JPH1167110A - ビ−ム直進形マイクロ波管装置 - Google Patents

ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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Publication number
JPH1167110A
JPH1167110A JP22164397A JP22164397A JPH1167110A JP H1167110 A JPH1167110 A JP H1167110A JP 22164397 A JP22164397 A JP 22164397A JP 22164397 A JP22164397 A JP 22164397A JP H1167110 A JPH1167110 A JP H1167110A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic field
electron gun
permanent magnet
permanent magnets
type microwave
Prior art date
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Pending
Application number
JP22164397A
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English (en)
Inventor
Naoki Takahashi
直樹 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH1167110A publication Critical patent/JPH1167110A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】この発明は、電子の入射条件を十分に揃え、安
定した電子ビ−ムが得られるビ−ム直進形マイクロ波管
装置を提供することを目的とする。 【解決手段】この発明のビ−ム直進形マイクロ波管装置
は、電子銃部1,遅波回路部,コレクタ部,周期磁界装
置12が備えられ、周期磁界装置は複数の永久磁石1と
磁極片2とが交互に配設されてなり、更に複数の永久磁
石のうち最も電子銃部に近い永久磁石3の磁化方向が、
管軸に対して垂直になるように設定されていることによ
り、上記の目的を達成することが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明はビ−ム直進形マイ
クロ波管装置に係り、特にその周期磁界装置の改良に関
する。
【0002】
【従来の技術】一般にビ−ム直進形マイクロ波管装置、
例えば進行波管装置は、電子ビ−ムを射出する電子銃部
と、電子ビ−ムとマイクロ波が相互作用する遅波回路部
と、マイクロ波との相互作用を終了した電子を捕獲する
コレクタ部と、マイクロ波を遅波回路部に導くためのマ
イクロ波入力部と、増幅されたマイクロ波を外部回路に
取出すためのマイクロ波出力部と、電子ビ−ムを集束す
るための磁界を与える周期磁界装置とを備えている。
【0003】ところで、従来の進行波管装置における電
子銃部と周期磁界装置付近を示すと図4上部のようにな
り、11が電子銃部、12が周期磁界装置である。この
周期磁界装置12は管軸に沿って複数の永久磁石1と磁
極片2とが交互に並べて配設されている。永久磁石1の
磁化方向は管軸に沿っており、隣り合う永久磁石1とは
互いに反発する向きなので、管軸上の管軸に沿う磁束密
度は図4下部に示すように周期的な曲線を描く。電子銃
部11のカソ−ド7から放出された電子ビ−ム9は、こ
の周期磁界によって集束されるが、その磁束密度のピ−
ク値6は、電子ビ−ム9を集束するのに最適値が選ば
れ、電子ビ−ム9が細くなるほど、ピ−ク値6は大きな
値が要求される。更に、電子銃部11に最も近い磁極片
4は、カソ−ド7への漏洩磁界を遮蔽するために外径の
大きなものが配置されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来技術
によると、次のような不具合がある。電子銃部11から
放出された電子ビ−ム9は、管軸に沿って配置された永
久磁石1によって最適な径に集束されるが、電子ビ−ム
9の周期磁界への入射条件は電子ビ−ム9の安定性に大
きな影響を与える。
【0005】カソ−ド7から放出された電子は、アノ−
ド8を通過するまでに空間電荷力が小さく、弱い磁力線
にも巻き付いて運動する。ところが、図5に示すよう
に、永久磁石1周りの磁力線は、永久磁石1から離れる
ほど外側をまわる磁力線10(反転磁界)が広く分布す
る。
【0006】一般に、カソ−ド7と永久磁石1との距離
は、管軸上の磁界が反転するのに十分大きいため、図4
に示すようにカソ−ド7から放出された電子は、反転磁
界の力を受けて理想的な入射軌道から外側にずれる。こ
の反転磁界を遮蔽するため、電子銃部11に最も近い磁
極片4の外径は大きく設計されるので、カソ−ド7面を
通る磁力線は弱く(数ガウス)、結局ブリルアン集束に
近い状態となり、熱速度を持った電子の入射条件を十分
に揃えることが出来ない。
【0007】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、電子の入射条件を十分に揃え、安定した電子ビ−ム
が得られるビ−ム直進形マイクロ波管装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明は、電子銃部,
遅波回路部,コレクタ部,周期磁界装置が備えられ、周
期磁界装置は複数の永久磁石と磁極片とが交互に配設さ
れてなり、更に複数の永久磁石のうち最も電子銃部に近
い永久磁石の磁化方向が、管軸に対して垂直になるよう
に設定されている。
【0009】又、最も電子銃部に近い永久磁石は、3つ
以上の平板状の永久磁石単体がサ−クル状に組合せられ
ている。従って、この発明によれば、熱電子の入射条件
が揃えられ、安定した電子ビ−ムが得られる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の一実施の形態を詳細に説明する。この発明のビ−ム直
進形マイクロ波管装置、例えば進行波管装置は図1に示
すように構成され、図1上部は電子銃部と周期磁界装置
付近を示す半断面図であり、図1下部は対応する管軸上
磁束密度を示している。従来例(図4)と同一部分は、
同一符号を用いて説明する。即ち、電子ビ−ムを射出す
る電子銃部11と、電子ビ−ムとマイクロ波が相互作用
する遅波回路部(図示せず)と、マイクロ波との相互作
用を終了した電子を捕獲するコレクタ部(図示せず)
と、マイクロ波を遅波回路部に導くためのマイクロ波入
力部(図示せず)と、増幅されたマイクロ波を外部回路
に取出すためのマイクロ波出力部(図示せず)と、電子
ビ−ムを集束するための磁界を与える周期磁界装置12
とを備えている。
【0011】この場合、電子銃部11はカソ−ド7とア
ノ−ド8からなり、9は電子ビ−ムである。又、周期磁
界装置12は、管軸に沿って複数の永久磁石1と磁極片
2とが交互に並べて配設されているが、複数の永久磁石
1の最も電子銃部11に近く配置される永久磁石3は、
その磁化方向が管軸に対して垂直になるように設定され
ている。そのため、この発明では、永久磁石3は、図3
(a),(b)に示すように3つ以上の平板状の永久磁
石単体3a又は3bが、サ−クル状に組合せられてい
る。図2はこれらの永久磁石単体3a又は3bの磁力線
5を示しているが、管軸に対して垂直に磁化した永久磁
石単体3a又は3bの磁力線5は、磁石の外周(内周)
から磁石の両側を通って磁石の内周(外周)に向い、こ
の分布は永久磁石3からの距離で変わらない。従って、
カソ−ド7を通る磁力線は必ず永久磁石3の内面に流れ
込むため、アノ−ド8を通過するまでは、理想的な電子
ビ−ムの入射軌道に近似したものとなる。
【0012】これは、従来例で説明した反転磁界の遮蔽
が不要であることを意味し、界浸磁界(カソ−ド面の磁
束密度)が大きくても磁力線を入射軌道に一致させるこ
とが出来るため、熱速度を持った電子の入射条件を理想
的な軌道に合わせることが出来る。
【0013】一方、管軸に対して垂直に磁化した永久磁
石は、サ−クル状の永久磁石を放射状に磁化することで
得られるが、現在の製造技術では放射状の磁化が困難で
あるため、現実的には、図3(a),(b)に示すよう
に、一様磁化した3個以上の平板状永久磁石単体3a又
は3bを、磁化方向が管軸に対して垂直になるように組
合わせて作る。
【0014】尚、従来は電子銃部11に最も近い磁極片
4の外径は大きく設計されていたが、この発明では、既
述のように反転磁界の遮蔽が不要であるため、電子銃部
11に最も近い磁極片も他の磁極片2と同じ外径のもの
で良い。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、周期磁界装置の複数の永久磁石のうち最も電子銃部
に近い永久磁石の磁化方向が、管軸に対して垂直になる
ように設定されているので、電子の入射条件が揃えら
れ、安定した電子ビ−ムが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係るビ−ム直進形マ
イクロ波管装置の要部を、対応する管軸上磁束密度と共
に示す半断面図。
【図2】図1のビ−ム直進形マイクロ波管装置の要部に
おける電子銃部に最も近い永久磁石単体の磁力線を示す
特性図。
【図3】図1のビ−ム直進形マイクロ波管装置における
電子銃部に最も近い永久磁石の2例を示す斜視図。
【図4】従来のビ−ム直進形マイクロ波管装置の要部
を、対応する管軸上磁束密度と共に示す半断面図。
【図5】図4のビ−ム直進形マイクロ波管装置の要部に
おける永久磁石の磁力線を示す特性図。
【符号の説明】
1…永久磁石、2…磁極片、3…(電子銃に最も近い)
永久磁石、3a,3b…永久磁石単体、5…磁力線、6
…(磁束密度の)ピ−ク値、7…カソ−ド、8…アノ−
ド、9…電子ビ−ム、11…電子銃部、12…周期磁界
装置。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子銃部,遅波回路部,コレクタ部,周
    期磁界装置が備えられ、該周期磁界装置は複数の永久磁
    石と磁極片とが交互に配設されてなるビ−ム直進形マイ
    クロ波管装置において、 上記複数の永久磁石のうち最も上記電子銃部に近い第1
    の永久磁石の磁化方向が、管軸に対して垂直になるよう
    に設定されてなることを特徴とするビ−ム直進形マイク
    ロ波管装置。
  2. 【請求項2】 上記第1の永久磁石は、3つ以上の平板
    状の永久磁石単体がサ−クル状に組合せられていること
    を特徴とする請求項1記載のビ−ム直進形マイクロ波管
    装置。
JP22164397A 1997-08-18 1997-08-18 ビ−ム直進形マイクロ波管装置 Pending JPH1167110A (ja)

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JP22164397A JPH1167110A (ja) 1997-08-18 1997-08-18 ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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JP22164397A JPH1167110A (ja) 1997-08-18 1997-08-18 ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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JPH1167110A true JPH1167110A (ja) 1999-03-09

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ID=16770003

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JP22164397A Pending JPH1167110A (ja) 1997-08-18 1997-08-18 ビ−ム直進形マイクロ波管装置

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JP (1) JPH1167110A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104851766A (zh) * 2015-05-27 2015-08-19 电子科技大学 一种适用于带状电子注的周期永磁聚焦系统

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104851766A (zh) * 2015-05-27 2015-08-19 电子科技大学 一种适用于带状电子注的周期永磁聚焦系统

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