JPH1161441A - 機能性プラスチックフィルムの製造法 - Google Patents
機能性プラスチックフィルムの製造法Info
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- JPH1161441A JPH1161441A JP23203097A JP23203097A JPH1161441A JP H1161441 A JPH1161441 A JP H1161441A JP 23203097 A JP23203097 A JP 23203097A JP 23203097 A JP23203097 A JP 23203097A JP H1161441 A JPH1161441 A JP H1161441A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明性が良好で、かつガスバリア性と水蒸気
バリア性などに優れたプラスチックフィルムの製造法を
提供する。 【解決手段】 プラスチックフィルムの少なくとも片面
に、オゾンを含む酸素と有機金属からなる原料ガスを用
い、プラズマCVD法により無機酸化物層を形成し、次
いでPVD法によりさらに無機物層を積層することを特
徴とするガスバリア性プラスチックフィルムの製造法。
バリア性などに優れたプラスチックフィルムの製造法を
提供する。 【解決手段】 プラスチックフィルムの少なくとも片面
に、オゾンを含む酸素と有機金属からなる原料ガスを用
い、プラズマCVD法により無機酸化物層を形成し、次
いでPVD法によりさらに無機物層を積層することを特
徴とするガスバリア性プラスチックフィルムの製造法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明性が良好で、
かつガスバリア性などの機能性に優れた無機物層で被覆
されたプラスチックフィルムの製造法に関するものであ
る。
かつガスバリア性などの機能性に優れた無機物層で被覆
されたプラスチックフィルムの製造法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】包装材料には、一般に、内容物の品質劣
化を防ぐ機能が要求される。特に内容物が変質、腐敗し
やすい食品包装分野、また、半導体などの移送時に用い
られる工業品包装分野で用いられるプラスチックフィル
ムは、酸素、エチレン、二酸化炭素、様々な香気成分及
び水蒸気などのバリア性に優れている必要がある。ま
た、ITOフィルムのような透明導電性を付与したプラ
スチックフィルムは、このようなバリア性とともに絶縁
破壊耐性が必要とされ、さらに光触媒機能をもたせたプ
ラスチックフィルムは、このようなバリア性とともにプ
ラスチックフィルムと光触媒層との間にプラスチックフ
ィルムの保護層が必要となる。
化を防ぐ機能が要求される。特に内容物が変質、腐敗し
やすい食品包装分野、また、半導体などの移送時に用い
られる工業品包装分野で用いられるプラスチックフィル
ムは、酸素、エチレン、二酸化炭素、様々な香気成分及
び水蒸気などのバリア性に優れている必要がある。ま
た、ITOフィルムのような透明導電性を付与したプラ
スチックフィルムは、このようなバリア性とともに絶縁
破壊耐性が必要とされ、さらに光触媒機能をもたせたプ
ラスチックフィルムは、このようなバリア性とともにプ
ラスチックフィルムと光触媒層との間にプラスチックフ
ィルムの保護層が必要となる。
【0003】ガスバリア性を備えた包装材として、従来
よりプラスチック基材にアルミニウム箔層を設けた材料
が使用されている。しかしこのような従来の材料は、安
定したガスバリア性が得られるものの、透明性は得られ
ず、また焼却時にアルミ残渣が生じるため、使用後の廃
棄処分に問題があった。さらに、電子レンジで使用でき
ないという問題もあった。
よりプラスチック基材にアルミニウム箔層を設けた材料
が使用されている。しかしこのような従来の材料は、安
定したガスバリア性が得られるものの、透明性は得られ
ず、また焼却時にアルミ残渣が生じるため、使用後の廃
棄処分に問題があった。さらに、電子レンジで使用でき
ないという問題もあった。
【0004】このような問題に対処するため、エチレン
−ビニルアルコール共重合体(EVOH)やポリ塩化ビ
ニル(PVC)、ポリ塩化ビニリデン(PVDC)から
なるバリア層を備えた材料が種々開発されてきている。
しかしPVCやPVDCなどを用いると、得られるバリ
ア性能はアルミニウム箔で得られるよりも低く、一方E
VOHは、酸素バリア性に優れているものの、水蒸気に
接触するとバリア性が低下するという問題があった。従
って、EVOHをバリア層として用いるためには、この
EVOHを水蒸気から遮断することが必要とされてい
た。
−ビニルアルコール共重合体(EVOH)やポリ塩化ビ
ニル(PVC)、ポリ塩化ビニリデン(PVDC)から
なるバリア層を備えた材料が種々開発されてきている。
しかしPVCやPVDCなどを用いると、得られるバリ
ア性能はアルミニウム箔で得られるよりも低く、一方E
VOHは、酸素バリア性に優れているものの、水蒸気に
接触するとバリア性が低下するという問題があった。従
って、EVOHをバリア層として用いるためには、この
EVOHを水蒸気から遮断することが必要とされてい
た。
【0005】また近年では、高いガスバリア性を有し、
透明で、かつ廃棄時の環境上の問題もない材料として、
珪素酸化物や酸化アルミニウムなどの無機酸化物層をガ
スバリア層として備えた材料が開発されている。これら
の無機酸化物層は、一般に絶縁破壊耐性が良好で、かつ
光触媒等と接触しても化学変化を起こしにくいという特
徴をあわせ持つ。このような無機酸化物層は、主に原料
である金属や無機酸化物を物理的蒸着法(PVD法)で
基材上に付着させる方法で形成されている。
透明で、かつ廃棄時の環境上の問題もない材料として、
珪素酸化物や酸化アルミニウムなどの無機酸化物層をガ
スバリア層として備えた材料が開発されている。これら
の無機酸化物層は、一般に絶縁破壊耐性が良好で、かつ
光触媒等と接触しても化学変化を起こしにくいという特
徴をあわせ持つ。このような無機酸化物層は、主に原料
である金属や無機酸化物を物理的蒸着法(PVD法)で
基材上に付着させる方法で形成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、PVD
法で得られる無機酸化物層からなるバリア層は、無機酸
化物粒子が基材上に蒸着したものであるため、該粒子間
に粒界が存在しており、十分なバリア性を得るためには
無機酸化物層を厚くする必要があった。このため展性に
劣りクラックやそりが発生しやすいという問題があっ
た。また、基材との界面における接着性が悪いため、基
材と無機酸化物層との界面で剥離しやすいという問題が
あった。
法で得られる無機酸化物層からなるバリア層は、無機酸
化物粒子が基材上に蒸着したものであるため、該粒子間
に粒界が存在しており、十分なバリア性を得るためには
無機酸化物層を厚くする必要があった。このため展性に
劣りクラックやそりが発生しやすいという問題があっ
た。また、基材との界面における接着性が悪いため、基
材と無機酸化物層との界面で剥離しやすいという問題が
あった。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものである。すなわち、透明性が良好で、かつガスバ
リア性に優れ、基材と無機酸化物層との接着性や展性に
優れた機能性プラスチックフィルムの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
たものである。すなわち、透明性が良好で、かつガスバ
リア性に優れ、基材と無機酸化物層との接着性や展性に
優れた機能性プラスチックフィルムの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な課題を解決するため鋭意検討の結果、プラスチックフ
ィルム基材上に、先ずオゾンと有機金属とを含む原料ガ
スを用いて、CVD法により無機酸化物層を形成し、こ
の上にPVD法を用いて引き続き無機物層を積層すると
いう方法を用いることにより、ガスバリア性に優れ、基
材と無機酸化物層との接着性や展性が改善された優れた
機能性プラスチックフィルムが得られることを見出し本
発明に到達した。すなわち、本発明は、プラスチックフ
ィルムの少なくとも片面に、オゾンを含む酸素と有機金
属からなる原料ガスを用い、プラズマCVD法により無
機酸化物層を形成し、次いでPVD法によりさらに無機
物層を積層することを特徴とする機能性プラスチックフ
ィルムの製造法を要旨とするものである。
な課題を解決するため鋭意検討の結果、プラスチックフ
ィルム基材上に、先ずオゾンと有機金属とを含む原料ガ
スを用いて、CVD法により無機酸化物層を形成し、こ
の上にPVD法を用いて引き続き無機物層を積層すると
いう方法を用いることにより、ガスバリア性に優れ、基
材と無機酸化物層との接着性や展性が改善された優れた
機能性プラスチックフィルムが得られることを見出し本
発明に到達した。すなわち、本発明は、プラスチックフ
ィルムの少なくとも片面に、オゾンを含む酸素と有機金
属からなる原料ガスを用い、プラズマCVD法により無
機酸化物層を形成し、次いでPVD法によりさらに無機
物層を積層することを特徴とする機能性プラスチックフ
ィルムの製造法を要旨とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明でいうプラズマCVD(Chemical Vepor Deposit
ion )法とは、原料ガスをグロー放電などにより電離さ
せてプラズマ状態とし、酸化還元反応、置換反応、自己
分解反応などを行わせ、これらの反応による生成物を基
板上に堆積させる方法をいう。本発明におけるプラズマ
CVD法では、反応空間を有する反応容器に、有機金属
化合物を含む原料ガスを導入するための導入管、放電エ
ネルギーが印加される電極、放電エネルギーが印加され
る電極に対向する接地電極、反応容器内のガスを排気す
るための排気管及び排気装置が備え付けられ、さらに反
応原料ガス中の酸素ガスをオゾン化するためのオゾン発
生器を基本的な構成単位とするCVD装置を用いて好適
に行われる。そのようなプラズマCVD装置の一例の概
略構成図を図1に示す。
本発明でいうプラズマCVD(Chemical Vepor Deposit
ion )法とは、原料ガスをグロー放電などにより電離さ
せてプラズマ状態とし、酸化還元反応、置換反応、自己
分解反応などを行わせ、これらの反応による生成物を基
板上に堆積させる方法をいう。本発明におけるプラズマ
CVD法では、反応空間を有する反応容器に、有機金属
化合物を含む原料ガスを導入するための導入管、放電エ
ネルギーが印加される電極、放電エネルギーが印加され
る電極に対向する接地電極、反応容器内のガスを排気す
るための排気管及び排気装置が備え付けられ、さらに反
応原料ガス中の酸素ガスをオゾン化するためのオゾン発
生器を基本的な構成単位とするCVD装置を用いて好適
に行われる。そのようなプラズマCVD装置の一例の概
略構成図を図1に示す。
【0010】このプラズマCVD装置は、成膜を行う反
応容器(14)と、該反応容器内に基板(1)を設置出
来る接地電極(2)および高周波電圧が印加される電極
(3)、反応容器に原料ガスを導入するための導入口
(4)、高周波電源(5)、整流器(6)、反応容器内
のガスを排気するための真空ポンプ(7)を備えてい
る。また、反応容器の外部には有機珪素化合物の導入装
置(8)と放電式のオゾン発生器(9)及び酸素供給装
置(10)が設置され、これらが原料導入口に接続され
ている。
応容器(14)と、該反応容器内に基板(1)を設置出
来る接地電極(2)および高周波電圧が印加される電極
(3)、反応容器に原料ガスを導入するための導入口
(4)、高周波電源(5)、整流器(6)、反応容器内
のガスを排気するための真空ポンプ(7)を備えてい
る。また、反応容器の外部には有機珪素化合物の導入装
置(8)と放電式のオゾン発生器(9)及び酸素供給装
置(10)が設置され、これらが原料導入口に接続され
ている。
【0011】また、オゾン発生器内が減圧にならないよ
うモニターするため、圧力計(11)がオゾン発生器に
備えられている。さらに、オゾン発生器内を過度な加圧
状態にしないよう、保圧弁(12)も備えられている。
うモニターするため、圧力計(11)がオゾン発生器に
備えられている。さらに、オゾン発生器内を過度な加圧
状態にしないよう、保圧弁(12)も備えられている。
【0012】オゾン発生器は、放電式、電気分解式な
ど、すべての形式のものが使用できる。オゾンの濃度を
高めるために、吸着スイング方式を併用したものなども
好適に用いられる。ただし、方式によっては水分を含ん
だオゾンを発生するものもあるため、必要に応じて乾燥
して用いるのが望ましい。
ど、すべての形式のものが使用できる。オゾンの濃度を
高めるために、吸着スイング方式を併用したものなども
好適に用いられる。ただし、方式によっては水分を含ん
だオゾンを発生するものもあるため、必要に応じて乾燥
して用いるのが望ましい。
【0013】本発明でいうPVD(Physical Vapor Depo
sition) 法とは、金属原料もしくは金属酸化物原料を抵
抗加熱法や高周波誘導加熱法、種々のスパッタリング
法、エレクトロンビーム法、イオンプレーティング法な
どにより減圧下、必要に応じては酸素雰囲気下で蒸発さ
せ、基材上に無機物を付着させる方法をいう。本発明で
用いられるPVD装置としては、従来のものが同様に使
用できる。
sition) 法とは、金属原料もしくは金属酸化物原料を抵
抗加熱法や高周波誘導加熱法、種々のスパッタリング
法、エレクトロンビーム法、イオンプレーティング法な
どにより減圧下、必要に応じては酸素雰囲気下で蒸発さ
せ、基材上に無機物を付着させる方法をいう。本発明で
用いられるPVD装置としては、従来のものが同様に使
用できる。
【0014】本発明で用いられるプラスチックフィルム
基材は、得られる機能性プラスチックフィルムの使用目
的にあわせ適宜選択することが出来るが、例えば、ナイ
ロン6、ナイロン66、ナイロン12、ナイロン6・6
6共重合体などのポリアミド、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートなどのポリエステル、ポリエチレン、ポリプロ
ピレンなどのポリオレフィン、ポリメタクリレートなど
のアクリル樹脂及びポリカーボネート、ポリビニルアル
コール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリア
クリロニトリル、ポリイミド、ポリフェニレンサルファ
イド、ポリアリレートなどの高分子材料から形成された
プラスチックフィルム基材を挙げることが出来る。
基材は、得られる機能性プラスチックフィルムの使用目
的にあわせ適宜選択することが出来るが、例えば、ナイ
ロン6、ナイロン66、ナイロン12、ナイロン6・6
6共重合体などのポリアミド、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートなどのポリエステル、ポリエチレン、ポリプロ
ピレンなどのポリオレフィン、ポリメタクリレートなど
のアクリル樹脂及びポリカーボネート、ポリビニルアル
コール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリア
クリロニトリル、ポリイミド、ポリフェニレンサルファ
イド、ポリアリレートなどの高分子材料から形成された
プラスチックフィルム基材を挙げることが出来る。
【0015】これらのプラスチックフィルム基材は、未
延伸フィルあるいは延伸フィルムのいずれであってもよ
く、またシート状であってもよい。さらに、これらのプ
ラスチックフィルム基材は、単一の素材からなるもの、
複数のフィルム素材がラミネートされたもの、あるいは
他物質によりコーティングされたものなどいずれであっ
ても本発明が適用できる。
延伸フィルあるいは延伸フィルムのいずれであってもよ
く、またシート状であってもよい。さらに、これらのプ
ラスチックフィルム基材は、単一の素材からなるもの、
複数のフィルム素材がラミネートされたもの、あるいは
他物質によりコーティングされたものなどいずれであっ
ても本発明が適用できる。
【0016】これらのプラスチックフィルム基材は、事
前に、コロナ放電、プラズマ、光照射などによりその表
面を活性化させておくと、無機酸化物層の接着性が向上
するので好ましい。
前に、コロナ放電、プラズマ、光照射などによりその表
面を活性化させておくと、無機酸化物層の接着性が向上
するので好ましい。
【0017】これらのプラスチックフィルム基材の厚さ
は、特に限定されないが、通常1μm以上、さらに好ま
しくは5μm以上である。厚さが、1μm未満である
と、フィルム基材の強度に問題が生じるため好ましくな
い。
は、特に限定されないが、通常1μm以上、さらに好ま
しくは5μm以上である。厚さが、1μm未満である
と、フィルム基材の強度に問題が生じるため好ましくな
い。
【0018】本発明におけるプラズマCVD法で用いら
れる原料ガスは、フィルム上に形成される無機酸化物層
の原料となるものであり、プラズマ化されて無機酸化物
層を形成するものであれば特に限定されるものではな
い。そのような原料ガスとしては、オゾンを含む酸素と
有機金属化合物が含まれておればよく、有機金属化合物
としては、有機珪素化合物、有機アルミ化合物、有機チ
タン化合物、有機ホウ素化合物、有機インジウム化合
物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物などが挙げられる。
これらの中で、有機珪素化合物が、得られる酸化珪素の
化学的安定性や食品包装材料に用いた場合の安定性の点
で特に好ましく用いられる。
れる原料ガスは、フィルム上に形成される無機酸化物層
の原料となるものであり、プラズマ化されて無機酸化物
層を形成するものであれば特に限定されるものではな
い。そのような原料ガスとしては、オゾンを含む酸素と
有機金属化合物が含まれておればよく、有機金属化合物
としては、有機珪素化合物、有機アルミ化合物、有機チ
タン化合物、有機ホウ素化合物、有機インジウム化合
物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物などが挙げられる。
これらの中で、有機珪素化合物が、得られる酸化珪素の
化学的安定性や食品包装材料に用いた場合の安定性の点
で特に好ましく用いられる。
【0019】この有機珪素化合物の具体例としては、ビ
ニルアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン、アル
キルトリアルコキシシラン、ポリメチルジシロキサン等
が挙げられる。これらに属するものとして、1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシ
ロキサン、メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジ
シラン、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、ジエ
チルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等
がある。これらの中で、1,1,3,3−テトラメチル
ジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシランが安価である点で好
ましい。
ニルアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン、アル
キルトリアルコキシシラン、ポリメチルジシロキサン等
が挙げられる。これらに属するものとして、1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシ
ロキサン、メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジ
シラン、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、ジエ
チルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等
がある。これらの中で、1,1,3,3−テトラメチル
ジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシランが安価である点で好
ましい。
【0020】原料ガスの酸素に含まれるオゾンの濃度
は、生産されるフィルムの生産スピードにより適宜選択
されるが、500g/Nm3 未満であるのが好ましく、
より好ましくは5〜300Nm3 の範囲である。500
g/Nm3 以上の場合には、通常のオゾナイザー以外に
特別な機器を必要とするためコストアップにつながり、
また、オゾン濃度が高くなると原料移送中に配管内で原
料の酸化反応が著しく進み、配管中のスケールの増加を
もたらすため好ましくない。一方、5g/Nm3未満の
場合には、実質的なオゾンの効果がみられないので好ま
しくない。
は、生産されるフィルムの生産スピードにより適宜選択
されるが、500g/Nm3 未満であるのが好ましく、
より好ましくは5〜300Nm3 の範囲である。500
g/Nm3 以上の場合には、通常のオゾナイザー以外に
特別な機器を必要とするためコストアップにつながり、
また、オゾン濃度が高くなると原料移送中に配管内で原
料の酸化反応が著しく進み、配管中のスケールの増加を
もたらすため好ましくない。一方、5g/Nm3未満の
場合には、実質的なオゾンの効果がみられないので好ま
しくない。
【0021】本発明は、まず、上記したプラスチックフ
ィルムの少なくとも片面上に、上記した原料ガスを用い
プラズマCVD法により無機酸化物層を形成させる。プ
ラズマCVD法の条件は、従来のプラズマCVD法で用
いられている条件と同様でよい。この条件は、原料ガス
の組成や用いる電極の大きさにより異なるため一概には
規定できないが、例えばポリエチレンテレフタレートフ
ィルムに酸化珪素の層を形成する場合、圧力は1tor
r以下、好ましくは0.5torr以下で、温度は15
0℃以下、好ましくは0〜100℃の範囲で行うことが
できる。
ィルムの少なくとも片面上に、上記した原料ガスを用い
プラズマCVD法により無機酸化物層を形成させる。プ
ラズマCVD法の条件は、従来のプラズマCVD法で用
いられている条件と同様でよい。この条件は、原料ガス
の組成や用いる電極の大きさにより異なるため一概には
規定できないが、例えばポリエチレンテレフタレートフ
ィルムに酸化珪素の層を形成する場合、圧力は1tor
r以下、好ましくは0.5torr以下で、温度は15
0℃以下、好ましくは0〜100℃の範囲で行うことが
できる。
【0022】本発明では、次いで、この無機酸化物層の
上に重ねて、PVD法によって無機物層を積層させる。
PVD法により無機物層を積層させるため、フィルムを
CVD装置より一旦取り出してPVD装置にセットする
こともできるが、CVD装置からフィルムを引き続きP
VD装置に導入し,無機物層を積層することもできる。
その際CVD装置とPVD装置の間に圧力を段階的に変
化させる領域を持たせることが必要となる。
上に重ねて、PVD法によって無機物層を積層させる。
PVD法により無機物層を積層させるため、フィルムを
CVD装置より一旦取り出してPVD装置にセットする
こともできるが、CVD装置からフィルムを引き続きP
VD装置に導入し,無機物層を積層することもできる。
その際CVD装置とPVD装置の間に圧力を段階的に変
化させる領域を持たせることが必要となる。
【0023】本発明におけるPVD法に用いられる蒸着
原料としては、製造するフィルムを最終的に何の用途に
使用するかで異なる。例えば、ガスバリア性を求めるな
ら珪素、一酸化珪素、二酸化珪素などの珪素化合物、ア
ルミニウム、酸化アルミニウムなどのアルミ化合物、ホ
ウ素、酸化ホウ素などのホウ素化合物やマグネシウム化
合物などが用いられ、光触媒として使用するなら、チタ
ン、酸化チタンなどのチタン化合物、また導電性薄膜と
して用いるのならインジウム化合物、錫化合物、亜鉛化
合物などから一つ以上選択すればよい。
原料としては、製造するフィルムを最終的に何の用途に
使用するかで異なる。例えば、ガスバリア性を求めるな
ら珪素、一酸化珪素、二酸化珪素などの珪素化合物、ア
ルミニウム、酸化アルミニウムなどのアルミ化合物、ホ
ウ素、酸化ホウ素などのホウ素化合物やマグネシウム化
合物などが用いられ、光触媒として使用するなら、チタ
ン、酸化チタンなどのチタン化合物、また導電性薄膜と
して用いるのならインジウム化合物、錫化合物、亜鉛化
合物などから一つ以上選択すればよい。
【0024】PVD法により無機物層を形成する工程に
おける条件は、原料として使用する金属又は金属酸化物
により異なるため一概には規定できないが、従来行われ
ているPVD法にしたがって行えばよい。例えば、高周
波誘導加熱法を用いて酸化珪素の層を形成する場合、減
圧度は10-4torr以下で、温度は1000℃から1
500℃程度が好ましい。
おける条件は、原料として使用する金属又は金属酸化物
により異なるため一概には規定できないが、従来行われ
ているPVD法にしたがって行えばよい。例えば、高周
波誘導加熱法を用いて酸化珪素の層を形成する場合、減
圧度は10-4torr以下で、温度は1000℃から1
500℃程度が好ましい。
【0025】本発明では、アンカーコート性、ガスバリ
ア性を持った無機酸化物層を先ずCVD法でフィルム基
材上に構築することにより無機酸化物層と基材間の接着
性、展性の問題を解決し、かつ製造されるフィルムの最
表面を、PVD法により様々な無機物を構築してその応
用を広げることができるようになる。また、オゾンアシ
ストプラズマCVD法を用いることにより、CVD法の
問題である成膜速度を改善することができたものであ
る。
ア性を持った無機酸化物層を先ずCVD法でフィルム基
材上に構築することにより無機酸化物層と基材間の接着
性、展性の問題を解決し、かつ製造されるフィルムの最
表面を、PVD法により様々な無機物を構築してその応
用を広げることができるようになる。また、オゾンアシ
ストプラズマCVD法を用いることにより、CVD法の
問題である成膜速度を改善することができたものであ
る。
【0026】
【実施例】次に、本発明を実施例によって具体的に説明
する。なお、実施例において、プラスチックの酸素透過
度は、MOKON社製OX−TRAN100型を用い、
JISK7126に示された方法により測定した。透過
度測定は、Nagano科学社製LH−20−11VP
型を用いて測定した。
する。なお、実施例において、プラスチックの酸素透過
度は、MOKON社製OX−TRAN100型を用い、
JISK7126に示された方法により測定した。透過
度測定は、Nagano科学社製LH−20−11VP
型を用いて測定した。
【0027】実施例1 厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを
用い、先ずヘキサメチルジシロキサンと50g/Nm3
のオゾンを含む酸素を原料ガスとして珪素酸化物をプラ
ズマCVD法によりフィルムに被覆した。ついでこの上
に、1×10-4torrの真空下、二酸化珪素と珪素の
混合物を原料とし、高周波誘導加熱法により珪素酸化物
を構築した。得られたフィルムの酸素透過度は0.5c
c/m2・24h・1atm、透湿度は1.0g/m2
・24h・1atmであり、4%伸長させても、その性
能は劣化しなかった。
用い、先ずヘキサメチルジシロキサンと50g/Nm3
のオゾンを含む酸素を原料ガスとして珪素酸化物をプラ
ズマCVD法によりフィルムに被覆した。ついでこの上
に、1×10-4torrの真空下、二酸化珪素と珪素の
混合物を原料とし、高周波誘導加熱法により珪素酸化物
を構築した。得られたフィルムの酸素透過度は0.5c
c/m2・24h・1atm、透湿度は1.0g/m2
・24h・1atmであり、4%伸長させても、その性
能は劣化しなかった。
【0028】実施例2 厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを
用い、先ず1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
と110g/Nm3 のオゾンを含む酸素を原料ガスとし
て珪素酸化物をプラズマCVD法によりフィルムに被覆
した。ついでこの上に、電子ビーム加熱蒸発源を有する
連続式真空蒸発装置を用い、酸素雰囲気下、アルミニウ
ム金属を蒸着原料として酸化アルミ層を構築した。得ら
れたフィルムの酸素透過度は0.9cc/m2 ・24h
・1atm、透湿度は1.1g/m2 ・24h・1at
mであり、4%伸長させても、その性能は劣化しなかっ
た。
用い、先ず1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
と110g/Nm3 のオゾンを含む酸素を原料ガスとし
て珪素酸化物をプラズマCVD法によりフィルムに被覆
した。ついでこの上に、電子ビーム加熱蒸発源を有する
連続式真空蒸発装置を用い、酸素雰囲気下、アルミニウ
ム金属を蒸着原料として酸化アルミ層を構築した。得ら
れたフィルムの酸素透過度は0.9cc/m2 ・24h
・1atm、透湿度は1.1g/m2 ・24h・1at
mであり、4%伸長させても、その性能は劣化しなかっ
た。
【0029】比較例1 厚さ12μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを
用い、1×10-4torrの真空下、二酸化珪素と珪素
の混合物を原料とし、高周波誘導加熱法により珪素酸化
物を構築した。得られたフィルムの酸素透過度は3.1
cc/m2 ・24h・1atm、透湿度は4.4g/m
2 ・24h・1atmであり、2%伸長させると、その
性能は酸素透過度は10.2cc/m2 ・24h・1a
tm、透湿度は15.2g/m2 ・24h・1atmに
劣化した。
用い、1×10-4torrの真空下、二酸化珪素と珪素
の混合物を原料とし、高周波誘導加熱法により珪素酸化
物を構築した。得られたフィルムの酸素透過度は3.1
cc/m2 ・24h・1atm、透湿度は4.4g/m
2 ・24h・1atmであり、2%伸長させると、その
性能は酸素透過度は10.2cc/m2 ・24h・1a
tm、透湿度は15.2g/m2 ・24h・1atmに
劣化した。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、透明性が良好で、かつ
ガスバリア性と水蒸気バリア性などに優れたプラスチッ
クフィルムを従来より安定して得ることができる。
ガスバリア性と水蒸気バリア性などに優れたプラスチッ
クフィルムを従来より安定して得ることができる。
【図1】本発明に用いられるプラズマCVD装置の構成
概略図を示す図である。
概略図を示す図である。
1 基板 2 設置電極 3 放電エネルギーが印加される電極 4 原料ガス導入口 5 電源 6 整流器 7 真空ポンプ 8 珪素化合物導入装置 9 オゾン発生器 10 酸素供給装置 11 圧力計 12 保圧弁 13 圧力計 14 反応容器
Claims (1)
- 【請求項1】 プラスチックフィルムの少なくとも片面
に、オゾンを含む酸素と有機金属からなる原料ガスを用
い、プラズマCVD法により無機酸化物層を形成し、次
いでPVD法により無機物層を積層することを特徴とす
る機能性プラスチックフィルムの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23203097A JPH1161441A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 機能性プラスチックフィルムの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23203097A JPH1161441A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 機能性プラスチックフィルムの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1161441A true JPH1161441A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=16932874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23203097A Pending JPH1161441A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 機能性プラスチックフィルムの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1161441A (ja) |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP23203097A patent/JPH1161441A/ja active Pending
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