JPH11512070A - シアン化水素の製造方法及びそのための装置 - Google Patents

シアン化水素の製造方法及びそのための装置

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JPH11512070A JP9510931A JP51093197A JPH11512070A JP H11512070 A JPH11512070 A JP H11512070A JP 9510931 A JP9510931 A JP 9510931A JP 51093197 A JP51093197 A JP 51093197A JP H11512070 A JPH11512070 A JP H11512070A
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Abstract

(57)【要約】 シアン化水素を製造するための触媒方法及び装置。この方法において、酸素に富むオキシダント流れ並びにメタン及びアンモニアを含むオキシダントを含まない少なくとも1つのフィード流れは別々に予熱され、急速混合されて混合流れの自己発火温度よりも少なくとも50℃低い温度の爆発性混合流れを形成する。この混合流れは次に爆発が妨げられるような速度でシアン化水素の形成を触媒することができる触媒に送られる。この方法は従来のAndrussow 法よりもエネルギー効率が高く、より多量の水素を含む流出物流れを生じる。

Description

【発明の詳細な説明】 シアン化水素の製造方法及びそのための装置 本発明はシアン化水素(HCN)の製造方法及びそのような方法に使用される 装置に関する。 従来より、HCNは米国特許第1934838 号、米国特許第4107278 号及び米国特 許第4128622 号明細書に記載されているようないわゆるAndrussow 法により製造 されている。この方法では、エアオーブン内、白金触媒上でアンモニアとメタン が燃焼され、HCNを含む流出物流れが生成する。酸素源として空気を使用する 結果、必然的に大容量の不活性な窒素の存在下で燃焼が実施される。この大容量 の窒素により、適切な大きさの空気圧縮機及びダウンストリーム設備を使用する ことが必要となる。さらに、不活性な窒素の存在のために、たんに触媒上でHC N反応が維持され得る温度に反応物の温度を上昇させるのに必要とされる量より も多くのメタンを燃焼する必要がある。さらに、HCNを含む流出ガスは副生成 物である水素及び水並びに残留アンモニアをも含む。しかしながら、他のガス成 分からHCN及び回収可能なアンモニアを分離した後、不活性な窒素の存在によ って、残留ガス流は専用のバーナーを必要とするほど燃料価の低いものとなる。 最適な条件に対し、Andrussow 法はアンモニアとメタンの混合物の燃焼限界の 範囲内で実施される。酸素濃度を高くした空気を使用すると、この方法は、運転 が非常に危険になり、従来制御することが極端に困難な爆発領域に及ぶ。 本発明において、前記製造方法は、反応物の潜在的に爆発性混合物が形成され るが、爆発が妨げられるような態様で実施される。こ れによって、前記製造方法のエネルギー効率は改良され、そして従来のAndrusso w 法から得られるものよりも水素含有率が非常に高い流出ガス流が提供される。 すなわち、第1態様において、本発明は、シアン化水素製造の触媒方法であっ て、 (a)(i)酸素に富むオキシダント流れ、及び(ii)メタン及びアンモニア を供給するオキシダントを含まない少なくとも1つのフィード流れ、を形成する 工程; (b)間接熱交換により前記オキシダント流れ及びフィード流れの少なくとも 1つを各オキシダント及びフィード予熱温度に別々に予熱する工程; (c)混合ゾーン内でそれらの各予熱温度の十分な量のオキシダント流れ及び フィード流れを急速混合して爆発性混合流れを形成させる工程であって、前記混 合流れの自己発火温度よりも少なくとも50℃低い混合温度の爆発性混合流れを形 成させる工程; (d)前記混合流れの爆発が回避されるような混合速度で混合ゾーンを通じて 前記混合流れを送る工程;並びに (e)混合温度の前記混合流れからのシアン化水素の形成を触媒することがで きる触媒に前記混合流れを供給し、シアン化水素を含む流出物流れを形成させる 工程; を含む方法を提供することである。 第2の態様において、本発明は、本発明の第1態様の方法に使用するのに適す る装置を提供することである。この装置は、 (a)酸素に富むオキシダント流れのための第1入口; (b)メタン及びアンモニアを供給するオキシダントを含まない少なくとも1 つのフィード流れのための少なくとも1つの第2入口; (c)前記第1入口に連結された第1導管であって、それを通って前記オキシ ダント流れが前記第1入口から第1導管の排出端に流れることができる第1導管 ; (d)前記少なくとも1つの第2入口に連結された少なくとも1つの第2導管 であって、それを通って少なくとも1つのフィード流れが前記少なくとも1つの 第2入口から前記第1導管の排出端にほぼ隣接する前記少なくとも1つの第2導 管の排出端に流れることができる第2導管; (e)オキシダント流れ及びフィード流れを受容するための第1導管の排出端 に位置する混合ゾーン; (f)オキシダント流れ及びフィード流れの急速混合を起こさせて爆発性混合 流れを形成するため並びに混合流れの爆発が回避されるような混合速度で混合ゾ ーンを通じて混合流れを送るための混合ゾーン内に配置された混合手段; (g)混合ゾーンと爆燃アレスターの間に流通手段を提供する排出オリフィス であって、そこを通って混合流れが流れることができ、前記爆燃アレスターが前 記排出オリフィスを通じて混合ゾーン内に混合流れの爆燃伝播の逆流を阻止する ことができるものである;並びに (h)爆燃アレスターから混合流れを受容するため並びに爆発性混合流れから のシアン化水素の形成を促進するための反応ゾーン内に位置する担持触媒に混合 流れを向けるための反応ゾーン; (i)混合前に前記オキシダント流れ及びフィード流れの少なくとも1つを予 熱するための間接熱交換手段; を具備する。 前記酸素に富むオキシダント流れは典型的には30〜100 体積%の酸素を含む。 このオキシダント流れは50〜100 体積%の酸素を含む ことが好ましく、80〜100 体積%の酸素を含むことが特に好ましい。 酸素を含まない前記少なくとも1つのフィード流れは別々のフィード流れとし てメタン及びアンモニアを提供し、次いでメタン及びアンモニアは酸素濃度が高 いオキシダント流れと別々に混合されてよい。オキシダントを含まないフィード 流れはメタン及びアンモニアの混合物を含む予備混合された流れであることが好 ましい。本発明の方法において使用されるメタンに対するアンモニアの体積比( モル比)は1:1〜1:1.5 であることが適切であり、1:1〜1:1.3 である ことが好ましく、1:1−1:1.2 であることが特に好ましい。 オキシダント流れ及びフィード流れは他の成分を含んでもよく、例えばメタン 及びアンモニアを含むフィード流れは、そのフィード流れの組成が爆発領域の範 囲外にある限りは酸素を小さな割合で含んでもよい。 酸素に富むオキシダント流れの使用に加え、流れを混合し、そしてシアン化水 素の形成を触媒することができる触媒上に通す場合にその反応が望ましい触媒温 度で持続し進行するようにオキシダント流れ及びフィード流れの少なくとも1つ を予熱温度に間接予熱することによって、本発明においては著しく過剰のメタン を使用する必要性がなくなる。オキシダント流れを予熱する場合に、金属障害を 引き起こし得るような温度を避けることが望ましい。オキシダント流れは200 〜 300 ℃の範囲内の温度に予熱され、少なくとも1つのフィード流れは300 〜450 ℃の範囲内の温度に予熱されることが好ましい。予熱温度は、200 〜400 ℃、好 ましくは300 〜430 ℃、特に好ましくは330 〜430 ℃の混合温度が達成されるよ うに選ばれることが好ましい。そのような反応温度を使用すると通常は1000〜12 50℃の触媒温度となる。 触媒から出る流出物流れはほぼ触媒温度のものであり、そのため有用な高エネ ルギー源である。従って、有用な高圧蒸気を発生させるため、そしてそれにより 典型的には500 〜700 ℃、例えば約600 ℃の温度の部分冷却された流出物流れを 提供するために触媒から出る流出物流れは間接熱交換に使用されることが好まし い。部分冷却された流出物流れも他の間接熱交換工程において有用に使用するこ とができ、特にオキシダント流れ及びフィード流れの少なくとも1つを予熱する ために使用することができ、それにより典型的には200 〜400 ℃、例えば300 ℃ の温度の冷却された流出物流れが提供される。 典型的には、流出物流れは15〜20体積%のHCN及び30〜40体積%の水素を含 む。 オキシダント流れ及びフィード流れの少なくとも1つの予熱は、流れが第1導 管及び第2導管のそれぞれへの入口で少なくとも部分的に予熱されるように1つ 以上の別々の予熱工程により実施されてよい。さらに又は代わりに、流れが導管 に沿って流れている間に予熱が実施されてよい。予熱は、流れが導管に沿って流 れている間に、部分冷却された流出物流れを用いる間接熱交換により実施される ことが好ましい。 好ましくは、オキシダントを含まないフィード流れの少なくとも1つの各々が アンモニア及びメタンを含む場合に、各第1導管は第2導管に連結され、かつ、 第1導管は第2導管内に配置される。これによって、構成材料の選択等の装置の 構成は単純になる。各第1導管が第2導管に付設されており、かつ、各第1導管 が第2導管内に配置され、そして部分冷却された流出物流れがフィード流れと間 接的に熱交換している状態にあり、フィード流れが第2導管に沿っ て流れる場合が特に好ましい。この特に好ましい状況において、第2導管の長さ は達成すべき必要な予熱温度に依存し、フィード流れが第2導管内に入る前に予 熱される場合に、第2導管の長さは、同じ予熱温度が第2導管内だけにより達成 される場合よりも短いであろう。しかしながら、いかなる場合であっても、フィ ード流れが予熱される最高温度は、メタン及びアンモニアの混合物の自己発火温 度未満であるべきである。 担持触媒床は、酸素、メタン及びアンモニアからのシアン化水素の形成を促進 するために従来より使用されている物質、例えば白金族金属触媒から形成するこ とができる。触媒床から爆燃アレスターへの望ましくない火炎の前線の伝播を防 止するために、焼結金属又はセラミックの火炎トラップが触媒床の前方に配置さ れることが好ましい。 図面を参照して本発明をさらに説明する: 図1は、本発明の第2態様に係る装置の概略的な配置を表すものである。 図2は、本発明において使用される混合ゾーンの拡大図である。 図3は、本発明において使用される混合手段の断面図である。 図1において、酸素に富むオキシダント流れは第1入口(1)を経て装置に導 入される。装置内でこのオキシダント流れは、それぞれ入口端(2)及び排出端 (5)を有する多数の第1導管中に分割される。メタン及びアンモニアを含む予 備混合されたオキシダントを含まないフィード流れは、第2入口(3)を経て装 置に導入される。しかしながら、所望であれば、2つ以上のそのような第2入口 を通じてメタン及びアンモニアを別々に導入することが可能である。装置内で、 このフィード流れは、第1導管の排出端にほぼ隣接する排出端と入口端(4)と をそれぞれ有する多数の第2導管中に分 割される。図示されているように、分割されたフィード流れが第1導管と第2導 管の間に形成される環内を流れるように各第1導管は第2導管に連結され、かつ 、第1導管は第2導管内に配置される。各第1導管の出口端において、オキシダ ント流れがフィード流れ中に出、そして混合手段(6)内で混合され、混合流れ の爆発が回避されるような速度で混合流れが形成される。混合後、混合流れは次 に排出オリフィス(7)を経て混合流れの爆燃の伝播を阻止する爆燃アレスター (8)に移る。 混合流れは次に反応ゾーン(15)内に受容され、そこからシアン化水素の形 成を促進することができる担持触媒床(9)に向けられる。触媒床(9)を出る 流出物流れは、次に間接熱交換器(10)を通り抜けることにより冷却され、熱 交換器出口(11)で部分冷却された流出物流れを形成する。図示されている間 接熱交換器は蒸気発生式ボイラーである。部分冷却された流出物流れは次に、こ の装置の熱交換部分(13)内に収容された各第2導管の外面に接してオキシダ ント流れ及びフィード流れの流れに対して逆流方向に流れ、それにより少なくと もフィード流れを予熱し、かつ、部分冷却された流出物流れが冷却されるように 少なくとも1つの流出物導管(12)を経て送られ、出口(14)を経てこの装 置から出る。この装置からの出口で、慣用的な分離技術を使用して流出物流中に 存在するシアン化水素を回収することができる。 図2において、第1導管(6)は、図1に記載されているように第2導管に連 結されており、かつ、第1導管は第2導管内に配置されている。第1導管(6) 及び第2導管(7)は熱交換部分(9)から反応ゾーン(10)にチューブシー ト(8)を通り抜けている。第1導管の排出端は、フィード流れに対して有効な 流動域を増大する役割を果たすテーパー付き部分(1)と一連の放射状連絡孔( 2)とを有し、オキシダント流れは前記一連の放射状連絡孔を通ってフィード流 れと混合される。オキシダント流れ及びフィード流れは次に混合手段(3)中で 混合される。混合手段中では高剪断力が発生して急速混合を促進し、混合流れの 速度は可能な限り高く保たれる。混合手段(3)からの出口において、混合流れ は、爆燃アレスター(5)への流路を提供する排出オリフィス(4)を通って流 れる。混合後の混合流れはメタン、アンモニア及び酸素の爆発性混合物である。 従って、混合手段の下流の流れに対する容積は最低限に抑えられるべきである。 爆燃アレスター(5)は反応ゾーン(10)から混合手段への起こりうる爆燃の 伝播を阻止する。爆燃アレスター(5)を通過した後、混合流れは反応ゾーン( 10)内に出る。好ましくは、前記爆燃アレスターは、混合ガスが通過するスリ ットを有する円錐構造を持つものであり、一様な速度で触媒床に接近する混合流 れを提供する。 図3において、この断面図は、混合中にオキシダント流れ及びフィード流れが 流れる混合チャンネル(1)であって、必要な高い剪断力及び速度を提供する。 次の実施例を参照して本発明をさらに説明する。 実施例1 400 ℃の反応温度を達成するように予熱された次のオキシダント及びフィード 流れ: からシアン化水素を製造した場合に、本発明の方法は次の組成: の流出物流れを提供した(白金族金属触媒を使用、約1100℃で運転)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドイ,ラルフ イギリス国,シェシアー シーダブリュ8 2ティーディー,ノルウィック,カディ ングトン,ウェイスト レーン,ラベンス クロウ マナー ハウス

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.(a)(i)酸素に富むオキシダント流れ、及び(ii)メタン及びアンモ ニアを供給するオキシダントを含まない少なくとも1つのフィード流れ、を形成 する工程; (b)間接熱交換により前記オキシダント流れ及びフィード流れの少なくとも 1つを各オキシダント及びフィード予熱温度に別々に予熱する工程; (c)混合ゾーン内でそれらの各予熱温度の十分な量のオキシダント流れ及び フィード流れを急速混合して爆発性混合流れを形成させる工程であって、前記混 合流れの自己発火温度よりも少なくとも50℃低い混合温度の爆発性混合流れを形 成させる工程; (d)前記混合流れの爆発が回避されるような混合速度で混合ゾーンを通じて 前記混合流れを送る工程;並びに (e)混合温度の前記混合流れからのシアン化水素の形成を触媒することがで きる触媒に前記混合流れを供給し、シアン化水素を含む流出物流れを形成させる 工程; を含むシアン化水素製造の触媒方法。 2.酸素に富むオキシダント流れが30〜100 体積%の酸素を含む請求項1記載 の方法。 3.オキシダントを含まないフィード流れがメタン及びアンモニアの混合物を 含む予備混合された流れである請求項1又は2に記載の方法。 4.メタンに対するアンモニアの体積比が1:1〜1:1.5 である請求項1〜 3のいずれか一項に記載の方法。 5.オキシダント流れが200 〜300 ℃の範囲内の温度に予熱され、少なくとも 1つのフィード流れが300 〜450 ℃の範囲内の温度に 予熱される請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。 6.混合温度が200 〜400 ℃の範囲内にある請求項1〜5のいずれか一項に記 載の方法。 7.触媒から出てくる流出物流れが部分冷却された流出物流れを提供するため に間接熱交換に使用され、次にこの部分冷却された流出物流れはオキシダント流 れ及びフィード流れの少なくとも1つを予熱するために使用される請求項1〜6 のいずれか一項に記載の方法。 8.流出物流れが15〜20体積%のHCN及び30〜40体積%の水素を含む請求項 1〜7のいずれか一項に記載の方法。 9.(a)酸素に富むオキシダント流れのための第1入口; (b)メタン及びアンモニアを供給するオキシダントを含まない少なくとも1 つのフィード流れのための少なくとも1つの第2入口; (c)前記第1人口に連結された第1導管であって、それを通って前記オキシ ダント流れが前記第1入口から第1導管の排出端に流れることができる第1導管 ; (d)前記少なくとも1つの第2入口に連結された少なくとも1つの第2導管 であって、それを通って少なくとも1つのフィード流れが前記少なくとも1つの 第2入口から前記第1導管の排出端にほぼ隣接する前記少なくとも1つの第2導 管の排出端に流れることができる第2導管; (e)オキシダント流れ及びフィード流れを受容するための第1導管の排出端 に位置する混合ゾーン; (f)オキシダント流れ及びフィード流れの急速混合を起こさせて爆発性混合 流れを形成するため並びに混合流れの爆発が回避されるような混合速度で混合ゾ ーンを通じて混合流れを送るための混合 ゾーン内に配置された混合手段; (g)混合ゾーンと爆燃アレスターの間に流通手段を提供する排出オリフィス であって、そこを通って混合流れが流れることができ、前記爆燃アレスターが前 記排出オリフィスを通じて混合ゾーン内に混合流れの爆燃伝播の逆流を阻止する ことができるものである;並びに (h)爆燃アレスターから混合流れを受容するため並びに爆発性混合流れから のシアン化水素の形成を促進するための反応ゾーン内に位置する担持触媒に混合 流れを向けるための反応ゾーン;並びに (i)混合前に前記オキシダント流れ及びフィード流れの少なくとも1つを予 熱するための間接熱交換手段; を具備する請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法に使用される装置。 10.各第1導管が第2導管に付設されており、かつ、各第1導管が第2導管内 に配置されている請求項9記載の装置。
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