JPH1167681A

JPH1167681A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH1167681A
Application number: JP22493097A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Sasaki; 清裕佐々木
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-08-21
Filing date: 1997-08-21
Publication date: 1999-03-09

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板にランプによる加熱を伴う処理を
施す基板処理装置であって、加熱効率がよく、正確な温
度測定もできる基板処理装置を提供する。【解決手段】ランプからの光を照射して半導体基板に
加熱を伴う処理を施す基板処理装置において、有効波長
帯が約０．４〜０．７μｍであるランプを用いる。Ｓi
の基礎吸収端波長は約１．１μｍであるので、ランプか
らの光は半導体基板に効率的に吸収され、加熱効率を高
めることができる。また、石英はこの有効波長帯の光を
透過する性質を有するので、石英チャンバなどが高温と
なることはなく効率的な加熱ができ、さらに、温度測定
においても高温の石英チャンバからの放射がノイズとな
ることもない。また、測定波長帯が約０．８〜１μｍの
フォトセルを利用した放射温度計を用いて半導体基板の
温度測定を行ってもランプからの光がノイズとならず、
正確な温度測定を容易に行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置製造
用の半導体基板等の基板にランプを用いて加熱を伴う処
理を施す基板処理装置に関するものであり、例えば、活
性化アニール、酸化、窒化、ＣＶＤ(Chemical Vapor De
position)などの基板を急速に昇降温する基板処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】ラン
プを用いて加熱を伴う処理を施す基板処理装置では、従
来より加熱源としてハロゲンランプが用いられている。
このハロゲンランプの放射分光特性は輻射（放射）に関
するプランクの式にほぼ従った特性を示す。図９にプラ
ンプの式に従う分光照射特性を示す。なお、波長をλ、
温度をＴとするとプランクの式による放射強度分布Ｌ
（λ、Ｔ）は、

【０００３】

【数１】

【０００４】と表される。ただし、

【０００５】

【数２】

【０００６】である。

【０００７】一方、加熱対象が半導体基板の材料である
Ｓi（シリコン）の場合、受ける光の波長と透過率との
関係は図１０に示すようになる。この透過率はＳiの温
度によっても変化するが、室温から約９００Ｋまでは図
１０に示す特性を有することが知られている。すなわ
ち、Ｓiは約１．１〜２０μｍの波長の光を５０％強の
割合で透過してしまう性質を有している。

【０００８】図９と図１０とを比較すると、半導体基板
であるＳi基板をハロゲンランプを用いて加熱する場
合、Ｓiを透過する波長の光を多く照射することとなる
ので高い加熱効率を得ることができない。具体的にハロ
ゲンランプの分光放射強度とＳiの透過率との関係から
加熱効率（ランプ分光放射強度（上記「数１」により計
算されるエネルギー）に対するＳi基板に吸収されるエ
ネルギーの割合）を求めると図１１に示すようになり、
加熱効率は０．５程度となる。なお、図１１では基板処
理装置自身に吸収されるエネルギーは考慮されていない
ため、実際にはさらに加熱効率は低いものとなる。

【０００９】このようにハロゲンランプを用いる場合、
半導体基板の加熱効率が低いので今後の半導体基板の大
型化（直径３００ｍｍ）に伴って基板処理装置が１５０
ｋＷ程度の電力が必要になると試算されている。しか
し、このような大電力を供給することは実際には不可能
である。

【００１０】また、このような基板処理装置では通常、
処理環境を外部と隔離するために石英のチャンバや石英
の窓材を介してハロゲンランプからの光が半導体基板に
照射されるようになっている。石英は図１０に示すよう
に約５μｍ以上の波長の光を吸収する性質を有してお
り、ハロゲンランプからの光を石英を介して照射しよう
とした場合、５μｍ以上の波長成分の光のエネルギーが
石英に吸収されることとなる。

【００１１】ところが、ハロゲンランプから放射される
光にはこの５μｍ以上の波長の成分の光が多く含まれる
ので、光エネルギーの多くが石英の加熱に消費されてし
まうという非効率的な現象が生じてしまう。

【００１２】さらに、このように石英の部材が加熱され
て高温となると、石英から放射される放射光が半導体基
板の温度測定においてノイズとして作用するという問題
も生じる。

【００１３】また、放射温度計による温度測定では一般
的に半導体基板からの約５〜１０μｍの波長帯の放射光
が測定に利用されるが、ハロゲンランプからの光もこの
波長帯の光の成分を多く含んでいるので、ハロゲンラン
プの光がノイズ成分として作用してしまうという問題も
生じる。

【００１４】そこで、この発明は上記課題に鑑みなされ
たもので、基板を効率よく加熱できるとともに石英部材
の加熱を抑え、また適切な温度測定を行うことができる
基板処理装置を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に加熱を伴う処理を施す基板処理装置であって、基板の
基礎吸収端波長以下の有効波長帯を有する光を基板に照
射することにより基板を加熱するランプを備える。

【００１６】請求項２の発明は、請求項１記載の基板処
理装置であって、前記基板がシリコン基板であり、前記
ランプが約１．１μｍ以下の有効波長帯を有する光を照
射する。

【００１７】請求項３の発明は、基板に加熱を伴う処理
を施す基板処理装置であって、光を基板に照射すること
により基板を加熱するランプと、基板と前記ランプとを
隔離させる石英部材とを備え、前記ランプから照射され
る光は、前記石英部材の透過波長領域に含まれる有効波
長帯を有する光である。

【００１８】請求項４の発明は、基板に加熱を伴う処理
を施す基板処理装置であって、基板からの放射光を受光
することにより基板の温度を非接触にて測定する温度測
定手段と、前記温度測定手段の測定波長帯外の有効波長
帯を有する光を基板に照射することにより基板を加熱す
るランプとを備える。

【００１９】請求項５の発明は、請求項４記載の基板処
理装置であって、前記温度測定手段がフォトセルを利用
した放射温度計である。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１はこの発明に係る第１の実施
の形態である基板処理装置１の構成を示す縦断面図であ
る。基板処理装置１は、ランプ２１からの光を照射して
半導体基板９（以下、単に「基板」という。）を加熱す
る基板処理装置であり、加熱中の基板９は放射温度計３
１により温度が測定されるようになっている。

【００２１】基板処理装置１では、基板９は石英で形成
された石英チャンバ４１内で加熱処理されるようになっ
ている。石英チャンバ４１の中では基板９は石英で形成
された支持台５２上のＳiＣ（炭化ケイ素）で形成され
た均熱リング５１上に載置されて支持される。なお、均
熱リング５１は基板９を爪部で支持するとともに基板９
を囲むような形状となっており、基板９の熱分布を均一
とする役割を果たしている。

【００２２】支持台５２はアーム５３を介して蓋部５４
に接続されており、蓋部５４を矢印５Ｍにて示すように
水平方向に移動することにより、支持台５２とともに基
板９が石英チャンバ４１に対して搬出入されるようにな
っている。

【００２３】石英チャンバ４１はフランジ４２を介して
支持されており、さらに石英チャンバ４１には処理ガス
を供給するガス供給口４１１が設けられ、フランジ４２
には石英チャンバ４１内部のガスを排気する排気口４１
２が設けられている。

【００２４】石英チャンバ４１の上方および下方にはラ
ンプ２１が設けられており、これらのランプ２１が点灯
することにより、石英チャンバ４１を介してランプ２１
からの光が照射されて基板９が加熱されるようになって
いる。すなわち、石英チャンバ４１は基板９が存在する
空間とランプ２１が存在する空間とを隔離する役割を果
たしている。また、加熱中はガス供給口４１１からＮ₂
（窒素）や不活性ガスなどの雰囲気調整ガス、ならび
に、ＮＨ₃（アンモニア）、Ｏ₂（酸素）、Ｎ₂Ｏ（一酸
化二窒素）などの処理ガスが石英チャンバ４１内部に供
給され、基板９に加熱を伴う処理が施されるようになっ
ている。

【００２５】ランプ２１および石英チャンバ４１はラン
プハウス６に覆われており、ランプハウス６の内部には
冷却水路６１が設けられている。これにより、ランプ２
１からの光を受けたランプハウス６が冷却され、ランプ
ハウス６の温度の上昇が防止されている。また、ランプ
ハウス６の内壁はランプ２１からの光を反射するように
鏡面加工されており、ランプ２１からの光がランプハウ
ス６に吸収されることなく効率的に基板９に照射される
ようになっている。

【００２６】ランプハウス６には放射温度計３１が取り
付けられており、放射温度計３１は基板９から放射され
る光を窓材３２を介して受光して基板９の温度を非接触
にて測定するようになっている。

【００２７】図２は図１に示した基板処理装置１のラン
プ２１の点灯制御に関する制御系を示すブロック図であ
り、ランプ２１と放射温度計３１との電気的接続関係を
示している。

【００２８】ランプ２１には電源８からの電力が電力調
節器２２を介して供給され、電力調節器２２には放射温
度計３１からの信号が温度調節器３３を介して入力され
るようになっている。

【００２９】温度調節器３３は電力調節器２２が各ラン
プ２１に供給する電力の配分を制御しており、この制御
は放射温度計３１による測定温度に基づいてＰＩＤ係数
を算出するＰＩＤフィードバック制御となっている。こ
れにより、加熱処理中の基板９の温度の昇降が適正に制
御されるようになっている。

【００３０】以上が基板処理装置１の構成であるが、次
にこの基板処理装置１に用いられているランプ２１の分
光特性について説明し、この発明に係る基板処理装置１
の特徴を明らかにしていく。

【００３１】図３は基板処理装置１に用いられているラ
ンプ２１の分光特性を分光曲線にて示す図であり、横軸
は波長、縦軸は波長に対する相対放射強度を示してい
る。このランプ２１はＳ（イオウ）を利用したランプで
あり、図３に示すようにおよそ波長０．４〜０．７μｍ
の光の分光放射強度が高くなっている。なお、以下の説
明では分光放射強度が高い波長帯（例えば、最も高い分
光放射強度の１／４以上の分光放射強度となる波長帯と
定義すると、ランプ２１ではおよそ波長０．４〜０．７
μｍの波長帯となる。）を「有効波長帯」と呼ぶ。

【００３２】これに対し、Ｓiにより形成されている半
導体基板においては照射光の波長に対する吸収率（温度
に依存する）は図４に示すようになっており、Ｓiは符
号Ａにて示す約１．１μｍ以下の波長の光を効率よく吸
収する性質を有している。この符号Ａにて示す位置での
波長をＳiの基礎吸収端波長という。図３と図４とを比
較すると、ランプ２１が放射する光の有効波長帯がＳi
の基礎吸収端波長以下となっているので、ランプ２１の
光が基板９に効率よく吸収されることが分かる。すなわ
ち、ランプ２１を用いることにより基板９を効率的に加
熱することができる。

【００３３】従来のハロゲンランプを用いて基板を加熱
する方法では、ハロゲンランプは既述の通り図９に示す
分光放射強度にほぼ従った光を放射するので、Ｓiの基
礎吸収端波長よりも長い波長の光が基板９に多く照射さ
れることとなる。したがって、ハロゲンランプからの光
の多くはＳiに吸収されることなく透過されてしまい、
ハロゲンランプに与えられた電力の多くが基板９の加熱
に利用されないこととなる（図１１参照）。また、９０
０Ｋ程度までの比較的低温ではハロゲンランプからはＳ
iの基礎吸収端波長よりも長い波長の成分がほとんどで
あることから、低温での温度制御も困難となる。

【００３４】以上、対比して説明したように、ランプ２
１からの光の有効波長帯は基板９の基礎吸収端波長（図
４に示すＳiの場合は約１．１μｍ、Ｇe（ゲルマニウ
ム）の場合は図１０に示すように約２μｍ）以下となっ
ているので、ランプ２１からの光はハロゲンランプに比
べて効率よく基板９に吸収される。すなわち、ランプ２
１に与えられた電力を高効率で基板９の加熱に利用する
ことができる。その結果、基板処理装置１に供給すべき
電力を低く抑えることができる。特に、近年の基板の大
型化による基板処理装置への供給電力の増大という問題
を克服することが可能となる。また、９００Ｋ程度まで
の比較的低温における温度制御性も向上される。

【００３５】次に、ランプ２１の分光特性と石英との関
係について説明する。

【００３６】図１０に示すように石英は約５μｍ以下の
波長の光を透過する性質を有している。したがって、５
μｍよりも短い波長の光を有効波長帯とするランプ２１
の光は石英に吸収されることなく基板９に照射されるこ
ととなる。これにより、ランプ２１は石英チャンバ４１
を加熱せず、効率よく基板９を加熱することができる。

【００３７】一方、従来のハロゲンランプの場合、５μ
ｍよりも長い波長の光の成分を多く含むため、この光の
成分が石英チャンバ４１に吸収されて石英チャンバ４１
が加熱されてしまう。その結果、ハロゲンランプからの
光を効果的に基板の加熱に利用することができない。そ
の上、高温となった石英チャンバ４１からは放射光が放
出されるため、この放射光が放射温度計３１にノイズと
して取り込まれて正確な温度測定が困難となってしま
う。

【００３８】このようにハロゲンランプに代えて図３に
示す分光特性を有するランプ２１を用いることにより、
石英チャンバ４１を加熱することなく効率よく基板９を
加熱することができる。また、石英チャンバ４１の高温
化に起因する温度測定におけるノイズの発生を低減する
ことができる。

【００３９】さらに次に、ランプ２１の分光特性と放射
温度計３１との関係について説明する。

【００４０】図１に示す基板処理装置１では放射温度計
３１と基板９との間にランプ２１が存在する配置となっ
ており、ランプ２１の光の一部が窓材３２を介して放射
温度計３１に入射する。このときのランプ２１からの光
とＳiからの放射光との分光特性を図５に示す。ここ
で、放射温度計３１に熱電対を利用したサーモパイル放
射温度計を用いる場合、基板９の温度を測定するために
従来から利用されている基板９からの放射光の波長帯は
約５〜１０μｍ（符号Ｂ１にて示す。従来の測定方法の
一例については後述）であり、フォトセルを利用する放
射温度計を用いる場合は約０．８〜１μｍの波長帯（符
号Ｂ２にて示す。）である。なお、以下の説明において
温度測定に利用されるこれらの波長帯を測定波長帯と呼
ぶ。一方、ランプ２１の有効波長帯は０．４〜０．７μ
ｍであるので放射温度計３１に対してノイズ成分として
作用することはない。

【００４１】これに対し、従来のハロゲンランプの分光
特性は「数１」にて示すプランクの式にほぼ従い、また
Ｓiからの放射光もプランクの式にほぼ従うので、図６
に示すようにハロゲンランプからの光の分光曲線がＳi
からの放射光の分光曲線を包含する状態となっている。
したがって、ハロゲンランプの光が放射温度計３１に入
射する状態では基板９の適正な温度測定が不可能となっ
てしまう。

【００４２】以上のように、ランプ２１の有効波長帯は
放射温度計の測定波長帯外となっているので温度測定に
影響を与えることはなく、熱処理中の基板９の温度測定
を正確に行うことができる。また、これにより図２に示
した構成による基板９の加熱制御も的確に行うことが実
現される。

【００４３】図７はこの発明に係る第２の実施の形態で
ある基板処理装置１ａの構成を示す縦断面図である。

【００４４】この基板処理装置１ａは図１に示す基板処
理装置１と同様、基板９にランプ２１から光を照射して
加熱を伴う処理を行う装置であるが、基板９の片面（上
面）側からのみランプ２１からの光が照射されるという
点で異なっている。なお、図７において図１と同様の構
成要素については同様の符号を付している。

【００４５】基板処理装置１ａでは、処理対象である基
板９は支持台５２上の均熱リング５１上に載置されて処
理されるようになっている。ただし、支持台５２は基板
処理装置１ａの外郭の一部を形成するチャンバ本体７に
固定されており、基板９はチャンバ本体７に形成されて
いる搬出入口７３からロボットハンドにより搬送されて
均熱リング５１上に載置されるようになっている。

【００４６】チャンバ本体７は上部が開口しており、こ
の開口を塞ぐようにして石英窓４３が配置されている。
すなわち、チャンバ本体７および石英窓４３により基板
９が処理される空間であるチャンバが形成されている。

【００４７】石英窓４３のさらに上方には第１の実施の
形態と同様の図３に示した分光特性を有するランプ２１
が配置されており、これらのランプ２１を覆うようにラ
ンプハウス６が配置されている。すなわち、基板９は石
英窓４３によりランプ２１から隔離されている。このよ
うな構成により、ランプ２１からの光が石英窓４３を介
して基板９の上面に照射されて基板９の加熱が行われる
ようになっている。なお、基板９の加熱処理中にガス供
給口７２から所要の処理ガスなどがチャンバ内に供給さ
れるのは第１の実施の形態と同様である。

【００４８】また、ランプ２１からの光がランプハウス
６に吸収されないようにランプハウス６の内面は鏡面加
工されており、さらに、ランプハウス６やチャンバ本体
７を冷却するためにこれらの内部には冷却水路６２、７
１が形成されている。

【００４９】この基板処理装置１ａにおいてもランプハ
ウス６やチャンバ本体７には放射温度計３１が配置され
ており、基板９の上面および下面の温度を窓材３２を介
して非接触にて測定できるようになっている。なお、基
板処理装置１ａでは基板９を上面からのみ加熱するので
チャンバ本体７には複数の放射温度計３１を配置するこ
とができ（図７では２つの放射温度計のみを示す）、基
板９の温度分布が測定できるようになっている。

【００５０】図８は基板処理装置１ａのランプ２１の点
灯制御に関する制御系を示すブロック図であり、ランプ
２１および放射温度計３１の電気的接続関係を示してい
る。基板処理装置１ａでは、第１の実施の形態と同様、
放射温度計３１からの信号を受けた温度調節器３３が電
力調節器２２に制御信号を送り、電力調節器２２が電源
８からの電力を各ランプ２１に供給する構成となってい
る。なお、既述の通り基板処理装置１ａでは基板９の温
度分布を測定することができるので、測定結果に基づい
て基板９の温度分布についても制御されるようになって
いる。

【００５１】基板処理装置１ａでは第１の実施の形態と
同様に図３に示す分光特性を有するランプ２１を利用し
ているので、基板９の効率的な加熱、石英窓４３の高温
化の防止、および温度測定におけるノイズの低減を図る
ことができる。

【００５２】すなわち、ランプ２１の有効波長帯はＳi
にて形成されている基板９の基礎吸収端波長以下の波長
帯であるので、ランプ２１からの光は効率よく基板９に
吸収される。その結果、基板９の加熱に用いられる電力
の低減を図ることができる。

【００５３】また、ランプ２１の有効波長帯は石英の透
過波長領域（約５μｍ以下）に含まれるので、ランプ２
１からの光が吸収されて石英窓４３が高温となることは
なく、エネルギーの浪費や石英窓４３からの放射光によ
るノイズの発生を低減することができる。

【００５４】ところで、ハロゲンランプを用いて基板９
を片面から加熱する場合、従来よりＣaＦ₂の窓材３２を
介して基板９の他方の面から温度測定を行うという手法
が用いられている。石英は図１０に示すように約５μｍ
よりも長い波長の光を透過しないので５μｍよりも長い
波長の光を温度測定に利用することでハロゲンランプ自
身からの光の影響を防止することができる。また、Ｃa
Ｆ₂は約１０μｍの波長までの光を透過する性質を有す
る。この関係の概略を図６に示す。以上のことより、ハ
ロゲンランプを石英窓４３にてチャンバから隔離し、Ｃ
aＦ₂の窓材３２で放射温度計３１をチャンバから隔離し
た上で約５〜１０μｍの波長帯の基板９からの放射光を
温度測定に利用することが可能となる。図６中符号Ｂ１
にて示す波長帯が従来の温度測定に利用される波長帯で
ある。

【００５５】５〜１０μｍの測定波長帯の放射光を利用
する場合には放射温度計３１として熱電対を利用したサ
ーモパイル放射温度計が用いられる。ところが、使用前
に設定すべきこの測定波長帯の放射率は基板９の表面状
態や基板９の温度変化により大きく変化してしまうパラ
メータであり、急峻で大きな温度変化を伴う加熱処理に
おいては正確な温度測定を行うことが困難となる。

【００５６】一方、図３に示す分光特性を有するランプ
２１を用いる場合はランプ光の有効波長帯が約０．４〜
０．７μｍであり、フォトセルを利用した放射温度計の
温度測定に利用する測定波長帯が約０．８〜１μｍであ
ることから、ランプ光の有効波長帯は測定波長帯外とな
り、ランプ２１の光が放射温度計３１に入射してしまう
ことを全く考慮することなくこの放射温度計を用いるこ
とができる（図５、符号Ｂ２参照）。この点、第１の実
施の形態にて説明した通りである。

【００５７】このフォトセルを利用した放射温度計を用
いる場合、測定波長帯が約０．８〜１μｍであり、この
波長帯では設定すべき放射率が変化しにくい上に、Ｓi
からの放射光の光量も十分な量となる。したがって、煩
雑な放射率の設定を行うことなく正確な温度測定が可能
となる。その結果、ハロゲンランプを用いる基板処理装
置において放射率の変化が問題となる場合においてもフ
ォトセルを利用した放射温度計を用いることにより、こ
の発明に係る基板処理装置１ａでは容易に正確な温度測
定を行うことができる。

【００５８】以上、この発明に係る実施の形態について
説明してきたが、この発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく様々な変形が可能である。

【００５９】例えば、上記実施の形態ではＳiにより形
成される半導体基板について主として説明してきたが、
Ｇeにより形成される半導体基板であって同様である。
図１０に示すようにＧeの基礎吸収端波長は約２μｍで
あるので、ランプ２１の有効波長帯が２μｍ以下である
限りＧe基板を効率的に加熱することができる。

【００６０】また、図３に示したランプ２１の分光曲線
は実用化されているランプの分光曲線の一例であり、他
の分光特性を有するランプであっても基板の基礎吸収端
波長以下の波長帯である限りにおいて効率的な加熱が可
能である。また、石英の透過波長領域に含まれる有効波
長帯である限り、石英の加熱防止が実現され、放射温度
計の測定波長帯外の有効波長帯である限り、ノイズの低
減を図ることができる。

【００６１】

【発明の効果】請求項１および２記載の発明では、ラン
プの有効波長帯が基板の基礎吸収端波長以下であるの
で、ランプからの光を基板に効率的に吸収させることが
でき、基板の加熱効率を高めることができる。その結
果、基板処理装置に供給すべき電力の低減を図ることが
できる。

【００６２】請求項３記載の発明では、ランプの有効波
長帯が石英部材の透過波長領域に含まれるので、基板に
加熱を伴う処理を施している間に石英部材が高温となる
ことはない。これにより効率的な基板の加熱が可能とな
る。また、基板の温度を測定する場合においては、高温
となった石英部材からのノイズの発生を防止することが
できる。

【００６３】請求項４および５記載の発明では、ランプ
の有効波長帯が測定波長帯外であるので、ランプからの
光が基板の温度測定においてノイズとなることはない。
これにより、基板の正確な温度測定が実現される。

【００６４】さらに請求項５記載の発明では、フォトセ
ルを利用した放射温度計を用いて基板の温度を測定する
ので、正確な温度測定を容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る第１の実施の形態である基板処
理装置の縦断面図である。

【図２】図１に示す基板処理装置の制御系を示すブロッ
ク図である。

【図３】図１に示す基板処理装置に用いられるランプの
分光特性を示す図である。

【図４】Ｓiの基礎吸収端波長を示す図である。

【図５】図１に示す基板処理装置に用いられるランプと
Ｓiとの分光曲線を示す図である。

【図６】ハロゲンランプとＳiとの分光曲線を示す図で
ある。

【図７】この発明に係る第２の実施の形態である基板処
理装置の縦断面図である。

【図８】図７に示す基板処理装置の制御系を示すブロッ
ク図である。

【図９】プランクの式に従う分光放射強度を示す図であ
る。

【図１０】Ｓi、Ｇe、石英、ＣaＦ₂の波長に対する透過
率を示す図である。

【図１１】ハロゲンランプからの光がＳiの加熱に利用
される効率を示す図である。

【符号の説明】

１、１ａ基板処理装置９基板２１ランプ３１放射温度計４１石英チャンバ４３石英窓Ａ基礎吸収端波長Ｂ１、Ｂ２測定波長帯

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に加熱を伴う処理を施す基板処理装
置であって、基板の基礎吸収端波長以下の有効波長帯を有する光を基
板に照射することにより基板を加熱するランプ、を備え
ることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置であって、前記基板がシリコン基板であり、前記ランプが約１．１
μｍ以下の有効波長帯を有する光を照射することを特徴
とする基板処理装置。
【請求項３】基板に加熱を伴う処理を施す基板処理装
置であって、光を基板に照射することにより基板を加熱するランプ
と、基板と前記ランプとを隔離させる石英部材と、を備え、
前記ランプから照射される光は、前記石英部材の透過波
長領域に含まれる有効波長帯を有する光であることを特
徴とする基板処理装置。
【請求項４】基板に加熱を伴う処理を施す基板処理装
置であって、基板からの放射光を受光することにより基板の温度を非
接触にて測定する温度測定手段と、前記温度測定手段の測定波長帯外の有効波長帯を有する
光を基板に照射することにより基板を加熱するランプ
と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項４記載の基板処理装置であって、前記温度測定手段がフォトセルを利用した放射温度計で
あることを特徴とする基板処理装置。