JPH1164442A

JPH1164442A - 電子部品チップ検査用治具

Info

Publication number: JPH1164442A
Application number: JP9241981A
Authority: JP
Inventors: Kenzo Kawaguchi; 健藏川口
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1997-08-21
Filing date: 1997-08-21
Publication date: 1999-03-05

Abstract

(57)【要約】【課題】フリップチップの性能検査において、繰返し
使用に支障がなく、配線基板への搭載前にフリップチッ
プ単体でその電気検査ができる治具を得る。【解決手段】電子部品チップＦの接続端子Ｔを接触さ
せる検査用電極３を絶縁基板上に多数形成する。その検
査用電極３は、内部の導体配線を介して別設の電極７に
接続する。検査用電極３は表面に硬度がＨｖ５００〜１
０００程度の硬質Ｃｒメッキをかけておき、検査用治具
とする。別設の電極７を介して所定の検査装置に接続
し、各検査用電極３にチップＦのバンプＴの位置を合わ
せて圧接し、導通をとる。これにより配線基板への搭載
前にチップ単体で電気検査できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品チップ検
査用治具に関し、詳しくは、外部接続端子（以下、接続
端子又は単に端子ともいう）を一主平面に多数備え、フ
リップチップ方式にてＩＣパッケージなどの配線基板に
搭載、接続されるＩＣ等の電子部品チップ（以下、フリ
ップチップ又はチップともいう）について、その性能検
査（以下、電気検査ともいう）をする際に使用される検
査用治具（以下、単に治具ともいう）に関する。

【０００２】

【従来の技術】ワイヤボンディングタイプのＩＣチップ
では、その電気検査はチップの全接続端子に同時にプロ
ーブを当接ないし圧接させることで、問題なくこれを行
うことができる。端子にはワイヤボンド可能なように平
坦面が形成されているからである。また、ＴＡＢ（Tape
Autonated Bonding）タイプのチップでは、チップをＴ
ＡＢテープに接合した後、ＴＡＢテープ上に形成された
テストパターンを利用してチップの電気検査を行うこと
ができる。このように、フリップチップ以外のチップで
はチップ単体で性能検査ができる。したがって、これら
のチップではチップ単体で合否（測定結果）を判定し、
その合格品（良品チップ）のみをＩＣパッケージなどの
配線基板（以下、単にパッケージ或いは配線基板ともい
う）に搭載することができる。

【０００３】一方、フリップチップの電気検査は、従
来、これをパッケージに搭載、接合した後に行ってい
た。フリップチップでは、その一主平面に設けられた外
部接続端子（電極）がバンプをなし、これが格子状など
平面的に多数配置されているので、すべてのバンプを一
括してプロービングするように多数のプローブを１つの
装置として組み立てることが困難なためである。このよ
うに、フリップチップにおいては他のチップのようにプ
ロービングができず、チップ単体での性能測定（合否の
判定）はできないため、チップをパッケージに搭載、接
合した後に、そのパッケージのプリント基板接続用の外
部用の電極を検査装置を構成するテストボードの電極に
圧接するなどにより電気的導通を確保し、その下で電気
検査をしていた。このような搭載後の電気検査によれ
ば、質の高い検査となる反面、次のような問題があっ
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】すなわち、パッケージ
に搭載した後、不良と判定された場合には、不良チップ
の他にそのパッケージをも廃棄することになってしま
う。したがって、搭載工程やパッケージに無駄が生じる
といった問題があった。また、再リフローすることで接
合を解除して不良チップを取り除いてパッケージを回収
し、別のチップをその回収したパッケージに搭載するこ
とも考えられる。しかし、これでは再リフローして不良
チップをパッケージから除去する手間がかかる上に、前
に接合した際のハンダや金などの残渣がパッケージのパ
ッド上に残るので、たとえ検査で合格となったとしても
装置としての信頼性の低下を招く原因となる。また、不
良判定が繰り返されれば、チップの搭載、接合およびそ
の除去の繰り返しを要するだけでなく、こうした問題は
一層顕著となる。

【０００５】一方、このような問題の解消のためには、
検査対象のチップが搭載される配線基板と同一のものを
治具として使用し、チップの端子をハンダ付けすること
なく配線基板の端子に当接ないし圧接させることで導通
を確保し、その下でチップの電気検査をする、といった
ことが考えられる。しかし、例えばセラミック製パッケ
ージではその端子は厚膜メタライズからなり、通常、そ
の表面には軟質のＮｉメッキ及び軟質のＡｕメッキがか
けられており、その硬度はＨｖ（ビッカース硬度）５０
〜２００程度と低い。

【０００６】このような低硬度の軟質メッキがかけられ
た端子にチップの端子を繰り返し当接ないし圧接すれ
ば、その端子の表面層（メッキ）が早期に摩耗してしま
い、少数チップ（数十個〜数百個程度）の検査をした段
階で導通不良を招いてしまう危険性が高い。一方で、チ
ップの一か月当たりの生産数は百万個単位である。した
がって、パッケージそのものを検査用治具として用いる
ためには、検査の信頼性を低下させないように検査過程
でそれを頻繁に交換せざるを得ないが、これではコスト
の増大や検査効率の低下を招くことは明らかであり、実
用化できない。

【０００７】本発明は、フリップチップの性能検査にお
けるこのような問題点に鑑みて成されたもので、その目
的とするところは、多数のチップの電気検査に支障がな
く、配線基板への搭載前にフリップチップ単体でその電
気検査を行うのに好適な電子部品チップ検査用治具（以
下、単に治具ともいう）を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の電子部品チップ検査用治具は、電子部品チ
ップの電気検査を行うためにその接続端子を接触させる
検査用電極が、一主平面上に絶縁を確保して多数形成さ
れていると共に、その各検査用電極は、内部の導体配線
を介して別設の電極に各々接続されてなり、しかも、前
記各検査用電極は表面に硬度（ビッカース硬度）がＨｖ
５００以上の硬質メッキがかけられていることにある。
そして、ここに硬質メッキには、硬質Ｃｒ、硬質Ａｕ、
パラジウム、ロジウムの各メッキが例示される。

【０００９】上記検査用治具においては、その別設の電
極を、チップ検査装置を構成するテストボードの各端子
にハンダ付けなどにより接続し、検査装置に組込んで電
子部品チップ検査装置を構成する。そして、治具の検査
用電極に検査対象とされるフリップチップの各接続端子
（ハンダバンプなど）の位置を合わせ、所定の力で同電
極と同端子間が圧接されるようにする。こうすること
で、チップの接続端子と治具の検査用電極とが導通し、
フリップチップについて必要な電気検査をすることがで
きる。

【００１０】そして、検査用電極の表面にはＨｖ５００
以上の高硬度の硬質メッキがかけられている。一方、チ
ップの接続端子はハンダバンプ、Ａｕバンプなどであ
り、その硬度は高くともＨｖ５０以下である。このよう
な硬度の差により、多数のチップを検査することによっ
てその接続端子（ハンダバンプなど）が対応する治具の
検査用電極に繰り返し接触しても、その検査用電極の摩
耗は実質的に発生しないか微量である。これにより、本
発明に係る治具においては、数万個単位の多数のチップ
の検査にも実用上問題なく使用できる。

【００１１】かくして、本発明に係る検査用治具によれ
ば、フリップチップにおいても各種の電気検査がチップ
単体でできることになる。しかも、本発明にかかる治具
は、チップを搭載するパッケージと実質的に同じもので
構成でき、かつその接続端子に硬質メッキをかけること
で構成（製造）できるから、治具自体の製造も容易であ
る。さらに、チップがパッケージに搭載された場合とま
ったく同一の条件での電気検査ができるから、従来と同
様に検査の質を高めることができる。

【００１２】そして、上記手段においては、前記検査用
電極が絶縁基板の一方の主平面に設けられていると共
に、前記別設の電極（相互間隔）が該絶縁基板の他方の
主平面に前記検査用電極相互の間隔よりも大きい間隔で
設けられているのが好ましい。別設の電極から各種の検
査機器への接続が容易となるからである。

【００１３】また、絶縁基板は、セラミック基板とし、
前記一主平面をなす表面を研磨によって平坦にしておく
のが好ましい。研磨によって、高精度に平坦化できるの
で、接続がより確実となるためである。基板の大きさに
もよるが、平面度は、１０μｍ以下であり、表面粗さは
Ｒａ：０．８μｍ以下とするのが好ましい。とくに、セ
ラミック基板はセラミック多層配線基板であるとよい。
基板内において、検査が容易なように内部の導体配線
（内部配線ともいう）を引き回して別設の電極に取り出
すことができるためである。

【００１４】さらに、上記治具においては、検査用電極
が設けられている一主平面側にチップの位置決め用のマ
ーク（穴やメタライズ層）を形成しておくとよい。この
ようなマークが設けられていれば、これを読み取ること
で治具の検査用電極に対するチップの端子の位置決めが
でき、したがって、チップの実装時と同様に位置決めが
できる。なお、このようなマークは、治具の検査用電極
が設けられている一主平面側において、その外周寄り部
位に３か所以上に分離して設けるのが適切である。

【００１５】そして、上記のいずれの治具でも、一端
が、前記一主平面の前記検査用電極の群の中央寄り部位
に開口する貫通孔を設けるとよい。このようにしてあれ
ば、検査時において、電子部品チップを位置決めし、そ
の下で、同貫通孔の他端の開口から真空引きすることで
同チップを吸着できるので、検査時におけるチップの移
動防止ないし固定を容易にできるためである。なお、貫
通孔は、治具が絶縁基板からなるものでは、その他端の
開口は検査用電極が設けられている側の主平面と反対側
の主平面とされるのが好ましいが、その他端の開口位置
は治具の構造により適宜に設定すればよい。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例について、
図１〜３を参照して詳細に説明する。図１ないし図３
は、本発明にかかる治具１の一実施形態例を示すもので
ある。この治具１は、フリップチップが搭載されるＬＧ
Ａタイプのセラミック製配線基板と同様の平板形状、積
層構造を成し、次のように構成されている。ただし、本
例では詳しくは後述するがアルミナセラミックを主体と
して同時焼成されてなるものである。

【００１７】すなわち、本例の治具１は、上部の平坦な
表面（一主平面）２が図２に示したように、検査対象と
されるフリップチップＦの載置面とされており、各検査
用電極３，３が、平面視において同チップＦの各接続端
子と対面するように、それと同じ微小なピッチＰ１、配
置で絶縁を確保し、治具１の表面２上に、縦横に多数形
成されている。この検査用電極（群）３は、Ｗ（タング
ステン）やＭｏ（モリブデン）などの高融点金属を主成
分とするビア４や内部の導体配線５を介し、治具１の下
部表面（下面）６に導出され、検査用電極３相互間の間
隔（ピッチ）Ｐ１より大きな間隔Ｐ２で配置された別設
の検査装置接続用の電極７，７にそれぞれ接続されてい
る。本例のように、この電極７，７の間隔Ｐ２を大きく
しておくと、この治具１を各種の電気的特性を検査する
検査装置において用いる場合に接続や配線が容易とな
る。

【００１８】さて、このような本例治具１は、複数のセ
ラミック層１１〜１４を積層、焼結してなると共に（図
２参照）、図３に示したように、表面２すなわち最上層
のセラミック層１１の上面１１ａに、各ビア４の上端に
形成された検査用電極３が形成されている。すなわち、
詳細な製法は後述するが、本例では最上層のセラミック
層１１の上面１１ａは所定の平面度（１０μｍ程度）、
表面粗さ（Ｒａ：０．５μｍ）となるように焼成後研磨
され、その上面１１ａの各ビア４の部位に所定の平面形
状（本例では円形）、厚さの平坦な検査用電極３を備え
ている。

【００１９】このような検査用電極３の外径Ｄ１は例え
ば１２０μｍとされ、検査対象のチップＦのハンダバン
プ（端子）Ｔの基端部の径と略同一に設定されている。
また、検査用電極３は、後述するように形成され、最表
面に本例では硬質Ｃｒメッキが厚さ１〜１０μｍかけら
れ、その硬度がＨｖ５００〜１０００に確保されてい
る。なお、検査用電極３の厚さ（検査用電極３の上面３
ａからセラミック層１１の上面１１ａまでの高さ）は５
〜２０μｍ程度に設定されている。

【００２０】また、治具１の表面２の中央寄り部位であ
ってチップＦが搭載されて重ねられる図１中２点鎖線で
示されるチップ搭載エリアＥには、治具１の厚さ方向に
貫通する貫通孔８が２か所設けられている（図１及び２
参照）。ただし、その直径は１〜２ｍｍ程度とされてい
る。さらに、本例では、フリップチップを搭載する表面
２には検査用電極３と同材質からなる位置決め用マーク
（フィディシャルマーク）９が表面２の外周寄り部位に
複数（本例では４か所）設けられている。このように本
例の治具１は、貫通孔８の存在と検査用電極３の最表面
の硬質メッキを除くと、その材質、構造とも、セラミッ
ク製のＬＧＡ配線基板とほぼ同様のものである。

【００２１】このような本形態例の治具１を用いてチッ
プの電気検査をする際には、図４に示したように、その
治具１の外部用の電極７を所定のテストボード２０１の
各端子（図示せず）にハンダ付けなどにより接続し、リ
レー２０２、半導体パラメータアナライザ２０３、コン
トローラ２０４などを含む所定のチップ検査装置２１０
に組込み、その下で、検査対象のフリップチップＦを治
具１にセットすることで必要な電気検査をすることがで
きる。なお、本例では、治具１の表面２に搭載、セット
されたチップＦをその貫通孔８を介して同図中矢印Ｖで
示したように真空引きして治具１の表面２に吸着するよ
うに、テストボード２０１には貫通孔８に対応する位置
に吸引用の管路Ｋが形成されている。そして、治具１の
下面６の外周寄り部位とテストボード２０１との間には
シール材（図示せず）が介装されて気密が保持されてい
る。

【００２２】本例治具１をこのように検査装置に組込ん
でチップＦの検査をするに当たっては、治具１にチップ
Ｆを搭載する際、治具１の４つの位置決め用マーク９の
位置を読取る。この読取りに基づいて各検査用電極３の
位置を検出し、その検出位置にチップＦの各バンプＴが
正対するようにチップＦの位置を修正しながら治具１の
表面２上に正しくセット（載置）し、各バンプＴが検査
用電極３に当接するようにする。次いで、矢印Ｖに示さ
れるように貫通孔８を介してチップＦを真空引きする。
すると、チップＦは治具１に所定の力Ｐで吸着され、チ
ップＦの全バンプＴの頂部（先端）が各検査用電極３に
圧接される。こうして、チップＦのハンダバンプＴと治
具１の検査用電極３との導通が確保される結果、チップ
Ｆの電気検査はワイヤボンディングタイプのものやＴＡ
Ｂタイプのものと同様、本例の治具１を介して配線基板
への搭載前にそれ単独で行うことができる。

【００２３】この際、本例治具１においてはその検査用
電極３の表面にＨｖ５００〜１０００といった高硬度の
硬質Ｃｒメッキがかけられているから、検査用電極３が
摩耗することなく、数万個単位の多数のチップを問題な
く検査することができる。すなわち、本例の治具１によ
り、検査用電極３の摩耗を招くことなくバンプＴとのプ
ロービィングが可能となるため、従来実現できなかった
チップ単独での電気検査が可能となり、その検査効率の
格段の向上が図られる。しかも、本例治具１は、チップ
Ｆが搭載されるパッケージと同一のものを利用し、追加
的な加工をすることで形成できるから、チップが実際に
搭載される場合と同一条件での電気検査が低コストで実
現できる。

【００２４】なお、この検査ではチップＦのハンダバン
プＴは、真空引きすることで頂部がやや圧縮変形する
が、その変形が過剰とならないように、図５に示したよ
うに、治具１の表面２とチップＦとの間に、ハンダバン
プＴの高さの許容最小高さ（又はこの許容最小高さと検
査用電極３の厚さを加えた高さ）よりやや小さい所定の
厚さＴａをもつ間隙保持部材（間隙保持手段）Ｇを介在
させてもよい。すなわちこのような間隙保持部材Ｇを介
在し、治具１の表面２とチップＦとの間隙が一定に保持
されるようにれば、チップＦが治具１に載置（セット）
されて吸着され、バンプＴの頂部が圧縮変形する際で
も、バンプの高さはその間隙保持部材Ｇの存在により、
その厚さＴａより小さくなることが防止される。因み
に、ハンダバンプの変形は、その高さの２〜５０％の範
囲が適切である。変形が２％より小さいと、バンプと検
査用電極との接触圧力が小さくなり、両者間の接触抵抗
が不安定になりやすいし、５０％を超えるようだと変形
（潰れ）も大きく、後工程でのパッケージとの接続に支
障が生じるためである。

【００２５】また、本例では検査用電極３とバンプＴと
の電気的導通を確保するため、治具１に貫通孔８を設
け、これを介してチップＦを治具１の表面２側に真空引
きして吸着、固定することとしたが、本発明にかかる治
具ではこのような貫通孔８は必須のものではない。すな
わち、その電気的導通は、チップＦの自重やそれに錘を
載せることなどによっても確保できるからである。さら
に、本例では治具１の検査用電極３に対するチップＦの
バンプＴの位置決めをするために、治具１の表面２に位
置決め用マーク９を形成したが、本発明にかかる治具で
はこのような位置きめ用マーク９は必須のものではな
い。このような位置決めは、治具１の検査用電極３にチ
ップのバンプＴが正しく対応すればよく、他にも適宜の
手段を用いることができるためである。例えばチップ搭
載エリアＥに外接するようにガイド部材（図示せず）を
立設し、これにチップの側縁を内接させるようにして位
置決めすることもできる。

【００２６】さて、次にこのような治具１の製法例につ
いて説明する。まず、セラミック積層タイプのＬＧＡ配
線基板を作るのと同様にして図６に示したようなセラミ
ック基板１０を次のようにして製造する。アルミナを主
成分とするグリーンシートに検査用電極位置を含め、ビ
アホールを設け、タングステン、モリブデンを主成分と
するメタライズインクを充填し、スクリーン印刷法にて
電気回路パターンを形成し、さらに、真空引用の貫通孔
を開ける。以上の加工を施したグリーンシートを所定枚
数分、積み重ねて積層加工する。そして、下面６の電極
７位置にメタライズインクを塗布しその後、所定温度で
還元雰囲気中にて同時焼成する。こうして、図６に示し
たような検査用電極用のビア４や内部配線５さらには真
空引用の貫通孔８を備えたセラミック基板１０をつく
る。このセラミック基板１０は多層配線基板となってい
るので、内部配線５の引き回しが容易であり、間隔Ｐ２
が大きくされた検査装置用の電極７へ容易に接続でき
る。

【００２７】次にこのような基板１０に検査用電極３及
び位置決め用マーク９を形成する手法について説明す
る。ただし、両者は検査用電極３がビア４の上端部に形
成されるのに対して位置決め用マーク９がこのようなビ
アと関係なく基板１０の外周寄り部位の表面に形成され
る点が相違することを除けば、同一断面構造であり同一
工程で形成できるため、以下においては検査用電極の形
成についてのみ説明する。すなわち、図７−Ａに示した
ように、検査用電極を形成する基板１０の最上層のセラ
ミック層１１の表面１１ａを要求される平面度（例えば
１０μｍ）および表面あらさ（Ｒａ：０．５μｍ）とな
るように研磨し、ビア４の端面４ａを基板表面１１ａに
露出させる。焼成によって形成されたセラミック基板１
０は若干反り、うねりを有していることが多いが、セラ
ミック基板１０の表面１１ａを研磨して平面とすること
で、検査用電極が平面度の高い平面上に形成でき、チッ
プのバンプとの接続性が良好となる。

【００２８】その後、図７−Ｂに示したように、その表
面１１ａの全面にセラミック基板１０との密着性のよい
Ｔｉを０．２μｍ程度の厚さにスパッタリングし、その
上に、Ｃｕを０．５μｍ程度の厚さにスパッタリング
し、Ｔｉ層５１、Ｃｕ層５２を形成する。次いでその上
にレジスト（感光性樹脂）５３を塗布し（図７−Ｃ参
照）、露光・現像して検査用電極の形成部分を開口させ
る（図７−Ｄ参照）。なお、この際には位置決め用マー
クの形成部位も開口させる。

【００２９】次に、その検査用電極部位（及び位置決め
用マーク部位）にＣｕメッキを厚さ３μｍ、Ｎｉメッキ
を厚さ１μｍ程度かけ、Ｃｕ層５４、Ｎｉ層５５を形成
し、最後に所定の硬度（例えばＨｖ５００〜１０００）
となる硬質Ｃｒメッキを厚さ１〜５μｍ程度かけ、最表
面に硬質メッキ層としてＣｒ層５６を形成する（図７−
Ｅ参照）。そして、レジスト５３を剥離し除去する（図
７−Ｆ参照）。さらに、基板表面１１ａ上のＴｉ層５
１、Ｃｕ層５２を所定のエッチング液でエッチングして
除去すると、図７−Ｇに示したように、基板表面１１ａ
には、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｕ、Ｎｉさらには硬質Ｃｒの各層
からなる検査用電極（パッド）３及び位置決め用マーク
（図示せず）が形成される。

【００３０】なお、上記の形態例においてこのような位
置決め用マークを設けず、しかも要求される検査用電極
３の面積（直径）が小さい場合には、このような手法に
よることなく、基板表面１１ａに、露出しているビア４
の端面４ａに、表面１１ａの研磨後、或いは研磨するこ
となく直接、Ｎｉメッキをかけ、その上に硬質Ｃｒメッ
キをかけることで表面に硬質メッキをかけてなる検査用
電極としてもよい。

【００３１】因みに、このようにビア４の端面４ａに直
接、Ｎｉメッキ、硬質Ｃｒメッキをかけるような場合に
おいて位置決め用マークを設ける場合には、次のように
設けるとよい。すなわち基板表面１１ａを研磨しない場
合には、最上層のセラミック層をなすグリーンシートの
上面に位置決め用マークのためのメタライズペーストを
印刷しておき、同時焼成後、同マークにも検査用電極と
同時にメッキをかけるのである。また、基板表面１１ａ
を研磨する場合には、位置決め用マークの上面が基板１
０の表面１１ａより低位となるように、その表面１１ａ
を形成するセラミック層１１よりも下のセラミック層
（グリーンシート）の上面にマーク用のメタライズペー
ストを印刷しておくとともに、同マークが形成されたセ
ラミック層より上のセラミック層に、同マークが露出す
るように開口を設けておき、積層、焼成するのである。
このようにしておけば、研磨しても同マーク用のメタラ
イズが消失しないためである。

【００３２】上記形態例では、検査用電極３の表面の硬
質メッキとして硬質Ｃｒメッキをかけたが、本発明にお
ける硬質メッキは、もちろんこれに限定されない。すな
わち、Ｈｖ５００以上あり、多数のチップを検査しても
検査用電極の摩耗がないものであればよく、この他パラ
ジウム、ロジウム、硬質Ａｕの各メッキが代表的なもの
として例示される。なお、このような硬質メッキも、図
７−ＥにおけるＮｉメッキの後にかけ、その後でレジス
ト５３を剥離し、表面のＣｕ層５２、Ｔｉ層５１をエッ
チングにより除去すればよいが、これに限定されるもの
ではない。治具を形成する絶縁材が樹脂であり検査用電
極がＣｕである場合には、その上にＮｉメッキ及び硬質
Ｃｒメッキをかけてもよいし、検査用電極の素地（Ｃ
ｕ）の上に直接硬質Ｃｒメッキをかけてもよい。なお、
このような硬質メッキは複数層かけてもよいことはいう
までもない。また、硬質メッキの厚さは、なるべく厚め
とするのが好ましいが、メッキの種類や硬度或いは必要
な耐摩耗性などに応じて適宜に設定すればよい。

【００３３】上記では、フリップチップに接続端子とし
てハンダバンプが形成されているものを検査する治具と
して説明したが、Ａｕバンプが形成されているチップを
検査する治具としても使用できることは明らかである。
バンプの種類や形成方法に応じてその形状、大きさが異
なることから、検査用電極のピッチ、大きさは、バンプ
のそれらが正しく対応するように適宜に設計すればよ
い。

【００３４】なお、上記においては治具の材質、構造
を、ＬＧＡ配線基板と同様のセラミック多層配線層構造
の平板形状としたが、本発明に係る治具においては、そ
の材質、構造ないし形状は上記のものに限定されるもの
ではない。セラミック以外の適宜の絶縁材（例えば樹
脂）で、適宜の構造、形状のものとして具体化できる。
要求される平面度、表面粗さが確保されるように、適宜
の材質、構造を選定すればよい。さらに、検査用電極の
平面形状は円形に限定されるものではない。

【００３５】また、治具における検査装置との接続用の
別設の検査装置接続用の電極は、検査対象のチップの載
置面と反対側の主平面に形成したが、この位置は、治具
を平板形状とする場合でも、その側面に導出することも
できるし、治具自体を十分大きくすれば検査用電極の形
成面と同一面に形成しても良いなど、治具の形態、構造
に応じ、さらには治具が接続される検査装置側のテスト
ボードなどに応じて適宜に設計すればよい。そして、検
査装置との接続用の電極の形態は、上記においてはＬＧ
Ａ配線基板と同様の電極（パッド）としたが、このよう
な電極にピンをロー付けしてＰＧＡ（ピングリッドアレ
イ）配線基板と同様の構造にしておき、検査装置側のテ
ストボードなどへの接続をプラグイン方式としておいて
もよい。

【００３６】なお上記においては、本発明の治具を用い
たフリップチップの検査装置として、半導体パラメータ
アナライザによる検査を行う装置を例示したが、本発明
の治具はこれ以外の装置にも用いることができる。フリ
ップチップの各種の電気的特性や論理的動作の検査等、
フリップチップ単体での特性の検査をバンプを介して電
気的に行う装置であれば、いずれの装置においても使用
できる。本発明は、上記の形態例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々、設計
変更して実施できる。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る電子部品チップ検査用治具によれば、多数のチッ
プの電気検査にも支障がない。しかも、配線基板への搭
載前にフリップチップ単体でその電気検査を行うことが
できる。したがって、検査効率が格段と向上する上に、
パッケージの歩留まりの向上と共にチップの搭載工程の
無駄がなくなり、ひいてはＩＣ装置の信頼性の向上も期
待される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子部品チップ検査用治具の一実
施形態の概略構成斜視図。

【図２】図１の拡大断面図。

【図３】図２におけるＡ部拡大図。

【図４】図１〜３の電子部品チップ検査用治具を用いた
フリップチップ検査装置の説明図及びその検査の状態の
説明図。

【図５】治具の表面とチップとの間に間隙保持部材を介
在させた図。

【図６】図１の治具をなすセラミック基板の断面図。

【図７】図１〜３の治具の製造工程図。

【符号の説明】

１電子部品チップ検査用治具２表面（主平面）３検査用電極４ビア５内部の導体配線７別設の電極８貫通孔９位置決め用マーク１０セラミック基板をなす多層配線基板１１ａセラミック基板の表面ＦフリップチップＴフリップチップのハンダバンプ（接続端子）Ｐ１検査用電極相互の間隔Ｐ２別設の電極の間隔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子部品チップの電気検査を行うために
その接続端子を接触させる検査用電極が一主平面上に絶
縁を確保して多数形成されていると共に、その検査用電
極は、内部の導体配線を介して別設の電極に接続されて
なり、しかも、前記検査用電極は表面に硬度がＨｖ５０
０以上の硬質メッキがかけられていることを特徴とする
電子部品チップ検査用治具。
【請求項２】前記検査用電極が絶縁基板の一方の主平
面に設けられていると共に、前記別設の電極が該絶縁基
板の他方の主平面に前記検査用電極相互の間隔よりも大
きい間隔で設けられていることを特徴とする請求項１記
載の電子部品チップ検査用治具。
【請求項３】前記絶縁基板がセラミック多層配線基板
からなることを特徴とする請求項２記載の電子部品チッ
プ検査用治具。
【請求項４】前記検査用電極が設けられている一主平
面に、電子部品チップの位置決め用マークが形成されて
いることを特徴とする請求項１、２又は３記載の電子部
品チップ検査用治具。
【請求項５】一端が、前記一主平面であって前記検査
用電極群の中央寄り部位において開口する貫通孔が設け
られていることを特徴とする請求項１、２、３又は４記
載の電子部品チップ検査用治具。