JPH11510645A - 一軸伸張集束マスクを具えたカラー陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、内部に少なくとも１本の電子ビーム（２８）を発生する電子銃（２６）を具えた排気された外囲器（１１）を有するカラー陰極線管（１０）に関するものである。外囲器は、さらに、内表面上に螢光体ラインが形成された発光スクリーン（２２）を有するフェースプレートパネル（１２）を含んでいる。間隔が保たれた複数の第１金属ストランド（４０）を有する一軸伸張集束マスク（２５）ガスクリーン（２２）の有効画像領域に隣接して配置されている。第１金属ストランド（４０）相互間の間隔はスクリーンの螢光体ラインと実質的に平行な複数のスロット（４２）を特定している。スクリーンの有効画像領域を横切る上記第１金属ストランド（４０）の各々のスクリーンに対向する側上には実質的に連続する絶縁物層（６４）が形成されている。第２の絶縁物層（６６）が第１の絶縁物層上に重畳して形成されている。複数の第２金属ストランド（６０）が第１金属ストランドと実質的に直交する方向に配置されており、上記第２の絶縁物層によって第１金属ストランド（４０）に固定されている。第１の絶縁物層（６４）は、上記第１金属ストランド（４０）の熱膨張係数と実質的に整合しているか、あるいはこれよりも僅かに小さい熱膨張係数を有している。第２の絶縁物層（６６）は、上記第１の絶縁物層（６４）の熱膨張係数に実質的に等しい熱膨張係数を有している。

Description

【発明の詳細な説明】 一軸伸張集束マスクを具えたカラー陰極線管 産業上の利用分野 本発明はカラー陰極線管（ＣＲＴ）に関するものであり、さらに具体的に云え ば、一軸伸張集束マスク（uniaxial tension focus mask）を具えたカラーＣＲ Ｔおよびこのようなマスクを作るために使用される材料に関するものである。 発明の背景 従来のシャドウマスク形式のカラーＣＲＴは、一般に、排気された外囲器を有 し、該外囲器の内部に色の群をなして周期的な順序で配列された３つの異なる発 光色の螢光体素子を有する発光スクリーンと、該スクリーンに向けて指向された ３本の集中電子ビームを発生する手段と、上記スクリーンとビーム発生手段との 間に配置されたマスキングプレートのような色選択構体とを具えている。このマ スキングプレートはスクリーンを遮蔽するパララックスバリヤとして作用する。 入射電子ビームの集中角が異なることにより、電子ビームの通過部分により正し い発光色の螢光体素子を励起することができる。シャドウマスク形式のＣＲＴの 欠点は、スクリーンの中心部分でマスキングプレートがビーム電流の約１８〜２ ２％を除く全てを遮断する点であり、換言すれば、マスキングプレートは僅か約 １８〜２２％の透過率しかもっていない点である。従って、マスキングプレート 中の開孔の面積はマスキングプレートの面積の約１８〜２２％にすぎない。マス キングプレートに付帯する集束磁界は存在しないので、スクリーンの対応部分は 電子ビームによって励起される。 スクリーンの上記励起される部分の寸法を増大させることなく色選択電極の透 過率を大きくするためには、後段偏向集束色選択構体を必要とする。このような 構体の集束特性により大きなアパチャー開孔を採用することが可能になり、従来 のシャドウマスクを使用した場合に得られるよりも大きな電子ビーム透過率を実 現することができる。このような構体の１つが１９６４年１１月６日付けで公告 されたソニー出願の特公昭３９−２４９８１号公報に開示されている。この公告 された発明の構体では、相互に直交するリード線をこれらの交点で絶縁物によっ て固定し、電子ビームが通過する大きな窓開孔を形成している。このような構体 の１つの欠点は、交叉するリード線が絶縁物に対して僅かなシールド効果を与え 、そのため偏向された電子ビームが絶縁物に衝突し、この絶縁物を静電的に荷電 することである。静電的に荷電された絶縁物は窓開孔を通過する電子ビームの通 路に歪を与え、電子ビームと螢光体スクリーン素子との間に誤整合を生じさせる 。この構体の他の欠点は絶縁物の機械的破損により交叉した格子状リード線間で 電気的短絡が生じるという点である。上記の日本国特許公報に記載された発明の 欠点の幾つかを解消した他の色選択電極集束構体が１９８４年４月１７日リップ （Ｌｉｐｐ）氏に与えられた米国特許第4,443,499号明細書に開示されている。 米国特許第4,443,499号明細書に開示された構体は、第１の電極として複数の長 方形貫通孔を有する厚みが約０．１５mm（６ミル）のマスキングプレートを使用 している。金属製のリッジが開孔の列を分離している。金属製リッジの頂部には 適当な絶縁コーティングが施されている。絶縁コーティングの上には金属化コー ティングが施されており、マスキングプレートと金属化コーティングに適当な電 位が供給されたとき、必要な電子ビームの集束を行なう第２の電極が形成される 。この他に１９８７年３月１７日にタムタス（Ｔａｍｕｔｕｓ）氏に与えられた 米国特許第4,650,435号明細書に開示されているように、第１の電極を形成する 金属マスキングプレートの一方の表面からエッチングを行って平行な溝を形成し 、その溝に絶縁材料をデポジットして絶縁性リッジを形成するように隆起させる 。マスキングプレートを露光、現像、エッチングする一連の各工程によってさら に処理して、支持プレート上に存在する絶縁性材料のリッジ相互間に開孔を形成 する。絶縁性材料のリッジの頂部を金属化することによって第２の電極が形成さ れる。上記の２つの米国特許の発明は先の日本国特許公報記載の発明の欠点であ った間隔を保って設けられた導体間の電気的短絡の問題を解消することができる が、上記米国特許明細書に記載の発明で使用されている有孔マスキングプレート は電子ビームの透過を減少させるかなりの寸法の各交叉部材をもっている。さら にマスキングプレートは、依然として偏向された電子ビームが絶縁材料のリッジ 部に衝突し、このリッジ部を静電的に荷電するような厚みである。従って、従来 の構体の欠点をさらに解消した集束マスク構体を必要とする。このような集束マ スク構体が１９９５年７月２６日付で出願され出願係属中のノスカー（Ｒ．Ｋ ．Ｎｏｓｋｅr）氏他の米国特許出願第08/509,321号（ＲＣＡ 87639）明細書に 開示されている。この出願の明細書に開示された構成は、ＣＲＴのスクリーンの 有効画像領域を横切って延びる厚みが約０．０５１mm（２ミル）の間隔を保って 設けられた複数の第１金属ストランドを有している。第１金属ストランドの厚み にほゞ等しい厚みをもった実質的に連続する第１の絶縁物層が上記第１金属スト ランドのスクリーンに対向する側の上に配置されている。第２の絶縁物層が第１ の絶縁物層上に形成されており、これによって第１金属ストランドと実質的に直 交する複数の第２金属ストランドを第１絶縁物層に容易に固定することができる 。第２の絶縁物層は第１の絶縁物層の約半分の厚みをもっている。 発明の概要 本発明は、内部に少なくとも１本の電子ビームを発生するための電子銃を具え た排気された外囲器を有するカラー陰極線管に関するものである。外囲器内には さらに内表面上に螢光体のラインが形成された発光スクリーンを有するフェース プレートパネルが設けられている。間隔を置いて設けられた複数の第１金属スト ランドを有する一軸伸張集束マスクが、スクリーンの有効画像領域に隣接して配 置されている。第１金属ストランド相互間の間隔は、スクリーンの螢光体ライン と実質的に平行な複数のスロットを特定している。スクリーンの有効画像領域を 横切る第１の金属ストランドの各々は、そのスクリーンと対向する側に実質的に 連続する第１絶縁物層を有している。第２の絶縁物層が第１の絶縁物層上に重畳 して形成されている。複数の第２金属ストランドは第１金属ストランドと実質的 に直交する方向に配置されており、且つ上記第２の絶縁物層によって上記第１金 属ストランドに取り付けられている。第１の絶縁物層は第１金属ストランドの熱 膨張係数に実質的に等しいかあるいはこれよりも小さい熱膨張係数をもっている 。第２の絶縁物層は第１の絶縁物層の熱膨張係数と実質的に等しい熱膨張係数を もっている。 図面の簡単な説明 以下、添付の図面を参照して本発明を詳細に説明する。 図１は本発明を実施したカラーＣＲＴの一部を軸における断面で示す平面図で ある。 図２は図１のＣＲＴで使用される一軸伸張集束マスクフレーム構体の平面図で ある。 図３は図２の３−３線に沿って見たマスクフレーム構体の正面図である。 図４は図２の円４内に示す一軸伸張集束マスクの拡大部分図である。 図５は図４の５−５線に沿う一軸伸張集束マスクおよび発光スクリーンの断面 図である。 図６は図５の円６内の一軸伸張集束マスクの一部の拡大図である。 図７は図５の円７内の一軸伸張集束マスクの他の部分の拡大図である。 発明の詳細な説明 図１にはガラス外囲器１１を有するカラーＣＲＴ１０が示されており、該ガラ ス外囲器１１は長方形のファネル１５によって結合された長方形のフェースプレ ートパネル１２と管状ネック１４とを含んでいる。ファネル１５には、第１陽極 ボタン１６に接続され、これからネック１４にまで延びる内部導電性コーティン グ（図示せず）が形成されている。第１陽極ボタン１６と反対側に配置された第 ２陽極ボタン１７は導電性コーティングに接続されていない。パネル１２は円筒 状観察フェースプレート１８と、ガラスフリット２１によってファネル１５に封 着された周縁フランジすなわち側壁２０とからなっている。３色発光螢光体スク リーン２２はフェースプレート１８の内面上に保持されている。スクリーン２２ は図５に詳細に示されている線状スクリーンで、該スクリーン２２は３組をなし て配列された多数の赤発光螢光体ラインＲ、緑発光螢光体ラインＧ、および青発 光螢光体ラインＢを含み、各３組は３色の各々の螢光体ラインを含んでいる。吸 光性マトリックス２３が螢光体ラインを分離していることが望ましい。スクリー ン２２上にアルミニウムの薄い導電層２４が形成されていることが好ましく、該 導電層２４は螢光体素子から発光された光を観察用フェースプレート１８を通し て反射させると同時にスクリーン２２に一様な第１陽極電位を与える手段として 作用する。多数の開孔が形成された円筒状色選択電極すなわち一軸伸張集束マス ク２５が、スクリーン２２と所定の間隔を保ってパネル１２内に通常の手段によ って取外し可能に取付けられている。図１には点線で概略的に示した電子銃２６ がネック１４内に中心を合わせて取付けられており、該電子銃２６は３本のイン ライン電子ビーム２８、すなわち中心ビームと２本の側部すなわち外側ビームを 発生し、これらの電子ビームをマスク２５を経てスクリーン２２に向かう集中路 に沿って指向させる。ビーム２８のインラインの方向は紙面に対して垂直の方向 である。 図１のＣＲＴは、ファネルとネックとの接合部近くに示すヨーク３０のような 外部磁界偏向ヨークと共に使用されるように設計されている。ヨーク３０が付勢 されると、該ヨークは３本の電子ビームに磁界を作用させ、スクリーン２２上に 長方形のラスタを形成するように上記電子ビームを水平方向および垂直方向に走 査させる。一軸伸張集束マスク２５は、図２に示されている約０．０５mm（２ミ ル）の厚みの金属の薄い長方形のシートで作られており、２つの長辺３２、３４ と２つの短辺３６、３８をもっている。マスク２５の２つの長辺３２、３４はＣ ＲＴの中心の長軸Ｘと平行であり、２つの短辺３６、３８はＣＲＴの中心の短軸 Ｙと平行である。 マスク２５は、該マスク２５の周辺を特定する図２の中央部の点線内にあり、 スクリーン２２の有効画像領域に隣接し且つそれと重なり合う開孔部分をもって いる。図４に示すように、一軸伸張集束マスク２５は複数の細長い第１金属スト ランド４０を有し、各金属ストランド４０はその横方向の寸法すなわち幅が約０ ．３mm（１２ミル）で、実質的に等しい間隔のスロット４２によって分離されて いる。各スロットの幅は約０．５５mm（２１．５ミル）で、各スロットはＣＲＴ の単軸Ｙおよびスクリーン２２の螢光体ラインと平行である。対角線方向の寸法 が６８cm（２７Ｖ）のカラーＣＲＴでは、約６００本の第１金属ストランド４０ が存在する。各スロット４２はマスクの長辺３２から図４には示されていない他 方の長辺３４にまで伸延している。マスク２５のフレーム４４は図１乃至図３に 示されており、２本のトーション（torsion）チューブすなわち湾曲部材４６、 ４８、２本の張力アームすなわち直線状部材５０、５２からなる４個の主要部材 を具備している。２本の湾曲部材４６および４８は互に平行であり、また長軸Ｘ と平行である。図３に示すように各直線状部材５０および５２は２個の重なりあ った部品、すなわち部材５４および５６を有し、これらの各部材５４、５６はＬ 字状断面を有している。重なりあった部材５４、５６は、互に重なりあった部分 で溶接されている。部材５４および５６の各端部は湾曲部材４６および４８の一 方の端部に取り付けられている。湾曲部材４６および４８の曲率は一軸集束マス ク２５の円筒状曲率に整合している。一軸伸張集束マスク２５の長辺３２、３４ は、当該マスクに必要な張力を与える２個の湾曲部材４６、４８間で溶接されて いる。マスク２５をフレーム４４に溶接する前にマスク材料は、窒素および酸素 の制御された雰囲気中で約５００℃で１時間加熱され、その間にマスク材料に張 力を加えることによりプレストレスが与えられ且つ黒色化される。フレーム４４ とマスク材料が互に溶接により結合されると、一軸伸張集束マスク構体が構成さ れる。 図４および図５を参照すると、各々が約０．０２５mm（１ミル）の直径をもっ た複数の第２金属ストランド６０が第１金属ストランド４０と実質的に直交して 配置されており、両者は第１金属ストランド４０の各々のスクリーンに対向する 側に形成された絶縁物６２によって一定の間隔に保たれている。第２金属ストラ ンド６０は、マスク２５に対して第２の陽極電位、すなわち集束電位を容易に供 給することができる交叉部材を構成している。第２金属ストランド６０として好 ましい材料はペンシルベニア州 リーディング（Ｒｅａｄｉｎｇ，ＰＡ）にある カーペンター テクノロジー（Carpenter Technology）から市販されているＨｙ Ｍｕ８０ワイヤーである。隣接する第２ストランド６０相互間の垂直方向の間隔 すなわちピッチは約０．４１mm（１６ミル）である。マスキングプレートの電子 ビーム透過率を大幅に低下させるかなりの寸法をもった従来技術で述べられてい る交叉部材と違って、比較的薄い上記第２金属ストランド６０はその電子ビーム の透過率に悪影響を与えることなく本発明による一軸伸張集束マスク２５に対し て主たる集束機能を与えることができる。ここで説明されている一軸伸張集束マ スク２５はスクリーンの中心部で約６０％のマスク透過率を実現することができ 、第２金属ストランド６０に供給される第２の陽極電圧すなわち集束電圧ΔＶは 、約３０ｋＶの第１の陽極電圧に対して約１ｋＶ以下の電圧だけ上記第１金属ス トランド４０に供給される第１の陽極電圧と異なっている必要がある。 図４および図５に示されている絶縁物６２は、第１金属ストランド４０の各々 のスクリーンに対向する側の上に実質的に連続して配置されている。第２金属ス トランド６０を第１金属ストランド４０から電気的に絶縁するために、上記第２ 金属ストランド６０は絶縁物６２に結合されている。図６に示されているように 、絶縁物６２の各々は少なくとも２層に形成されている。第１の絶縁物層６４は マスク２５の材料に整合した熱膨張係数と収縮特性をもった適当な材料で形成さ れる。さらに第１の絶縁物層６４に使用される材料は比較的低い融解温度をもつ 必要があり、これによってこの第１の絶縁物層は約４５０℃乃至５００℃の温度 範囲で流動し、焼成され、マスクのストランドに接着することができる。しかし ながら、絶縁物の材料は、約４５０℃乃至５００℃に上げられた温度で行われる ＣＲＴのフェースプレートパネル１２をファネル１５にフリット封着する期間中 安定でなければならない。さらに第１の絶縁物層６４は４０００Ｖ／mm（１００ Ｖ／ミル）以上の絶縁破壊強度と、１０¹³Ω−cm以上の体積電気抵抗率と、１０¹³ Ω／□以上の表面電気抵抗率をもつものでなければならない。第１の絶縁物層 ６４はまた十分な機械的強度と弾性係数をもっており、しかも処理および動作期 間中のガス放出が低くなければならない。さらにこの第１の絶縁物層６４はＣＲ Ｔの発光環境において長期にわたって上記の機能上の諸特性を保持していなけら ばならない。 第２の絶縁物層６６は化学的、電気的、さらに機械的に第１の絶縁物層６４と 適合するものでなければならない。第２の絶縁物層６６は良好な流動特性をもち 、フェースプレートパネル１２をファネル１５にフリット封着する間安定してお り、また第２金属ストランド６０に良好に接着するものである必要がある。第２ の絶縁物層６６はまた下にある第１の絶縁物層６４中のあらゆる欠陥を封止する 。２種の絶縁物層６４および６６についてのみ説明したが、互に適合し且つ下の 第１金属ストランド４０と適合するものである限り、必要に応じてさらに別の層 を使用し得ることは明らかである。 マスク２５用として適した材料には、１２０〜１６０×１０^-7／℃の範囲の熱 膨張係数（ＣＯＥ）をもった高熱膨張、低炭素鋼、４０〜６０×１０^-7／℃の範 囲の熱膨張係数をもった鉄−コバルト−ニッケル合金、例えばコバール（ＫＯＶ ＡＲ（登録商標））のような中熱膨張合金、および１５〜３０×１０^-7／℃の範 囲の熱膨張係数をもった鉄−ニッケル合金、例えばアンバー（ＩＮＶＡＲ（登録 商標））のような低熱膨張合金が含まれる。 第１の絶縁物層６４を形成するために使用される良好な電気的特性をもった適 当な材料が次の表Ｉにリストアップされている。 表Ｉにリストアップされたガラス質（vitreous）および失透化（devitrifying ）ソルダー（solder）ガラスを除いて他の材料系は前述の５００℃の範囲外の公 称処理温度をもっているが、これらの材料系は表Ｉの最後の備考欄に略述した方 法で第１の絶縁物層として使用するために適用することができる。失透化ソルダ ーガラスは特定の温度で溶解して相当に高い結晶含有量をもった絶縁物を形成し 、また同じ温度あるいはそれ以下の温度で再溶解しないものである。一方、ガラ ス質ソルダーガラスは結晶ガラス絶縁物を形成しない。 表Ｉに示したソルダーガラスと組み合わせて使用できる充填材が次の表IIにリ ストアップされている。 上記の３つの金属膨張の範囲に対して適合した膨張絶縁物を合成する好ましい 方法が表IIIに概説されている。 マスク２４の第１金属ストランド４０に適用するための表Ｉに示す絶縁物に対 する処理方法は絶縁物の選択に依存する。絶縁物適用パラメータの幾つかの例が 表IVに示されている。 例Ｉ 一軸伸張集束マスク２５を作る好ましい方法によれば、絶縁性の失透化ソルダ ーガラスの第１のコーティングを第１金属ストランド４０のスクリーンに対向す る側に例えばスプレーすることによって形成する。この例では第１金属ストラン ドは、１２０〜１６０×１０^-7／℃の範囲の熱膨張係数をもった高熱膨張、低炭 素鋼で形成される。失透化ソルダーガラスは表IIIでＰＺＢとして例示されてい るＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃系か、あるいは表IIIでＰＺＢＳとして例示されてい るＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂のいずれでもよい。各ガラス系は構成物中 の重量％で表わされる構成成分に基づいて約７５〜１２０×１０^-7／℃の熱膨張 係数ををもっている。適当な溶剤およびアクリル系バインダーが失透化ソルダー ガラスと混合されて、第１のコーティングに適度の機械的強度をもたせている。 ソルダーガラス系は第１金属ストランド４０の高熱膨張鋼の熱膨張係数よりも僅 かに小さい熱膨張係数をもっているので、ソルダーガラス系に如何なる充填材も 加える必要はないが、ガラスと鋼の熱膨張係数をより正確に適合させるために充 填材、石英、クリストバライトおよび蛍石の１あるいはそれ以上を加えてもよい 。充填材、石英、および／または蛍石を加えることが望ましい場合は、失透化ソ ルダーガラスの構成成分の最大４０重量％となるように加えられ、またクリスト ラバイトを加えることが望ましい場合は、失透化ソルダーガラスの構成成分の１ ０重量％以下となるように加えられる。残余の構成成分はＰＺＢあるいはＰＺＢ Ｓのいずれかからなる。第１のコーティングは約０．１４mmの厚みをもっている 。第１金属ストランド４０が取付けられたフレーム４４は炉内に置かれて、第１ のコーティングを約８０℃の温度で乾燥させる。スロット４２を通過した電子ビ ームが絶縁物に衝突してこれを荷電するのを防止するために、乾燥後第１のコー ティングは輪郭付けされる。ストランド４０の端部からはみ出して、偏向あるい は非偏向のいずれかの電子ビーム２８と接触する可能性のある第１のコーティン グのソルダーガラス材料をすべて研磨するか、あるいは取り除くことによって第 １のコーティングに関して輪郭付けが行われる。第１のコーティングをその封着 温度に加熱する前に、ここでは第１金属端部ストランド１４０と称される最初と 最後の金属ストランド、すなわち左右両端の第１金属ストランドから第１のコー ティングがすべて取り除かれる。有効画像領域の外側にある第１金属端部ストラ ンド１４０はその後第２金属ストランド６０をアドレスするためのバスバーとし て使用される。一軸伸張集束マスク２５の電気的に完全な状態をさらに保証する ために、第１金属端部ストランド１４０とスクリーンの有効画像領域と重なり合 う第１金属ストランド４０との間で少なくとも１本の第１金属ストランド４０を さらに除去して、回路に短絡が生じる可能性を最少にしている。従って、有効画 像領域の外にある左右の第１金属端部ストランド１４０は有効画像領域と重なり 合う第１金属ストランド４０から少なくとも１．４mm（５５ミル）の距離だけ離 れており、これは画像領域を横切る第１金属ストランド４０を分離する等しい間 隔のスロット４２の幅よりも大である。 第１金属ストランド４０と第１金属端部ストランド１４０とが取付けられたフ レーム４４（以下ではこれを構体と称す）は炉内に配置され、空気中で加熱され る。この構体を３０分かけて３００℃に加熱し、２０分間３００℃に維持する。 次いで、２０分かけて炉の温度を４６０℃に上昇させ、その温度で１時間保持し 、第１コーティングを溶解し、結晶化して図６に示すように第１金属ストランド ４０上に第１絶縁物層６４を形成する。焼成後の生成された第１の絶縁物層６４ は安定しており、フェースプレートパネル１２をファネル１５にフリット封着す る間に再溶解することはなく、且つ各ストランド４０を横切って０．５mm（２ミ ル）乃至０．９mm（３．５ミル）の範囲の厚みをもっている。第１コーティング 用として好ましい材料は４００℃乃至４５０℃の範囲で溶解する鉛−亜鉛−珪硼 酸失透化ソルダーガラスで、これはオハイオ州トレドにあるセムコム（ＳＥＭ− ＣＯＭ）社、ニューヨーク州コーニングにあるコーニンググラス（Ｃｏｒｎｉｎ ｇ Ｇｒａｓｓ）社を含む数多くのガラス製造業者からＳＣＣ−１１として市販 されている。 次に、溶剤およびバインダーと混合された適当な絶縁性材料の第２のコーティ ングが第１の絶縁物層６４上に例えばスプレーによって施される。第２のコーテ ィングは、ＰｂＯを８０重量％、ＺｎＯを５重量％、Ｂ₂Ｏ₃を１４重量％、Ｓｎ Ｏ₂を０．７５重量％、さらに随時ＣｏＯを０．２５重量％の各組成物を含む非 失透化（すなわちガラス質）ソルダーガラスであることが望ましい。ガラス質材 料は溶解すると第１の絶縁物層６４の電気的および機械的特性に悪影響を与える ことなく該第１の絶縁物層６４の表面のすべての空隙を充填するので第２のコー ティング用として好ましいものである。また、ガラス質材料は下層の第１絶縁物 層の温度安定性を変化させることはない。上記の代わりに第２のコーティングを 形成するために失透化ソルダーガラスを使用することもできる。この第２のコー ティングは約０．０２５mm（１ミル）乃至約０．０５mm（２ミル）の厚みに施さ れる。第２のコーティングは８０℃の温度で乾燥され、電子ビーム２８が衝突す る可能性のある過剰材料をすべて取り除くためにその輪郭付けが行われる。第２ のコーティングは約１１０×１０^-7／℃の熱膨張係数を有し、石英および／また は蛍石を最大４０重量％含み、またクリストバライトを１０重量％以下、すなわ ち第１のコーティングに加えられる充填材と同じ濃度の充填材を含む。 例II この第２の例では、第１金属ストランドは、熱膨張係数が１５〜３０×１０^-7 ／℃の範囲のアンバー（ＩＮＶＡＲ（商品名））のような低熱膨張の鉄−ニッケ ル合金で形成される。この材料の熱膨張の様子は、１００℃の温度までは約１５ ×１０^-7／℃の低い熱膨張係数を維持するが、１６０℃から２７１℃で熱膨張係 数を増加させる磁気的相変化により、この温度範囲で熱膨張係数が３０×１０^-7 ／℃に増加する屈曲点が存在する。鉄−ニッケルストランド４０と共に使用され る失透化ソルダーガラスは上述のＰＺＢあるいはＰＺＢＳ系のいずれかでよい。 各ガラス系はその構成物の構成成分により約７５〜１２０×１０^-7／℃の熱膨張 係数をもっているので、上記ガラスの熱膨張係数は鉄−ニッケルストランド材料 のそれよりも僅かに小さいか、あるいは実質的に等しい値に減少されなければな らない。これは、ベータ−ユークリプタイト（Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆）、チタン酸 アルミニウム（ＡｌＴｉＯ₅）、ガラス質シリカ（ＳｉＯ₂）、あるいはベータ− スポジューメン（Ｌｉ₂Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂）のような低熱膨張充填材をＰＺＢある いはＰＺＢＳ母材に最大４０重量％含ませることによって実現される。さらに鉄 −ニッケル合金の熱膨張係数の屈曲点を補償するために最大５重量％のクリスト バライトが加えられる。クリストバライトは２２５℃までは１２５×１０^-7／℃ の熱膨張係数をもち、３５０℃までは５００×１０^-7／℃の熱膨脹係数をもって いる。合成混合物に少量のクリストバライトを加えることにより、鉄−ニッケル 合金と第１のソルダーガラスコーティングとの熱膨張係数を整合させることがで きる。第１のコーティングに中程度の機械的強度を与えるために、適当な溶剤と アクリル系バインダーを失透化ソルダーガラスに混合する。残余の構成物はＰＺ ＢあるいはＰＺＢＳのいずれかからなる。第１のコーティングは約０．１４mmの 厚みをもっている。第１金属ストランド４０が取付けられたフレーム４４は炉内 に置かれて、第１コーティングを約８０℃の温度で乾燥される。乾燥後第１のコ ーティングが第１金属ストランド４０によって遮蔽されるようにその輪郭付けが 行われて、スロット４２を通過した電子ビーム２８が絶縁物に衝突し、これを荷 電するのを防止する。第１の例で説明したように、ストランド４０の端部からは み出して、偏向あるいは非偏向電子ビーム２８が接触する第１コーティングのソ ルダーガラス材料をすべて研磨あるいは取り除くことによって上記の輪郭付けが 行われる。第１のコーティングをその封着温度に加熱する前に最初と最後の第１ 金属ストランド、すなわち第１金属端部ストランド１４０から第１のコーティン グをすべて取り除く。有効画像領域の外にある第１金属端部ストランド１４０は 、その後第２金属ストランド６０をアドレスするためのバスバーとして使 用される。一軸伸張集束マスクの電気的完全性をさらに保証するために、第１金 属端部ストランド１４０とスクリーンの有効画像領域と重畳する第１金属ストラ ンド４０間でさらに少なくとも１本の第１金属ストランド４０を除去することに より、回路の短絡が生ずる可能性を最少にしている。従って、有効画像領域の外 側にある左右の第１金属端部ストランド１４０は、有効画像領域と重畳する第１ 金属ストランド４０から少なくとも１．４mm（５５ミル）の距離だけ隔たってお り、この距離は有効画像領域を横切って形成された第１金属ストランド４０を分 離する等しい間隔のスロット４２の幅よりも大である。 第１金属ストランド４０とフレーム４４に取付けられた端部ストランド１４０ を具備した上記フレーム４４は炉内に置かれて空気中で加熱される。この構体は ３０分かけて３００℃の温度に加熱され、さらに３０分間３００℃の温度に保た れる。次いで、炉の温度は２０分間で４６０℃に高められ、１時間その温度に保 たれて第１コーティングを溶融させ且つ結晶化して、図６に示すように第１金属 ストランド４０上に第１の絶縁物層６４を形成する。焼成後、生成された第１の 絶縁物層６４は、各ストランド４０を横切って０．５mm（２ミル）乃至０．９mm （３．５ミル）の範囲の厚みを持っている。 次に、溶剤およびバインダーと混合された適当な絶縁性材料の第２のコーティ ングが第１の絶縁物層６４に例えばスプレーによって施される。第２のコーティ ングは、ＰｂＯを８０重量％、ＺｎＯを５重量％、Ｂ₂Ｏ₃を１４重量％、ＳｎＯ₂ を０．７５重量％、さらに随時ＣｏＯを０．２５重量％の各組成物を含む非失 透化（すなわちガラス質）ソルダーガラスであることが望ましい。これ以外に失 透化ソルダーガラスを第２のコーティングを形成するために使用することもでき る。第２のコーティングは約０．０２５mm（１ミル）乃至０．０５mm（２ミル） の厚みに施される。第２のコーティングは８０℃の温度で乾燥され、前述のよう に電子ビーム２８が衝突する可能性がある過剰材料をすべて取り除くために、輪 郭付けされる。第２のコーティングは約１５〜３０×１０^-7／℃の熱膨張係数を 有し、ベータ−ユークリプタイト（Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆）、チタン酸アルミニウ ム（ＡｌＴｉＯ₅）、ガラス質シリカ（ＳｉＯ₂）、あるいはベータ−スポジュー メン（Ｌｉ₂Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂）のような低熱膨張充填材を最大４０重量 ％、クリストバライトを最大５重量％、すなわち第１のコーティングに加えられ る充填材の濃度と同じ濃度含んでいる。 例III この第３の例では、第１金属ストランド４０は、熱膨張係数が４０〜６０×１ ０^-7／℃の範囲のコバール（ＫＯＶＡＲ（商品名））のような熱膨張が中程度の 鉄−コバルト−ニッケル合金で形成される。中熱膨張の合金ストランド４０と共 に使用される失透化ソルダーガラスは上述のＰＺＢあるいはＰＺＢＳ系のいずれ でもよい。各ガラス系はその構成物中の構成成分により約７５〜１２０×１０^-7 ／℃の熱膨張係数をもっているので、上記ガラスの熱膨張係数は中熱膨張の合金 ストランド材料のそれに実質的に等しい値に低下されなければならない。これは 、ベータ−ユークリプタイト（Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆）、チタン酸アルミニウム（ ＡｌＴｉＯ₅）、ガラス質シリカ（ＳｉＯ₂）、ベータ−スポジューメン（Ｌｉ₂ Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂）のような低熱膨張充填材からなる群から選ばれた適当な充填材 、およびＺｎ₂ＳｉＯ₄、Ｍｇ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈、ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、ＺｎＡｌ₂ Ｏ₄、ＢＮ、Ａｌ₆Ｓｉ₂Ｏ₁₃、ＣａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₁₈、ＭｇＳｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃ 、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄およびＣａＳｉＯ₃からなる中熱膨張充填材の群から 選ばれた適当な充填材をＰＺＢあるいはＰＺＢＳ母材に約４０重量％含ませるこ とによって実現できる。適当な溶剤およびアクリル系バインダーが失透化ソルダ ーガラス組成物と混合されて、第１のコーティングに中程度の機械的強度をもた せる。残余の構成成分はＰＺＢあるいはＰＺＢＳのいずれかからなる。第１のコ ーティングは約０．１４mmの厚みをもっている。第１金属ストランド４０が取付 けられるフレーム４４は炉内に置かれて、第１のコーティングを約８０℃の温度 で乾燥させる。乾燥後、スロット４２を通過した電子ビームが絶縁物に衝突して これを荷電するのを防止するために、第１のコーティングが第１金属ストランド ４０によって遮蔽されるように輪郭付けされる。この輪郭付けは、第１の例で述 べたように、ストランド４０の端部からはみ出して、偏向あるいは非偏向のいず れかの電子ビーム２８と接触する可能性のある第１のコーティングのソルダーガ ラス材料をすべて研磨するか、あるいは取り除くことによって行われる。第１の コーティングをその封着温度に加熱する前に、最初お よび最後の第１金属ストランドすなわち第１金属端部ストランド１４０から第１ のコーティングが完全に取り除かれる。有効画像領域の外側にある第１金属端部 ストランド１４０はその後第２金属ストランド６０をアドレスするためのバスバ ーとして使用される。一軸伸張集束マスク２５の電気的に完全な状態をさらに保 証するために、第１金属端部ストランド１４０とスクリーンの有効画像領域と重 なり合う第１金属ストランド４０との間で少なくとも１本の第１金属ストランド ４０をさらに除去して、回路に短絡が生じる可能性を最少にしている。従って、 有効画像領域の外にある左右の第１金属端部ストランド１４０は有効画像領域と 重なり合う第１金属ストランド４０から少なくとも１．４mm（５５ミル）の距離 だけ離れており、これは有効画像領域を横切る第１金属ストランド４０を分離す る等しい間隔のストット４２の幅よりも大である。 第１金属ストランド４０と第１金属端部ストランド１４０とが取付けられたフ レーム４４からなる構体は炉内に配置され、空気中で加熱される。この構体を３ ０分かけて３００℃に加熱し、２０分間３００℃に維持される。次いで、２０分 かけて炉の温度を４６０℃に上昇させ、その温度で１時間維持し、第１コーティ ングを溶解し、結晶化して図６に示すように第１金属ストランド４０上に第１の 絶縁物層６４を形成する。焼成後の生成された第１の絶縁物層６４は各ストラン ド４０を横切って０．５mm（２ミル）乃至０．９mm（３．５ミル）の範囲の厚み をもっている。 次に、溶剤およびバインダーと混合された適当な絶縁性材料の第２のコーティ ングが第１の絶縁物層６４上に例えばスプレーによって施される。第２のコーテ ィングは、ＰｂＯを８０重量％、ＺｎＯを５重量％、Ｂ₂Ｏ₃を１４重量％、Ｓｎ Ｏ₂を０．７５重量％、さらに随時ＣｏＯを０．２５重量％の組成物を含む非失 透化（すなわちガラス質）ソルダーガラスであることが望ましい。上記の代わり に第２のコーティングを形成するために失透化ソルダーガラスを使用することも できる。この第２のコーティングは約０．０２５mm（１ミル）乃至約０．０５mm （２ミル）の厚さに施される。前述のように、第２のコーティングは８０℃の温 度で乾燥され、電子ビーム２８が衝突する可能性のある過剰材料をすべて取り除 くためにその輪郭付けが行われる。第２のコーティングは約４０〜６０×１０^-7 ／℃の熱膨張係数を有し、低熱膨張充填材Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆、ＡｌＴｉＯ₅、 ガラス質ＳｉＯ₂、およびＬｉ₂Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂からなる群から選ばれた適当な充 填材、およびＺｎ₂ＳｉＯ₄、Ｍｇ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈、ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、ＺｎＡ ｌ₂Ｏ₄、ＢＮ、Ａｌ₆Ｓｉ₂Ｏ₁₃、ＣａＡｌ₂Ｓｉ₂ＯＭｇＳｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、 Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄およびＣａＳｉＯ₃からなる中熱膨張充填材の群から選 ばれた適当な充填材を約４０重量％含ませることにより実現できる。 表IIIにリストアップされている従来のガラス系、従来のガラス−セラミック 系、従来のセラミックス、被着された薄膜、これらの系の合成物のような別の材 料系もまたマスク２５の金属ストランド４０用として適した絶縁物コーティング として使用することができる。これらの材料系を準備し、デポジットし、パター ニングし、定着すなわち焼結あるいは加熱処理を行なう方法は表IIIに概略的に 説明されており、当業者であればこれらの材料から絶縁物コーティングを形成で きることは明らかである。 図４、図５および図７に示すように、導電性にするために銀を含む失透化ソル ダーガラスの厚いコーティングが上記左右の第１金属端部ストランド１４０のス クリーンに対向する側に形成される。短い長さのニッケル線で作られた導電性リ ード線６５が第１金属端部ストランドの１つの上の導電性ソルダーガラスに埋め 込まれる。次いで、第１の絶縁物層６４上に重ねて形成された乾燥され且つ輪郭 付けされた第２のコーティングを有する構体は、これに設けられた第２金属スト ランド６０を具備し、それによって第２金属ストランド６０は絶縁材料の第２の コーティング上に重畳して配置され、第１金属ストランド４０と実質的に直交し ている。第２金属ストランド６０は図示されていない巻線取付け具を使用して、 隣接する第２金属ストランド６０との間で約０．４１mmの所望の間隔を正確に保 って取り付けられる。第２金属ストランド６０もまた第１金属端部ストランド１ ４０上の導電性ソルダーガラスと接触している。この他に、巻線取付け作業期間 中あるいは巻線取付け作業後に第２金属ストランド６０と第１金属端部ストラン ド１４０との間の結合部に導電性ソルダーガラスを適用することもできる。次に 巻線取付け具を含む構体を約７時間４６０℃の温度で加熱して導電性ソルダーガ ラスならびに絶縁性材料の第２のコーティングを溶解させ、第２金属ストランド ６０を第２の絶縁物層６６中およびガラス導電層６８の双方に取付ける。封着後 の第２の絶縁物層６６は、約０．０１３mm（０．５ミル）乃至０．０２５mm（１ ミル）の厚みをもっている。ガラス導電層６８の高さはそれほど厳密なものでは ないが、第２金属ストランド６０および導電性リード線６５をその中にしっかり と固定するのに十分な厚みをもっている必要がある。ガラス導電層６８を越えて 延びる第２金属ストランド６０の部分は、構体を巻線取付け具から取り除くため に切り取られる。 図４に示されているように、第１金属ストランド１４０は、マスク２５の長辺 すなわち頂部３２に隣接する端部において切断される。同様にストランド１４０ は、図４には示されていないマスク２５の長辺すなわち底部に隣接して切断され 、両者の間に第１金属端部ストランド１４０を電気的に絶縁する約０．４mm（１ ５ミル）の間隙が形成される。第１金属端部ストランド１４０は、ガラス導電層 ６８に埋め込まれた導電性リード線６５が第２の陽極ボタン１７に接続されたと き、第２陽極電圧が第２金属ストランド６０に供給されるようにするバスバーを 形成している。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，Ｉ Ｌ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ 【要約の続き】 １金属ストランド（４０）の熱膨張係数と実質的に整合 しているか、あるいはこれよりも僅かに小さい熱膨張係 数を有している。第２の絶縁物層（６６）は、上記第１ の絶縁物層（６４）の熱膨張係数に実質的に等しい熱膨 張係数を有している。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．内部に少なくとも１本の電子ビーム（２８）を発生する電子銃（２６）と、 内表面上に螢光体ラインが形成された発光スクリーン（２２）を有するフェース プレートパネル（１２）と、一軸伸張集束マスク（２５）とを具備した排気され た外囲器（１１）を含み、 上記一軸伸張マスク（２５）は、上記スクリーン（２２）の有効画像領域に隣 接し且つ上記螢光体ラインと実質的に平行な複数のスロット（４２）を特定する 間隔が保たれた複数の第１金属ストランド（４０）と、該第１金属ストレンドと 実質的に直交する方向に配置された第２金属ストランド（６０）とを有し、 上記有効画像領域を横切る上記第１金属ストランド（４０）の各々は、そのス クリーンに対向する側上に実質的に連続する絶縁物（６２）を有し、該絶縁物（ ６２）は２以上の絶縁物層（６４、６６）を含み、 上記第２金属ストランド（６０）は上記絶縁物（６２）に固定されており、 上記絶縁物（６２）は、上記第１金属ストランド（４０）の熱膨張係数と実質 的に整合しているか、あるいはこれよりも僅かに小さい熱膨張係数を有する第１ の絶縁物層（６４）と、該第１の絶縁物層の熱膨張係数に実質的に等しい熱膨張 係数を有する第２の絶縁物層（６６）とからなる、 カラー陰極線管（１０）。 ２．内部に３本の電子ビーム（２８）を発生する電子銃（２６）と、内表面上に 螢光体ラインが形成された発光スクリーン（２２）を有するフェースプレートパ ネル（２５）と、上記スクリーンに近接して配置された一軸伸張集束マスク（１ ２）とを有する排気された外囲器（１０）を含み、 上記一軸伸張集束マスク（２５）は２つの長辺（３２、３４）を有し、その長 辺（３２、３４）間に伸延して横方向に間隔が保たれた複数の第１金属ストラン ド（４０）が設けられており、 隣接する第１金属ストランド相互間の間隔は上記スクリーンの上記螢光体ライ ンに平行な実質的に等しい間隔のスロット（４２）を特定し、 上記マスクの上記長辺は、２つの長辺と２つの短辺を有する実質的に長方形の フレーム（４４）に固定されており、 上記スクリーンの有効画像領域を横切る上記第１金属ストランドの各々は、そ のスクリーンと対向する側上に実質的に連続する第１の絶縁物層（６４）と、該 第１の絶縁物層上に重畳して形成された第２の絶縁物層（６６）と、上記第１金 属ストランド（４０）と実質的に直行する方向に配置された複数の第２金属スト ランド（６０）とを有し、 上記第２金属ストランド（６０）は上記第２の絶縁物層（６６）によって固定 されており、 上記第１の絶縁物層（６４）は上記第１金属ストランド（４０）の熱膨張係数 と実質的に整合しているか るいはこれよりも僅かに小さい熱膨張係数を有し、 上記第２の絶縁物層（６６）は上記第１の絶縁物層（６４）の熱膨張係数に実 質的に等しい熱膨張係数を有する、 カラー陰極線管（１０）。 ３．上記第１金属ストランド（４０）は、１５〜１６０×１０^-7／℃の範囲の熱 膨張係数を有する、請求項２記載のカラー陰極線管（１０）。 ４．上記第１の絶縁物層（６４）は、０〜１４０×１０^-7／℃の範囲の熱膨張係 数を有する、請求項２記載のカラー陰極線管（１０）。 ５．上記第１金属ストランド（４０）は、１２０〜１６０×１０^-7／℃の範囲の 熱膨張係数を有する低炭素鋼からなる、請求項２記載のカラー陰極線管（１０） 。 ６．上記第１の絶縁物層（６４）は７５〜１２０×１０^-7／℃の範囲の熱膨張係 数を有する失透化ソルダーガラス母材からなり、該母材は、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂ Ｏ₃およびＰｂＯ−ＺｎＰ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂からなる群から選ばれたものであ る、請求項５記載のカラー陰極線管（１０）。 ７．上記第１の絶縁物層（６４）は、上記失透化ソルダーガラス母材と、クリス トバライト、蛍石、石英からなる群から選ばれた充填材とを含む合成材料からな り、上記クリストバライトは最大１０重量％含まれ、上記蛍石と石英の少なくと も一方は４０重量％含まれ、上記失透化ソルダーガラス母材は上記合成材料の残 りを占める、請求項６記載のカラー陰極線管（１０）。 ８．上記第１金属ストランド（４０）は、１５〜３０×１０^-7／℃の範囲の熱膨 張係数を有する低熱膨張鉄−ニッケル合金からなる、請求項２記載のカラー陰極 線管（１０）。 ９．上記第１の絶縁物層（６４）は、７５〜１２０×１０^-7／℃の範囲の熱膨張 係数を有する失透化ソルダーガラス母材からなり、該母材は、ＰｂＯ−ＺｎＯ− Ｂ₂Ｏ₃およびＰｂＯ−ＺｎＰ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂からなる群から選ばれたもので あり、少なくとも２つの充填材は熱膨張係数を１０〜２５×１０^-7／℃の範囲に 引下げ、上記充填材の一方は低い熱膨張係数を有し、他方の充填材は、上記鉄− ニッケル合金が磁気転移による屈曲点を呈する温度で生ずる屈曲点をもつ高熱膨 張係数を有するものである、請求項８記載のカラー陰極線管（１０）。 １０．低熱膨張係数を有する上記充填材は、Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆、ＡｌＴｉＯ₅、 ガラス質ＳｉＯ₂、およびＬｉ₂Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂から選択され、高熱膨張係数を有 する上記充填材はクリストバライトからなる、請求項９記載のカラー陰極線管（ １０）。 １１．低熱膨張係数を有する上記充填材は上記合成材料中の最大４０重量％を占 め、上記クリストバライトは最大５重量％を占め、残りを上記失透化ソルダーガ ラスが占める、請求項１０記載のカラー陰極線管（１０）。 １２．上記第１金属ストランド（４０）は４０〜６０×１０^-7／℃の範囲の熱膨 張係数を有する中熱膨張合金からなる、請求項２記載のカラー陰極線管（１０） 。 １３．上記第１の絶縁物層（６４）は、７５〜１２０×１０^-7／℃の範囲の熱膨 張係数を有する失透化ソルダーガラス母材を含む複合材料からなり、上記母材は 、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃およびＰｂＯ−ＺｎＰ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂からなる群 から選ばれたものであり、少なくとも一方の充填材は熱膨張係数を４０〜６０× １０^-7／℃の範囲に引下げ、上記充填材は低あるいは中熱膨張係数を有するもの である、請求項１２記載のカラー陰極線管（１０）。 １４．上記充填材は、Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆、ＡｌＴｉＯ₅、ガラス質ＳｉＯ₂、お よびＬｉ₂Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂からなる低熱膨張充填材の群、およびＺｎ₂ＳｉＯ₄、 Ｍｇ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈、ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄、ＢＮ、Ａｌ₆Ｓｉ₂Ｏ₁₃ 、ＣａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、ＭｇＳｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、 Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄、およびＣａＳｉＯ₃からなる中熱膨張充填材の群から 選択され、上記充填材は上記第１の絶縁物層（６４）の上記複合材料の最大４０ 重量％占める、請求項１２記載のカラー陰極線管（１０）。 １５．上記第２の絶縁物層（６６）は、本質的にＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−Ｓｎ Ｏ₂、および随時ＣｏＯを含む失透化ソルダーガラスからなる、請求項２記載の カラー陰極線管（１０）。 １６．上記第２の絶縁物層（６６）は、８０重量％のＰｂＯ、５重量％のＺｎＯ 、１４重量％のＢ₂Ｏ₃、および０．７５重量％のＳｎＯ₂、さらに随時０．２５ ％のＣｏＯを含む組成物を有し、約１１０×１０^-7／℃の熱膨張係数を有する失 透化ソルダーガラス母材からなり、少なくとも２つの充填材は熱膨張係数を１０ 〜２５×１０^-7／℃の範囲に引下げ、上記充填材の一方は低熱膨張係数を有し、 他方は、上記鉄−ニッケル合金が磁気転移による屈曲点を呈する温度で生ずる屈 曲点をもつ高熱膨張係数を有するものである、請求項９記載のカラー陰極線管（ １０）。 １７．上記充填材は、Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆、ＡｌＴｉＯ₅、ガラス質ＳｉＯ₂、お よびＬｉ₂Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂からなる群から選ばれた低熱膨張係数を有し、屈曲点 をもった高熱膨張係数を有する上記充填材はクリストバライトからなる、請求項 １６記載のカラー陰極線管（１０）。 １８．上記低熱膨張係数をもった上記充填材は上記第２の絶縁物層（６６）の最 大４０重量％を占め、上記クリストバライトは最大５重量％占め、残りを失透化 ソルダーガラスが占める、請求項１７記載のカラー陰極線管（１０）。 １９．上記第２の絶縁物層（６６）は、８０重量％のＰｂＯ、５重量％のＺｎＯ 、１４重量％のＢ₂Ｏ₃、および０．７５重量％のＳｎＯ₂、さらに随時０．２５ ％のＣｏＯを含む組成物を有し、約１１０×１０^-7／℃の熱膨張係数を有する失 透化ソルダーガラス母材からなり、少なくとも１つの充填材は熱膨張係数を４０ 〜６０×１０^-7／℃の範囲に引下げ、上記充填材は低または中熱膨張係数を有す る、請求項８記載のカラー陰極線管（１０）。 ２０．上記充填材は、Ｌｉ₂Ａｌ₂ＳｉＯ₆、ＡｌＴｉＯ₅、ガラス質ＳｉＯ₂、お よびＬｉ₂Ａｌ₂Ｓｉ₄Ｏ₁₂からなる低熱膨張充填材の群、およびＺｎ₂Ｓ ｉＯ₄、Ｍｇ₂Ａｌ₄Ｓｉ₅Ｏ₁₈、ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄、ＢＮ、Ａｌ₆ Ｓｉ₂Ｏ₁₃、ＣａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈、ＭｇＳｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍｇ₂ ＳｉＯ₄、およびＣａＳｉＯ₃からなる中熱膨張充填材の群から選択され、上記充 填材は上記第２の絶縁物層（６６）の最大４０重量％占める、請求項１９記載の カラー陰極線管（１０）。