JPH1165111A - レジスト膜の形成方法及び超小型構造体の作製方法 - Google Patents
レジスト膜の形成方法及び超小型構造体の作製方法Info
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- JPH1165111A JPH1165111A JP9217823A JP21782397A JPH1165111A JP H1165111 A JPH1165111 A JP H1165111A JP 9217823 A JP9217823 A JP 9217823A JP 21782397 A JP21782397 A JP 21782397A JP H1165111 A JPH1165111 A JP H1165111A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚さが均一であり、組成の一様な厚いＰＭＭ
Ａ膜を得るのに適したＰＭＭＡ膜の形成方法を提供す
る。 【解決手段】 主表面を有する支持基板を準備する。液
状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加し
てレジスト原料液を得る。レジスト原料液を支持基板の
主表面上に塗布する。塗布されたレジスト原料液を挟み
込むように、支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載置
する。ＰＭＭＡ膜を支持基板に押しつけつつレジスト原
料液中のＭＭＡを重合させ、ＰＭＭＡ膜を支持基板に接
着する。
Ａ膜を得るのに適したＰＭＭＡ膜の形成方法を提供す
る。 【解決手段】 主表面を有する支持基板を準備する。液
状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加し
てレジスト原料液を得る。レジスト原料液を支持基板の
主表面上に塗布する。塗布されたレジスト原料液を挟み
込むように、支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載置
する。ＰＭＭＡ膜を支持基板に押しつけつつレジスト原
料液中のＭＭＡを重合させ、ＰＭＭＡ膜を支持基板に接
着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト膜を形成
する方法及び超小型構造体の作製方法に関し、特にＬＩ
ＧＡ技術に好適な厚いレジスト膜を形成する方法、及び
そのレジスト膜を用いた超小型構造体の作製方法に関す
る。
する方法及び超小型構造体の作製方法に関し、特にＬＩ
ＧＡ技術に好適な厚いレジスト膜を形成する方法、及び
そのレジスト膜を用いた超小型構造体の作製方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超小型構造体の製造技術として、ＬＩＧ
Ａ技術が知られている。以下、ＬＩＧＡ技術について簡
単に説明する。
Ａ技術が知られている。以下、ＬＩＧＡ技術について簡
単に説明する。
【０００３】導電性の支持基板の表面上にレジスト膜を
形成する。このレジスト膜をコントラストの高いＬＩＧ
Ａ用マスクを用いてＸ線により部分的に露光し、レジス
ト膜を現像する。レジスト膜の除去された領域を、金属
メッキにより埋め込む。残っているレジスト膜を除去す
ることにより、金属からなる超小型構造体が得られる。
形成する。このレジスト膜をコントラストの高いＬＩＧ
Ａ用マスクを用いてＸ線により部分的に露光し、レジス
ト膜を現像する。レジスト膜の除去された領域を、金属
メッキにより埋め込む。残っているレジスト膜を除去す
ることにより、金属からなる超小型構造体が得られる。
【０００４】立体的な超小型構造体を作製するには、厚
さ数１００μｍ以上のレジスト膜を形成する必要があ
る。
さ数１００μｍ以上のレジスト膜を形成する必要があ
る。
【０００５】図３は、特表平７−５０７３５５号公報に
開示された厚いレジスト膜の形成方法を示す。シリコン
基板５０の表面上に、導電膜５１が形成されている。導
電膜５１の表面上に、ある閉曲線に沿ってスペーサ５２
を配置する。液状のメチルメタクリレート（ＭＭＡ）に
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を溶解し、さら
に重合開始剤を添加したレジスト原料液５３を、導電膜
５１の表面のうちスペーサ５２で囲まれた領域上に滴下
する。
開示された厚いレジスト膜の形成方法を示す。シリコン
基板５０の表面上に、導電膜５１が形成されている。導
電膜５１の表面上に、ある閉曲線に沿ってスペーサ５２
を配置する。液状のメチルメタクリレート（ＭＭＡ）に
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を溶解し、さら
に重合開始剤を添加したレジスト原料液５３を、導電膜
５１の表面のうちスペーサ５２で囲まれた領域上に滴下
する。
【０００６】加圧部材５４でレジスト原料液５３を加圧
し、レジスト原料液５３を、導電膜５１、スペーサ５２
及び加圧部材５４により画定された空間内に閉じ込め
る。この状態で重合反応を起こさせることにより、スペ
ーサ層５２の高さとほぼ等しい厚さのＰＭＭＡ膜を得
る。
し、レジスト原料液５３を、導電膜５１、スペーサ５２
及び加圧部材５４により画定された空間内に閉じ込め
る。この状態で重合反応を起こさせることにより、スペ
ーサ層５２の高さとほぼ等しい厚さのＰＭＭＡ膜を得
る。
【０００７】図４は、特開平７−９２６８７号公報に開
示された厚いレジスト膜の形成方法を示す。シリコン基
板６０の表面上に導電膜６１が形成されている。導電膜
６１の表面上に、薄いＰＭＭＡ膜６２をスピン塗布す
る。ＰＭＭＡ膜６２の上に、液状のＭＭＡ液６３を滴下
し、その上に厚いＰＭＭＡ膜６４を載置する。加圧部材
６５により、厚いＰＭＭＡ膜６４を基板６０に押しつ
け、ＭＭＡ液６３を重合させる。厚いＰＭＭＡ膜６４が
薄いＰＭＭＡ膜６２に接着され、導電膜６１に接着した
厚いＰＭＭＡ膜を得ることができる。
示された厚いレジスト膜の形成方法を示す。シリコン基
板６０の表面上に導電膜６１が形成されている。導電膜
６１の表面上に、薄いＰＭＭＡ膜６２をスピン塗布す
る。ＰＭＭＡ膜６２の上に、液状のＭＭＡ液６３を滴下
し、その上に厚いＰＭＭＡ膜６４を載置する。加圧部材
６５により、厚いＰＭＭＡ膜６４を基板６０に押しつ
け、ＭＭＡ液６３を重合させる。厚いＰＭＭＡ膜６４が
薄いＰＭＭＡ膜６２に接着され、導電膜６１に接着した
厚いＰＭＭＡ膜を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図３に示す従来例によ
る方法では、重合中の体積の収縮によりＰＭＭＡ膜の厚
さが不均一になりやすい。また、内部応力によるクラッ
クが発生する場合もある。
る方法では、重合中の体積の収縮によりＰＭＭＡ膜の厚
さが不均一になりやすい。また、内部応力によるクラッ
クが発生する場合もある。
【０００９】図４に示す従来例による方法で形成された
レジスト膜は、当初スピン塗布されたＰＭＭＡ膜６２、
ＭＭＡ液６３が重合したＰＭＭＡ膜、及び当初の厚いＰ
ＭＭＡ膜６４の３層からなり、各層の組成が相互に相違
しやすい。このため、厚さ方向に関して一様な組成のＰ
ＭＭＡ膜を得ることが困難である。
レジスト膜は、当初スピン塗布されたＰＭＭＡ膜６２、
ＭＭＡ液６３が重合したＰＭＭＡ膜、及び当初の厚いＰ
ＭＭＡ膜６４の３層からなり、各層の組成が相互に相違
しやすい。このため、厚さ方向に関して一様な組成のＰ
ＭＭＡ膜を得ることが困難である。
【００１０】本発明の目的は、厚さが均一であり、組成
の一様な厚いＰＭＭＡ膜を得るのに適したＰＭＭＡ膜の
形成方法を提供することである。
の一様な厚いＰＭＭＡ膜を得るのに適したＰＭＭＡ膜の
形成方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、主表面を有する支持基板を準備する工程と、液状の
ＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加したレ
ジスト原料液を前記支持基板の主表面上に塗布する工程
と、塗布された前記レジスト原料液を挟み込むように、
前記支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載置する工程
と、前記レジスト原料液中のＭＭＡを重合させ、前記Ｐ
ＭＭＡ膜を前記支持基板に接着する工程とを含むレジス
ト膜の形成方法が提供される。
と、主表面を有する支持基板を準備する工程と、液状の
ＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加したレ
ジスト原料液を前記支持基板の主表面上に塗布する工程
と、塗布された前記レジスト原料液を挟み込むように、
前記支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載置する工程
と、前記レジスト原料液中のＭＭＡを重合させ、前記Ｐ
ＭＭＡ膜を前記支持基板に接着する工程とを含むレジス
ト膜の形成方法が提供される。
【００１２】ほぼ均一な厚さを有するレジスト膜を形成
することができる。本発明の他の観点によると、導電材
料が表出した主表面を有する支持基板を準備する工程
と、液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を
添加したレジスト原料液を前記支持基板の主表面上に塗
布する工程と、塗布された前記レジスト原料液を挟み込
むように、前記支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載
置する工程と、前記レジスト原料液中のＭＭＡを重合さ
せ、前記ＰＭＭＡ膜を前記支持基板に接着し、前記ＰＭ
ＭＡ膜と前記レジスト原料液が硬化した層からなるレジ
スト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を部分的に露
光し、現像する工程とを含む超小型構造体の作製方法が
提供される。
することができる。本発明の他の観点によると、導電材
料が表出した主表面を有する支持基板を準備する工程
と、液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を
添加したレジスト原料液を前記支持基板の主表面上に塗
布する工程と、塗布された前記レジスト原料液を挟み込
むように、前記支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載
置する工程と、前記レジスト原料液中のＭＭＡを重合さ
せ、前記ＰＭＭＡ膜を前記支持基板に接着し、前記ＰＭ
ＭＡ膜と前記レジスト原料液が硬化した層からなるレジ
スト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を部分的に露
光し、現像する工程とを含む超小型構造体の作製方法が
提供される。
【００１３】レジスト膜からなる超小型構造体が得られ
る。現像により除去された凹部に電鋳により金属部材を
埋め込み、レジスト膜を除去すると、金属からなる超小
型構造体を得ることができる。
る。現像により除去された凹部に電鋳により金属部材を
埋め込み、レジスト膜を除去すると、金属からなる超小
型構造体を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の実施例
によるレジスト膜を作製方法について説明する。
によるレジスト膜を作製方法について説明する。
【００１５】図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１
の表面上に、例えばＴｉからなる導電膜２を形成する。
液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、さらに重合開始剤
と硬化剤とを添加したレジスト原料液３を、導電膜２の
表面上に塗布する。図３に示す従来例に比べて、レジス
ト原料液３の厚さが薄くてもよいため、基板表面上にス
ペーサを配置する必要がない。また、スピンコートによ
ることなく、コータを用いて塗布することが可能なた
め、表面にある程度の凹凸があっても、安定して均一に
塗布することができる。
の表面上に、例えばＴｉからなる導電膜２を形成する。
液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、さらに重合開始剤
と硬化剤とを添加したレジスト原料液３を、導電膜２の
表面上に塗布する。図３に示す従来例に比べて、レジス
ト原料液３の厚さが薄くてもよいため、基板表面上にス
ペーサを配置する必要がない。また、スピンコートによ
ることなく、コータを用いて塗布することが可能なた
め、表面にある程度の凹凸があっても、安定して均一に
塗布することができる。
【００１６】レジスト原料液３の上に、所望の厚さのＰ
ＭＭＡ膜４を載置する。例えば、厚さ２００〜２０００
μｍのＰＭＭＡ膜を、日東樹脂工業（商品名 ＣＬＡＲ
ＥＸ板）から入手することができる。
ＭＭＡ膜４を載置する。例えば、厚さ２００〜２０００
μｍのＰＭＭＡ膜を、日東樹脂工業（商品名 ＣＬＡＲ
ＥＸ板）から入手することができる。
【００１７】レジスト原料液３が均一に広がるまで、加
圧部材５を用いてＰＭＭＡ膜４をシリコン基板１に押し
つける。加圧を停止した状態で、室温（２０℃以上）に
て、レジスト原料液３に含まれるＭＭＡを重合させる。
ＭＭＡの重合時に加圧を停止するのは、亀裂の発生を防
ぐためである。
圧部材５を用いてＰＭＭＡ膜４をシリコン基板１に押し
つける。加圧を停止した状態で、室温（２０℃以上）に
て、レジスト原料液３に含まれるＭＭＡを重合させる。
ＭＭＡの重合時に加圧を停止するのは、亀裂の発生を防
ぐためである。
【００１８】図１（Ｂ）に示すように、レジスト原料液
３の重合反応により形成されたＰＭＭＡ膜３ａを介して
ＰＭＭＡ膜４が導電膜２に接着される。レジスト原料液
３の組成を適当に選択しておくと、ＰＭＭＡ膜４とＰＭ
ＭＡ膜３ａとの間の境界は、ほとんど識別不能になり、
厚さ方向に関して組成のほぼ一様な厚いＰＭＭＡ膜を得
ることができる。
３の重合反応により形成されたＰＭＭＡ膜３ａを介して
ＰＭＭＡ膜４が導電膜２に接着される。レジスト原料液
３の組成を適当に選択しておくと、ＰＭＭＡ膜４とＰＭ
ＭＡ膜３ａとの間の境界は、ほとんど識別不能になり、
厚さ方向に関して組成のほぼ一様な厚いＰＭＭＡ膜を得
ることができる。
【００１９】レジスト原料液３のＰＭＭＡ濃度を１〜４
重量％、ＭＭＡ濃度を９６重量％以上とすることが好ま
しい。硬化剤として、例えば過酸化ベンゾイル（ＢＰ
Ｏ）、重合開始剤として、例えばジメチルアニリンを使
用することができる。レジスト原料液に対して過酸化ベ
ンゾイルの濃度は０．０９重量％以下、ジメチルアニリ
ンの濃度も０．０９重量％以下とすることが好ましい。
また、レジスト原料液３に溶解しているＰＭＭＡの重量
平均分子量は、１．４×１０6 以上とすることが好まし
い。
重量％、ＭＭＡ濃度を９６重量％以上とすることが好ま
しい。硬化剤として、例えば過酸化ベンゾイル（ＢＰ
Ｏ）、重合開始剤として、例えばジメチルアニリンを使
用することができる。レジスト原料液に対して過酸化ベ
ンゾイルの濃度は０．０９重量％以下、ジメチルアニリ
ンの濃度も０．０９重量％以下とすることが好ましい。
また、レジスト原料液３に溶解しているＰＭＭＡの重量
平均分子量は、１．４×１０6 以上とすることが好まし
い。
【００２０】また、ＰＭＭＡ膜３ａの厚さが１〜２０μ
ｍとなるように、圧力を加えることが好ましい。なお、
ＰＭＭＡ膜３ａとＰＭＭＡ膜４との境界を識別すること
は困難であるが、ＰＭＭＡ膜３ａと４との合計の厚さか
ら、当初のＰＭＭＡ膜４の厚さを減ずることによりＰＭ
ＭＡ膜３ａの厚さを求めることができる。
ｍとなるように、圧力を加えることが好ましい。なお、
ＰＭＭＡ膜３ａとＰＭＭＡ膜４との境界を識別すること
は困難であるが、ＰＭＭＡ膜３ａと４との合計の厚さか
ら、当初のＰＭＭＡ膜４の厚さを減ずることによりＰＭ
ＭＡ膜３ａの厚さを求めることができる。
【００２１】上記実施例では、シリコン基板の表面上に
Ｔｉ膜を形成した基板を用いたが、その他の基板を用い
てもよい。また、レジスト膜を露光、現像した後、電鋳
等の工程を行わない場合には、必ずしも表面に導電性材
料が表出していなくてもよい。
Ｔｉ膜を形成した基板を用いたが、その他の基板を用い
てもよい。また、レジスト膜を露光、現像した後、電鋳
等の工程を行わない場合には、必ずしも表面に導電性材
料が表出していなくてもよい。
【００２２】次に、上記実施例による方法で作製した厚
いＰＭＭＡ膜を用いた超小型構造体の作製方法について
説明する。
いＰＭＭＡ膜を用いた超小型構造体の作製方法について
説明する。
【００２３】図２（Ａ）に示すように、シリコン基板３
０の表面上に例えばＴｉからなる厚さ０．３μｍの導電
膜３１を、スパッタリングにより形成する。導電膜３１
の表面上に、図１で説明した実施例による方法で、ＰＭ
ＭＡからなる厚さ２００μｍのレジスト膜３２を形成す
る。
０の表面上に例えばＴｉからなる厚さ０．３μｍの導電
膜３１を、スパッタリングにより形成する。導電膜３１
の表面上に、図１で説明した実施例による方法で、ＰＭ
ＭＡからなる厚さ２００μｍのレジスト膜３２を形成す
る。
【００２４】レジスト膜３２の表面上に一定の間隔を隔
ててマスク部材３３を配置する。マスク部材３３とし
て、例えば幅２０μｍ、厚さ２０μｍの銅製のメッシュ
を用いる。マスク部材３３を介してレジスト膜３２をサ
イクロトロン放射（ＳＲ）光３４で露光する。
ててマスク部材３３を配置する。マスク部材３３とし
て、例えば幅２０μｍ、厚さ２０μｍの銅製のメッシュ
を用いる。マスク部材３３を介してレジスト膜３２をサ
イクロトロン放射（ＳＲ）光３４で露光する。
【００２５】図２（Ｂ）に示すように、レジスト膜３２
を現像する。ＳＲ光に露光された領域に凹部３５が形成
される。
を現像する。ＳＲ光に露光された領域に凹部３５が形成
される。
【００２６】ＳＲ光発生装置の初期ビーム電流３６０ｍ
Ａの条件下で、露光面積１．５ｍｍ×３０ｍｍの領域に
約１０分間の露光を行った後、現像液として日本応化工
業株式会社製のＯＥＢＲ−１０００（９０％のイソアミ
ルアセテートと１０％のエチルアセテートの混合液）を
用い、室温で約５分間の現像を行ったところ、高さ２０
０μｍ、アスペクト比１０のレジストパターンが得られ
た。ＳＲ光の計算ドーズ量は、３Ａｍｉｎであった。
Ａの条件下で、露光面積１．５ｍｍ×３０ｍｍの領域に
約１０分間の露光を行った後、現像液として日本応化工
業株式会社製のＯＥＢＲ−１０００（９０％のイソアミ
ルアセテートと１０％のエチルアセテートの混合液）を
用い、室温で約５分間の現像を行ったところ、高さ２０
０μｍ、アスペクト比１０のレジストパターンが得られ
た。ＳＲ光の計算ドーズ量は、３Ａｍｉｎであった。
【００２７】図２（Ｃ）に示すように、溝３５の底面に
露出した導電膜３１の表面上に、電鋳により、例えばＣ
ｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等を堆積する。溝３５内がＣｕ、Ｎｉ、
Ｐｔ等からなる金属部材３６で埋め込まれる。
露出した導電膜３１の表面上に、電鋳により、例えばＣ
ｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等を堆積する。溝３５内がＣｕ、Ｎｉ、
Ｐｔ等からなる金属部材３６で埋め込まれる。
【００２８】図２（Ｄ）に示すように、残ったレジスト
膜３２を除去する。導電膜３１の表面上に金属部材３６
が残る。このようにして、金属材料からなる超小型の構
造体を作製することができる。
膜３２を除去する。導電膜３１の表面上に金属部材３６
が残る。このようにして、金属材料からなる超小型の構
造体を作製することができる。
【００２９】また、図２（Ａ）に示すレジスト膜３２の
厚さを１０００μｍとし、マスク部材３３として幅１０
０μｍ、厚さ１００μｍの銅製のメッシュを用いたとこ
ろ、図２（Ｂ）において、高さ１０００μｍ、アスペク
ト比１０のレジストパターンを得ることができた。な
お、この場合の露光は、スキャニングしながら約１６０
分間行い、計算ドーズ量は３２Ａｍｉｎであった。ま
た、現像は、ＧＧ現像液（６０体積％の２−（２−ブト
キシ−エトキシ）エタノール、２０体積％のテトラハイ
ドロ−１，４−オキサジン、５体積％の２−アミノエタ
ノール−１、及び１５体積％の水）を用い、３７℃で６
０分間行った。なお、現像液がレジストパターンの底ま
で十分に行き渡るようにマグネットスターラにより攪拌
しながら現像した。
厚さを１０００μｍとし、マスク部材３３として幅１０
０μｍ、厚さ１００μｍの銅製のメッシュを用いたとこ
ろ、図２（Ｂ）において、高さ１０００μｍ、アスペク
ト比１０のレジストパターンを得ることができた。な
お、この場合の露光は、スキャニングしながら約１６０
分間行い、計算ドーズ量は３２Ａｍｉｎであった。ま
た、現像は、ＧＧ現像液（６０体積％の２−（２−ブト
キシ−エトキシ）エタノール、２０体積％のテトラハイ
ドロ−１，４−オキサジン、５体積％の２−アミノエタ
ノール−１、及び１５体積％の水）を用い、３７℃で６
０分間行った。なお、現像液がレジストパターンの底ま
で十分に行き渡るようにマグネットスターラにより攪拌
しながら現像した。
【００３０】厚さ１０００μｍのレジスト膜を用いる
と、図２（Ｄ）において高さ１０００μｍ程度の微細構
造体３６を作製することができる。
と、図２（Ｄ）において高さ１０００μｍ程度の微細構
造体３６を作製することができる。
【００３１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加
した混合溶液を用い、ＰＭＭＡ膜を基板に接着すること
により、厚さのほぼ均一な、かつ厚さ方向に関する組成
のほぼ一様なレジスト膜を形成することができる。この
レジスト膜をＬＩＧＡプロセスに適用して超小型構造体
を作製することができる。
液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加
した混合溶液を用い、ＰＭＭＡ膜を基板に接着すること
により、厚さのほぼ均一な、かつ厚さ方向に関する組成
のほぼ一様なレジスト膜を形成することができる。この
レジスト膜をＬＩＧＡプロセスに適用して超小型構造体
を作製することができる。
【図１】本発明の実施例によるレジスト膜の形成方法を
説明するためのレジスト膜及び基板の断面図である。
説明するためのレジスト膜及び基板の断面図である。
【図２】本発明の実施例による超小型微細構造体の作製
方法を説明するためのレジスト膜、基板及び超小型構造
体の断面図である。
方法を説明するためのレジスト膜、基板及び超小型構造
体の断面図である。
【図３】従来例によるレジスト膜の形成方法を説明する
ための、基板の断面図である。
ための、基板の断面図である。
【図４】他の従来例によるレジスト膜の形成方法を説明
するための、基板の断面図である。
するための、基板の断面図である。
１ シリコン基板 ２ 導電膜 ３ レジスト原料液 ３ａ、４ ＰＭＭＡ膜 ５ 加圧部材 ３０ シリコン基板 ３１ 導電膜 ３２ レジスト膜 ３３ マスク部材 ３４ ＳＲ光 ３５ 凹部 ３６ 金属部材 ５０、６０ シリコン基板 ５１、６１ 導電膜 ５２ スペーサ ５３ レジスト原料液 ５４、６５ 加圧部材 ６２、６４ ＰＭＭＡ膜 ６３ ＭＭＡ液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/30 Ｇ０３Ｆ 7/30 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ
Claims (7)
- 【請求項１】 主表面を有する支持基板を準備する工程
と、 液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加
したレジスト原料液を前記支持基板の主表面上に塗布す
る工程と、 塗布された前記レジスト原料液を挟み込むように、前記
支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載置する工程と、 前記レジスト原料液中のＭＭＡを重合させ、前記ＰＭＭ
Ａ膜を前記支持基板に接着する工程とを含むレジスト膜
の形成方法。 - 【請求項２】 前記レジスト原料液中のＰＭＭＡ濃度が
４重量％以下である請求項１に記載のレジスト膜の形成
方法。 - 【請求項３】 前記レジスト原料液中のＰＭＭＡの重量
平均分子量が１．４×１０6 以上である請求項１または
２に記載のレジスト膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記ＰＭＭＡ膜を接着する工程におい
て、前記レジスト原料液の重合反応により形成されるレ
ジスト層の厚さが２０μｍ以下になるように、前記ＰＭ
ＭＡ膜を前記支持基板に押しつける請求項１〜３のいず
れかに記載のレジスト膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記重合開始剤が、ジメチルアニリンで
あり、前記レジスト原料液に対する濃度が、０．０９重
量％以下である請求項１〜４のいずれかに記載のレジス
ト膜の形成方法。 - 【請求項６】 前記レジスト原料液に、硬化剤として過
酸化ベンゾイルが濃度０．０９重量％以下含まれている
請求項１〜５のいずれかに記載のレジスト膜の形成方
法。 - 【請求項７】 導電材料が表出した主表面を有する支持
基板を準備する工程と、 液状のＭＭＡにＰＭＭＡを溶解させ、重合開始剤を添加
したレジスト原料液を前記支持基板の主表面上に塗布す
る工程と、 塗布された前記レジスト原料液を挟み込むように、前記
支持基板の主表面の上にＰＭＭＡ膜を載置する工程と、 前記レジスト原料液中のＭＭＡを重合させ、前記ＰＭＭ
Ａ膜を前記支持基板に接着し、前記ＰＭＭＡ膜と前記レ
ジスト原料液が硬化した層からなるレジスト膜を形成す
る工程と、 前記レジスト膜を部分的に露光し、現像する工程とを含
む超小型構造体の作製方法。
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| JP21782397A JP3376253B2 (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | レジスト膜の形成方法及び超小型構造体の作製方法 |
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-
1997
- 1997-08-12 JP JP21782397A patent/JP3376253B2/ja not_active Expired - Fee Related
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