcol(c+1,r)及び d)Nを、ビデオフィールド中のライン数とし、0≦r≦(N−1)とする。 その結果、フィールドブランキングの影響が考慮される。ここで用いられるVcol は、共通電極電圧からの寄与を含む必要がある。 新たな電圧に対して意図した値からの表示素子電圧のシフトは、表示素子の伝 播に悪影響を及ぼす。例えば、フィールド変換中に動作し、表示装置を考慮し、 反転信号の極性は全ての行に対して同一であり、30%の伝送背景で中央の黒い 四角形を表示するのに用いられる表示装置を考慮する場合、列結合によって生じ た垂直クロストークの目に見えるアーティファクトは、背景の残りと異なる伝送 レベルを有する中央の黒い四角形の上下の表示領域となる。表示装置がフィール ド反転中に動作するので、結合された電圧が黒の方向に領域の表示要素をシフト する際に黒い中央の四角形は、より暗くなって現れるが、四角形の真下の領域は より明るくなって現れる。その理由は、(次のフィールドから)結合された電圧 は逆極性となり、したがって、その領域の表示素子電圧を他の方向にシフトする 。 このようなクロストークは、フィールド反転中に動作する表示素子上で特に顕 著である。ライン反転は、これまでの問題を減少させることができるが、表示さ れた画像の性質が、反転パターンを相殺する傾向(例えば、黒ラインが白ライン と交互に存在する。)にあるような性質である場合、クロストークは再び顕著に 見えるようになる。この種のパターンは通常、コンピュータ上で発生した画像に 見られる。上記記載は簡単なモノクロ表示に関するものである。いわゆるデルタ −ナブラカラー表示素子形態を用いるカラー表示装置は、原色のブロックを含む 表示画像中でこれら表示装置の行反転の影響が同様に相殺されるおそれがあるの で、クロストークを被害を被る。 式3を次のように展開することができる。 この場合、総和は行=r+1から行=r+N−1となる。 列駆動信号を力学的に変形して、既に説明したように表示素子上のRMS電圧 を計算することによってクロストークを無効にし、この場合、良好な近似に対し て、各表示素子上の誤差電圧に等しく符号が逆の量によって各表示素子に対する データ信号を調整することによって、クロストークを除去する。クロストークが 原因の誤差電圧は、式(3)とVpix(c,r)との間の差によって与えられる。この 訂正電圧Vcorは、 によって与えられる。 クロストークは、式 Vcol'=Vcol+Vcor (6) に従う表示素子に対するデータ信号を適切に修正することによって表示装置中で 補償される。この場合、Vcol'を、調整されたデータ信号とし、この調整された データ信号を列導体に供給する。この際、列結合が生じた後、このような結合の 影響はほとんど補償され、表示素子上の電圧は、要求される電圧に近くなり、そ の結果、表示素子から得られる表示出力は、意図したものに近づく。例えば、所 定の表示素子に対して5V rmsの電圧が要求される場合、式(3)を適用し た後、実電圧は5.2V rmsとなることが分かり、この場合、追加の0.2 V rmsは、代わりに約4.8Vを最初に表示素子に供給することによって接 続した列導体に接続された他の表示素子に対するデータ電圧の列結合が原因の結 合電圧であり、列結合の影響を大幅に除去することができ、実際のrms表示素 子電圧は、5Vの意図した値に非常に近くなる。当然、この補償は正確でなく、 この補償は、信号が過度に調整される前に二つの列の他の表示素子に対して最初 に意図したデータ信号から得られることを気に留めておくべきである。これらデ ータ信号が同様に補償される場合、列導体に供給される実データ信号レベルは、 当然、調整されたデータ信号の補償に用いられるものと異なる。正確な補償は、 静止画像及び周期的な動画に対してのみ容易となる。しかしながら、上記アプロ ーチが非常に有効であり、目に見えるクロストークの影響を除去し又は少なくと も著しく低減することができることがわかる。 他の既知のクロストーク訂正法と異なり、このアプローチは、行オン/行オフ パターンのような通常非常に相違するタイプの表示パターンを有する任意の種類 の静止画像又は動画成分を用いて有効に作用し、駆動信号に余分なタイミング要 求を課さない。表示素子上のクロストーク誤差電圧が次のフィールド周期全体に 亘るデータ信号に依存するので、信号の記憶及び処理が必要とされる。個別のク ロストーク訂正を、式(4)及び(5)を解くことによって各表示素子に対して 計算する必要がある。このために、図5に示すようなルックアップテーブル43 (LUT)を用いて訂正を計算する。この際、VDATをビデオ処理回路24か らデジタル形態で供給される入力ビデオデータとし、VDAT’を、訂正された 出力ビデオデータとし、42を訂正加算器とする。明らかに、式(4)及び(5 )を解くために、表示素子(c,r)に対する表示素子電圧Vpixを含む変数の 数の値、次のフィールド周期全体に亘って列c及びc+1に供給される列電圧の 和ΣVcol及びこれら列電圧の平方の和ΣV2 colを知る必要がある。N,F及び F’に対する適切な固定値をLUT43にプログラムする。 訂正の計算をある程度簡単にすることができる。1次F及びF’項が式(4) を支配する。高次の項は無視することができ、かつ、F=F’=F”であると仮 定すると、式(4)を簡単にして、 にすることができる。この簡単化された式に基づく訂正は完全でないが、それに もかかわらず、クロストークのレベルの影響を有効に減少させる。式(7)に基 づく訂正を、図6に図示したようなLUTを用いて実行することができる。見て わかるように、LUT43’は、この場合少数のアドレスラインを必要とする。 図5及び6の装置に関して、必要とされる和、例えば、ΣVcol及びΣV2 col を連続的な和から得ることができる。このような誘導方法を、一般に、国際特許 出願公開明細書96/16393号に記載されたようにすることができ、これに は、より詳細な方法が記載されており、適切な場合には回路を好適に変更してこ の方法を実行することができる。簡単な説明を、図7を用いて1列に対するΣVcol の誘導に関して与える。隣接する列に対するΣVcolの誘導を、同様にして行 うことができる。図7は、LUT43及び訂正加算器42を有するデータ信号調 整回路の一部を示す線形図である。連続的な和を用いて、各列に対するΣVcol 値を記憶する。ラインメモリ51は、各列に対する連続的な和を有する。同様に 、連続的な和を用いて、他に要求される和を記憶する。これら連続的な和を、次 のようにして維持する。デジタル形態の入力ビデオデータ信号をフィールド遅延 線50に供給する。これは、古い記憶が消去されると表示素子の新たな行の値が 入力するので、有効な循環フィールド記憶装置となる。列cの表示素子に対する データ信号がフィールド遅延線に入力する度に、この表示素子に対する列電圧デ ータが列c和に加算される。列c表示素子に対するデータ信号がフィールド遅延 線から現れる度に、この表示素子に対する列電圧データは、列c和から取り出さ れる。個別の和は、表示アレイの全ての列(1〜m)に対して維持される。この ようにして、所定の表示素子に対するビデオデータがフィールド遅延線から現れ るまで、次のフィールド周期に対するΣVcolは、この表示素子に対するクロス トーク訂正の計算に用いるために準備される。和ΣV2 col及び和ΣVcol(c,r). Vcol(c+1,r)は、ラインメモリに供給される前にLUTを用いてデータ信号の平 方値及び乗算値をそれぞれ発生させる点を除いて、同様に処理される。訂正され たデータ信号は、D−Aコンバータを通じて列駆動回路21に供給され、 この場合、これら信号は、サンプルされて並列変換を順次行い、適切な列導体1 6に供給されて画像素子を駆動する。 上記技術は、完全な解像度のフィールド遅延線を必要とする。しかしながら、 既に説明した力学的な訂正形態より簡単であり、かつ、フィールド遅延線を必要 としない相違するアプローチを用いることができる。表示画像が静止している場 合、1フィールド周期前の列電圧は、フィールド又はライン反転駆動が行われる と仮定すると現在の電流列電圧と符号が逆になる。したがって、列電圧が1フィ ールド周期全体に亘って零から加算される場合、この列の各表示素子に対するデ ータ信号が現在のVcolを用いることによって将来のVcolを予測するようになる ので、ΣVcolを更新することができる。したがって、連続的なΣVcol予測を、 フィールド遅延線を要求することなく行うことができる。当然、画像が変化する と、この予測は不正確になる。連続的な和、したがってクロストーク訂正も不正 確になる。画像間の突然の変化は、2フィールド上の訂正が誤りであるがそれが 非常に顕著である可能性が低いことを意味する。誤った訂正は、2フィールド周 期中にのみ存在する(60Hz表示に対して約33ms)。連続的な変化を意味 する連続的な動作を表現する際に、複雑な事態が生じる。これらの状況下で、「 誤った」訂正は、それが連続的に存在するので表示画像中に見えるようになるお それがある。このようなおそれを回避するために、特定の列に対する訂正を、各 フィールド周期の終了時のデータ信号値に依存してターンオフする。顕著に変化 しない列は、次のフィールド中に訂正を行うことができ、それに対して顕著に変 化した列を訂正から除外することができる。この種の技術も、更に詳細に説明す るためにここに開示した国際特許出願公開明細書第96/16393号に記載さ れている。 既に説明したように、上記クロストーク訂正形態は多数の顕著な利点を有する ことがわかる。例えば、行オン行オフパターンからのクロストークを、除去し又 は少なくとも著しく減少させる。全ビデオライン時間は、表示素子アドレス指定 及び充電の際に利用できる状態である。さらに、この形態は、列駆動回路のデー タ速度を増大させる必要がなく、すなわち、行又は列ドライバICを形成するよ うに変化させる。 本発明は、大きな結合係数を有する表示装置、特に小型で高解像度のTFT表 示装置に対して特に重要である。大きな容量性結合係数を有するプラズマアドレ ス指定液晶表示装置(PALC装置)のような他の種類の能動マトリックス表示 装置に対しても同様に好適に使用することができる。例えば、ここに参照するこ とによって開示した欧州特許出願公開明細書第0628944号に記載したPA LCでは、TFT表示装置に存在する個々のTFTの行を、行の長さ方向に延在 するイオン化ガスを充填したプラズマチャネルに置換する。プラズマチャネルは 、マイクロシートと称する肉薄のガラスシートによってLC層から分離される。 行を、行のチャネルにプラズマを衝突させることによってアドレス指定すること ができる。このために、列ラインを通じて供給される電圧をサンプルするととも に、行の表示素子に保持することができる。 典型的なPALC表示装置の一部の部分的な線形断面図を図8に示す。下側ガ ラス基板60に、行方向に延在するとともに電極65が延在する方向に沿った複 数の並列なガス充填チャネル62を設ける。これらチャネルは、絶縁材料のマイ クロシート64によって被覆される。透明導電材料の平行ストリップ67のセッ トを支持するとともに列ライン16を構成する第2ガラス基板66を、マイクロ シート64から離間し、これらの間に介在するスペースに、LC材料の層68を 充填する。ストリップ67が交差する領域に、チャネル62の各画像素子を規定 する。 訂正を計算するために用いられる式がある程度相違しても、上記クロストーク 形態を、このような装置に容易に適用することができる。 ホールド状態(すなわち、プラズマオフ)の際の三つの垂直方向に隣接するP ALC画像素子12の等価回路を図9に示す。この図において、LC,MS及び PCは、LC層68の厚さ、マイクロシート64及びプラズマチャネルをそれぞ れ示し、VEは仮想電極を示す。CLCを単−LC表示素子30のキャパシタンス とし、Cmを、マイクロシートキャパシタンスとし、Cswを、マイクロシートの 背面からアノード電極及びカソード電極までのプラズマチャネルのオフ状態キャ パシタンスとする。Va,cを、アノード電極及びカソード電極65をホールド周 期中に保持する電圧とする。Cssを、マイクロシートの背面上の垂直方向に隣接 する仮想電極間の側面間キャパシタンスとする。Cdを、LC層及びマイクロシ ートを通じて対角線方向に対向する電極間のキャパシタンスとする。 マイクロシートは、LCキャパシタンスCLCに直列な小キャパシタンスCmと して現れる。したがって、列ライン16に供給される任意の電圧は、CmとCLC との間で分割される。正味の影響は、CLCの両端間に現れる有効な電圧が供給さ れる列電圧の数分の1(1/α)のみであることである。これは、最高最低列電 圧範囲Vcol_ppをα倍増大させてLC表示素子CLCの要求される電圧範囲を達成 する必要があることを意味する。したがって、第1に、要求されるVcol_ppを減 少させ、第2に、全画像素子キャパシタンスCpを増大させることによって不所 望な容量性結合係数を減少させるので、大きなCm(肉薄のマイクロシート)が 好適である。しかしながら、増大したVcol_ppは、不所望な容量性結合が原因の CLCの誤差電圧に直接悪影響を及ぼさない。その理由は、結合された電圧もαに よって減少させられるからである。 所定の表示サイズ及び解像度に対して、不所望な容量性結合は、TFT表示装 置に対する場合に比べてPALC表示装置に対して顕著な影響を及ぼす。これに は複数の理由がある。マイクロシートキャパシタンスによって全体に亘る表示素 子キャパシタンスが減少し、これによって、列結合係数を増大させするとともに クロストークを悪化させる。側面間結合キャパシタンスは、PALC表示装置構 造においてより顕著になる。TFT表示装置において、ホールド状態の表示素子 は、列c及びc+1の電圧のみによって影響が及ぼされる。PALC表示装置に おいて、ホールド状態の列c表示素子は、列c−1,c及びc+1の電圧によっ て影響が及ぼされる。所定の状況において、これら三つの列から結合された電圧 を加算して、より大きな誤差電流を発生させるおそれがある。PALC表示装置 における不所望な容量性結合によって生じた主に2種類のクロストークの影響が ある。第1のものは、時々データ拡散と称される列キックバックとして既知であ る。この影響によって、表示コントラストが減少し、この影響は、関連の列ライ ン及び表示素子を選択した直後に生じる二つの隣接する列ラインの電圧の遷移の 列の所定に表示素子への容量性結合によって生じる。この特殊なクロストークの 影響を、互いに隣接する列ラインに供給されるデータ信号間の差の大きさを適切 に強調することによってある程度克服することができる。ここでは、垂直クロス トークに関連する第2の種類のクロストークの影響は、時々「前後クロストーク 」として既知である。これは、拡張した色のブロック及び所定の交互のドットパ ターンが上下に見えるシェーディングの影響を発生させる。この影響は、列cの 選択されていない表示素子に対する列ラインc−1,c及びc+1からの電圧の 不所望な容量性結合によって生じる。この影響を、上記TFT表示装置の例と同 様な形態を用いて訂正することができる。 1フィールド周期に亘って、列ラインc−1,c及びc+1からの不所望な容 量性結合の影響を考慮すると、以下の式を用いて、列cの行rの表示素子のLC 表示素子キャパシタンス(CLC)のRMS電圧を計算することができる。 この場合、 を、表示素子(c,r)が再び選択される前のラインまで表示素子(c,r)が 選択される際のライン周期からの1フィールド周期全体に亘るRMS表示素子( c,r)電圧とする(包含的)。 VLC(c,r)を、表示素子が選択される際にセットされる初期電圧とする。 Vo(c,r)=VLC(c,r)−FVcol(c,r)+F’(Vcol(c-1,r)+col(c+1,r))。 これは、列キックバックが生じた後の表示素子の電圧を付与する。 Vcol(c,r)を、行rを選択した際に列ラインcに供給される列電圧とする。1/ α=Cm/(Cm+CLC)とする。これは、CLCとCLCの両端間に現れるCmとの 間の全電圧の数分の1である。 Fを、列ラインcと表示素子(c,r)との間の結合係数とし、F’を、列ライ ンc−1又はc+1と表示素子(c,r)との間の結合係数と間の結合係数とす る。 N=ビデオフィールドの全ライン数であり、0≦r≦N−1とする。フィールド ブランキング周期中に供給される電圧はこの計算に含まれる。 式(8)を拡張して、 を与えることができる。この場合、全ての和を、行=r+1から行=r+N−1 とする。垂直クロストークが原因の誤差電圧は、誤差=式(9)によって付与さ れる。この誤差を、誤差と大きさが同一で符号が逆の訂正を(列キックバックの 影響に対する任意の調整後)表示素子電圧Voに加えにことによって除去するこ とができる。この訂正を、図5に図示したTFT表示素子に対する配置と比較す ると、図10に示したルックアップテーブルを用いて計算することができる。既 に説明したように、デジタル形態の入力ビデオデータVDATを、ルックアップ テーブルからのクロストーク訂正値とともに訂正加算器42に供給して、訂正さ れた出力ビデオデータVDAT’を得る。 各変数を表すために用いられるビット数を、ルックアップテーブルのサイズを 減少させるために最小にする必要がある。訂正ハードウェアを簡単にすることが できる他の方法は次の通りである。 「行」の全ての値に対してVcol(c-1,row)=Vcol(c1,row)=Vcol(c+1,row) である場合、隣接列ライン上の信号は同相であり、式(8)を、 と書くことができる。この場合、F”=F−2F’である。これらの状況下で、 垂直クロストークが原因の誤差電圧は最小になる。 同様に、「行」の全ての値に対して−Vcol(c-1,row)=Vcol(c1,row)=−Vcol(c+1,row) である場合、隣接する列ライン上の信号は同相でなく、式(8)を 式(10)のように書くことができるが、F”=F+2F’である。この場合、 垂直クロストークが原因の誤差電圧は最大になる。 任意の所定の画像に対して、式(10)を用いて正確なVLCmsを計算すること ができるF”の値が存在する。このF”の値は、F”=F−2F’とF”=F+ 2F’の二つの境界間のいずれかにある。所定のフィールドの位置(c,r)の 表示素子に対する理想的なF”値の良好な近似を、来るべきフィールド周期全体 (又は静止垂直クロストーク訂正形態の場合の先行するフィールド周期全体)に 亘る隣接列に供給される列電圧の和を比較することによって得ることができる。 表示を単一行反転モードで駆動すると仮定すると、以下の式を適用する。 この場合、ΣVcocoを、表示素子(c,r)が選択される際の列cに対する「列 オン列オフ」すなわち“COCO”形態とする。ΣVcoco=0のとき、隣接する 列の信号が同相であり、F”=F−2F’であると仮定することができる。ΣVcoco が最大値であるとき、隣接する列の信号が同相でなく、F”=F+2F’で ある。ΣVcocoがある中間値を有する際に用いる線形補間を用いてF”の最適値 を決定する。 したがって、式(10)及び(11)を用いて、図11に示すような著しく小 さいルックアップテーブルでRMSを計算する。ΣVcoco,ΣVcol及びΣV2 co l を、国際特許出願公開明細書の96/16393号に記載したように連続的な 和から得ることができる。 TFTを用いる表示装置及びPALC表示装置とともに、本発明を、2端子の 非線形切換装置を用いるマトリックス表示装置にも適用することができる。これ ら表示装置において、薄膜ダイオード装置TFDのような切換装置、例えば、M IMを、行アドレス導体と列アドレス導体との間の表示素子に直列接続し、行ア ドレス導体及び列アドレス導体のセットを、離間された基板上にそれぞれ支持し 、これら基板間にLC材料を配置する。ある形態において、行アドレス導体を、 一方の基板上に支持されたストリップ電極のセットとして設けるとともに、列導 体のセットを、表示素子電極の行列アレイ及びTFDとともに他方の基板上に支 持し、この際、TFDを表示素子電極と関連の列導体との間に接続し、列導体は 、表示素子電極の隣接する列間のギャップに垂直に延在する。その結果、容量性 結合が、表示素子電極と表示素子に誤差電極を発生させる表示素子の隣接する列 に関連する列アドレス導体との間に存在する。他の形態において、表示素子電極 を、行導体のセット及びTFDと同一基板上に支持し、この際、各表示素子電極 を、TFDを通じて関連の行導体に接続し、行導体は、表示素子電極の隣接する 行間のギャップ中に水平に延在する。列導体のセットを、他方の基板上に支持す るとともにストリップ電極のセットとして設け、ストリップ電極の各々は、表示 素子電極の各列を被覆する。この場合、誤差信号を、表示素子電極及び隣接する 列の表示素子電極によって形成された中間キャパシタンスを通じて表示素子に関 連して隣接する列導体からの表示素子電極に間接的に結合することができる。 両形態において、上記データ信号調整回路を用いて、このような結合が原因の 不所望なクロストークの影響をある程度減少させることができる。 上記実施の形態において、各画像素子に対する行われる調整は、関連の列の他 の全ての画像素子に対するデータ信号レベルに基づくものである。両実施の形態 及びその動作方法の性質によって、これを理想的に直接行うことができる。しか しながら、例えば、他の種類の調整回路を用いると、画像素子に対するデータ信 号電圧の調整を、画像素子のアドレス指定及びその次のアドレス指定に続く周期 中に列導体に供給しようとする全てのデータ信号より少ないデータ信号を用いて 行うことができる。他の画像素子の割合に対してデータ信号を用いることによっ て、クロストークの減少は少なくなるが、所定の状況では許容することができ、 かつ、十分な結果を与える。 調整してデータ信号を取り出すに当たり、国際特許出願公開明細書第96/1 6393号に記載されているように、データ信号を調整するのに用いられる回路 40の訂正値を発生させる際に、例えば、固有の動作又は感光特性、すなわち、 キックバックの影響が原因のTFT又はTFDの漏れ電流の影響を考慮すること ができる。 表示素子に関連する列導体及び表示素子の一つ又は両隣の列に関連する一つ以 上の隣接する列導体のデータ信号の影響が最も重要である間、直接又は間接の別 の結合が存在して、離間した列導体、すなわち、関連の表示素子に直接隣接しな い列導体のデータ信号が原因の不所望なクロストークの影響が生じる。これら別 の結合の影響がさほど重要でないように思われる間、所望の場合には回路40の 調整されたデータ信号の誘導を考慮することができる。 したがって、要約すれば、関連の切換手段を持つLC表示素子のアレイを有す る能動マトリックス表示装置を開示し、その切換手段は、行アドレスライン及び 列アドレスラインのセットを通じて行方向に順次アドレス指定し、この能動マト リックス表示装置は、駆動回路中にデータ信号調整回路を有し、このデータ信号 調整回路は、列ラインに供給する前にデータ信号を調整して、画像素子アレイの 漂遊容量性結合が原因のクロストーク垂直及び水平方向の不所望な影響を補償す る。画像素子データ信号に対する訂正値は、同一列及び一つ又は両方の隣接列の 他の画像素子に対する次のフィールド周期全体に亘って意図したデータ信号の値 及び関連の容量性結合係数に従って、調整回路中で得られる。 本開示を読むと、他の変形は当業者には明らかである。このような変形は、液 晶表示装置の分野で既に既知であるとともに既にここに開示した形態の代わりに 又はその形態に加えて用いることができる他の形態を意味する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),JP,KR

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.切換手段を結合した液晶表示素子の行を具える画像素子の行列アレイと、前 記画像素子の行列にそれぞれ結合した行アドレスライン及び列アドレスラインの セットと、データ信号を前記列アドレスラインに供給するとともに前記行アドレ スラインを走査して、前記画像素子の各行を順次選択し、関連の列アドレスライ ンに供給されるデータ信号に従って選択した行の表示素子を駆動する駆動回路と を有する能動マトリックス表示装置において、前記駆動回路は、クロストーク補 償値に従って前記列アドレスラインに供給される前に入力データ信号を調整する とともに前記表示素子に対する漂遊容量性結合が原因のクロストークの影響を補 償するために前記表示素子を駆動するのに用いるために調整したデータ信号を前 記列アドレスに供給するデータ信号調整回路を有し、この調整回路を、当該画像 素子が存在する画像素子の列に関連する前記列アドレスライン及び画像素子の隣 接する列に関連する列アドレスラインのうちの少なくとも一つに対して画像素子 を選択するまでの周期中に供給するように意図したデータ信号から画像素子に対 するクロストーク補償値を取り出すために配置したことを特徴とする能動マトリ ックス表示装置。 2.前記データ信号調整回路は、関連の列アドレスライン及び隣接する列アドレ スラインの少なくとも一つに結合した他の画像素子の少なくとも一部に対する前 記入力データ信号の値及び前記画像素子に対する容量性結合係数に従って画像素 子に対する入力データ信号の補償値を決定し、前記容量性結合係数の値は、少な くとも前記表示素子とこれら行アドレスラインとの間の漂遊キャパシタンスに依 存するようにしたことを特徴とする請求の範囲1記載の能動マトリックス表示装 置。 3.前記データ信号調整回路を、同一列のほぼ他の全ての画像素子に対するデー タ信号及び隣接する列の少なくとも一つのほぼ全ての画像素子に対するデータ信 号から画像素子データ信号に対するクロストーク補償値を取り出すように配置し たことを特徴とする請求の範囲1又は2記載の能動マトリックス表示装置。 4.前記データ信号調整回路は、入力信号がフィールド周期中に保持される記憶 装置を有し、この記憶装置からデータ信号が読み出されるとともに、そのデータ 信号は、当該フィールド周期中に前記記憶装置に保持された前記列の画像素子に 対する入力信号の値から決定されたクロストーク補償値に従って調整されるよう にしたことを特徴とする請求の範囲1から3のうちのいずれかに記載の能動マト リックス表示装置。 5.前記データ信号調整回路は、直前のフィールド周期中にデータ信号入力値か ら取り出されたクロストーク補償値に従って入力データ信号を調整するようにし たことを特徴とする請求の範囲1から3のうちのいずれかに記載の能動マトリッ クス表示装置。 6.前記データ信号調整回路を、前記列に対する入力データ信号によって決定さ れた値が連続的なフィールド周期中に予め設定された量相違する場合には、画像 素子の列に対して入力データ信号の調整を中止し、前記列に対する入力データ信 号を、調整することなく当該列の画像素子に供給するように配置したことを特徴 とする請求の範囲5記載の能動マトリックス表示装置。 7.前記切換手段は薄膜トランジスタを具え、前記クロストーク補償値を、関連 の画像素子と同一列の画像素子に対するデータ信号及び関連の列アドレスライン が当該画像素子に沿って延在する隣接する列の画像素子に対するデータ信号に従 って取り出すようにしたことを特徴とする請求の範囲1から6のうちのいずれか に記載の能動マトリックス表示装置。 8.前記表示装置を、前記切換手段がプラズマチャネルを具えるプラズマアドレ ス指定表示装置とし、画像素子に対する前記クロストーク補償値を、関連の画像 素子と同一の列の画像素子に対するデータ信号及び当該列の一方の側の隣接する 列の画像素子に対するデータ信号に従って取り出すようにしたことを特徴とする 請求の範囲1から7のうちのいずれかに記載の能動マトリックス表示装置。
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