JPH116054A - シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびこの方法により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜 - Google Patents
シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびこの方法により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜時に他の構造膜にダメージを与えたり、
フレークを生じることなく、高い成膜レートが得られる
シリコン、または高耐圧、高硬度が得られるシリコン化
合物薄膜の成膜方法およびその方法により得られたシリ
コンまたはシリコン化合物薄膜を提供する。 【解決手段】 高密度プラズマガンを用いて材料を蒸発
させ、基板上にシリコンまたはシリコン化合物薄膜を成
膜するシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法と
した。
フレークを生じることなく、高い成膜レートが得られる
シリコン、または高耐圧、高硬度が得られるシリコン化
合物薄膜の成膜方法およびその方法により得られたシリ
コンまたはシリコン化合物薄膜を提供する。 【解決手段】 高密度プラズマガンを用いて材料を蒸発
させ、基板上にシリコンまたはシリコン化合物薄膜を成
膜するシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法と
した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、機能性薄膜の製造
方法および薄膜に関し、より詳しくは、ＴＦＴ、太陽電
池、磁気ヘッド、サーマルヘッド等に使用されるシリコ
ンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびその方法
により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜に関
する。
方法および薄膜に関し、より詳しくは、ＴＦＴ、太陽電
池、磁気ヘッド、サーマルヘッド等に使用されるシリコ
ンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびその方法
により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、シリコンを用いた半導体製品も多
岐に渡り、種々の製品が開発され実用化されている。中
でも、シリコンまたはシリコン薄膜を応用した製品とし
て、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、電荷転送デバイス
（ＣＣＤ）、太陽電池、有機ＥＬ素子、磁気ヘッド、サ
ーマルヘッド等への応用が注目を集めている。
岐に渡り、種々の製品が開発され実用化されている。中
でも、シリコンまたはシリコン薄膜を応用した製品とし
て、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、電荷転送デバイス
（ＣＣＤ）、太陽電池、有機ＥＬ素子、磁気ヘッド、サ
ーマルヘッド等への応用が注目を集めている。
【０００３】シリコンまたはシリコン化合物薄膜を応用
した製品として、α−Ｓｉを応用した薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）は、携帯型等のパーソナルコンピュータ用の
ディスプレイとして近年急速に需要が増大している。ま
た、ＣＣＤもビデオカメラ、電子カメラ、各種光学機器
等に幅広く応用され、急速に需要が増大している。α−
Ｓｉ薄膜を基板に用いた太陽電池は、省エネルギーや省
資源問題が注目される中、クリーンなエネルギー源とし
て注目されている。一方、シリコン化合物薄膜の応用、
特に保護膜としての使用が期待される磁気ヘッド、サー
マルヘッドにおいても、特にコンピュータ用記憶装置
や、出力装置に使用され、同様に需要が増大している。
さらに、自己発光性の表示装置として、幅広い用途が期
待される有機ＥＬ素子が研究され、実用化されている
が、この有機ＥＬ素子の保護膜ないし封止膜への応用が
研究されている。
した製品として、α−Ｓｉを応用した薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）は、携帯型等のパーソナルコンピュータ用の
ディスプレイとして近年急速に需要が増大している。ま
た、ＣＣＤもビデオカメラ、電子カメラ、各種光学機器
等に幅広く応用され、急速に需要が増大している。α−
Ｓｉ薄膜を基板に用いた太陽電池は、省エネルギーや省
資源問題が注目される中、クリーンなエネルギー源とし
て注目されている。一方、シリコン化合物薄膜の応用、
特に保護膜としての使用が期待される磁気ヘッド、サー
マルヘッドにおいても、特にコンピュータ用記憶装置
や、出力装置に使用され、同様に需要が増大している。
さらに、自己発光性の表示装置として、幅広い用途が期
待される有機ＥＬ素子が研究され、実用化されている
が、この有機ＥＬ素子の保護膜ないし封止膜への応用が
研究されている。
【０００４】シリコンまたはシリコン化合物薄膜を成膜
する方法として、ＣＶＤ法を用いた蒸着方法が広く用い
られている。しかし、ＣＶＤ法を用いてＴＦＴ等を製膜
した場合、その成膜レートが、５〜２０nm／min を超え
るといわゆるフレークという膜の異常成長が生じたり、
他の構造膜にダメージを与える等の問題が生じるため、
事実上前記成膜レートに制限されてていた。このように
成膜レートが制限されることにより、量産性に劣り、特
に近年の急速な需要増大に対応可能な成膜技術が望まれ
ていた。
する方法として、ＣＶＤ法を用いた蒸着方法が広く用い
られている。しかし、ＣＶＤ法を用いてＴＦＴ等を製膜
した場合、その成膜レートが、５〜２０nm／min を超え
るといわゆるフレークという膜の異常成長が生じたり、
他の構造膜にダメージを与える等の問題が生じるため、
事実上前記成膜レートに制限されてていた。このように
成膜レートが制限されることにより、量産性に劣り、特
に近年の急速な需要増大に対応可能な成膜技術が望まれ
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、成膜
時に他の構造膜にダメージを与えたり、フレークを生じ
ることなく、高い成膜レートが得られるシリコン、また
は高耐圧、高硬度が得られるシリコン化合物薄膜の成膜
方法およびその方法により得られたシリコンまたはシリ
コン化合物薄膜を提供することである。
時に他の構造膜にダメージを与えたり、フレークを生じ
ることなく、高い成膜レートが得られるシリコン、また
は高耐圧、高硬度が得られるシリコン化合物薄膜の成膜
方法およびその方法により得られたシリコンまたはシリ
コン化合物薄膜を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】ところで、信学技報 TE
CHNICAL REPORT OF IECE. EID96-58(1996-11) には、高
密度プラズマが生成可能な圧力勾配型プラズマガンに、
ビーム修正装置を付加したイオンプレーティング法（Ｕ
ＲＴ−ＩＰ法）が記載されている。そして、この成膜法
を用いることで、大面積基板に均一な成膜が可能で、高
速にポテンシャルの高い成膜を行うことが可能である点
についての記載がある。
CHNICAL REPORT OF IECE. EID96-58(1996-11) には、高
密度プラズマが生成可能な圧力勾配型プラズマガンに、
ビーム修正装置を付加したイオンプレーティング法（Ｕ
ＲＴ−ＩＰ法）が記載されている。そして、この成膜法
を用いることで、大面積基板に均一な成膜が可能で、高
速にポテンシャルの高い成膜を行うことが可能である点
についての記載がある。
【０００７】しかしながら、この文献で実際に成膜が検
討されている薄膜はＩＴＯ透明電極のみであり、高密度
プラズマガンを用いてシリコンまたはシリコン化合物薄
膜を成膜する検討がなされたものは存在しない。
討されている薄膜はＩＴＯ透明電極のみであり、高密度
プラズマガンを用いてシリコンまたはシリコン化合物薄
膜を成膜する検討がなされたものは存在しない。
【０００８】すなわち、上記の目的は以下の構成により
達成される。 （１） 高密度プラズマガンを用いて材料を蒸発させ、
基板上にシリコンまたはシリコン化合物薄膜を成膜する
シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法。 （２） 成膜レートが５０nm／min 以上である上記
（１）のシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方
法。 （３） 前記高密度プラズマガンは圧力勾配型プラズマ
ガンであって、蒸発源近傍に設けられたプラズマ誘導磁
界発生手段により蒸発源にプラズマを誘導して材料を蒸
発させる上記（１）または（２）のシリコンまたはシリ
コン化合物薄膜の製造方法。 （４） 前記シリコンまたはシリコン化合物がシリコ
ン、酸化シリコン、窒化シリコンおよび炭化シリコンの
いずれかである上記（１）〜（３）のいずれかのシリコ
ンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法。 （５） 成膜時に反応性ガスを導入する上記（１）〜
（４）のいずれかのシリコンまたはシリコン化合物薄膜
の製造方法。 （６） 上記（１）〜（５）のいずれかのシリコンまた
はシリコン化合物薄膜の製造方法により得られたシリコ
ンまたはシリコン化合物薄膜。 （７） 前記シリコン薄膜は非結晶Ｓｉまたはポリ結晶
Ｓｉであり、酸素含有量が１×１０19原子／cm3 以下で
ある上記（６）のシリコンまたはシリコン化合物薄膜。 （８） 前記シリコン化合物薄膜が酸化シリコンであっ
て、耐圧が１×１０5V／cm以上である上記（６）のシリ
コンまたはシリコン化合物薄膜。 （９） 前記シリコン薄膜が窒化シリコンまたは炭化シ
リコンであって、ビッカース硬さが１０００kg／cm2 以
上である上記（６）のシリコンまたはシリコン化合物薄
膜。
達成される。 （１） 高密度プラズマガンを用いて材料を蒸発させ、
基板上にシリコンまたはシリコン化合物薄膜を成膜する
シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法。 （２） 成膜レートが５０nm／min 以上である上記
（１）のシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方
法。 （３） 前記高密度プラズマガンは圧力勾配型プラズマ
ガンであって、蒸発源近傍に設けられたプラズマ誘導磁
界発生手段により蒸発源にプラズマを誘導して材料を蒸
発させる上記（１）または（２）のシリコンまたはシリ
コン化合物薄膜の製造方法。 （４） 前記シリコンまたはシリコン化合物がシリコ
ン、酸化シリコン、窒化シリコンおよび炭化シリコンの
いずれかである上記（１）〜（３）のいずれかのシリコ
ンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法。 （５） 成膜時に反応性ガスを導入する上記（１）〜
（４）のいずれかのシリコンまたはシリコン化合物薄膜
の製造方法。 （６） 上記（１）〜（５）のいずれかのシリコンまた
はシリコン化合物薄膜の製造方法により得られたシリコ
ンまたはシリコン化合物薄膜。 （７） 前記シリコン薄膜は非結晶Ｓｉまたはポリ結晶
Ｓｉであり、酸素含有量が１×１０19原子／cm3 以下で
ある上記（６）のシリコンまたはシリコン化合物薄膜。 （８） 前記シリコン化合物薄膜が酸化シリコンであっ
て、耐圧が１×１０5V／cm以上である上記（６）のシリ
コンまたはシリコン化合物薄膜。 （９） 前記シリコン薄膜が窒化シリコンまたは炭化シ
リコンであって、ビッカース硬さが１０００kg／cm2 以
上である上記（６）のシリコンまたはシリコン化合物薄
膜。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のシリコンまたはシリコン
化合物薄膜の製造方法は、高密度プラズマガンを用いて
材料を蒸発させ、基板上にシリコンまたはシリコン化合
物薄膜を成膜するものである。高密度プラズマガンを用
いることにより、高周波コイル等のイオン化手段が不要
となり、クリーンな条件で成膜でき、しかも大面積の基
板にも対応可能で、高い成膜レートを得ることができ
る。
化合物薄膜の製造方法は、高密度プラズマガンを用いて
材料を蒸発させ、基板上にシリコンまたはシリコン化合
物薄膜を成膜するものである。高密度プラズマガンを用
いることにより、高周波コイル等のイオン化手段が不要
となり、クリーンな条件で成膜でき、しかも大面積の基
板にも対応可能で、高い成膜レートを得ることができ
る。
【００１０】材料の蒸発に用いられるプラズマビームを
生成するプラズマガンは、所定の密度のプラズマビーム
を発生することが可能なものであれば特に限定されるも
のではなく、種々の態様を有するものが考えられるが、
好ましくは前記信学技報 TECHNICAL REPORT OF IECE.
EID96-58(1996-11) に記載された圧力勾配型プラズマガ
ンが挙げられる。圧力勾配型プラズマガンは、直流アー
ク放電を用い、陰電極の圧力は成膜室よりも高く保たれ
ているため、種々の反応性ガスの導入に際しても安定し
て動作し、成膜レートは従来のスパッタ法を用いた場合
等に比べて大きくなり好ましい。高密度プラズマガンに
より得られるプラズマビームの電子密度は、好ましくは
１×１０11〜２０×１０11cm-3程度が好ましく、特に５
×１０11〜１０×１０11cm-3程度が好ましい。また、そ
のビーム形状等は磁場により制御することができる。
生成するプラズマガンは、所定の密度のプラズマビーム
を発生することが可能なものであれば特に限定されるも
のではなく、種々の態様を有するものが考えられるが、
好ましくは前記信学技報 TECHNICAL REPORT OF IECE.
EID96-58(1996-11) に記載された圧力勾配型プラズマガ
ンが挙げられる。圧力勾配型プラズマガンは、直流アー
ク放電を用い、陰電極の圧力は成膜室よりも高く保たれ
ているため、種々の反応性ガスの導入に際しても安定し
て動作し、成膜レートは従来のスパッタ法を用いた場合
等に比べて大きくなり好ましい。高密度プラズマガンに
より得られるプラズマビームの電子密度は、好ましくは
１×１０11〜２０×１０11cm-3程度が好ましく、特に５
×１０11〜１０×１０11cm-3程度が好ましい。また、そ
のビーム形状等は磁場により制御することができる。
【００１１】成膜される薄膜は、シリコンまたはシリコ
ン化合物の薄膜である。シリコンとしては非結晶Ｓｉ、
ポリ結晶Ｓｉが好ましく、シリコン化合物としては酸化
シリコン、窒化シリコンおよび炭化シリコンが好まし
く、特にＳｉＯx ：ｘ＝０．５〜２．２，Ｓｉ Ｎy ：
ｙ＝０．８〜１．８およびＳｉＣz ：ｚ＝０．５〜１．
５、ＳｉＯx Ｎy Ｃz ：ｘ＝０．２〜０．７、ｙ＝０．
０５〜０．４、ｚ＝０．０５〜０．４等が好ましい。こ
れらのシリコン化合物を得るには、シリコンまたはシリ
コン化合物の材料を用いてもよいし、成膜する際に、酸
素源、窒素源、炭素源となる反応性ガスを導入すること
により、シリコン化合物を得ることもできる。
ン化合物の薄膜である。シリコンとしては非結晶Ｓｉ、
ポリ結晶Ｓｉが好ましく、シリコン化合物としては酸化
シリコン、窒化シリコンおよび炭化シリコンが好まし
く、特にＳｉＯx ：ｘ＝０．５〜２．２，Ｓｉ Ｎy ：
ｙ＝０．８〜１．８およびＳｉＣz ：ｚ＝０．５〜１．
５、ＳｉＯx Ｎy Ｃz ：ｘ＝０．２〜０．７、ｙ＝０．
０５〜０．４、ｚ＝０．０５〜０．４等が好ましい。こ
れらのシリコン化合物を得るには、シリコンまたはシリ
コン化合物の材料を用いてもよいし、成膜する際に、酸
素源、窒素源、炭素源となる反応性ガスを導入すること
により、シリコン化合物を得ることもできる。
【００１２】蒸発源に用いられる材料としては、シリコ
ンタブレット、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 またはこ
れらの複合物等が挙げられ、特にシリコンタブレットが
好ましい。反応性ガスとしては、例えば酸素源として、
Ｏ2，Ｏ3等、窒素源として、Ｎ2等、炭素源として、Ｃ
Ｈ4等が挙げられる。その他、ＣＯ，ＣＯ2，Ｃ2Ｈ4，Ｃ
2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，Ｃ6Ｈ6，Ｈ2Ｏ，ＮＨ3や，ＳｉＨ4ある
いは、ＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2Ｏ等のＮＯx等を用いてもよ
い。また、シリコン薄膜を作成する場合には、不純物と
して、Ｈ2，ＰＨ3，Ｂ2Ｈ6等のド−ピングガスを加えて
もよい。
ンタブレット、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 またはこ
れらの複合物等が挙げられ、特にシリコンタブレットが
好ましい。反応性ガスとしては、例えば酸素源として、
Ｏ2，Ｏ3等、窒素源として、Ｎ2等、炭素源として、Ｃ
Ｈ4等が挙げられる。その他、ＣＯ，ＣＯ2，Ｃ2Ｈ4，Ｃ
2Ｈ6，Ｃ3Ｈ8，Ｃ6Ｈ6，Ｈ2Ｏ，ＮＨ3や，ＳｉＨ4ある
いは、ＮＯ，ＮＯ2，Ｎ2Ｏ等のＮＯx等を用いてもよ
い。また、シリコン薄膜を作成する場合には、不純物と
して、Ｈ2，ＰＨ3，Ｂ2Ｈ6等のド−ピングガスを加えて
もよい。
【００１３】成膜時の条件としては、成膜室内を好まし
くは１×１０-2Torr、特に１×１０-3Torr以下、さらに
は１×１０-3〜１×１０-4Torr程度の高真空とすること
が好ましい。このような高真空状態は特にＳｉ薄膜を作
成する用途に適していて好ましい。酸素濃度が１×１０
19原子／cm3を超えるとプラズマの発生が困難になる。
プラズマガンの放電電流は、使用するプラズマガンの種
類にもよるが、圧力勾配型プラズマガンの場合、通常１
０〜１５０A 、特に５０〜１００A 程度が好ましい。成
膜レートとしては、好ましくは３０nm／min 以上、特に
５０nm／min 以上、さらには５０〜１５０nm／min 程度
が好ましい。
くは１×１０-2Torr、特に１×１０-3Torr以下、さらに
は１×１０-3〜１×１０-4Torr程度の高真空とすること
が好ましい。このような高真空状態は特にＳｉ薄膜を作
成する用途に適していて好ましい。酸素濃度が１×１０
19原子／cm3を超えるとプラズマの発生が困難になる。
プラズマガンの放電電流は、使用するプラズマガンの種
類にもよるが、圧力勾配型プラズマガンの場合、通常１
０〜１５０A 、特に５０〜１００A 程度が好ましい。成
膜レートとしては、好ましくは３０nm／min 以上、特に
５０nm／min 以上、さらには５０〜１５０nm／min 程度
が好ましい。
【００１４】次に、本発明に使用される成膜装置につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は本発明に使用される成膜装置の基本
構成を示した概略構成図である。本発明に使用される成
膜装置は、高密度プラズマガン１と、基板２と、蒸発源
３と誘導磁場発生手段４とを有する。
構成を示した概略構成図である。本発明に使用される成
膜装置は、高密度プラズマガン１と、基板２と、蒸発源
３と誘導磁場発生手段４とを有する。
【００１６】高密度プラズマガン１は、上記のように直
流アーク放電等により、高密度のプラズマビームを発生
しうるもので、発生したプラズマの流出方向を規制する
ため、ステアリングコイル等の磁場発生手段を備えてい
る。プラズマガン１から放出されたプラズマビーム５は
誘導磁場発生手段４により生じた磁場に誘導され、蒸発
源３に照射される。蒸発源３にはシリコンあるいは上記
シリコン化合物となりうる蒸着材料が配置されていて、
プラズマビーム５の照射により蒸発・イオン化され、蒸
着粒子６となって基板２上に堆積し、薄膜を形成する。
流アーク放電等により、高密度のプラズマビームを発生
しうるもので、発生したプラズマの流出方向を規制する
ため、ステアリングコイル等の磁場発生手段を備えてい
る。プラズマガン１から放出されたプラズマビーム５は
誘導磁場発生手段４により生じた磁場に誘導され、蒸発
源３に照射される。蒸発源３にはシリコンあるいは上記
シリコン化合物となりうる蒸着材料が配置されていて、
プラズマビーム５の照射により蒸発・イオン化され、蒸
着粒子６となって基板２上に堆積し、薄膜を形成する。
【００１７】なお、図１の装置の場合、プラズマビーム
５は誘導磁場発生手段４によりガイドされ蒸発源３に照
射されるが、ビーム電流により生じた自己磁場によりプ
ラズマビーム５にねじれを生じ、蒸着粒子の飛散方向が
真上からずれ、基板２上に堆積する薄膜の膜厚分布が偏
ったものとなる場合がある。このような場合、例えば図
２に示すように、蒸発源３を囲むよう環状に配置された
修正磁場発生手段７を設け、発生した磁場８によりプラ
ズマビームを捕らえ、プラズマビームのねじれを修正す
るとよい。
５は誘導磁場発生手段４によりガイドされ蒸発源３に照
射されるが、ビーム電流により生じた自己磁場によりプ
ラズマビーム５にねじれを生じ、蒸着粒子の飛散方向が
真上からずれ、基板２上に堆積する薄膜の膜厚分布が偏
ったものとなる場合がある。このような場合、例えば図
２に示すように、蒸発源３を囲むよう環状に配置された
修正磁場発生手段７を設け、発生した磁場８によりプラ
ズマビームを捕らえ、プラズマビームのねじれを修正す
るとよい。
【００１８】本発明により得られるシリコン薄膜は、上
記高真空下での成膜が可能で、特にＯ量が、好ましくは
１×１０19原子／cm3以下、特に５×１０18原子／cm3以
下程度が好ましい。その下限は、ＳＩＭＳの検出限界ま
で可能である。
記高真空下での成膜が可能で、特にＯ量が、好ましくは
１×１０19原子／cm3以下、特に５×１０18原子／cm3以
下程度が好ましい。その下限は、ＳＩＭＳの検出限界ま
で可能である。
【００１９】また、好ましくは非結晶Ｓｉを、結晶粒径
が５nm 未満のものとすると、ポリ結晶Ｓｉの場合、結
晶粒径は好ましくは５nm 以上、特に２０〜２００nm で
あって、好ましくは（１１１）の配向面を有する結晶相
を有することが好ましい。また、非結晶Ｓｉの場合、結
晶粒径は好ましくは５nm 以下とする。シリコン薄膜に
おける非結晶Ｓｉ層の厚さは、ＴＦＴに用いる場合、好
ましくは、１０〜２００nm 、太陽電池に用いる場合、
好ましくは５００〜１５００nm 程度が好ましい。ま
た、ポリ結晶Ｓｉ層の厚みは、ＴＦＴに用いる場合、好
ましくは、１０〜２００μm 、太陽電池に用いる場合、
好ましくは１〜２０μm 程度が好ましい。
が５nm 未満のものとすると、ポリ結晶Ｓｉの場合、結
晶粒径は好ましくは５nm 以上、特に２０〜２００nm で
あって、好ましくは（１１１）の配向面を有する結晶相
を有することが好ましい。また、非結晶Ｓｉの場合、結
晶粒径は好ましくは５nm 以下とする。シリコン薄膜に
おける非結晶Ｓｉ層の厚さは、ＴＦＴに用いる場合、好
ましくは、１０〜２００nm 、太陽電池に用いる場合、
好ましくは５００〜１５００nm 程度が好ましい。ま
た、ポリ結晶Ｓｉ層の厚みは、ＴＦＴに用いる場合、好
ましくは、１０〜２００μm 、太陽電池に用いる場合、
好ましくは１〜２０μm 程度が好ましい。
【００２０】また、本発明により得られるシリコン化合
物薄膜は、好ましくは酸化シリコン、窒化シリコンおよ
び炭化シリコンが得られ、特にＳｉＯx 薄膜では絶縁性
に優れ、好ましくは１×１０5 V／cm以上、特に１×１
０6 V／cm以上の絶縁特性が得られる。その上限は、通
常１×１０8V/cm程度である。また、特にＳｉ Ｎy およ
びＳｉＣz にあっては、高い硬度が得られ、好ましくは
１０００kg／cm2 以上、より好ましくは２０００kg／cm
2 以上、特に２５００kg／cm2 以上のビッカース硬さが
得られる。その上限は、３５００kg/cm2程度である。従
って、これらのシリコン化合物は、その用途を特に限定
されるものではないが、ＳｉＯx 薄膜にあっては、有機
ＥＬ素子の封止膜やＴＦＴの絶縁層に好ましく用いるこ
とができ、Ｓｉ Ｎy およびＳｉＣz 薄膜は、磁気ヘッ
ドやサーマルヘッドの保護膜として好ましく用いること
ができる。これらシリコン化合物薄膜の膜厚は、成膜さ
れるものの材質や成膜されるシリコン化合物の種類など
により異なるが、通常０．５〜１０μm 程度である。
物薄膜は、好ましくは酸化シリコン、窒化シリコンおよ
び炭化シリコンが得られ、特にＳｉＯx 薄膜では絶縁性
に優れ、好ましくは１×１０5 V／cm以上、特に１×１
０6 V／cm以上の絶縁特性が得られる。その上限は、通
常１×１０8V/cm程度である。また、特にＳｉ Ｎy およ
びＳｉＣz にあっては、高い硬度が得られ、好ましくは
１０００kg／cm2 以上、より好ましくは２０００kg／cm
2 以上、特に２５００kg／cm2 以上のビッカース硬さが
得られる。その上限は、３５００kg/cm2程度である。従
って、これらのシリコン化合物は、その用途を特に限定
されるものではないが、ＳｉＯx 薄膜にあっては、有機
ＥＬ素子の封止膜やＴＦＴの絶縁層に好ましく用いるこ
とができ、Ｓｉ Ｎy およびＳｉＣz 薄膜は、磁気ヘッ
ドやサーマルヘッドの保護膜として好ましく用いること
ができる。これらシリコン化合物薄膜の膜厚は、成膜さ
れるものの材質や成膜されるシリコン化合物の種類など
により異なるが、通常０．５〜１０μm 程度である。
【００２１】
【実施例】次に、実施例を示し本発明をより具体的に説
明する。
明する。
【００２２】＜実施例１＞ 〔非結晶Ｓｉ薄膜の作製〕成膜室内を５×１０-4Torrま
で減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用い、
高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流を印
加した。また、不純物としてＨ2ガスを１SCCM添加し、
成膜レート１００nm／min でシリコン薄膜を１５０nmガ
ラス基板上に製膜した。このときの基板温度は１５０℃
で、プラズマビームの電子密度は２×１０11cm-3 であ
った。得られた非結晶Ｓｉ薄膜のＯ含有量は、２×１０
18at％であった。
で減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用い、
高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流を印
加した。また、不純物としてＨ2ガスを１SCCM添加し、
成膜レート１００nm／min でシリコン薄膜を１５０nmガ
ラス基板上に製膜した。このときの基板温度は１５０℃
で、プラズマビームの電子密度は２×１０11cm-3 であ
った。得られた非結晶Ｓｉ薄膜のＯ含有量は、２×１０
18at％であった。
【００２３】〔ＴＦＴの作製１〕ガラス基板上に形成さ
れた所定パターンのドレイン層、ソース層間に、上記と
同様にして非結晶Ｓｉ層を所定のパターンで１５０nm製
膜した。さらに、絶縁層、ゲート層を積層し、配線して
ＴＦＴパネルを得た。
れた所定パターンのドレイン層、ソース層間に、上記と
同様にして非結晶Ｓｉ層を所定のパターンで１５０nm製
膜した。さらに、絶縁層、ゲート層を積層し、配線して
ＴＦＴパネルを得た。
【００２４】得られたＴＦＴ素子について電界移動度を
測定したところ、２５０V・S／cm2の電界移動度を得る
ことができた。
測定したところ、２５０V・S／cm2の電界移動度を得る
ことができた。
【００２５】＜実施例２＞ 〔太陽電池の作製〕ＰＥＴフィルム上にＡｌを４００μ
m 積層し、さらにＴｉＡｇを５μm 積層して裏面電極と
した。さらにその上に実施例１と同様な手法により、非
結晶Ｓｉ層を、ｎ−ｉ−ｐの順に積層した。さらに、そ
の上に所定の絶縁樹脂層をスクリーン印刷し、ＩＴＯ透
明電極を所定のパターンにスパッタ法にて形成した。こ
れらの薄膜積層体をレーザートリミングにより所定のセ
ル構造が得られるよう加工し、絶縁樹脂をスクリーン印
刷し、Ａｇ集電電極をスクリーン印刷した後、レーザー
ボンディングを行い、ラミネート封止して太陽電池モジ
ュールを得た。
m 積層し、さらにＴｉＡｇを５μm 積層して裏面電極と
した。さらにその上に実施例１と同様な手法により、非
結晶Ｓｉ層を、ｎ−ｉ−ｐの順に積層した。さらに、そ
の上に所定の絶縁樹脂層をスクリーン印刷し、ＩＴＯ透
明電極を所定のパターンにスパッタ法にて形成した。こ
れらの薄膜積層体をレーザートリミングにより所定のセ
ル構造が得られるよう加工し、絶縁樹脂をスクリーン印
刷し、Ａｇ集電電極をスクリーン印刷した後、レーザー
ボンディングを行い、ラミネート封止して太陽電池モジ
ュールを得た。
【００２６】得られた太陽電池モジュールをＡＭ１．５
近似キセノンランプ５０，０００Lux 下でIsc 、Voc 、
Iope 、FFについて測定し評価したところ、従来の太陽
電池モジュールと比較して優れた特性が得られた。
近似キセノンランプ５０，０００Lux 下でIsc 、Voc 、
Iope 、FFについて測定し評価したところ、従来の太陽
電池モジュールと比較して優れた特性が得られた。
【００２７】＜実施例３＞ 〔ポリ結晶Ｓｉ薄膜の作製〕成膜室内を５×１０-4Torr
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、不純物としてＨ2ガスを１SCCM添加
し、成膜レート１００nm／min でシリコン薄膜を１５０
nmガラス基板上に製膜した。このときの基板温度は１５
０℃で、プラズマビームの電子密度は２×１０11cm-3
であった。
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、不純物としてＨ2ガスを１SCCM添加
し、成膜レート１００nm／min でシリコン薄膜を１５０
nmガラス基板上に製膜した。このときの基板温度は１５
０℃で、プラズマビームの電子密度は２×１０11cm-3
であった。
【００２８】得られたシリコン薄膜の表面を走査型電子
顕微鏡で観察したところ５μm 以上の結晶粒径が認めら
れ、そのＸ線回折法による配向面は（１１１）であっ
た。また、Ｏ含有量は、２×１０18at％であった。
顕微鏡で観察したところ５μm 以上の結晶粒径が認めら
れ、そのＸ線回折法による配向面は（１１１）であっ
た。また、Ｏ含有量は、２×１０18at％であった。
【００２９】〔ＴＦＴの作製２〕ガラス基板上に形成さ
れた所定パターンのドレイン層、ソース層間に、実施例
１と同様にしてシリコン複合層を所定のパターンで１５
０nm製膜した。このときの基板温度は１５０℃で、プラ
ズマビームの電子密度は５×１０11cm-3 であった。さ
らに、絶縁層、ゲート層を積層し、配線してＴＦＴパネ
ルを得た。
れた所定パターンのドレイン層、ソース層間に、実施例
１と同様にしてシリコン複合層を所定のパターンで１５
０nm製膜した。このときの基板温度は１５０℃で、プラ
ズマビームの電子密度は５×１０11cm-3 であった。さ
らに、絶縁層、ゲート層を積層し、配線してＴＦＴパネ
ルを得た。
【００３０】得られたＴＦＴパネルについて電界移動度
を測定したところ、２５０V・S／cm2 の電界移動度を得
ることができた。
を測定したところ、２５０V・S／cm2 の電界移動度を得
ることができた。
【００３１】＜実施例４＞ 〔酸化シリコン薄膜の作製〕成膜室内を５×１０-4Torr
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、反応性ガスとしてＯ2ガスを５SCCM
添加し、成膜レート１００nm／min で酸化シリコン薄膜
を１５０nmシリコン基板上に製膜した。このときの基板
温度は２００℃で、プラズマビームの電子密度は５×１
０11cm-3あった。
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、反応性ガスとしてＯ2ガスを５SCCM
添加し、成膜レート１００nm／min で酸化シリコン薄膜
を１５０nmシリコン基板上に製膜した。このときの基板
温度は２００℃で、プラズマビームの電子密度は５×１
０11cm-3あった。
【００３２】得られた酸化シリコン薄膜の組成をＥＰＭ
Ａを用いて調べたところ、ＳｉＯx：ｘ＝２．０１が認
められた。この酸化シリコン薄膜の絶縁破壊電圧を測定
したところ、１×１０6 V／cmの耐圧を有することが確
認された。
Ａを用いて調べたところ、ＳｉＯx：ｘ＝２．０１が認
められた。この酸化シリコン薄膜の絶縁破壊電圧を測定
したところ、１×１０6 V／cmの耐圧を有することが確
認された。
【００３３】＜実施例５＞ 〔有機ＥＬ素子の作製〕スパッタ法にて作製した厚さ１
００nmのパターニングＩＴＯ透明電極（ホール注入電
極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタ
ノールを用いて超音波洗浄し、次いで煮沸エタノール中
から引き上げて乾燥し、表面をＵＶ／Ｏ3洗浄した後、
真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を１×１
０-4Pa以下まで減圧した。４，４’，４”−トリス（−
Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ト
リフェニルアミン（以下、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着速
度０.２nm／sec.で４０nmの厚さに蒸着し、ホール注入
層とし、次いで減圧状態を保ったまま、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−
１，１’−ビフェニル（以下、ＴＰＤ）を蒸着速度０．
２nm／sec.で３５nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とし
た。さらに、減圧を保ったまま、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3 ）を蒸着速度０.
２nm／sec.で５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・
発光層とした。次いで減圧を保ったまま、このＥＬ素子
構造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、ス
パッタ圧力１．０PaにてＡｌＬｉ電子注入電極（Ｌｉ濃
度：７．２at％）を５０nmの厚さに成膜した。その際ス
パッタガスにはＡｒを用い、投入電力は１００Ｗ、ター
ゲットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離
は９０mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このＥＬ
素子基板を本発明に使用される成膜装置に移し、実施例
３の酸化シリコン薄膜（ＳｉＯx ：ｘ＝１．９５）を１
５０nm成膜した。
００nmのパターニングＩＴＯ透明電極（ホール注入電
極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタ
ノールを用いて超音波洗浄し、次いで煮沸エタノール中
から引き上げて乾燥し、表面をＵＶ／Ｏ3洗浄した後、
真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を１×１
０-4Pa以下まで減圧した。４，４’，４”−トリス（−
Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ト
リフェニルアミン（以下、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着速
度０.２nm／sec.で４０nmの厚さに蒸着し、ホール注入
層とし、次いで減圧状態を保ったまま、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−
１，１’−ビフェニル（以下、ＴＰＤ）を蒸着速度０．
２nm／sec.で３５nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とし
た。さらに、減圧を保ったまま、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3 ）を蒸着速度０.
２nm／sec.で５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・
発光層とした。次いで減圧を保ったまま、このＥＬ素子
構造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、ス
パッタ圧力１．０PaにてＡｌＬｉ電子注入電極（Ｌｉ濃
度：７．２at％）を５０nmの厚さに成膜した。その際ス
パッタガスにはＡｒを用い、投入電力は１００Ｗ、ター
ゲットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離
は９０mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このＥＬ
素子基板を本発明に使用される成膜装置に移し、実施例
３の酸化シリコン薄膜（ＳｉＯx ：ｘ＝１．９５）を１
５０nm成膜した。
【００３４】得られた有機ＥＬ素子に乾燥アルゴン雰囲
気中で直流電圧を印加し、１０mA／cm2 の定電流密度で
連続駆動させた。初期には、６．５Ｖ 、５３０cd／mm2
の緑色（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が観
測された。輝度の半減時間は８５０時間で、その間の駆
動電圧の上昇は１．９Ｖであった。この間、大きさが５
０μm を超えるダークスポットの発生および成長は確認
されず、良好な特性を示した。
気中で直流電圧を印加し、１０mA／cm2 の定電流密度で
連続駆動させた。初期には、６．５Ｖ 、５３０cd／mm2
の緑色（発光極大波長λmax ＝５３０nm）の発光が観
測された。輝度の半減時間は８５０時間で、その間の駆
動電圧の上昇は１．９Ｖであった。この間、大きさが５
０μm を超えるダークスポットの発生および成長は確認
されず、良好な特性を示した。
【００３５】＜実施例６＞ 〔窒化シリコン薄膜の作製〕成膜室内を５×１０-4Torr
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、反応性ガスとしてＮ2ガスを５SCCM
添加し、成膜レート１００nm／min で窒化シリコン薄膜
を１５０nmシリコン基板上に製膜した。このときの基板
温度は２００℃で、プラズマビームの電子密度は２×１
０11cm-3あった。
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、反応性ガスとしてＮ2ガスを５SCCM
添加し、成膜レート１００nm／min で窒化シリコン薄膜
を１５０nmシリコン基板上に製膜した。このときの基板
温度は２００℃で、プラズマビームの電子密度は２×１
０11cm-3あった。
【００３６】得られた窒化シリコン薄膜の組成をＥＰＭ
Ａを用いて調べたところ、ＳｉＮy：ｙ＝１．３が認め
られた。この窒化シリコン薄膜のビッカース硬さを測定
したところ２０００kg／cm2 であった。
Ａを用いて調べたところ、ＳｉＮy：ｙ＝１．３が認め
られた。この窒化シリコン薄膜のビッカース硬さを測定
したところ２０００kg／cm2 であった。
【００３７】＜実施例７＞ 〔炭化シリコン薄膜の作製〕成膜室内を５×１０-4Torr
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、反応性ガスとしてＣＨ4ガスを５SCC
M添加し、成膜レート１００nm／min で炭化シリコン薄
膜を１５０nmシリコン基板上に製膜した。このときの基
板温度は２００℃で、プラズマビームの電子密度は２×
１０11cm-3あった。
まで減圧し、蒸着材料としてシリコンタブレットを用
い、高密度プラズマガンに電圧７０V で２００A の電流
を印加した。また、反応性ガスとしてＣＨ4ガスを５SCC
M添加し、成膜レート１００nm／min で炭化シリコン薄
膜を１５０nmシリコン基板上に製膜した。このときの基
板温度は２００℃で、プラズマビームの電子密度は２×
１０11cm-3あった。
【００３８】得られた炭化シリコン薄膜の組成をＥＰＭ
Ａを用いて調べたところ、ＳｉＣzＺ＝０．９５が認め
られた。この酸化シリコン薄膜のビッカース硬さを測定
したところ２０００kg／cm2 であった。
Ａを用いて調べたところ、ＳｉＣzＺ＝０．９５が認め
られた。この酸化シリコン薄膜のビッカース硬さを測定
したところ２０００kg／cm2 であった。
【００３９】＜実施例８＞ 〔薄膜ヘッドの作製１〕図３に示すような構成の薄膜ヘ
ッドを用いた。すなわち、図示例の薄膜ヘッドは再生用
のＭＲヘッド部と記録用の誘導型ヘッド部とを有する、
いわゆるＭＲ誘導型複合ヘッドである。ここで、記録用
の誘導型ヘッド部は、上部磁極層３と下部磁極層５、お
よびこれらに挟まれたギャップ４とコイル１２により構
成される。ＭＲヘッド部は上部シールド層７と下部シー
ルド層９、およびこれらに挟まれた絶縁層１３とＭＲ素
子８により構成されている。そして、図示例では誘導型
ヘッド部がいわゆるトレーリング側であり、ＭＲヘッド
部がリーディング側である。
ッドを用いた。すなわち、図示例の薄膜ヘッドは再生用
のＭＲヘッド部と記録用の誘導型ヘッド部とを有する、
いわゆるＭＲ誘導型複合ヘッドである。ここで、記録用
の誘導型ヘッド部は、上部磁極層３と下部磁極層５、お
よびこれらに挟まれたギャップ４とコイル１２により構
成される。ＭＲヘッド部は上部シールド層７と下部シー
ルド層９、およびこれらに挟まれた絶縁層１３とＭＲ素
子８により構成されている。そして、図示例では誘導型
ヘッド部がいわゆるトレーリング側であり、ＭＲヘッド
部がリーディング側である。
【００４０】そして、保護層２はアルミナ等の非磁性材
が、上部および下部磁極層３，５はパーマアロイ等の軟
磁性材料が、上部および下部シールド層７，９はパーマ
アロイ、センダスト、窒化鉄等の軟磁性材料が、下地層
１０にはアルミナ等の非磁性材料が使用される。
が、上部および下部磁極層３，５はパーマアロイ等の軟
磁性材料が、上部および下部シールド層７，９はパーマ
アロイ、センダスト、窒化鉄等の軟磁性材料が、下地層
１０にはアルミナ等の非磁性材料が使用される。
【００４１】この薄膜磁気ヘッドの、記録媒体と対向す
る摺動面側に、実施例７の窒化シリコン薄膜（ＳｉＮ
y ：ｙ＝１．１）を１０nm製膜し、ＣＳＳテストにより
評価したところ、１×１０6 回後でも正常な書き込み／
読み出しを行えることが確認された。
る摺動面側に、実施例７の窒化シリコン薄膜（ＳｉＮ
y ：ｙ＝１．１）を１０nm製膜し、ＣＳＳテストにより
評価したところ、１×１０6 回後でも正常な書き込み／
読み出しを行えることが確認された。
【００４２】＜実施例１０＞ 〔薄膜ヘッドの作製２〕実施例９において、窒化シリコ
ン薄膜に代えて、実施例８の炭化シリコン薄膜（ＳｉＣ
z ：Ｚ＝０．８）を１０nm製膜した他は実施例９と同様
にして薄膜ヘッドを作製し、評価したところ同等の結果
を得た。
ン薄膜に代えて、実施例８の炭化シリコン薄膜（ＳｉＣ
z ：Ｚ＝０．８）を１０nm製膜した他は実施例９と同様
にして薄膜ヘッドを作製し、評価したところ同等の結果
を得た。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、成膜時に
他の構造膜にダメージを与えたり、フレークを生じるこ
となく、高い成膜レートが得られるシリコンまたは、高
耐圧、高硬度が得られるシリコン化合物薄膜の成膜方法
およびその方法により得られたシリコンまたはシリコン
化合物薄膜を提供できる。
他の構造膜にダメージを与えたり、フレークを生じるこ
となく、高い成膜レートが得られるシリコンまたは、高
耐圧、高硬度が得られるシリコン化合物薄膜の成膜方法
およびその方法により得られたシリコンまたはシリコン
化合物薄膜を提供できる。
【図１】本発明に使用される成膜装置の基本構成を示し
た概略構成図である。
た概略構成図である。
【図２】プラズマビームのねじれを矯正するための修正
磁場発生手段を設けた構成例を示した概略構成図であ
る。
磁場発生手段を設けた構成例を示した概略構成図であ
る。
【図３】本発明のシリコン化合物薄膜が成膜される薄膜
ヘッドの一例を示した概略構成図である。
ヘッドの一例を示した概略構成図である。
１ 高密度プラズマガン ２ 基板 ３ 蒸発源 ４ 誘導磁場発生手段 ５ プラズマビーム ６ 蒸着粒子 ７ 修正磁場発生手段 ８ 磁場
Claims (9)
- 【請求項１】 高密度プラズマガンを用いて材料を蒸発
させ、 基板上にシリコンまたはシリコン化合物薄膜を成膜する
シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 成膜レートが５０nm／min 以上である請
求項１のシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方
法。 - 【請求項３】 前記高密度プラズマガンは圧力勾配型プ
ラズマガンであって、 蒸発源近傍に設けられたプラズマ誘導磁界発生手段によ
り蒸発源にプラズマを誘導して材料を蒸発させる請求項
１または２のシリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造
方法。 - 【請求項４】 前記シリコンまたはシリコン化合物がシ
リコン、酸化シリコン、窒化シリコンおよび炭化シリコ
ンのいずれかである請求項１〜３のいずれかのシリコン
またはシリコン化合物薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 成膜時に反応性ガスを導入する請求項１
〜４のいずれかのシリコンまたはシリコン化合物薄膜の
製造方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかのシリコンまた
はシリコン化合物薄膜の製造方法により得られたシリコ
ンまたはシリコン化合物薄膜。 - 【請求項７】 前記シリコン薄膜は非結晶Ｓｉまたはポ
リ結晶Ｓｉであり、酸素含有量が１×１０19原子／cm3
以下である請求項６のシリコンまたはシリコン化合物薄
膜。 - 【請求項８】 前記シリコン化合物薄膜が酸化シリコン
であって、耐圧が１×１０5 V／cm以上である請求項６
のシリコンまたはシリコン化合物薄膜。 - 【請求項９】 前記シリコン薄膜が窒化シリコンまたは
炭化シリコンであって、ビッカース硬さが１０００kg／
cm2 以上である請求項６のシリコンまたはシリコン化合
物薄膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9172885A JPH116054A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびこの方法により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜 |
| US09/088,682 US5968612A (en) | 1997-06-13 | 1998-06-02 | Method for the preparation of silicon compound thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9172885A JPH116054A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびこの方法により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH116054A true JPH116054A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15950135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9172885A Pending JPH116054A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | シリコンまたはシリコン化合物薄膜の製造方法およびこの方法により得られたシリコンまたはシリコン化合物薄膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5968612A (ja) |
| JP (1) | JPH116054A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4853705A (en) * | 1988-05-11 | 1989-08-01 | Amtech Technology Corporation | Beam powered antenna |
| JP2002086718A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-26 | Ricoh Co Ltd | インクジェット記録ヘッド及びそのインクジェット記録ヘッドの製造方法並びにそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000331782A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌ素子及びその修理方法 |
| JP4728534B2 (ja) * | 2001-09-11 | 2011-07-20 | テイコクテーピングシステム株式会社 | シリコンウエハ保護フィルムのトリミング方法及びトリミング装置 |
| US8512871B2 (en) * | 2006-05-30 | 2013-08-20 | United Technologies Corporation | Erosion barrier for thermal barrier coatings |
| US20100053817A1 (en) * | 2008-09-04 | 2010-03-04 | Robert Glenn Biskeborn | Coated magnetic head and methods for fabrication thereof |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP9172885A patent/JPH116054A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-02 US US09/088,682 patent/US5968612A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4853705A (en) * | 1988-05-11 | 1989-08-01 | Amtech Technology Corporation | Beam powered antenna |
| JP2002086718A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-26 | Ricoh Co Ltd | インクジェット記録ヘッド及びそのインクジェット記録ヘッドの製造方法並びにそのインクジェット記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5968612A (en) | 1999-10-19 |
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