JPH1168233A - Variable wavelength laser light source - Google Patents

Variable wavelength laser light source

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JPH1168233A
JPH1168233A JP22999397A JP22999397A JPH1168233A JP H1168233 A JPH1168233 A JP H1168233A JP 22999397 A JP22999397 A JP 22999397A JP 22999397 A JP22999397 A JP 22999397A JP H1168233 A JPH1168233 A JP H1168233A
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JP
Japan
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light
optical
laser diode
variable
semiconductor laser
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JP22999397A
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Japanese (ja)
Inventor
Keisuke Asami
圭助 浅見
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify optical adjustment and constitution by eliminating the need for an optical system on one end face side of a semiconductor laser diode. SOLUTION: This light source is provided with a semiconductor laser diode 1 for which a non-reflective film 1A is applied to one end face and the other end face is turned to a cleavage surface or a high reflection film 1B, provided with reflectance higher than its reflectance is executed to it and an optical variable band-pass filter 4 for transmitting the light of a specified wavelength among the wavelength components of the emitted light. A partially reflecting film 6A for constituting an external resonator by the cleavage surface or the high reflection film 1B of the semiconductor laser diode 1 ix executed to the incident end face of an optical fiber 6 and the light which is made incident on the partially reflecting film 6A is passed through an optical fiber 6 and taken out from an output port 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光通信などで用
いられる可変波長レーザ光源に関し、特に波長選択手段
として透過型光学素子である光可変バンドパスフィルタ
を用いた可変波長レーザ光源に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a variable wavelength laser light source used in optical communication and the like, and more particularly to a variable wavelength laser light source using a light variable bandpass filter which is a transmission type optical element as a wavelength selecting means.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザダイオード(ファブリペロ
ー)では、これの片端面に無反射膜を施し、波長選択性
のある素子を使用して半導体レーザダイオードに帰還を
かけることにより、もう一方の端面との間で外部共振器
を形成し、利得条件および位相条件が反射損失や散乱損
失等にうち勝った場合に、レーザ発振をすることが知ら
れている。また、このようにレーザ発振をする半導体レ
ーザダイオードから出射された出射光のうちの任意の波
長のレーザ光を選択して、半導体レーザダイオードに帰
還させることによって、可変波長レーザ光源として利用
可能になる。
2. Description of the Related Art In a semiconductor laser diode (Fabry-Perot), a non-reflection film is formed on one end face of the semiconductor laser diode, and the semiconductor laser diode is fed back using a wavelength-selective element, so that the other end face is formed. It is known that an external resonator is formed between the two, and laser oscillation occurs when the gain condition and the phase condition exceed the reflection loss, the scattering loss, and the like. In addition, by selecting a laser beam of an arbitrary wavelength from the emitted light emitted from the semiconductor laser diode that performs laser oscillation in this way, by feeding back the laser beam to the semiconductor laser diode, the laser beam can be used as a variable wavelength laser light source. .

【0003】図2および図3は、それぞれかかる従来の
可変波長レーザ光源の一例を示す構成図である。まず、
図2の従来例から説明すると、8aは半導体レーザダイ
オードで、この半導体レーザダイオード8aの一端面に
は低反射膜8bが施されており、半導体レーザダイオー
ド8aの他端面には無反射膜8cが施されている。ま
た、9bは半導体レーザダイオード8aから出射した光
を平行光に変換するレンズ、12はレンズ9bの前方に
配置された光可変バンドパスフィルタ、13はこの光可
変バンドパルスフィルタ12の前方に配置された全反射
ミラー13である。そして、この全反射ミラー13と低
反射膜8bとにより外部共振器が構成されている。ま
た、9aは半導体レーザダイオード8aの低反射膜8b
の後方に配置されたレンズ、10はレンズ9aを透過し
たレーザ光を伝達する光ファイバで、このレーザ光は光
ファイバ10を伝たわり、出力ポート11から出力され
る構成となっている。
FIGS. 2 and 3 are configuration diagrams showing examples of such a conventional variable wavelength laser light source, respectively. First,
2, the semiconductor laser diode 8a is provided with a low-reflection film 8b on one end surface of the semiconductor laser diode 8a, and a non-reflection film 8c on the other end surface of the semiconductor laser diode 8a. It has been subjected. Reference numeral 9b denotes a lens for converting light emitted from the semiconductor laser diode 8a into parallel light, reference numeral 12 denotes an optical variable band-pass filter disposed in front of the lens 9b, and reference numeral 13 denotes an optical variable band-pass filter disposed in front of the optical variable band pulse filter 12. Total reflection mirror 13. An external resonator is formed by the total reflection mirror 13 and the low reflection film 8b. 9a is a low reflection film 8b of the semiconductor laser diode 8a.
Is an optical fiber for transmitting laser light transmitted through the lens 9a, and the laser light is transmitted through the optical fiber 10 and output from the output port 11.

【0004】次に、動作について説明する。半導体レー
ザダイオード8aからレーザ光が出射されると、この光
はレンズ9bにより平行光に変換され、さらに、光可変
バンドパスフィルタ12を通して特定の波長の光を透過
する。そして、この透過光が全反射ミラー13により反
射されると、この光は向きを180°変えて進行し、再
度光可変バンドパスフィルタ12およびレンズ9bを通
過して、半導体レーザダイオード8aに入射される。こ
のようにして半導体レーザダイオード8aに入射した光
は、数%の反射率を持つ低反射膜8b面で反射され、再
度半導体レーザダイオード8aに戻される。このため、
低反射膜8bと全反射ミラー13とにより外部共振器が
形成されることで、レーザ発振が行われる。
Next, the operation will be described. When laser light is emitted from the semiconductor laser diode 8a, this light is converted into parallel light by the lens 9b, and further, light of a specific wavelength is transmitted through the variable optical bandpass filter 12. When the transmitted light is reflected by the total reflection mirror 13, the light changes its direction by 180 °, travels, passes through the variable optical bandpass filter 12 and the lens 9b again, and enters the semiconductor laser diode 8a. You. The light that has entered the semiconductor laser diode 8a in this way is reflected by the surface of the low reflection film 8b having a reflectance of several percent, and is returned to the semiconductor laser diode 8a again. For this reason,
By forming an external resonator by the low reflection film 8b and the total reflection mirror 13, laser oscillation is performed.

【0005】このレーザ発振により発生した光は、レン
ズ9aを介して光ファイバ10を伝搬し、出力ポート1
1から出力される。このような光出力動作中において
は、光可変バンドパスフィルタ12の透過波長を可変す
ることにより、可変波長レーザ光源とすることができ
る。
The light generated by this laser oscillation propagates through the optical fiber 10 via the lens 9a,
1 is output. During such a light output operation, a variable wavelength laser light source can be obtained by changing the transmission wavelength of the variable optical bandpass filter 12.

【0006】一方、図3に示す可変波長レーザ光源は、
図2の可変波長レーザ光源を構成する可変バンドパスフ
ィルタ12および全反射ミラー13を削除し、代わりに
回折格子14を用いている。その他の構成は図2と同様
であるので、図2と同一の構成部分には同一符号を付し
て、その重複説明を省略する。この図3に示す従来の可
変波長レーザ光源では、レンズ9bで平行光に変換され
た光は回折格子14に入射され、回折格子14で回折光
を利用して波長選択された光が、再度レンズ9bを通し
て半導体レーザダイオード8aに入射され、以下、図2
の場合と同様にして、回析格子14および低反射膜8b
から外部共振器が形成されて、レンズ9aを透過した後
に、光ファイバ10を伝搬して出力ポート11から出力
される。
On the other hand, the variable wavelength laser light source shown in FIG.
The variable bandpass filter 12 and the total reflection mirror 13 constituting the variable wavelength laser light source of FIG. 2 are omitted, and a diffraction grating 14 is used instead. The other configuration is the same as that of FIG. 2, and the same components as those of FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated. In the conventional variable wavelength laser light source shown in FIG. 3, the light converted into parallel light by the lens 9b is incident on the diffraction grating 14, and the light whose wavelength has been selected by the diffraction grating 14 using the diffracted light is again converted into a lens. 9b, and is incident on the semiconductor laser diode 8a.
In the same manner as described above, the diffraction grating 14 and the low reflection film 8b
An external resonator is formed, and after transmitting through the lens 9a, propagates through the optical fiber 10 and is output from the output port 11.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来のいずれの可変波長レーザ光源にあっても、半導体
レーザダイオード8aの片方の端面からの出射光を全反
射ミラー13または回析格子14で光帰還させ、もう片
方の端面からの出射光を出力光として取り出すため、半
導体レーザダイオード8aの両側での光軸合わせなどの
光学調整が必要となり、構造が複雑化するほか、平行光
を全反射ミラー13または回析格子14で光帰還させて
いるため、これらの僅かな角度変化でも光帰還量が変動
してしまい、光学部品の配置には高度な光軸調整技術
と、信頼性を高めるための高度な固定技術が必要とな
り、これが生産面での大きな障害となっていた。
However, in any of the conventional variable wavelength laser light sources, the light emitted from one end face of the semiconductor laser diode 8a is fed back by the total reflection mirror 13 or the diffraction grating 14. Then, in order to take out the light emitted from the other end face as output light, optical adjustment such as optical axis alignment on both sides of the semiconductor laser diode 8a is required, and the structure becomes complicated. Alternatively, since the light is fed back by the diffraction grating 14, the light feedback amount fluctuates even with a slight change in the angle, and the arrangement of the optical components requires advanced optical axis adjustment technology and advanced technology for improving reliability. This required a great deal of fixing technology, which was a major obstacle to production.

【0008】この発明は前記のような従来の課題を解決
するものであり、半導体レーザダイオードの一端面側の
光学系を不要にすることで、光学調整および構成の簡素
化を実現でき、さらに光ファイバに集光される光の一部
を帰還させるという構成とすることで、入射角度に対す
る帰還量の変化を緩くすることができ、しかも高度の光
軸調整や固定技術を要することなく生産性および経済性
を改善できる可変波長レーザ光源を得ることを目的とす
る。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems. By eliminating the need for an optical system on one end surface side of a semiconductor laser diode, optical adjustment and simplification of the configuration can be realized. By using a configuration in which a part of the light condensed on the fiber is fed back, the change in the amount of feedback with respect to the incident angle can be moderated, and productivity and productivity can be improved without the need for advanced optical axis adjustment and fixing techniques. It is an object of the present invention to obtain a tunable laser light source that can improve economy.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記目的達成のため、請
求項1の発明にかかる可変波長レーザ光源は、一端面に
は無反射膜が施され、他端面が劈開面とされまたはこれ
の反射率以上の反射率を持つ高反射膜が施された半導体
レーザダイオードと、該半導体レーザダイオードからの
出射光を平行光にする第1のレンズと、該第1のレンズ
からの出射光の波長成分のうち特定の波長の光を透過す
る光可変バンドパスフィルタと、該光可変バンドパスフ
ィルタからの透過光を光ファイバに入射結合する第2の
レンズとを設けて、中心軸に対して垂直となる光ファイ
バの入射端面に、前記半導体レーザダイオードの劈開面
または高反射膜とで外部共振器を構成する部分反射膜を
施し、該部分反射膜に入射された入射光を前記光ファイ
バを通して出力ポートから取り出すようにしたものであ
る。
In order to achieve the above object, a variable wavelength laser light source according to the present invention has an antireflection film on one end surface and a cleavage surface on the other end surface or a reflection surface thereof. Semiconductor laser diode provided with a highly reflective film having a reflectance equal to or higher than a reflectance, a first lens that converts light emitted from the semiconductor laser diode into parallel light, and a wavelength component of light emitted from the first lens Among them, an optical variable bandpass filter that transmits light of a specific wavelength, and a second lens that incidently couples the transmitted light from the optical variable bandpass filter to an optical fiber are provided. A partial reflection film that forms an external resonator with the cleavage surface of the semiconductor laser diode or the high reflection film is formed on the incident end face of the optical fiber, and the incident light incident on the partial reflection film is output through the optical fiber. One in which they were taken out from the door.

【0010】また、請求項2の発明にかかる可変波長レ
ーザ光源は、前記光可変バンドパルスフィルタを、レー
ザ光の入射角度を調整可能に設けたものである。
In the variable wavelength laser light source according to the second aspect of the present invention, the optical variable band pulse filter is provided so that the incident angle of the laser light can be adjusted.

【0011】また、請求項3の発明にかかる可変波長レ
ーザ光源は、前記劈開面側に、光出力モニタ用のホトダ
イオードを配置したものである。
In the variable wavelength laser light source according to the present invention, a photodiode for monitoring an optical output is disposed on the cleavage plane side.

【0012】また、請求項4の発明にかかる可変波長レ
ーザ光源は、前記光ファイバの入射端面と出力ポートと
の間に偏波無依存型光アイソレータを設けたものであ
る。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a variable wavelength laser light source, wherein a polarization independent optical isolator is provided between an input end face of the optical fiber and an output port.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
図面を参照して説明する。図1はこの発明の可変波長レ
ーザ光源を示す構成図であり、同図において、1は半導
体レーザダイオードで、この半導体レーザダイオード1
の一端面には反射率0.1%以下の無反射膜1Aが施さ
れている。また、半導体レーザダイオード1の他端面
は、劈開面(反射率は30%前後)とされたり、または
この劈開面の反射率以上の反射率となる高反射膜1Bが
施されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a variable wavelength laser light source according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser diode.
Is coated with an antireflection film 1A having a reflectance of 0.1% or less. The other end face of the semiconductor laser diode 1 is a cleavage plane (reflectance is around 30%) or a high reflection film 1B having a reflectance equal to or higher than the reflectance of the cleavage plane is applied.

【0014】さらに、3は第1のレンズとしてのレンズ
で、これが半導体レーザダイオード1から出射したレー
ザ光2を平行光にして、光可変バンドパスフィルタ4に
入射するように機能する。なお、この光可変バンドパス
フィルタ4には透過域半値幅が約0.5nmのものを使
用する。この光可変バンドパスフィルタ4は入射した光
のうち、全波長成分のうち特定の波長λaの光だけを透
過して、第2のレンズとしてのレンズ5によって光ファ
イバ6に結合するように機能する。この光ファイバ6の
入射端面は中心軸に対して垂直に研磨されており、端面
には入射した光の一部を反射する部分反射膜6Aが施さ
れている。また、7は出力光を取り出す出力ポートであ
る。
Reference numeral 3 denotes a lens serving as a first lens, which functions to convert the laser light 2 emitted from the semiconductor laser diode 1 into parallel light and to enter the variable optical bandpass filter 4. It should be noted that the optical variable band-pass filter 4 used has a transmission area half width of about 0.5 nm. The variable optical bandpass filter 4 functions to transmit only light having a specific wavelength λa of all the wavelength components among the incident light, and to couple the light to the optical fiber 6 by a lens 5 as a second lens. . The incident end face of the optical fiber 6 is polished perpendicular to the central axis, and the end face is provided with a partial reflection film 6A for reflecting a part of the incident light. Reference numeral 7 denotes an output port for extracting output light.

【0015】次に動作を説明する。半導体レーザダイオ
ードがレーザ光を発生すると、この光は無反射膜1Aを
通してレンズ3により平行光にされ、さらに光可変バン
ドパスフィルタ4に入射される。この光可変バンドパス
フィルタ4に入射された光は、全波長域のうち特定の波
長λaの光だけ透過し、この透過光のみがレンズ5によ
り集光されて、光ファイバ6に入射結合される。このた
め、その集光された光は光ファイバ6の入射端面である
部分反射膜6Aにおいて2つに分岐され、一方は180
度反転し再度レンズ5、光可変バンドパスフィルタ4、
レンズ3を通る元の光路をたどり、半導体レーザダイオ
ード1に帰還され、高反射膜1Bと前記部分反射膜6A
とで外部共振器を構成し、レーザ発振を起こす。
Next, the operation will be described. When the semiconductor laser diode generates laser light, the light is converted into parallel light by the lens 3 through the non-reflection film 1A, and is incident on the variable optical bandpass filter 4. The light incident on the variable optical bandpass filter 4 transmits only light of a specific wavelength λa in the entire wavelength range, and only the transmitted light is condensed by the lens 5 and is incident and coupled to the optical fiber 6. . For this reason, the condensed light is split into two at the partial reflection film 6A, which is the incident end face of the optical fiber 6, and one of them is 180
The lens 5, the variable optical bandpass filter 4,
Following the original optical path passing through the lens 3, it is returned to the semiconductor laser diode 1, and the high reflection film 1 B and the partial reflection film 6 A
Constitutes an external resonator and causes laser oscillation.

【0016】そして、分岐された他方の光は部分反射膜
6Aを透過し光ファイバ6内を伝搬し、出力ポート7よ
り出力光として取り出される。なお、部分反射膜6A
は、誘電体多層膜で形成され、例えば20%反射、80
%透過のものが使用される。このとき、レーザの発振波
長は、光可変バンドパスフィルタ4へのレーザ光の入射
角度を変えることで、自由に可変できる。
Then, the other split light passes through the partial reflection film 6A, propagates in the optical fiber 6, and is extracted from the output port 7 as output light. The partial reflection film 6A
Is formed of a dielectric multilayer film, for example, 20% reflection, 80%
% Transmission is used. At this time, the oscillation wavelength of the laser can be freely varied by changing the incident angle of the laser light on the variable optical bandpass filter 4.

【0017】また、半導体レーザダイオード1の一端面
(前端面)は、通常の劈開面にしてホトダイオードによ
り後方向から光モニタすることで、このモニタ結果を用
いて光出力の安定化を図れるほか、さらに光反射率の高
い高反射膜を施すことでレーザ発振効率を高め、より高
い光出力を得ることができる。同様に、光ファイバ6の
入射端面に施す部分反射膜6Aについても、反射率を落
として光出力を増加させるか、反射率を高めて波長の可
変幅を広げるか、といった選択が任意にできる。
Further, one end face (front end face) of the semiconductor laser diode 1 is formed as a normal cleavage plane, and light is monitored from behind by a photodiode, so that the light output can be stabilized using the monitoring result. Further, by applying a high-reflection film having a high light reflectance, the laser oscillation efficiency can be increased and a higher light output can be obtained. Similarly, with regard to the partial reflection film 6A applied to the incident end face of the optical fiber 6, it is possible to arbitrarily select whether to decrease the reflectivity to increase the light output or to increase the reflectivity to widen the variable wavelength range.

【0018】なお、光ファイバ6の入射端面と出力ポー
ト7との間に偏波無依存型光アイソレータを加えれば、
半導体レーザダイオード1の発振状態をより安定化させ
ることができる。さらにこれらの構成に、ペルチェ素
子、サーミスタなどを組み合わせ、半導体レーザダイオ
ード1の温度調節をすることにより、生産性が優れ、高
安定な可変波長レーザ光源とすることができる。
By adding a polarization independent optical isolator between the input end face of the optical fiber 6 and the output port 7,
The oscillation state of the semiconductor laser diode 1 can be further stabilized. Furthermore, by combining these components with a Peltier element, a thermistor, and the like, and adjusting the temperature of the semiconductor laser diode 1, a highly stable and highly stable variable wavelength laser light source can be obtained.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、一端面には無反射膜が施され、他端面が劈開面とさ
れまたはこれの反射率以上の反射率を持つ高反射膜が施
された半導体レーザダイオードと、該半導体レーザダイ
オードからの出射光を平行光にする第1のレンズと、こ
の第1のレンズからの出射光の波長成分のうち特定の波
長の光を透過する光可変バンドパスフィルタと、該光可
変バンドパスフィルタからの透過光を光ファイバに入射
結合する第2のレンズとを設けて、中心軸に対して垂直
となる光ファイバの入射端面に、前記半導体レーザダイ
オードの劈開面または高反射膜とで外部共振器を構成す
る部分反射膜を施し、該部分反射膜を通して出力光を出
力ポートから取り出すように構成したので、半導体レー
ザダイオードの後端面側の光学系が不要となり、さらに
光ファイバに集光した光の一部を帰還させるため、入射
角度に対する帰還量の変化を緩くでき、高度な固定技術
を要することもなく簡単な構成で生産性に優れた高安定
の可変波長レーザ光源をローコストに得ることができる
という効果が得られる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, one end face is provided with a non-reflection film and the other end face is a cleavage plane or a high reflection film having a reflectance higher than that of the cleavage face. A semiconductor laser diode provided with a film, a first lens that converts light emitted from the semiconductor laser diode into parallel light, and transmits light of a specific wavelength among wavelength components of the light emitted from the first lens. And a second lens that couples the transmitted light from the variable optical bandpass filter to the optical fiber. The incident end face of the optical fiber perpendicular to the central axis is A cleavage surface or a high reflection film of the semiconductor laser diode is used to form a partial reflection film that forms an external resonator, and output light is extracted from an output port through the partial reflection film. The optical system on the side is unnecessary, and a part of the light condensed on the optical fiber is fed back.Thus, the change in the amount of feedback with respect to the incident angle can be moderated. The effect is that a highly stable variable wavelength laser light source having excellent stability can be obtained at low cost.

【0020】また、請求項2の発明によれば、前記光可
変バンドパルスフィルタを、レーザ光の入射角度を調整
可能に設けるように構成したので、レーザの発振波長を
自由に選択できるという効果が得られる。
Further, according to the second aspect of the present invention, since the variable optical band pulse filter is provided so that the incident angle of the laser beam can be adjusted, there is an effect that the oscillation wavelength of the laser can be freely selected. can get.

【0021】また、請求項3の発明によれば、前記劈開
面側に、光出力モニタ用のホトダイオードを配置するよ
うに構成したので、このモニタ結果に従って光出力の安
定化のための処置を図ることができるという効果が得ら
れる。
According to the third aspect of the present invention, since a photodiode for monitoring light output is arranged on the cleavage plane side, a measure for stabilizing light output is taken according to the monitoring result. The effect that it can be obtained is obtained.

【0022】また、請求項4の発明によれば、前記光フ
ァイバの入射端面と出力ポートとの間に偏波無依存型光
アイソレータを設けるように構成したので、半導体レー
ザダイオードの発振状態をより安定化させることができ
るという効果が得られる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the polarization independent optical isolator is provided between the input end face of the optical fiber and the output port, the oscillation state of the semiconductor laser diode can be improved. The effect of being able to stabilize is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施の一形態による可変波長レーザ
光源を示す構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a tunable laser light source according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の可変波長レーザ光源を示す構成図であ
る。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a conventional variable wavelength laser light source.

【図3】従来の他の可変波長レーザ光源を示す構成図で
ある。
FIG. 3 is a configuration diagram showing another conventional variable wavelength laser light source.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザダイオード 1A 無反射膜 1B 高反射膜 3 レンズ(第1のレンズ) 4 光可変バンドパスフィルタ 5 レンズ(第2のレンズ) 6 光ファイバ 6A 部分反射膜 7 出力ポート Reference Signs List 1 semiconductor laser diode 1A non-reflective film 1B high-reflective film 3 lens (first lens) 4 variable optical bandpass filter 5 lens (second lens) 6 optical fiber 6A partially reflective film 7 output port

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一端面には無反射膜が施され、他端面が
劈開面とされまたはこの劈開面の反射率以上の反射率を
持つ高反射膜が施された半導体レーザダイオードと、 該半導体レーザダイオードからの出射光を平行光にする
第1のレンズと、 該第1のレンズからの出射光の波長成分のうち特定の波
長の光を透過する光可変バンドパスフィルタと、 該光可変バンドパスフィルタからの透過光を光ファイバ
に入射結合する第2のレンズと、 中心軸に対して垂直
となる前記光ファイバの入射端面に施され、前記半導体
レーザダイオードの劈開面または高反射膜とで外部共振
器を構成する部分反射膜と、 該部分反射膜に入射された入射光を前記光ファイバを通
じて取り出す出力ポートとを備えたことを特徴とする可
変波長レーザ光源。
A semiconductor laser diode provided with an antireflection film on one end surface and a cleavage surface on the other end surface or a high reflection film having a reflectance equal to or higher than the reflectance of the cleavage surface; A first lens that converts light emitted from the laser diode into parallel light, a light variable bandpass filter that transmits light of a specific wavelength among wavelength components of light emitted from the first lens, and the light variable band A second lens for entering and coupling the transmitted light from the pass filter to the optical fiber; and a cleaved surface or a highly reflective film of the semiconductor laser diode, which is provided on the incident end face of the optical fiber perpendicular to the central axis. A tunable laser light source, comprising: a partial reflection film forming an external resonator; and an output port for extracting incident light incident on the partial reflection film through the optical fiber.
【請求項2】 前記光可変バンドパルスフィルタが、レ
ーザ光の入射角度を調整可能に設けられていることを特
徴とする請求項1に記載の可変波長レーザ光源。
2. The variable wavelength laser light source according to claim 1, wherein the variable optical band pulse filter is provided so as to adjust an incident angle of the laser light.
【請求項3】 前記劈開面側に、光出力モニタ用のホト
ダイオードを配置したことを特徴とする請求項1に記載
の可変波長レーザ光源。
3. The tunable laser light source according to claim 1, wherein a photodiode for monitoring an optical output is arranged on the cleavage plane side.
【請求項4】 前記光ファイバの入射端面と出力ポート
との間に偏波無依存型光アイソレータを設けたことを特
徴とする請求項1に記載の可変波長レーザ光源。
4. The variable wavelength laser light source according to claim 1, wherein a polarization independent optical isolator is provided between an input end face of the optical fiber and an output port.
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