JPH1158730A

JPH1158730A - インクジェット式記録ヘッド、及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1158730A
Application number: JP21663497A
Authority: JP
Inventors: Manabu Nishiwaki; 学西脇
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-08-11
Filing date: 1997-08-11
Publication date: 1999-03-02

Abstract

(57)【要約】【課題】積層薄膜の残留応力による、製造行程上の不
良および特性低下を改善する。或いはさらなる特性向上
を得る構造とその製造方法を提案する。【解決手段】圧力発生膜を構成する積層薄膜の一つに
ホウ素拡散珪素膜を用いることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、入力される印字デ
ータに応じて選択的にインク滴を記録用紙上に飛翔・固
着させることにより可視画像を得るインクジェット式記
録装置に用いるインクジェト式記録ヘッドに関する。

【０００２】さらに詳しくはノズル板、インク加圧室基
板を積層しインク加圧室基板の表面に形成した圧電性膜
のたわみ変形により加圧してインク滴を飛翔させるオン
デマンド型インクジェト式記録ヘッドに関する。

【０００３】

【従来の技術】本発明に関わる従来技術としては、特表
平５-５０４７４０号公報等がある。

【０００４】この従来例ではインク加圧室を内包する基
材に圧電性膜をスパッタやゾルゲル法等のいわゆる薄膜
製法で一体形成することにより、簡易な構造で高性能な
オンデマンド型インクジェット式記録ヘッドを実現して
いる。とくに基材に珪素単結晶基板を用い、異方性エッ
チングをすることにより高精度のインク加圧室を形成す
ることができる。

【０００５】従来の薄膜ＰＺＴと珪素単結晶基板を用い
たインクジェットヘッドようアクチュエータの配列方向
の断面図を図８に示す。２０は珪素単結晶基板、２はこ
の珪素単結晶基板に異方性エッチングにより形成した加
圧室、１８はこの加圧室間を仕切る隔壁、２１は２酸化
珪素膜、１０は下部駆動電極、１１は圧電性薄膜、１２
は上部駆動電極であり、各薄膜厚は数１００ｎｍから数
μmである。３０は圧電歪発生部であり３１は隔壁を介
して圧電歪発生部を支持する支持部である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図８のごとく珪素単結
晶基板の片面に薄膜を積層形成すると、これらの薄膜に
残留応力が発生する。一般に１０、１２の電極用の金属
薄膜をスパッタ成膜法等により成膜すると、引っ張り応
力が発生する。２１の２酸化珪素膜を熱酸化により形成
すると圧縮応力が発生する。この残留応力は珪素単結晶
基板２０から拘束を受けているが、その後加圧室２を形
成されるとこれらの応力が解放され、圧電歪発生部３０
や支持部３１が変形する。

【０００７】上記変形は各薄膜の引っ張り応力と圧縮応
力が相殺されれば軽減されるが、圧縮応力が勝ると変形
が大きい。この初期の変形が大きいと圧電歪が効率的に
たわみに変換されず、変位効率を落とす一因となってい
た。また支持部３１は圧電歪発生部に比して薄く、また
狭小であるため変形が大きい。この変形量が大きいと、
上記加圧室形成の際或いは使用時に支持部が破壊するこ
とがあった。特に圧電歪による変形量を増やすためには
この支持部３１をより薄くして曲げ剛性を下げるほうが
望ましいが、このような改善は前記弊害が助長されるた
め実施が難しかった。

【０００８】本発明はかかる課題を解決するためのもの
であり、その目的とするところは、アクチュエータ変位
効率を上げつつ、製造上不良の低減、信頼性を向上させ
る手段を提案し、高密度で高性能なインクジェット式記
録ヘッドを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のインクジェット
式記録ヘッドは列状に隔壁を介して珪素単結晶基板に配
列されたインク加圧室、該加圧室の片面を覆蓋し前記隔
壁により懸架かつ固定され、加圧室の一壁面をなすがご
とく配置された弾性膜と下部駆動電極膜と圧電性膜と上
部駆動電極膜からなる圧力発生膜、各々の加圧室に連通
するインク吐出ノズルから構成され、前記圧力発生膜の
たわみ変形で発生する圧力によりインクを吐出するイン
クジェット式記録ヘッドであって、前記弾性膜は少なく
ともほう素が拡散された珪素と下部駆動電極からなるこ
とを特徴とする特徴とする。

【００１０】また或いは、列状に隔壁を介して珪素単結
晶基板に配列されたインク加圧室、該加圧室の片面を覆
蓋し前記隔壁により懸架かつ固定され、加圧室の一壁面
をなすがごとく配置された弾性膜と下部駆動電極膜と圧
電性膜と上部駆動電極膜からなる圧力発生膜、各々の加
圧室に連通するインク吐出ノズルから構成され、前記圧
力発生膜のたわみ変形で発生する圧力によりインクを吐
出するインクジェット式記録ヘッドであって、前記圧力
発生膜は圧電歪発生部と該圧電歪発生部を支持する支持
部からなり、該圧電歪発生部は上部駆動電極と圧電性膜
と下部駆動電極とほう素が拡散された珪素膜とからなる
ことを特徴とする。

【００１１】また本発明のインクジェット式記録ヘッド
の製造方法は、珪素単結晶基板の片表面にホウ素を熱拡
散させた後該基板の両表面を熱酸化する行程、該ホウ素
を熱拡散させた面に下部駆動電極膜と圧電性膜と上部駆
動電極膜を順次積層し、これらの電極膜と圧電性膜を所
望の形状にエッチングする圧力発生膜の形成行程、前記
珪素単結晶基板に異方性エッチングにより前記加圧室を
形成する行程からなることを特徴とする。

【００１２】また或いは、珪素単結晶基板の両面を熱酸
化させた後、該基板の片表面の２酸化珪素膜を除去し、
この除去面にホウ素を熱拡散させ、その上面に下部駆動
電極膜と圧電性膜と上部駆動電極膜を順次積層し、これ
らの電極膜と圧電性膜を所望の形状にエッチングする圧
力発生膜の形成行程、前記珪素単結晶基板に異方性エッ
チングにより前記加圧室を形成する行程からなることを
特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に本発明を一実施形態に基づ
いて詳細に説明する。

【００１４】(実施形態１)図１、図２を用いて本発明の
インクジェット式記録ヘッドの構造を説明する。

【００１５】図１は本発明の実施例におけるインクジェ
ット式記録ヘッドの概略斜視図を示す。

【００１６】１はインク加圧室基板であり、２列に千鳥
状に配列された加圧室２、各加圧室にインク(図示せず)
を供給するための共通流路３、各々の加圧室２と共通流
路３を連通する供給路９を有する。配列ピッチは１８０
分の１インチ、約１４１ミクロンとし、１列当たり６４
素子を配し、２列で３６０ドット/インチ、１２８ノズ
ルの印字密度を有するプリントヘッドを実現している。
８は変位素子に信号を供給するための配線基板である。

【００１７】６は前記加圧室２に対応してインク吐出用
ノズル７を複数穿ったノズル板である。前記加圧室基板
１とノズル板６を接着後、基体９０に嵌着しインクジェ
ット式記録ヘッドを成す。

【００１８】図２は図１の一点鎖線A-A'部の加圧室配列
方向の断面図であり、前記加圧室基板１の下面に略長方
形状の圧力発生膜５０となる弾性膜４、下部駆動電極１
０、圧電性膜１１、上部駆動電極１２が順次積層され、
この加圧室基板1と圧力発成膜５０が一体的に形成され
る。鎖線１９が一吐出素子単位となる。本例では下部駆
動電極１０に厚みをもたせることにより弾性膜４の機能
をも併せもっている。

【００１９】７はノズル板６内のノズル、１３は配列さ
れた加圧室２内のインク、４は弾性膜、１０は下部駆動
電極、１１は圧電性膜、１２は上部駆動電極である。圧
電性膜１１は各加圧室に対応し、食刻により加圧室幅よ
り若干狭小幅に形成する。

【００２０】本例では加圧室のピッチを１４１μm、加
圧室の幅を５０μm、長さ(図中奥行き方向)を１.２mmと
し、隔壁の幅は９１μmとした。

【００２１】ここでインク吐出の原理を簡略に説明す
る。待機時はスイッチ１７aが開き、次の吐出に備え
る。図２の左端の吐出素子に待機状態を示す。吐出時に
は図２中央の吐出素子図に示す如く、スイッチ１７bを
閉じ、矢印Bに示す圧電性膜１１の分極方向と同極性、
換言すると分極時の印加電圧極性と同じように電圧を印
加すると圧電性膜１１は厚み方向に膨張すると共にその
幅方向(図２上は水平方向)に収縮する。この収縮で圧電
性膜１１と弾性膜４の界面に圧縮の剪断応力が働き、弾
性膜４および圧電性膜１１は図の上方向にたわむ。この
たわみにより加圧室２の体積が減少しノズルからインク
滴が飛び出す。その後図２右端に示す如く、再びスイッ
チ１７cを開くと、たわんでいた弾性膜４等が復元し、
加圧室体積の膨張により図示しないインク供給路よりイ
ンクが充填される。

【００２２】本発明のインクジェット式記録ヘッドの製
造方法を図３と図４に基づいて説明する。本例では直径
１００mm、厚さ２２０μmの(１１０)面を有す加圧室基
板であるところの珪素単結晶基板２０を用い、図３(I)
の如く、その全面に熱酸化法により２酸化珪素からなる
エッチング保護層２１を１μm厚で形成する。

【００２３】次に図３(II)の如くこの片面のエッチング
保護層２１を緩衝フッ酸等により除去する。

【００２４】その後図３(III)の如く前工程でエッチン
グ保護層２１を除去した面に後に弾性膜となるホウ素を
拡散させた層３２を形成する。具体的には珪素単結晶基
板にホウ素基板を対峙させ、１２００℃に加熱した炉の
中で１から５時間放置させることにより、形成すること
ができる。本例では膜厚を１μmとした。ホウ素の拡散
濃度は種々実験検討の結果、1cm平方当たり1０の１２剰
から1０の１６剰が好ましく、さらに好ましくは1０の１
３剰から1０の１５剰が最適であった。前記下限より少
ないと後の珪素の異方性エッチングの際、エッチング液
によるホウ素拡散膜の浸食が激しくなりエッチストッパ
としての機能が不十分であり、前記上限より多いと膜の
圧縮応力が増え本発明の目的にそぐわなかった。

【００２５】次にホウ素拡散膜３２の上面にスパッタ成
膜法等の薄膜形成方法により、下部駆動電極１０となる
白金を４００nmの厚みで製膜する。この際白金層とその
上下層の間の密着力を上げるために極薄のチタン、クロ
ム等を中間層として介してもよい。また事後の加熱温度
に対する耐熱性があれば下部駆動電極はイリジウム等他
の導電材料を用いてもよい。なおこの下部駆動電極１０
は前記ホウ素拡散膜３２と併せて弾性膜を兼ねている。

【００２６】その上に圧電性膜の前駆体２４を積層す
る。本例ではチタン酸鉛、ジルコン酸鉛をそのモル配合
比が５５%,４５%となるようなPZT系圧電膜の前駆体をゾ
ルゲル法にて最終的に0.9μm厚みとなるまで８回の塗工
／乾燥／脱脂を繰り返して成膜した。なお種々の試行実
験の結果、この圧電膜の化学式が、ＰbCＴiAＺrBＯ
_３〔Ａ＋Ｂ＝１〕にて表され、前記化学式中のA、Cが、
０．５≦Ａ≦０．６、０.８５≦C≦１．１０の範囲内で
選択すれば、実用に耐えうる圧電性を得ることができ
た。成膜方法は本方法に限らず高周波スパッタ成膜やCV
D等を用いてもよい(図３(IV))。

【００２７】次に基板全体を圧電性膜前駆体の結晶化の
為に加熱する。本例では赤外線輻射光源２９を用いて基
板両面から、酸素雰囲気中で７００℃で５分加熱し自然
降温させることにより、圧電性膜の結晶化を行なった。
この工程により圧電性膜前駆体２４は上記狙い通りの組
成で結晶化および焼結し圧電性膜１１となった(図３
(V))。

【００２８】この後、圧電性膜１１上に上部駆動電極膜
１２を形成する。本例では上部駆動電極１２は１００nm
厚の白金をスパッタ成膜法にて形成した(図４(I))。

【００２９】次に上部駆動電極１２、圧電性膜１１を加
圧室２が形成される位置に合わせて適当なエッチングマ
スク(図示せず)を施した後、所定の分離形状にイオンミ
リングを用いて同時に形成する(図４(II))。

【００３０】次に下部駆動電極１０を同じく適当なエッ
チングマスク(図示せず)を施した後、所定の形状(外部
駆動回路との接続端子等)にイオンミリングを用いて形
成した(図４(III))。

【００３１】この基板２０の圧電性膜を形成した側に後
工程で浸される種々の薬液に対する保護膜(繁雑な為図
示せず)を形成後、その反対面の少なくとも加圧室或い
は加圧室隔壁を含む領域にエッチング保護層２１を緩衝
フッ酸等によりエッチングして窓２２を形成する(図４
(IV))。

【００３２】その後異方性エッチング液、たとえば８０
℃に保温された濃度１７%程の水酸化カリウム水溶液を
用いて珪素単結晶基板２０を基板上面まで貫通するごと
く異方性エッチングする。ホウ素拡散膜はこの水酸化カ
リウムに難溶であるので、薄膜部が加圧室を介してエッ
チング液に犯されることはない。この加圧室形成はその
他、平行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を
用いた異方性エッチング方法を用いてもよい。この行
程によりインク加圧室等流路が形成される(図４(V))。

【００３３】加圧室形成後の圧力発生膜の電圧不印加時
の静的たわみ量を比較すると、従来のものが100nmから2
00nm図中の下側にたわんでいたのに対し、本例は10nm程
度であった。これは従来品の下部駆動電極10の白金が引
っぱり応力と２酸化珪素膜の圧縮応力が基板からの拘束
を失ったことにより基板側に大きくたわんだのに対し、
本発明品ではホウ素拡散の珪素の圧縮応力が弱いために
このたわみが減ったものと考えられる。また従前多発し
ていたこの工程での薄膜の割れも本例ではほとんど発生
しなかった。

【００３４】以上の工程により形成された加圧室基板に
別体のノズル板等を接着組み立てしインクジェットヘッ
ドが完成する。

【００３５】以上の如く形成したインクジェット式記録
ヘッドを従来の構造のものと、製造歩留と印字耐久性を
比較したところ、従来品に対し製造歩留が２０%向上
し、印字耐久性は40%向上した。

【００３６】また先述の初期のたわみ量の多寡は圧力発
生膜の変形効率にも影響し、従来品が20Vの電圧印加に
対し最大たわみ量が200nmであったのに対し本発明品は2
50nmと大きな変形量を得ることができた。

【００３７】(実施形態２)本発明の別の実施形態の製造
方法を図５と図６に基づいて説明する。尚寸法、製法、
材質等不記載のものは先の実施形態１と同じである。

【００３８】加圧室基板であるところの珪素単結晶基板
２０を用い、図５(I)の如く、その上面にホウ素拡散層
３２を形成する。本例ではホウ素拡散層を１５００nm厚
に形成した。

【００３９】次に図５(II)の如くその全面に熱酸化法に
より２酸化珪素からなるエッチング保護層２１を形成す
る。この際、上記ホウ素拡散層の上側にホウ素拡散２酸
化珪素膜３３が形成される。本例ではホウ素拡散２酸化
珪素膜の厚さが200nmとなるように反応時間を制御し
た。

【００４０】次に前工程でホウ素が拡散された面にスパ
ッタ成膜法等の薄膜形成方法により、下部駆動電極１０
となる白金を８００nmの厚みで製膜する。なおこの下部
駆動電極１０は弾性膜を兼ねている。その上に圧電性膜
の前駆体２４を積層する。組成製法等は実施形態１と同
様である(図５(III))。

【００４１】次に基板全体を圧電性膜前駆体の結晶化の
為に加熱する。本例では赤外線輻射光源２９を用いて基
板両面から、酸素雰囲気中で６５０℃で５分保持した後
９００℃で３分加熱し自然降温させることにより、圧電
性膜の結晶化を行なった。この工程により圧電性膜前駆
体２４は上記狙い通りの組成で結晶化および焼結し圧電
性膜１１となった(図５(IV))。

【００４２】上記のごとき９００℃を超える加熱を行う
と、珪素或いはホウ素拡散珪素と白金が近接している
と、両者が反応して白金シリサイドを形成し膜剥離が起
こってしまうが、前記ホウ素拡散２酸化珪素膜３３を間
に介することによりこの膜がバリアとなりこのような不
具合が生じなかった。従って本例のごとき製法/構成を
用いると、PZT前駆体をより高温で焼成することがで
き、PZTの結晶化が促進しより高い圧電特性を得ること
ができた。

【００４３】この後、圧電性膜１１上に上部駆動電極膜
１２を形成する。本例では上部駆動電極１２は２００nm
厚の金をスパッタ成膜法にて形成した(図６(I))。

【００４４】次に上部駆動電極１２と圧電性膜１１を加
圧室２が形成される位置に合わせて適当なエッチングマ
スク(図示せず)を施した後、所定の分離形状にイオンミ
リングを用いて同時に形成する(図６(II))。

【００４５】次に下部駆動電極１０とホウ素拡散２酸化
珪素膜を同じく適当なエッチングマスク(図示せず)を施
した後、所定の形状に反応性気相エッチングを用いて形
成した。この際少なくとも加圧室上の圧力発生膜となる
部分の部駆動電極１０とホウ素拡散２酸化珪素膜は前期
圧電性膜と同一幅となるようにした(図６(III))。

【００４６】この基板２０の圧電性膜を形成した側に後
工程で浸される種々の薬液に対する保護膜(繁雑な為図
示せず)を形成後、その反対面の少なくとも加圧室或い
は加圧室隔壁を含む領域にエッチング保護層２１をフッ
化水素によりエッチングして窓２２を形成する(図６(I
V))。

【００４７】その後異方性エッチング液、たとえば８０
℃に保温された濃度１７%程の水酸化カリウム水溶液を
用いて珪素単結晶基板２０を基板上面まで貫通するごと
く異方性エッチングする。この加圧室形成はその他、平
行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いた
反応性気相エッチング法を用いてもよい。この行程によ
りインク加圧室等流路が形成される(図６(V))。

【００４８】加圧室形成後の圧力発生膜の電圧不印加時
の静的たわみ量を比較すると、従来のものが100nmから2
00nm図中の下側にたわんでいたのに対し、本例は30nm程
度であった。また従前多発していたこの工程での薄膜の
割れも本例ではほとんど発生しなかった。

【００４９】以上の工程により形成された加圧室基板に
別体のノズル板６、インク供給管、支持体(図示せず)を
接着する。

【００５０】本例の圧力発生膜の詳細を図７に示す。と
ころでこのようなユニモルフ型アクチュエータの変位効
率を上げるためには、圧電歪発生部３０に比して、支持
部３１は剛性を下げなるべく曲がりやすくしたほうがよ
い。

【００５１】支持部を曲がりやすくするためには支持部
面積を増やすか、支持部膜厚を薄くするかである。前者
は加圧室の幅が限られいるので、相対的に圧電歪発生部
の面積を減らすことになっていしまうので結果変位効率
は上がらない。本例のごとく支持部３１の下部駆動電極
膜も除去し、ホウ素拡散膜のみで支持部を構成すること
により変位効率を上げることができ、また上述のごとく
製造上も容易である。

【００５２】一方従来の２酸化珪素膜のみで支持部を形
成しようとすると、支持部３１は２酸化珪素膜のみにな
り、膜積層による応力相殺ができず、圧縮応力の解放に
よる変形曲がりがこの支持部に集中し、著しく破壊不良
を発生する。本例の如くホウ素拡散膜を用いることによ
り、前記応力解放が低減されこの破壊不良を回避するこ
とができた。

【００５３】尚本例では支持部３１をホウ素拡散膜３２
のみで構成したが、ホウ素拡散２酸化珪素膜３３が薄く
ホウ素拡散２酸化珪素膜の圧縮応力が無視できる程度に
小さければこれらの２層をもって支持部を構成してもよ
い。

【００５４】またホウ素拡散膜と下部駆動電極の白金の
間にホウ素拡散２酸化珪素膜を介することにより、本例
のごとく７００℃を超える焼成を行っても、白金と珪素
の化合物が発生し、層間の密着力を落とすことはなかっ
た。もちろんこのような白金と珪素の反応を抑制するバ
リアは本例の他、ホウ素拡散膜の上面に２酸化珪素膜を
別途CVD法等で成膜してもよい。

【００５５】以上の如く形成したインクジェット式記録
ヘッドを従来の構造のものと、製造歩留と印字耐久性を
比較したところ、従来品に対し製造歩留が５０%向上
し、印字耐久性は40%向上した。このような初期のたわ
みは圧力発生膜の変形効率にも影響し、従来品が20Vの
電圧印加に対し最大たわみ量が200nmであったのに対し
本発明品は400nmと大きな変形量を得ることができた。

【００５６】また本例では圧電性膜としてPZT系材料を
用いて説明したが、この系に酸化ニオブや酸化ニッケ
ル、酸化マグネシウム等他の金属酸化物を添加したも
の、或いはPZT系以外の材料でも本発明は有効である。

【００５７】なお本例ではインクジェットヘッドの応用
例を説明してきたが、その他微小光学装置、微小圧力検
出器等薄膜圧電材料の特性を応用した微小他素子の変位
或いは圧力発生器、検出器すべてに本発明は有効であ
る。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、珪素単結晶基板と圧電
性膜の間にホウ素拡散膜を介することにより、薄膜の残
留応力を低減し、この残留応力解放に起因する製造歩留
や、変位特性、信頼性の低下を解決し高信頼性で高特性
のインクジェット式記録ヘッドを実現することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例におけるインクジェット式記録
ヘッドの斜視図である。

【図２】本発明の実施例におけるインクジェット式記録
ヘッドの断面図である。

【図３】本発明の第１の実施形態におけるインクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程を示す図である。

【図４】本発明の第１の実施形態におけるインクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程を示す図である。

【図５】本発明の第２の実施形態におけるインクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程を示す図である。

【図６】本発明の第２の実施形態におけるインクジェッ
ト式記録ヘッドの製造工程を示す図である。

【図７】本発明の第２の実施形態におけるインクジェッ
ト式記録ヘッドの断面図である。

【図８】従来のインクジェット式記録ヘッドの課題を説
明する図である。

【符号の説明】

１加圧室基板２加圧室３共通流路４弾性膜６ノズル板７インク吐出用ノズル８配線基板９供給路１０下部駆動電極１１圧電性膜１２上部駆動電極１３インク１４駆動電圧源１５配線１６配線１７スイッチ１８加圧室隔壁１９インク吐出素子単位２０珪素単結晶基板２１エッチング保護層２２エッチング窓２４圧電性膜前駆体２９輻射光源３０圧電歪発生部３１圧電歪発生部の支持部３２ホウ素拡散膜３３ホウ素拡散２酸化珪素膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】列状に隔壁を介して珪素単結晶基板に配
列されたインク加圧室、該加圧室の片面を覆蓋し前記隔
壁により懸架かつ固定され、加圧室の一壁面をなすがご
とく配置された弾性膜と下部駆動電極膜と圧電性膜と上
部駆動電極膜からなる圧力発生膜、各々の加圧室に連通
するインク吐出ノズルから構成され、前記圧力発生膜の
たわみ変形で発生する圧力によりインクを吐出するイン
クジェット式記録ヘッドであって、前記弾性膜は少なくともほう素が拡散された珪素と下部
駆動電極からなることを特徴とするインクジェット式記
録ヘッド。
【請求項２】前記弾性膜は少なくともほう素が拡散さ
れた珪素と２酸化珪素膜と下部駆動電極からなることを
特徴とする請求項１記載のインクジェット式記録ヘッ
ド。
【請求項３】前記弾性膜は少なくともほう素が拡散さ
れた珪素とほう素が拡散された２酸化珪素膜と下部駆動
電極からなることを特徴とする請求項１記載のインクジ
ェット式記録ヘッド。
【請求項４】上記下部駆動電極が白金からなることを
特徴とする請求項１から３記載のインクジェット式記録
ヘッド。
【請求項５】列状に隔壁を介して珪素単結晶基板に配
列されたインク加圧室、該加圧室の片面を覆蓋し前記隔
壁により懸架かつ固定され、加圧室の一壁面をなすがご
とく配置された弾性膜と下部駆動電極膜と圧電性膜と上
部駆動電極膜からなる圧力発生膜、各々の加圧室に連通
するインク吐出ノズルから構成され、前記圧力発生膜の
たわみ変形で発生する圧力によりインクを吐出するイン
クジェット式記録ヘッドであって、前記圧力発生膜は圧
電歪発生部と該圧電歪発生部を支持する支持部からな
り、該圧電歪発生部は上部駆動電極と圧電性膜と下部駆
動電極とほう素が拡散された珪素膜とからなることを特
徴とするインクジェット式記録ヘッド。
【請求項６】前記支持部はほう素が拡散された珪素膜
で構成されることを特徴とする請求項５記載のインクジ
ェット式記録ヘッド。
【請求項７】前記支持部はほう素が拡散された珪素膜
と２酸化珪素膜で構成されることを特徴とする請求項５
記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項８】前記支持部はほう素が拡散された珪素膜
とほう素が拡散された２酸化珪素膜で構成されることを
特徴とする請求項５記載のインクジェット式記録ヘッ
ド。
【請求項９】珪素単結晶基板の片表面にホウ素を熱拡
散させた後該基板の両表面を熱酸化する行程、該ホウ素
を熱拡散させた面に下部駆動電極膜と圧電性膜と上部駆
動電極膜を順次積層し、これらの電極膜と圧電性膜を所
望の形状にエッチングする圧力発生膜の形成行程、前記
珪素単結晶基板に異方性エッチングにより前記加圧室を
形成する行程からなることを特徴とするインクジェット
式記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】珪素単結晶基板の両面を熱酸化させた
後、該基板の片表面の２酸化珪素膜を除去し、この除去
面にホウ素を熱拡散させ、その上面に下部駆動電極膜と
圧電性膜と上部駆動電極膜を順次積層し、これらの電極
膜と圧電性膜を所望の形状にエッチングする圧力発生膜
の形成行程、前記珪素単結晶基板に異方性エッチングに
より前記加圧室を形成する行程からなることを特徴とす
るインクジェット式記録ヘッドの製造方法。