JPH1151745A - レベルセンサ - Google Patents
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- JPH1151745A JPH1151745A JP9205750A JP20575097A JPH1151745A JP H1151745 A JPH1151745 A JP H1151745A JP 9205750 A JP9205750 A JP 9205750A JP 20575097 A JP20575097 A JP 20575097A JP H1151745 A JPH1151745 A JP H1151745A
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- liquid
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- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液面や粉粒面の高さを連続的に判定でき且つ
信頼性に優れたレベルセンサを提供すること。 【解決手段】 平行配置された三本以上の長い導電性の
線状体又は棒状体から成る少なくとも二個の可変コンデ
ンサCV1,CV2を設けると共に前記可変コンデンサ
CV1,CV2にそれぞれ固定抵抗を接続して時定数の相違
する積分回路IN1 ,IN 2 を形成し、前記積分回路IN1 ,
IN2 に周波数及びデューティが一定のクロックを入力す
ると共に前記積分回路IN1 ,IN2 からの出力をロジック
ICに入力し、可変コンデンサCV1,CV2の液体又は粉
粒体への漬浸量が変わることによって生じる〔可変コン
デンサCV1,CV2の静電容量+浮遊容量〕の変化と対応
してロジックICの出力が変化するようにしてある。
信頼性に優れたレベルセンサを提供すること。 【解決手段】 平行配置された三本以上の長い導電性の
線状体又は棒状体から成る少なくとも二個の可変コンデ
ンサCV1,CV2を設けると共に前記可変コンデンサ
CV1,CV2にそれぞれ固定抵抗を接続して時定数の相違
する積分回路IN1 ,IN 2 を形成し、前記積分回路IN1 ,
IN2 に周波数及びデューティが一定のクロックを入力す
ると共に前記積分回路IN1 ,IN2 からの出力をロジック
ICに入力し、可変コンデンサCV1,CV2の液体又は粉
粒体への漬浸量が変わることによって生じる〔可変コン
デンサCV1,CV2の静電容量+浮遊容量〕の変化と対応
してロジックICの出力が変化するようにしてある。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、液面や粉粒面高
さを検出するためのレベルセンサに関するものである。
さを検出するためのレベルセンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】レベルセンサとしては、例えば図13に示
すようなものがある。このセンサは図13に示すように、
縦配列された複数の近接スイッチ90a を有するパイプ状
体90と、前記パイプ状体90に外挿され且つ内周面側に磁
石91a を配置させたフロート91とから成り、液面(水
位)の上昇・降下に応じて上下動するフロート91の磁石
91a がどの位置の近接スイッチ90a と対向しているかを
検知することにより、液面を判定できるようにしたもの
である。
すようなものがある。このセンサは図13に示すように、
縦配列された複数の近接スイッチ90a を有するパイプ状
体90と、前記パイプ状体90に外挿され且つ内周面側に磁
石91a を配置させたフロート91とから成り、液面(水
位)の上昇・降下に応じて上下動するフロート91の磁石
91a がどの位置の近接スイッチ90a と対向しているかを
検知することにより、液面を判定できるようにしたもの
である。
【0003】しかしながら、上記レベルセンサでは以下
に示すような問題がある。 フロート91が近接スイッチ90a のある位置に来たとき
にしか検知されないことから、液面は不連続にしか判定
できない。 パイプ状体90に対してフロート91が上下動する形式で
あるから、パイプ状体90とフロート91相互間にゴミ等が
詰まったときには液面を検知できなくなる。つまり、機
械的な要素が多いことから信頼性に劣る。
に示すような問題がある。 フロート91が近接スイッチ90a のある位置に来たとき
にしか検知されないことから、液面は不連続にしか判定
できない。 パイプ状体90に対してフロート91が上下動する形式で
あるから、パイプ状体90とフロート91相互間にゴミ等が
詰まったときには液面を検知できなくなる。つまり、機
械的な要素が多いことから信頼性に劣る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明で
は、液面や粉粒面の高さを連続的に判定でき且つ信頼性
に優れたレベルセンサを提供することを課題とする。
は、液面や粉粒面の高さを連続的に判定でき且つ信頼性
に優れたレベルセンサを提供することを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明のレベルセンサ
は、平行配置された三本以上の長い導電性の線状体又は
棒状体から成る少なくとも二個の可変コンデンサCV1,
CV2を設けると共に前記可変コンデンサCV1,CV2にそ
れぞれ固定抵抗を接続して時定数の相違する積分回路IN
1 ,IN2 を形成し、前記積分回路IN1 ,IN2 に周波数及
びデューティが一定のクロックを入力すると共に前記積
分回路IN1 ,IN2 からの出力をロジックICに入力し、
可変コンデンサCV1,CV2の液体又は粉粒体への漬浸量
が変わることによって生じる〔可変コンデンサCV1,C
V2の静電容量+浮遊容量〕の変化と対応してロジックI
Cの出力が変化するようにしてある。
は、平行配置された三本以上の長い導電性の線状体又は
棒状体から成る少なくとも二個の可変コンデンサCV1,
CV2を設けると共に前記可変コンデンサCV1,CV2にそ
れぞれ固定抵抗を接続して時定数の相違する積分回路IN
1 ,IN2 を形成し、前記積分回路IN1 ,IN2 に周波数及
びデューティが一定のクロックを入力すると共に前記積
分回路IN1 ,IN2 からの出力をロジックICに入力し、
可変コンデンサCV1,CV2の液体又は粉粒体への漬浸量
が変わることによって生じる〔可変コンデンサCV1,C
V2の静電容量+浮遊容量〕の変化と対応してロジックI
Cの出力が変化するようにしてある。
【0006】ここで、上記レベルセンサに関し、〜
の構成を付加することができる。 可変コンデンサCV1,CV2を構成する線状体又は棒状
体の長さを変更することにより、液面又は粉粒面高さに
対するセンサ出力の変化の割合を変えることができるよ
うにしてある。 ロジックICが、EX−OR回路である。 線状体又は棒状体は、樹脂部材又はゴム部材により被
覆されている。
の構成を付加することができる。 可変コンデンサCV1,CV2を構成する線状体又は棒状
体の長さを変更することにより、液面又は粉粒面高さに
対するセンサ出力の変化の割合を変えることができるよ
うにしてある。 ロジックICが、EX−OR回路である。 線状体又は棒状体は、樹脂部材又はゴム部材により被
覆されている。
【0007】なお、このレベルセンサの機能については
以下の発明の実施の形態の欄で詳述する。
以下の発明の実施の形態の欄で詳述する。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
図面に従って説明する。 (実施形態1)この実施形態のレベルセンサは、図1〜
図3に示すように、可変コンデンサC V1,CV2から成る
センサ主体1と、前記可変コンデンサCV1,CV2の液体
への漬浸量が変わることによって生じる〔可変コンデン
サCV1,CV2の静電容量+浮遊容量〕の変化と対応して
出力する検出回路DKとから構成されている。
図面に従って説明する。 (実施形態1)この実施形態のレベルセンサは、図1〜
図3に示すように、可変コンデンサC V1,CV2から成る
センサ主体1と、前記可変コンデンサCV1,CV2の液体
への漬浸量が変わることによって生じる〔可変コンデン
サCV1,CV2の静電容量+浮遊容量〕の変化と対応して
出力する検出回路DKとから構成されている。
【0009】以下に、このレベルセンサの主要構成につ
いて説明する。〔センサ主体1について〕 センサ主体1は、図1や図3
に示すように、周囲の浮遊容量の影響を受けやすくした
導電線1a,1b,1cを平行配置すると共にこれらを合成樹
脂10で被覆することにより二個の可変コンデンサCV1,
CV2を形成させたものである。なお、このセンサ主体1
には、図3に示す如く、容器8の固定壁面80に取り付け
るための吸盤2を具備させてある。
いて説明する。〔センサ主体1について〕 センサ主体1は、図1や図3
に示すように、周囲の浮遊容量の影響を受けやすくした
導電線1a,1b,1cを平行配置すると共にこれらを合成樹
脂10で被覆することにより二個の可変コンデンサCV1,
CV2を形成させたものである。なお、このセンサ主体1
には、図3に示す如く、容器8の固定壁面80に取り付け
るための吸盤2を具備させてある。
【0010】ここで、上記導電線1a,1cに電圧を印加す
ると共に導電線1bをグラウンド電位に接続すると、導電
線1a,1b 及び導電線1b,1c により形成された可変コンデ
ンサCV1,CV2には静電容量が発生するが、周囲が空気
である部分の誘電率と液体と接触している部分の誘電率
とが相違することから、液面高さにより可変コンデンサ
CV1,CV2の周囲に発生する浮遊容量が異なるものとな
る。
ると共に導電線1bをグラウンド電位に接続すると、導電
線1a,1b 及び導電線1b,1c により形成された可変コンデ
ンサCV1,CV2には静電容量が発生するが、周囲が空気
である部分の誘電率と液体と接触している部分の誘電率
とが相違することから、液面高さにより可変コンデンサ
CV1,CV2の周囲に発生する浮遊容量が異なるものとな
る。
【0011】・可変コンデンサCV1の静電容量:CabO ・可変コンデンサCV1の周囲が空気である部分の浮遊容
量:Cab1 ・可変コンデンサCV1の周囲が液体である部分の浮遊容
量:Cab2 ・可変コンデンサCV2の静電容量:CbcO ・可変コンデンサCV2の周囲が空気である部分の浮遊容
量:Cbc1 ・可変コンデンサCV2の周囲が液体である部分の浮遊容
量:Cbc2 空気の誘電率ε1 、測定する液体の誘電率ε2 (ε1 <
ε2 ) とすると、導電線1a,1bにより発生する全容量はCabO
+Cab1 +Cab2 となり、導電線1b,1cにより発生する
全容量はCbcO +Cbc1 +Cbc2 となる。また、Ca
b1 ,Cbc1 とCab2 ,Cbc2 は、それぞれ導電線1a,1
b,1cの長さL1 ,L 2 (図3参照)に比例する。した
がって、全容量Cab=CabO +Cab1 +Cab2、全容量
Cbc=CbcO +Cbc1 +Cbc2 は液面高さに応じてほぼ
直線的に変化することとなる。〔検出回路DKについて〕 検出回路DKは、図2に示す如
く、固定抵抗R1 ,R2 ,R3 と、上記可変コンデンサ
CV1,CV2と、EX−ORロジックIC〔符号IC1 〕と
を具備しており、抵抗R1 と可変コンデンサCV1により
積分回路IN1 (時定数:静電容量CabO ×抵抗R1 の抵
抗値r1 )を、抵抗R2 と可変コンデンサCV2により積
分回路IN2(時定数:静電容量CbcO ×抵抗R2 の抵抗
値r2 )を、それぞれ構成したものとしている。なお、
固定抵抗R3 は動作を安定させるために設けており、無
くても動作する。
量:Cab1 ・可変コンデンサCV1の周囲が液体である部分の浮遊容
量:Cab2 ・可変コンデンサCV2の静電容量:CbcO ・可変コンデンサCV2の周囲が空気である部分の浮遊容
量:Cbc1 ・可変コンデンサCV2の周囲が液体である部分の浮遊容
量:Cbc2 空気の誘電率ε1 、測定する液体の誘電率ε2 (ε1 <
ε2 ) とすると、導電線1a,1bにより発生する全容量はCabO
+Cab1 +Cab2 となり、導電線1b,1cにより発生する
全容量はCbcO +Cbc1 +Cbc2 となる。また、Ca
b1 ,Cbc1 とCab2 ,Cbc2 は、それぞれ導電線1a,1
b,1cの長さL1 ,L 2 (図3参照)に比例する。した
がって、全容量Cab=CabO +Cab1 +Cab2、全容量
Cbc=CbcO +Cbc1 +Cbc2 は液面高さに応じてほぼ
直線的に変化することとなる。〔検出回路DKについて〕 検出回路DKは、図2に示す如
く、固定抵抗R1 ,R2 ,R3 と、上記可変コンデンサ
CV1,CV2と、EX−ORロジックIC〔符号IC1 〕と
を具備しており、抵抗R1 と可変コンデンサCV1により
積分回路IN1 (時定数:静電容量CabO ×抵抗R1 の抵
抗値r1 )を、抵抗R2 と可変コンデンサCV2により積
分回路IN2(時定数:静電容量CbcO ×抵抗R2 の抵抗
値r2 )を、それぞれ構成したものとしている。なお、
固定抵抗R3 は動作を安定させるために設けており、無
くても動作する。
【0012】ここで、容器8内の液面が変化したときお
ける検出回路DKの動作について図3や図4を使用して説
明する。 固定抵抗R1 <固定抵抗R2 の条件下でP1にクロック
CLK が入力されると、P2,P3 では一定の時定数Cab・r
1 及び時定数Cbc・r2 に従い、図4の上から2段目に
示すような積分波形となっている。また、EX−ORロ
ジックIC〔IC1〕の出力は図4の上から3段目に示す
ようなP2,P3 点の積分波形に応じた出力パルスP4とな
る。 ここで、液面が上昇してL1 ,L2 がL1 ’,L2 ’
(L1 ’<L1 ,L2 ’>L2 )になったとすると、上
記した全容量Cab,CbcはCab’,Cbc’(Cab’>C
ab,Cbc’>Cbc)に変化する(図3参照)。
ける検出回路DKの動作について図3や図4を使用して説
明する。 固定抵抗R1 <固定抵抗R2 の条件下でP1にクロック
CLK が入力されると、P2,P3 では一定の時定数Cab・r
1 及び時定数Cbc・r2 に従い、図4の上から2段目に
示すような積分波形となっている。また、EX−ORロ
ジックIC〔IC1〕の出力は図4の上から3段目に示す
ようなP2,P3 点の積分波形に応じた出力パルスP4とな
る。 ここで、液面が上昇してL1 ,L2 がL1 ’,L2 ’
(L1 ’<L1 ,L2 ’>L2 )になったとすると、上
記した全容量Cab,CbcはCab’,Cbc’(Cab’>C
ab,Cbc’>Cbc)に変化する(図3参照)。
【0013】したがって、図4に示すように、P2,P3 点
の積分波形は図4の上から4段目に示すように、時定数
Cab’・r1 及び時定数Cbc’・r2 に対応したものと
なり、EX−ORロジックIC〔IC1 〕の出力は同図の
上から5段目に示したP4' のようにデューティが変化す
る。 EX−ORロジックIC〔IC1 〕の出力パルスはロー
パスフィルター等で平滑化すれば、液面高さに対応する
出力パルスをアナログ電圧として取り扱うことができ
る。 図5に、図2の検出回路DK(r1 =330KΩ,r2
=680Ωに設定)を利用して水の液面高さを測定した
結果を示す。なお、図5では出力電圧は出力パルスを平
滑化したものを表示している。
の積分波形は図4の上から4段目に示すように、時定数
Cab’・r1 及び時定数Cbc’・r2 に対応したものと
なり、EX−ORロジックIC〔IC1 〕の出力は同図の
上から5段目に示したP4' のようにデューティが変化す
る。 EX−ORロジックIC〔IC1 〕の出力パルスはロー
パスフィルター等で平滑化すれば、液面高さに対応する
出力パルスをアナログ電圧として取り扱うことができ
る。 図5に、図2の検出回路DK(r1 =330KΩ,r2
=680Ωに設定)を利用して水の液面高さを測定した
結果を示す。なお、図5では出力電圧は出力パルスを平
滑化したものを表示している。
【0014】図5からも明らかなように水面5〜50c
mの間では出力電圧(mv)が直線的に変化しているの
で、レベルセンサとして十分に採用することができる。
なお、水の誘電率(約80)が空気の誘電率(約1)に
比べて非常に大きいため水面が導電線1a,1b,1cから成
るセンサ主体1 に接触する前後( 水面高さ0cm)では
急激に変化しているが、この範囲を測定値外としておけ
ば全く問題にならない。 また、このレベルセンサは上述した如くセンサ主体1
及び検出回路DKから成ることから非常に低コストであ
り、また、機械的動作をする部分が存在しないから信頼
性に優れている。 更に、このレベルセンサでは図1のセンサ主体1及び
図2の検出回路DKを採用していることから、高粘性の液
体の液面降下時においてもある程度の精度で測定が可能
である。
mの間では出力電圧(mv)が直線的に変化しているの
で、レベルセンサとして十分に採用することができる。
なお、水の誘電率(約80)が空気の誘電率(約1)に
比べて非常に大きいため水面が導電線1a,1b,1cから成
るセンサ主体1 に接触する前後( 水面高さ0cm)では
急激に変化しているが、この範囲を測定値外としておけ
ば全く問題にならない。 また、このレベルセンサは上述した如くセンサ主体1
及び検出回路DKから成ることから非常に低コストであ
り、また、機械的動作をする部分が存在しないから信頼
性に優れている。 更に、このレベルセンサでは図1のセンサ主体1及び
図2の検出回路DKを採用していることから、高粘性の液
体の液面降下時においてもある程度の精度で測定が可能
である。
【0015】液面が降下した場合、図6に示すようにセ
ンサ主体1の周りに液体が残留付着した状態が長く続く
こととなるが、残留付着している液体によりセンサ主体
1が有している可変コンデンサCV1,CV2の全容量は共
に液面高さにおける本来の可変コンデンサCV1,CV2の
全容量よりも少し大きくなるため、図7の上から2段目
に示すようにP2,P3点の積分波形は本来より共に少し大
きい時定数の波形P2+,P3+になる。しかし、この時定
数の増加分はほぼ同じ程度なので、図7の上から3段目
と4段目に示すように、P4点のEX−ORロジックIC
〔IC1 〕の出力のデューティに大きな変動となって現れ
ず、クロックの位相が少しずれる程度となる。したがっ
て、P4点の出力をローパスフィルタでアナログ化した電
圧の変動も小さなものとなる。これはEX−ORロジッ
クIC〔IC1 〕が、センサ主体1に残留付着した液体成
分による誤差を相殺(差動)するように働くためであ
る。 (実施形態2)この実施形態のレベルセンサは、図8に
示すように、導電線1aの下端を他の導電線1b,1cの下端
よりも24cm上方に設定したものである。すなわち、
導電線1aは他の導電線1b,1cよりも24cm短く設定し
てある。検出回路DKについては実施形態1と同様のもの
を採用している。
ンサ主体1の周りに液体が残留付着した状態が長く続く
こととなるが、残留付着している液体によりセンサ主体
1が有している可変コンデンサCV1,CV2の全容量は共
に液面高さにおける本来の可変コンデンサCV1,CV2の
全容量よりも少し大きくなるため、図7の上から2段目
に示すようにP2,P3点の積分波形は本来より共に少し大
きい時定数の波形P2+,P3+になる。しかし、この時定
数の増加分はほぼ同じ程度なので、図7の上から3段目
と4段目に示すように、P4点のEX−ORロジックIC
〔IC1 〕の出力のデューティに大きな変動となって現れ
ず、クロックの位相が少しずれる程度となる。したがっ
て、P4点の出力をローパスフィルタでアナログ化した電
圧の変動も小さなものとなる。これはEX−ORロジッ
クIC〔IC1 〕が、センサ主体1に残留付着した液体成
分による誤差を相殺(差動)するように働くためであ
る。 (実施形態2)この実施形態のレベルセンサは、図8に
示すように、導電線1aの下端を他の導電線1b,1cの下端
よりも24cm上方に設定したものである。すなわち、
導電線1aは他の導電線1b,1cよりも24cm短く設定し
てある。検出回路DKについては実施形態1と同様のもの
を採用している。
【0016】このレベルセンサでは水の液面を上昇させ
ていくと、図9に示すように、液面高さが24cmにな
るまでは出力は増加していくが、液面高さが24cmに
越した時点から出力が減少していく。したがって、液面
高さが一定に設定されているようなシステムである場合
には、この形式のレベルセンサを利用し、出力が減少し
た時点で液体が停止するようにしておけばよい。
ていくと、図9に示すように、液面高さが24cmにな
るまでは出力は増加していくが、液面高さが24cmに
越した時点から出力が減少していく。したがって、液面
高さが一定に設定されているようなシステムである場合
には、この形式のレベルセンサを利用し、出力が減少し
た時点で液体が停止するようにしておけばよい。
【0017】なお、図9における液面高さの0cm点は
導電線1b,1cの下端位置としている。 (センサ主体1の他の実施形態について) 図10に示したセンサ主体1は、導電線1a,1b,1cを1
20°間隔で平行配置すると共にこれらを合成樹脂10で
被覆することにより二個の可変コンデンサCV1,CV2を
形成させたものである。 図11に示したセンサ主体1は、導電線1a,1bとこれを
包囲する導電管1dとから成り、前記導電管1d内に合成樹
脂10を充填して構成したものである。なお、このもので
は、導電線1a,1bには電圧が印加され、導電管1dはグラ
ウンド電位に接続され、前記電線1aと導電管1d、及び電
線1bと導電管1dにより二個の可変コンデンサが形成され
る。 実施形態1、2のセンサ主体1では、3本の導電線1
a,1b,1cによりセンサ主体を構成させているが、4本
以上の導電線によりセンサ主体1を構成させるようにし
てもよい。
導電線1b,1cの下端位置としている。 (センサ主体1の他の実施形態について) 図10に示したセンサ主体1は、導電線1a,1b,1cを1
20°間隔で平行配置すると共にこれらを合成樹脂10で
被覆することにより二個の可変コンデンサCV1,CV2を
形成させたものである。 図11に示したセンサ主体1は、導電線1a,1bとこれを
包囲する導電管1dとから成り、前記導電管1d内に合成樹
脂10を充填して構成したものである。なお、このもので
は、導電線1a,1bには電圧が印加され、導電管1dはグラ
ウンド電位に接続され、前記電線1aと導電管1d、及び電
線1bと導電管1dにより二個の可変コンデンサが形成され
る。 実施形態1、2のセンサ主体1では、3本の導電線1
a,1b,1cによりセンサ主体を構成させているが、4本
以上の導電線によりセンサ主体1を構成させるようにし
てもよい。
【0018】なお、可変コンデンサを構成する導電線
を、導電棒にかえることができる。 (検出回路DKの他の実施形態について)上記実施形態1
の検出回路DKにかえて、図12に示す検出回路DKを使用し
ても同様の作用・効果を奏するものとすることができ
る。
を、導電棒にかえることができる。 (検出回路DKの他の実施形態について)上記実施形態1
の検出回路DKにかえて、図12に示す検出回路DKを使用し
ても同様の作用・効果を奏するものとすることができ
る。
【0019】図中、符号U1,U2 はインバータIC(オー
プンコレクター出力)、符号R4 ,R5 は抵抗、符号I
C2はEX−ORロジックICを示す。 (このレベルセンサの対象となる液体について)このレ
ベルセンサの対象となる液体としては、例えば水、アル
コール、石油、海水、食用油等がある。
プンコレクター出力)、符号R4 ,R5 は抵抗、符号I
C2はEX−ORロジックICを示す。 (このレベルセンサの対象となる液体について)このレ
ベルセンサの対象となる液体としては、例えば水、アル
コール、石油、海水、食用油等がある。
【0020】また、このレベルセンサは粉粒体(粉体、
粒体又はその混合物)も検出対象とすることができる。
粉粒体が対象の場合、粉圧等を考慮して導電棒により可
変コンデンサを構成させることが好ましい。
粒体又はその混合物)も検出対象とすることができる。
粉粒体が対象の場合、粉圧等を考慮して導電棒により可
変コンデンサを構成させることが好ましい。
【0021】
【発明の効果】この発明の構成は上記の通りであるから
以下の効果を奏する。
以下の効果を奏する。
【0022】課題を解決する手段の欄の内容から明らか
なように、液面や粉粒面の高さを連続的に判定でき且つ
信頼性に優れたレベルセンサを提供できた。
なように、液面や粉粒面の高さを連続的に判定でき且つ
信頼性に優れたレベルセンサを提供できた。
【図1】この発明の実施形態1におけるレベルセンサの
センサ主体の斜視図。
センサ主体の斜視図。
【図2】前記レベルセンサの検出回路の説明図。
【図3】前記センサ主体を容器の固定壁面に取り付けた
状態を示す断面図。
状態を示す断面図。
【図4】前記検出回路を使用した場合の入力側のクロッ
ク、出力側のクロック等の関係を示す説明図。
ク、出力側のクロック等の関係を示す説明図。
【図5】前記レベルセンサの出力−水面高さの関係を示
すグラフ。
すグラフ。
【図6】前記容器内の液体を抜いて液面を降下させたと
きに、センサ主体の外周面に液体が残留した状態を示し
た断面図。
きに、センサ主体の外周面に液体が残留した状態を示し
た断面図。
【図7】前記容器内の液体を抜いて液面を降下させたと
きの、P2,P3 点の積分波形と出力側のクロック等の関係
を示す説明図。
きの、P2,P3 点の積分波形と出力側のクロック等の関係
を示す説明図。
【図8】この発明の実施形態2におけるレベルセンサの
センサ主体を容器の固定壁面に取り付けた状態を示す断
面図。
センサ主体を容器の固定壁面に取り付けた状態を示す断
面図。
【図9】実施形態2のレベルセンサにおける出力−水面
高さの関係を示すグラフ。
高さの関係を示すグラフ。
【図10】他の実施形態におけるセンサ主体の要部の斜視
図。
図。
【図11】他の実施形態におけるセンサ主体の要部の斜視
図。
図。
【図12】他の実施形態の検出回路の説明図。
【図13】先行技術のレベルセンサの説明図。
CV1 可変コンデンサ CV2 可変コンデンサ R1 抵抗 R2 抵抗 IN1 積分回路 IN2 積分回路 IC1 EX−ORロジックIC
Claims (4)
- 【請求項1】 平行配置された三本以上の長い導電性の
線状体又は棒状体から成る少なくとも二個の可変コンデ
ンサ(CV1)(CV2)を設けると共に前記可変コンデン
サ(CV1)(CV2)にそれぞれ固定抵抗を接続して時定
数の相違する積分回路(IN1 )(IN2 )を形成し、前記
積分回路(IN1 )(IN2 )に周波数及びデューティが一
定のクロックを入力すると共に前記積分回路(IN1 )
(IN2 )からの出力をロジックICに入力し、可変コン
デンサ(CV1)(CV2)の液体又は粉粒体への漬浸量が
変わることによって生じる〔可変コンデンサ(CV1)
(C V2)の静電容量+浮遊容量〕の変化と対応してロジ
ックICの出力が変化するようにしてあることを特徴と
する液面レベルセンサ。 - 【請求項2】 可変コンデンサ(CV1)(CV2)を構成
する線状体又は棒状体の長さを変更することにより、液
面又は粉粒面高さに対するセンサ出力の変化の割合を変
えることができるようにしたことを特徴とする請求項1
記載のレベルセンサ。 - 【請求項3】 ロジックICが、EX−OR回路である
ことを特徴とする請求項1又は2記載のレベルセンサ。 - 【請求項4】 線状体又は棒状体は、樹脂部材又はゴム
部材により被覆されていることを特徴とする請求項1乃
至3のいずれかに記載のレベルセンサ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205750A JPH1151745A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | レベルセンサ |
| US09/116,642 US6237412B1 (en) | 1997-07-16 | 1998-07-16 | Level sensor |
| US09/752,991 US6269694B2 (en) | 1997-07-16 | 2001-01-02 | Float-supported dielectric level sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9205750A JPH1151745A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | レベルセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1151745A true JPH1151745A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16512045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9205750A Pending JPH1151745A (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-31 | レベルセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1151745A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP4040117A1 (de) * | 2021-02-05 | 2022-08-10 | VEGA Grieshaber KG | Messgerät mit flexibler befestigungseinrichtung |
| WO2024047754A1 (ja) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 日本インフラ計測株式会社 | 計測装置、計測システム及び方法 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9205750A patent/JPH1151745A/ja active Pending
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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