JPH1154426A - 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 - Google Patents

照明装置及びそれを用いた投影露光装置

Info

Publication number
JPH1154426A
JPH1154426A JP9221948A JP22194897A JPH1154426A JP H1154426 A JPH1154426 A JP H1154426A JP 9221948 A JP9221948 A JP 9221948A JP 22194897 A JP22194897 A JP 22194897A JP H1154426 A JPH1154426 A JP H1154426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light beam
optical system
adjusting means
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9221948A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3264224B2 (ja
Inventor
Satoshi Mizouchi
聡 溝内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP22194897A priority Critical patent/JP3264224B2/ja
Priority to US09/127,953 priority patent/US6259512B1/en
Publication of JPH1154426A publication Critical patent/JPH1154426A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3264224B2 publication Critical patent/JP3264224B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 通常照明と変形種名の切り替えが簡易でかつ
光の利用効率が高く、容易に実現し得る照明装置及びそ
れを用いた投影露光装置を得ること。 【解決手段】 光源と、該光源からの光束を集光する集
光光学系と、該集光光学系からの光束を混合して射出す
る光束混合手段と、該光束混合手段からの出射光束を用
いて多数の部分光束を発生させる多光束発生手段と、該
多光束発生手段からの光束を重ね合わせた状態で被照射
面を照射する照射手段と、を有する照明装置において、
該光束混合手段の出射面近傍に光束調整手段を設け、該
多光束発生手段の入射面での光量分布を調整可能に構成
していること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は照明装置及びそれを
用いた投影露光装置及びデバイスの製造方法に関し、具
体的には半導体素子等のデバイスの製造装置において、
レチクル面上のパターンを適切に照明し、高い解像力が
容易に得られるようにした例えばステップアンドリピー
ト方式やステップアンドスキャン方式の投影露光装置に
好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体素子等のデバイス製造用の
露光装置に使用される照明装置には、高解像力化を図る
ためにマスク面（レチクル面）における照度ムラの除去
が強く要求されている。この要求と、集光効率の向上を
図った照明装置が、本出願人は例えば特開平1-000913号
公報において提案している。
【０００３】図３４は同公報で提案している照明装置の
要部概略図である。
【０００４】図中１は光源で、超高圧水銀ランプ等から
なっている。２は集光手段で楕円ミラー等からなり、該
楕円ミラー２の第１焦点付近に光源１が配置されてい
る。３は光束混合手段で所定形状のオプティカルパイプ
より成り、該オプティカルパイプ３の入射面３ａは楕円
ミラー２の第２焦点付近配置されている。４は集光レン
ズ、５は多光束発生手段であるハエの目であり、集光レ
ンズ４はオプティカルパイプ３の出射端３ｂとハエの目
５の入射面５ａとが略共役関係となるように設定してい
る。またその際出射端３ｂを入射面５ａに所望の倍率で
結像するよう集光レンズ４の光学諸定数を定めている。
【０００５】６は照射手段でコンデンサーレンズを含む
構成からなり、ハエの目５の出射面５ｂからの光束を用
いてマスクやレチクル面等が設定される被照射面７を照
射している。
【０００６】その際ハエの目５を構成している素子レン
ズの集光点（後側焦点）を集光手段６の前側焦点に略一
致させ、被照射面７と集光手段６の後側焦点と略一致さ
せるケーラー照明系を構成している。
【０００７】光束混合手段３であるオプティカルパイプ
は内側面による多重反射を利用して、１つの光束から多
数の虚または実の集光点を形成するものであり、その原
理を図３５〜３７に示す。
【０００８】例えばオプティカルパイプを図３７に示す
様な正方形断面を有する中空で、内面反射をする部材で
構成されているとする。
【０００９】図３５はオプティカルパイプ３の入射面３
０１ａの前側に光源像Ｓ０を持つ集光光束により虚の集
光点が形成される様子を光軸に沿った断面で表したもの
である。
【００１０】光源像Ｓ０から入射する光束のうち、上方
側面３０１ｃ、下方側面３０１ｄで一度も反射されない
光束は、そのまま射出面３０１ｂから出射していく。
【００１１】上方側面３０１ｃでのみ１回反射される光
束は、上方側面３０１ｃに関して集光点Ｓ０と共役な虚
の集光点Ｓ１から供給されるように出射し、また下方側
面３０１ｄでのみ１回反射される光束は、下方側面３０
１ｄに関して集光点Ｓ０と共役な虚の集光点Ｓ−１ か
ら供給されるように出射する。
【００１２】以下同様にして、下方側面３０１ｄで反射
した後、上方側面３０１ｃで反射される光束は集光点Ｓ
０から供給されるように出射し、上方側面３０１ｃで反
射した後、下方側面３０１ｄで反射される光束は集光点
Ｓ２から供給されるように出射する。
【００１３】従ってこのオプティカルパイプに入射する
光源像Ｓ０を持つ光束は、側面での１回又は複数回の反
射によって実質的に多数の光源像から供給されているよ
うに出射する。
【００１４】この結果、各側面での反射により出射面か
ら見た集光点の様子は、図３６のように格子状に分布し
た多数の集光点からの光束によって出射面３０１ｂが照
明されるようになり、これら多数の虚集光点の形成され
る面Ｓ に実質的な面光源が形成されている。
【００１５】よってオプティカルパイプ３の出射端３０
１ｂは略均一な照度分布を得ることができる。
【００１６】その均一の度合いはオプティカルパイプ３
内での光束の反射回数によって定まるが、ここでは詳細
な説明は省く。
【００１７】ハエの目５は複数の微小レンズのアレイよ
りなり、その出射面５ｂは２次光源面を形成している。
【００１８】既に説明したように、オプティカルパイプ
３の出射面３０１ｂとハエの目５の入射面５ａは略共役
に結ばれており、オプティカルパイプ３の出射面３０１
ｂで既に略均一な照度分布を形成しているが、それをハ
エの目５に入射させ、照射手段６でケーラー照明で被照
射面７を照射することにより、さらに均一な照度分布を
被照射面上で達成している。
【００１９】ところで最近の半導体素子の集積度の向上
に伴ない、投影露光装置の要求される解像力も年々高ま
りつつある。解像力を向上させるため、光源の短波長化
か、位相シフト法の採用、変形照明法の採用等の種々の
方法が研究開発されており、特に変形照明法は従来装置
に対し大幅な変更を加える必要がなく、かつ従来のマス
クパターンの変更が必要ないという利点を有している。
【００２０】変形照明法の代表的な例としては、照明光
学系の、投影光学系の瞳と略共役な面において光束が通
過する際に光束の通過位置が光軸から離間した４箇所に
制限される、所謂４重極照明と称させる方法と、前記の
照明光学系の面において光束の通過位置が光軸と同心の
輪帯状に制限される、所謂輪対照明と称される方法の２
つが特に一般的である。
【００２１】４重極照明は特に縦横の線から成るパター
ンについて、解像力の向上及び焦点深度の増大の効果が
顕著であるが、斜め方向の線からなるパターンについて
はむしろ変形照明をしない通常照明よりも悪化する欠点
がある。
【００２２】一方輪帯照明は、解像力の向上および焦点
深度増大の効果は４重極よりも顕著ではないが、パター
ンの方向に依存しない特徴を有している。
【００２３】変形照明法を利用した照明装置として特開
平5-251308号公報では、光源手段とインテグレータとの
間に平行光を輪帯状光束に変換する輪帯状光束変換手段
を設けて、被照明面を均一に傾斜照明している。
【００２４】特開平5-283317号公報や特開平6-204114号
公報では楕円鏡とオプティカルインテグレータとの間に
入射光束を所定方向に偏向させる挿脱可能な光学素子を
配置して、オプティカルインテグレータの入射面の光強
度分布を変えて、被照射面を照明している。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述した照明
装置を改良し、通常照明法と変形照明法の切り替えが容
易で、かつ高い照明効率で被照射面を均一に照明するこ
とができ、高集積度のデバイスを容易に製造することが
できる照明装置及びそれを用いた投影露光装置、デバイ
スの製造方法の提供を目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】本発明の照明装置は （１−１）光源と、該光源からの光束を集光する集光光
学系と、該集光光学系からの光束を混合して射出する光
束混合手段と、該光束混合手段からの出射光束を用いて
多数の部分光束を発生させる多光束発生手段と、該多光
束発生手段からの光束を重ね合わせた状態で被照射面を
照射する照射手段と、を有する照明装置において、該光
束混合手段の出射面近傍に光束調整手段を設け、該多光
束発生手段の入射面での光量分布を調整可能に構成して
いることを特徴としている。
【００２７】特に、 （１−１−１）前記光束混合手段と前記多光束発生手段
の間には光学系が配置されており、該光学系により該光
束混合手段の出射面と、該多光束発生手段の入射面とを
略共役になるよう設定していること。 （１−１−２）前記光束混合手段はオプティカルパイプ
を有していること。 （１−１−３）前記光束調整手段は、入射面側が凹面
の、出射面側が凸面の円錐面を持つ光学部材からなるこ
と。 （１−１−４）前記光束調整手段は、入射面側が凹面
の、出射面側が凸面の多角錐面を持つ光学部材からなる
こと。 （１−１−５）前記光束調整手段は、入射面側が凹面
の、出射面側が凸面の多角錐面の頂点を光軸に水平な面
で切断した平面を有する光学部材からなること。 （１−１−６）前記光束調整手段は、輪帯状の位相分布
を有する回折光学素子を２つ有していること。 （１−１−７）前記光束調整手段は一面に回折光学素子
を設けた基板を有しており、該回折光学素子は該一面上
の多数の領域に面積分割されており、かつ各々の領域の
回折光学素子は直線状のパターンから形成されており、
また各々の領域の回折光学素子による光束の回折方向が
互いに異なっており、前記多光束発生手段上の離散的な
位置に他に比べて強い光強度分布を形成していること。 （１−１−８）前記多光束発生手段の入射面上での光量
分布が異なるようにした光束調整手段を複数設け、該複
数の光束調整手段のうちの１つを光路中に選択可能に設
定していること。 （１−１−９）前記多光束発生手段はハエの目を有して
いること。 （１−１−１０）前記多光束発生手段の出射面近傍には
前記光束調整手段の種類に応じて開口形状が異なる絞り
を交換可能に設けていること等を特徴としている。
【００２８】本発明の投影露光装置は構成（１−１）の
照明装置を用いて、 （２−１）被照射面に設けた物体面上のパターンを投影
光学系により露光基板に投影露光していることを特徴と
している。 （２−２）被照射面に設けた物体面上のパターンを投影
光学系により露光基板に該物体と該露光基板の双方を該
投影光学系の光軸と垂直方向に該投影光学系の投影倍率
に対応させた速度比で同期させて走査して露光すること
を特徴としている。
【００２９】本発明のデバイスの製造方法は構成（２−
１）又は（２−２）の投影露光装置を用いて （３−１）物体面上のパターン投影光学系により露光基
板上に投影露光した後、該露光基板を現像処理してデバ
イスを製造することを特徴としている。
【００３０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の照明装置の実施形
態１の一部分の要部概略図、図２は本発明の照明装置を
用いた投影露光装置の実施形態１の要部概略図である。
【００３１】本実施形態の投影露光装置はステップアン
ドリピート方式やステップアンドスキャン方式が適用可
能である。
【００３２】図中、２０は光源であり、紫外線や遠紫外
線などを放射するエキシマレーザや超高圧小銀灯等から
成っている。光源２０を出射した光束は光束整形手段２
１を経て所望の光束形状にした後、インコヒーレント化
手段２２を経て干渉性の低い光束へ変換して、さらに出
射角保存光学素子２３により、光源２０と投影露光装置
の間の振動等による影響を排除した後、集光光学系１０
に入射している。
【００３３】出射角保存光学素子２３からの光束は集光
光学系１０で集光点を作った後、オプティカルパイプ
（光束混合手段）３の入射面３ａに入射する。オプティ
カルパイプ３の出射端（出射面）３ｂ近傍には、不図示
の駆動機構により着脱交換可能な光束調整手段１１（１
１ａ、 １１ｂ）が設けられており、オプティカルパイプ
３を出射する光束分布に対して所望の規制を加えてい
る。
【００３４】光束調整手段１１（１１ａ、１１ｂ）は例
えば図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように入射面側に凹の、
出射面側に凸の円錐面を有するプリズム部材（光学部
材）より成っており光束調整手段１１ａ、１１ｂにおい
てはその頂角が異なっており、光束調整手段１１ａの方
が光束調整手段１１ｂに比べて角度が小さい、すなわち
より鋭い凸の形状となっている。光束調整手段１１ａの
方が外径の大きな輪帯、光束調整手段１１ｂの方が外径
の小さな輪帯の有効光源を後述する多光束発生手段５の
入射面５ａに形成している。４は集光レンズであり、光
束調整手段１１からの高速をハエの目レンズより成る多
光束発生手段５の入射面５ａに集光している。
【００３５】集光レンズ４は光束混合手段３の出射面３
ｂを多光束発生手段５の入射面５ａに所定の倍率で結像
させ、双方が互いに略共役関係となるようにしている。
【００３６】ハエの目５の出射面５ｂ近傍は２次光源と
なっており、そこには不要光を遮光して所望形状の有効
光源が形状に整形されている。１２は絞りであり、多光
束発生手段５の出射面５ｂ近傍に、駆動機構により着脱
交換可能に設けられている。絞り１２は複数の絞り（１
２ａ、１２ｂ）を有している。
【００３７】絞り１２ａ、１２ｂは例えば、図４
（Ａ）、（Ｂ）に示す開口部を有している。図４におい
て斜線部分が遮光部である。
【００３８】６は照射手段であり、ハエの目５の出射面
５ｂからの光束のうち、絞り１２の開口部を通過した光
束を集光して被照射面（レチクル）７をケーラー照明し
ている。
【００３９】２４は投影光学系であり、レチクル（マス
ク）７に描かれたパターンを露光基板（ウエハ）２５に
投影している。
【００４０】本実施形態の投影露光装置においては、光
束調整手段１１ａ、１１ｂ等を挿入あるいは他の光束調
整手段と交換することで輪帯照明、４重極照明等の変形
照明に変更となっている。
【００４１】その際必要に応じ絞り１２を多光束発生手
段５の出射面５ｂ近傍に挿入することにより、不要光を
遮光し所望の有効光源形状をより正確に形成するように
している。
【００４２】次に本実施形態の構成のうち前述した構成
以外の特徴について説明する。
【００４３】光束調整手段１１によりハエの目５の入射
面５ａで形成される照度分布は、光束調整手段１１の形
状、光束調整手段１１と集光レンズ４及びハエの目５の
入射面５ａの光学的配置、また集光レンズ５の収差等に
よって異なる。
【００４４】光束調整手段１１として図３（Ａ）に示す
光束調整手段１１ａを使用した場合には、例えば図５に
示すようにハエの目５の入射面５ａ上に輪帯状の照度分
布を形成し、かつそれらの強度が暗部と明部が非常に急
激な変化を有する場合がある。
【００４５】図５中の斜線部分が光が照射されている部
分であり、そのＸＸ’断面での光強度を下に示してい
る。図５に示すように、この場合は所望の有効光源分布
に対する不要光がほとんど生じないので、前述の絞り１
２ａは不要となる。
【００４６】これに対して照明系によっては図６に示す
ように輪帯の光強度の断面がガウス分布の様に上部及び
下部がダレる場合がある。その場合は図４（Ａ）に示す
絞り１２ａを用いることで不要光を遮光している。
【００４７】図７の斜線部は絞り１２ａを用いたときの
遮光されずに有効光源分布の形成に寄与する部分を示し
ている。
【００４８】図８は図１において光束調整手段１１ａを
光束調整手段１１ｂに交換した場合の説明図である。
【００４９】この場合も前述したのと同様に図９に示す
ように、ハエの目５の入射面５ａの輪帯状の照度分布の
明部と暗部が非常に急激な変化をする場合がある。この
場合は絞り１２ｂは不要である。これに対して、ハエの
目５の入射面５ａでの強度分布が図１０に示すような場
合にはやはり絞り１２ｂを用いて不要光を遮光してい
る。図１１の斜線部は絞り１２ｂを用いたときの遮光さ
れず有効光源分布の形成に寄与する部分を示している。
【００５０】以上は輪帯照明を形成する場合を述べた
が、同様にして光束調整手段１１を切り替えることによ
り４重極等の変形照明にも対応可能である。
【００５１】図３（Ｃ）に示す光束調整手段１１ｃは４
重極照明を形成するための光束調整手段の外径であり、
入射面側に凹の、出射面側に凸の４角錐面形状を有する
プリズム部材より成っている。
【００５２】これによりハエの目５の入射面５ａには例
えば図１２に示す斜線部分にのみ光束が入射する。この
際絞りも図４（Ｃ）に示す絞り１２ｃに変更して、図１
３に斜線を示した部分のみで有効光源を形成し、所望の
有効光源を形成している。尚図１２の下の図及び図１３
は、図１２の上の図のＡＡ′断面での強度分布を示して
いる。
【００５３】この場合は輪帯照明の説明の中で既に述べ
たように、ハエの目５の入射面５ａ側での照度分布は明
部と暗部で急激な変化を有する場合であるが、それがガ
ウス分布の様な場合については前述したのと同じなので
説明を省く。
【００５４】また４重極の離散的な強度分布の光軸から
の位置については、輪帯照明のプリズム部材と同様、４
角錐の頂角を調整することで、任意の位置に調整可能で
ある。
【００５５】図３（Ｄ）に示す光束調整手段１１ｄは４
重極ほど離散的に強度分布が強い有効光源ではなく、４
重極の他の部分にも弱いながらも強度分布を有する有効
光源を形成するための光束調整手段の外径の説明図であ
る。
【００５６】図３（Ｄ）の光束調整手段は図３（Ｃ）の
光束調整手段１１ｃのプリズム部材の凹と凸の頂点を平
にしたものである。これによりハエの目５に入射する光
束の強度分布は図１４に示した様になる。
【００５７】本実施形態では以上説明したように、光束
混合手段３と多光束発生手段５を用いた照明装置におい
て、所望の有効光源分布に対応した光束調整手段１１を
光束混合手段３の直後に挿入するだけで、他の光学部材
を特に調整する必要なく、効率の高い変形照明を可能と
している。
【００５８】また、光束調節手段の挿入により、光束混
合手段と集光レンズ間の光路長が変わるが、そのために
照明系に不都合が生じる場合は、光束調節手段を用いな
い通常照明時にも、光束調節手段と略等しい光路長の平
行平板を挿入しておき、変形照明時には、それと光束調
節手段を交換するように構成してもよい。
【００５９】図１５は本発明の照明装置の実施形態２の
一部分の要部概略図である。
【００６０】本実施形態は図１の実施形態１に比べて光
束調整手段１１（１１ｅ、１１ｆ）として、所定形状の
プリズム部材の代わりに平行平面板１１１ａの表裏面に
回折光学素子１１１、１１２を設けて構成した点が異な
っており、その他の構成は同じである。
【００６１】図中、図１で示した要素と同一要素には同
符番を付している。
【００６２】本実施形態は実施形態１と同様、光束混合
手段オプティカルパイプ３の出射端３ｂ近傍に着脱交換
可能に光束調整手段１１ｅ、１１ｆが設けられており、
また同様にハエの目５の出射面５ｂ近傍には着脱交換可
能な絞り１２ｅ、１２ｆが設けられている。
【００６３】光束調整手段１１ｅ、１１ｆは図１６に示
すように平行平面板１１１ａの表裏面に各々回折光学素
子１１１、１１２を設けて構成している。
【００６４】図１６は光束調整手段１１ｅの光軸Ｌａを
含んだ断面での概略図と、その一部の拡大図を示してい
る。光束調整手段１１ｅのブレーズド形状は図中の拡大
図に示したとおりである。すなわち回折光学素子１１１
は垂直に光が入射した場合光軸と反対方向に光を回折さ
せる作用を有している。一方回折光学素子１１２は垂直
に光が入射した場合光軸Ｌａ側に光を回折させる作用を
有している。
【００６５】光束調整手段１１ｅが例えば輪帯照明を形
成する光束調整手段であるとすると、回折光学素子１１
１、１１２の位相分布は図１７に示すように光軸を中心
とした同心円状のパターンから構成される回折光学素子
となる。
【００６６】また光束調整手段１１ｅが４重極照明を形
成する光束調整手段であるとすると、回折光学素子１１
１、１１２の位相分布は図１８に示すように、直線状の
パターンを隣接するパターンと直交する様に配置した回
折光学素子となる。
【００６７】また光束調整手段１１ｅが図１４に示した
有効光源分布を形成する光束調整手段であるとすると、
回折光学素子１１１、１１２は図１９に示すように、図
１８の直線状の回折光学格子で構成されたものから、光
軸Ｌａを含む中心部分を回折作用を持たないようにした
形状の回折光学素子となる。
【００６８】本実施形態ではこれらの回折光学素子でハ
エの目５へ入射する光束の分布を調整することで各種変
形照明を効率よく形成している。又実施形態１で述べた
ようにハエの目５の入射面５ａ上での強度分布がガウス
分布のようなスロープを持っている場合は、ハエの目５
出射面５ｂ近傍に絞り１２を設け、それを光束調整手段
１１の変更に合わせて変更させて、所望の形状の有効光
源分布を形成している。
【００６９】以上説明したように、実施形態２において
も光束混合手段３と多光束発生手段５を用いた照明装置
において、所望の有効光源分布に対応した光束調整手段
１１を光束混合手段３の直後に挿入するだけで、他の光
学部材を特に調整する必要なく、効率の高い変形照明を
可能としている。
【００７０】さらに実施形態１の光束調整手段１１はプ
リズム部材で構成されているため、所望された有効光源
分布の場合においてはそれに基づいてプリズム部材を加
工していた。これに対して本実施形態においては回折光
学素子を用いて光束調整手段を構成しているので、回折
光学素子としての機能を有するための微細加工が許す範
囲であればいかなる光束調整手段も容易に作成可能であ
る。
【００７１】その際図１６に示した様に、光リソグラフ
ィー技術を使用したバイナリ光学素子として形成するこ
とが効率や製造誤差等の点から望ましく、また効率を考
えると８レベル以上のバイナリ光学素子とすることが望
ましい。
【００７２】図２０は本発明の照明装置の実施形態３の
一部分の要部概略図である。
【００７３】本実施形態は図１５の実施形態２に比べ
て、光束調整手段１１として平行平面板１１１ａ（１１
１ｂ）の一面に回折光学素子１１１（１１２）を設けた
２つの部材１１１ｂ、１１２を対向配置して構成してい
る点が異なっており、その他の構成は同じである。
【００７４】図中、図１５で示した要素と同一要素には
同符番を付している。
【００７５】本実施形態は実施形態２と同様、光束混合
手段（オプティカルパイプ）３の出射端３ｂ近傍に着脱
交換可能に光束調整手段１１ｇ、１１ｈが設けられてお
り、また同様にハエの目５の出射面５ｂ近傍には着脱交
換可能な絞り１２ｇ、１２ｈが設けられている。
【００７６】光束調整手段１１ｇ、１１ｈは各々、図２
１に示すように平行平面板１１１ａ、１１２ａの一面に
回折光学素子１１１、１１２を設けた部材１１１ｂ、１
１２ｂを対向配置して構成している。図２１は光束調整
手段１１ｇの光軸Ｌａを含んだ断面での概略図と、その
一部の拡大図を示している。
【００７７】光束調整手段１１ｇは２つの回折光学素子
１１１、１１２を有している。その構成は平行平面板１
１ａの入射面と平行平面板１１２ａの出射面にブレーズ
ドされた回折格子素子より成っている。
【００７８】その他の作用や構成は実施形態２と同様で
あるので説明を省く。
【００７９】以上説明したように、実施形態３において
も光束混合手段３と多光束発生手段５を用いた照明装置
において、所望の有効光源分布に対応した光束調整手段
１１を光束混合手段３の直後に挿入するだけで、他の光
学部材を特に調整する必要なく、効率の高い変形照明を
可能としている。
【００８０】また実施形態２と同様に回折光学素子を用
いて光束調整手段を構成しているので、回折光学素子と
しての機能を有するための微細加工が許す範囲であれ
ば、いかなる光束調整手段も容易に作成可能であり、そ
の際、回折光学素子を光リソグラフィー技術を使用した
バイナリ光学素子として形成することが効率や製造誤差
等の点から望ましく、また効率を考えると８レベル以上
のバイナリ光学素子とすることが望ましい。
【００８１】さらに本実施形態では回折光学素子１１
１、１１２の２つの平行平面板１１１ａ、１１２ａ部材
に分離して構成し、その分、硝材厚を削減している。
【００８２】図２２は本発明の照明装置の実施形態４の
要部概略図で、ＬＳＩやＶＬＳＩ等の半導体チップや、
ＣＣＤ，磁気センサ、液晶素子等のデバイスを製造す
る、ステップ＆リピート型やステップ＆スキャン型の投
影露光装置に用いる照明装置の概略図である。以下実施
形態４においては前述した各実施形態と異なっている構
成を中心に説明する。
【００８３】図２２において、２０１はＡｒＦエキシマ
レーザ（波長約193nm ）やＫｒＦエキシマレーザ（波長
約248nm ）等のレーザ光源、２０２は入射光が変位して
もそれから出射する光束の出射角が変化しない（保存す
る）出射角度保存光学素子、２０３は集光光学系、２０
４は光束混合手段、２０５はズーム光学系、２０７は多
光束発生手段、２０８は集光光学系、２０９はデバイス
パターンが形成されたマスク（レチクル）等の被照明物
体を示す。又、ＡＸは照明装置の光軸を示す。
【００８４】１１は光束調整手段であり、前述した各実
施形態と同様の構成が適用可能となっている。１２は絞
りであり、前述した各実施形態と同様の構成が適用可能
となっている。
【００８５】集光光学系２０８及びズーム光学系２０５
は、基本的に複数のレンズ素子より成り、場合によって
は光路を折り曲げるためのミラーを少なくとも一枚有す
る。又、レンズ素子が一枚の場合もある。特にズーム光
学系の複数のレンズ素子の内の複数のレンズ素子は不図
示の駆動機構により光軸ＡＸに沿って移動するよう構成
してあり、複数のレンズ素子を光軸方向に所定の関係で
動かすことにより、結像面の位置を固定しつつ結像倍率
を変えるようにしてある。
【００８６】光束混合手段２０４は、例えば、単一の光
パイプ又は複数個の光パイプを束ねた光パイプ束であ
る。光パイプは、レーザー光源２０１からのレーザー光
に対して透過率の良い硝材（石英や蛍石）を用いた多角
柱又は頂点側を切断した多角錐より成るガラス棒や、３
枚以上の平面鏡を各々の反射面を対面させて筒状に構成
したカレイドスコ−プ（万華鏡）のような中空の光学素
子から成る。この中空の光学素子も外形は多角柱又は頂
点側を切断した多角錐となる。光パイプの側面にある反
射面（ガラス棒の場合は空気との界面、中空光学素子の
場合は内側の反射面）は平坦で高い反射率を有する。光
束混合手段２０４は、その側面の反射面により入射光の
少なくとも一部を反射しつつ伝播させて入射光の複数の
光線を混ぜ合わせることにより、その光出射面２０４′
に又はその近傍に強度分布が均一な面光源（光）を形成
する。以下、光束混合手段２０４及びこれと同じ機能を
有するものを「内面反射型インテグレータ」ともいう。
【００８７】多光束発生手段２０７は、複数の微小レン
ズより成るハエの目レンズや光ファイバー束等からな
り、その光入射面２０７′に入射した入射光の波面を複
数の部分に分割してその光射出面２０７″又はその近傍
に複数の点光源から成る面光源（光）を形成している。
複数の点光源からの光は後段の光学系を介して互いに重
なり合い所定の平面に強度分布が均一な面光源（光）を
形成する。以下、多光束発生手段２０７及びこれと同じ
機能を有するものを「波面分割型インテグレータ」とも
いう。
【００８８】レーザ光源２０１から射出したレーザ光は
不図示のミラーやリレーレンズから成る光束引き回し光
学系を経て出射出角度保存光学素子２０２に入射する。
出射角度保存光学素子２０２は図２３（Ａ）に示すよう
にアパーチャ２２１とレンズ系２２２から構成されてお
り、入射光束が光軸ＡＸに直交する方向にある範囲内で
変位して光束２２７から光束２２８の状態に変化して
も、出射角度保存光学素子２０２から射出される光束の
出射角度（開き角）φが一定である性質を有する。
【００８９】又、出射角度保存光学素子２０２は、図２
３（Ｂ）に示すような複数の、微小レンズ２２３より成
るハエの目レンズにより構成しても良い。この場合は出
射角度φは微小レンズの形状に依存する。図２３（Ｂ）
の光学素子２０２も、入射光束が光軸ＡＸに直交する方
向にある範囲内で変位して光束２２７から光束２２８の
状態に変化しても、出射角度保存光学素子２０２から出
射する光束の出射角度（開き角）φが一定である。尚、
ハエの眼レンズ以外の波面分割型インテグレータが、出
射角度保存光学素子２０２として適用可能である。
【００９０】出射角度保存光学素子２０２から出射角度
φで射出された光束（ハエの眼レンズの場合は多光束）
は、集光光学系２０３により内面反射型インテグレータ
の手前に一旦集光され、その後内面反射型インテグレー
タ２０４内に発散状態で入射する。内面反射型インテグ
レータ２０４に入射した発散光束は、その内面反射面で
多重反射しながら内部を通過して光軸ＡＸに垂直な平面
にレーザ光源２０１の複数の虚像（見掛けの光源像）を
形成する。従って内面反射型インテグレータ２０４の光
射出面２０４′では、これら複数の虚像からあたかも射
出したかのように見える複数の光束が互いに重ね合わさ
れるので、光射出面２０４′における照度分布は均一に
なる。この現象については後で図２５を用いて説明す
る。
【００９１】内面反射型インテグレータ２０４に入射す
る時のレーザー光の発散角（出射角度保存光学素子２０
２と集光光学系２０３に依存する）と、内面反射型イン
テグレータ２０４の長さと幅（径）とを考慮しつつ内面
反射型インテグレータ２０４の形状を決定すると、各虚
像から出て被照明物体２０９に入射する個々のレーザ光
の光路長差がレーザ光固有のコヒーレンス長以上に設定
でき、レーザー光の時間的コヒーレンスを低下させさせ
ることにより被照明物体２０９上でのスペックルの発生
を抑えることができる．さて図２２に戻り、内面反射型
インテグレータ２０４の光出射面２０４′に形成された
均一な照度分布（光強度分布）を持つ面光源（光）は、
光束調整手段１１を介しズーム光学系２０５により所望
の倍率で、波面分割型インテグレータ２０７の光入射面
２０７′上へ拡大結像され、光入射面２０７′上に均一
光源像２０６が形成されることになる。
【００９２】光入射面２０７′上に均一光源像２０６が
形成されると、光入射面２０７′の光強度分布がそのま
ま波面分割型インテグレータ２０７の光射出面２０７″
に転写され、光射出面２０７″又はその近傍には、個々
の強度が互いにほぼ等しい多数個の点光源より成る、光
強度分布が均一な面光源が形成される。
【００９３】光射出面２０７″又はその近傍の多数個の
点光源から射出する各光束は、絞り１２を介し集光光学
系２０８により、被照明物体２０９上で互いに重なり合
うように物体を照明するので、被照明物体２０９全体の
照度分布は均一となる。
【００９４】上記の「所望の倍率」とは被照射物体２０
９へ入射する照射光束の開き角（出射角度）αが露光に
最適な値になるように均一光源像２０６の大きさが設定
される倍率であり、被照明物体が微細パターンを有する
マスク（レチクル）等の場合には、マスクパターンの種
類（最小パターン線幅の大小）に応じてこの「所望の倍
率」が変えられる。
【００９５】「所望の倍率」をｍとする時、内面反射型
インテグレータ２０４から出射する光束の開き角（出射
角度）βに依存するズーム光学系２０５の光入射側開口
数をＮＡ′、波面分割型インテグレータ２０７に入射す
る光束の開き角（入射角度）θに依存するズーム光学系
２０５の光出射側開口数をＮＡ″とすると、ＮＡ′＝ｍ
・ＮＡ″ が成立する。ここで、角度θの大きさは波面
分割型インテグレータ２０７の光入射側開口数ＮＡを越
えない範囲で、且つこの開口数ＮＡにできるだけ近い値
であることが、照明光の利用効率の観点から望ましい。
【００９６】従って本実施例の照明装置では、角度θの
値は、倍率ｍの値の変化によらず、常時、波面分割型イ
ンテグレータ２０７の入射側開口数に適合した最適角度
に設定されるようにしている。
【００９７】即ち、マスクの種類などの露光の条件が変
わり、ズーム光学系２０５の最適な倍率ｍの値を無視で
きない程度に変える時には、内面反射型インテグレータ
２０４からの出射する光束の開き角βの値も変えること
により、照明光の利用効率が低下しないようにする。
尚、ある条件の露光に最適な倍率ｍが決まると、（１）
式に基いて、内面反射型インテグレータ２０４から出射
する光束の開き角β（射出角度β）の最適角度が適宜決
める。
【００９８】本実施例の照明装置は、角度βの値が内面
反射型インテグレータ２０４へ入射する光束の入射角度
φに等しく且つ入射角度φが出射角度保存光学素子２０
２からの光束の開き角（出射角度）εに依存しているこ
とを利用し、出射角度保存光学素子２０２を露光条件に
応じて他の出射角度εが異なる出射角度保存光学素子に
切り換えることにより、角度θの値を一定又はほぼ一定
に維持している。
【００９９】この出射角度保存光学素子２０２の切り換
えについて図２４（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明する。
【０１００】図２４において、２０２ａは出射角度ε
（＝εａ）が小さい出射角度保存光学素子であり、２０
２ｂは出射角度ε（＝εｂ）が大きい出射角度保存光学
素子であり、その他の符番については図２２で説明した
符番と同じ部材を指す。
【０１０１】一般に半導体チップ製造用投影露光装置の
照明装置においては、被照明物体２０９であるマスク
（レチクル）のパターン形成面に入射する光束の開き角
（入射角度）αを最適角度に設定し且つ入射光束の利用
効率（光量）も高く維持することが要求されるので、本
実施例の照明装置では、ズーム光学系と複数個の出射度
保存光学素子２０２を用意し、マスクの種類の変更等必
要に応じて、ズーミングと光学素子の切り替えを行なう
ことにより達成している。
【０１０２】図２４（Ａ）はマスク２０９に入射する光
束の入射角度αが比較的小さい場合（この状態を「小σ
（シグマ）」の状態と言う。）を示し、マスク２０９の
回路パターンの最小線幅が比較的大き場合（サブミクロ
ンの範囲ではあるが）に対応する。尚、σ（シグマ）は
照明光学系の光出射側開口数Ｎｉと投影光学系の光入射
側開口数Ｎｐの比（Ｎｉ／Ｎｐ）を意味する。
【０１０３】この小σの状態を設定するためには、波面
分割型インテグレータ２０７の光入射面２０７′上に内
面反射型インテグレータ２０４の光出射面２０４′（そ
こ又はその近傍にある面光源）を小さい倍率で結像する
必要がある。これはズーム光学系２０５の倍率を小さく
することにより達成されるが、前述したように入射角度
θは波面分割型インテグレータ２０４の構成に依存した
最適角度に維持される必要がある。そこで、この小σ値
の状態に変える時には、入射角度αの値に対応する倍率
になるようにズーム光学系の倍率を変えると共に、入射
角度θの値が最適値に維持されるように、出射角度がε
ｂ（＞εａ ）である出射角度保存光学素子２０２ｂを
出射角度がεａである出射角度保存光学素子２０２ａに
切換える。
【０１０４】図２４（Ｂ）はマスク２０９に入射する光
束の入射角度αが比較的大きい場合（この状態を「大σ
（シグマ）」の状態と言う。）を示し、マスク２０９の
回路パターンの最小線幅が比較的小さい場合（サブミク
ロンの範囲ではあるが）に対応する。この大σの状態を
設定するためには、波面分割型インテグレータ２０７の
光入射面２０７′に内面反射型インテグレータ２０４の
光出射面２０４′（そこ又はその近傍にある面光源）を
大きい倍率で結像する必要がある。これはズーム光学系
２０５の倍率を大きく大きすることにより達成される
が、前述したように入射角度θは波面分割型インテグレ
ータ４の構成に依存した最適角度に維持される必要があ
る。そこで、この大σ値の状態に変える時には、入射角
度αの値に対応する倍率になるようにズーム光学系の倍
率を変えると共に、入射角度θの値が最適値に維持され
るように、出射角度がεａ（＜εｂ ）である出射角度
保存光学素子２０２ａを出射角度がεｂである出射角度
保存光学素子２０２ｂに切換える。
【０１０５】ここでは、ズーム光学系の結像倍率と出射
角度保存光学素子とを２段階で切換える説明を行なった
が、ズーム光学系の結像倍率と出射角度保存光学素子と
を3段階以上で切換えるように構成することもできる。
上記実施例のズーム光学系は所定の範囲で連続的に倍率
を変えられるから３段階以上の倍率変更は容易で、従っ
てそのまま使用でき、又、出射角度保存光学素子は、互
いに焦点距離が異なる３種類以上の出射角度保存光学素
子を準備しておけばいい。尚、出射角度保存光学素子を
切換えてもそれらによるレーザー光の集光位置（本実施
例の場合無限遠にある発光部の実像又は虚像の絶対位
置）は略一定に維持される構成とする。
【０１０６】又、ズーム光学系として互いに結像倍率が
異なる複数種の結像光学系を用意しておき、２つのイン
テグレータ２０４、２０７の間に選択的に一つの結像光
学系を設けるようにしてもいい。一方、出射角度保存光
学素子に、光軸方向に動く複数のレンズを有するズーム
光学系を用いてもいい。
【０１０７】次に内面反射型インテグレータ２０４の光
射出面２０４′の照度分布が均一になる理由について図
２５を用いて説明する。
【０１０８】図２５では、内面反射型インテグレータ２
０４は六角柱状のガラス棒であるとする。尚、図２５は
光軸ＡＸを含む側断面図である。
【０１０９】不図示の集光光学系２０３からのレーザー
光は焦点Ｐ０に一旦集光（結像）し、その後、発散角φ
を有する発散光束となる。この時、レーザー光がエキシ
マレーザ光である場合は、一般に大強度であるため、焦
点Ｐ０近傍では莫大なエネルギー密度となり、内面反射
型インテグレータ２０４の光入射面のコーティング（反
射防止膜）や硝材そのものを破壊してしまう恐れがあ
る。従って、このような場合は図示の通り焦点Ｐ０から
少し距離をおいて内面反射型インテグレータ２０４を配
置する。
【０１１０】内面反射型インテグレータ２０４に入射し
た発散光束は内面反射面で繰り返し反射（所謂全反射）
しながら内部を通過した後、入射した際の発散角度２０
４Ｉを保ったまま内面反射型インテグレータ２０４から
出射する。この時、内面反射型インテグレータ２０４の
内面反射面の各部分において反射された光束は反射後も
発散しているので、各部分において反射された光束は、
破線により示されているように、後方に虚像Ｐ１、Ｐ
２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８、Ｐ９、Ｐ１
０を形成する。図示してはいないが、実際には六角柱の
ガラス棒の場合には、残りの二組の内面反射面対の作用
により上記と同様な虚像群が更に形成されている。
【０１１１】従って内面反射型インテグレータ２０４の
光射出面２０４′では、これら多数の虚像からあたかも
射出したかのように見える多数の光束が互いに重なり合
い、照度分布が均一になる。
【０１１２】図２６は図２５の内面反射型インテグレー
タ２０４により生じた虚像（見掛けの光源像）群の配列
を、例えば図２４（Ａ）の配置において波面分割型イン
テグレータ２０７を構成する一つの微小レンズの光射出
面から見た図を示している。図２６において、２５１は
波面分割型インテグレータ２０７の微小レンズを、Ｐ１
からＰ１０は図２５の虚像を示している。図２６から分
かる通り、内面反射型インテグレータ２０４が六角柱の
光パイプの場合には虚像群は蜂の巣状に配列するが、内
面反射型インテグレータ２０４が四角柱の光パイプであ
る場合は虚像群は矩形の格子状に配列する。尚、この虚
像は、集光光学系２０３と内面反射型インテグレータ２
０４の間に形成されたレーザー光の集光点（点光源）の
像である。
【０１１３】本実施例の照明装置は、図２４（Ａ）に示
した通り出射角度保存光学素子２０２ａ、２０２ｂがｍ
×ｎ個の微小レンズより成るハエの目レンズ（ｍ≧２、
ｎ≧２）であるから、虚像群の一つ一つの虚像はｍ×ｎ
程度に分割された複数像で構成される。従ってこの分割
複数像が蜂の巣状に並んだ虚像が見え、これらが波面分
割型インテグレータ２０７の微小レンズ一つに対応する
ことになる。
【０１１４】従って、本実施例の照明装置は、波面分割
型インテグレータ２０７の光出射面２０７″又はその近
傍に形成された複数の点光源（有効光源）からの各光束
を集光光学系２０８により被照明物体２０９上に重畳し
て照明する際の点光源（有効光源）の数を非常に多くし
ており、被照明物体２０９全体がより均一な照度分布と
なるように物体２０９を照明することを可能にしてい
る。
【０１１５】また、図２３（Ｂ）で説明したように、レ
ーザ光源２０１からの光束が外乱により微小変位したと
しても、出射角度保存光学素子２０２ａ、２０２ｂから
の光束の出射度εは一定に維持されるので、図２６にお
ける分割複数像の各々が微小変動するだけであって、蜂
の巣状を成す虚像群には変動がなく、出射角度保存光学
素子２０２ａ、２０２ｂ波面分割型インテグレータ２０
７の各微小レンズ２５１の中の虚像全体をマクロに見た
ときの変動は殆どなく、従って被照明物体２０９上の照
度分布への影響も無視できる程度に小さくなる。
【０１１６】従って本実施例の照明装置は、レーザ光源
２０１からのレーザー光が変位しても非常に性能が安定
している系である。尚、光束調整手段１１及び絞り１２
の光学的作用は前述の各実施形態と同様である。
【０１１７】図２７に上記実施例の照明装置をＬＳＩや
ＶＬＳＩ等の半導体チップや、ＣＣＤ、磁気センサ、液
晶素子等のデバイスを製造するステップ＆リピート型又
はステップ＆スキャン型投影露光装置に適用した実施形
態２を示す。
【０１１８】図２７において、２９１はＡｒＦエキシマ
レーザやＫｒＦエキシマレーザレーザ等のレーザー光源
２０１からの平行光束を所望のビーム形状に整形するた
めの光束整形光学系、２９２はコヒーレントなレーザ光
束をインコヒーレント化するためのインコヒーレント化
光学系、、２９３はマスク２０９の回路パターンの等倍
像又は縮小像を投影する投影光学系、２９４は基板（シ
リコンやガラス）に感光材を塗布したウエハを示す。
又、ここでは図２２に示した部材と同じ部材には図２２
と同じ符番を付し、説明は省略する。
【０１１９】レーザー光源２０１からのレーザー光は、
投影光学系２９３が色収差補正されていない場合にはス
ペクトル線の半値幅が１ｐｍ−３ｐｍ程度に狭帯域化さ
れており、投影光学系２９３が色収差補正されている場
合には、スペクトル線の半値幅が１０ｐｍ以上のある値
に狭帯域化されている。又、投影光学系２９３が色収差
補正されている場合に狭帯域化されていないレーザー光
を用いる場合もある。
【０１２０】投影光学系２９３としては複数のレンズ素
子のみで構成した光学系や複数のレンズ素子と少なくと
も一枚の凹面鏡とで構成した光学系や複数のレンズ素子
と少なくとも一枚のキノフォーム等の回折光学素子とで
構成した光学系が使用できる。色収差の補正は、互いに
分散値（アッベ数）の異なる硝材より成る複数のレンズ
素子を用いたり、上記回折光学素子をレンズ素子と逆方
向の分散が生じるように構成したりする。
【０１２１】レーザ光源２０１から射出したレーザ光は
不図示のミラーやリレーレンズから成る光束引き回し光
学系を経て光束整形光学系２９１に入射する。この光束
整形光学系２９１は、複数のシリンドリカルレンズやビ
ームエクスパンダ等より構成されており、レーザー光の
（光軸ＡＸと垂直な）断面形状の寸法の縦横比率を所望
の値に変換する。
【０１２２】光束整形光学系２９１により断面形状が整
形された光束は、ウエハ２９４上で光が干渉してスペッ
クルを生じることを防ぐ目的でインコヒーレント化光学
系２９２に入射し、光学系２９２によりスペックルが生
じにくいインコヒーレントな光束に変換される。
【０１２３】インコヒーレント化光学系２９２として
は、例えば特開平3-215930号公報の図１に開示されてい
るような、入射光束を光分割面で少なくとも２つの光束
（例えばｐ偏光とｓ偏光）に分岐した後で一方の光束を
光学部材を介して他方の光束に対してレーザー光のコヒ
ーレンス長以上の光路長差を与えてから該分割面に再導
光して他方の光束と重ね合わせて射出されるようにした
折り返し系を少なくとも一つ備える光学系を用いること
ができる。
【０１２４】インコヒーレント化光学系２９２からのイ
ンコヒーレント化された光束は、出射角度保存光学素子
２０２に入射する。以下図２２乃至図２６を用いて述べ
た手順により、波面分割型インテグレータ２０７の各微
小領域（微小レンズ）から出射した光束が集光光学系２
０８によりマスク２０９を重畳して照明し、マスク２０
９の投影すべき回路パターン全面で均一な照度分布が得
られるようにマスク２０９を均一照明する。そしてマス
ク２０９上に形成された回路パターンが投影光学系２９
３によりウエハ２９４上に投影結像され、ウエハ２０４
の感光材料への回路パターン（像）の露光が行なわれ
る。尚、ウエハ２９４は不図示のＸＹＺ可動ステージに
真空吸着法等により固定されており、ＸＹＺ可動ステー
ジは紙面の上下左右前後に平行移動する機能を持ち、そ
の移動は不図示のレーザ干渉計等の測長器で制御され
る。このような技術は周知技術であるので、詳しい説明
は省略する。
【０１２５】図２７においては、波面分割型インテグレ
ータ２０７の光出射側光路中に照明用の開口絞り１２が
配置されており、絞り１２は互いに異なるσ値に対応す
る複数の開口絞りを円盤（ターレット）等に設けてお
り、ズーム光学系のズーミングと出射角度保存光学素子
の切換えに連動させて円盤を回転させることにより、σ
値に合わせて所望の開口絞りを波面分割型インテグレー
タ２０７の光出射側光路中に挿入するように構成してい
る。
【０１２６】複数の開口絞りの開口形状としては、通常
の円形開口や円環（リング）状開口や特開平4-329623号
公報（鈴木）に記載された光軸外の４つの開口等が使え
る。
【０１２７】図２８及び図２９を用いて本発明の照明装
置の実施形態５を説明する。
【０１２８】図２８及び図２９は、ＬＳＩやＶＬＳＩ等
の半導体チップや、ＣＣＤ、磁気センサ、液晶素子等の
デバイスを製造するステップ＆スキャン（走査）型の投
影露光装置に好適な照明装置の概略図である。図２８、
図２９において前述した各実施形態と異なる部分のみを
説明する。
【０１２９】図２８（Ａ）と（Ｂ）は本実施例の照明装
置が前述の小σの状態にある場合を示しており、（Ａ）
は照明装置をスキャン方向（以下、「ｚ方向」と記
す。）から見た図で、（Ｂ）は照明装置をスキャン方向
と直交する方向（以下、「ｙ方向」と記す。）から見た
図である。又、図２９（Ａ）と（Ｂ）は本実施例の照明
装置が前述の大σの状態にある場合を示しており、
（Ａ）は照明装置をｚ方向から見た図で、（Ｂ）は照明
装置をｙ方向から見た図である。
【０１３０】尚、以下、図２９（Ａ）、（Ｂ）において
光軸ＡＸと光軸ＡＣからｙ方向に延びる軸とを含む断面
をｘｙ断面、光軸ＡＸからｚ方向に延びる軸とを含む断
面をｘｚ断面と記す。図２８及び図２９において、２２
０ａ、２２０ｂはＸＹ断面とＸＺ断面とで出射光束の開
き角（出射角度）が異なる出射角度保存光学素子、２４
０は内面反射型インテグレータ、２４０′は内面反射型
インテグレータの光出射面、２７０は波面分割型インテ
グレータ、２７０′、２７０″は波面分割型インテグレ
ータの光入射面、光出射面、３００ｙはマスク上の照明
域（光）のｙ方向の長さ、３００ｚはマスク上の照明域
（光）のｚ方向の長さを示す。又、図中の図２２乃至図
２７で示した部材と同じ部材には図２４と同一の符番を
付している。
【０１３１】図２８及び図２９で示す本実施例の照明装
置の基本的な構成と機能は、その変形例も含めて図２２
乃至図２７で示した前記実施例の照明装置と同じであ
り、本実施例の照明装置の前記実施例の照明装置との相
違点は出射角度保存光学素子と内面反射型インテグレー
タと波面分割型インテグレータの構成と機能にある。従
って、ここでは前記実施例との相違点のみ説明すること
にする。
【０１３２】ステップ＆スキャン型の投影露光装置で
は、ｙ方向に延びた（ｚ方向よりもｙ方向の方が長い）
矩形スリット状の照明域をマスク２０９上に効果的に形
成する必要がある。
【０１３３】そこで本実施例では、出射角度保存光学素
子として、光軸ＡＸと光軸ＡＸからｙ方向に延びる軸と
を含む断面（以下、「ｘｙ断面」と記す。）に関する焦
点距離と光軸ＡＸと光軸ＡＸからｚ方向に延びる軸とを
含む断面（以下、「ｘｚ断面」と記す。）に関する焦点
距離とが互いに異なるアナモフィック光学系より成る素
子２２０ａと２２０ｂを用い、内面反射型インテグレー
タとして、光軸と直交する断面（以下、「ｙｚ断面」と
記す。）の形状がｙ方向に延びる一対の直線とｚ方向に
延びる一対の直線とで表わされる四角柱の光パイプより
成るインテグレータ２４０を用い、波面分割型インテグ
レータとして、個々の微小レンズのｙｚ断面の形状がｙ
方向に延びる矩形であるフライアイレンズより成るイン
テグレータ２７０を用いている。
【０１３４】出射角度保存光学素子２２０ａと２２０ｂ
は、各々ｘｙ断面における焦点距離がｘｚ断面における
焦点距離よりも小さく、従って、各断面で見た光束の開
き角（出射角度）の関係は、ｙｚ断面における出射角度
εａｙ、εｂｙの方がｘｚ断面における出射角度εａ
ｚ、εｂｚよりも大きい。従って、図示された光束の開
き角（出射角度又は入射角度）φｙ、φｚ、βｙ、β
ｚ、θｙ、θｚ、γｙ、γｚ、αｙ、αｚの関係も、φ
ｙ＞φｚ、βｙ＞βｚ、θｙ＞θｚ、γｙ＞γｚ、αｙ
＞αｚである。ここで、γｙ＞γｚであるので、マスク
９上ではｙ方向に延びた矩形スリット状の照明域が形成
される。
【０１３５】又、前記実施例と同様に、σの大小に依存
してεａｙ＜εｂｙ、εａｚ＜εｂｚの関係があり、角
柱状の光パイプの性質に依存してφｙ＝βｙ、φｚ＝β
ｚの関係がある。
【０１３６】出射角度保存光学素子２２０ａと２２０ｂ
は、ｘｙ断面とｘｚ断面とで焦点距離が異なる微小レン
ズを複数個２次元的にｙｚ断面にそって並べたフライア
イレンズや図２３（Ａ）の絞り２２１としてｙ方向に延
びたスリット開口を有するものを用いた素子も適用可能
である。尚、各フライアイレンズを構成する微小レンズ
は、通常のレンズや回折光学素子（フレネルレンズ）に
よって構成される。
【０１３７】図３０は図２８及び図２９の内面反射型イ
ンテグレータ２４０により生じた虚像（見掛けの光源
像）群の配列を、波面分割型インテグレータ２７０を構
成する一つの微小レンズの光射出面から見た図を示して
いる。図３０において、３２０は波面分割型インテグレ
ータ２７０の微小レンズを、Ｙ１からＹ１２及びＺ１か
らＺ８は虚像を示している。
【０１３８】図３０から分かると通り、内面反射型イン
テグレータ２４０が四角柱の光パイプであるので、虚像
群はｙ方向とｚ方向と沿って格子状に配列する。又、内
面反射型インテグレータ２４０に入射する発散光束の入
射角度がｘｙ断面とｘｚ断面とで互いに異なるので、内
面反射面での反射回数がｘｙ断面とｘｚ断面とで互いに
異なり、そのためｙ方向とｚ方向とで虚像の数が異なっ
ている。尚、この虚像は、集光光学系２０３と内面反射
型インテグレータ２４０の間に形成されたレーザー光の
集光点（点光源）の像である。
【０１３９】本実施例の照明装置は、図２８及び図２９
に示した通り出射角度保存光学素子２２０ａ、２２０ｂ
がｍ×ｎ個の微小レンズより成るハエの目レンズ（ｍ≧
２、ｎ≧２）であるから、虚像群の一つ一つの虚像はｍ
×ｎ程度に分割された複数像で構成される。従ってこの
分割複数像が格子状に並んだ虚像が見え、これらが波面
分割型インテグレータ２７０の微小レンズ一つに対応す
ることになる。
【０１４０】従って、本実施例の照明装置も、波面分割
型インテグレータ２７０の光出射面２０７″又はその近
傍に形成された複数の点光源（有効光源）からの各光束
を集光光学系２０８によりマスク２０９上に重畳して照
明する際の点光源（有効光源）の数を非常に多くしてお
り、マスク２０９全体がより均一な照度分布となるよう
にマスク２０９を照明することを可能にしている。
【０１４１】以上のような構成を有する本実施例の照明
装置も、前記実施例同様に、マスク２０９の種類等に応
じて小σの状態と大σの状態を作る際に、ズーム光学系
２０５の結像倍率を小さな値と大きな値の間で切換え且
つ出射角度保存光学素子２２０ａと出射角度保存光学素
子２２０ｂを切換えることにより、角度θｙ、θｚの各
々の値を一定又はほぼ一定に維持しつつ角度αｙ、αｚ
の各々の値を変えることができ、光の利用効率を低下さ
せることなくσを変更することが可能である。又、レー
ザー光源からのレーザー光が変位してもマスク２０９上
で照度むらが生じることもない。
【０１４２】図３１に図２８乃至図３０で示した照明装
置をＬＳＩやＶＬＳＩ等の半導体チップや、ＣＣＤ，磁
気センサ、液晶素子等のデバイスを製造するステップ＆
スキャン型等の走査型露光装置に適用した実施形態３を
示す。
【０１４３】図３１において、２９１はＡｒＦエキシマ
レーザやＫｒＦエキシマレーザ等のレーザ光源２０１か
らの光束を所望のビーム形状に整形するための光束整形
光学系、２９２はコヒーレントなレーザ光束をインコヒ
ーレント化するためのインコヒーレント化光学系、２９
３はマスク２０９の回路パターンの等倍像又は縮小像を
投影する投影光学系、２９４は基板（シリコンやガラ
ス）に感光材を塗布したウエハを示す。又、ここでは図
２８乃至図３０に示した部材と同じ部材には図２８乃至
図３０と同じ符番を付し、説明は省略する。
【０１４４】レーザ光源２０１から射出したレーザ光は
不図示のミラーやリレーレンズから成る光束引き回し光
学系を経て光束整形光学系２９１に入射する。この光束
整形光学系２９１は、複数のシリンドリカルレンズやビ
ームエクスパンダ等より構成されており、レーザー光の
（光軸ＡＸと垂直な）断面形状の寸法の縦横比率を所望
の値に変換する。
【０１４５】光束整形光学系２９１により断面形状が整
形された光束は、ウエハ２９４上で光が干渉してスペッ
クルを生じることを防ぐ目的でインコヒーレント化光学
系２９２に入射し、光学系２９２によりスペックルが生
じにくいインコヒーレントな光束に変換される。
【０１４６】インコヒーレント化光学系２９２として
は、特開平3-215930号公報の図１に開示されているよう
な、前述の光学系を用いることができる。
【０１４７】インコヒーレント化光学系２９２からのイ
ンコヒーレント化された光束は、出射角度保存光学素子
２２０ａ又は２２０ｂに入射する。以下最初の実施例で
図２３乃至図２６を用いて述べた手順と同様の手順によ
り、波面分割型インテグレータ２７０の各微小領域（微
小レンズ）から出射した光束が集光光学系２０８により
マスク２０９を重畳して照明し、マスク２０９の投影す
べき回路パターン全面で均一な照度分布が得られるよう
にマスク２０９を均一照明する。この時、マスク２０９
上には、ｙ方向に伸びる矩形スリット状の照明域（光）
が形成される。そしてマスク２０９上に形成された回路
パターンの内の前記照明域が形成された部分が投影光学
系２９３によりウエハ２９４上に投影結像され、ウエハ
２９４の感光材料への回路パターン（像）の露光が行な
われる。
【０１４８】ウエハ２９４は不図示のｘｙｘの各方向に
移動可能なＸＹＺ可動ステージに真空吸着法等により固
定されており、マスク２０９も不図示のｘｙｘの各方向
に移動可能なＸＹＺ可動ステージに真空吸着法等により
固定されており、各ＸＹＺ可動ステージの移動は不図示
のレーザ干渉計等の測長器で制御される。そして、マス
ク２０９の回路パターン部の端部に矩形スリット状の照
明域を形成した状態で各ＸＹＺ可動ステージを移動させ
て、マスク２０９をｚ方向にウエハ２９４を−ｚ方向に
走査することにより、マスク２０９の回路パターン全体
をウエハ２９４上に投影して回路パターン全体をウエハ
２９４上に転写する。尚、投影光学系２９３の投影倍率
がＭ、マスク２０９の走査速度がＶの時、ウエハ２９４
の走査速度は−Ｍ×Ｖである。
【０１４９】図３２は本発明のデバイス（ＩＣやＬＳＩ
等の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造
方法のフローチャートである。これについて説明する。
【０１５０】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。
【０１５１】ステップ２（マスク製作）では設計した回
路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステッ
プ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエ
ハを製造する。
【０１５２】ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、本発明の露光装置を用い、前記の用意した回路
パターン（第１物体）を形成したマスク（レチクル）と
ウエハ（第２物体）を用いてリソグラフィ技術によって
ウエハ上に実際の回路を形成する。
【０１５３】ステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。
【０１５４】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【０１５５】図３３は上記のウエハプロセスのフローチ
ャートである。
【０１５６】ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を
酸化させる。
【０１５７】ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に
絶縁膜を形成する。
【０１５８】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。
【０１５９】ステップ１４（イオン打込み）ではウエハ
にイオンを打ち込む。
【０１６０】ステップ１５（レジスト処理）ではウエハ
に感光剤を塗布する。
【０１６１】ステップ１６（露光）では本発明の露光装
置によってレチクルの回路パターンをウエハに焼付露光
する。
【０１６２】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。
【０１６３】ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。
【０１６４】ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングがすんで不要となったレジストを取り除く。
【０１６５】これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１６６】本実施形態の製造方法を用いれば、従来よ
りも短時間で半導体デバイスを製造することができる。
【０１６７】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように各要素を
設定することにより、通常照明法と変形照明法の切り替
えが容易で、かつ高い照明効率で被照射面を均一に照明
することができ、高集積度のデバイスを容易に製造する
ことができる照明装置及びそれを用いた投影露光装置、
デバイスの製造方法を達成することができる。
【０１６８】特に本発明によれば、通常照明と変形照明
の切り替えを、光束混合手段の直後に様々な構成の光束
調整手段を出し入れすることで容易に実現することがで
き、また照明光束を高い効率で利用することができる等
の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の照明装置の実施形態１の要部概略図
【図２】 本発明の照明装置を用いた投影露光装置の実
施形態１の要部概略図
【図３】 本発明に係る光束調整手段の概略図
【図４】 本発明に係る絞り調整手段の概略図
【図５】 本発明に係るハエの目の入射面での照度分布
の概略図
【図６】 本発明に係るハエの目の入射面での照度分布
の概略図
【図７】 本発明に係る絞りで不要光を遮光した場合の
有効光源を表す説明図
【図８】 本発明に係る光束調整手段を交換した場合の
概略図
【図９】 本発明に係るハエの目入射面での照度分布の
概略図
【図１０】 本発明に係るハエの目入射面での照度分布
の概略図
【図１１】 本発明に係る絞りで不要光を遮光した場合
の有効光源を表す説明図
【図１２】 本発明に係る４重極照明の場合のハエの目
入射面での照度分布の概略図
【図１３】 本発明に係る絞りで不要光を遮光した場合
の有効光源を表す説明図
【図１４】 本発明に係る有効光源分布の説明図
【図１５】 本発明の照明装置の実施形態２の一部分の
要部概略図
【図１６】 本発明に係る光束調整手段の概略図
【図１７】 本発明に係る光束調整手段としての回折光
学素子の位相分布の説明図
【図１８】 本発明に係る光束調整手段としての回折光
学素子の位相分布の説明図
【図１９】 本発明に係る光束調整手段としての回折光
学素子の位相分布の説明図
【図２０】 本発明の照明装置の実施形態３の一部分の
要部概略図
【図２１】 本発明に係る光束調整手段の概略図
【図２２】 本発明の照明装置の実施形態４を示す概略
図
【図２３】 出射角度保存光学素子の２つの例を示す概
略図
【図２４】 出射角度保存光学素子の切り換えについて
の説明図
【図２５】 内面反射型インテグレータの機能について
の説明図
【図２６】 図２２乃至図２５の内面反射型インテグレ
ータ２０４により形成される虚像群を示す説明図
【図２７】 本発明の露光装置の実施形態２を示す概略
図で、図２２の照明装置を搭載した露光装置
【図２８】 本発明の照明装置の実施形態５を示す概略
図で、小σの状態における装置構成図
【図２９】 本発明の照明装置の実施形態５を示す概略
図で、大σの状態における装置構成図
【図３０】 図２８及び図２９の内面反射型インテグレ
ータ２４０により形成される虚像群を示す説明図
【図３１】本発明の露光装置の実施形態３を示す概略図
で、図２８及び図２９が示す照明装置を搭載した露光装
置図
【図３２】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート
【図３３】 本発明のデバイスの製造方法のフローチャ
ート
【図３４】 従来の照明装置の要部概略図
【図３５】 図２４の一部分の説明図
【図３６】 図２４の一部分の説明図
【図３７】 図２４の一部分の説明図
【符号の説明】
１ 水銀灯（光源） ２ 楕円ミラー ３ 光束混合手段 ４ 集光レンズ ５ 多光束発生手段 ６ 照射手段 ７ 被照射面（レチクル） １０ 集光光学系 １１ 光束調整手段 １２ 絞り ２４ 投影レンズ ２５ 感光基板 ２０１ レーザ光源 ２０２ 射出角度保存光学素子 ２０３ 集光光学系 ２０４ 内面反射型インテグレータ ２０５ ズーム光学系 ２０７ 波面分割型インテグレータ ２０８ 集光光学系 ２０９ マスク ２９３ 投影光学系 ２９４ ウエハ

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源と、該光源からの光束を集光する集
    光光学系と、該集光光学系からの光束を混合して射出す
    る光束混合手段と、該光束混合手段からの出射光束を用
    いて多数の部分光束を発生させる多光束発生手段と、該
    多光束発生手段からの光束を重ね合わせた状態で被照射
    面を照射する照射手段と、を有する照明装置において、
    該光束混合手段の出射面近傍に光束調整手段を設け、該
    多光束発生手段の入射面での光量分布を調整可能に構成
    していること
  2. 【請求項２】 前記光束混合手段と前記多光束発生手段
    の間には光学系が配置されており、該光学系により該光
    束混合手段の出射面と、該多光束発生手段の入射面とを
    略共役になるよう設定していることを特徴とする請求項
    １、又は２の照明装置。
  3. 【請求項３】 前記光束混合手段はオプティカルパイプ
    を有していることを特徴とする請求項１、又は２の照明
    装置。
  4. 【請求項４】 前記光束調整手段は、入射面側が凹面
    の、出射面側が凸面の円錐面を持つ光学部材からなるこ
    とを特徴とする請求項１、２、又は３の照明装置。
  5. 【請求項５】 前記光束調整手段は、入射面側が凹面
    の、出射面側が凸面の多角錐面を持つ光学部材からなる
    ことを特徴とする請求項１、２、又は３の照明装置。
  6. 【請求項６】 前記光束調整手段は、入射面側が凹面
    の、出射面側が凸面の多角錐面の頂点を光軸に水平な面
    で切断した平面を有する光学部材からなることを特徴と
    する請求項１、２、又は３の照明装置。
  7. 【請求項７】 前記光束調整手段は、輪帯状の位相分布
    を有する回折光学素子を２つ有していることを特徴とす
    る請求項１、２、又は３の照明装置。
  8. 【請求項８】 前記光束調整手段は一面に回折光学素子
    を設けた基板を有しており、該回折光学素子は該一面上
    の多数の領域に面積分割されており、かつ各々の領域の
    回折光学素子は直線状のパターンから形成されており、
    また各々の領域の回折光学素子による光束の回折方向が
    互いに異なっており、前記多光束発生手段上の離散的な
    位置に他に比べて強い光強度分布を形成していることを
    特徴とする請求項１、２、又は３の照明装置。
  9. 【請求項９】 前記多光束発生手段の入射面上での光量
    分布が異なるようにした光束調整手段を複数設け、該複
    数の光束調整手段のうちの１つを光路中に選択可能に設
    定していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１
    項記載の照明装置。
  10. 【請求項１０】 前記多光束発生手段はハエの目を有し
    ていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記
    載の照明装置。
  11. 【請求項１１】 前記多光束発生手段の出射面近傍には
    前記光束調整手段の種類に応じて開口形状が異なる絞り
    を交換可能に設けていることを特徴とする請求項１〜１
    ０のいずれか１項記載の照明装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１から１１のいずれか１項記載
    の照明装置を用いて被照射面に設けた物体面上のパター
    ンを投影光学系により露光基板に投影露光していること
    を特徴とする投影露光装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１から１１のいずれか１項記載
    の照明装置を用いて被照射面に設けた物体面上のパター
    ンを投影光学系により露光基板に、該物体と該露光基板
    の双方を該投影光学系の光軸と垂直方向に該投影光学系
    の投影倍率に対応させた速度比で同期させて走査して露
    光することを特徴とする投影露光装置。
  14. 【請求項１４】 請求項１２又は１３の投影露光装置を
    用いて物体面上のパターンを投影光学系により露光基板
    上に投影露光した後、該露光基板を現像処理してデバイ
    スを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
JP22194897A 1997-08-04 1997-08-04 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 Expired - Fee Related JP3264224B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22194897A JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 1997-08-04 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US09/127,953 US6259512B1 (en) 1997-08-04 1998-08-03 Illumination system and exposure apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22194897A JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 1997-08-04 照明装置及びそれを用いた投影露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1154426A true JPH1154426A (ja) 1999-02-26
JP3264224B2 JP3264224B2 (ja) 2002-03-11

Family

ID=16774674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22194897A Expired - Fee Related JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 1997-08-04 照明装置及びそれを用いた投影露光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6259512B1 (ja)
JP (1) JP3264224B2 (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284240A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Canon Inc 照明光学系、および該照明光学系を備えた投影露光装置と該投影露光装置によるデバイスの製造方法
US6392742B1 (en) 1999-06-01 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and projection exposure apparatus
JP2002217085A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Canon Inc 照明装置及びこれを用いる投影露光装置
WO2002095811A1 (en) * 2001-05-23 2002-11-28 Nikon Corporation Lighting optical device, exposure system, and production method of micro device
US6552846B1 (en) 1999-10-12 2003-04-22 Nikon Corporation Catoptric optical element, illumination optical system equipped therewith, projection exposure apparatus and method for manufacturing semiconductor device
EP1109067A3 (en) * 1999-12-13 2003-06-18 ASML Netherlands B.V. Illuminator
US6671035B2 (en) 1999-09-29 2003-12-30 Asml Netherlands B.V. Illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
US6738129B2 (en) 2001-05-22 2004-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method using the same
WO2004090952A1 (ja) * 2003-04-09 2004-10-21 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US6816234B2 (en) 2000-03-30 2004-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system in exposure apparatus
US6833907B2 (en) 1999-12-13 2004-12-21 Asml Netherlands B.V. Illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
JP2004361746A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Mejiro Genossen:Kk 露光用照明装置
EP1724048A3 (en) * 1999-05-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus having a cylindrical lens group with external masked lenses
JP2007525027A (ja) * 2004-02-17 2007-08-30 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ投射露光装置用照射システム
JP2011124374A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Drc Kk 紫外線照射装置
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP2014086244A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Drc Kk 光強度調節装置およびそれを用いた照射装置
US8861084B2 (en) 2004-01-16 2014-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9581911B2 (en) 2004-01-16 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2022124211A1 (ja) * 2020-12-09 2022-06-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11271619A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
DE69931690T2 (de) * 1998-04-08 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat
US20070030948A1 (en) * 1998-05-05 2007-02-08 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
US20050002090A1 (en) * 1998-05-05 2005-01-06 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a folding geometry
US7329886B2 (en) * 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
US7006595B2 (en) * 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
US6246524B1 (en) * 1998-07-13 2001-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
US6480263B1 (en) * 1998-10-22 2002-11-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for phase shift photomasking
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
JP2001174615A (ja) * 1999-04-15 2001-06-29 Nikon Corp 回折光学素子、該素子の製造方法、該素子を備える照明装置、投影露光装置、露光方法、及び光ホモジナイザー、該光ホモジナイザーの製造方法
JP2001042253A (ja) * 1999-08-04 2001-02-16 Minolta Co Ltd レーザー照射光学系
TW587199B (en) 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus
SG124257A1 (en) * 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
TW554411B (en) * 2001-08-23 2003-09-21 Nikon Corp Exposure apparatus
US7037659B2 (en) * 2002-01-31 2006-05-02 Nimblegen Systems Inc. Apparatus for constructing DNA probes having a prismatic and kaleidoscopic light homogenizer
JP3950731B2 (ja) * 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP3950732B2 (ja) * 2002-04-23 2007-08-01 キヤノン株式会社 照明光学系、照明方法及び露光装置
JP4332331B2 (ja) * 2002-08-05 2009-09-16 キヤノン株式会社 露光方法
JP3958163B2 (ja) * 2002-09-19 2007-08-15 キヤノン株式会社 露光方法
US7209414B2 (en) * 2002-11-15 2007-04-24 Plasmon Lms, Inc Spherical aberration compensation by wavelength
EP1434092A1 (en) * 2002-12-23 2004-06-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6842223B2 (en) 2003-04-11 2005-01-11 Nikon Precision Inc. Enhanced illuminator for use in photolithographic systems
DE10322393A1 (de) * 2003-05-12 2004-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
US7511886B2 (en) * 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
JP4366163B2 (ja) * 2003-09-25 2009-11-18 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
US7542217B2 (en) * 2003-12-19 2009-06-02 Carl Zeiss Smt Ag Beam reshaping unit for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
TWI395068B (zh) * 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7812283B2 (en) 2004-03-26 2010-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device
FR2868551B1 (fr) * 2004-04-02 2006-08-04 Essilor Int Conduit optique destine a la realisation d'un agencement d'affichage electronique
US8525075B2 (en) 2004-05-06 2013-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US7324280B2 (en) * 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
CN100530549C (zh) * 2004-08-23 2009-08-19 株式会社半导体能源研究所 激光照射设备、照射方法和制备半导体器件的方法
US20070285644A1 (en) * 2004-09-13 2007-12-13 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic Projection Exposure Apparatus
TWM324785U (en) * 2007-04-16 2008-01-01 Young Optics Inc Illumination system
JP2010134328A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Disco Abrasive Syst Ltd 偏光素子およびレーザーユニット
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP6016169B2 (ja) * 2011-01-29 2016-10-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
EP3166895B1 (en) 2014-07-08 2021-11-24 Corning Incorporated Methods and apparatuses for laser processing materials
EP3169479B1 (en) 2014-07-14 2019-10-02 Corning Incorporated Method of and system for arresting incident crack propagation in a transparent material
WO2016010991A1 (en) 2014-07-14 2016-01-21 Corning Incorporated Interface block; system for and method of cutting a substrate being transparent within a range of wavelengths using such interface block
CN208586209U (zh) 2014-07-14 2019-03-08 康宁股份有限公司 一种用于在工件中形成限定轮廓的多个缺陷的系统
JP2017530867A (ja) * 2014-07-14 2017-10-19 コーニング インコーポレイテッド 長さおよび直径の調節可能なレーザビーム焦線を用いて透明材料を加工するためのシステムおよび方法
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
KR20170105562A (ko) 2015-01-12 2017-09-19 코닝 인코포레이티드 다중 광자 흡수 방법을 사용한 열적 템퍼링된 기판의 레이저 절단
JP7292006B2 (ja) 2015-03-24 2023-06-16 コーニング インコーポレイテッド ディスプレイガラス組成物のレーザ切断及び加工
EP3274313A1 (en) 2015-03-27 2018-01-31 Corning Incorporated Gas permeable window and method of fabricating the same
CN107835794A (zh) 2015-07-10 2018-03-23 康宁股份有限公司 在挠性基材板中连续制造孔的方法和与此相关的产品
EP3452418B1 (en) 2016-05-06 2022-03-02 Corning Incorporated Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
KR20190035805A (ko) 2016-07-29 2019-04-03 코닝 인코포레이티드 레이저 처리를 위한 장치 및 방법
JP2019532908A (ja) 2016-08-30 2019-11-14 コーニング インコーポレイテッド 強度マッピング光学システムによる材料のレーザー切断
JP6923284B2 (ja) 2016-09-30 2021-08-18 コーニング インコーポレイテッド 非軸対称ビームスポットを用いて透明被加工物をレーザ加工するための装置及び方法
LT3529214T (lt) 2016-10-24 2021-02-25 Corning Incorporated Substrato apdorojimo stotis lakšto formos stiklo substratų lazeriniam mašininiam apdorojimui
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
US12180108B2 (en) 2017-12-19 2024-12-31 Corning Incorporated Methods for etching vias in glass-based articles employing positive charge organic molecules
US11385331B2 (en) * 2018-01-29 2022-07-12 The Regents Of The University Of California Enclosure for light detection and ranging unit and related methods
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
US12228267B2 (en) * 2023-08-30 2025-02-18 Robe Lighting S.R.O. Optical system for an automated luminaire

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2969718B2 (ja) 1990-01-20 1999-11-02 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた回路の製造方法
US5153773A (en) 1989-06-08 1992-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Illumination device including amplitude-division and beam movements
US5719704A (en) * 1991-09-11 1998-02-17 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6128068A (en) 1991-02-22 2000-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus including an illumination optical system that forms a secondary light source with a particular intensity distribution
JP2890892B2 (ja) 1991-04-30 1999-05-17 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた素子製造方法
US5305059A (en) 1991-10-17 1994-04-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Image forming apparatus
JP3295956B2 (ja) 1992-03-05 2002-06-24 株式会社ニコン 露光装置及び半導体素子の製造方法
JP3278896B2 (ja) 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2946950B2 (ja) * 1992-06-25 1999-09-13 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた露光装置
JP3000502B2 (ja) 1992-12-29 2000-01-17 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
DE69418131D1 (de) * 1993-03-01 1999-06-02 Gen Signal Corp Vorrichtung zur erzeugung einer einstellbaren ringförmigen beleuchtung für einen photolithograpischen projektionsapparat
EP0687956B2 (de) * 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1724048A3 (en) * 1999-05-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus having a cylindrical lens group with external masked lenses
US7294589B2 (en) 1999-05-24 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
US6392742B1 (en) 1999-06-01 2002-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Illumination system and projection exposure apparatus
US6671035B2 (en) 1999-09-29 2003-12-30 Asml Netherlands B.V. Illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
US6552846B1 (en) 1999-10-12 2003-04-22 Nikon Corporation Catoptric optical element, illumination optical system equipped therewith, projection exposure apparatus and method for manufacturing semiconductor device
EP1109067A3 (en) * 1999-12-13 2003-06-18 ASML Netherlands B.V. Illuminator
US6833907B2 (en) 1999-12-13 2004-12-21 Asml Netherlands B.V. Illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
KR100566776B1 (ko) * 1999-12-13 2006-04-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치용 일루미네이터, 상기 일루미네이터를 포함하는 리소그래피 장치 및 상기 리소그래피 장치를 이용한 제조 방법
US6816234B2 (en) 2000-03-30 2004-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system in exposure apparatus
US7050154B2 (en) 2000-03-30 2006-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system in exposure apparatus
JP2001284240A (ja) * 2000-04-03 2001-10-12 Canon Inc 照明光学系、および該照明光学系を備えた投影露光装置と該投影露光装置によるデバイスの製造方法
US6903801B2 (en) 2000-04-03 2005-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system for use in projection exposure apparatus
US6819493B2 (en) 2001-01-15 2004-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus with light shielding near an exit plane of an optical pipe and projection exposure apparatus using same
JP2002217085A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Canon Inc 照明装置及びこれを用いる投影露光装置
US6738129B2 (en) 2001-05-22 2004-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Illumination apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method using the same
WO2002095811A1 (en) * 2001-05-23 2002-11-28 Nikon Corporation Lighting optical device, exposure system, and production method of micro device
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US7446858B2 (en) 2003-04-09 2008-11-04 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device
JP4735258B2 (ja) * 2003-04-09 2011-07-27 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
WO2004090952A1 (ja) * 2003-04-09 2004-10-21 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2004361746A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Mejiro Genossen:Kk 露光用照明装置
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9581911B2 (en) 2004-01-16 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
US9316772B2 (en) 2004-01-16 2016-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Producing polarization-modulating optical element for microlithography system
US8861084B2 (en) 2004-01-16 2014-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP4846600B2 (ja) * 2004-02-17 2011-12-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投射露光装置用照射システム
JP2007525027A (ja) * 2004-02-17 2007-08-30 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ投射露光装置用照射システム
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011124374A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Drc Kk 紫外線照射装置
JP2014086244A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Drc Kk 光強度調節装置およびそれを用いた照射装置
WO2022124211A1 (ja) * 2020-12-09 2022-06-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3264224B2 (ja) 2002-03-11
US6259512B1 (en) 2001-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3264224B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3005203B2 (ja) 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US5673102A (en) Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity
US5305054A (en) Imaging method for manufacture of microdevices
JP3278896B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US6392742B1 (en) Illumination system and projection exposure apparatus
JP3634782B2 (ja) 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
US6857764B2 (en) Illumination optical system and exposure apparatus having the same
JPH09219358A (ja) 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
KR100823405B1 (ko) 노광장치 및 디바이스 제조 방법
JP2002198309A (ja) 熱的な負荷の少ない照明系
JP3559694B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP4332331B2 (ja) 露光方法
JPH11162837A (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3997199B2 (ja) 露光方法及び装置
JP2004335575A (ja) 露光装置
JP3392034B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2000182933A (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP4838430B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005150174A (ja) 照明光学系及びそれを有する露光装置
JP2002057081A (ja) 照明光学装置並びに露光装置及び露光方法
JP3339593B2 (ja) 投影露光装置、及び該装置を用いた素子製造方法
JP4415223B2 (ja) 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
KR20020005975A (ko) 조명 광학 장치, 노광 장치 및 마이크로 디바이스의 제조방법
JP7208787B2 (ja) 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081228

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091228

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091228

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111228

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121228

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131228

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees