JPH116064A - 光学薄膜の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属フッ化物をターゲット材料としてスパッ
タリングする際に一定の膜厚の薄膜を良好な再現性を形
成する。 【解決手段】 金属フッ化物を含むターゲット材料を載
置した電極に放電ガスの存在下で高周波電力を印加して
ターゲット材料上にプラズマを発生させ、このプラズマ
中のイオンによりターゲット材料をスパッタリングして
ターゲット材料の一部を分子又は原子の状態で跳び出さ
せ、基板上に薄膜を形成する際に、プラズマ中の金属フ
ッ化物を構成する分子の発光強度を検出して積算し、こ
の積算結果に基づいて薄膜の形成を終了する。スパッタ
リングを行うプラズマ中の分子の発光鏡を監視して、成
膜を制御するため、一定の膜厚の薄膜を良好な再現性で
作製できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
により金属フッ化物薄膜等の光学薄膜を製造する方法お
よび装置に関し、特に光学薄膜の膜厚制御を良好に行う
ことが可能な製造方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】スパッタ薄膜に関する一般的な文献（例
えば、「スパッタ薄膜」，小林春洋著，１９９３年，日
本工業新聞社発行）に記されているように、スパッタリ
ング法により薄膜を製造する際においては、薄膜の膜厚
制御は、通常の場合、時間制御で十分である。スパッタ
時の成膜速度が、スパッタ電力にほぼ比例し、非常に安
定しているためである。

【０００３】しかし、金属ターゲットを用いたリアクテ
ィブスパッタのように、ターゲット表面の状態によりス
パッタ率が変化する場合などでは、必ずしもスパッタ電
力と成膜速度が比例するとは限らず、時間制御だけでは
十分な膜厚精度を得ることができない。しかも、電源か
ら投入した電力の一部は電極の電気抵抗などによりジュ
ール熱に変換されるため、正確には投入された電力がす
べてプラズマに供給されているわけではなく、投入した
電力と成膜速度の間の比例関係は完全なものではない。
このため、極端に精度よく膜厚を制御する必要のある場
合には、時間制御だけでは不十分である。

【０００４】これに対して、精度良い膜厚を得る方法と
して、何らかの制御を行うことにより成膜速度を一定と
し、これにより時間制御を行って所要の膜厚を得る方法
と、真空蒸着法などで行われているように、膜厚をモニ
タリングすることにより、成膜時間を制御し、所要の膜
厚を得る方法とがある。

【０００５】真空蒸着法でのモニタリングは、水晶振動
子を用いる方法又は、成膜中の基板の反射率を測定する
方法があるが、水晶振動子をスパッタリング法に用いる
場合は、水晶振動子がプラズマに関連する電磁ノイズに
影響されるため、正確な測定ができず、基板の反射率を
測定する方法では、プラズマからの光によって正確に測
定することができない。このためスパッタリングに対し
ては、真空蒸着法などで用いられている膜厚のモニタリ
ングをそのまま用いることは、問題が生じることが多
く、しかも簡単でないため、前者の方法を使用すること
が多い。

【０００６】前者の方法による成膜方法として、プラズ
マの発光強度を分光計でモニターし、この結果を成膜電
力にフィードバックすることにより、一定の成膜速度に
制御し、これにより、一定の成膜時間でも十分に膜厚の
再現性を可能とすることがなされている。

【０００７】この方法は適用範囲が広く、効果も高いた
め、一般によく利用されている。例えば、特公平７−７
４４４４号公報では、プラズマの発光強度を分光モニタ
ーし、これを成膜電力にフィードバックする方法だけで
は十分な膜厚の再現性が得られない場合があることを指
摘し、この場合に、プラズマ発光強度に加え、プラズマ
放電の放電電流値、あるいは放電電力値をモニターし、
これらの値を演算し、その演算結果を成膜電力などの成
膜パラメーターにフィードバックすることが記載されて
いる。この方法では、プラズマ発光強度のみをモニター
し、成膜電力にフィードバックする方法よりも、膜質の
再現性、膜厚の再現性の双方共、向上し、歩留まりを向
上させることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した方法
は、原理的にはスパッタ率を一定とするものであり、成
膜を行う膜の種類や成膜手法によっては必ずしも成膜速
度は一定とならない。成膜速度はスパッタ率のみで決定
されるものではなく、ターゲットをたたく放電ガスイオ
ンの数や、成膜雰囲気の真空度にも大きく依存するから
である。このため例えば成膜中に放電領域の圧力が基板
の動作などにより不安定となる場合や、積極的に成膜雰
囲気の真空圧を変更する場合には、必ずしも成膜速度が
一定とならず、時間制御では膜厚を一定に制御すること
ができない。

【０００９】また、上述した方法では、発光強度のみか
らフィードバックを行う方法に比べて、フィードバック
のためにモニターしなければならない値の数が増え、必
然的にこれらをモニターするための機器が多く必要とな
り、装置及びシステムの全体が複雑になる。これに加え
て、モニターした値で成膜条件が決まるため、モニター
機器の信頼性を常に確保しなくてはならず、装置全体と
しての信頼性が低下している

【００１０】本発明は、このような問題点を解決するも
ので、スパッタリング法、特に金属フッ化物を含む材料
をターゲットとするスパッタリングによる薄膜の製造に
おいて、膜厚の再現性を向上させることが可能な光学薄
膜の製造方法および製造装置を提供することを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明の製造方法は、 少なくとも金属フ
ッ化物を含むターゲット材料を載置した電極に放電ガス
の存在下で高周波電力を印加して上記ターゲット材料に
プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによりタ
ーゲット材料をスパッタリングしてターゲット材料の一
部を分子又は原子の状態で跳び出させ、基板上に薄膜を
形成する光学薄膜の製造方法において、前記プラズマ中
の少なくとも金属フッ化物を構成する分子の発光強度を
検出して積算し、この積算結果に基づいて薄膜の形成を
終了することを特徴とする。

【００１２】請求項２の発明の製造方法は、高周波スパ
ッタリング法による薄膜の製造方法において、膜形成に
関わる分子又は原子のプラズマ発光強度を検出して積算
し、この積算結果に基づいて膜厚の制御を行うことを特
徴とする。

【００１３】請求項３の発明の製造装置は、真空槽と、
この真空槽内に放電ガスを導入するガス導入手段と、真
空槽内に配置するターゲット材料が載置される電極と、
この電極に高周波電力を供給して前記ターゲット材料上
に前記放電ガスのプラズマを発生させる高周波電源と、
基板への成膜中にプラズマ発光強度を検出する検出手段
と、この検出手段によって検出されたプラズマ発光強度
を演算して積算する演算／積算手段と、この演算／積算
手段の出力値を所定値と比較し、比較結果に基づいて成
膜を終了する制御手段とを備えていることを特徴とす
る。

【００１４】スパッタ装置の放電領域内において、放電
電界をＥ、電子密度をｎ_e 、放電気体のガス密度をＮ
_gas 、放電気体のガスイオン密度をＮ_gasion、ターゲッ
ト材料（膜材料）を構成する分子（原子）の放電領域に
おける分子（原子）密度をＮ_m（Ｅ，Ｎ_gasion）、放電
気体の発光の強度をＩ_gas 、ターゲットを構成する分子
（原子）の発光の強度をＩ_m 、このときのスパッタ率を
Ｙ_m 、成膜速度をＶとし、放電電圧は一定とし、スパッ
タされた分子（原子）はすべて基板に到達するとしたと
き、粗い近似ではあるが、これらの間には、数１、数
２、数３、数４および数５の関係が成り立つ。

【００１５】

【数１】

【００１６】

【数２】

【００１７】

【数３】

【００１８】

【数４】

【００１９】

【数５】

【００２０】これにより、スパッタ率Ｙ_m 及び成膜速度
Ｖを求めると、数６および数７が求められる。

【００２１】

【数６】

【００２２】

【数７】

【００２３】ここで、放電領域の電子密度（ｎ_e ）が一
定とすると、数８および数９が導かれる。

【００２４】

【数８】

【００２５】

【数９】

【００２６】あるいは、放電領域の放電ガスの圧力（Ｎ
_gas ）が一定とすると、数１０および数１１が導かれ
る。

【００２７】

【数１０】

【００２８】

【数１１】

【００２９】以上の数６、数７、数８、数９、数１０、
数１１の内のどの式が成膜状態の制御に適当であるか
は、それぞれの成膜により異なるため、どれを選択する
かは、実験的に決定する。そして、その成膜に適当な式
が選択できれば、発光光量、放電電流などの値を演算す
ることにより、スパッタ率、成膜速度を知ることができ
るし、これらの値が一定となるように成膜パラメーター
の制御を行うことにより、スパッタ率や成膜速度を一定
とすることもできる。加言すると、スパッタ率を一定と
することと、成膜速度を一定とすることは別であり、一
方を一定としても、必ずしも他方が一定になるとは限ら
ない。

【００３０】膜品質、膜厚を共に一定とするには、膜品
質と相関の高い適当な式により、発光光量などのモニタ
ー値を演算し、この値が一定となるように成膜パラメー
ターを制御してスパッタ率を安定させ、このときの成膜
速度と相関の高い式を利用して成膜時間を決定すると良
い。ここで、スパッタ率はターゲット表面の状態と高い
相関があり、ひいては膜の品質とも相関が高いためスパ
ッタ率を一定（ターゲット表面の状態を一定）とするこ
とにより、膜品質を安定化させるこができることを前提
としている。実際上では、ここまでの処理を行う必要の
ある場合は非常に限られており、通常の場合は、成膜速
度が一定となるようにパラメーターの制御を行うことに
より、必要十分な程度まで膜品質も安定させることがで
きる。

【００３１】上記のように膜品質を安定させながら膜厚
の制御を同時に行う必要のある場合として、金属フッ化
物を含む材料をターゲットとしたスパッタリングがあ
る。この場合には、適当な成膜条件によって成膜を行わ
ないと、膜に吸収が発生したり、膜の強度が十分でなく
なる。また、膜質が一定となる場合でも、成膜速度が変
化するため、必要な膜品質と膜厚を同時に得るために
は、膜品質を確保できる条件での成膜を行った上で、膜
厚についても別個に制御する必要がある。この膜厚の制
御方法として、実験的に決定した成膜速度と相関の高い
式を利用して成膜時間を決定する方法が有効であること
が実験により確認されている。

【００３２】成膜速度を推測するのに適当である演算
は、上述した式の展開結果からも分かるように一つであ
るとは限らず、実験的に決定すべき性質のものである。
このため、本発明では、その演算を特に規定しなくても
良い。ここで、多くの場合においては、ある適当なター
ゲット材料の構成分子（原子）の波長の発光強度をモニ
ターし、積算することで必要な精度で膜厚を推測するこ
とが可能となる。

【００３３】このことから、本発明では、特に演算を必
要とせず、特定励起種の発光強度（ある決まった波長を
有する）を積算しても良い。また、以上のようにして膜
厚の制御を行うと共に、プラズマ中の金属フッ化物を構
成する分子の発光強度、金属フッ化物を構成する金属原
子の発光強度、放電ガスの発光強度を組み合わせて演算
することによってフィードバック信号を得、これが一定
となるように成膜パラメーターを変化させることも可能
で、これにより、膜質を一定にすることができる点で有
効である。

【００３４】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）図１はＭｇＦ₂ を成膜するためのスパ
ッタ装置の成膜系の構成を示す。電極としてのマグネト
ロンスパッタリングカソード１上には、スパッタリング
材料としての顆粒状フッ化マグネシウムがガラス製の皿
に載せられて設置されている。このマグネトロンスパッ
タリングカソード１及びターゲット材料２の周囲には、
ターゲットシールド３が配置されている。このターゲッ
トシールド３は常に電位がグラウンドレベルとなってい
る。ターゲットシールド３の上方には、開閉制御された
シャッター４が配置されている。

【００３５】成膜を行うガラス基板５は、基板ホルダー
６により保持される。基板ホルダー６の回転中心は、マ
グネトロンスパッタリングカソード１の直上に位置せ
ず、偏心した位置にある。成膜中はこの基板ホルダー６
が回転する。この回転と、マグネトロンスパッタリング
カソード１からの偏心とにより、膜をガラス基板５上に
均一に成膜することができる。図中、７は１のマグネト
ロンスパッタリングカソード１の上に発生する放電領域
を示す。

【００３６】以上のマグネトロンスパッタリングカソー
ド１、ターゲット材料２、ターゲットシールド３、シャ
ッター４、ガラス基板５及び基板ホルダー６は真空槽１
０内に配置されている。この真空槽１０の外部には、放
電領域７におけるプラズマの発光を監視するための発光
強度プローブ８が配置されている。このプローブ８は、
放電領域の情報を効率よく取り出すためのコリメーター
レンズを内蔵している。また、プローブ８で得られた光
は、光ファイバー９を通して分光光度計に送られ、必要
な波長の光の強度が取り出される。なお、真空槽１０の
側壁部分には、石英ガラスからなる窓部１１が設けら
れ、プローブ８による発光強度の監視は窓部１を通して
行われる。以上の構成に加え、取り出された光の強度を
演算する手段算機、積算を行う積算手段、これらが算出
した結果から成膜条件、シャッター４の開閉を制御する
制御手段を備えるものである（いずれも図示省略）。

【００３７】次に、この装置を用いた成膜を説明する。
表面が清浄なガラス基板５を基板ホルダ６に取り付け
る。その後、直ちにスパッタ装置の真空槽１０を排気す
る。１０^-4Ｐａ以上の真空度となったとき、基板ホルダ
ー６を回転させると同時に、真空槽１０内にＯ₂ ガスを
導入し、０．４Ｐａの圧力とする。

【００３８】そして、真空槽１０内の圧力が安定した状
態で、カソード１に５４０Ｗの高周波電力を印加して、
ターゲット材料２の上にプラズマを発生させる。このと
きシャッター４は閉じており、いわゆるプレスパッタの
状態となる。電力を印加してから２００秒経過した時点
で、ＭｇＦの発光強度とＯの発光強度の比が、５．０と
なるように成膜電力を制御する。

【００３９】さらに、プラズマの状態が安定し、上述し
た発光強度の比が５．０に安定した時点でシャッター４
を開ける。このとき、プレスパッタ開始から、３２０秒
経過している。

【００４０】成膜中についても発光強度比が一定となる
ように制御を継続するが、放電の状態は安定しているの
で成膜電力は成膜中ほとんど変化しない。また、成膜中
はＭｇＦの発光強度を監視し、更にこの値を積算する。
この積算した値があらかじめ定めた値となった時点で、
シャッター４を閉め、成膜を終了する。

【００４１】シャッター４を閉めてから、徐々にカソー
ドに印加していたＲＦ電圧を低減させてプラズマを消失
させる。同時に、基板ホルダー６の回転も止め、真空槽
１０をリークする。

【００４２】取り出したガラス基板５上に形成された膜
の物理的膜厚を、段差計により測定したところ、１０５
ｎｍの膜厚であった。同様の実験を１０回繰り返したと
ころ、成膜される膜の物理的膜厚は９７ｎｍ〜１０３ｎ
ｍの間であった。これらの得られた膜には可視光で吸収
がなく（４００ｎｍで０．６％以下）、擦傷性も実用十
分な程度の強度があった。ここで「実用十分」とは、Ｉ
ＳＯ国際規格（ＩＳＯ／ＤＩＳ ９２１１−３）で定め
られた光学コーティング耐環境性試験の区分Ｃの試験で
合格となったことを指す。

【００４３】なお、同様の成膜において、発光強度を積
算することによる膜厚の制御を行わず、成膜時間を１２
０秒と一定にして成膜を１０回繰り返し行ったところ、
物理的膜厚のバラツキが９２〜１１５ｎｍと大きくなっ
た。なお、膜には可視光の吸収もなく擦傷性も十分であ
り、膜品質は一定であった。

【００４４】以上のように発光強度を積算して、その結
果を膜厚の制御に利用することにより、膜厚の安定性を
大きく向上させることができる。

【００４５】（実施の形態２）この実施の形態では、シ
ャッター４の制御に適用する演算を除き、実施の形態１
と共通である。実施の形態１においては、ＭｇＦの発光
強度のみを積算したが、本実施の形態においては（Ｍｇ
Ｆの発光強度）＋０．２×（Ｍｇの発光強度）の演算を
行い、これを積算し、積算した結果によって成膜時間を
制御した。これは、膜を構成するのは、基板５上に飛来
するＭｇＦ₂ とＭｇであることを考慮したものである。

【００４６】このように演算の後に積算する方法によ
り、成膜を１０回繰り返したところ、成膜される膜の物
理的膜厚は９９ｎｍ〜１０２ｎｍの間であった。これら
の得られた膜には可視光で吸収がなく（４００ｎｍで
０．６％以下）、擦傷性も実用十分な程度の強度であっ
た。

【００４７】この実施の形態では、膜厚の制御に、Ｍｇ
Ｆの発光強度に加えてＭｇの発光強度も演算するため、
膜厚制御の精度が向上している。

【００４８】（実施の形態３）この実施の形態では、タ
ーゲット材料２として板状のフッ化アルミニウム（Ａｌ
Ｆ₃ ）を用いたことを除き、実施の形態１と同様であ
る。又、この実施の形態では、成膜時の成膜条件の制御
を行わないことと、成膜時間の制御のためにモニターす
る発光強度がＡｌＦの発光強度のみであることを除き、
実施の形態１と同様である。又、実施の形態１において
は、ＭｇＦの発光強度を積算したが、本実施の形態にお
いては、ＡｌＦの発光強度を積算して、その結果を成膜
時間の制御に用いた。

【００４９】本実施の形態により、成膜を１０回繰り返
したところ、成膜される膜の物理的膜厚は１０５ｎｍ〜
１１２ｎｍの間であった。これらの得られた膜には可視
光で吸収がなく（４００ｎｍで０．６％以下）、擦傷性
も実用十分な程度の強度であった。

【００５０】なお、同様の成膜において、発光強度を積
算することによる膜厚の制御を行わず、成膜時間を２０
０秒と一定にして成膜を１０回繰り返し行ったところ、
物理的膜厚のバラツキが９９〜１３２ｎｍと大きくなっ
た。この場合、膜には可視光の吸収がなく、擦傷性も十
分であり、膜品質は一定であった。

【００５１】以上の説明から本発明は、以下の発明を包
含している。 （１） 真空槽内に放電ガスを導入し、金属フッ化物を
少なくとも含む材料をターゲットとし、制御手段により
制御される高周波電力により前記ターゲット上に放電ガ
スのプラズマを発生させてターゲットをスパッタリング
する光学薄膜の製造方法において、前記プラズマ中にお
ける金属フッ化物を構成する分子の発光強度又は金属フ
ッ化物を構成する金属原子の発光強度の内、いずれかを
含む１つ以上の発光強度を監視すると共に、監視した発
光強度を積算し、この積算値によって薄膜の膜厚の制御
を行うことを特徴とする光学薄膜の製造方法。

【００５２】（２） 真空槽内に放電ガスを導入し、金
属フッ化物を少なくとも含む材料をターゲットとし、制
御手段により制御される高周波電力により前記ターゲッ
ト上に放電ガスのプラズマを発生させてターゲットをス
パッタリングする光学薄膜の製造方法において、前記プ
ラズマ中における金属フッ化物を構成する分子の発光強
度、金属フッ化物を構成する金属原子の発光強度又は放
電ガスの発光強度の内、少なくとも金属フッ化物を構成
する分子の発光強度又は金属フッ化物を構成する金属原
子の発光強度を含む２つ以上の発光強度を監視し、監視
した発光強度を組み合わせて演算すると共に、演算した
結果を積算し、この積算値によって薄膜の膜厚の制御を
行うことを特徴とする光学薄膜の製造方法。

【００５３】（３） 前記プラズマ中の金属フッ化物を
構成する分子の発光強度、金属フッ化物を構成する金属
原子の発光強度及び放電ガスの発光強度を組み合わせて
演算してフィードバック信号とし、このフィードバック
信号が一定となるように成膜パラメータを変化させなが
ら、上記（１）項又は（２）項の発光強度の監視及び積
算を行うことを特徴とする光学薄膜の製造方法。

【００５４】（４） 真空槽に放電ガスを導入するガス
導入手段と、少なくとも金属フッ化物を含む材料からな
るターゲットが載置される電極と、この電極に高周波電
力を供給し、前記ターゲット上に放電ガスのプラズマを
発生させる高周波電源と、前記プラズマ中の金属フッ化
物を構成する分子の発光強度と、金属フッ化物を構成す
る金属原子又は前記放電ガスの内、いずれか１つ以上の
発光強度とを監視する監視手段と、これらの内の１つ以
上の発光強度を積算し、又は発光強度に演算を行い演算
結果を積算する演算する演算／積算手段と、この演算／
積算手段からの値を所定値と比較し、比較結果を出力す
る比較手段と、この比較手段からの比較結果に基づいて
成膜を終了する制御手段とを備えていることを特徴とす
る光学薄膜の製造装置。

【００５５】（５） 少なくとも金属フッ化物を含むタ
ーゲット材料を載置した電極に放電ガスの存在下で高周
波電力を印加して上記ターゲット材料にプラズマを発生
させ、このプラズマ中のイオンによりターゲット材料を
スパッタリングしてターゲット材料の一部を分子又は原
子の状態で跳び出させ、基板上に薄膜を形成する光学薄
膜の製造方法において、前記プラズマ中の金属フッ化物
を構成する分子の発光強度を検出して積算し、この積算
値が所定値に達した時点で薄膜の形成を終了することを
特徴とする光学薄膜の製造方法。

【００５６】（６） 少なくとも金属フッ化物を含むタ
ーゲット材料を載置した電極に放電ガスの存在下で高周
波電力を印加して上記ターゲット材料にプラズマを発生
させ、このプラズマ中のイオンによりターゲット材料を
スパッタリングしてターゲット材料の一部を分子又は原
子の状態で跳び出させ、基板上に薄膜を形成する光学薄
膜の製造方法において、前記プラズマ中の金属フッ化物
を構成する分子のプラズマ発光強度と、金属フッ化物を
構成する金属原子のプラズマ発光強度とを少なくとも検
出し、これらのプラズマ発光強度を組み合わせて演算
し、この演算値を積算した積算値が所定値の達した時点
で薄膜の形成を終了することを特徴とする光学薄膜の製
造方法。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明の製
造方法によれば、金属フッ化物を構成する分子の発光強
度を検出して積算し、積算結果によって薄膜の形成を終
了するため、再現性が良好で、一定の膜厚の光学薄膜を
形成することができる。

【００５８】請求項２の発明の製造方法によれば、膜形
成に関わる分子又は原子の発光強度を検出して膜厚の制
御を行うため、再現性の良好な光学薄膜を形成すること
ができる。

【００５９】請求項３の発明の製造装置によれば、検出
したプラズマ発光強度を演算し、積算する演算／積算手
段と、演算／積算手段の結果に基づいて成膜を終了する
制御手段を有しているため、一定の膜厚の光学薄膜を良
好な再現性で製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の製造装置の部分断面図で
ある。

【符号の説明】

１ マグネトロンスパッタリングカソード ２ ターゲット材料 ３ ターゲットシールド ４ シャッター ５ ガラス基板 ６ 基板ホルダー ７ 放電領域 ８ 発光強度プローブ ９ 光ファイバー １０ 真空槽

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１０年２月２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明の製造方法は、少なくとも金属フッ
化物を含むターゲット材料を載置した電極に放電ガスの
存在下で高周波電力を印加して上記ターゲット材料上に
プラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンによりタ
ーゲット材料をスパッタリングしてターゲット材料の一
部を分子又は原子の状態で跳び出させ、基板上に薄膜を
形成する光学薄膜の製造方法において、前記プラズマ中
の少なくとも金属フッ化物を構成する分子の発光強度を
検出して積算し、この積算結果に基づいて薄膜の形成を
終了することを特徴とする。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５５】（５） 少なくとも金属フッ化物を含むタ
ーゲット材料を載置した電極に放電ガスの存在下で高周
波電力を印加して上記ターゲット材料上にプラズマを発
生させ、このプラズマ中のイオンによりターゲット材料
をスパッタリングしてターゲット材料の一部を分子又は
原子の状態で跳び出させ、基板上に薄膜を形成する光学
薄膜の製造方法において、前記プラズマ中の金属フッ化
物を構成する分子の発光強度を検出して積算し、この積
算値が所定値に達した時点で薄膜の形成を終了すること
を特徴とする光学薄膜の製造方法。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５６】（６） 少なくとも金属フッ化物を含むタ
ーゲット材料を載置した電極に放電ガスの存在下で高周
波電力を印加して上記ターゲット材料上にプラズマを発
生させ、このプラズマ中のイオンによりターゲット材料
をスパッタリングしてターゲット材料の一部を分子又は
原子の状態で跳び出させ、基板上に薄膜を形成する光学
薄膜の製造方法において、前記プラズマ中の金属フッ化
物を構成する分子のプラズマ発光強度と、金属フッ化物
を構成する金属原子のプラズマ発光強度とを少なくとも
検出し、これらのプラズマ発光強度を組み合わせて演算
し、この演算値を積算した積算値が所定値の達した時点
で薄膜の形成を終了することを特徴とする光学薄膜の製
造方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 浩 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 高尾 潔 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 豊原 延好 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 生水 利明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも金属フッ化物を含むターゲッ
   ト材料を載置した電極に放電ガスの存在下で高周波電力
   を印加して上記ターゲット材料にプラズマを発生させ、
   このプラズマ中のイオンによりターゲット材料をスパッ
   タリングしてターゲット材料の一部を分子又は原子の状
   態で跳び出させ、基板上に薄膜を形成する光学薄膜の製
   造方法において、 前記プラズマ中の少なくとも金属フッ化物を構成する分
   子の発光強度を検出して積算し、この積算結果に基づい
   て薄膜の形成を終了することを特徴とする光学薄膜の製
   造方法。
2. 【請求項２】 高周波スパッタリング法による薄膜の製
   造方法において、 膜形成に関わる分子又は原子のプラズマ発光強度を検出
   して積算し、この積算結果に基づいて膜厚の制御を行う
   ことを特徴とする光学薄膜の製造方法。
3. 【請求項３】 真空槽と、この真空槽内に放電ガスを導
   入するガス導入手段と、真空槽内に配置するターゲット
   材料が載置される電極と、この電極に高周波電力を供給
   して前記ターゲット材料上に前記放電ガスのプラズマを
   発生させる高周波電源と、基板への成膜中にプラズマ発
   光強度を検出する検出手段と、この検出手段によって検
   出されたプラズマ発光強度を演算して積算する演算／積
   算手段と、この演算／積算手段の出力値を所定値と比較
   し、比較結果に基づいて成膜を終了する制御手段とを備
   えていることを特徴とする光学薄膜の製造装置。