JPH115181A - レーザによるガラス基板の加工方法及び加工装置 - Google Patents
レーザによるガラス基板の加工方法及び加工装置Info
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- JPH115181A JPH115181A JP9156443A JP15644397A JPH115181A JP H115181 A JPH115181 A JP H115181A JP 9156443 A JP9156443 A JP 9156443A JP 15644397 A JP15644397 A JP 15644397A JP H115181 A JPH115181 A JP H115181A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザによるガラス基板への微小な凹凸の形
成をアブレーションによる凹部で容易に行うことのでき
るレーザ加工方法を提供すること。 【解決手段】 赤外域の波長を持つパルス状のレーザを
出力するレーザ発振器１１を用い、前記パルス状のレー
ザをポリゴンミラー１６により振らせてガラス基板１８
の被加工領域に１発ずつ照射することにより、前記ガラ
ス基板の表面にアブレーションによる凹部を多数形成す
る。
成をアブレーションによる凹部で容易に行うことのでき
るレーザ加工方法を提供すること。 【解決手段】 赤外域の波長を持つパルス状のレーザを
出力するレーザ発振器１１を用い、前記パルス状のレー
ザをポリゴンミラー１６により振らせてガラス基板１８
の被加工領域に１発ずつ照射することにより、前記ガラ
ス基板の表面にアブレーションによる凹部を多数形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザによるガラス
基板の加工方法及び加工装置に関し、特に磁気ディスク
のような磁気記録媒体に用いられるガラス基板へのテク
スチャ加工に適した加工方法及び加工装置に関する。
基板の加工方法及び加工装置に関し、特に磁気ディスク
のような磁気記録媒体に用いられるガラス基板へのテク
スチャ加工に適した加工方法及び加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクのような磁気記録媒体は、
高密度の磁気記録を可能にするための様々な改良が加え
られている。これに伴い、磁気記録媒体に対する記録再
生用の磁気ヘッドの駆動方式にも改良が必要になってき
ている。例えば、磁気ヘッドは、ヘッドスライダと呼ば
れる空気浮上式の可動部に搭載される。これは、記録再
生に際して磁気記録媒体が高速で回転することから、磁
気記録媒体との接触による磁気ヘッドの損傷を防ぐ必要
があるからである。このために、ヘッドスライダをこれ
と磁気記録媒体との間に生ずる空気流により浮上させて
磁気ヘッドを磁気記録媒体から微小距離離すようにして
いる。
高密度の磁気記録を可能にするための様々な改良が加え
られている。これに伴い、磁気記録媒体に対する記録再
生用の磁気ヘッドの駆動方式にも改良が必要になってき
ている。例えば、磁気ヘッドは、ヘッドスライダと呼ば
れる空気浮上式の可動部に搭載される。これは、記録再
生に際して磁気記録媒体が高速で回転することから、磁
気記録媒体との接触による磁気ヘッドの損傷を防ぐ必要
があるからである。このために、ヘッドスライダをこれ
と磁気記録媒体との間に生ずる空気流により浮上させて
磁気ヘッドを磁気記録媒体から微小距離離すようにして
いる。
【０００３】ところで、磁気記録媒体の表面が平坦面で
あると、磁気記録媒体が回転を始めた時にヘッドスライ
ダが浮上しにくいという問題点があり、これを解消する
ための改良が加えられている。ヘッドスライダを浮上し
易くするためには、磁気記録媒体の表面に微小な凹凸が
あることが好ましいことが知られている。そして、磁気
記録媒体の表面に微小な凹凸を持たせるためには、磁気
記録層、すなわち磁性層を形成する基板に微小な凹凸を
形成すれば良いことも知られている。
あると、磁気記録媒体が回転を始めた時にヘッドスライ
ダが浮上しにくいという問題点があり、これを解消する
ための改良が加えられている。ヘッドスライダを浮上し
易くするためには、磁気記録媒体の表面に微小な凹凸が
あることが好ましいことが知られている。そして、磁気
記録媒体の表面に微小な凹凸を持たせるためには、磁気
記録層、すなわち磁性層を形成する基板に微小な凹凸を
形成すれば良いことも知られている。
【０００４】磁性層を形成するための基板材料は、現在
ではアルミニウム合金系が主流である。このようなアル
ミニウム合金系の金属基板に上記のような微小な凹凸を
形成するためには、基板表面を磨いたうえで、あえてテ
ープ加工でスクラッチ処理を行うという方法をとってい
る。
ではアルミニウム合金系が主流である。このようなアル
ミニウム合金系の金属基板に上記のような微小な凹凸を
形成するためには、基板表面を磨いたうえで、あえてテ
ープ加工でスクラッチ処理を行うという方法をとってい
る。
【０００５】しかし、このような金属基板へのスクラッ
チ処理は面倒で高コストになるために、最近では金属基
板に代えてガラス基板を用いることが提案されている。
そして、ガラス基板に上記のような微小な凹凸を形成す
る方法は、例えば特開平９−３５２５７号（以下、第１
の例と呼ぶ）や特開平９−３５２６１号（以下、第２の
例と呼ぶ）に開示されている。
チ処理は面倒で高コストになるために、最近では金属基
板に代えてガラス基板を用いることが提案されている。
そして、ガラス基板に上記のような微小な凹凸を形成す
る方法は、例えば特開平９−３５２５７号（以下、第１
の例と呼ぶ）や特開平９−３５２６１号（以下、第２の
例と呼ぶ）に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】第１の例では、紫外線
領域のパルス状のレーザを用い、ガラス基板に対して
０．０１Ｊ／ｃｍ2 以上で加工しきい値以下のエネルギ
ー密度のレーザパルスを２回以上１０００回以下連続照
射することにより、ガラス基板表面に突起を形成するよ
うなテクスチャ加工を施すようにしている。しかしなが
ら、この第１の例では、突起の半径や高さをある範囲内
におさめるためのエネルギー密度の制御が必要であり、
照射回数が複数であるので長い照射時間を必要とする。
領域のパルス状のレーザを用い、ガラス基板に対して
０．０１Ｊ／ｃｍ2 以上で加工しきい値以下のエネルギ
ー密度のレーザパルスを２回以上１０００回以下連続照
射することにより、ガラス基板表面に突起を形成するよ
うなテクスチャ加工を施すようにしている。しかしなが
ら、この第１の例では、突起の半径や高さをある範囲内
におさめるためのエネルギー密度の制御が必要であり、
照射回数が複数であるので長い照射時間を必要とする。
【０００７】第２の例では、紫外線領域のパルス状のレ
ーザを用い、ガラス基板に対してパルス状のレーザを輪
帯状にして照射することにより、ガラス基板表面に突起
を形成するようなテクスチャ加工を施すようにしてい
る。この第２の例では、パルス状のレーザを輪帯状にす
るための特別な光学系が必要である。
ーザを用い、ガラス基板に対してパルス状のレーザを輪
帯状にして照射することにより、ガラス基板表面に突起
を形成するようなテクスチャ加工を施すようにしてい
る。この第２の例では、パルス状のレーザを輪帯状にす
るための特別な光学系が必要である。
【０００８】第１、第２の例とは別に、ＣＯ2 レーザ発
振器からのパルス状のレーザを３０〜６０μｍのスポッ
ト径でガラス基板に照射することにより、１０〜３０μ
ｍ径で高さ１０〜１００ｎｍのドームを形成する技術も
報告されている（ＣＬＥＯ´９７／１７６， ＣＴｕＸ
２、 １９９７年５月２０日）。しかし、この例も第１
の例と同様に、エネルギー密度の制御が必要であり、レ
ーザパルスの照射間隔が重ならないようにする必要があ
る。
振器からのパルス状のレーザを３０〜６０μｍのスポッ
ト径でガラス基板に照射することにより、１０〜３０μ
ｍ径で高さ１０〜１００ｎｍのドームを形成する技術も
報告されている（ＣＬＥＯ´９７／１７６， ＣＴｕＸ
２、 １９９７年５月２０日）。しかし、この例も第１
の例と同様に、エネルギー密度の制御が必要であり、レ
ーザパルスの照射間隔が重ならないようにする必要があ
る。
【０００９】また、上記のいずれの例においても、ガラ
ス基板表面に形成されるのは突起であり、アブレーショ
ンによる凹部で凹凸を形成するのは困難であった。
ス基板表面に形成されるのは突起であり、アブレーショ
ンによる凹部で凹凸を形成するのは困難であった。
【００１０】なお、第３の例として、ガラス基板に対す
る光透過率が１０％以下である波長のパルス状のレーザ
を照射して突起とアブレーションによる凹部の両方によ
る凹凸を形成する方法が特開平９−７１６７号に開示さ
れているが、この例では光透過率が１０％以下であるレ
ーザ発振器と組合わせなければならないという制約があ
る。
る光透過率が１０％以下である波長のパルス状のレーザ
を照射して突起とアブレーションによる凹部の両方によ
る凹凸を形成する方法が特開平９−７１６７号に開示さ
れているが、この例では光透過率が１０％以下であるレ
ーザ発振器と組合わせなければならないという制約があ
る。
【００１１】そこで、本発明の課題は、レーザによるガ
ラス基板への微小な凹凸の形成をアブレーションによる
凹部で容易に行うことのできるレーザ加工方法を提供す
ることにある。
ラス基板への微小な凹凸の形成をアブレーションによる
凹部で容易に行うことのできるレーザ加工方法を提供す
ることにある。
【００１２】本発明の他の課題は、上記のレーザ加工方
法に適したレーザ加工装置を提供することにある。
法に適したレーザ加工装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、赤外域
の波長を持つパルス状のレーザを出力するレーザ発振器
を用い、前記パルス状のレーザをスキャン光学系により
振らせてガラス基板の被加工領域に照射することによ
り、前記ガラス基板の表面にアブレーションによる凹部
を多数形成することを特徴とするレーザによるガラス基
板の加工方法が提供される。
の波長を持つパルス状のレーザを出力するレーザ発振器
を用い、前記パルス状のレーザをスキャン光学系により
振らせてガラス基板の被加工領域に照射することによ
り、前記ガラス基板の表面にアブレーションによる凹部
を多数形成することを特徴とするレーザによるガラス基
板の加工方法が提供される。
【００１４】本発明によればまた、赤外域の波長を持つ
パルス状のレーザを出力するレーザ発振器と、前記パル
ス状のレーザを振らせてガラス基板の被加工領域に照射
するためのスキャン光学系と、前記ガラス基板を搭載
し、一軸方向の移動、あるいは互いに直交する二軸方向
の移動、もしくは水平回転可能なステージとを含み、前
記パルス状のレーザを前記スキャン光学系により振らせ
て前記ガラス基板の被加工領域に照射することにより、
前記ガラス基板の表面にアブレーションによる凹部を多
数形成することを特徴とするレーザによるガラス基板の
加工装置が提供される。
パルス状のレーザを出力するレーザ発振器と、前記パル
ス状のレーザを振らせてガラス基板の被加工領域に照射
するためのスキャン光学系と、前記ガラス基板を搭載
し、一軸方向の移動、あるいは互いに直交する二軸方向
の移動、もしくは水平回転可能なステージとを含み、前
記パルス状のレーザを前記スキャン光学系により振らせ
て前記ガラス基板の被加工領域に照射することにより、
前記ガラス基板の表面にアブレーションによる凹部を多
数形成することを特徴とするレーザによるガラス基板の
加工装置が提供される。
【００１５】特に、本発明による前記凹部はその周縁部
が基板面よりも盛り上がるように形成されることを特徴
とする。
が基板面よりも盛り上がるように形成されることを特徴
とする。
【００１６】なお、前記レーザ発振器としては、ＣＯ2
ガスレーザ発振器、ＣＯガスレーザ発振器、固体レーザ
発振器のいずれかを用いる。
ガスレーザ発振器、ＣＯガスレーザ発振器、固体レーザ
発振器のいずれかを用いる。
【００１７】また、前記スキャン光学系としては、前記
パルス状のレーザを一軸方向に振らせるためのガルバノ
スキャナ、前記パルス状のレーザを一軸方向及び該一軸
方向に直交する方向に振らせるための一対のガルバノス
キャナ、ポリゴンミラー、前記パルス状のレーザを一軸
方向及び該一軸方向に直交する方向に振らせるための一
対のポリゴンミラーのいずれかを用いることを特徴とす
る。
パルス状のレーザを一軸方向に振らせるためのガルバノ
スキャナ、前記パルス状のレーザを一軸方向及び該一軸
方向に直交する方向に振らせるための一対のガルバノス
キャナ、ポリゴンミラー、前記パルス状のレーザを一軸
方向及び該一軸方向に直交する方向に振らせるための一
対のポリゴンミラーのいずれかを用いることを特徴とす
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１、図２を参照して、本発明の
好ましい実施の形態について説明する。図１において、
本形態によるレーザ加工装置は、赤外域に発振波長を持
つパルス状のレーザを出力するレーザ発振器１１と、ビ
ーム整形光学系１２と、７０％以上の反射率を持つミラ
ー１３と、全反射ミラー１５と、スキャン光学系として
のポリゴンミラー１６と、集光光学系１７と、ガラス基
板１８を搭載するためのステージ１９と、レーザ発振器
１１、ポリゴンミラー１６、及びステージ１９を制御す
るための制御装置２０とを含む。
好ましい実施の形態について説明する。図１において、
本形態によるレーザ加工装置は、赤外域に発振波長を持
つパルス状のレーザを出力するレーザ発振器１１と、ビ
ーム整形光学系１２と、７０％以上の反射率を持つミラ
ー１３と、全反射ミラー１５と、スキャン光学系として
のポリゴンミラー１６と、集光光学系１７と、ガラス基
板１８を搭載するためのステージ１９と、レーザ発振器
１１、ポリゴンミラー１６、及びステージ１９を制御す
るための制御装置２０とを含む。
【００１９】レーザ発振器１１としては、ＣＯ2 ガスレ
ーザ発振器、ＣＯガスレーザ発振器の他、赤外域に発振
波長を持つレーザであれば固体レーザ発振器でも良い。
ビーム整形光学系１２は、可変口径の絞り機構、あるい
は直交する２つの可変スリットの組合わせ、または交換
式のマスク等によるレーザ光量調節の機能を持つもので
あれば良い。要するに、ビーム整形光学系１２は、レー
ザビームの一部を切り出すもので、場合によってはビー
ムを分割後重ね合わせを行うホモジナイザとしての機能
を持たせても良い。
ーザ発振器、ＣＯガスレーザ発振器の他、赤外域に発振
波長を持つレーザであれば固体レーザ発振器でも良い。
ビーム整形光学系１２は、可変口径の絞り機構、あるい
は直交する２つの可変スリットの組合わせ、または交換
式のマスク等によるレーザ光量調節の機能を持つもので
あれば良い。要するに、ビーム整形光学系１２は、レー
ザビームの一部を切り出すもので、場合によってはビー
ムを分割後重ね合わせを行うホモジナイザとしての機能
を持たせても良い。
【００２０】ミラー１３の後方には、その透過光を検出
するモニタ１４が設けられる。モニタ１４は、パルス状
のレーザのエネルギー、パワー、ビームプロファイルの
うちの１つあるいはこれらを組合わせてモニタするもの
である。モニタ１４の出力は制御装置２０に送られる。
するモニタ１４が設けられる。モニタ１４は、パルス状
のレーザのエネルギー、パワー、ビームプロファイルの
うちの１つあるいはこれらを組合わせてモニタするもの
である。モニタ１４の出力は制御装置２０に送られる。
【００２１】ポリゴンミラー１６には投光器２１から光
が照射され、その反射光を受光センサ２２で検出するこ
とにより、反射角度の変化に応じたポリゴンミラーの回
転位置を検出し、回転位置検出信号を制御装置２０に出
力する。受光センサ２２は、フォトダイオード、フォト
ダイオードアレイやＰＳＤと呼ばれる受光系が用いられ
る。
が照射され、その反射光を受光センサ２２で検出するこ
とにより、反射角度の変化に応じたポリゴンミラーの回
転位置を検出し、回転位置検出信号を制御装置２０に出
力する。受光センサ２２は、フォトダイオード、フォト
ダイオードアレイやＰＳＤと呼ばれる受光系が用いられ
る。
【００２２】集光光学系１７としては、一枚の凸レン
ズ、組合わせレンズ、ｆθレンズ等が用いられる。
ズ、組合わせレンズ、ｆθレンズ等が用いられる。
【００２３】ステージ１９は、水平方向に関して一軸方
向あるいは互いに直交する二軸方向の移動が可能な駆動
機構を備えている。すなわち、ガラス基板１８の全面領
域にパルス状のレーザをランダムに照射する場合には、
上記のように一軸方向あるいは互いに直交する二軸方向
の駆動機構が好ましいが、ガラス基板１８の一部領域に
パルス状のレーザをランダムに照射する場合には、ガラ
ス基板１８を水平に回転させる回転駆動機構が好まし
い。いずれにしても、ステージ１９にはその位置を検出
するための位置センサが設けられ、その検出信号は制御
装置２０に送られる。
向あるいは互いに直交する二軸方向の移動が可能な駆動
機構を備えている。すなわち、ガラス基板１８の全面領
域にパルス状のレーザをランダムに照射する場合には、
上記のように一軸方向あるいは互いに直交する二軸方向
の駆動機構が好ましいが、ガラス基板１８の一部領域に
パルス状のレーザをランダムに照射する場合には、ガラ
ス基板１８を水平に回転させる回転駆動機構が好まし
い。いずれにしても、ステージ１９にはその位置を検出
するための位置センサが設けられ、その検出信号は制御
装置２０に送られる。
【００２４】以下に、本レーザ加工装置の動作について
説明する。レーザ発振器１１からのパルス状のレーザ
は、ビーム整形光学系１２により所望のレーザ光量を持
つレーザに整形され、ミラー１３、全反射ミラー１５を
経由してポリゴンミラー１６に入射する。ポリゴンミラ
ー１６は、入射したパルス状のレーザをガラス基板１８
の被加工領域において直線的に振らせることで、いわば
一軸方向の走査を行う。この一軸方向の走査と合わせて
ステージ１９は一軸方向（上記の一軸方向と直角な方
向）あるいは二軸方向に駆動される。ポリゴンミラー１
６の回転速度制御、ステージ１９の駆動制御は、受光セ
ンサ２２の検出結果を用いて制御装置２０がポリゴンミ
ラー１６の一枚分のミラーの回転（図１のような８枚の
ミラーの場合、４５度の回転角度）が終了すると、ステ
ージ１９を一軸方向あるいは二軸方向に所定距離だけ移
動させるように制御する。ポリゴンミラー１６の回転速
度にもよるが、通常、数１０ｋＨｚでのパルス照射によ
る高速加工を行うことができる。制御装置２０はまた、
モニタ１４の検出結果を用いて、レーザ発振器１１を制
御してパルスの周期やパルスの幅を調整する。このよう
にして、ガラス基板１８の被加工領域全面にパルス状の
レーザの照射が行われる。
説明する。レーザ発振器１１からのパルス状のレーザ
は、ビーム整形光学系１２により所望のレーザ光量を持
つレーザに整形され、ミラー１３、全反射ミラー１５を
経由してポリゴンミラー１６に入射する。ポリゴンミラ
ー１６は、入射したパルス状のレーザをガラス基板１８
の被加工領域において直線的に振らせることで、いわば
一軸方向の走査を行う。この一軸方向の走査と合わせて
ステージ１９は一軸方向（上記の一軸方向と直角な方
向）あるいは二軸方向に駆動される。ポリゴンミラー１
６の回転速度制御、ステージ１９の駆動制御は、受光セ
ンサ２２の検出結果を用いて制御装置２０がポリゴンミ
ラー１６の一枚分のミラーの回転（図１のような８枚の
ミラーの場合、４５度の回転角度）が終了すると、ステ
ージ１９を一軸方向あるいは二軸方向に所定距離だけ移
動させるように制御する。ポリゴンミラー１６の回転速
度にもよるが、通常、数１０ｋＨｚでのパルス照射によ
る高速加工を行うことができる。制御装置２０はまた、
モニタ１４の検出結果を用いて、レーザ発振器１１を制
御してパルスの周期やパルスの幅を調整する。このよう
にして、ガラス基板１８の被加工領域全面にパルス状の
レーザの照射が行われる。
【００２５】ここで、本形態では、赤外領域のレーザを
照射することにより、ガラス基板１８にはアブレーショ
ンによる凹部が形成される。特に、この凹部は、図２に
示されるように、周縁部が基板面よりも盛り上がるよう
に形成される点に特徴を有する。例えば、液晶用ガラス
基板の場合、ＣＯ2 ガスレーザ発振器を用いて波長１
０．６μｍ、パルス幅３０〜１００μｓｅｃのレーザで
加工を行った結果、深さＨｖが２〜４μｍ、周縁の盛り
上がり部の高さＨｐが０．１〜０．３μｍ、直径Ｗが１
００〜２００μｍの凹部が得られた。図３には、ＣＯ2
ガスレーザ発振器を用いて波長１０．６μｍ、パルス幅
３５μｓｅｃのレーザで無アルカリガラスに対して加工
を行った場合の測定結果の一例を示す。なお、図３にお
いて横軸は穴の径方向の寸法を示し、縦軸は穴の深さ方
向の寸法を示す。また、縦軸においてＫＡとあるのは、
１０００オングストローム＝１０-1μｍを表す。図３に
よれば、穴の周縁部に盛り上がり部が形成されているこ
とが確認されよう。そして、このような盛り上がり部
は、ガラス基板の分光透過率にかかわらず、形成され
る。
照射することにより、ガラス基板１８にはアブレーショ
ンによる凹部が形成される。特に、この凹部は、図２に
示されるように、周縁部が基板面よりも盛り上がるよう
に形成される点に特徴を有する。例えば、液晶用ガラス
基板の場合、ＣＯ2 ガスレーザ発振器を用いて波長１
０．６μｍ、パルス幅３０〜１００μｓｅｃのレーザで
加工を行った結果、深さＨｖが２〜４μｍ、周縁の盛り
上がり部の高さＨｐが０．１〜０．３μｍ、直径Ｗが１
００〜２００μｍの凹部が得られた。図３には、ＣＯ2
ガスレーザ発振器を用いて波長１０．６μｍ、パルス幅
３５μｓｅｃのレーザで無アルカリガラスに対して加工
を行った場合の測定結果の一例を示す。なお、図３にお
いて横軸は穴の径方向の寸法を示し、縦軸は穴の深さ方
向の寸法を示す。また、縦軸においてＫＡとあるのは、
１０００オングストローム＝１０-1μｍを表す。図３に
よれば、穴の周縁部に盛り上がり部が形成されているこ
とが確認されよう。そして、このような盛り上がり部
は、ガラス基板の分光透過率にかかわらず、形成され
る。
【００２６】また、これまで、ＣＯ2 ガスレーザ発振器
は、ガラス基板に対するマーキング加工に応用されてい
るが、熱によるクラックが生じる。これに対し、本形態
では、例えば透明フロート板ガラス（ソーダ石灰ガラ
ス）に上記のような加工を行っても、クラックは発生し
ないことが確認されている。
は、ガラス基板に対するマーキング加工に応用されてい
るが、熱によるクラックが生じる。これに対し、本形態
では、例えば透明フロート板ガラス（ソーダ石灰ガラ
ス）に上記のような加工を行っても、クラックは発生し
ないことが確認されている。
【００２７】このような凹部がガラス基板１８にランダ
ムに多数形成される結果、ガラス基板１８の表面は凹凸
になり、高密度記録用の磁気記録媒体に適したガラス基
板が提供される。
ムに多数形成される結果、ガラス基板１８の表面は凹凸
になり、高密度記録用の磁気記録媒体に適したガラス基
板が提供される。
【００２８】なお、スキャン光学系としては、ポリゴン
ミラーの他に、パルス状のレーザを一軸方向に振らせる
ためのガルバノスキャナと呼ばれる走査系や、パルス状
のレーザを一軸方向に振らせるための第１のガルバノス
キャナとこの第１のガルバノスキャナからのパルス状の
レーザを上記一軸方向に直交する方向に振らせるための
第２のガルバノスキャナとの組合わせによる走査系を用
いても良い。また、ポリゴンミラー１６の回転速度の検
出は、回転角度センサをポリゴンミラー１６に設けて行
うようにしても良い。
ミラーの他に、パルス状のレーザを一軸方向に振らせる
ためのガルバノスキャナと呼ばれる走査系や、パルス状
のレーザを一軸方向に振らせるための第１のガルバノス
キャナとこの第１のガルバノスキャナからのパルス状の
レーザを上記一軸方向に直交する方向に振らせるための
第２のガルバノスキャナとの組合わせによる走査系を用
いても良い。また、ポリゴンミラー１６の回転速度の検
出は、回転角度センサをポリゴンミラー１６に設けて行
うようにしても良い。
【００２９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、赤外域の波長を持つレーザ発振器を用いてガラス基
板にアブレーションによる凹部を形成することで、ガラ
ス基板表面に多数の凹凸を簡単に形成することができ、
磁気記録媒体に適したガラス基板を提供することができ
る。
ば、赤外域の波長を持つレーザ発振器を用いてガラス基
板にアブレーションによる凹部を形成することで、ガラ
ス基板表面に多数の凹凸を簡単に形成することができ、
磁気記録媒体に適したガラス基板を提供することができ
る。
【図１】本発明の好ましい実施の形態によるレーザ加工
装置の構成を示した図である。
装置の構成を示した図である。
【図２】本発明のレーザ加工装置により形成された凹部
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明により得られた凹部の測定結果を示すグ
ラフ図である。
ラフ図である。
１１ レーザ発振器 １２ ビーム整形光学系 １３ ミラー １４ モニタ １５ 全反射ミラー １６ ポリゴンミラー １７ 集光光学系 １８ ガラス基板 １９ ステージ ２０ 制御装置 ２１ 投光器 ２２ 受光センサ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ａ
Claims (9)
- 【請求項１】 赤外域の波長を持つパルス状のレーザを
出力するレーザ発振器を用い、前記パルス状のレーザを
スキャン光学系により振らせてガラス基板の被加工領域
に照射することにより、前記ガラス基板の表面にアブレ
ーションによる凹部を多数形成することを特徴とするレ
ーザによるガラス基板の加工方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の加工方法において、前記
凹部の周縁部が基板面よりも盛り上がるように形成され
ることを特徴とするレーザによるガラス基板の加工方
法。 - 【請求項３】 請求項２記載の加工方法において、前記
レーザ発振器として、ＣＯ2 ガスレーザ発振器、ＣＯガ
スレーザ発振器、固体レーザ発振器のいずれかを用いる
ことを特徴とするレーザによるガラス基板の加工方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の加工方法において、前記
スキャン光学系として、前記パルス状のレーザを一軸方
向に振らせるためのガルバノスキャナ、前記パルス状の
レーザを一軸方向及び該一軸方向に直交する方向に振ら
せるための一対のガルバノスキャナ、ポリゴンミラー、
前記パルス状のレーザを一軸方向及び該一軸方向に直交
する方向に振らせるための一対のポリゴンミラーのいず
れかを用いることを特徴とするレーザによるガラス基板
の加工方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の加工方法において、前記
ガラス基板を、一軸方向に移動可能なステージ、あるい
は互いに直交する二軸方向に移動可能なステージ、もし
くは水平回転可能なステージに搭載して前記パルス状の
レーザの照射位置を変化させることを特徴とするレーザ
によるガラス基板の加工方法。 - 【請求項６】 赤外域の波長を持つパルス状のレーザを
出力するレーザ発振器と、 前記パルス状のレーザを振らせてガラス基板の被加工領
域に照射するためのスキャン光学系と、 前記ガラス基板を搭載し、一軸方向の移動、あるいは互
いに直交する二軸方向の移動、もしくは水平回転可能な
ステージとを含み、 前記パルス状のレーザを前記スキャン光学系により振ら
せて前記ガラス基板の被加工領域に照射することによ
り、前記ガラス基板の表面にアブレーションによる凹部
を多数形成することを特徴とするレーザによるガラス基
板の加工装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の加工装置において、前記
凹部はその周縁部が基板面よりも盛り上がるように形成
されることを特徴とするレーザによるガラス基板の加工
装置。 - 【請求項８】 請求項７記載の加工装置において、前記
レーザ発振器として、ＣＯ2 ガスレーザ発振器、ＣＯガ
スレーザ発振器、固体レーザ発振器のいずれかを用いる
ことを特徴とするレーザによるガラス基板の加工装置。 - 【請求項９】 請求項８記載の加工装置において、前記
スキャン光学系として、前記パルス状のレーザを一軸方
向に振らせるためのガルバノスキャナ、前記パルス状の
レーザを一軸方向及び該一軸方向に直交する方向に振ら
せるための一対のガルバノスキャナ、ポリゴンミラー、
前記パルス状のレーザを一軸方向及び該一軸方向に直交
する方向に振らせるための一対のポリゴンミラーのいず
れかを用いることを特徴とするレーザによるガラス基板
の加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156443A JPH115181A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | レーザによるガラス基板の加工方法及び加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9156443A JPH115181A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | レーザによるガラス基板の加工方法及び加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH115181A true JPH115181A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15627870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9156443A Pending JPH115181A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | レーザによるガラス基板の加工方法及び加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH115181A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004058103A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Central Glass Co Ltd | 基板へのマーキング方法及び装置 |
| US7312135B2 (en) | 2002-09-05 | 2007-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| KR100832801B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-05-27 | (주)하드램 | 폴리곤미러를 적용한 레이저커팅장치 |
| KR101018207B1 (ko) * | 2009-02-06 | 2011-02-28 | 삼성전기주식회사 | 빔 스캐너 및 표면 측정 장치 |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP9156443A patent/JPH115181A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004058103A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Central Glass Co Ltd | 基板へのマーキング方法及び装置 |
| US7312135B2 (en) | 2002-09-05 | 2007-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| US8449806B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| KR100832801B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-05-27 | (주)하드램 | 폴리곤미러를 적용한 레이저커팅장치 |
| KR101018207B1 (ko) * | 2009-02-06 | 2011-02-28 | 삼성전기주식회사 | 빔 스캐너 및 표면 측정 장치 |
| US8098382B2 (en) | 2009-02-06 | 2012-01-17 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Beam scanner and surface measurement apparatus |
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