JPH1154587A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

Info

Publication number
JPH1154587A
JPH1154587A JP20325297A JP20325297A JPH1154587A JP H1154587 A JPH1154587 A JP H1154587A JP 20325297 A JP20325297 A JP 20325297A JP 20325297 A JP20325297 A JP 20325297A JP H1154587 A JPH1154587 A JP H1154587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
substrate
unit
substrate processing
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20325297A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3729987B2 (ja
Inventor
Akihiko Morita
彰彦 森田
Satoshi Yamamoto
聡 山本
Masao Tsuji
雅夫 辻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP20325297A priority Critical patent/JP3729987B2/ja
Publication of JPH1154587A publication Critical patent/JPH1154587A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3729987B2 publication Critical patent/JP3729987B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置全体として無駄な処理部を減少させるこ
とができる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板の処理手順において、ホットプレー
トHP以外についてはユニット番号を指定して処理すべ
きユニットを予め決定しているが、ホットプレートHP
については、加熱処理を行うということとその温度条件
のみを予め指定しておく。そして、ロットの払い出し予
約を行う段階において、投入されるロットの最初の基板
の処理を最も短時間で開始できるユニットを4つのホッ
トプレートHPのうちから選定するのである。この際
に、ホットプレートHPの使用の有無、不使用ホットプ
レートHPを温度変更するのに要する時間を考慮して選
定する。装置に適用が予定されている複数の処理手順に
含まれる全ての処理条件の基板処理部を準備しておく必
要がなくなり、装置全体として無駄な処理部を減少させ
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶ガラス基板などの薄板状基板(以下、「基板」と称す
る)に対して例えば熱処理などを含む一連の処理を行う
基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、上記のような基板処理装置はレ
ジスト塗布処理部、現像処理部およびそれらに付随する
熱処理部を備えており、これらの各処理部間で所定の処
理手順に従って基板搬送ロボットが基板の循環搬送を行
うことにより一連の基板処理を行わせている。
【0003】ところで、上記所定の処理手順は処理対象
となる基板の種類や必要とされる特性に応じて当然に異
なる。そして、1つの基板処理装置で異なる処理手順の
ロット(同一の処理手順に従って処理が行われる基板)
を連続的に投入したい場合、先後のロットについてのそ
れぞれの処理手順で各処理部における処理条件(例え
ば、加熱処理部における熱処理温度)が異なると後のロ
ットを即時に投入することができない。このときに、例
えば先ロットの処理が完了してから加熱処理部の設定温
度を変更していたのでは、温度が安定するまでに一定の
時間を要するため後ロットの投入を待機させねばならず
スループットが低下する。
【0004】このようなスループットの低下を防止する
ため、従来の基板処理装置は予め予定されている処理手
順に含まれる全ての処理条件の処理部を用意していた。
例えば、予め予定されている処理手順に含まれる加熱処
理の全ての温度条件の加熱処理部を用意していた。この
ようにすれば、先ロットの処理が終了してから即刻、ま
たは先ロットの処理終了を待たずに後ロットを投入する
ことができるため、スループットの低下は防止すること
ができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、予め予
定されている処理手順に含まれる全ての処理条件の処理
部を用意した場合、相当数の処理部を準備状態として用
意しておく必要があり、1つのロットを処理するのには
使用しない処理部が多くなり、その結果装置全体として
は無駄な処理部が多く存在していることとなる。特に、
近年においては基板の大口径化が進展しており、無駄な
処理部を多く存在させることは無駄なスペース部分を著
しく増加させることとなる。また、無駄な加熱処理部が
多く存在していると、その温度維持に要する電気エネル
ギーの消費量も多くなり、省エネルギーの観点からも好
ましくない。
【0006】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、装置全体として無駄な処理部を減少させること
ができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、所定の処理を行う複数の基板処
理部に対して基板搬送手段が所定の処理手順にしたがっ
て順次搬送する基板処理装置であって、前記複数の基板
処理部のうち同一種類の処理を行う複数の基板処理部を
同一種類処理部群として記憶する記憶手段と、前記所定
の処理手順に含まれる処理のうち前記同一種類の処理を
特定処理とし当該特定処理を行う基板処理部を前記同一
種類処理部群の中から特定基板処理部として選定する選
定手段と、を備え、前記選定手段に前記同一処理部群の
うち前記特定処理を最短所要時間で開始することができ
る基板処理部を前記特定基板処理部として選定させてい
る。
【0008】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記選定手段にその時点
で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基板処理部
が前記同一処理部群に存在し、当該基板処理部がその時
点で使用されていない場合に当該基板処理部を前記特定
基板処理部として選定させている。
【0009】また、請求項3の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記選定手段に、その時
点で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基板処理
部が前記同一処理部群に存在し、当該基板処理部がその
時点で使用されている場合に、当該基板処理部が前記
特定処理を開始することができるまでに要する時間と、
前記同一処理部群に含まれその時点で使用されておら
ずかつ使用される予定がない他の基板処理部のうち前記
同一処理条件と最も近似した処理条件の基板処理部の処
理条件を変更して前記特定処理が開始できるまでの時間
と、を比較させ、より短時間で前記特定処理が開始でき
る基板処理部を前記特定基板処理部として選定させてい
る。
【0010】また、請求項4の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記選定手段に、その時
点で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基板処理
部が前記同一処理部群に存在せず、前記同一処理部群に
含まれる基板処理部のうち前記同一処理条件と最も近似
した処理条件を有する近似基板処理部がその時点で使用
されていない場合に、前記近似基板処理部の処理条件を
前記同一処理条件に変更して前記特定基板処理部として
選定させている。
【0011】また、請求項5の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記選定手段に、その時
点で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基板処理
部が前記同一処理部群に存在せず、前記同一処理部群に
含まれる基板処理部のうち前記同一処理条件と最も近似
した処理条件を有する近似基板処理部がその時点で使用
されている場合に、前記近似基板処理部の処理条件を
前記同一処理条件に変更して前記特定処理が開始できる
までの時間と、前記同一処理部群に含まれその時点で
使用されておらずかつ使用される予定がない他の基板処
理部のうち前記同一処理条件と最も近似した処理条件の
基板処理部の処理条件を変更して前記特定処理が開始で
きるまでの時間と、を比較させ、より短時間で前記特定
処理が開始できる基板処理部を前記特定基板処理部とし
て選定させている。
【0012】また、請求項6の発明は、請求項1ないし
請求項5のいずれかの発明に係る基板処理装置におい
て、前記同一種類の処理を加熱処理としている。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。本明細書では、発
明に対する理解を容易にするため、まず本発明の原理に
ついて説明した後、具体的な基板処理装置とその処理形
態について説明する。
【0014】<A.本発明の原理>まず本発明の原理に
ついて、従来の処理形態と対比しつつ説明する。
【0015】上述のように、1つの基板処理装置で異な
る処理手順のロットを連続的に投入したい場合が多い。
ここで、以下の表1に示すように、1つの基板処理装置
で6つの異なる処理手順が予定されている場合について
考える。
【0016】
【表1】
【0017】この表および以下の説明において「レシ
ピ」とは上記処理手順を表現したレシピプログラムを意
味する。また、各レシピにおいて、「a」、「c」およ
び「IND」は基板処理装置の処理部を示し、
「b()」は処理内容および処理条件を示している。す
なわち、例えば、レシピ1に従って処理が実行される場
合、インデクサINDからロットに含まれる基板が1枚
ずつ払い出され、処理部aを経た後、処理条件”b1”
で処理bを行い、その後処理部cを経てインデクサIN
Dに戻される。従って、レシピ1からレシピ6のいずれ
の処理手順においても、第2ステップで処理内容として
は処理bが行われるのであるが、それぞれの処理条件
は”b1”から”b6”まで異なる条件となっているの
である。なお、ここでは、処理条件”b1”と”b
4”、”b2”と”b5”、”b3”と”b6”は比較
的近い処理条件であるものとする。
【0018】上述した従来の基板処理装置において、ス
ループットを低下させることなく表1に示した6つの異
なるレシピに対応するためには、例えば図2に示すよう
な装置構成にする必要があった。すなわち、インデクサ
IND、基板搬送ロボットTR、2つの処理部aおよび
2つの処理部cの他に処理条件”b1”から”b6”に
対応するための6つの処理部bを備えた構成とする必要
があった。
【0019】これに対して本発明に係る基板処理装置に
おいては、以下に説明するように、図1に示すような装
置構成にすることができる。すなわち、インデクサIN
D、基板搬送ロボットTR、2つの処理部aおよび2つ
の処理部cの他に処理内容bを実行するための2つの処
理部を備えておけばよい。なお、説明の便宜上図1で初
期設定されている処理bの処理条件は”b1”および”
b2”としているが、これは他の処理条件であってもよ
い。
【0020】<A−1.最適処理部が不使用>以下、図
1に示す基板処理装置において異なるレシピに従うロッ
トを連続的に投入する場合の処理について説明する。ま
ず、次の表2に示すような場合について考える。
【0021】
【表2】
【0022】この場合は、先に投入されたロットAはレ
シピ1に従い、後に投入されるロットBはレシピ2に従
って処理が行われる。両レシピの処理bの処理条件はそ
れぞれ”b1”、”b2”であり、これらの処理条件は
既に図1の装置において存在する。そして、ロットAの
処理段階において処理条件”b2”の処理bを行う処理
部は使用されていないため、ロットAの処理が終了した
後、即時にロットBを投入することが可能であるし、ま
た処理部a、cはそれぞれ2つずつ備えられているので
ロットAの処理終了を待たずにロットBを投入すること
も可能である。なお、以降においては、このように両方
の処理手順において共通に使用する処理部がなく、先投
入ロットの処理中にも後投入ロットの処理を開始し、両
方の処理を同時並列的に進行できる処理方法を「ダブル
フロー」と称する。
【0023】<A−2.準最適処理部が使用中>次に、
以下の表3に示す場合について考える。
【0024】
【表3】
【0025】この場合、後に投入されるロットBはレシ
ピ4に従って処理が行われ、その処理bの処理条件は”
b4”である。ロットAの処理段階においては、処理条
件”b4”の処理bを行う処理部が存在しない。従っ
て、処理bを行う処理部のいずれかの処理条件を”b
4”に変更する必要がある。処理条件”b1”の処理部
はロットAの処理に使用中であるものの、上述のよう
に、処理条件”b1”と”b4”とは比較的近い処理条
件であり、処理条件”b1”から処理条件”b4”に変
更するのは比較的短時間で可能である。そこで、本発明
に係る基板処理装置においては、ロットAの最後の基板
が処理条件”b1”の処理部にて処理終了後、当該処理
部の処理条件を”b4”に変更してロットBの最初の基
板の処理を開始できるまでの時間とロットAの処理終了
と無関係に処理条件”b2”の処理部の処理条件を”b
4”に変更してロットBの最初の基板の処理を開始でき
るまでの時間とを比較し、より短時間で可能な方の処理
条件を”b4”に変更する。換言すれば、最も短い時間
でロットBの処理が開始できる処理部を選定し、当該処
理部の処理条件を”b4”に変更するのである。
【0026】<A−3.準最適処理部が不使用>次に、
以下の表4に示す場合について考える。
【0027】
【表4】
【0028】この場合、後に投入されるロットBはレシ
ピ5に従って処理が行われ、その処理bの処理条件は”
b5”である。ロットAの処理段階においては、処理条
件”b5”の処理bを行う処理部が存在しない。従っ
て、この場合も処理bを行う処理部のいずれかの処理条
件を”b5”に変更する必要がある。ところが、この場
合は、処理条件”b5”と比較的近い処理条件である処
理条件”b2”の処理部がロットAの処理に使用されて
いない。従って、処理条件”b2”の処理部の条件変更
はロットAの処理終了を待つことなく可能であり、その
処理条件を”b5”に変更すれば、最も短い時間でロッ
トBの処理を開始することができる。
【0029】<A−4.最適処理部が使用中>次に、以
下の表5に示す場合について考える。
【0030】
【表5】
【0031】この場合だけは例外的に、先に投入される
ロットAおよび後に投入されるロットBともにレシピ1
に従って処理が行われ、その処理bの処理条件はとも
に”b1”である。ロットAの処理段階において処理条
件”b1”の処理部はロットAの処理に使用されている
ため、直ちにロットBを投入することはできない。そこ
で、本発明に係る基板処理装置においては、ロットAの
最後の基板が処理条件”b1”の処理部にて処理終了
後、当該処理部においてロットBの最初の基板の処理を
開始できるまでの時間と、ロットAの処理終了と無関係
に処理条件”b2”の処理部の処理条件を”b1”に変
更してロットBの最初の基板の処理を開始できるまでの
時間と、を比較し、より短時間で処理可能な方の処理部
をロットBの処理に使用する処理部として選定する。こ
のときに、処理条件”b2”の処理部の処理条件を”b
1”に変更した方がロットBの最初の基板の処理を短時
間で開始できる場合には、ロットAの処理が終了するこ
となくロットBが投入されるため、「ダブルフロー」の
処理が行われることになる。
【0032】表5のような場合に、従来では使用してい
ない処理部が7つも存在する(図2参照)にもかかわら
ず「ダブルフロー」を適用することはできなかったが、
本発明に係る基板処理装置では使用しない処理部を有効
に利用して「ダブルフロー」を適用することができる。
【0033】このように、本発明に係る基板処理装置で
は、投入されるロットの最初の基板の処理を最も短時間
で開始できるように処理部を選定し、当該処理部の処理
条件が投入されるロットについての処理条件と異なる場
合にはそのロットについての処理条件を満たすように処
理部の処理条件を変更している。従って、スループット
の低下を最小限にしつつ、使用していない無駄な処理部
を大幅に削減することができる(図1と図2の装置構成
参照)ため、無駄なスペース部分を大幅に減少すること
ができ、装置の小型化を図ることができるとともに浪費
されるエネルギーも少なくなる。さらに、表5に示すよ
うに同じ処理手順を異なるロットについて行う場合にあ
っては、従来は適用できなかった「ダブルフロー」が適
用できるためスループットを向上させることができる。
【0034】<B.本発明に係る基板処理装置の一形態
>次に、本発明に係る基板処理装置の具体的な処理形態
について説明する。図3は、本発明に係る基板処理装置
の装置構成図である。
【0035】この基板処理装置は、未処理基板の払い出
しおよび処理済み基板の収容を行うインデクサIND
と、基板の加熱処理を行う4つのホットプレートHP
と、基板の冷却処理を行うクールプレートCP1、CP
2、CP3と、基板に対してレジスト塗布処理を行うス
ピンコータSC1、SC2と、これらの各処理ユニット
間で基板の循環搬送を行う基板搬送ロボットTRとを備
えている。また、基板処理装置はレシピなどを記憶する
記憶部10と、基板搬送ロボットTRの動作やホットプ
レートHPの温度などを制御する制御部20とを備えて
いる。なお、各ホットプレートHPとともに記載されて
いる温度は、後述するロットAを使用している段階での
設定温度を示している。
【0036】図5は、上記基板処理装置の処理の手順を
示すフローチャートである。図5のフローチャートは、
基板処理装置がロットAを処理しているときに他のロッ
トBの処理の予約を行うときの処理手順を示している。
ここでは、まず次の表6に示す例について考える。な
お、図5のフローチャートにおける判断および処理は、
制御部20によって行われる。
【0037】
【表6】
【0038】まず、ステップS1においてロットBにつ
いてのスタートスイッチ(図示省略)を入れる。次に、
ステップS2において、制御部20がロットBについて
割り当てられているレシピのフローデータを展開し、そ
の中のカテゴリ指定の有無を判断する。ここで「レシピ
のフローデータを展開する」とは、レシピに記述された
内容を制御部20が認識することである。また、「カテ
ゴリ指定」とは、レシピにおいて処理を行うユニット番
号を指定するのではなく、処理を行うユニットの種類を
指定することである。すなわち、表6に示す例では、加
熱処理についてはその種類を示す”HP”および温度条
件が記述されており、これが「カテゴリ指定」となって
いる。一方、クールプレートCP2、スピンコータSC
2およびクールプレートCP3についてはユニット番号
が指定されており、これは「カテゴリ指定」ではない。
【0039】仮に、表6のレシピにおいて「カテゴリ指
定」が行われておらず、加熱処理についてもホットプレ
ートのユニット番号が指定されていたとすると、ステッ
プS13に進む。すなわち、番号指定されたユニットが
ロットAの処理についても使用されているときはその最
後の基板を受け渡した後、必要に応じて温度変化させ
る。そして、その後ステップS15に進み、ロットBを
払い出す(カセットスタート)。
【0040】表6に示す例では「カテゴリ指定」が行わ
れており、この場合は、ステップS3に進み指定カテゴ
リのユニットの状態を調べる。記憶部10には、予め同
一種類の処理を行う複数のユニットを同一種類処理部群
として記憶させている。ここでは、4つのホットプレー
トHPが同一処理部群として記憶されており、それらの
使用状況、設定温度などが調べられる。
【0041】次に、ステップS4に進み、上記同一処理
部群のうちにレシピ中の指定処理温度と同一温度のユニ
ットが存在するか否かが判断される。ここでは、まず表
6の第2ステップで指定されている300℃のホットプ
レートHPが基板処理装置に存在するか否かが判断され
る。
【0042】図3に示すように300℃のホットプレー
トHPは存在しているので、この場合はステップS5に
進み、当該ユニットが使用中であるか否かが判断され
る。この判断がなされている時点において、ロットAの
処理の第4ステップで300℃のホットプレートHPが
使用中であるため、次にステップS6に進む。このステ
ップS6では、ロットAの処理に使用されている300
℃のホットプレートHPを使用する場合にカセットスタ
ートできるまでの時間と不使用のホットプレートHPの
中で温度差が小さいホットプレートHPを300℃に温
度変化させて使用する場合にカセットスタートできるま
での時間とを比較している。ここで、「カセットスター
トできるまでの時間」とは、ロットAの最後の基板が受
け渡されたりまたは変化後の温度が安定するまでの時間
とインデクサINDから払い出された基板が対象となる
ホットプレートHPに到達するまでの時間とを考慮した
時間である。表現を換えると、インデクサINDから払
い出された基板が対象となるホットプレートHPにおい
て待ち時間なくかつ最短に処理開始されるタイミングで
カセットスタートできるまでの時間を意味する。また、
「不使用のホットプレートHP」とは、この判断の時点
で処理されているロットから判断の対象となっているロ
ットまでの全てのロットについて処理の対象となってい
ないホットプレートHPを示している。換言すれば、こ
の判断の時点において、使用されておらずかつ使用され
る予定のないホットプレートHPであり、ここの場合に
おいてはロットAおよびロットBについて使用の対象と
なっていないホットプレートHP、より具体的には29
0℃のホットプレートHPを示している。
【0043】ステップS6において、不使用のホットプ
レートHPの中で温度差が小さいホットプレートHPを
温度変化させてカセットスタートするまでの時間の方が
短い場合、すなわち300℃のホットプレートHPを使
用してカセットスタートするまでの時間よりも不使用ユ
ニットである290℃のホットプレートHPを温度変更
してカセットスタートするまでの時間の方が短い場合
は、ステップS7に進み、290℃のホットプレートH
Pの温度を300℃に変更する。
【0044】そして、次にステップS14に進み、レシ
ピ中のカテゴリ指定されている全ステップについて処理
が終了したか否かが判断される。ここでは、表6に示し
たように、ロットBについてのレシピが7つのステップ
で構成されており、これらのうちカテゴリ指定されてい
る第2ステップおよび第5ステップについて処理が終了
したか否かが判断される。
【0045】一方、ステップS6において300℃のホ
ットプレートHPを使用してカセットスタートするまで
の時間の方が短いと判断された場合は、直接にステップ
S13に進む。
【0046】ステップS14では、上述のようにロット
Bについてのレシピの第2ステップおよび第5ステップ
について処理が終了したか否かが判断され、終了してい
ない場合にはステップS3に戻る。ここでは、第5ステ
ップについての処理が終了していないのでステップS3
に戻り、上記と同様の判断処理がなされる。
【0047】第5ステップでは、130℃のホットプレ
ートHPを使用することが指定されている。130℃の
ホットプレートHPは、装置に存在しているがロットA
の処理には使用されておらず、ステップS5において使
用中でないと判断され、ステップS13に進む。
【0048】ロットBについてのレシピの第2ステップ
および第5ステップについて処理が終了した後は、ステ
ップS15に進み、基板が対象となるホットプレートH
Pにおいて待ち時間なくかつ最短に処理開始されるタイ
ミングでカセットスタートさせる。
【0049】以上説明したように、表6のレシピを有す
るロットBの処理を行う場合、300℃のホットプレー
トHPおよび130℃のホットプレートHPはともに装
置に存在するものの、300℃のホットプレートHPは
ロットAの処理に使用されているため当該300℃のホ
ットプレートHPにおいて処理が開始できるまでの時間
と温度差の小さい不使用ユニットである290℃のホッ
トプレートHPを温度変更して処理が開始できるまでの
時間とを比較し、より短時間で処理開始可能な方のホッ
トプレートHPをロットBの第2ステップで使用するユ
ニットとして選定する。一方、130℃のホットプレー
トHPはロットAの処理に使用されていないため、当該
130℃のホットプレートHPをロットBの第5ステッ
プで使用するユニットとして選定する。
【0050】表6に示したレシピは、ロットBの処理と
して指定されている温度条件のホットプレートHPが装
置に存在する場合であったが、本発明に係る基板処理装
置ではこれが存在しない場合もあり得る。以下、表7に
示す例について考える。
【0051】
【表7】
【0052】この例においてもロットBのレシピにおい
て「カテゴリ指定」が行われており、ステップS3から
ステップS4へと進む。しかしながら、ロットBについ
てのレシピの第2ステップで指定されている310℃の
ホットプレートHPは図3の装置に存在しない。従っ
て、ステップS8に進み、装置に存在するユニットのう
ち310℃のホットプレートHPと最も温度差が小さい
ユニットである300℃のホットプレートHPが使用中
であるか否かが判断される。
【0053】この判断がなされている時点において、3
00℃のホットプレートHPはロットAの処理に使用さ
れているため、ステップS9に進み、ロットAの処理に
使用されている300℃のホットプレートHPの温度を
310℃に変化させて使用する場合にカセットスタート
できるまでの時間と不使用のホットプレートHPの中で
温度差が小さいホットプレートHPを310℃に温度変
化させて使用する場合にカセットスタートできるまでの
時間とを比較する。ここで、「カセットスタートできる
までの時間」および「不使用のホットプレートHP」の
意味については上述の通りであるが、表7の例における
具体的な「不使用のホットプレートHP」は290℃お
よび130℃のホットプレートHPである。
【0054】ステップS9において、不使用のホットプ
レートHPの中で温度差が小さいホットプレートHPを
温度変化させてカセットスタートするまでの時間の方が
短い場合、すなわち300℃のホットプレートHPを温
度変更してカセットスタートするまでの時間よりも不使
用ユニットでかつ温度差が最も小さい290℃のホット
プレートHPを温度変更してカセットスタートするまで
の時間の方が短い場合はステップS10に進み、290
℃のホットプレートHPの温度を310℃に変更し、そ
の後ステップS13に進む。
【0055】一方、ステップS9において、ロットAの
処理に使用されている300℃のホットプレートHPの
温度を変化させて使用する場合の方が短い場合はステッ
プS11に進み、当該ホットプレートHPがロットAの
最終基板を受け渡した後、310℃に温度変化させる。
そして、ステップS14に進む。
【0056】ステップS14では、上記と同様に、ロッ
トBのレシピ中のカテゴリ指定されている全ステップに
ついて処理が終了したか否かが判断される。表7の例に
おいても第5ステップについての処理が終了していない
ので再びステップS3に戻る。
【0057】第5ステップでは、120℃のホットプレ
ートHPを使用することが指定されている。120℃の
ホットプレートHPも装置に存在しておらず、ステップ
S8において当該ホットプレートHPと最も温度差が小
さいホットプレートHPが使用中であるか否かが判断さ
れる。この判断がなされている時点において、120℃
のホットプレートHPと最も温度差が小さい130℃の
ホットプレートHPはロットAの処理には使用されてお
らず、ステップS8において使用中でないと判断され、
ステップS12に進む。そして、この場合は130℃の
ホットプレートHPが使用されていないため、即時に1
20℃への温度変化が実行された後、ステップS14に
進む。
【0058】ロットBについてのレシピの第2ステップ
および第5ステップについて処理が終了した後は、上記
と同様に、ステップS15に進み、基板が対象となるホ
ットプレートHPにおいて待ち時間なくかつ最短に処理
開始されるタイミングでカセットスタートさせる。
【0059】以上説明したように、表7のレシピを有す
るロットBの処理を行う場合、310℃のホットプレー
トHPおよび120℃のホットプレートHPはともに装
置に存在しない。そして、310℃のホットプレートH
Pと最も温度差が小さい300℃のホットプレートHP
はロットAの処理に使用されているため当該300℃の
ホットプレートHPを310℃に温度変更して処理が開
始できるまでの時間と温度差の最も小さい不使用ユニッ
トである290℃のホットプレートHPを310℃に温
度変更して処理が開始できるまでの時間とを比較し、よ
り短時間で処理開始可能な方のホットプレートHPをロ
ットBの第2ステップで使用するユニットとして選定す
る。一方、120℃のホットプレートHPと最も温度差
が小さい130℃のホットプレートHPはロットAの処
理に使用されていないため、当該130℃のホットプレ
ートHPを120℃に温度変更し、ロットBの第5ステ
ップで使用するユニットとして選定する。
【0060】本発明に係る基板処理装置の処理形態につ
いて、2つの例を示しつつ説明したが、以下にこの内容
について集約する。図4は、本発明に係る基板処理装置
の処理形態の一例を示す概念図である。
【0061】本実施形態においては、ユニットのうちク
ールプレートおよびスピンコータについてはユニット番
号を指定して処理すべきユニットを予め決定している。
これに対し、ホットプレートについては「カテゴリ指
定」を行い、加熱処理を行うということおよびその温度
条件については予め指定しておくものの処理すべきユニ
ットについては未定のままとしておく。そして、ロット
の払い出し予約を行う段階において、4つのホットプレ
ートHPのうちから処理すべきユニットを選定するので
ある。
【0062】図5のフローチャートは、ロットの払い出
し予約を行う段階において処理すべきユニットを選定す
る具体的手順を示したものに他ならない。そして、処理
すべきユニットの選定基準としては、 指定処理温度と同一または最も近い処理温度のホット
プレートHPが使用中であるか否か、 使用中である場合には、そのホットプレートHPの処
理が終了した後に温度変更するのに要する時間と不使用
ホットプレートHPのうち最も温度差が小さいユニット
を温度変更するのに要する時間との時間差、を考慮し、
投入されるロットの最初の基板の処理を最も短時間で開
始できるユニットを4つのホットプレートHPのうちか
ら選定するのである。この際に、必要に応じてホットプ
レートHPの温度変更も行う。
【0063】このようにすれば、本発明の原理において
も述べたように、装置に適用が予定されている複数のレ
シピに含まれる全ての設定温度のホットプレートを準備
しておく必要がなくなり、スループットの低下を最小限
にしつつ使用していない無駄なホットプレートを大幅に
削減することができる。その結果、無駄なスペース部分
を大幅に減少することができるとともに浪費される電気
エネルギーも少なくなる。さらに、同じ処理手順を異な
るロットについて行う場合にあっては、従来は適用でき
なかった「ダブルフロー」が適用できるためスループッ
トを向上させることができる。
【0064】以上、この発明の実施形態について説明し
たが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例
えば、上記実施形態では、「カテゴリ指定」を行うユニ
ットをホットプレートHPとしていたが、クールプレー
トやスピンコータについて「カテゴリ指定」を行うよう
にしてもよい。
【0065】また、上記実施形態では、あるロットにつ
いて処理中に次のロット処理を予約する場合について説
明したが、あるロットについて処理中に既に処理を予約
したロットがあり、さらに新たなロットの処理について
予約する形態であってもよい。
【0066】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同一処理部群のうち特定処理を最短所要時間で開始する
ことができる基板処理部を特定基板処理部として選定し
ているので、装置に適用が予定されている複数の処理手
順に含まれる全ての処理条件の基板処理部を準備してお
く必要がなくなり、装置全体として無駄な処理部を減少
させることができる。これに付随して、無駄なスペース
部分を大幅に減少することができるとともに浪費される
エネルギーも少なくなる。さらには、同じ処理手順を異
なる1組の基板について適用する場合にあっては、先に
投入した1組の基板と同時並列的に後に投入した1組の
基板を処理することができ、スループットを向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を説明するための装置構成図であ
る。
【図2】本発明の原理を説明するための装置構成図であ
る。
【図3】本発明に係る基板処理装置の装置構成図であ
る。
【図4】本発明に係る基板処理装置の処理形態の一例を
示す概念図である。
【図5】図3の基板処理装置の処理の手順を示すフロー
チャートである。
【符号の説明】
10 記憶部 20 制御部 HP ホットプレート CP1、CP2、CP3 クールプレート SC1、SC2 スピンコータ TR 基板搬送ロボット IND インデクサ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定の処理を行う複数の基板処理部に対
    して基板搬送手段が所定の処理手順にしたがって順次搬
    送する基板処理装置であって、 前記複数の基板処理部のうち同一種類の処理を行う複数
    の基板処理部を同一種類処理部群として記憶する記憶手
    段と、 前記所定の処理手順に含まれる処理のうち前記同一種類
    の処理を特定処理とし、当該特定処理を行う基板処理部
    を前記同一種類処理部群の中から特定基板処理部として
    選定する選定手段と、を備え、 前記選定手段は、前記同一処理部群のうち前記特定処理
    を最短所要時間で開始することができる基板処理部を前
    記特定基板処理部として選定することを特徴とする基板
    処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記選定手段は、 その時点で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基
    板処理部が前記同一処理部群に存在し、当該基板処理部
    がその時点で使用されていない場合に当該基板処理部を
    前記特定基板処理部として選定することを特徴とする基
    板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記選定手段は、 その時点で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基
    板処理部が前記同一処理部群に存在し、当該基板処理部
    がその時点で使用されている場合に、 当該基板処理部が前記特定処理を開始することができ
    るまでに要する時間と、 前記同一処理部群に含まれその時点で使用されておら
    ずかつ使用される予定がない他の基板処理部のうち前記
    同一処理条件と最も近似した処理条件の基板処理部の処
    理条件を変更して前記特定処理が開始できるまでの時間
    と、を比較し、より短時間で前記特定処理が開始できる
    基板処理部を前記特定基板処理部として選定することを
    特徴とする基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記選定手段は、 その時点で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基
    板処理部が前記同一処理部群に存在せず、前記同一処理
    部群に含まれる基板処理部のうち前記同一処理条件と最
    も近似した処理条件を有する近似基板処理部がその時点
    で使用されていない場合に、前記近似基板処理部の処理
    条件を前記同一処理条件に変更して前記特定基板処理部
    として選定することを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記選定手段は、 その時点で前記特定処理の処理条件と同一処理条件の基
    板処理部が前記同一処理部群に存在せず、前記同一処理
    部群に含まれる基板処理部のうち前記同一処理条件と最
    も近似した処理条件を有する近似基板処理部がその時点
    で使用されている場合に、 前記近似基板処理部の処理条件を前記同一処理条件に
    変更して前記特定処理が開始できるまでの時間と、 前記同一処理部群に含まれその時点で使用されておら
    ずかつ使用される予定がない他の基板処理部のうち前記
    同一処理条件と最も近似した処理条件の基板処理部の処
    理条件を変更して前記特定処理が開始できるまでの時間
    と、を比較し、より短時間で前記特定処理が開始できる
    基板処理部を前記特定基板処理部として選定することを
    特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 前記同一種類の処理が加熱処理であることを特徴とする
    基板処理装置。
JP20325297A 1997-07-29 1997-07-29 基板処理装置 Expired - Lifetime JP3729987B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20325297A JP3729987B2 (ja) 1997-07-29 1997-07-29 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20325297A JP3729987B2 (ja) 1997-07-29 1997-07-29 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1154587A true JPH1154587A (ja) 1999-02-26
JP3729987B2 JP3729987B2 (ja) 2005-12-21

Family

ID=16470956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20325297A Expired - Lifetime JP3729987B2 (ja) 1997-07-29 1997-07-29 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3729987B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168011A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄膜形成装置
JP2001210581A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2003332192A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
KR100701035B1 (ko) * 2000-06-07 2007-03-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리시스템 및 기판 처리방법
WO2007040278A1 (ja) * 2005-10-06 2007-04-12 Tokyo Electron Limited 処理システムおよびその運転方法
US7229240B2 (en) 2003-09-22 2007-06-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009043927A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP2010171248A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
CN114429899A (zh) * 2020-10-29 2022-05-03 细美事有限公司 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168011A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄膜形成装置
JP2001210581A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
KR100701035B1 (ko) * 2000-06-07 2007-03-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리시스템 및 기판 처리방법
JP2003332192A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
KR100935971B1 (ko) 2002-05-10 2010-01-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리방법 및 처리장치
US7229240B2 (en) 2003-09-22 2007-06-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2007040278A1 (ja) * 2005-10-06 2007-04-12 Tokyo Electron Limited 処理システムおよびその運転方法
JP2007129177A (ja) * 2005-10-06 2007-05-24 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR100940135B1 (ko) 2005-10-06 2010-02-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 시스템 및 그 운전 방법
US8467895B2 (en) 2005-10-06 2013-06-18 Tokyo Electron Limited Processing system and method for operating the same
JP2009043927A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
KR101257536B1 (ko) 2007-08-08 2013-04-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체
JP2010171248A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
CN114429899A (zh) * 2020-10-29 2022-05-03 细美事有限公司 用于处理基板的设备和用于处理基板的方法
US20220137516A1 (en) * 2020-10-29 2022-05-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR20220057055A (ko) * 2020-10-29 2022-05-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3729987B2 (ja) 2005-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8909364B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
US6580955B2 (en) Apparatus, method and medium for enhancing the throughput of a wafer processing facility using a multi-slot cool down chamber and a priority transfer scheme
JP2994553B2 (ja) 基板処理装置
US7089076B2 (en) Scheduling multi-robot processing systems
JP4753172B2 (ja) 複数の電力使用系の動作制御装置、動作制御方法及び記憶媒体
JP2002184671A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
KR20040054517A (ko) 기판 처리 장치, 작동 방법 및 그에 대한 프로그램
JP3729987B2 (ja) 基板処理装置
JP5223778B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2638668B2 (ja) 基板搬送方法および基板搬送装置
JP6279343B2 (ja) 基板処理装置、プログラム、および、基板処理方法
JP2001196439A (ja) 製品の製造管理方法及び製造管理システム
US7678417B2 (en) Coating method and coating apparatus
TW550646B (en) Method and apparatus for accessing a multiple chamber semiconductor wafer processing system
JPH11163087A (ja) 基板処理装置及び搬送スケジューリング方法
JP2013074059A (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
TWI862745B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP3544262B2 (ja) 基板処理装置
JP2871994B2 (ja) 半導体ウェーハの生産方法
JPH11204413A (ja) 基板処理装置
JP2022173120A (ja) 基板処理装置、基板搬送方法
JP5348290B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20250022737A1 (en) Substrate processing apparatus
JPH11195573A (ja) 固体デバイス製造装置
JP3730305B2 (ja) 基板の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20031218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040302

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040428

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050308

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050427

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050513

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051005

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091014

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101014

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111014

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121014

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131014

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term