JPH1167801A - 基板用モールド金型 - Google Patents
基板用モールド金型Info
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
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- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 18
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
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-
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板をモールド金型によりクランプしても、
基板面に歪みやクラックの発生を防止して歩留りを向上
させた基板用モールド金型を提供する。 【解決手段】 モールド金型１のキャビティ２を形成す
る第１テーパー面６と該第１テーパー面６に連続して基
板４をクランプするクランプ面７との境界部に、前記キ
ャビティ２の容積が周縁部に拡大するようなキャビティ
拡大空間部８を形成した。
基板面に歪みやクラックの発生を防止して歩留りを向上
させた基板用モールド金型を提供する。 【解決手段】 モールド金型１のキャビティ２を形成す
る第１テーパー面６と該第１テーパー面６に連続して基
板４をクランプするクランプ面７との境界部に、前記キ
ャビティ２の容積が周縁部に拡大するようなキャビティ
拡大空間部８を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止装置に装
備され、半導体素子が搭載された基板をクランプして前
記半導体素子を樹脂モールドする基板用モールド金型に
関する。
備され、半導体素子が搭載された基板をクランプして前
記半導体素子を樹脂モールドする基板用モールド金型に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子が搭載されたＢＧＡ
（Ｂａｌｌ・Ｇｒｉｄ・Ａｒｒａｙ）基板をクランプし
て前記半導体素子を樹脂モールドする基板用モールド金
型は、例えば図４に示すうように、半導体素子を樹脂封
止する際に、基板５１表面のレジスト被膜５２を施され
た部位を上下金型５３，５４によりクランプして、キャ
ビティ５５内に樹脂を圧送して該キャビティ５５内に収
容された半導体素子を樹脂封止していた。上記ＢＧＡ基
板５１表面のレジスト被膜５２は、厚さ３５μｍ程度の
非常に薄い被膜であるが弾力性があるため、上型５３の
締結荷重により変形して一端窪みを生ずるが、型開きし
て上記上型５３が離間すると変形が元に戻る。
（Ｂａｌｌ・Ｇｒｉｄ・Ａｒｒａｙ）基板をクランプし
て前記半導体素子を樹脂モールドする基板用モールド金
型は、例えば図４に示すうように、半導体素子を樹脂封
止する際に、基板５１表面のレジスト被膜５２を施され
た部位を上下金型５３，５４によりクランプして、キャ
ビティ５５内に樹脂を圧送して該キャビティ５５内に収
容された半導体素子を樹脂封止していた。上記ＢＧＡ基
板５１表面のレジスト被膜５２は、厚さ３５μｍ程度の
非常に薄い被膜であるが弾力性があるため、上型５３の
締結荷重により変形して一端窪みを生ずるが、型開きし
て上記上型５３が離間すると変形が元に戻る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上型５
３のキャビティ５５を形成するテーパー面５６とクラン
プ面５７との境界部５８は、鋭利なコーナー部となって
いるため、図５に示すように、上下金型５３，５４をク
ランプした時に上記境界部５８のエッジ部に応力集中が
生じてレジスト被膜５２に歪みが生じて基板５１内部に
クラック（亀裂，ひび）が生ずるおそれがあり、歩留り
が低下する。特に樹脂注入時に樹脂圧により上型５３が
浮き上がるため、上記上型５３に加える締結荷重を徐々
に増やすこともクラックを増長させる要因となる。これ
に対して、上型５３の締結荷重を軽くすると、図６に示
すように樹脂圧によりＢＧＡ基板５１表面のレジスト被
膜５２の変形部分やクラックより樹脂漏れによるバリが
生じて、外観上不都合であり、後処理が必要になる。ま
た、上記ＢＧＡ基板５１のレジスト被膜５２の厚さを更
に厚くするとすれば、該基板５１の製造工程が増えて製
造コストが上昇する。
３のキャビティ５５を形成するテーパー面５６とクラン
プ面５７との境界部５８は、鋭利なコーナー部となって
いるため、図５に示すように、上下金型５３，５４をク
ランプした時に上記境界部５８のエッジ部に応力集中が
生じてレジスト被膜５２に歪みが生じて基板５１内部に
クラック（亀裂，ひび）が生ずるおそれがあり、歩留り
が低下する。特に樹脂注入時に樹脂圧により上型５３が
浮き上がるため、上記上型５３に加える締結荷重を徐々
に増やすこともクラックを増長させる要因となる。これ
に対して、上型５３の締結荷重を軽くすると、図６に示
すように樹脂圧によりＢＧＡ基板５１表面のレジスト被
膜５２の変形部分やクラックより樹脂漏れによるバリが
生じて、外観上不都合であり、後処理が必要になる。ま
た、上記ＢＧＡ基板５１のレジスト被膜５２の厚さを更
に厚くするとすれば、該基板５１の製造工程が増えて製
造コストが上昇する。
【０００４】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、基板をモールド金型によりクランプしても、基板
面に歪みやクラックの発生を防止して歩留りを向上させ
た基板用モールド金型を提供することにある。
決し、基板をモールド金型によりクランプしても、基板
面に歪みやクラックの発生を防止して歩留りを向上させ
た基板用モールド金型を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子が搭
載された基板をクランプして前記半導体素子を樹脂モー
ルドする基板用モールド金型において、前記モールド金
型のキャビティを形成する第１テーパー面と該第１テー
パー面に連続して前記基板をクランプするクランプ面と
の境界部に、前記キャビティの容積が周縁部に拡大する
ようなキャビティ拡大空間部を形成したことを特徴とす
る。
するため次の構成を備える。すなわち、半導体素子が搭
載された基板をクランプして前記半導体素子を樹脂モー
ルドする基板用モールド金型において、前記モールド金
型のキャビティを形成する第１テーパー面と該第１テー
パー面に連続して前記基板をクランプするクランプ面と
の境界部に、前記キャビティの容積が周縁部に拡大する
ようなキャビティ拡大空間部を形成したことを特徴とす
る。
【０００６】前記キャビティ拡大空間部は、前記第１テ
ーパー面と前記クランプ面との境界部に前記第１テーパ
ー面と傾斜が異なる第２テーパー面が形成されていても
良い。この場合、前記第２テーパー面は、基板面に対す
る投影幅が０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ幅で形成され、クラ
ンプ面に対して１０°〜１５°程度の傾斜角に形成され
ていることが好ましい。また、前記キャビティ拡大空間
部は、前記第１テーパー面と前記クランプ面との境界部
にＲ面が形成されていても良い。
ーパー面と前記クランプ面との境界部に前記第１テーパ
ー面と傾斜が異なる第２テーパー面が形成されていても
良い。この場合、前記第２テーパー面は、基板面に対す
る投影幅が０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ幅で形成され、クラ
ンプ面に対して１０°〜１５°程度の傾斜角に形成され
ていることが好ましい。また、前記キャビティ拡大空間
部は、前記第１テーパー面と前記クランプ面との境界部
にＲ面が形成されていても良い。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
つき添付図面に基づいて説明する。図１はモールド金型
の基板面をクランプした状態を示す部分説明図、図２は
キャビティに形成された第２テーパー面の幅と傾斜角を
示す部分説明図、図３は樹脂封止された成形品を搭載し
た基板を示す部分断面図である。
つき添付図面に基づいて説明する。図１はモールド金型
の基板面をクランプした状態を示す部分説明図、図２は
キャビティに形成された第２テーパー面の幅と傾斜角を
示す部分説明図、図３は樹脂封止された成形品を搭載し
た基板を示す部分断面図である。
【０００８】先ず、図１を参照して基板用モールド金型
の概略構成について説明する。本実施例では、上型駆動
による基板用モールド金型について説明するものとし、
図示しない駆動源より電動或いは油圧などにより上型側
が上下動可能に構成されている。
の概略構成について説明する。本実施例では、上型駆動
による基板用モールド金型について説明するものとし、
図示しない駆動源より電動或いは油圧などにより上型側
が上下動可能に構成されている。
【０００９】１は基板用モールド金型であり、キャビテ
ィ２が形成された上型３及びＢＧＡ基板、テープ基板等
の基板４を搭載する下型５を装備している。上記下型５
に半導体素子が搭載された基板４を載置して、上型３を
下動させてキャビティ２内に収容して基板４をクランプ
し、図示しないポットより樹脂を圧送してキャビティ２
内に充填して樹脂モールドを行う。上記上型３の締結荷
重は例えば２３０ｋｇ／ｃｍ2 程度であり、樹脂圧は７
０ｋｇ／ｃｍ2 程度で送り込み、キャビティ２内の最終
樹脂圧は１７０ｋｇ／ｃｍ 2 程度まで上昇する。
ィ２が形成された上型３及びＢＧＡ基板、テープ基板等
の基板４を搭載する下型５を装備している。上記下型５
に半導体素子が搭載された基板４を載置して、上型３を
下動させてキャビティ２内に収容して基板４をクランプ
し、図示しないポットより樹脂を圧送してキャビティ２
内に充填して樹脂モールドを行う。上記上型３の締結荷
重は例えば２３０ｋｇ／ｃｍ2 程度であり、樹脂圧は７
０ｋｇ／ｃｍ2 程度で送り込み、キャビティ２内の最終
樹脂圧は１７０ｋｇ／ｃｍ 2 程度まで上昇する。
【００１０】上記モールド金型１のうち、上型３のキャ
ビティ２を形成する第１テーパー面６と該第１テーパー
面６に連続して前記基板４をクランプするクランプ面７
との境界部には、前記第１テーパー面６の延長面と前記
クランプ面７の延長面が交わって形成されるコーナー部
より上型３側へ退避させて上記キャビティ２の容積が周
縁部に拡大するようなキャビティ拡大空間部８が形成さ
れている。具体的には、図２において、キャビティ拡大
空間部８は、前記第１テーパー面６と前記クランプ面７
との境界部に前記第１テーパー面６と傾斜が異なる第２
テーパー面９を形成してなる。この第２テーパー面９
は、基板４面に対する投影幅ｔが０．１ｍｍ〜０．３ｍ
ｍ幅で形成され、クランプ面７に対する傾斜角θが１０
°〜１５°程度に形成されるのが望ましい。
ビティ２を形成する第１テーパー面６と該第１テーパー
面６に連続して前記基板４をクランプするクランプ面７
との境界部には、前記第１テーパー面６の延長面と前記
クランプ面７の延長面が交わって形成されるコーナー部
より上型３側へ退避させて上記キャビティ２の容積が周
縁部に拡大するようなキャビティ拡大空間部８が形成さ
れている。具体的には、図２において、キャビティ拡大
空間部８は、前記第１テーパー面６と前記クランプ面７
との境界部に前記第１テーパー面６と傾斜が異なる第２
テーパー面９を形成してなる。この第２テーパー面９
は、基板４面に対する投影幅ｔが０．１ｍｍ〜０．３ｍ
ｍ幅で形成され、クランプ面７に対する傾斜角θが１０
°〜１５°程度に形成されるのが望ましい。
【００１１】上記モールド金型１を用いて基板４を樹脂
モールドした状態を図３に示す。キャビティ２内に充填
された樹脂は、キャビティ拡大空間部８にも充填され
て、成形品１０の周囲に一体にテーパー面状に形成され
る。上記基板４は、モールド金型１にクランプされて
も、上記第１テーパ面６とクランプ面７との境界部に鋭
利なコーナー部が形成されていないため、応力集中が無
くなり、上記基板４のレジスト被膜４ａに歪みやクラッ
クが生ずることがない。また、上記キャビティ拡大空間
部８に樹脂が充填されて成形される部位は、成形品の周
囲にテーパー面状に形成されるので、製品の外観を損な
うこともない。よって、不良品の発生率が従来の３０％
程度からほぼ０％にすることができるので、製品の歩留
りが向上する。
モールドした状態を図３に示す。キャビティ２内に充填
された樹脂は、キャビティ拡大空間部８にも充填され
て、成形品１０の周囲に一体にテーパー面状に形成され
る。上記基板４は、モールド金型１にクランプされて
も、上記第１テーパ面６とクランプ面７との境界部に鋭
利なコーナー部が形成されていないため、応力集中が無
くなり、上記基板４のレジスト被膜４ａに歪みやクラッ
クが生ずることがない。また、上記キャビティ拡大空間
部８に樹脂が充填されて成形される部位は、成形品の周
囲にテーパー面状に形成されるので、製品の外観を損な
うこともない。よって、不良品の発生率が従来の３０％
程度からほぼ０％にすることができるので、製品の歩留
りが向上する。
【００１２】また、上記第１テーパー面６と上記クラン
プ面７との境界部に第２テーパー面９を形成する代わり
に、Ｒ面を形成して上記キャビティ拡大空間部８を形成
しても良い。
プ面７との境界部に第２テーパー面９を形成する代わり
に、Ｒ面を形成して上記キャビティ拡大空間部８を形成
しても良い。
【００１３】尚、本発明は上記実施の態様に限定される
ものではなく、例えば基板４として用いられるのはＢＧ
Ａ基板の他に、ガラスエポキシ樹脂基板やポリイミドテ
ープ等のテープ基板など種々の基板に適用可能であるな
ど、発明の精神を逸脱しない範囲で種々の改変が可能で
あることはいうまでもない。
ものではなく、例えば基板４として用いられるのはＢＧ
Ａ基板の他に、ガラスエポキシ樹脂基板やポリイミドテ
ープ等のテープ基板など種々の基板に適用可能であるな
ど、発明の精神を逸脱しない範囲で種々の改変が可能で
あることはいうまでもない。
【００１４】
【発明の効果】本発明は前述したように、モールド金型
のキャビティを形成する第１テーパー面と該第１テーパ
ー面に連続して前記基板をクランプするクランプ面との
境界部に、前記キャビティの容積が周縁部に拡大するよ
うなキャビティ拡大空間部を形成したので、前記モール
ド金型に基板をクランプしても、上記第１テーパ面とク
ランプ面との境界部に鋭利なコーナー部が形成されてい
ないため、応力集中が無くなり、前記基板のレジスト表
面に歪みやクラックが生ずることがない。また、前記キ
ャビティ拡大空間部に樹脂が充填されて成形される部位
は、成形品の周囲にテーパー面状に形成されるので、製
品の外観を損なうこともない。よって、不良品の発生率
をほぼ零にすることができるので、製品の歩留りが向上
する。
のキャビティを形成する第１テーパー面と該第１テーパ
ー面に連続して前記基板をクランプするクランプ面との
境界部に、前記キャビティの容積が周縁部に拡大するよ
うなキャビティ拡大空間部を形成したので、前記モール
ド金型に基板をクランプしても、上記第１テーパ面とク
ランプ面との境界部に鋭利なコーナー部が形成されてい
ないため、応力集中が無くなり、前記基板のレジスト表
面に歪みやクラックが生ずることがない。また、前記キ
ャビティ拡大空間部に樹脂が充填されて成形される部位
は、成形品の周囲にテーパー面状に形成されるので、製
品の外観を損なうこともない。よって、不良品の発生率
をほぼ零にすることができるので、製品の歩留りが向上
する。
【図１】モールド金型の基板面をクランプした状態を示
す部分説明図である。
す部分説明図である。
【図２】キャビティに形成された第２テーパー面の幅と
傾斜角を示す部分説明図である。
傾斜角を示す部分説明図である。
【図３】樹脂封止された成形品を搭載する基板を示す部
分断面図である。
分断面図である。
【図４】従来の基板用モールド金型を示す部分説明図で
ある。
ある。
【図５】従来の基板用モールド金型の課題を示す説明図
である。
である。
【図６】従来の基板用モールド金型の課題を示す説明図
である。
である。
１ モールド金型 ２ キャビティ ３ 上型 ４ 基板 ４ａ レジスト被膜 ５ 下型 ６ 第１テーパー面 ７ クランプ面 ８ キャビティ拡大空間部 ９ 第２テーパー面 １０ 成形品
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体素子が搭載された基板をクランプ
して前記半導体素子を樹脂モールドする基板用モールド
金型において、 前記モールド金型のキャビティを形成する第１テーパー
面と該第１テーパー面に連続して前記基板をクランプす
るクランプ面との境界部に、前記キャビティの容積が周
縁部に拡大するようなキャビティ拡大空間部を形成した
ことを特徴とする基板用モールド金型。 - 【請求項２】 前記キャビティ拡大空間部は、前記第１
テーパー面と前記クランプ面との境界部に前記第１テー
パー面と傾斜が異なる第２テーパー面を形成してなるこ
とを特徴とする請求項１記載の基板用モールド金型。 - 【請求項３】 前記第２テーパー面は、基板面に対する
投影幅が０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ幅で形成され、クラン
プ面に対して１０°〜１５°程度の傾斜角に形成されて
いることを特徴とする請求項２記載の基板用モールド金
型。 - 【請求項４】 前記キャビティ拡大空間部は、前記第１
テーパー面と前記クランプ面との境界部にＲ面を形成し
てなることを特徴とする請求項１記載の基板用モールド
金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21743897A JP3332814B2 (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | 基板用モールド金型及び成形された基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21743897A JP3332814B2 (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | 基板用モールド金型及び成形された基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167801A true JPH1167801A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3332814B2 JP3332814B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=16704240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21743897A Expired - Fee Related JP3332814B2 (ja) | 1997-08-12 | 1997-08-12 | 基板用モールド金型及び成形された基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3332814B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015138907A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
| WO2016067534A1 (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-06 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
| JP2016092398A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | 株式会社デンソー | 電子装置 |
-
1997
- 1997-08-12 JP JP21743897A patent/JP3332814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015138907A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
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