JPH1154591A - Dummy wafer and method of using the same - Google Patents
Dummy wafer and method of using the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】静電容量式センサーや静電チャックを備えた半
導体製造プロセスに、電気絶縁体で構成した長寿命のダ
ミーウェハを使用できるようにする。
【解決手段】電気絶縁材料からなる絶縁基材１１中に導
電板１２を埋め込んでダミーウェハ１を構成する。導電
板１２は、ダミーウェハ１の裏面１ｂに近い位置に埋め
込んで、静電容量式センサーによる検出感度を向上させ
るとともに、静電チャックによる保持力を大きくする。
電気絶縁材料からなる母材中に導電材料を分散させてダ
ミーウェハを構成することもできる。
(57) Abstract: A long-life dummy wafer made of an electric insulator can be used in a semiconductor manufacturing process provided with a capacitance type sensor and an electrostatic chuck. A dummy wafer is constructed by embedding a conductive plate in an insulating base material made of an electrically insulating material. The conductive plate 12 is embedded at a position near the back surface 1b of the dummy wafer 1 to improve the detection sensitivity of the capacitive sensor and increase the holding force of the electrostatic chuck.
A dummy wafer can be formed by dispersing a conductive material in a base material made of an electrically insulating material.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいて用いられるダミーウェハ及びその使用方法に
関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a dummy wafer used in a semiconductor manufacturing process and a method of using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、例えば、
プラズマエッチング装置、ＣＶＤ装置、スパッタリング
装置等の各種処理装置の稼働テスト、バッチ処理時のウ
ェハの枚数合わせ、ローディング効果対策等のために、
実際のＩＣパターンが形成されていないダミーウェハが
用いられる。また、プラズマＣＶＤ装置等の各種プラズ
マ装置の反応室のクリーニングをプラズマクリーニング
で行う場合に、例えば、基板保持電極をプラズマから保
護するためにもダミーウェハが用いられる。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, for example,
For operation tests of various processing equipment such as plasma etching equipment, CVD equipment, sputtering equipment, etc., adjustment of the number of wafers during batch processing, measures for loading effect, etc.
A dummy wafer on which an actual IC pattern is not formed is used. When cleaning the reaction chamber of various plasma devices such as a plasma CVD device by plasma cleaning, for example, a dummy wafer is also used to protect the substrate holding electrode from plasma.
【０００３】このダミーウェハには、従来、シリコンウ
ェハが一般的に用いられて来たが、同じダミーウェハを
繰り返し使用してコストダウンを図るという点では、シ
リコンウェハは比較的脆いためにその耐久性が低く、こ
のため、使用可能回数が少ないという欠点が有った。そ
こで、石英やサファイア等のセラミック材料からなるダ
ミーウェハが製作され、寿命延長でのコスト低減がなさ
れている。Conventionally, a silicon wafer has been generally used as the dummy wafer. However, in terms of cost reduction by repeatedly using the same dummy wafer, the silicon wafer is relatively fragile, so that its durability is low. Therefore, there is a disadvantage that the number of usable times is small. Therefore, a dummy wafer made of a ceramic material such as quartz or sapphire has been manufactured to reduce the cost by extending the life.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、石英やサフ
ァイア等の電気絶縁性の材料で構成したダミーウェハに
は、次のような問題が有った。However, a dummy wafer made of an electrically insulating material such as quartz or sapphire has the following problems.
【０００５】即ち、近年、エッチング、ＣＶＤ、スパッ
タリング等の各工程へウェハを搬送する搬送ロボット等
に、ウェハの有無やウェハセッティングの善し悪しをチ
ェックするための静電容量式のセンサーを備えたものが
多くなっている。ところが、この静電容量式センサー
は、対象物とセンサーとの間の静電容量の微小変化を測
定して、対象物を検知するものであるため、検知対象物
が、金属等の導電体や精々シリコン等の半導体に限ら
れ、上述したような電気絶縁性の材料で構成したダミー
ウェハを用いると、その検知ができずに、センサーが検
知エラーを発生する場合がしばしば有った。That is, in recent years, a transfer robot for transferring a wafer to each of processes such as etching, CVD, and sputtering has been provided with a capacitance type sensor for checking the presence or absence of a wafer and the quality of wafer setting. More. However, since the capacitance-type sensor measures a minute change in capacitance between the object and the sensor and detects the object, the detection object is a conductor such as a metal or the like. When a dummy wafer made of an electrically insulating material as described above is used, which is limited to a semiconductor such as silicon at most, the detection cannot be performed and the sensor often generates a detection error.
【０００６】また、ウェハを保持するために、反応室内
の基板支持台や搬送系に静電チャックを用いる場合が多
くなっている。静電チャックは、例えば、基板支持台の
上に誘電体層を設け、基板支持台とウェハの間に電圧を
印加して、両者の間に発生したクーロン力によりウェハ
を吸着保持する機構である。従って、電気絶縁性の材料
で構成したダミーウェハは、この静電チャックでは保持
することができなかった。Further, in order to hold a wafer, an electrostatic chuck is often used for a substrate support table or a transfer system in a reaction chamber. The electrostatic chuck is, for example, a mechanism in which a dielectric layer is provided on a substrate support, a voltage is applied between the substrate support and the wafer, and the wafer is suction-held by Coulomb force generated between the two. . Therefore, a dummy wafer made of an electrically insulating material could not be held by this electrostatic chuck.
【０００７】そこで、この静電チャックの問題を解決す
るために、ダミーウェハを、プラズマの電界によって帯
電する帯電体とこの帯電体を覆う被覆材の二重構造にし
たプラズマ装置用ダミーウェハが提案されている（特開
平９−４５７５１号公報）。In order to solve the problem of the electrostatic chuck, there has been proposed a dummy wafer for a plasma device in which a dummy wafer has a double structure of a charged body charged by an electric field of plasma and a coating material covering the charged body. (Japanese Patent Laid-Open No. 9-45751).
【０００８】この構造によれば、例えば、電気絶縁体で
ある被覆材の内部に、帯電体として導電体を埋め込むこ
とにより、プラズマの電界中で帯電体に静電荷が溜まっ
て、帯電体が帯電するので、これを静電チャックにより
吸着保持することができる。According to this structure, for example, by embedding a conductor as a charged body in a coating material which is an electric insulator, electrostatic charges accumulate in the charged body in an electric field of plasma, and the charged body is charged. Therefore, this can be sucked and held by the electrostatic chuck.
【０００９】しかし、この構造では、導電体が、ダミー
ウェハの厚み方向のほぼ中心部に埋め込まれるので、こ
のダミーウェハを、上述した静電容量式センサーに近接
配置しても、ダミーウェハの導電体部分はセンサーから
比較的遠い位置に有るため、センサーによる検出感度が
悪く、この結果、誤検出を招く虞が多分に有った。However, in this structure, the conductor is buried substantially in the center of the dummy wafer in the thickness direction. Therefore, even if the dummy wafer is arranged close to the above-mentioned capacitance type sensor, the conductor portion of the dummy wafer remains. Since the sensor is relatively far from the sensor, the detection sensitivity of the sensor is poor, and as a result, there is a possibility that erroneous detection may occur.
【００１０】そこで、本発明の目的は、主として電気絶
縁性の材料からなり、且つ、静電容量式センサーによる
確実な検知が可能な構造のダミーウェハ及びその使用方
法を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a dummy wafer mainly made of an electrically insulating material and having a structure capable of surely detecting by a capacitance type sensor and a method of using the same.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
本発明のダミーウェハは、主として電気絶縁性材料から
なるダミーウェハであって、その厚み方向中心部と一方
のウェハ面との間の領域に導電層が埋め込まれている。A dummy wafer according to the present invention for solving the above-mentioned problems is a dummy wafer mainly made of an electrically insulating material, and a conductive film is formed in a region between a central portion in the thickness direction and one wafer surface. The layers are embedded.
【００１２】また、本発明のダミーウェハの使用方法で
は、前記一方のウェハ面の側に近接配置した静電容量式
センサーにより、そのセンサーと前記導電層との間の静
電容量の変化を検出する。In the method of using a dummy wafer according to the present invention, a change in capacitance between the sensor and the conductive layer is detected by a capacitance type sensor disposed close to the one wafer surface. .
【００１３】また、本発明の別の態様では、ダミーウェ
ハを、電気絶縁性材料からなる母材中に導電性物質を分
散させて構成している。In another aspect of the present invention, the dummy wafer is formed by dispersing a conductive substance in a base material made of an electrically insulating material.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明を好ましい実施の形
態に従い説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described according to preferred embodiments.
【００１５】〔第１の実施の形態〕図１に、本発明の第
１の実施の形態によるダミーウェハの概略断面図を示
す。ダミーウェハ１は、例えば、石英や、サファイアそ
の他のアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）類、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）等の電気絶縁性のセラミック材料からなる絶
縁基材１１中に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、炭化
ケイ素（ＳｉＣ）、カーボングラファイト等の導電材料
からなる、厚みが１μｍ〜数十μｍ、例えば、厚み１０
μｍ程度の導電板１２が埋め込まれて、導電層が形成さ
れている。[First Embodiment] FIG. 1 is a schematic sectional view of a dummy wafer according to a first embodiment of the present invention. The dummy wafer 1 includes, for example, aluminum (Al), quartz, sapphire, an alumina (Al 2 O 3 ), and an insulating base material 11 made of an electrically insulating ceramic material such as aluminum nitride (AlN). It is made of a conductive material such as silicon carbide (SiC) or carbon graphite and has a thickness of 1 μm to several tens μm, for example, a thickness of 10 μm.
A conductive plate 12 of about μm is embedded to form a conductive layer.
【００１６】この時、図示の如く、導電板１２は、ダミ
ーウェハ１の一方のウェハ面１ｂに近い側の領域に埋め
込まれている。At this time, as shown in the figure, the conductive plate 12 is embedded in a region of the dummy wafer 1 on the side closer to the one wafer surface 1b.
【００１７】即ち、ダミーウェハ１の厚みをＴ（例え
ば、６インチウェハの場合、約０．６ｍｍ、８インチウ
ェハの場合、約０．７５ｍｍ）とした時、導電板１２
は、ウェハ面１ｂからの距離ｔが、例えば、Ｔ／２＞ｔ
≧Ｔ／２０の範囲、より好ましくは、Ｔ／３≧ｔ≧Ｔ／
１０の範囲の位置に埋め込まれている。この導電板１２
を埋め込む位置は、ウェハ面１ｂにできるだけ近いのが
好ましいが、あまり近過ぎると、導電板１２とウェハ面
１ｂとの間の絶縁基材１１が薄くなり過ぎて、例えば、
ＣＶＤやスパッタリング後にダミーウェハ１の再生のた
めに施す、ＳＰＭ（sulfuric acid-hydrogen peroxide
mixture)液を用いた所謂ピラナークリーンの際、その部
分の絶縁基材１１が破れて、導電板１２が損傷を受ける
虞が有る。なお、これを確実に防止することを考える
と、その部分における絶縁基材１１の膜厚、即ち、ウェ
ハ面１ｂと導電板１２との距離ｔは、０．１〜０．２ｍ
ｍ程度有るのが好ましい。That is, when the thickness of the dummy wafer 1 is T (for example, about 0.6 mm for a 6-inch wafer and about 0.75 mm for an 8-inch wafer), the conductive plate 12
Is that the distance t from the wafer surface 1b is, for example, T / 2> t
≧ T / 20, more preferably T / 3 ≧ t ≧ T /
It is embedded in the position of 10 ranges. This conductive plate 12
Is preferably as close as possible to the wafer surface 1b, but if too close, the insulating base material 11 between the conductive plate 12 and the wafer surface 1b becomes too thin, for example,
SPM (sulfuric acid-hydrogen peroxide) applied to regenerate dummy wafer 1 after CVD or sputtering
During the so-called Pilar clean using a liquid mixture, the insulating base material 11 at that portion may be broken, and the conductive plate 12 may be damaged. In order to reliably prevent this, the film thickness of the insulating base material 11 at that portion, that is, the distance t between the wafer surface 1b and the conductive plate 12 is 0.1 to 0.2 m.
m is preferable.
【００１８】導電板１２に近い側のウェハ面１ｂは、ダ
ミーウェハ１の裏面であり、搬送ロボットの静電容量式
センサーに近接して配置される面であるとともに、各種
処理装置において基板支持台等に載置される面である。
一方、導電板１２から遠い側のウェハ面１ａは、ダミー
ウェハ１の表面又は主面であり、例えば、各種処理装置
において反応ガスやプラズマ等に直接曝される面であ
る。従って、この表面側のウェハ面１ａは、反応ガスや
プラズマ等によるダメージを低減するために、鏡面仕上
げされているのが好ましい。なお、裏面側のウェハ面１
ｂも同様に鏡面仕上げされても良いが、その場合には、
ダミーウェハ１の表裏を識別するための何らかの手段、
例えば、印刷によるマークや刻印等を設ける必要が有
る。The wafer surface 1b on the side closer to the conductive plate 12 is the back surface of the dummy wafer 1 and is a surface arranged close to the capacitance type sensor of the transfer robot. This is the surface to be placed on.
On the other hand, the wafer surface 1a farther from the conductive plate 12 is the surface or main surface of the dummy wafer 1, and is, for example, a surface directly exposed to a reaction gas, plasma, or the like in various processing apparatuses. Therefore, it is preferable that the wafer surface 1a on the front side be mirror-finished in order to reduce damage due to a reaction gas, plasma or the like. The wafer surface 1 on the back side
Similarly, b may be mirror-finished, in which case,
Some means for identifying the front and back of the dummy wafer 1;
For example, it is necessary to provide a mark or a stamp by printing.
【００１９】このダミーウェハ１は、例えば、図２に示
すようにして製造される。The dummy wafer 1 is manufactured, for example, as shown in FIG.
【００２０】即ち、絶縁基材１１を、比較的厚い表面側
基材１１ａとそれより薄い裏面側基材１１ｂとで構成
し、それらの間に導電板１２を挟み込んで、接着剤によ
る接着又は熱圧着によりそれらを互いに接合する。この
時、表面側基材１１ａと裏面側基材１１ｂの一方又は両
方の接合面に、導電板１２を収容するための凹部を設け
ても良い。That is, the insulating base material 11 is composed of a relatively thick front-side base material 11a and a thinner back-side base material 11b. They are joined together by crimping. At this time, a concave portion for accommodating the conductive plate 12 may be provided on one or both of the joining surfaces of the front-side substrate 11a and the back-side substrate 11b.
【００２１】図３に、このダミーウェハを、静電容量式
センサーを備えた搬送ロボットに載置した状態を示す。FIG. 3 shows a state in which the dummy wafer is mounted on a transfer robot having a capacitance type sensor.
【００２２】搬送ロボット２は、例えば、ウェハを収容
するための凹部２１の底面に静電容量式センサー３を備
えている。ダミーウェハ１等のウェハは、凹部２１の一
方の壁面２１ａに設けられた傾斜面の作用により、他方
の垂直壁面２１ｂに当接して位置決めされた状態で凹部
２１内に収容される。また、各ウェハは、凹部２１底面
の静電容量式センサー３に接触しないように、傾斜壁面
２１ａの途中位置で、全体に少し斜めに傾いた状態で保
持される。The transfer robot 2 has, for example, a capacitance type sensor 3 on the bottom surface of a concave portion 21 for accommodating a wafer. The wafer such as the dummy wafer 1 is accommodated in the concave portion 21 in a state of being positioned in contact with the other vertical wall surface 21b by the action of the inclined surface provided on one wall surface 21a of the concave portion 21. In addition, each wafer is held in a state of being slightly inclined as a whole at an intermediate position of the inclined wall surface 21a so as not to contact the capacitance type sensor 3 on the bottom surface of the concave portion 21.
【００２３】ダミーウェハ１は、その裏面側のウェハ面
１ｂを下にした状態でこの搬送ロボット２に載置され
る。従って、ダミーウェハ１内の導電板１２（図１参
照）と静電容量式センサー３との距離が近くなって、そ
の検知を確実に行うことができる。The dummy wafer 1 is placed on the transfer robot 2 with the wafer surface 1b on the back side facing down. Therefore, the distance between the conductive plate 12 (see FIG. 1) in the dummy wafer 1 and the capacitance type sensor 3 becomes short, and the detection can be performed reliably.
【００２４】以上に説明したように、この第１の実施の
形態によるダミーウェハ１では、その裏面側のウェハ面
１ｂに近い側の領域に導電板１２を埋め込んでいるの
で、例えば、搬送ロボット２に備えられた静電容量式セ
ンサー３による検出感度が向上し、ダミーウェハ１の検
知を確実に行うことができる。As described above, in the dummy wafer 1 according to the first embodiment, since the conductive plate 12 is buried in the area near the wafer surface 1b on the back side, for example, the transfer robot 2 The detection sensitivity of the provided capacitance type sensor 3 is improved, and the dummy wafer 1 can be reliably detected.
【００２５】また、この第１の実施の形態のダミーウェ
ハ１は、静電チャックによる保持が可能であり、その場
合でも、導電板１２が、ダミーウェハ１の裏面側のウェ
ハ面１ｂに近い側の領域に埋め込まれているので、静電
チャックによる保持力が大きくなるという効果が有る。Further, the dummy wafer 1 of the first embodiment can be held by an electrostatic chuck, and even in this case, the conductive plate 12 is in a region close to the wafer surface 1b on the back side of the dummy wafer 1. Since it is embedded in the substrate, there is an effect that the holding force by the electrostatic chuck is increased.
【００２６】これらの結果、主として電気絶縁性の材料
からなる長寿命のダミーウェハを、静電容量式センサー
や静電チャックを備えた半導体製造プロセスにも好適に
使用することが可能となり、ひいては、そのプロセスに
より製造される半導体装置の製造コストを下げることが
できる。As a result, a long-life dummy wafer mainly composed of an electrically insulating material can be suitably used in a semiconductor manufacturing process having a capacitance type sensor and an electrostatic chuck. The manufacturing cost of the semiconductor device manufactured by the process can be reduced.
【００２７】例えば、実際にシリコン製のダミーウェハ
と本発明によるセラミック製のダミーウェハの使用可能
回数を夫々調べたところ、シリコン製のダミーウェハで
は、２０〜３０回程度の使用が限度であったのに対し、
本発明によるセラミック製のダミーウェハでは、１５０
０〜２０００回程度の使用が可能であった。For example, when the number of usable times of the silicon dummy wafer and the ceramic dummy wafer according to the present invention were actually examined, the use of the silicon dummy wafer was limited to about 20 to 30 times. ,
In the ceramic dummy wafer according to the present invention, 150
Use was possible about 0 to 2000 times.
【００２８】〔第２の実施の形態〕図４に、本発明の第
２の実施の形態によるダミーウェハを示す。[Second Embodiment] FIG. 4 shows a dummy wafer according to a second embodiment of the present invention.
【００２９】このダミーウェハ４は、例えば、酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ等の電気絶縁性
のセラミック材料に、Ａｌ、ＳｉＣ、カーボングラファ
イト等の導電材料を練り込んだ後、それを焼き固めて構
成されている。The dummy wafer 4 is prepared by kneading a conductive material such as Al, SiC or carbon graphite into an electrically insulating ceramic material such as silicon oxide (SiO 2 ), Al 2 O 3 or AlN. It is composed by baking.
【００３０】従って、電気絶縁性材料からなる母材中に
導電性物質が分散した状態で存在するため、静電容量式
センサーによる検出感度が高く、また、静電チャックに
よる保持も好適に行える。Therefore, since the conductive substance is present in a dispersed state in the base material made of the electrically insulating material, the detection sensitivity by the capacitance type sensor is high, and the holding by the electrostatic chuck can be suitably performed.
【００３１】この導電材料の混入量は、１０〜２０wt％
程度であるのが好ましい。この混入量があまり少な過ぎ
ると、静電容量式センサーによる検出感度が低くなり過
ぎる虞が有り、一方、混入量があまり多過ぎると、相対
的に電気絶縁性材料の量が少なくなり過ぎて、反応ガス
やプラズマに対する耐性が低下し過ぎる虞が生じる。The mixed amount of the conductive material is 10 to 20% by weight.
It is preferred to be on the order of magnitude. If the amount is too small, the detection sensitivity of the capacitive sensor may be too low.On the other hand, if the amount is too large, the amount of the electrically insulating material becomes relatively small, There is a possibility that the resistance to the reaction gas or the plasma is excessively reduced.
【００３２】なお、この第２の実施の形態のダミーウェ
ハ４において、導電材料として金属を用いる場合には、
上述したＡｌのように、金属汚染の原因となり難いもの
を用いるのが好ましい。In the dummy wafer 4 of the second embodiment, when metal is used as the conductive material,
It is preferable to use one that does not easily cause metal contamination, such as Al described above.
【００３３】また、図４では、ダミーウェハ４の全体に
ほぼ均一に導電性物質が分布した構成を示しているが、
例えば、ダミーウェハ４の裏面側ほど導電性物質の分布
量が多くなるように、導電性物質の分布量に変化を持た
せても良い。FIG. 4 shows a structure in which the conductive material is distributed almost uniformly over the entire dummy wafer 4.
For example, the distribution amount of the conductive substance may be changed so that the distribution amount of the conductive substance increases toward the rear surface of the dummy wafer 4.
【００３４】〔第３の実施の形態〕図５に、本発明の第
３の実施の形態として、上述した第２の実施の形態の構
成において、導電性物質の分布量に変化を持たせるため
の一例を示す。[Third Embodiment] FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention in which the distribution amount of the conductive substance is changed in the configuration of the second embodiment. An example is shown below.
【００３５】この第３の実施の形態によるダミーウェハ
５は、導電性物質の分布密度が低い表面側基板５ａと導
電性物質の分布密度が高い裏面側基板５ｂとを互いに貼
り合わせて構成されている。The dummy wafer 5 according to the third embodiment is constituted by bonding a front-side substrate 5a having a low distribution density of a conductive substance and a back-side substrate 5b having a high distribution density of a conductive substance to each other. .
【００３６】このように構成することにより、例えば、
反応ガスやプラズマ等に曝される表面側では導電性物質
が少なく、静電容量式センサーや静電チャックの電極に
近接される裏面側では導電性物質が多いダミーウェハ５
を簡便に得ることができる。なお、表面側基板５ａは、
導電性物質を実質的に全く含有していなくても良い。With this configuration, for example,
A dummy wafer 5 containing a small amount of conductive material on the front side exposed to a reaction gas, plasma, or the like, and having a large amount of conductive material on the back side close to the electrodes of the capacitive sensor or the electrostatic chuck.
Can be easily obtained. The front-side substrate 5a is
It does not have to contain substantially any conductive substance.
【００３７】この第３の実施の形態の構成によれば、ダ
ミーウェハ５の表面側に導電性物質が少ない又は存在し
ないので、この表面側における反応ガスやプラズマ等に
対する耐性を高くすることができ、また、導電性物質に
よる汚染の問題も軽減又は無くすことができる。一方、
ダミーウェハ５の裏面側は導電性物質を多く含有してい
るので、静電容量式センサーによる検出感度が高く、ま
た、静電チャックによる保持力も大きくなる。According to the configuration of the third embodiment, since the conductive material is small or absent on the surface side of the dummy wafer 5, the resistance to the reaction gas, plasma and the like on the surface side can be increased. In addition, the problem of contamination by a conductive substance can be reduced or eliminated. on the other hand,
Since the back side of the dummy wafer 5 contains a large amount of a conductive substance, the detection sensitivity by the capacitance type sensor is high, and the holding force by the electrostatic chuck is also large.
【００３８】更に、絶縁体ウェハの裏面に導電体を貼り
付けてダミーウェハを構成する場合に比較して、この第
３の実施の形態のダミーウェハ５では、裏面側基板５ｂ
も、反応ガスやプラズマ等に対し或る程度の耐性を有し
ているので、ダミーウェハ全体としての寿命が向上し、
使用可能回数が増える。Furthermore, in comparison with the case where a conductor is attached to the back surface of the insulator wafer to form a dummy wafer, in the dummy wafer 5 of the third embodiment, the back side substrate 5b
Also, since it has a certain degree of resistance to reaction gas, plasma, etc., the life of the entire dummy wafer is improved,
The number of usable times increases.
【００３９】[0039]
【発明の効果】本発明においては、主として電気絶縁性
材料からなるダミーウェハの厚み方向中心部と一方のウ
ェハ面との間の領域に導電層を埋め込んでいるので、例
えば、搬送ロボットに備えられた静電容量式センサーに
よるダミーウェハの検知を確実に行うことができ、ま
た、静電チャックによる保持も好適に行うことができ
る。この結果、静電容量式センサーや静電チャックを備
えた半導体製造プロセスにおいても、主として電気絶縁
性材料からなる長寿命のダミーウェハを使用することが
可能となり、そのプロセスで製造される半導体装置のコ
ストダウンを達成することができる。According to the present invention, since the conductive layer is buried in a region between the central portion in the thickness direction of the dummy wafer mainly made of an electrically insulating material and one of the wafer surfaces, the dummy wafer is provided, for example, in a transfer robot. The detection of the dummy wafer by the capacitance type sensor can be reliably performed, and the holding by the electrostatic chuck can also be suitably performed. As a result, even in a semiconductor manufacturing process including a capacitance type sensor and an electrostatic chuck, a long-life dummy wafer mainly made of an electrically insulating material can be used, and the cost of a semiconductor device manufactured by the process can be increased. Down can be achieved.
【００４０】また、本発明の別の態様に従い、電気絶縁
性材料からなる母材中に導電性物質を分散させて構成し
たダミーウェハによっても、同様の効果が得られる。According to another aspect of the present invention, a similar effect can be obtained by a dummy wafer formed by dispersing a conductive substance in a base material made of an electrically insulating material.
【図１】本発明の第１の実施の形態によるダミーウェハ
の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a dummy wafer according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態によるダミーウェハ
の製造方法を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view illustrating a method for manufacturing a dummy wafer according to the first embodiment of the present invention.
【図３】静電容量式センサーを備えた搬送ロボットにダ
ミーウェハを載置した状態を示す概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state where a dummy wafer is placed on a transfer robot provided with a capacitance type sensor.
【図４】本発明の第２の実施の形態によるダミーウェハ
の一部破断斜視図である。FIG. 4 is a partially cutaway perspective view of a dummy wafer according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施の形態によるダミーウェハ
の一部破断斜視図である。FIG. 5 is a partially cutaway perspective view of a dummy wafer according to a third embodiment of the present invention.
１、４、５…ダミーウェハ、１ａ、１ｂ…ウェハ面、２
…搬送ロボット、３…静電容量式センサー、５ａ…表面
側基板、５ｂ…裏面側基板、１１…絶縁基材、１１ａ…
表面側基材、１１ｂ…裏面側基材、１２…導電板1, 4, 5: dummy wafer, 1a, 1b: wafer surface, 2
... Conveying robot, 3 ... Capacitance sensor, 5a ... Front side substrate, 5b ... Back side substrate, 11 ... Insulating base material, 11a ...
Front side substrate, 11b: Back side substrate, 12: Conductive plate
Claims (5)
ウェハであって、その厚み方向中心部と一方のウェハ面
との間の領域に導電層が埋め込まれている、ダミーウェ
ハ。1. A dummy wafer mainly comprising an electrically insulating material, wherein a conductive layer is buried in a region between a central portion in a thickness direction and one wafer surface.
が鏡面仕上げされている、請求項１に記載のダミーウェ
ハ。2. The dummy wafer according to claim 1, wherein a wafer surface opposite to the one wafer surface is mirror-finished.
前記導電層が、前記一方のウェハ面からＴ／２＞ｔ≧Ｔ
／２０の距離ｔの位置に埋め込まれている、請求項１又
は２に記載のダミーウェハ。3. When the thickness of the dummy wafer is T,
The conductive layer is arranged such that T / 2> t ≧ T from the one wafer surface.
The dummy wafer according to claim 1, wherein the dummy wafer is embedded at a position of a distance t of / 20.
ダミーウェハの使用方法であって、 前記一方のウェハ面の側に近接配置した静電容量式セン
サーにより、そのセンサーと前記導電層との間の静電容
量の変化を検出する、ダミーウェハの使用方法。4. The method of using a dummy wafer according to claim 1, wherein the sensor and the conductive layer are provided by a capacitance type sensor disposed close to the one wafer surface. A method of using a dummy wafer, which detects a change in capacitance between the dummy wafer and the dummy wafer.
物質を分散させて構成したダミーウェハ。5. A dummy wafer having a conductive material dispersed in a base material made of an electrically insulating material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22436997A JPH1154591A (en) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | Dummy wafer and method of using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22436997A JPH1154591A (en) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | Dummy wafer and method of using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154591A true JPH1154591A (en) | 1999-02-26 |
Family
ID=16812684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22436997A Withdrawn JPH1154591A (en) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | Dummy wafer and method of using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154591A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-08-06 JP JP22436997A patent/JPH1154591A/en not_active Withdrawn
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