JPH1151848A - 腐食試験方法およびその装置 - Google Patents
腐食試験方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH1151848A JPH1151848A JP21992197A JP21992197A JPH1151848A JP H1151848 A JPH1151848 A JP H1151848A JP 21992197 A JP21992197 A JP 21992197A JP 21992197 A JP21992197 A JP 21992197A JP H1151848 A JPH1151848 A JP H1151848A
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- JP
- Japan
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- corrosion test
- sample
- inert liquid
- corrosion
- moisture
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- Pending
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- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造装置などに用いる材料において、
特に腐食性のプロセス用ガスに対する耐食性を評価する
ための腐食試験方法およびその装置を提供する。 【解決手段】 半導体デバイスの製造等に用いられるプ
ロセス用ガスによる腐食試験方法において、腐食試験終
了後直ちに腐食試験室内に配置された試料片３を、水分
を含まない不活性な液体に浸漬することにより、腐食試
験後に大気中の水分との接触なしに評価手段へ持ち込む
ようにしたものであり、試料室１と、試料皿２と、その
容器を複数のせることのできるテーブル４と、水分を含
まない不活性な液体を貯めておくタンク５およびその不
活性な液体を複数の試料皿に導入する装置とで腐食試験
装置を構成している。
特に腐食性のプロセス用ガスに対する耐食性を評価する
ための腐食試験方法およびその装置を提供する。 【解決手段】 半導体デバイスの製造等に用いられるプ
ロセス用ガスによる腐食試験方法において、腐食試験終
了後直ちに腐食試験室内に配置された試料片３を、水分
を含まない不活性な液体に浸漬することにより、腐食試
験後に大気中の水分との接触なしに評価手段へ持ち込む
ようにしたものであり、試料室１と、試料皿２と、その
容器を複数のせることのできるテーブル４と、水分を含
まない不活性な液体を貯めておくタンク５およびその不
活性な液体を複数の試料皿に導入する装置とで腐食試験
装置を構成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置な
どに用いる材料において、特に腐食性のプロセス用ガス
に対する耐食性を評価するための腐食試験方法およびそ
の装置に関する。
どに用いる材料において、特に腐食性のプロセス用ガス
に対する耐食性を評価するための腐食試験方法およびそ
の装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造、たとえばドライ
エッチング装置等に用いられるプロセス用ガスによる腐
食試験において、従来、試料室内に試料を入れておき、
その後試料室内に、ある濃度の塩素ガスや臭化水素ガス
などのエッチングプロセスに用いられるような腐食性ガ
スを導入し、一定時間試料と接触させた後、試料室を大
気に開放し、試料を試料室内より取り出し評価手段へ持
ち込んでいた。
エッチング装置等に用いられるプロセス用ガスによる腐
食試験において、従来、試料室内に試料を入れておき、
その後試料室内に、ある濃度の塩素ガスや臭化水素ガス
などのエッチングプロセスに用いられるような腐食性ガ
スを導入し、一定時間試料と接触させた後、試料室を大
気に開放し、試料を試料室内より取り出し評価手段へ持
ち込んでいた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来技術で
は、空気中に含まれる水分が試料表面に吸着し、試料表
面に残留する塩素ガスや臭化水素ガスまたはそれらのイ
オンと反応してしまうため、腐食が急激に進行するとい
う問題があった。さらに、評価手段へ持ち込む過程にお
いても大気中の水分との同様の反応によって、徐々に腐
食が進行してしまうという問題があった。これらは、特
に微量な腐食量を評価しようとした場合、腐食条件とは
全く関係のないところ、すなわち外乱によって腐食した
結果を評価することとなり、大きな問題であった。そこ
で、本発明は半導体製造装置などに用いる材料におい
て、特に腐食性のプロセス用ガスに対する耐食性を評価
するための腐食試験方法およびその装置を提供すること
を目的とする。
は、空気中に含まれる水分が試料表面に吸着し、試料表
面に残留する塩素ガスや臭化水素ガスまたはそれらのイ
オンと反応してしまうため、腐食が急激に進行するとい
う問題があった。さらに、評価手段へ持ち込む過程にお
いても大気中の水分との同様の反応によって、徐々に腐
食が進行してしまうという問題があった。これらは、特
に微量な腐食量を評価しようとした場合、腐食条件とは
全く関係のないところ、すなわち外乱によって腐食した
結果を評価することとなり、大きな問題であった。そこ
で、本発明は半導体製造装置などに用いる材料におい
て、特に腐食性のプロセス用ガスに対する耐食性を評価
するための腐食試験方法およびその装置を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、半導体デバイスの製造等に用いられる
プロセス用ガスによる腐食試験において、腐食試験終了
後直ちに腐食試験室内に配置された試料片を、水分を含
まない不活性な液体に浸漬することにより、腐食試験後
に大気中の水分との接触なしに評価手段へ持ち込むこと
のできる腐食試験方法であり、その腐食試験装置は試料
室と、試料皿と、その容器を複数のせることのできるテ
ーブルと、水分を含まない不活性な液体を貯めておくタ
ンクおよびその不活性な液体を複数の試料皿に導入する
装置とからなることを特徴とするものである。本発明に
おける腐食試験方法およびその装置は、上記手段により
腐食試験後の試料の水分との接触による急激な腐食反応
や、評価手段に持ち込むまでの水分との接触による腐食
の進行を抑えることができ、腐食試験における外乱を少
なくすることが可能である。
めに、本発明は、半導体デバイスの製造等に用いられる
プロセス用ガスによる腐食試験において、腐食試験終了
後直ちに腐食試験室内に配置された試料片を、水分を含
まない不活性な液体に浸漬することにより、腐食試験後
に大気中の水分との接触なしに評価手段へ持ち込むこと
のできる腐食試験方法であり、その腐食試験装置は試料
室と、試料皿と、その容器を複数のせることのできるテ
ーブルと、水分を含まない不活性な液体を貯めておくタ
ンクおよびその不活性な液体を複数の試料皿に導入する
装置とからなることを特徴とするものである。本発明に
おける腐食試験方法およびその装置は、上記手段により
腐食試験後の試料の水分との接触による急激な腐食反応
や、評価手段に持ち込むまでの水分との接触による腐食
の進行を抑えることができ、腐食試験における外乱を少
なくすることが可能である。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図に基
づいて説明する。図１は本発明の腐食試験装置の要部を
示す側断面図である。図において、１は試料室、２は試
料皿、３は試料片、４は２の容器を複数のせることので
きるテーブル、５は水分を含まない不活性な液体を貯め
ておくタンク、６は水分を含まない不活性な液体、７は
その不活性な液体を導入するためのバルブ、８は不活性
な液体を導入するためのパイプ、９は４を回転させるた
めの回転導入機である。以下、腐食試験方法について説
明する。試料室１内に設置されたテーブル４に配置され
た複数の試料皿２内に、評価しようとする試料片３を入
れておき、その後試料室１内に、ある濃度の塩素ガスや
臭化水素ガスなどのエッチングプロセスに用いられるよ
うな腐食性ガスを導入し、一定時間試料と接触させる。
その後、試料室１内を真空ポンプによって排気した後、
２ppm 以下の水分濃度に管理された超乾燥窒素ガスを導
入し、真空ポンプによる排気と超乾燥窒素ガスの導入を
繰り返すことによって、試料室１内を超乾燥窒素雰囲気
に置換する。その後直ちに、例えばフロリナートのよう
な水分を含まない不活性な液体６をバルブ７を用いて、
試料室１内に設置された試料皿２内の試料片が完全に浸
漬するまで導入する。複数個の試料片がある場合は回転
導入機９を用いて、回転テーブルを回転させ、試料皿２
が不活性な液体を導入するためのパイプの下に来たとき
に、バルブ７によって不活性な液体６を導入する。不活
性な液体の導入が完了した後、試料室３は大気に開放さ
れるため試料片３は大気中の水分との接触は全くない。
この後、試料片３は試料皿２に入れられたまま評価手段
へ持ち込まれるため、取り扱い途中での水分との反応に
よる腐食の進行も全くない。なお、評価手段としては、
重量測定、顕微鏡観察やイオン分析などが考えられる。
重量測定や顕微鏡観察などは超乾燥アルゴンなどを用い
たグローブボックス内で行ない、試料片３を不活性な液
体から取り出した後、直ちに純水で洗浄しイオンクロマ
トなどのイオン分析に供試することなどが考えられる。
づいて説明する。図１は本発明の腐食試験装置の要部を
示す側断面図である。図において、１は試料室、２は試
料皿、３は試料片、４は２の容器を複数のせることので
きるテーブル、５は水分を含まない不活性な液体を貯め
ておくタンク、６は水分を含まない不活性な液体、７は
その不活性な液体を導入するためのバルブ、８は不活性
な液体を導入するためのパイプ、９は４を回転させるた
めの回転導入機である。以下、腐食試験方法について説
明する。試料室１内に設置されたテーブル４に配置され
た複数の試料皿２内に、評価しようとする試料片３を入
れておき、その後試料室１内に、ある濃度の塩素ガスや
臭化水素ガスなどのエッチングプロセスに用いられるよ
うな腐食性ガスを導入し、一定時間試料と接触させる。
その後、試料室１内を真空ポンプによって排気した後、
２ppm 以下の水分濃度に管理された超乾燥窒素ガスを導
入し、真空ポンプによる排気と超乾燥窒素ガスの導入を
繰り返すことによって、試料室１内を超乾燥窒素雰囲気
に置換する。その後直ちに、例えばフロリナートのよう
な水分を含まない不活性な液体６をバルブ７を用いて、
試料室１内に設置された試料皿２内の試料片が完全に浸
漬するまで導入する。複数個の試料片がある場合は回転
導入機９を用いて、回転テーブルを回転させ、試料皿２
が不活性な液体を導入するためのパイプの下に来たとき
に、バルブ７によって不活性な液体６を導入する。不活
性な液体の導入が完了した後、試料室３は大気に開放さ
れるため試料片３は大気中の水分との接触は全くない。
この後、試料片３は試料皿２に入れられたまま評価手段
へ持ち込まれるため、取り扱い途中での水分との反応に
よる腐食の進行も全くない。なお、評価手段としては、
重量測定、顕微鏡観察やイオン分析などが考えられる。
重量測定や顕微鏡観察などは超乾燥アルゴンなどを用い
たグローブボックス内で行ない、試料片３を不活性な液
体から取り出した後、直ちに純水で洗浄しイオンクロマ
トなどのイオン分析に供試することなどが考えられる。
【０００６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明における腐食
試験方法とその装置によれば、腐食試験終了後直ちに腐
食試験室内に配置された試料片を、水分を含まない不活
性な液体に浸漬することにより、腐食試験後に水分との
接触なしに重量測定などの評価手段へ持ち込むことがで
きるため、試料表面に残留する腐食性のガスまたはその
イオンと水分との反応による急激な腐食反応や腐食の進
行を抑えることができ、腐食試験における外乱を少なく
できるという効果がある。
試験方法とその装置によれば、腐食試験終了後直ちに腐
食試験室内に配置された試料片を、水分を含まない不活
性な液体に浸漬することにより、腐食試験後に水分との
接触なしに重量測定などの評価手段へ持ち込むことがで
きるため、試料表面に残留する腐食性のガスまたはその
イオンと水分との反応による急激な腐食反応や腐食の進
行を抑えることができ、腐食試験における外乱を少なく
できるという効果がある。
【図１】 本発明の腐食試験装置の要部を示す側断面図
である。
である。
【符号の説明】 １ 試料室 ２ 試料皿 ３ 試料片 ４ テーブル ５ タンク ６ 水分を含まない不活性な液体 ７ バルブ ８ パイプ ９ 回転導入機
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体デバイスの製造等に用いられるプ
ロセス用ガスによる腐食試験において、腐食試験終了後
直ちに腐食試験室内に配置された試料片を、水分を含ま
ない不活性な液体に浸漬することにより、腐食試験後に
水分との接触なしに評価手段へ持ち込むことを特徴とす
る腐食試験方法。 - 【請求項２】 半導体デバイスの製造等に用いられるプ
ロセス用ガスによる腐食試験において、試料室と、試料
皿と、その試料皿を複数のせることのできるテーブル
と、水分を含まない不活性な液体を貯めておくタンクお
よびその不活性な液体を複数の試料皿に導入する装置と
からなることを特徴とする腐食試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21992197A JPH1151848A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 腐食試験方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21992197A JPH1151848A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 腐食試験方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1151848A true JPH1151848A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16743115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21992197A Pending JPH1151848A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 腐食試験方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1151848A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104089869A (zh) * | 2014-06-06 | 2014-10-08 | 华南理工大学 | 滤料腐蚀模拟实验装置及方法 |
| CN104406907A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种油井缓蚀剂动态扩散腐蚀监测装置及方法 |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP21992197A patent/JPH1151848A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104089869A (zh) * | 2014-06-06 | 2014-10-08 | 华南理工大学 | 滤料腐蚀模拟实验装置及方法 |
| CN104406907A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种油井缓蚀剂动态扩散腐蚀监测装置及方法 |
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