JPH1165082A - フォトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH1165082A JPH1165082A JP21676697A JP21676697A JPH1165082A JP H1165082 A JPH1165082 A JP H1165082A JP 21676697 A JP21676697 A JP 21676697A JP 21676697 A JP21676697 A JP 21676697A JP H1165082 A JPH1165082 A JP H1165082A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターンの配置状態によらず、良好なパター
ン転写を行うことができるフォトマスクを提供する。 【解決手段】 不透明領域の中に第１の群と第２の群に
分類された複数の透明領域が画定されている。第１の群
に属する透明領域を透過した光と第２の群に属する透明
領域を透過した光との位相が相互に異なるようにいずれ
か一方の群の透明領域に位相シフタが設けられている。
第１の群に属し、相互に平行に配置された直線状の一対
の第１の透明領域であって、その対応する端部同士を結
ぶ仮想直線が第１の透明領域の長さ方向と直交する第１
の透明領域と、第２の群に属し、第１の透明領域と平行
に、かつ一対の第１の透明領域の直線状部分の中央に配
置され、直線状の太い部分と細い部分とを有する第２の
透明領域であって、太い部分と細い部分とのつながり部
が、仮想直線よりも一対の第１の透明領域側に入り込ん
でいる第２の透明領域とを有する。
ン転写を行うことができるフォトマスクを提供する。 【解決手段】 不透明領域の中に第１の群と第２の群に
分類された複数の透明領域が画定されている。第１の群
に属する透明領域を透過した光と第２の群に属する透明
領域を透過した光との位相が相互に異なるようにいずれ
か一方の群の透明領域に位相シフタが設けられている。
第１の群に属し、相互に平行に配置された直線状の一対
の第１の透明領域であって、その対応する端部同士を結
ぶ仮想直線が第１の透明領域の長さ方向と直交する第１
の透明領域と、第２の群に属し、第１の透明領域と平行
に、かつ一対の第１の透明領域の直線状部分の中央に配
置され、直線状の太い部分と細い部分とを有する第２の
透明領域であって、太い部分と細い部分とのつながり部
が、仮想直線よりも一対の第１の透明領域側に入り込ん
でいる第２の透明領域とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造におけ
るフォトリソグラフィ工程で使用されるフォトマスクに
関し、特に位相シフト型のフォトマスクに関する。
るフォトリソグラフィ工程で使用されるフォトマスクに
関し、特に位相シフト型のフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】レベンソン型位相シフトマスクにおいて
は、相互に隣接する一対の透明領域の一方に位相シフタ
が配置される。位相シフタの設けられた透明領域を透過
した光は、位相シフタの設けられていない透明領域を透
過した光に対して、例えば１８０°の位相差を有する。
このため、露光される半導体基板上における一対の透明
領域に対応する領域の境界部において、光の干渉により
光強度が０になる。このようにして、相互に隣接する明
部の解像度を向上させることができる。
は、相互に隣接する一対の透明領域の一方に位相シフタ
が配置される。位相シフタの設けられた透明領域を透過
した光は、位相シフタの設けられていない透明領域を透
過した光に対して、例えば１８０°の位相差を有する。
このため、露光される半導体基板上における一対の透明
領域に対応する領域の境界部において、光の干渉により
光強度が０になる。このようにして、相互に隣接する明
部の解像度を向上させることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】レベンソン型位相シフ
トマスクを用いると、同一パターンが規則的に繰り返し
配置されている領域における解像度を向上させることが
できる。しかし、実際の半導体集積回路装置において
は、規則的な繰り返しパターンのみならず、不規則に配
置されたパターン、もしくは周囲のパターンから離れて
孤立したパターンも存在する。規則的なパターンと不規
則もしくは孤立したパターンとの接続箇所も存在する。
トマスクを用いると、同一パターンが規則的に繰り返し
配置されている領域における解像度を向上させることが
できる。しかし、実際の半導体集積回路装置において
は、規則的な繰り返しパターンのみならず、不規則に配
置されたパターン、もしくは周囲のパターンから離れて
孤立したパターンも存在する。規則的なパターンと不規
則もしくは孤立したパターンとの接続箇所も存在する。
【０００４】規則的なパターンと不規則もしくは孤立し
たパターンとの接続箇所においては、十分な解像度を得
ることができない場合がある。
たパターンとの接続箇所においては、十分な解像度を得
ることができない場合がある。
【０００５】本発明の目的は、パターンの配置状態によ
らず、良好なパターン転写を行うことができるフォトマ
スクを提供することである。
らず、良好なパターン転写を行うことができるフォトマ
スクを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、不透明領域の中に複数の透明領域が画定され、該複
数の透明領域が第１の群と第２の群に分類され、第１の
群に属する透明領域を透過した光と第２の群に属する透
明領域を透過した光との位相が相互に異なるように構成
されたフォトマスクにおいて、前記第１の群に属し、相
互に平行に配置された直線状部分を含む少なくとも一対
の第１の透明領域であって、その対応する端部同士を結
ぶ仮想直線が該第１の透明領域の前記直線状部分の長さ
方向と直交する前記第１の透明領域と、前記第２の群に
属し、前記第１の透明領域の前記直線状部分と平行に、
かつ前記一対の第１の透明領域の前記直線状部分の中央
に配置され、直線状の太い部分と細い部分とを有する第
２の透明領域であって、該太い部分と細い部分とのつな
がり部が、前記仮想直線よりも前記一対の第１の透明領
域に挟まれた領域内に入り込んでいる前記第２の透明領
域とを有するフォトマスクが提供される。
と、不透明領域の中に複数の透明領域が画定され、該複
数の透明領域が第１の群と第２の群に分類され、第１の
群に属する透明領域を透過した光と第２の群に属する透
明領域を透過した光との位相が相互に異なるように構成
されたフォトマスクにおいて、前記第１の群に属し、相
互に平行に配置された直線状部分を含む少なくとも一対
の第１の透明領域であって、その対応する端部同士を結
ぶ仮想直線が該第１の透明領域の前記直線状部分の長さ
方向と直交する前記第１の透明領域と、前記第２の群に
属し、前記第１の透明領域の前記直線状部分と平行に、
かつ前記一対の第１の透明領域の前記直線状部分の中央
に配置され、直線状の太い部分と細い部分とを有する第
２の透明領域であって、該太い部分と細い部分とのつな
がり部が、前記仮想直線よりも前記一対の第１の透明領
域に挟まれた領域内に入り込んでいる前記第２の透明領
域とを有するフォトマスクが提供される。
【０００７】第２の透明領域の太い部分と細い部分との
つながり部を、仮想直線よりも一対の第１の透明領域に
挟まれた領域内に入り込ませたことにより、この部分に
対応するレジストパターンの細りを抑制することができ
る。
つながり部を、仮想直線よりも一対の第１の透明領域に
挟まれた領域内に入り込ませたことにより、この部分に
対応するレジストパターンの細りを抑制することができ
る。
【０００８】本発明の他の観点によると、不透明領域の
中に複数の透明領域が画定され、該複数の透明領域が第
１の群と第２の群に分類され、第１の群に属する透明領
域を透過した光と第２の群に属する透明領域を透過した
光との位相が相互に異なるように構成されたフォトマス
クにおいて、該フォトマスクの面内にｘｙ直交座標系を
考えたとき、前記第１の群に属し、ｘ軸に平行に配置さ
れた直線状部分を含む一対の第１の透明領域と、前記第
２の群に属する第２の透明領域であって、ｘ軸に平行
に、かつ前記一対の第１の透明領域の前記直線状部分の
中央に配置されたｘ方向延在部、及び前記一対の第１の
透明領域のうち一方の第１の透明領域の端部近傍におい
て、前記ｘ方向延在部から該一方の第１の透明領域側へ
折れ曲がりｙ軸方向に延在するｙ方向延在部を含み、該
ｙ方向延在部と前記一方の第１の透明領域の端部との間
隔が、前記ｘ方向延在部と前記第１の透明領域の前記直
線状部分との間隔に等しい前記第２の透明領域とを有す
るフォトマスクが提供される。
中に複数の透明領域が画定され、該複数の透明領域が第
１の群と第２の群に分類され、第１の群に属する透明領
域を透過した光と第２の群に属する透明領域を透過した
光との位相が相互に異なるように構成されたフォトマス
クにおいて、該フォトマスクの面内にｘｙ直交座標系を
考えたとき、前記第１の群に属し、ｘ軸に平行に配置さ
れた直線状部分を含む一対の第１の透明領域と、前記第
２の群に属する第２の透明領域であって、ｘ軸に平行
に、かつ前記一対の第１の透明領域の前記直線状部分の
中央に配置されたｘ方向延在部、及び前記一対の第１の
透明領域のうち一方の第１の透明領域の端部近傍におい
て、前記ｘ方向延在部から該一方の第１の透明領域側へ
折れ曲がりｙ軸方向に延在するｙ方向延在部を含み、該
ｙ方向延在部と前記一方の第１の透明領域の端部との間
隔が、前記ｘ方向延在部と前記第１の透明領域の前記直
線状部分との間隔に等しい前記第２の透明領域とを有す
るフォトマスクが提供される。
【０００９】ｙ方向延在部と第１の透明領域の端部との
間隔を、ｘ方向延在部と第１の透明領域との間隔に等し
くなるまで近づけることにより、ｘ方向延在部の折れ曲
がり部近傍におけるレジストパターンの細りを抑制する
ことができる。
間隔を、ｘ方向延在部と第１の透明領域との間隔に等し
くなるまで近づけることにより、ｘ方向延在部の折れ曲
がり部近傍におけるレジストパターンの細りを抑制する
ことができる。
【００１０】本発明の他の観点によると、不透明領域の
中に複数の透明領域が画定され、該複数の透明領域が第
１の群と第２の群に分類され、第１の群に属する透明領
域を透過した光と第２の群に属する透明領域を透過した
光との位相が相互に異なるように構成され、同一の群に
属する透明領域同士の最小間隔が最小設計間隔Ｓｅとな
るように設計されたフォトマスクにおいて、該フォトマ
スクの面内にｘｙ直交座標系を考えたとき、第１の群に
属するｘ軸方向に長い部分を有する複数の透明領域と第
２の群に属するｘ軸方向に長い部分を有する複数の透明
領域とが、ｙ軸方向に前記最小設計間隔Ｓｅよりも狭い
間隔Ｓｎで交互に配列した第１のパターンと、前記第１
のパターンを構成する透明領域のうち少なくとも相互に
隣接する２つの透明領域の端部に対向して配置された第
１の群に属する透明領域からなる第２のパターンとを有
し、前記第２のパターンに対向する少なくとも２つの透
明領域のうち、第２の群に属する透明領域の端部と該第
２のパターンとの間隔が前記間隔Ｓｎに等しく、第１の
群に属する透明領域の端部と該第２のパターンとの間隔
が、前記間隔Ｓｎ以上かつ前記最小設計間隔Ｓｅよりも
小さくなるように設計されたフォトマスクが提供され
る。
中に複数の透明領域が画定され、該複数の透明領域が第
１の群と第２の群に分類され、第１の群に属する透明領
域を透過した光と第２の群に属する透明領域を透過した
光との位相が相互に異なるように構成され、同一の群に
属する透明領域同士の最小間隔が最小設計間隔Ｓｅとな
るように設計されたフォトマスクにおいて、該フォトマ
スクの面内にｘｙ直交座標系を考えたとき、第１の群に
属するｘ軸方向に長い部分を有する複数の透明領域と第
２の群に属するｘ軸方向に長い部分を有する複数の透明
領域とが、ｙ軸方向に前記最小設計間隔Ｓｅよりも狭い
間隔Ｓｎで交互に配列した第１のパターンと、前記第１
のパターンを構成する透明領域のうち少なくとも相互に
隣接する２つの透明領域の端部に対向して配置された第
１の群に属する透明領域からなる第２のパターンとを有
し、前記第２のパターンに対向する少なくとも２つの透
明領域のうち、第２の群に属する透明領域の端部と該第
２のパターンとの間隔が前記間隔Ｓｎに等しく、第１の
群に属する透明領域の端部と該第２のパターンとの間隔
が、前記間隔Ｓｎ以上かつ前記最小設計間隔Ｓｅよりも
小さくなるように設計されたフォトマスクが提供され
る。
【００１１】第１のパターンの第１の群に属する透明領
域と第２のパターンとが同一群に属するにもかかわら
ず、両者の間隔を最小設計間隔Ｓｅよりも狭くしてい
る。このため、第１のパターンの第１の群に属する透明
領域の端部に対応するレジストパターンの先端の後退に
よる影響を軽減することができる。
域と第２のパターンとが同一群に属するにもかかわら
ず、両者の間隔を最小設計間隔Ｓｅよりも狭くしてい
る。このため、第１のパターンの第１の群に属する透明
領域の端部に対応するレジストパターンの先端の後退に
よる影響を軽減することができる。
【００１２】本発明の他の観点によると、表面に感光性
レジスト膜を形成された半導体基板を準備する工程と、
前記レジスト膜を、上述のフォトマスクを介して露光す
る工程と、前記レジスト膜を現像し、レジストパターン
を残す工程と、前記レジストパターンに応じて前記半導
体基板の表面もしくは表面層を処理する工程とを含む半
導体装置の製造方法が提供される。
レジスト膜を形成された半導体基板を準備する工程と、
前記レジスト膜を、上述のフォトマスクを介して露光す
る工程と、前記レジスト膜を現像し、レジストパターン
を残す工程と、前記レジストパターンに応じて前記半導
体基板の表面もしくは表面層を処理する工程とを含む半
導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】上述のフォトマスクを使用することによ
り、レジストパターンのくびれ、パターン切れ等の発生
を抑制することができる。このため、半導体基板表面の
所望のパターン領域を選択的に処理することが可能にな
る。
り、レジストパターンのくびれ、パターン切れ等の発生
を抑制することができる。このため、半導体基板表面の
所望のパターン領域を選択的に処理することが可能にな
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例を説明する
前に、本願発明者らが行った予備実験について説明す
る。
前に、本願発明者らが行った予備実験について説明す
る。
【００１５】図２Ａは、従来のレベンソン型フォトマス
クのマスクパターンの一例を示す。マスク面内にｘｙ直
交座標系を考える。不透明領域内にｘ軸方向に長い複数
の透明領域１Ａ及び１Ｂが画定されている。透明領域１
Ａと１Ｂとは、ｙ軸方向に０．２μｍ間隔で交互に配列
している。例えば、透明領域１Ａには、露光光の位相を
１８０°遅らせる位相シフタが設けられている。透明領
域１Ａと１Ｂの幅は共に０．２μｍである。透明領域１
Ａと１Ｂの各々の図の左端は、ｙ軸に平行な仮想直線３
上に位置している。
クのマスクパターンの一例を示す。マスク面内にｘｙ直
交座標系を考える。不透明領域内にｘ軸方向に長い複数
の透明領域１Ａ及び１Ｂが画定されている。透明領域１
Ａと１Ｂとは、ｙ軸方向に０．２μｍ間隔で交互に配列
している。例えば、透明領域１Ａには、露光光の位相を
１８０°遅らせる位相シフタが設けられている。透明領
域１Ａと１Ｂの幅は共に０．２μｍである。透明領域１
Ａと１Ｂの各々の図の左端は、ｙ軸に平行な仮想直線３
上に位置している。
【００１６】透明領域１Ａのうち１つの透明領域２は、
仮想直線３よりも左方まで延在している。この延在して
いる部分２ａの幅は、透明領域１Ａと１Ｂとが交互に配
列している領域における幅０．２μｍと同一である。
仮想直線３よりも左方まで延在している。この延在して
いる部分２ａの幅は、透明領域１Ａと１Ｂとが交互に配
列している領域における幅０．２μｍと同一である。
【００１７】このフォトマスクを使用して半導体基板表
面に形成されたレジスト膜を露光、現像してパターニン
グする。得られるレジストパターンは、図２Ａの破線４
で示すように、延在部分２ａにおいて細くなる。細くな
る度合いは、露光時のデフォーカス量に応じて大きくな
る。
面に形成されたレジスト膜を露光、現像してパターニン
グする。得られるレジストパターンは、図２Ａの破線４
で示すように、延在部分２ａにおいて細くなる。細くな
る度合いは、露光時のデフォーカス量に応じて大きくな
る。
【００１８】図２Ｂは、図２Ａに示す延在部分２ａを
０．３μｍとしたパターンである。その他の部分は、図
２Ａのパターンと同様である。このフォトマスクを用い
て露光したときの光強度シミュレーションにより予測さ
れるレジストパターンの輪郭を、図２Ｂ中の破線５ａ及
び点線５ｂで示す。破線５ａはベストフォーカス時のも
のを示し、点線５ｂは０．４μｍのデフォーカス時のも
のを示す。なお、シミュレーションは、露光波長２４８
ｎｍ、投影レンズの開口数０．６、光源の大きさを表す
σ値０．４の条件で行った。
０．３μｍとしたパターンである。その他の部分は、図
２Ａのパターンと同様である。このフォトマスクを用い
て露光したときの光強度シミュレーションにより予測さ
れるレジストパターンの輪郭を、図２Ｂ中の破線５ａ及
び点線５ｂで示す。破線５ａはベストフォーカス時のも
のを示し、点線５ｂは０．４μｍのデフォーカス時のも
のを示す。なお、シミュレーションは、露光波長２４８
ｎｍ、投影レンズの開口数０．６、光源の大きさを表す
σ値０．４の条件で行った。
【００１９】ベストフォーカス時には、延在部分２ａに
対応するレジストパターンがやや細くなり、結果的に透
明領域１Ａ、１Ｂが繰り返し配置されている領域におけ
る太さとほぼ等しくなっている。これに対し、デフォー
カス時には、仮想直線３よりも右側の繰り返し領域内の
部分と、延在部分２ａとのつながり部分の近傍におい
て、くびれを生じている。このくびれは、断線の要因に
なる。
対応するレジストパターンがやや細くなり、結果的に透
明領域１Ａ、１Ｂが繰り返し配置されている領域におけ
る太さとほぼ等しくなっている。これに対し、デフォー
カス時には、仮想直線３よりも右側の繰り返し領域内の
部分と、延在部分２ａとのつながり部分の近傍におい
て、くびれを生じている。このくびれは、断線の要因に
なる。
【００２０】次に、図１を参照して、本発明の第１の実
施例について説明する。図１は、第１の実施例によるフ
ォトマスクの部分平面図を示す。不透明領域１０の中
に、図の横方向に延在する複数の透明領域１１Ａ、１１
Ｂが画定されている。複数の透明領域は、位相シフタの
有無により２つの群に分類される。第１の群に属する透
明領域には位相シフタが設けられ、第２の群に属する透
明領域には位相シフタが設けられていない。このため、
第１の群に属する透明領域を透過した光の位相と第２の
群に属する透明領域を透過した光の位相とは、例えば相
互に１８０°異なる。例えば、透明領域１１Ａは第１の
群に属し、透明領域１１Ｂは第２の群に属する。
施例について説明する。図１は、第１の実施例によるフ
ォトマスクの部分平面図を示す。不透明領域１０の中
に、図の横方向に延在する複数の透明領域１１Ａ、１１
Ｂが画定されている。複数の透明領域は、位相シフタの
有無により２つの群に分類される。第１の群に属する透
明領域には位相シフタが設けられ、第２の群に属する透
明領域には位相シフタが設けられていない。このため、
第１の群に属する透明領域を透過した光の位相と第２の
群に属する透明領域を透過した光の位相とは、例えば相
互に１８０°異なる。例えば、透明領域１１Ａは第１の
群に属し、透明領域１１Ｂは第２の群に属する。
【００２１】図６は、図１の一点鎖線Ａ−Ａにおける断
面図を示す。露光光を透過させる支持基板１６の表面上
に遮光パターン１７が形成されている。遮光パターン１
７により、透明領域１１Ａ及び１１Ｂが画定されてい
る。透明領域１１Ａ及びその周辺の遮光パターン１７の
縁部を覆うように、位相シフタ１８が形成されている。
透明領域１１Ａを透過し位相シフタ１８内を伝搬する光
の位相は、透明領域１１Ｂを透過し大気中を伝搬する光
の位相よりも遅れる。位相シフタの屈折率及び厚さを調
整することにより、位相の遅れ量を制御することができ
る。なお、位相シフタ１８を形成する代わりに、透過領
域１１Ｂに対応した領域の支軸基板に凹部を形成し、透
過領域１１Ａと１１Ｂとにおける支持基板の厚さを異な
らせてもよい。
面図を示す。露光光を透過させる支持基板１６の表面上
に遮光パターン１７が形成されている。遮光パターン１
７により、透明領域１１Ａ及び１１Ｂが画定されてい
る。透明領域１１Ａ及びその周辺の遮光パターン１７の
縁部を覆うように、位相シフタ１８が形成されている。
透明領域１１Ａを透過し位相シフタ１８内を伝搬する光
の位相は、透明領域１１Ｂを透過し大気中を伝搬する光
の位相よりも遅れる。位相シフタの屈折率及び厚さを調
整することにより、位相の遅れ量を制御することができ
る。なお、位相シフタ１８を形成する代わりに、透過領
域１１Ｂに対応した領域の支軸基板に凹部を形成し、透
過領域１１Ａと１１Ｂとにおける支持基板の厚さを異な
らせてもよい。
【００２２】図１の右半分のパターン繰り返し領域２０
においては、第１の群に属する透明領域１１Ａと第２の
群に属する透明領域１１Ｂとが、図の縦方向に交互にか
つ等間隔で規則的に配置されている。透明領域１１Ａの
うち１つの透明領域１２を除いた他の透明領域１１Ａ及
び透明領域１１Ｂの左端は、各透明領域１１Ａ、１１Ｂ
の延在方向に直交する仮想直線１３上に位置する。
においては、第１の群に属する透明領域１１Ａと第２の
群に属する透明領域１１Ｂとが、図の縦方向に交互にか
つ等間隔で規則的に配置されている。透明領域１１Ａの
うち１つの透明領域１２を除いた他の透明領域１１Ａ及
び透明領域１１Ｂの左端は、各透明領域１１Ａ、１１Ｂ
の延在方向に直交する仮想直線１３上に位置する。
【００２３】透明領域１２は、主に仮想直線１３よりも
左側のパターンの疎の領域２１内に配置された太い部分
１２ａと、主に仮想直線よりも右側のパターン繰り返し
領域２０内に配置された細い部分１２ｂとを含んで構成
される。太い部分１２ａと細い部分１２ｂとのつながり
部１２ｃは、仮想直線１３よりもパターン繰り返し領域
側２０内にやや入り込んでいる。
左側のパターンの疎の領域２１内に配置された太い部分
１２ａと、主に仮想直線よりも右側のパターン繰り返し
領域２０内に配置された細い部分１２ｂとを含んで構成
される。太い部分１２ａと細い部分１２ｂとのつながり
部１２ｃは、仮想直線１３よりもパターン繰り返し領域
側２０内にやや入り込んでいる。
【００２４】異なる群に属する２つの透明領域の間の最
小設計間隔Ｓｎを０．２μｍとした場合について、予測
されるレジストパターンの輪郭をシミュレーションによ
り求めた。すなわち、相互に隣接する透明領域１１Ａと
１１Ｂとの間隔を最小設計間隔０．２μｍとした。な
お、透明領域１１Ａのうち透明領域１２を除いた他の透
明領域と透明領域１１Ｂの幅を０．２μｍ、透明領域１
２の太い部分１２ａの幅を０．３μｍ、細い部分１２ｂ
の幅を０．２μｍ、仮想直線１３からパターン繰り返し
領域２０内へのつながり部１２ｃの入り込みの深さを
０．１μｍとした。
小設計間隔Ｓｎを０．２μｍとした場合について、予測
されるレジストパターンの輪郭をシミュレーションによ
り求めた。すなわち、相互に隣接する透明領域１１Ａと
１１Ｂとの間隔を最小設計間隔０．２μｍとした。な
お、透明領域１１Ａのうち透明領域１２を除いた他の透
明領域と透明領域１１Ｂの幅を０．２μｍ、透明領域１
２の太い部分１２ａの幅を０．３μｍ、細い部分１２ｂ
の幅を０．２μｍ、仮想直線１３からパターン繰り返し
領域２０内へのつながり部１２ｃの入り込みの深さを
０．１μｍとした。
【００２５】このフォトマスクを用いて露光したときの
光強度シミュレーションにより予測されるレジストパタ
ーンの輪郭を、図１中の破線１４及び点線１５で示す。
破線１４はベストフォーカス時のものを示し、点線１５
は０．４μｍのデフォーカス時のものを示す。なお、シ
ミュレーションは、露光波長２４８ｎｍ、投影レンズの
開口数０．６、光源の大きさを表すσ値０．４の条件で
行った。
光強度シミュレーションにより予測されるレジストパタ
ーンの輪郭を、図１中の破線１４及び点線１５で示す。
破線１４はベストフォーカス時のものを示し、点線１５
は０．４μｍのデフォーカス時のものを示す。なお、シ
ミュレーションは、露光波長２４８ｎｍ、投影レンズの
開口数０．６、光源の大きさを表すσ値０．４の条件で
行った。
【００２６】デフォーカス時におけるつながり部１２ｃ
の近傍のくびれは、図２Ｂの場合に比べて少ない。この
ように、つながり部１２ｃをパターン繰り返し領域２０
内に入り込ませることにより、パターン繰り返し領域２
０の境界近傍におけるレジストパターンのくびれを少な
くすることができる。
の近傍のくびれは、図２Ｂの場合に比べて少ない。この
ように、つながり部１２ｃをパターン繰り返し領域２０
内に入り込ませることにより、パターン繰り返し領域２
０の境界近傍におけるレジストパターンのくびれを少な
くすることができる。
【００２７】図１では、パターン繰り返し領域２０内
に、第１の群に属する透明領域１１Ａと第２の群に属す
る透明領域１１Ｂとが、共に３個以上配置されている場
合を示した。ただし、第１の群に属する透明領域が図１
に示す透明領域１２のみであり、第２の群に属する透明
領域が図１の透明領域１２の両側に配置された一対の透
明領域１１Ｂのみである場合にも、同様の効果が期待で
きるであろう。
に、第１の群に属する透明領域１１Ａと第２の群に属す
る透明領域１１Ｂとが、共に３個以上配置されている場
合を示した。ただし、第１の群に属する透明領域が図１
に示す透明領域１２のみであり、第２の群に属する透明
領域が図１の透明領域１２の両側に配置された一対の透
明領域１１Ｂのみである場合にも、同様の効果が期待で
きるであろう。
【００２８】また、図１では、つながり部１２ｃのパタ
ーン繰り返し領域２０内への入り込みの深さを０．１μ
ｍとしたが、この深さを変えてもよい。ただし、パター
ンのくびれを少なくする十分な効果を得るためには、入
り込みの深さを、相互に隣接する透明領域１１Ａと１１
Ｂとの間隔の１／４以上とすることが好ましい。また、
透明領域１２の太い部分１２ａとそれに隣接する透明領
域１１Ｂとを解像するためには、入り込みの深さを１／
２以下とすることが好ましい。
ーン繰り返し領域２０内への入り込みの深さを０．１μ
ｍとしたが、この深さを変えてもよい。ただし、パター
ンのくびれを少なくする十分な効果を得るためには、入
り込みの深さを、相互に隣接する透明領域１１Ａと１１
Ｂとの間隔の１／４以上とすることが好ましい。また、
透明領域１２の太い部分１２ａとそれに隣接する透明領
域１１Ｂとを解像するためには、入り込みの深さを１／
２以下とすることが好ましい。
【００２９】次に、図３を参照して第１の実施例の変形
例について説明する。図３は、第１の実施例の変形例に
よるフォトマスクの部分平面図を示す。以下、図１に示
す第１の実施例によるフォトマスクとの相違点に着目し
て説明する。
例について説明する。図３は、第１の実施例の変形例に
よるフォトマスクの部分平面図を示す。以下、図１に示
す第１の実施例によるフォトマスクとの相違点に着目し
て説明する。
【００３０】透明領域１２に隣接する一対の透明領域１
１Ｂの端部に、透明領域１２側の側面から切り欠き部１
５が設けられている。切り欠き部１５は、透明領域１２
とその両側の透明領域１１Ｂとの間の最短距離が、最小
設計間隔Ｓｎよりも短くならないような形状とされてい
る。
１Ｂの端部に、透明領域１２側の側面から切り欠き部１
５が設けられている。切り欠き部１５は、透明領域１２
とその両側の透明領域１１Ｂとの間の最短距離が、最小
設計間隔Ｓｎよりも短くならないような形状とされてい
る。
【００３１】図１の場合には、透明領域１２のつながり
部１２ｃの近傍において、太い部分１２ａと、その両側
の透明領域１１Ｂとの距離が、最小設計間隔Ｓｎよりも
短くなる。フォトマスクのパターン設計後に設計の正常
性を検証する際に、図１に示すパターンの場合には、最
小設計間隔Ｓｎよりも狭い部分がエラーとして検出され
てしまう。検出されたエラーが、つながり部１２ｃをパ
ターン繰り返し領域２０内に入り込ませたために生じた
ものなのか、または本来の設計上のエラーなのかを自動
的に判断することは困難である。
部１２ｃの近傍において、太い部分１２ａと、その両側
の透明領域１１Ｂとの距離が、最小設計間隔Ｓｎよりも
短くなる。フォトマスクのパターン設計後に設計の正常
性を検証する際に、図１に示すパターンの場合には、最
小設計間隔Ｓｎよりも狭い部分がエラーとして検出され
てしまう。検出されたエラーが、つながり部１２ｃをパ
ターン繰り返し領域２０内に入り込ませたために生じた
ものなのか、または本来の設計上のエラーなのかを自動
的に判断することは困難である。
【００３２】これに対し、図３に示す変形例の場合に
は、つながり部１２ｃをパターン繰り返し領域２０内に
入り込ませた部分が、エラーとして検出されない。この
ため、本来の設計上のエラーを自動的に検出することが
容易になる。
は、つながり部１２ｃをパターン繰り返し領域２０内に
入り込ませた部分が、エラーとして検出されない。この
ため、本来の設計上のエラーを自動的に検出することが
容易になる。
【００３３】図３では、透明領域１１Ｂの端部に直線状
の切り欠き部１５を設けた場合を示したが、透明領域１
２と、その両側の透明領域１１Ｂとの最小距離が、最小
設計間隔よりも短くならないような形状であれば、その
他の形状としてもよい。
の切り欠き部１５を設けた場合を示したが、透明領域１
２と、その両側の透明領域１１Ｂとの最小距離が、最小
設計間隔よりも短くならないような形状であれば、その
他の形状としてもよい。
【００３４】次に、図４を参照して本発明の第２の実施
例について説明する。図４は、第２の実施例によるフォ
トマスクの部分平面図を示す。不透明領域３０の中に複
数の透明領域３１Ａと３１Ｂが画定されている。複数の
透明領域３１Ａ、３１Ｂは、図１の場合と同様に位相シ
フタの有無により第１の群と第２の群に分類される。例
えば、透明領域３１Ａは第１の群に属し、透明領域３１
Ｂは第２の群に属する。
例について説明する。図４は、第２の実施例によるフォ
トマスクの部分平面図を示す。不透明領域３０の中に複
数の透明領域３１Ａと３１Ｂが画定されている。複数の
透明領域３１Ａ、３１Ｂは、図１の場合と同様に位相シ
フタの有無により第１の群と第２の群に分類される。例
えば、透明領域３１Ａは第１の群に属し、透明領域３１
Ｂは第２の群に属する。
【００３５】フォトマスクの面内にｘｙ直交座標系を考
えたとき、ｙ軸に平行なある仮想直線３３よりも図の右
側の領域４０においては、ｘ軸方向に延在する透明領域
３１Ａと３１Ｂとがｙ軸方向に交互に、かつ等間隔で規
則的に配置されている。相互に隣接する透明領域３１Ａ
と３１Ｂとの間隔は、異なる群に属する２つの透明領域
相互間の最小設計間隔Ｓｎに等しい。透明領域３１Ａの
うち１つの透明領域３２を除いた他の透明領域３１Ａ及
び透明領域３１Ｂの左端は、仮想直線３３上に位置す
る。
えたとき、ｙ軸に平行なある仮想直線３３よりも図の右
側の領域４０においては、ｘ軸方向に延在する透明領域
３１Ａと３１Ｂとがｙ軸方向に交互に、かつ等間隔で規
則的に配置されている。相互に隣接する透明領域３１Ａ
と３１Ｂとの間隔は、異なる群に属する２つの透明領域
相互間の最小設計間隔Ｓｎに等しい。透明領域３１Ａの
うち１つの透明領域３２を除いた他の透明領域３１Ａ及
び透明領域３１Ｂの左端は、仮想直線３３上に位置す
る。
【００３６】透明領域３２は、仮想直線３３よりも左側
のパターンの疎の領域４１内まで延在し、領域４１内に
おいて図の上方に折れ曲がっている。仮想直線３３から
折れ曲がり部までの部分とパターン繰り返し領域４０内
の部分とからなるｘ方向延在部３２ａの太さは一定であ
る。折れ曲がって上方に延在するｙ方向延在部３２ｂ
は、透明領域３２に隣接する透明領域３１Ｂ及びその隣
の透明領域３１Ａの端部に対向する。
のパターンの疎の領域４１内まで延在し、領域４１内に
おいて図の上方に折れ曲がっている。仮想直線３３から
折れ曲がり部までの部分とパターン繰り返し領域４０内
の部分とからなるｘ方向延在部３２ａの太さは一定であ
る。折れ曲がって上方に延在するｙ方向延在部３２ｂ
は、透明領域３２に隣接する透明領域３１Ｂ及びその隣
の透明領域３１Ａの端部に対向する。
【００３７】ｙ方向延在部３２ｂのうち、透明領域３１
Ｂに対向する部分においては、両者間の間隔が最小設計
間隔Ｓｎとされている。また、透明領域３１Ａに対向す
る部分においては、両者間の間隔が、同一群に属する２
つの透明領域相互間の最小設計間隔Ｓｅとされている。
Ｂに対向する部分においては、両者間の間隔が最小設計
間隔Ｓｎとされている。また、透明領域３１Ａに対向す
る部分においては、両者間の間隔が、同一群に属する２
つの透明領域相互間の最小設計間隔Ｓｅとされている。
【００３８】ｙ方向延在部３２ｂと透明領域３１Ｂとの
間隔を広くすると、図２Ａで説明したように、パターン
の疎の領域４１内において、透明領域３２のｘ方向延在
部３２ａに対応するレジストパターンの幅が細くなって
しまう。また、図２Ｂで説明したように、デフォーカス
時に、透明領域３２に対応するレジストパターンの仮想
直線３３との交差箇所近傍にくびれを生ずる。
間隔を広くすると、図２Ａで説明したように、パターン
の疎の領域４１内において、透明領域３２のｘ方向延在
部３２ａに対応するレジストパターンの幅が細くなって
しまう。また、図２Ｂで説明したように、デフォーカス
時に、透明領域３２に対応するレジストパターンの仮想
直線３３との交差箇所近傍にくびれを生ずる。
【００３９】ｙ方向延在部３２ｂと透明領域３２に隣接
する透明領域３１Ｂの端部との間隔を最小設計間隔Ｓｎ
とすることにより、パターンの疎の領域４１内のｘ方向
延在部３２ａに対応する部分のレジストパターンの細
り、及び仮想直線３３との交差箇所近傍におけるくびれ
の発生を抑制することができる。
する透明領域３１Ｂの端部との間隔を最小設計間隔Ｓｎ
とすることにより、パターンの疎の領域４１内のｘ方向
延在部３２ａに対応する部分のレジストパターンの細
り、及び仮想直線３３との交差箇所近傍におけるくびれ
の発生を抑制することができる。
【００４０】図４の破線３４は、このフォトマスクを用
いて露光したときの光強度シミュレーションにより予測
されるレジストパターンの輪郭を示す。なお、最小設計
間隔Ｓｎを０．２μｍ、Ｓｅを０．３μｍとした。ま
た、シミュレーション条件は、図１に示す第１の実施例
の場合と同様である。ｘ方向延在部３２ａに対応するレ
ジストパターンの細りを抑制し、良好なレジストパター
ンを形成できることがわかる。
いて露光したときの光強度シミュレーションにより予測
されるレジストパターンの輪郭を示す。なお、最小設計
間隔Ｓｎを０．２μｍ、Ｓｅを０．３μｍとした。ま
た、シミュレーション条件は、図１に示す第１の実施例
の場合と同様である。ｘ方向延在部３２ａに対応するレ
ジストパターンの細りを抑制し、良好なレジストパター
ンを形成できることがわかる。
【００４１】次に、図５を参照して、本発明の第３の実
施例について説明する。図５Ａは、第３の実施例による
フォトマスクの部分平面図を示す。不透明領域５０の中
に複数の透明領域５１Ａ、５１Ｂ及び５２が画定されて
いる。複数の透明領域は、図１に示す第１の実施例の場
合と同様に、位相シフタの有無により第１の群と第２の
群に分類されている。図５Ａに示すフォトマスクは、同
一の群に属する２つの透明領域相互の最小設計間隔がＳ
ｅ、異なる群に属する２つの透明領域相互の最小設計間
隔がＳｎとなるように設計されている。このフォトマス
クの面内にｘ及びｙ軸を有するｘｙ直交座標系を考え
る。
施例について説明する。図５Ａは、第３の実施例による
フォトマスクの部分平面図を示す。不透明領域５０の中
に複数の透明領域５１Ａ、５１Ｂ及び５２が画定されて
いる。複数の透明領域は、図１に示す第１の実施例の場
合と同様に、位相シフタの有無により第１の群と第２の
群に分類されている。図５Ａに示すフォトマスクは、同
一の群に属する２つの透明領域相互の最小設計間隔がＳ
ｅ、異なる群に属する２つの透明領域相互の最小設計間
隔がＳｎとなるように設計されている。このフォトマス
クの面内にｘ及びｙ軸を有するｘｙ直交座標系を考え
る。
【００４２】第１の群に属するｘ軸方向に長い０．２８
μｍ幅の複数の透明領域５１Ａと第２の群に属するｘ軸
方向に長い０．２８μｍ幅の複数の透明領域５１Ｂと
が、ｙ軸方向に０．２８μｍ間隔で交互に配列してい
る。
μｍ幅の複数の透明領域５１Ａと第２の群に属するｘ軸
方向に長い０．２８μｍ幅の複数の透明領域５１Ｂと
が、ｙ軸方向に０．２８μｍ間隔で交互に配列してい
る。
【００４３】第１の群に属する透明領域５２が、各透明
領域５１Ａ及び５１Ｂの一方の端部に対向するように、
配置されている。透明領域５１Ｂの端部と透明領域５２
との間隔は、原則どおり最小設計間隔Ｓｎとされてい
る。透明領域５１Ａの端部と透明領域５２との間隔は、
原則によると最小設計間隔Ｓｅとなるが、ここでは、例
外的に最小設計間隔Ｓｎと等しくされている。
領域５１Ａ及び５１Ｂの一方の端部に対向するように、
配置されている。透明領域５１Ｂの端部と透明領域５２
との間隔は、原則どおり最小設計間隔Ｓｎとされてい
る。透明領域５１Ａの端部と透明領域５２との間隔は、
原則によると最小設計間隔Ｓｅとなるが、ここでは、例
外的に最小設計間隔Ｓｎと等しくされている。
【００４４】このフォトマスクを用いて露光するときの
露光波長をλ、投影レンズの開口数をＮＡとしたとき、
透明領域５１Ａ及び５１Ｂの幅が０．７×λ／ＮＡ以下
である場合には、線状の透明領域の端部に対応するレジ
ストパターンの先端が後退する傾向にある。破線５５
は、このフォトマスクを用いて露光したときの光強度シ
ミュレーションにより予測されるレジストパターンの輪
郭を示す。なお、露光波長は２４８ｎｍ、投影レンズの
開口数ＮＡは０．６である。
露光波長をλ、投影レンズの開口数をＮＡとしたとき、
透明領域５１Ａ及び５１Ｂの幅が０．７×λ／ＮＡ以下
である場合には、線状の透明領域の端部に対応するレジ
ストパターンの先端が後退する傾向にある。破線５５
は、このフォトマスクを用いて露光したときの光強度シ
ミュレーションにより予測されるレジストパターンの輪
郭を示す。なお、露光波長は２４８ｎｍ、投影レンズの
開口数ＮＡは０．６である。
【００４５】図５Ｂは、設計の原則どおりに、透明領域
５１Ａの端部と透明領域５２との間隔を最小設計間隔Ｓ
ｅとした場合のフォトマスクを示す。各透明領域５１Ａ
と５１Ｂの幅及び間隔は０．２８μｍである。図５Ｂの
破線５５で示すように、透明領域５２と同一群に属する
透明領域５１Ａの端部においてレジストパターンの先端
が後退している。
５１Ａの端部と透明領域５２との間隔を最小設計間隔Ｓ
ｅとした場合のフォトマスクを示す。各透明領域５１Ａ
と５１Ｂの幅及び間隔は０．２８μｍである。図５Ｂの
破線５５で示すように、透明領域５２と同一群に属する
透明領域５１Ａの端部においてレジストパターンの先端
が後退している。
【００４６】図５Ａに示すように、透明領域５１Ａの端
部と透明領域５２との間隔を、異なる群に属する透明領
域相互間の最小設計間隔Ｓｎまで近づけることにより、
透明領域５１Ａに対応するレジストパターンの先端の後
退による影響を軽減することができる。なお、図５Ａで
は、透明領域５１Ａの端部と透明領域５２との間隔を最
小設計間隔Ｓｎとしたが、この間隔を最小設計間隔Ｓｎ
以上、かつ同一群に属する透明領域相互間の最小設計間
隔Ｓｅ未満としても、ある程度の効果が期待できるであ
ろう。
部と透明領域５２との間隔を、異なる群に属する透明領
域相互間の最小設計間隔Ｓｎまで近づけることにより、
透明領域５１Ａに対応するレジストパターンの先端の後
退による影響を軽減することができる。なお、図５Ａで
は、透明領域５１Ａの端部と透明領域５２との間隔を最
小設計間隔Ｓｎとしたが、この間隔を最小設計間隔Ｓｎ
以上、かつ同一群に属する透明領域相互間の最小設計間
隔Ｓｅ未満としても、ある程度の効果が期待できるであ
ろう。
【００４７】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
位相シフタを設けられたフォトマスクにおいて、パター
ンの配列規則の異なる２つの領域の境界近傍におけるレ
ジストパターンのくびれ、細長いレジストパターンの先
端の後退による影響を軽減することができる。
位相シフタを設けられたフォトマスクにおいて、パター
ンの配列規則の異なる２つの領域の境界近傍におけるレ
ジストパターンのくびれ、細長いレジストパターンの先
端の後退による影響を軽減することができる。
【図１】本発明の第１の実施例によるフォトマスクの部
分平面図である。
分平面図である。
【図２】予備実験で評価したフォトマスクの部分平面図
である。
である。
【図３】本発明の第１の実施例の変形例によるフォトマ
スクの部分平面図である。
スクの部分平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例によるフォトマスクの部
分平面図である。
分平面図である。
【図５】本発明の第３の実施例及び比較例によるフォト
マスクの部分平面図である。
マスクの部分平面図である。
【図６】本発明の実施例によるフォトマスクの部分断面
図である。
図である。
１Ａ、１Ｂ、２、１１Ａ、１１Ｂ、１２、３１Ａ、３１
Ｂ、３２、５１Ａ、５１Ｂ、５２ 透明領域 ２ａ 延在部 ３、１３、３３ 仮想直線 ５ａ、５ｂ、３４、５５ レジストパターンの輪郭 １０、３０、５０ 不透明領域 １２ａ 太い部分 １２ｂ 細い部分 １２ｃ つながり部 １５ 切り欠き部 １６ 支持基板 １７ 遮光パターン １８ 位相シフタ ２０、４０ パターン繰り返し領域 ２１、４１ パターンの疎の領域 ３２ａ ｘ方向延在部 ３２ｂ ｙ方向延在部
Ｂ、３２、５１Ａ、５１Ｂ、５２ 透明領域 ２ａ 延在部 ３、１３、３３ 仮想直線 ５ａ、５ｂ、３４、５５ レジストパターンの輪郭 １０、３０、５０ 不透明領域 １２ａ 太い部分 １２ｂ 細い部分 １２ｃ つながり部 １５ 切り欠き部 １６ 支持基板 １７ 遮光パターン １８ 位相シフタ ２０、４０ パターン繰り返し領域 ２１、４１ パターンの疎の領域 ３２ａ ｘ方向延在部 ３２ｂ ｙ方向延在部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 稔美 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 松宮 正人 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 不透明領域の中に複数の透明領域が画定
され、該複数の透明領域が第１の群と第２の群に分類さ
れ、第１の群に属する透明領域を透過した光と第２の群
に属する透明領域を透過した光との位相が相互に異なる
ように構成されたフォトマスクにおいて、 前記第１の群に属し、相互に平行に配置された直線状部
分を含む少なくとも一対の第１の透明領域であって、そ
の対応する端部同士を結ぶ仮想直線が該第１の透明領域
の前記直線状部分の長さ方向と直交する前記第１の透明
領域と、 前記第２の群に属し、前記第１の透明領域の前記直線状
部分と平行に、かつ前記一対の第１の透明領域の前記直
線状部分の中央に配置され、直線状の太い部分と細い部
分とを有する第２の透明領域であって、該太い部分と細
い部分とのつながり部が、前記仮想直線よりも前記一対
の第１の透明領域に挟まれた領域内に入り込んでいる前
記第２の透明領域とを有するフォトマスク。 - 【請求項２】 前記第１の透明領域の各々と前記第２の
透明領域の前記太い部分との間隔が、前記第１の透明領
域の各々と前記細い部分との間隔よりも狭くならないよ
うに、前記第１の透明領域の端部に切り欠き部が設けら
れている請求項１に記載のフォトマスク。 - 【請求項３】 前記第２の透明領域の太い部分と細い部
分とのつながり部の、前記仮想直線から前記一対の第１
の透明領域に挟まれた領域内への入り込みの深さが、前
記第１の透明領域と前記第２の透明領域の細い部分との
間隔の１／４以上である請求項１または２に記載のフォ
トマスク。 - 【請求項４】 不透明領域の中に複数の透明領域が画定
され、該複数の透明領域が第１の群と第２の群に分類さ
れ、第１の群に属する透明領域を透過した光と第２の群
に属する透明領域を透過した光との位相が相互に異なる
ように構成されたフォトマスクにおいて、該フォトマス
クの面内にｘｙ直交座標系を考えたとき、 前記第１の群に属し、ｘ軸に平行に配置された直線状部
分を含む一対の第１の透明領域と、 前記第２の群に属する第２の透明領域であって、ｘ軸に
平行に、かつ前記一対の第１の透明領域の前記直線状部
分の中央に配置されたｘ方向延在部、及び前記一対の第
１の透明領域のうち一方の第１の透明領域の端部近傍に
おいて、前記ｘ方向延在部から該一方の第１の透明領域
側へ折れ曲がりｙ軸方向に延在するｙ方向延在部を含
み、該ｙ方向延在部と前記一方の第１の透明領域の端部
との間隔が、前記ｘ方向延在部と前記第１の透明領域の
前記直線状部分との間隔に等しい前記第２の透明領域と
を有するフォトマスク。 - 【請求項５】 不透明領域の中に複数の透明領域が画定
され、該複数の透明領域が第１の群と第２の群に分類さ
れ、第１の群に属する透明領域を透過した光と第２の群
に属する透明領域を透過した光との位相が相互に異なる
ように構成され、同一の群に属する透明領域同士の最小
間隔が最小設計間隔Ｓｅとなるように設計されたフォト
マスクにおいて、該フォトマスクの面内にｘｙ直交座標
系を考えたとき、 第１の群に属するｘ軸方向に長い部分を有する複数の透
明領域と第２の群に属するｘ軸方向に長い部分を有する
複数の透明領域とが、ｙ軸方向に前記最小設計間隔Ｓｅ
よりも狭い間隔Ｓｎで交互に配列した第１のパターン
と、 前記第１のパターンを構成する透明領域のうち少なくと
も相互に隣接する２つの透明領域の端部に対向して配置
された第１の群に属する透明領域からなる第２のパター
ンとを有し、 前記第２のパターンに対向する少なくとも２つの透明領
域のうち、第２の群に属する透明領域の端部と該第２の
パターンとの間隔が前記間隔Ｓｎに等しく、第１の群に
属する透明領域の端部と該第２のパターンとの間隔が、
前記間隔Ｓｎ以上かつ前記最小設計間隔Ｓｅよりも小さ
くなるように設計されたフォトマスク。 - 【請求項６】 前記間隔Ｓｎが、相互に異なる群に属す
る透明領域同士の最小設計間隔である請求項５に記載の
フォトマスク。 - 【請求項７】 表面に感光性レジスト膜を形成された半
導体基板を準備する工程と、 不透明領域の中に複数の透明領域が画定され、該複数の
透明領域が第１の群と第２の群に分類され、第１の群に
属する透明領域を透過した光と第２の群に属する透明領
域を透過した光との位相が相互に異なるように構成され
たフォトマスクであって、前記第１の群に属し、相互に
平行に配置された直線状部分を含む少なくとも一対の第
１の透明領域であって、その対応する端部同士を結ぶ仮
想直線が該第１の透明領域の前記直線状部分の長さ方向
と直交する前記第１の透明領域と、前記第２の群に属
し、前記第１の透明領域の前記直線状部分と平行に、か
つ前記一対の第１の透明領域の前記直線状部分の中央に
配置され、直線状の太い部分と細い部分とを有する第２
の透明領域であって、該太い部分と細い部分とのつなが
り部が、前記仮想直線よりも前記一対の第１の透明領域
に挟まれた領域内に入り込んでいる前記第２の透明領域
とを有するフォトマスクを介して、前記レジスト膜を露
光する工程と、 前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを残す工程
と、 前記レジストパターンに応じて前記半導体基板の表面も
しくは表面層を処理する工程とを含む半導体装置の製造
方法。 - 【請求項８】 表面に感光性レジスト膜を形成された半
導体基板を準備する工程と、 不透明領域の中に複数の透明領域が画定され、該複数の
透明領域が第１の群と第２の群に分類され、第１の群に
属する透明領域を透過した光と第２の群に属する透明領
域を透過した光との位相が相互に異なるように構成され
たフォトマスクであって、該フォトマスクの面内にｘｙ
直交座標系を考えたとき、前記第１の群に属し、ｘ軸に
平行に配置された直線状部分を含む一対の第１の透明領
域と、前記第２の群に属する第２の透明領域であって、
ｘ軸に平行に、かつ前記一対の第１の透明領域の前記直
線状部分の中央に配置されたｘ方向延在部、及び前記一
対の第１の透明領域のうち一方の第１の透明領域の端部
近傍において、前記ｘ方向延在部から該一方の第１の透
明領域側へ折れ曲がりｙ軸方向に延在するｙ方向延在部
を含み、該ｙ方向延在部と前記一方の第１の透明領域の
端部との間隔が、前記ｘ方向延在部と前記第１の透明領
域の前記直線状部分との間隔に等しい前記第２の透明領
域とを有するフォトマスクを介して、前記レジスト膜を
露光する工程と、 前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを残す工程
と、 前記レジストパターンに応じて前記半導体基板の表面も
しくは表面層を処理する工程とを含む半導体装置の製造
方法。 - 【請求項９】 表面に感光性レジスト膜を形成された半
導体基板を準備する工程と、 不透明領域の中に複数の透明領域が画定され、該複数の
透明領域が第１の群と第２の群に分類され、第１の群に
属する透明領域を透過した光と第２の群に属する透明領
域を透過した光との位相が相互に異なるように構成さ
れ、同一の群に属する透明領域同士の最小間隔が最小設
計間隔Ｓｅとなるように設計されたフォトマスクであっ
て、該フォトマスクの面内にｘｙ直交座標系を考えたと
き、第１の群に属するｘ軸方向に長い部分を有する複数
の透明領域と第２の群に属するｘ軸方向に長い部分を有
する複数の透明領域とが、ｙ軸方向に前記最小設計間隔
Ｓｅよりも狭い間隔Ｓｎで交互に配列した第１のパター
ンと、前記第１のパターンを構成する透明領域のうち少
なくとも相互に隣接する２つの透明領域の端部に対向し
て配置された第１の群に属する透明領域からなる第２の
パターンとを有し、前記第２のパターンに対向する少な
くとも２つの透明領域のうち、第２の群に属する透明領
域の端部と該第２のパターンとの間隔が前記間隔Ｓｎに
等しく、第１の群に属する透明領域の端部と該第２のパ
ターンとの間隔が、前記間隔Ｓｎ以上かつ前記最小設計
間隔Ｓｅよりも小さくなるように設計されたフォトマス
クを介して、前記レジスト膜を露光する工程と、 前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを残す工程
と、 前記レジストパターンに応じて前記半導体基板の表面も
しくは表面層を処理する工程とを含む半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21676697A JPH1165082A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
| US09/019,743 US5994004A (en) | 1997-08-11 | 1998-02-06 | Levenson type phase shift photomask and manufacture method of semiconductor device using such photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21676697A JPH1165082A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1165082A true JPH1165082A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=16693579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21676697A Withdrawn JPH1165082A (ja) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5994004A (ja) |
| JP (1) | JPH1165082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100870623B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2008-11-27 | 소니 가부시끼 가이샤 | 위상 시프트 마스크, 노광 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2398694T3 (es) * | 2004-06-30 | 2013-03-21 | Athersys, Inc. | Derivados de azepina sustituidos como moduladores de receptores de serotonina |
| KR102230503B1 (ko) * | 2015-04-14 | 2021-03-22 | 삼성전자주식회사 | 레이아웃 디자인 시스템, 이를 이용한 마스크 패턴 제조 시스템 및 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1293833A1 (en) * | 1991-08-22 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | High resolution printing technique by using a mask pattern adapted to the technique |
| JPH05265183A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | マスクパタン設計方法及びマスク |
| JP3393926B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-04-07 | 株式会社東芝 | フォトマスク設計方法及びその装置 |
-
1997
- 1997-08-11 JP JP21676697A patent/JPH1165082A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-02-06 US US09/019,743 patent/US5994004A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100870623B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2008-11-27 | 소니 가부시끼 가이샤 | 위상 시프트 마스크, 노광 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5994004A (en) | 1999-11-30 |
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