JPH1153940A - 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ビアホールに充填された銅メタライズ組成物と
ガラスセラミック磁器とを同時焼成でき、得られたビア
ホール導体はガラスセラミック磁器から成る絶縁基体表
面より凸状に突出することを効果的に制御でき、特にサ
ーマルビアを有する各種回路基板や高周波用多層配線基
板等に好適な銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラ
スセラミック配線基板を提供する。 【解決手段】主成分の銅粉末１００重量部に対してガラ
ス転移点が７００〜７５０℃のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −
ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスフリ
ットを２〜２０重量部含有したビアホール用の銅メタラ
イズ組成物を用いて７００〜１０００℃の温度でガラス
セラミック磁器と同時焼成して形成し、ビアホール導体
の絶縁基体表面からの突出高さが５μｍ以下のガラスセ
ラミック配線基板を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
磁器と同時焼成可能なビアホール用の銅メタライズ組成
物と、それを用いてガラスセラミック磁器と同時焼成
し、該ガラスセラミック磁器から成る絶縁基体に対して
良好な焼成収縮の整合性により、形成されたビアホール
導体の絶縁基体表面からの突出高さが極めて小さく、と
りわけサーマルビアとして好適な低抵抗のビアホール導
体を具備した各種回路基板や高周波用多層配線基板等に
適用されるガラスセラミック配線基板に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子を収容する半導体
素子収納用パッケージや、半導体素子の他に各種電子部
品を搭載した混成集積回路装置等の各種配線基板用絶縁
基体として、電気絶縁性や化学的安定性等の特性に優れ
たアルミナ質セラミックスが多用されてきた。

【０００３】しかし、近年、携帯電話に代表される通信
分野における１〜１０ＧＨｚ帯の高周波領域で多用され
る配線基板には、前記アルミナ質セラミックスから成る
絶縁基体よりも更に導体損失の低減と小型化が要求され
ており、このため低抵抗導体として銅（Ｃｕ）や金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）で配線層を形成した誘電率がアルミナ
質セラミックス並みのガラスセラミック配線基板が前記
通信分野用の配線基板として注目されており、例えば、
携帯電話のパワーアンプモジュール等への適用が検討さ
れている。

【０００４】一方、前記ガラスセラミックスはアルミナ
質セラミックスと比較すると熱伝導率が低く、収容した
半導体素子で発生する熱の放散性が劣るという問題があ
り、一般的には、絶縁基体の半導体素子を実装するダイ
アタッチ部から絶縁基体裏面に至るビアホールを形成
し、該ビアホールに高熱伝導率の導電材料を充填してサ
ーマルビアを構成し、該サーマルビアの高熱伝導率の導
電材料を通して熱を効率よく放散させる等の対策が講じ
られている。

【０００５】かかる高熱伝導率の導電材料としては、前
記低抵抗導体の銅や金、銀が適用可能ではあるものの、
金はコストが高くなるという難点がある。

【０００６】他方、銀は大気中で焼成でき、絶縁基体表
面に形成した配線導体にはメッキを施さなくてもワイヤ
ーボンディングが可能であり、コスト面では有利である
ものの、該銀の配線導体はマイグレーションや半田食わ
れの問題から信頼性に劣るという欠点があり、それを改
善するために銀にパラジウム等を添加した場合には導体
抵抗が高くなり、特に前記高周波領域で使用する配線基
板用には適用できないという問題があった。

【０００７】従って、前記低抵抗の導電材料として非酸
化性雰囲気中で焼成しなければならないこと、及び絶縁
基体表面の配線導体にはメッキが必要であるものの、高
い信頼性が確保できる銅の配線化が鋭意研究開発されて
いる。

【０００８】かかる銅を配線導体とするガラスセラミッ
ク配線基板は、例えば、ガラスセラミック原料粉末と有
機バインダー等を用いて調製した泥漿をシート状に成形
した後、得られたガラスセラミックグリーンシートにビ
アホール等を打ち抜き加工し、該ビアホールに銅を主成
分とする導体ペーストを充填すると共に、前記グリーン
シート上に同様の導体ペーストを用いて所定の配線パタ
ーンを形成し、これらの複数枚を位置合わせして加圧積
層した後、一般的には前記積層体を水蒸気を含有する窒
素雰囲気から成る非酸化性雰囲気中で加熱して脱バイン
ダー及び焼成を行うことにより作製されていた。

【０００９】一方、前記サーマルビアは通常のビアホー
ルと同様の方法で、同時に形成できるもので、ガラスセ
ラミックグリーンシートの半導体素子を実装する部分に
打ち抜き加工した開孔部に前記ビアホール用の導体ペー
ストを充填して焼成することによって形成されている。

【００１０】しかし、一般にガラスセラミック配線基板
の絶縁基体と銅から成るビアホール導体とは焼成収縮率
が異なり、即ち、前記ビアホール導体を形成する銅導体
ペーストには球状の銅粉末が使用されるために銅粉末の
充填性が高く焼成収縮率が小さいこと、あるいは銅導体
ペーストの焼成収縮開始温度が前記ガラスセラミックグ
リーンシートより低温であること等から、両者の焼成収
縮曲線の不一致が生じ易く、焼成収縮率を確実に一致さ
せることは困難であり、両者の収縮挙動の違いにより絶
縁基体表面からビアホール導体が凸状に突出する場合が
多い。

【００１１】従って、特に前記ビアホール導体がサーマ
ルビアを構成する場合には、該ビアホール導体が凸状に
突出していると絶縁基体表面に半導体素子を実装する時
に接続不良を生じたり、半導体素子が傾いてワイヤーボ
ンディングが困難となったり、半導体素子を押さえて絶
縁基体表面に実装する場合には半導体素子自体が割れた
りするという欠点があった。

【００１２】そこで、ボンディングパッド部におけるビ
アホール導体が凸状に突出することによる前記欠点を解
消するために、半導体素子が実装されるダイアタッチ部
を外して該ダイアタッチ部と電気的に接続したビアホー
ル導体を設けることが提案されている（特開平５−１３
６２８５号公報参照）。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記提
案ではダイアタッチ部から離れた位置にビアホール導体
を設けることから、収容した半導体素子で発生する熱を
放散するためのサーマルビアが、半導体素子の直下に配
設されていないことから前記熱を効率的に放散すること
が困難であり、しかも、高密度化が進む半導体素子を搭
載する昨今の各種回路基板や高周波用多層配線基板等に
は不適切であるという課題があった。

【００１４】

【発明の目的】本発明は前記課題を解消せんとして成さ
れたもので、その目的は、ビアホールに充填された銅メ
タライズ組成物とガラスセラミック磁器とを同時焼成す
ることができ、得られたビアホール導体はガラスセラミ
ック磁器から成る絶縁基体表面より凸状に突出すること
を効果的に制御でき、とりわけサーマルビアを有する各
種回路基板や高周波用多層配線基板等に好適な銅メタラ
イズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板
を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意研究
の結果、ガラス転移点を厳密に制御したＳｉＯ₂ −Ａｌ
₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガ
ラスフリットを銅メタライズ組成物中に含有させること
により、ビアホールに充填した銅メタライズ組成物とガ
ラスセラミック磁器とを同時焼成しても、得られたビア
ホール導体はガラスセラミック磁器から成る絶縁基体表
面よりの突出を低減できることを知見した。

【００１６】即ち、本発明の銅メタライズ組成物は、７
００〜１０００℃の温度でガラスセラミック磁器と同時
焼成可能なビアホール用の銅メタライズ組成物であり、
該組成物は主成分の銅粉末１００重量部に対してガラス
転移点が７００〜７５０℃のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −Ｒ
Ｏ（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスフリッ
トを２〜２０重量部含有することを特徴とするものであ
る。

【００１７】とりわけ、前記硼珪酸系のガラスフリット
はガラス転移点が７２０〜７５０℃で、その含有量が主
成分の銅粉末１００重量部に対して３〜１５重量部であ
ることがより望ましいものである。

【００１８】また、本発明の銅メタライズ組成物を用い
たガラスセラミック配線基板は、ガラス転移点が７００
〜７５０℃のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカ
リ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスフリットを、主成分の
銅粉末１００重量部に対して２〜２０重量部含有した銅
メタライズ組成物を、窒素雰囲気中、７００〜１０００
℃の温度でガラスセラミック磁器と同時焼成して形成し
たビアホール導体を有し、ガラスセラミック磁器から成
る絶縁基体表面より突出した前記ビアホール導体の高さ
が５μｍ以下であることを特徴とするものである。

【００１９】とりわけ、前記銅メタライズ組成物中の硼
珪酸系ガラスフリットは、そのガラス転移点が７２０〜
７５０℃であり、その含有量が主成分の銅粉末１００重
量部に対して３〜１５重量部であることがより望ましい
ものである。

【００２０】更に、前記銅メタライズ組成物を用いたガ
ラスセラミック配線基板のビアホール導体は、サーマル
ビアとして最適なものである。

【００２１】

【作用】本発明によれば、ビアホール用の銅メタライズ
組成物は、ガラス転移点が７００〜７５０℃のＳｉＯ₂
−Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ
₃ 系ガラスフリットを含有することから、７００〜１０
００℃の温度でガラスセラミック磁器と同時焼成するこ
とができると共に、該ガラスセラミック磁器から成る絶
縁基体との焼成収縮挙動の整合が得られることから、前
記温度で同時焼成するとガラスフリットとガラスセラミ
ック磁器との反応により、銅メタライズ組成物中のガラ
ス成分と絶縁基体のガラスセラミック磁器とが相互拡散
し、ビアホールに充填された銅メタライズ組成物の収縮
が促進され、その結果、ガラスセラミック磁器表面にお
けるビアホール導体の突出が極めて小さいガラスセラミ
ック配線基板を得ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の銅メタライズ組成
物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板について
詳細に述べる。

【００２３】本発明の銅メタライズ組成物は、銅を主成
分としてガラスセラミック磁器と相互拡散するガラスフ
リットとしては、そのガラス転移点が７００〜７５０℃
のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金
属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスで、前記主成分１００重量部に
対してその含有量が２〜２０重量部を占めるものであ
る。

【００２４】本発明の銅メタライズ組成物中の主成分の
銅は、平均粒径が１〜１０μｍ、更に２〜６μｍの球状
粉末を用いるのがより好ましい。

【００２５】また、前記銅粉末の比表面積は、０．２〜
１．５ｍ² ／ｇ程度であり、該銅粉末の形状が非球状で
ある場合、例えば電解法により作製した樹枝状粉末であ
る場合には、銅導体ペースト中における銅粉末の充填密
度が低くなり、焼成後にビアホール導体内部に粗大ボイ
ドが生成し易いという問題がある。

【００２６】更に、前記銅導体ペーストには、該ペース
ト中のガラスの軟化流動による収縮挙動を微調整するた
めにセラミック粉末を添加することができ、融点が高
く、前記ペースト中に添加するガラスと容易に反応して
化合物を生成しないものであればいずれでも良く、例え
ばＡｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 等が挙げられる。

【００２７】前記セラミック粉末の添加量はその粒径や
銅導体ペースト中に添加するガラス粉末にもよるが、銅
粉末１００重量部に対して０．５〜３重量部程度が良好
であり、多すぎるとビアホール導体が緻密に焼結でき
ず、ビアホール導体の突出が大きくなる。

【００２８】一方、前記銅導体ペーストに使用する有機
バインダーには、非酸化性雰囲気中での熱分解性が優れ
たアクリル系樹脂、好ましくはメタクリル酸系樹脂であ
り、溶剤としてはフタル酸ジブチルやα−テルピネオー
ル等の一般的な導体ペースト用の溶剤を適用することが
できる。

【００２９】尚、前記銅導体ペースト用いて形成した配
線パターンを有するガラスセラミック磁器の焼成には、
一般的に水蒸気を混合した窒素雰囲気中で実施される
が、有機バインダー分解後に残留する微量のカーボンを
雰囲気中の水蒸気と反応させ効率良く除去するためには
ガラスセラミック磁器の焼成収縮開始温度を７００℃以
上とし、ガラスセラミック磁器が焼成収縮を開始する前
の多孔質な状態で脱カーボン処理を行うことが望まし
く、ガラスセラミック磁器と同時焼成する銅メタライズ
組成物も焼成収縮開始温度をガラスセラミック磁器と同
等に高くすることが望ましい。

【００３０】次に、本発明におけるガラスフリットとし
ては、ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類
金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ に代表される硼珪酸系ガラスフリット
であり、該ガラスはガラス転移点を７００℃以上と高く
することが容易であり、かつ転移点以上の温度で急激に
軟化流動するという特徴を有するものである。

【００３１】尚、パイレックスガラスに代表される硼珪
酸ガラス（ＳｉＯ₂ −Ｂ₂ Ｏ₃ 系）では、ＳｉＯ₂ 量を
多くすることにより前記ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ
（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスと同等の
ガラス軟化点を持たせることは可能ではあるが、ガラス
転移点が６００℃以下と低く、かつ温度に対するガラス
粘度の低下が緩やかであることから、硼珪酸ガラスを添
加した銅メタライズ組成物の収縮曲線をガラスセラミッ
ク磁器の収縮曲線に合わせることは非常に困難である。

【００３２】また、前記硼珪酸ガラスの組成を調整して
ガラス転移点を高くした場合は焼成温度（７００〜１０
００℃）でのガラスの流動性が悪く、銅メタライズ組成
物が緻密に焼結できない。

【００３３】一方、本発明の銅メタライズ組成物におけ
る主成分の銅粉末は、その粒度分布や形状にもよるが、
一般的に５００℃程度で焼成収縮が開始されるため、銅
メタライズ組成物の収縮開始温度を高くし、かつガラス
セラミック磁器との同時焼成温度（７００〜１０００
℃）において緻密な組織とするためには、ガラス転移点
の高いガラス粉末を添加することが有効である。

【００３４】即ち、前記ガラス転移点以下の低温度では
固体状であり、ガラス転移点を超えると液相となり急激
に軟化流動するようなガラス粉末を銅メタライズ組成物
中に添加することが必要であり、ガラスの軟化特性を表
す場合にガラス軟化点という表現がよく用いられるが、
同じ軟化点を有するガラスであってもガラス組成系によ
って温度に対するガラス粘度の変化が大きく異なるた
め、ガラス組成系の選択が重要となる。

【００３５】従って、本発明において、前記硼珪酸系ガ
ラスフリットのガラス転移点が７００℃未満の場合に
は、ビアホール導体部の焼成収縮がガラスセラミック磁
器よりも低温で進行するため、絶縁基体表面からのビア
ホール導体の突出高さが大となり、ガラス転移点が７５
０℃を超えると焼成時にガラスの軟化流動が不十分とな
ることからビアホール導体の緻密化不良が発生するた
め、ビアホール導体全体が凸状に突き出すと共に、ビア
ホール導体の抵抗値も高くなる。

【００３６】特に、本発明の配線基板が適用される高周
波用途には、少なくとも前記抵抗値が５ｍΩ／ｍｍ以下
程度であることが必要である。

【００３７】次に、前記硼珪酸系ガラスフリットの含有
量が、主成分の銅粉末１００重量部に対して２重量部未
満では、銅粉末の焼結抑制効果が小さく、ビアホール導
体の絶縁基体表面からの突出高さが大となり、２０重量
部を超えるとビアホール導体の抵抗値が高くなることか
ら、その含有量は２〜２０重量部に限定され、更にガラ
ス転移点が７２０〜７５０℃で、その含有量が３〜１５
重量部であることがより望ましい。

【００３８】一方、本発明におけるガラスセラミック磁
器は、ＳｉＯ₂ 及びＢ₂ Ｏ₃ を含有する硼珪酸系ガラス
とセラミックフィラーの混合物から成り、該ホウケイ酸
系ガラスとしてはガラス転移点が７００〜８００℃のＳ
ｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属、Ｚ
ｎ）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系の結晶性ガラスであり、その平均粒径
が１〜５μｍのものが好適である。

【００３９】また、前記ガラス転移点が７００℃未満で
は、ガラスセラミック磁器の焼成収縮が低温で開始され
るため、非酸化性雰囲気中で十分な脱バインダー処理が
困難となり、８００℃を超えるとガラス粉末の製造が困
難になると共に焼成温度が高くなり不適当である。

【００４０】他方、前記硼珪酸系ガラスと混合するセラ
ミックフィラーは、要求される材料特性に応じて選択で
き、例えばＡｌ₂ Ｏ₃ やＳｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ 、３Ａｌ₂
Ｏ₃・２ＳｉＯ₂ 、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ス
トロンチウム等が挙げられ、その平均粒径は０．５〜３
μｍが望ましい。

【００４１】また、銅の配線導体を形成するガラスセラ
ミック磁器は窒素等の非酸化性雰囲気下で脱バインダー
を行うため、用いる有機バインダーには熱分解性に優れ
たメタクリル酸樹脂等が望ましく、該有機バインダーの
特性に応じて可塑剤を添加することも可能である。

【００４２】かくして得られたガラスセラミック配線基
板は、絶縁基体表面からのビアホール導体の突出高さが
５μｍを越えると、接続された半導体素子からの熱放散
性の効率が悪くなり、半導体素子の電気特性が安定しな
いという恐れがあることから不適当である。

【００４３】また、本発明の銅メタライズ組成物とガラ
スセラミック磁器との同時焼成は、３００〜５００℃の
水蒸気を含んだ窒素雰囲気中でそれぞれ含有する有機バ
インダーや可塑剤、溶剤等を分解除去した後、同じく水
蒸気を含んだ窒素雰囲気中で温度を７００〜１０００℃
に上昇し、ガラスセラミック磁器中に微量残存する炭素
を水蒸気と反応させて除去するとともに、ガラスセラミ
ック磁器を緻密化させ、結晶性のガラスを使用した場合
は緻密化と同時にガラスを結晶化させる。

【００４４】次に、得られた絶縁基体表面の銅の配線導
体に用途に応じてメッキ処理を施し、下地にニッケルあ
るいは銅を被覆し、その上に金を被覆して銅の配線導体
を有するガラスセラミック配線基板が得られる。

【００４５】

【実施例】本発明の銅メタライズ組成物及びそれを用い
たガラスセラミック配線基板について、一実施例に基づ
き以下のように評価した。

【００４６】先ず、平均粒径が５μｍの銅メタライズ組
成物の主成分に対して、表１に示すような組成のガラス
転移点（Ｔｇ）が異なるＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ
（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスフリット
とＡｌ₂ Ｏ₃ 粉末をフィラーとして、主成分の銅粉末１
００重量部に対してそれぞれ表２に示す割合で混合し、
該混合物に有機バインダーと溶媒を添加して混練し、ペ
ースト状のビアホール導体用の銅メタライズ用試料を調
製した。

【００４７】

【表１】

【００４８】一方、ＳｉＯ₂ が４４重量％、Ａｌ₂ Ｏ₃
が２８重量％、ＭｇＯが１１重量％、ＺｎＯが８重量
％、Ｂ₂ Ｏ₃ が９重量％の組成を有する結晶性ガラス粉
末６１重量％と、ジルコン酸カルシウム粉末２１重量
％、チタン酸ストロンチウム粉末１６重量％、Ａｌ₂ Ｏ
₃ 粉末２重量％から成るガラスセラミック原料粉末に対
して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹
脂を固形分で１２重量％、可塑剤としてフタル酸ジブチ
ルを６重量％添加し、トルエン及び酢酸エチルを溶媒と
してボールミルにより４０時間混合し、スラリーを調製
した。

【００４９】得られたスラリーをドクターブレード法に
より厚さ０．４ｍｍのガラスセラミックグリーンシート
を成形し、このグリーンシートに直径０．１２ｍｍのビ
アホールを形成し、該ビアホールに前記ビアホール導体
用銅ペーストを充填し、更にその上面にパッドパターン
を印刷し、３枚加圧積層した成形体を作製した。

【００５０】次いで、前記成形体中の有機バインダー等
の有機成分や、該有機成分が分解した後に残留するカー
ボンを除去するため、５５ｍｍＨｇの水蒸気を含んだ窒
素雰囲気中、７５０℃の温度で１時間保持する熱処理を
行った後、９００℃の温度で１時間保持して評価用のガ
ラスセラミック配線基板を作製した。

【００５１】前記評価用のガラスセラミック配線基板を
用いて、絶縁基体表面のビアホール導体部を横切るよう
に表面粗さ計を用いて触針法によりその突出高さ（μ
ｍ）を測定すると共に、絶縁基体を貫通するビアホール
導体を４端子法にて抵抗を測定し、ビアホール抵抗（ｍ
Ω／ｍｍ）を求めた。

【００５２】また、ビアホール導体上に半導体素子を表
面実装後、該半導体素子を研削除去し、ダイアタッチ部
への接合面積の割合を調査して９０％以上のものを良、
９０％未満のものを不良として、その接合性からサーマ
ルビア用として適否を判定した。

【００５３】以上の個別の評価に基づき、優、良、不良
で総合評価した。

【００５４】

【表２】

【００５５】表から明らかなように、本発明の請求範囲
外である試料番号１、２、６、７ではビアホール部の突
出高さが７μｍ以上であり、サーマルビアとしての接合
性も悪く、また同じく試料番号６及び１４はビアホール
導体の抵抗が５．５ｍΩ／ｍｍ以上と極めて大であり、
本発明の目的を満足しない。

【００５６】それに対して、本発明に係る配線基板では
いずれもビアホール導体の突出高さが５μｍ以内で、抵
抗も４．７ｍΩ／ｍｍ以下と低く、かつサーマルビア用
として適切であることが分かる。

【００５７】尚、本発明は前記詳述した実施例に何ら限
定されるものではない。

【００５８】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の銅メタ
ライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基
板は、主成分の銅粉末１００重量部に対してガラス転移
点が７００〜７５０℃のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ
（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂Ｏ₃ 系ガラスフリット
を２〜２０重量部含有した、ガラスセラミック磁器と同
時焼成可能なビアホール用の銅メタライズ組成物を用い
て作製したことから、銅メタライズ組成物中のガラスフ
リットが絶縁基体のガラスセラミック磁器と反応すると
共に、銅メタライズ組成物の収縮が促進され、ビアホー
ル導体のガラスセラミック磁器から成る絶縁基体表面へ
の突出も極めて微小となり、サーマルビアとして好適な
ガラスセラミック配線基板を得ることができる。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ガラスセラミック磁器と同時焼成可能なビ
   アホール用の銅メタライズ組成物であって、主成分の銅
   粉末１００重量部に対してガラス転移点が７００〜７５
   ０℃のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類
   金属）−Ｂ₂Ｏ₃ 系ガラスフリットを２〜２０重量部含
   有したことを特徴とする銅メタライズ組成物。
2. 【請求項２】前記主成分の銅粉末１００重量部に対して
   ガラス転移点が７２０〜７５０℃のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ
   ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラス
   フリットを３〜１５重量部含有したことを特徴とする請
   求項１記載の銅メタライズ組成物。
3. 【請求項３】主成分の銅粉末１００重量部に対してガラ
   ス転移点が７００〜７５０℃のＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −
   ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスフリ
   ットを２〜２０重量部含有した銅メタライズ組成物を、
   窒素雰囲気中、７００〜１０００℃の温度でガラスセラ
   ミック磁器と同時焼成して形成したビアホール導体を有
   するガラスセラミック配線基板であって、前記ガラスセ
   ラミック磁器から成る絶縁基体表面より突出したビアホ
   ール導体の高さが５μｍ以下であることを特徴とするガ
   ラスセラミック配線基板。
4. 【請求項４】前記銅メタライズ組成物中のＳｉＯ₂ −Ａ
   ｌ₂ Ｏ₃ −ＲＯ（Ｒ：アルカリ土類金属）−Ｂ₂ Ｏ₃ 系
   ガラスフリットのガラス転移点が７２０〜７５０℃であ
   り、その含有量が主成分の銅粉末１００重量部に対して
   ３〜１５重量部であることを特徴とする請求項３記載の
   ガラスセラミック配線基板。
5. 【請求項５】前記ビアホール導体がサーマルビアを構成
   することを特徴とする請求項３又は請求項４のいずれか
   に記載のガラスセラミック配線基板。