JPH1160379A - 無転位シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents

無転位シリコン単結晶の製造方法

Info

Publication number
JPH1160379A
JPH1160379A JP10143072A JP14307298A JPH1160379A JP H1160379 A JPH1160379 A JP H1160379A JP 10143072 A JP10143072 A JP 10143072A JP 14307298 A JP14307298 A JP 14307298A JP H1160379 A JPH1160379 A JP H1160379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
seed crystal
crystal
melt
immersed
dislocation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10143072A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Iwasaki
俊夫 岩崎
Shinichi Fujimoto
慎一 藤元
Chu Isomura
宙 磯村
Yoshisada Ishida
圭禎 石田
Michiharu Tamura
道春 田村
Atsushi Ikari
敦 碇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Siltronic Japan Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
NSC Electron Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp, NSC Electron Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP10143072A priority Critical patent/JPH1160379A/ja
Priority to US09/093,179 priority patent/US6080237A/en
Priority to DE19825745A priority patent/DE19825745A1/de
Publication of JPH1160379A publication Critical patent/JPH1160379A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/36—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チョクラルスキー法で無転位シリコン単結晶
を製造する際に、大重量によるネック部の破壊が原因の
結晶落下事故の発生を防止しつつ、大口径かつ大重量の
無転位シリコン単結晶を安全にかつ再現良く製造できる
無転位シリコン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】 シード結晶をシリコン融液に浸し、その
後ネッキングを行わずに引き上げて無転位シリコン単結
晶の本体部を育成する。使用するシード結晶は無転位シ
リコン単結晶である。その際、シード結晶のシリコン融
液への浸漬が完了した時点におけるシード結晶のシリコ
ン融液に浸されている部分の水平方向最大長さは５mm以
上である。また、シード結晶のシリコン融液への浸漬速
度は２.８mm／分以下であり、シード結晶のシリコン融
液に浸す部分は育成されたままの結晶である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法による無転位シリコン単結晶の製造方法に関する。特
に、ダッシュ法によるネッキングを行わない無転位シリ
コン単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法とい
う）により無転位シリコン単結晶を製造する場合には、
多結晶シリコンをルツボに入れて溶融し、この融液にシ
ード結晶を浸した後、引き上げて単結晶を成長させる。
このようなＣＺ法による単結晶の製造工程においては、
その最も初期の段階であるシード結晶を融液に浸す際
に、融液との接触により生じる熱ショック（熱応力）に
よってシード結晶内に転位が生じる。シード結晶内の転
位を排除できなければ、その後育成されるシリコン単結
晶は有転位結晶となる。
【０００３】従来から、このようなシード結晶に生じた
転位を排除する方法として、ダシュ法がある。ダッシュ
法は、結晶径を絞るネッキングを行うこと、例えば、直
径２〜４mmのネック部を６mm／分程度の速い引上げ速度
で成長させることで、結晶の本体部を成長させる前に転
位を結晶から完全に排除する。この操作は「ダッシュネ
ック」と呼ばれる。
【０００４】ネック部において転位を除去した後は、結
晶本体部の結晶径を所定の直径に達するまで拡大させ
る。その後、所定の長さの本体部を成長させた後、結晶
径を小さくしながらテール部を形成して融液から切り離
し、引き上げ装置から結晶を取り出す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなダッシュネ
ックを行うシリコン単結晶の製造方法では、成長させた
単結晶の重量を、成長中の単結晶インゴットの中で最も
強度が弱いネック部によって支えているため、時にネッ
ク部が結晶成長の途中で壊れて、結晶の本体部が融液の
入っているルツボの中に落下する事故が発生することが
ある。
【０００６】こうした事故の発生を抑制するため、特開
平５−４３３７９号公報には、ダッシュ法によって形成
されるネック部よりも大きな直径を有するネック部を形
成しつつ、転位を除去する方法が記載されている。この
技術では、ネック部が４〜６mm／分の範囲で引き上げら
れ、４.５〜１０mmの範囲の一定の直径が維持される場
合に転位が除去される。しかし、ネック部の直径が１０
mmを越えると転位の除去は困難である。
【０００７】また、特開平９−２８９８号公報には、直
径が１０mmを越えるネック部の中間部分および下側部分
を転位が除去されるまで約４.０mm／分未満の速度で成
長させる方法が記載されている。しかしながら、この方
法は、ホウ素がドープされ抵抗率が０.１Ω・cmを超え
ないｐ+ 型シリコン結晶には有効であるが、一般的なｐ
- 型結晶やｎ型結晶には有効でない。
【０００８】さらに、米国特許第５，１２６，１１３号
には、結晶の本体部用に追加の把持手段を設けることに
よってネック部の破壊を防ぐ技術が開示されている。こ
の技術によれば、ダッシュネックを行って結晶内の転位
を除去した後、続いて結晶本体部のコーン部が育成され
始める前に、ダッシュネック部の下側で径を広げ膨らみ
を設ける。そして、結晶の本体部を成長させる際に、機
械式のグリップが、その膨らみ部の下側の凹部を把持し
て結晶の本体部を支持する。しかしながら、この方法の
場合、グリップが結晶を把持する際にダッシュネック部
を壊すことがある。
【０００９】また、Electrochemical Society Proceedi
ngs, vol. 97-3, p.123 では、直径１０mmのダッシュネ
ックを行わない無転位シード技術が提案されている。こ
の技術においては、先端が「えんぴつ型」の直径１０mm
の無転位シリコン単結晶でありキズや汚染のない表面を
持つシリコンシード結晶を融液に３mm／分で、ある長さ
浸し、その後、ダッシュネックを行うことなく結晶径を
広げ本体部を形成することによって、無転位シリコン単
結晶を育成している。しかしながら、この技術に開示さ
れている条件のみから無転位シリコン単結晶が得られる
わけではなく、例えば、転位の発生に影響する要因とし
ては、表面のキズや汚染のみではなく、表面粗さが重要
な影響を及ぼす。表面粗さが大きい場合にはその凹凸部
に応力集中が生じて転位が発生するため、この技術のよ
うに、えんぴつ型でキズや汚染のないシード結晶を用い
かつ浸漬速度を３.０mm／分にしたとしても、表面粗さ
が大きい場合には転位が発生してしまう。
【００１０】また、この技術によるシード結晶の浸漬速
度３.０mm／分によって無転位シリコン単結晶を得よう
とする場合には、ある特定のホットゾーン（炉内構造）
の中で浸漬を行う必要があり、例えば、融液と結晶の固
液界面での温度勾配が５.０℃／mm以上のやや急冷型の
炉内構造では、無転位化は難しいといった問題もある。
【００１１】そこで、本発明は、ＣＺ法で無転位シリコ
ン単結晶を製造する際に、大重量によるネック部の破壊
が原因の結晶落下事故の発生を防止しつつ、大口径かつ
大重量の無転位シリコン単結晶を安全にかつ再現良く製
造することができる無転位シリコン単結晶の製造方法を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記の手段によって達成される。
【００１３】（１） 無転位シリコン単結晶からなるシ
ード結晶をシリコン融液に浸し、その後ネッキングを行
わずに引き上げて無転位シリコン単結晶の本体部を育成
する、チョクラルスキー法による無転位シリコン単結晶
の製造方法であって、下記の条件、すなわち、（ａ）前
記シード結晶の前記シリコン融液への浸漬が完了した時
点における前記シード結晶の前記シリコン融液に浸され
ている部分の水平方向最大長さが５mm以上であること、
（ｂ）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分が
機械加工により成形されていること、および、（ｃ）下
記（ｃ１）〜（ｃ６）からなる群から選択される少なく
ともいずれか一の条件を満たすこと、（ｃ１）前記シー
ド結晶の前記シリコン融液に浸す部分の先端が下に凸で
あること、（ｃ２）前記シード結晶の前記シリコン融液
に浸す部分の表面粗さＲmax 値が基準長さを０.１mmと
したときに５μｍ以下であること、（ｃ３）前記シード
結晶の前記シリコン融液に浸す部分がエッチング処理さ
れていること、（ｃ４）前記シード結晶に含まれている
ドーパントの濃度が１×１０17cm-3以上であること、
（ｃ５）前記シード結晶を前記シリコン融液に浸す際の
浸漬速度が２.８mm／分以下であること、（ｃ６）前記
シード結晶の内部に生じる温度勾配がシリコン単結晶育
成中において１０℃／mm以下であること、を満たすこと
を特徴とする。
【００１４】（２） 前記シード結晶は先端１０mm角度
が鋭角である。
【００１５】（３） 前記シード結晶は前記シリコン融
液に浸す部分の先端の形状が結晶中心軸に関して対称で
ある。
【００１６】（４） 前記シード結晶は前記シリコン融
液に浸す部分の先端の形状が円錐形である。
【００１７】（５） 無転位シリコン単結晶からなるシ
ード結晶をシリコン融液に浸し、その後ネッキングを行
わずに引き上げて無転位シリコン単結晶の本体部を育成
する、チョクラルスキー法による無転位シリコン単結晶
の製造方法であって、下記の条件、すなわち、（ａ）前
記シード結晶の前記シリコン融液への浸漬が完了した時
点における前記シード結晶の前記シリコン融液に浸され
ている部分の水平方向最大長さが５mm以上であること、
および、（ｂ）下記の（ｂ１）〜（ｂ６）からなる群か
ら選択される少なくともいずれか一の条件を満たすこと
（ｂ１）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分
が育成されたままの状態であること、（ｂ２）前記シー
ド結晶の前記シリコン融液に浸す部分の先端が下に凸で
あること、（ｂ３）前記シード結晶の前記シリコン融液
に浸す部分の表面粗さＲmax 値が基準長さを０.１mmと
したときに５μｍ以下であること、（ｂ４）前記シード
結晶に含まれているドーパントの濃度が１×１０17cm-3
以上であること、（ｂ５）前記シード結晶を前記シリコ
ン融液に浸す際の浸漬速度が２.８mm／分以下であるこ
と、（ｂ６）前記シード結晶の内部に生じる温度勾配が
シリコン単結晶育成中において１０℃／mm以下であるこ
と、を満たすことを特徴とする。
【００１８】（６） 前記シード結晶は少なくとも前記
シリコン融液に浸す部分がＭＣＺ法により育成されてい
る。
【００１９】（７） 前記シード結晶は先端１０mm角度
が鋭角である。
【００２０】（８） 前記シード結晶は前記シリコン融
液に浸す部分の先端の形状が結晶中心軸に関して対称で
ある。
【００２１】（９） 前記シード結晶は前記シリコン融
液に浸す部分の先端の形状が円錐形である。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明は、無転位シリコン単結晶
からなるシード結晶をシリコン融液に浸し、この浸漬が
完了した時点におけるシード結晶のシリコン融液に浸さ
れている部分の水平方向最大長さが５mm以上になるよう
にして、その後ネッキングを行わずに引き上げて無転位
シリコン単結晶の本体部を育成する方法である。なお、
ここでいう「水平方向最大長さ」とは、浸漬完了時点に
おけるシード結晶のシリコン融液に浸されている部分の
任意の水平断面内における任意の２点間の距離の最大値
を各水平断面ごとに求め、この各水平断面に対応する最
大値の集合の中で最も値が大きいものをいう。
【００２３】このような方法において、シード結晶を融
液に浸す際の転位の発生は、急激な温度変化による熱シ
ョック（熱応力）と結晶の表面状態とに強く依存してい
る。本発明者らは、この熱ショックは結晶内に生じる温
度勾配によって定量的に表すことができ、一方、結晶の
表面状態は周知の表面粗さＲmax 値によって定量的に表
すことができることを見出した。
【００２４】また、本発明者らは、結晶内に生じる温度
勾配が１０℃／mm以下であれば、表面状態の如何にかか
わらず（つまり、表面のクラックや汚染の有無にかかわ
らず）、転位が発生しないことを見出した。
【００２５】さらに、いろいろな温度分布を有する複数
の引き上げ炉内構造を用いて本発明者らが試験をした結
果、シード結晶の融液への浸漬速度が２.８mm／分以下
であれば、すべての場合に転位の発生を抑制できること
を見出した。この浸漬速度は２.８mm／分以下であれば
いかなる速度でもよいが、例えば、実際のシリコン単結
晶の生産効率を考えた場合、０.０１〜２.８mm／分の範
囲が好ましい。
【００２６】また、本発明者らは、融液にシード結晶を
浸す際に生じる温度勾配を小さくするためには、図２〜
図７（なお、各図において（Ａ）は正面図、（Ｂ）は斜
視図である）に示すように、シード結晶の先端が下に凸
であることが有効であり、中でも、図３〜図７に示すよ
うに、後で明確に定義する先端１０mm角度が鋭角である
場合に更に有効であることを見出した。これは、この場
合には、シード結晶先端の熱容量が小さくなるため温度
勾配が付きにくく、しかも融液との接触面積が小さいた
め熱の移動が小さいことから、シード結晶内の温度上昇
を均一かつ緩やかに進めることができるためである。こ
こで「先端１０mm角度」とは、シード結晶の結晶中心軸
方向の最先端部がこの最先端部から結晶中心軸に沿って
１０mm上方のシード結晶表面上の任意の２点に対してな
す角の最大値を意味し、特に最先端部が点ではなく面の
場合には、最先端部の面上の任意の点がこの点から結晶
中心軸に沿って１０mm上方のシード結晶表面上の任意の
２点に対してなす角の最大値をとり、この最大値を最先
端部の面上のすべての点に関して平均した値を意味す
る。なお、図２〜図７はシード結晶の先端が下に凸とな
った形状の例であり、本発明がこれらの形状に限定され
るわけではない。特にシード結晶の先端以外の形状は、
円柱形状や角柱形状（多角形）などシリコン単結晶の製
造に通常使用されているものであればよい。
【００２７】さらに、本発明者らは、シード結晶の先端
の形状が結晶中心軸に関して対称であれば結晶内に不均
一な温度勾配が生じないため更に有効であり、中でも円
錐形であることが最も望ましいことを見出した。
【００２８】一方、転位の発生は結晶の表面状態に強く
依存しており、表面に原子配列の乱れなどが存在する場
合には、小さな熱応力でも転位が発生してしまう。とこ
ろが、本発明者らは、基準長さを０.１mmとしたときの
表面粗さＲmax 値が５μｍ以下であれば、シード結晶内
の温度勾配ならびにシード結晶の浸漬速度および先端形
状に関係なく、転位の発生を抑制できることを見出し
た。Ｒmax 値は、周知のように、基準長さ内の表面の断
面曲線の最高山頂と最深谷底の間隔を示している。
【００２９】また、シード結晶を無転位シリコン単結晶
から加工して作製する場合には、シード結晶の融液に浸
す部分の表面粗さを小さくするために、シード結晶を所
定の形状に加工した後、エッチングすることが有効であ
ることを見出した。ここで、シード結晶の加工法として
は、通常の機械加工、例えば、切断加工、研削加工、レ
ーザー加工などが用いられ、特に限定されるものではな
い。
【００３０】さらには、シード結晶の融液に浸す部分の
表面として、育成したままのシリコン結晶の表面が望ま
しいことも見出だした。中でもＭＣＺ法（磁場印加引上
法）で育成した結晶は表面粗さが更に小さくなるため、
融液に浸す部分の表面としては最適である。
【００３１】また、本発明者らは、転位の発生を抑制す
るためには、ｐ型、ｎ型ともに１×１０17cm-3以上の高
ドープのシード結晶を用いることが有効であることを見
出した。ドーパント（ドーピング材料）は転位を固着す
る効果があるため、ドーパントを多く含有した結晶内で
は転位の発生を抑制することができる。このドーパント
濃度の上限値は、通常のシリコン単結晶で用いられてい
るドーパント濃度を考えた場合、例えば、１×１０20cm
-3程度である。
【００３２】本発明では、見出だされた前記諸条件のう
ち一定の条件群についてはその中の少なくともいずれか
１つの条件を満たすことにより、ダッシュネックを行う
ことなく無転位のシリコン単結晶を育成することができ
る。
【００３３】また、本発明では、これら各条件を複数組
み合わせて実施することも可能である。例えば、シード
結晶の融液への浸漬速度が２.８mm／分以下であり、か
つ、シード結晶の融液に浸す部分が育成したままの表面
である場合や、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角であ
り、かつ、シード結晶の融液に浸す部分が育成したまま
の表面である場合には、無転位シリコン単結晶を製造す
る際の歩留まりが特に良くなる。また、シード結晶の融
液への浸漬速度が２.８mm／分以下であり、シード結晶
の融液に浸す部分が育成したままの表面であり、かつ、
シード結晶の先端１０mm角度が鋭角である場合には、無
転位シリコン単結晶を製造する際の歩留まりが更に良く
なる。もちろん、本発明は、ここに例示した以外のいろ
いろな組合せによっても実施することができる。
【００３４】このような本発明の無転位シリコン単結晶
の製造方法によれば、ネック部の直径を５mm以上にする
ことができる。したがって、大口径、大重量の本体部の
育成に必要かつ十分な大きさまでネック部を太くするこ
とができ、場合によってはネック部の太さを育成するシ
リコン単結晶の太さと同じ程度にまで、可能な限り太く
することもできる。
【００３５】なお、本発明を実施する際に使用する無転
位シリコン単結晶製造装置は、通常のＣＺ法による無転
位シリコン単結晶の製造に使用されるものであれば特に
限定されるわけではなく、例えば、図１に示すような製
造装置である。
【００３６】図１に示すＣＺ法によるシリコン単結晶製
造装置は、シリコン溶融液Ｍを収容する石英ルツボ６ａ
とこれを保護する黒鉛製ルツボ６ｂとからなるルツボ６
と、育成された無転位シリコン単結晶インゴットＳを収
容する結晶引上げ炉１とを有する。ルツボ６の側面部に
は、これを取り囲むように加熱ヒーター４とこの加熱ヒ
ーター４からの熱が結晶引上げ炉１の外部に逃げるのを
防止するための断熱材３とが設置されている。ルツボ６
は、回転治具５を介して図示しない駆動装置と接続さ
れ、この駆動装置によって所定の速度で回転駆動される
とともに、ルツボ６内のシリコン融液Ｍの減少に伴って
シリコン融液Ｍの液面が低下するのを補うために昇降駆
動されるようになっている。結晶引上げ炉１の内部に
は、垂下された引上げワイヤー７が設置され、この引上
げワイヤー７の下端には、シード結晶８を保持するチャ
ック９が設けられている。引上げワイヤー７の上端側は
ワイヤー巻上げ機２に巻き取られ、これによって無転位
シリコン単結晶インゴットＳが引き上げられる。また、
結晶引上げ炉１内には、この結晶引上げ炉１に形成され
たガス導入口１０からＡｒガスが導入される。導入され
たＡｒガスは結晶引上げ炉１内を流通してガス排出口１
１から排出される。このようにＡｒガスを内部に流通さ
せるのは、シリコンの溶融に伴って結晶引上げ炉１内に
発生するＳｉＯをシリコン融液Ｍの中に混入させないよ
うにするためである。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００３８】なお、以下の実施例および比較例におい
て、結晶内の転位の有無の判定は、育成した結晶を鏡面
研磨した後、Ｘ線トポグラフ写真を撮影することによっ
て行った。
【００３９】実施例１ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。 ・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：９℃／mm ・融液への浸漬速度：４.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：３０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００４０】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：２Ω・cm、酸素濃度：６.０
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００４１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下である場合には、ダッシュネッ
クを行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成する
ことができた。
【００４２】実施例２ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００４３】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：８℃／mm ・融液への浸漬速度：２.６mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：２８μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝２×１０15cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００４４】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：７.
０〜７.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００４５】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、また、シード結晶の融
液への浸漬速度が２.８mm／分以下である場合には、ダ
ッシュネックを行うことなく、無転位のシリコン単結晶
を育成することができた。
【００４６】実施例３ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００４７】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：７℃／mm ・融液への浸漬速度：３.６mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図２参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：１２０度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４２μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝２×１０14cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：３０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００４８】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：７.８
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００４９】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、また、シード結晶の先
端が下に凸である場合には、ダッシュネックを行うこと
なく、無転位のシリコン単結晶を育成することができ
た。
【００５０】実施例４ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００５１】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：６℃／mm ・融液への浸漬速度：４.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図３参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：８５度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称で
ない ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４２μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝３×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００５２】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：８.
５〜９.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００５３】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、また、シード結晶の先
端１０mm角度が鋭角である場合には、ダッシュネックを
行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成すること
ができた。
【００５４】実施例５ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００５５】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：５℃／mm ・融液への浸漬速度：４.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図４参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：８０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称
（三角錐） ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４２μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝８×１０14cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００５６】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：８.
０〜８.７×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００５７】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の先端１０
mm角度が鋭角であり、また、シード結晶の先端形状が結
晶中心軸に関して対称である場合には、ダッシュネック
を行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成するこ
とができた。
【００５８】実施例６ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００５９】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：６℃／mm ・融液への浸漬速度：５.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：８２度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称
（円錐形） ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：３５μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝４×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００６０】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：８.
２〜８.９×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００６１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の先端１０
mm角度が鋭角であり、また、シード結晶の先端形状が円
錐形である場合には、ダッシュネックを行うことなく、
無転位のシリコン単結晶を育成することができた。
【００６２】実施例７ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００６３】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：３℃／mm ・融液への浸漬速度：１.８mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図５参照） ・シード先端１０mm角度：６０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して非対称 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値(基準長さ０.
１mm)：３５.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削したま
ま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝２×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００６４】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：７.
５〜８.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００６５】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の融液への
浸漬速度が２.８mm／分以下であり、また、シード結晶
の先端１０mm角度が鋭角である場合には、ダッシュネッ
クを行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成する
ことができた。
【００６６】実施例８ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００６７】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１５℃／
ｍｍ ・融液への浸漬速度：１０．０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４.５μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：レーザー加
工したまま ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝８×１０14cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００６８】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：７.２
〜７.９×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００６９】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶の融液に浸す部分のＲma
x 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以下である場合に
は、ダッシュネックを行うことなく、無転位のシリコン
単結晶を育成することができた。
【００７０】実施例９ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００７１】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１５℃／
mm ・融液への浸漬速度：１０.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝８×１０14cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００７２】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：７.２
〜７.９×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００７３】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液に浸す部分のＲma
x 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以下であり、また、
シード結晶の融液に浸す部分が機械加工およびエッチン
グされている場合には、ダッシュネックを行うことな
く、無転位のシリコン単結晶を育成することができた。
【００７４】実施例１０ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００７５】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１８℃／
mm ・融液への浸漬速度：５.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：１１０度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：１.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝５×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００７６】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：８.０
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００７７】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液に浸す部分のＲma
x 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以下であり、シード
結晶の先端が下に凸であり、また、シード結晶の融液に
浸す部分が育成されたままの状態である場合には、ダッ
シュネックを行うことなく、無転位のシリコン単結晶を
育成することができた。
【００７８】実施例１１ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００７９】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１８℃／
mm ・融液への浸漬速度：５.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：１２０度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：１.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法で育成したままの状態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝５×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００８０】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：８.０
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００８１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液に浸す部分のＲma
x 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以下であり、シード
結晶の先端が下に凸であり、また、シード結晶の融液に
浸す部分がＭＣＺ法で育成されたままの状態である場合
には、ダッシュネックを行うことなく、無転位のシリコ
ン単結晶を育成することができた。
【００８２】実施例１２ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００８３】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１２℃／
mm ・融液への浸漬速度：８.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値(基準長さ０.
１mm)：３５.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削したま
ま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝２×１０17cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００８４】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：８.０
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００８５】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶のドーパント濃度が１×
１０17cm-3以上である場合には、ダッシュネックを行う
ことなく、無転位のシリコン単結晶を育成することがで
きた。
【００８６】実施例１３ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００８７】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１２℃／
mm ・融液への浸漬速度：８.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値(基準長さ０.
１mm)：３５.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削したま
ま ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝２×１０17cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００８８】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：８.０
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００８９】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶のドーパント濃度が１×
１０17cm-3以上である場合には、ダッシュネックを行う
ことなく、無転位のシリコン単結晶を育成することがで
きた。
【００９０】実施例１４ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００９１】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：４℃／mm ・融液への浸漬速度：１.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：３.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝４×１０15cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１５ｍｍ シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００９２】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０ｍ
ｍ（１２インチ）、抵抗率：７Ω・cm、酸素濃度：６.
５〜７.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００９３】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の融液への
浸漬速度が２.８mm／分以下であり、シード結晶の融液
に浸す部分のＲmax 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以
下であり、また、シード結晶の融液に浸す部分が機械加
工およびエッチングされている場合には、ダッシュネッ
クを行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成する
ことができた。
【００９４】実施例１５ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００９５】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：８℃／mm ・融液への浸漬速度：７.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（第６図参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：７０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して非対称 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝２×１０14cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【００９６】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：７.
５〜８.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【００９７】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の融液に浸
す部分のＲmax 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以下で
あり、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角であり、ま
た、シード結晶の融液に浸す部分が機械加工およびエッ
チングされている場合には、ダッシュネックを行うこと
なく、無転位のシリコン単結晶を育成することができ
た。
【００９８】実施例１６ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【００９９】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：３℃／mm ・融液への浸漬速度：１.２mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（第７図参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：６０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して非対称 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：２.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１００】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：７.
５〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１０１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の融液への
浸漬速度が２.８mm／分以下であり、シード結晶の融液
に浸す部分のＲmax 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以
下であり、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角であり、
また、シード結晶の融液に浸す部分が機械加工およびエ
ッチングされている場合には、ダッシュネックを行うこ
となく、無転位のシリコン単結晶を育成することができ
た。
【０１０２】実施例１７ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１０３】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：２℃／mm ・融液への浸漬速度：１.２mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：１１０度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：２.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝１×１０15cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１０４】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：８Ω・cm、酸素濃度：８.５
〜９.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１０５】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の融液への
浸漬速度が２.８mm／分以下であり、シード結晶の融液
に浸す部分のＲmax 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以
下であり、シード結晶の先端が下に凸であり、また、シ
ード結晶の融液に浸す部分が育成されたままの状態であ
る場合には、ダッシュネックを行うことなく、無転位の
シリコン単結晶を育成することができた。
【０１０６】実施例１８ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１０７】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１.８℃
／ｍｍ ・融液への浸漬速度：５ｍｍ／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：６０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称
（円錐形） ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：１.５μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝２×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶であるミニインゴットにテール部を形成し、
そのテール部を浸漬した。シード結晶の浸漬が完了し、
結晶が融液になじんだ後、ダッシュネックを行わずにシ
リコン単結晶の本体部を育成した。
【０１０８】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：２Ω・cm、酸素濃度：７.０
〜７.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１０９】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の融液に浸
す部分のＲmax 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以下で
あり、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角であり、ま
た、シード結晶の融液に浸す部分が育成されたままの状
態である場合には、ダッシュネックを行うことなく、無
転位のシリコン単結晶を育成することができた。
【０１１０】実施例１９ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１１１】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１.５℃
／mm ・融液への浸漬速度：１.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：４５度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：１.３μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝３×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２２mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１１２】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：４Ω・cm、酸素濃度：８.３
〜９.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１１３】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶内に発生する温度勾配の
最大値が１０℃／mm以下であり、シード結晶の融液への
浸漬速度が２.８mm／分以下であり、シード結晶の融液
に浸す部分のＲmax 値（基準長さ０.１mm）が５μｍ以
下であり、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角であり、
また、シード結晶の融液に浸す部分が育成されたままの
状態である場合には、ダッシュネックを行うことなく、
無転位のシリコン単結晶を育成することができる。
【０１１４】実施例２０ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１１５】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：２.６mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：２８μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝５×１０15cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１１６】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：８Ω・cm、酸素濃度：７.０
〜７.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１１７】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶の融液への浸漬速度が
２.８mm／分以下である場合には、ダッシュネックを行
うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成することが
できた。
【０１１８】実施例２１ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１１９】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：３.６mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図２参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：１２０度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４２μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝１×１０14cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１２０】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：７.８
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１２１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶の先端が下に凸である場
合には、ダッシュネックを行うことなく、無転位のシリ
コン単結晶を育成することができた。
【０１２２】実施例２２ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１２３】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：４.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図３参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：８５度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称で
ない ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：３５μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝３×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１２４】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：８.
５〜８.８×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１２５】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角
である場合には、ダッシュネックを行うことなく、無転
位のシリコン単結晶を育成することができた。
【０１２６】実施例２３ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１２７】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：４.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図４参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：８０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称
（三角錐） ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：４２μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０14cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１２８】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：８.
３〜８.７×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１２９】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角
であり、また、シード結晶の先端形状が結晶中心軸に関
して対称である場合には、ダッシュネックを行うことな
く、無転位のシリコン単結晶を育成することができた。
【０１３０】実施例２４ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１３１】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：５.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：８２度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称
（円錐形） ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：３５μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１３２】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：８.
２〜８.９×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１３３】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角
であり、また、シード結晶の先端形状が円錐形である場
合には、ダッシュネックを行うことなく、無転位のシリ
コン単結晶を育成することができた。
【０１３４】実施例２５ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１３５】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：１.８mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（図５参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：６０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して非対称 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値(基準長さ０.
１mm)：３５.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削したま
ま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１２mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１３６】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：７.
０〜８.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１３７】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合において、シード結晶の融液への浸漬速度が
２.８mm／分以下であり、また、シード結晶の先端１０m
m角度が鋭角である場合には、ダッシュネックを行うこ
となく、無転位のシリコン単結晶を育成することができ
た。
【０１３８】実施例２６ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１３９】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１５℃／
mm ・融液への浸漬速度：１０.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：５.２μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝８×１０14cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１４０】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：７.２
〜７.９×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１４１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液に浸す部分が機械
加工およびエッチングされている場合には、ダッシュネ
ックを行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成す
ることができた。
【０１４２】実施例２７ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１４３】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１８℃／
ｍｍ ・融液への浸漬速度：５．０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：１１０度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：６.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１５mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１４４】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：８.２
〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１４５】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の先端が下に凸であり、
また、シード結晶の融液に浸す部分が育成されたままの
状態である場合には、ダッシュネックを行うことなく、
無転位のシリコン単結晶を育成することができた。
【０１４６】実施例２８ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１４７】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１８℃／
mm ・融液への浸漬速度：５.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：１２０度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：６.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法で育成したままの状態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝３×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１４８】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：５Ω・cm、酸素濃度：８.０
〜８.３×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１４９】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の先端が下に凸であり、
また、シード結晶の融液に浸す部分がＭＣＺ法で育成さ
れたままの状態である場合には、ダッシュネックを行う
ことなく、無転位のシリコン単結晶を育成することがで
きた。
【０１５０】実施例２９ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１５１】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：１.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：８.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝１×１０15cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１５２】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：７Ω・cm、酸素濃度：７.０
〜７.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１５３】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液への浸漬速度が
２.８mm／分以下であり、また、シード結晶の融液に浸
す部分が機械加工およびエッチングされている場合に
は、ダッシュネックを行うことなく、無転位のシリコン
単結晶を育成することができた。
【０１５４】実施例３０ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１５５】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：７.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（第６図参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：７０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して非対称 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：５.５μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：リン＝５×１０14cm-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１２mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１５６】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｎ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：８Ω・cm、酸素濃度：７.５
〜８.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１５７】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角
であり、また、シード結晶の融液に浸す部分が機械加工
およびエッチングされている場合には、ダッシュネック
を行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成するこ
とができた。
【０１５８】実施例３１ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１５９】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：１.２mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸（第７図参照） ・シード結晶の先端１０mm角度：６０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して非対称 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：６.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工＋
エッチング ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝５×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１６０】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：１０Ω・cm、酸素濃度：７.
５〜８.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会
による酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１６１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液への浸漬速度が
２.８mm／分以下であり、シード結晶の先端１０mm角度
が鋭角であり、また、シード結晶の融液に浸す部分が機
械加工およびエッチングされている場合には、ダッシュ
ネックを行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成
することができた。
【０１６２】実施例３２ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１６３】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：１.２mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：６.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１６４】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：６Ω・cm、酸素濃度：８.５
〜９.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１６５】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液への浸漬速度が
２.８mm／分以下であり、また、シード結晶の融液に浸
す部分が育成されたままの状態である場合には、ダッシ
ュネックを行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育
成することができた。
【０１６６】実施例３３ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１６７】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：５.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：６０度 ・シード結晶の先端の形状は結晶中心軸に関して対称
（円錐形） ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：６.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：１８mm シード結晶であるミニインゴットにテール部を形成し、
そのテール部を浸漬した。シード結晶の浸漬が完了し、
結晶が融液になじんだ後、ダッシュネックを行わずにシ
リコン単結晶の本体部を育成した。
【０１６８】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：６Ω・cm、酸素濃度：７.０
〜７.５×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１６９】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の先端１０mm角度が鋭角
であり、また、シード結晶の融液に浸す部分が育成され
たままの状態である場合には、ダッシュネックを行うこ
となく、無転位のシリコン単結晶を育成することができ
た。
【０１７０】実施例３４ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１７１】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：１.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：下に凸 ・シード結晶の先端１０mm角度：４５度 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：５.５μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：ミニインゴ
ット（ＭＣＺ法でない通常のＣＺ法で育成したままの状
態） ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝３×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２２mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１７２】この条件で育成されたシリコン単結晶は、
以下の性質を呈した。伝導型：ｐ型。結晶径：３１０mm
（１２インチ）、抵抗率：４Ω・cm、酸素濃度：８.３
〜９.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会に
よる酸素濃度換算係数を用いて算出）、炭素濃度：＜
１.０×１０17atoms／cm3（日本電子工業振興協会によ
る炭素濃度換算係数を用いて算出）。また、育成された
シリコン単結晶は、無転位であった。
【０１７３】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ある場合において、シード結晶の融液への浸漬速度が
２.８mm／分以下であり、シード結晶の先端１０mm角度
が鋭角であり、また、シード結晶の融液に浸す部分が育
成されたままの状態である場合には、ダッシュネックを
行うことなく、無転位のシリコン単結晶を育成すること
ができた。
【０１７４】比較例１ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１７５】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１１℃／
mm ・融液への浸漬速度：３.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：６.０μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝１×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０mm シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１７６】このようにして育成されたシリコン単結晶
は、有転位であった。
【０１７７】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５mm以上で
ありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工されて
いる場合であっても、シード結晶内に発生する温度勾配
の最大値が１０℃／mmよりも大きく、シード結晶の融液
への浸漬速度が２.８mm／分よりも大きく、シード結晶
の先端が下に凸でなく、シード結晶の融液に浸す部分の
Ｒmax 値（基準長さ０.１mm）が５.０μｍよりも大き
く、かつ、シード結晶のドーパント濃度が１×１０17cm
-3未満である場合には、無転位のシリコン単結晶を育成
することは困難であった。
【０１７８】比較例２ 図１の装置を使用して、以下の条件でシード結晶を融液
に浸した。
【０１７９】・シード結晶の転位の有無：無 ・シード結晶内に発生する温度勾配の最大値：１５℃／
mm ・融液への浸漬速度：３.０mm／分 ・シード結晶の先端形状：平坦 ・シード結晶の融液に浸す部分のＲmax 値（基準長さ
０.１mm）：５.４μｍ ・シード結晶の融液に浸す部分の表面状態：研削加工し
たまま ・シード結晶のドーパント濃度：ホウ素＝５×１０15cm
-3 ・浸漬完了時に融液に浸されている部分の水平方向最大
長さ：２０ｍｍ シード結晶の浸漬が完了し、結晶が融液になじんだ後、
ダッシュネックを行わずにシリコン単結晶の本体部を育
成した。
【０１８０】このようにして育成されたシリコン単結晶
は、有転位であった。
【０１８１】このように、浸漬完了時にシード結晶の融
液に浸されている部分の水平方向最大長さが５ｍｍ以上
でありかつシード結晶の融液に浸す部分が機械加工され
ている場合であっても、シード結晶内に発生する温度勾
配の最大値が１０℃／mmよりも大きく、シード結晶の融
液への浸漬速度が２.８mm／分よりも大きく、シード結
晶の先端が下に凸でなく、シード結晶の融液に浸す部分
のＲmax 値（基準長さ０.１mm）が５.０μｍよりも大き
く、かつ、シード結晶のドーパント濃度が１×１０17cm
-3未満である場合には、無転位のシリコン単結晶を育成
することは困難であった。
【０１８２】なお、以上、本発明を実施例を挙げて説明
したが、本発明がこれらの実施例の記載によって制限さ
れるものではないことは言うまでもない。
【０１８３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る無転
位シリコン単結晶の製造方法によれば、ダッシュネック
を行わずに直径５mm以上のシード部で結晶重量を支える
ことができるため、大重量によるネック部の破壊が原因
の結晶落下事故を防止しつつ、大口径かつ大重量の無転
位シリコン単結晶を安全にかつ再現良く製造することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ＣＺ法による無転位シリコン単結晶製造装置
の概略図である。
【図２】 実施例３と実施例２１で使用したシード結晶
の先端の形状を示す図面であり、同図（Ａ）は正面図、
同図（Ｂ）は斜視図である。
【図３】 実施例４と実施例２２で使用したシード結晶
の先端の形状を示す図面であり、同図（Ａ）は正面図、
同図（Ｂ）は斜視図である。
【図４】 実施例５と実施例２３で使用したシード結晶
の先端の形状を示す図面であり、同図（Ａ）は正面図、
同図（Ｂ）は斜視図である。
【図５】 実施例７と実施例２５で使用したシード結晶
の先端の形状を示す図面であり、同図（Ａ）は正面図、
同図（Ｂ）は斜視図である。
【図６】 実施例１５と実施例３０で使用したシード結
晶の先端の形状を示す図面であり、同図（Ａ）は正面
図、同図（Ｂ）は斜視図である。
【図７】 実施例１６と実施例３１で使用したシード結
晶の先端の形状を示す図面であり、同図（Ａ）は正面
図、同図（Ｂ）は斜視図である。
【符号の説明】
１…結晶引上げ炉 ２…ワイヤー巻上げ機 ３…断熱材 ４…加熱ヒーター ５…回転治具 ６…ルツボ ６ａ…石英ルツボ ６ｂ…黒鉛ルツボ ７…ワイヤー ８…シード結晶 ９…チャック １０…ガス導入口 １１…ガス排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯村 宙 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内 (72)発明者 石田 圭禎 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内 (72)発明者 田村 道春 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内 (72)発明者 碇 敦 神奈川県川崎市中原区井田３−35−１ 新 日本製鐵株式会社技術開発本部内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 無転位シリコン単結晶からなるシード結
    晶をシリコン融液に浸し、その後ネッキングを行わずに
    引き上げて無転位シリコン単結晶の本体部を育成する、
    チョクラルスキー法による無転位シリコン単結晶の製造
    方法であって、 下記の条件、すなわち、（ａ）前記シード結晶の前記シ
    リコン融液への浸漬が完了した時点における前記シード
    結晶の前記シリコン融液に浸されている部分の水平方向
    最大長さが５mm以上であること、（ｂ）前記シード結晶
    の前記シリコン融液に浸す部分が機械加工により成形さ
    れていること、および、（ｃ）下記（ｃ１）〜（ｃ６）
    からなる群から選択される少なくともいずれか一の条件
    を満たすこと、 （ｃ１）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分
    の先端が下に凸であること、 （ｃ２）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分
    の表面粗さＲmax 値が基準長さを０.１mmとしたときに
    ５μｍ以下であること、 （ｃ３）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分
    がエッチング処理されていること、 （ｃ４）前記シード結晶に含まれているドーパントの濃
    度が１×１０17cm-3以上であること、 （ｃ５）前記シード結晶を前記シリコン融液に浸す際の
    浸漬速度が２.８mm／分以下であること、 （ｃ６）前記シード結晶の内部に生じる温度勾配がシリ
    コン単結晶育成中において１０℃／mm以下であること、 を満たすことを特徴とする無転位シリコン単結晶の製造
    方法。
  2. 【請求項２】 前記シード結晶は先端１０mm角度が鋭角
    であることを特徴とする請求項１に記載の無転位シリコ
    ン単結晶の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記シード結晶は前記シリコン融液に浸
    す部分の先端の形状が結晶中心軸に関して対称であるこ
    とを特徴とする請求項１または２に記載の無転位シリコ
    ン単結晶の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記シード結晶は前記シリコン融液に浸
    す部分の先端の形状が円錐形であることを特徴とする請
    求項３に記載の無転位シリコン単結晶の製造方法。
  5. 【請求項５】 無転位シリコン単結晶からなるシード結
    晶をシリコン融液に浸し、その後ネッキングを行わずに
    引き上げて無転位シリコン単結晶の本体部を育成する、
    チョクラルスキー法による無転位シリコン単結晶の製造
    方法であって、 下記の条件、すなわち、（ａ）前記シード結晶の前記シ
    リコン融液への浸漬が完了した時点における前記シード
    結晶の前記シリコン融液に浸されている部分の水平方向
    最大長さが５mm以上であること、および、（ｂ）下記の
    （ｂ１）〜（ｂ６）からなる群から選択される少なくと
    もいずれか一の条件を満たすこと （ｂ１）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分
    が育成されたままの状態であること、 （ｂ２）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分
    の先端が下に凸であること、 （ｂ３）前記シード結晶の前記シリコン融液に浸す部分
    の表面粗さＲmax 値が基準長さを０.１mmとしたときに
    ５μｍ以下であること、 （ｂ４）前記シード結晶に含まれているドーパントの濃
    度が１×１０17cm-3以上であること、 （ｂ５）前記シード結晶を前記シリコン融液に浸す際の
    浸漬速度が２.８mm／分以下であること、 （ｂ６）前記シード結晶の内部に生じる温度勾配がシリ
    コン単結晶育成中において１０℃／mm以下であること、 を満たすことを特徴とする無転位シリコン単結晶の製造
    方法。
  6. 【請求項６】 前記シード結晶は少なくとも前記シリコ
    ン融液に浸す部分がＭＣＺ法により育成されていること
    を特徴とする請求項５に記載の無転位シリコン単結晶の
    製造方法。
  7. 【請求項７】 前記シード結晶は先端１０mm角度が鋭角
    であることを特徴とする請求項５に記載の無転位シリコ
    ン単結晶の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記シード結晶は前記シリコン融液に浸
    す部分の先端の形状が結晶中心軸に関して対称であるこ
    とを特徴とする請求項５または７に記載の無転位シリコ
    ン単結晶の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記シード結晶は前記シリコン融液に浸
    す部分の先端の形状が円錐形であることを特徴とする請
    求項８に記載の無転位シリコン単結晶の製造方法。
JP10143072A 1997-06-10 1998-05-25 無転位シリコン単結晶の製造方法 Pending JPH1160379A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10143072A JPH1160379A (ja) 1997-06-10 1998-05-25 無転位シリコン単結晶の製造方法
US09/093,179 US6080237A (en) 1997-06-10 1998-06-08 Method for production of dislocation-free silicon single crystal
DE19825745A DE19825745A1 (de) 1997-06-10 1998-06-09 Verfahren zur Herstellung eines fehlordnungsfreien Silicium-Einkristalls

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15224697 1997-06-10
JP9-152246 1997-06-10
JP10143072A JPH1160379A (ja) 1997-06-10 1998-05-25 無転位シリコン単結晶の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1160379A true JPH1160379A (ja) 1999-03-02

Family

ID=26474884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10143072A Pending JPH1160379A (ja) 1997-06-10 1998-05-25 無転位シリコン単結晶の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6080237A (ja)
JP (1) JPH1160379A (ja)
DE (1) DE19825745A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010002568T5 (de) 2009-06-18 2012-09-13 Sumco Corporation Silicium-einkristall und verfahren zum herstellen desselben
JP2013056785A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｔｇｇ単結晶育成におけるシーディング方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19737581B4 (de) * 1997-08-28 2007-03-08 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Verfahren zum (Aus)Ziehen eines Einkristalls
TW538445B (en) * 1998-04-07 2003-06-21 Shinetsu Handotai Kk Silicon seed crystal and method for producing silicon single crystal
US6548886B1 (en) * 1998-05-01 2003-04-15 Wacker Nsce Corporation Silicon semiconductor wafer and method for producing the same
JP4567251B2 (ja) * 2001-09-14 2010-10-20 シルトロニック・ジャパン株式会社 シリコン半導体基板およびその製造方法
US6866713B2 (en) * 2001-10-26 2005-03-15 Memc Electronic Materials, Inc. Seed crystals for pulling single crystal silicon
JP2003192488A (ja) * 2001-12-20 2003-07-09 Wacker Nsce Corp シリコン単結晶製造用種結晶及びシリコン単結晶の製造方法
US20070188717A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Melcher Charles L Method for producing crystal elements having strategically oriented faces for enhancing performance
DE102016001729A1 (de) 2016-02-16 2017-08-17 Krasimir Kosev Einkristallzüchtungsvorrichtung
DE102016002553B4 (de) 2016-03-04 2018-12-06 Krasimir Kosev Einkristallzüchtungsvorrichtung
CN110670122A (zh) * 2019-11-15 2020-01-10 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种直拉单晶用新型籽晶及熔接工艺

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0449260B1 (en) * 1990-03-30 1995-08-30 Shin-Etsu Handotai Company Limited Apparatus for producing czochralski-grown single crystals
JP2525300B2 (ja) * 1991-08-19 1996-08-14 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
US5578284A (en) * 1995-06-07 1996-11-26 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon single crystal having eliminated dislocation in its neck
WO1997032059A1 (fr) * 1996-02-29 1997-09-04 Sumitomo Sitix Corporation Procede et appareil pour retirer un monocristal
JPH10203898A (ja) * 1997-01-17 1998-08-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造方法および種結晶
US5885344A (en) * 1997-08-08 1999-03-23 Memc Electronic Materials, Inc. Non-dash neck method for single crystal silicon growth

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112010002568T5 (de) 2009-06-18 2012-09-13 Sumco Corporation Silicium-einkristall und verfahren zum herstellen desselben
JP2013056785A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｔｇｇ単結晶育成におけるシーディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6080237A (en) 2000-06-27
DE19825745A1 (de) 1998-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3969766B2 (ja) シリコン単結晶のネック部において転位を除去する方法
CN101565185B (zh) 多晶硅棒的制造方法
JP4142332B2 (ja) 単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンウェーハの製造方法、単結晶シリコン製造用種結晶、単結晶シリコンインゴットおよび単結晶シリコンウェーハ
EP0854211B1 (en) Method of manufacturing silicon monocrystal, and seed crystal used in the method
JP4151580B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法並びにシリコン単結晶とシリコンウエーハ
KR100844260B1 (ko) 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법, 및 실리콘 단결정 육성방법
EP0879903B1 (en) Silicon seed crystal, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a silicon monocrystal through use of the seed crystal
US6080237A (en) Method for production of dislocation-free silicon single crystal
JP2973917B2 (ja) 単結晶引き上げ方法
JP4407188B2 (ja) シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
US6514337B2 (en) Method of growing large-diameter dislocation-free<110> crystalline ingots
JP2003192488A (ja) シリコン単結晶製造用種結晶及びシリコン単結晶の製造方法
US6090198A (en) Method for reducing thermal shock in a seed crystal during growth of a crystalline ingot
JP3683735B2 (ja) 無転位シリコン単結晶の製造方法および無転位シリコン単結晶インゴット
JP4215249B2 (ja) シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法
JP2000128691A (ja) シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法
JP2011251892A (ja) ＩｎＰ単結晶およびその製造方法
JP3473477B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
JPH09249495A (ja) 単結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法
JP2002220297A (ja) 種結晶およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法
JPH05319987A (ja) シリコン単結晶の製造方法
Deitch et al. Growth of Large Diameter Silicon-Germanium Monocrystals
JP2004203644A (ja) シリコン単結晶製造用種結晶及びシリコン単結晶の製造方法
JPH11217297A (ja) シリコン種結晶の処理方法およびシリコン種結晶ならびにシリコン単結晶の製造方法