JPH1168406A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH1168406A JPH1168406A JP21479597A JP21479597A JPH1168406A JP H1168406 A JPH1168406 A JP H1168406A JP 21479597 A JP21479597 A JP 21479597A JP 21479597 A JP21479597 A JP 21479597A JP H1168406 A JPH1168406 A JP H1168406A
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- JP
- Japan
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- slit
- dielectric filter
- holes
- dielectric
- block
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 金属ケースを必要とせずかつ通過帯域の高低
に関係なく所望の位置に減衰極を形成できる設計自由度
の高い誘電体フィルタを提供すること。 【解決手段】 誘電体材料からなるブロック１０の外周
面のうち、一面に開口し並んでのびた複数の非貫通孔１
１の隣接するもの間に対応する部分に少なくとも一つの
スリット１４を設けた。複数の非貫通孔１１の各々には
内周電極を設ける。ブロックの外周面にはアース電極１
２と入出力電極１３とを備える。アース電極１２はスリ
ットの表面にも設けられ得る。
に関係なく所望の位置に減衰極を形成できる設計自由度
の高い誘電体フィルタを提供すること。 【解決手段】 誘電体材料からなるブロック１０の外周
面のうち、一面に開口し並んでのびた複数の非貫通孔１
１の隣接するもの間に対応する部分に少なくとも一つの
スリット１４を設けた。複数の非貫通孔１１の各々には
内周電極を設ける。ブロックの外周面にはアース電極１
２と入出力電極１３とを備える。アース電極１２はスリ
ットの表面にも設けられ得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波帯の無線通
信等で使用される誘電体フィルタに関する。
信等で使用される誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の誘電体フィルタとして、電磁界
の漏洩が少なく、金属ケースを必要としないモノリシッ
クフィルタがある。モノリシックフィルタの共振器間結
合には、容量性結合と誘導性結合が存在する。この結合
の種類と減衰極との関係は、容量性結合の場合通過帯域
より低い周波数帯域に減衰極が構成され、誘導性結合の
場合通過帯域より高い周波数帯域に減衰極が構成され
る。
の漏洩が少なく、金属ケースを必要としないモノリシッ
クフィルタがある。モノリシックフィルタの共振器間結
合には、容量性結合と誘導性結合が存在する。この結合
の種類と減衰極との関係は、容量性結合の場合通過帯域
より低い周波数帯域に減衰極が構成され、誘導性結合の
場合通過帯域より高い周波数帯域に減衰極が構成され
る。
【０００３】図９はモノリシックフィルタの従来例とし
て非貫通孔が２本形成されているものを示し、これを以
下では非貫通孔型モノリシックフィルタと呼ぶ。誘電体
材料からなるブロック即ち誘電体ブロック１０に２本の
非貫通孔１１が形成されている。誘電体ブロック１０の
表面全体は電極１２で被われている。電極１２は２本の
非貫通孔１１の内面にも内周電極として形成される。こ
の結果、２本の非貫通孔１１の内面の内周電極は２本の
同軸型共振器の内導体として見なすことができる。誘電
体ブロック１０の外周面にはさらに、電極１２から分離
されて入出力端子１３が２つ形成されている。このモノ
リシック誘電体フィルタは、電極１２がアース電位とな
るように実装基板等に実装されると、入出力端子１３
で、共振器２本で構成されたバンドパスフィルタとして
機能する。
て非貫通孔が２本形成されているものを示し、これを以
下では非貫通孔型モノリシックフィルタと呼ぶ。誘電体
材料からなるブロック即ち誘電体ブロック１０に２本の
非貫通孔１１が形成されている。誘電体ブロック１０の
表面全体は電極１２で被われている。電極１２は２本の
非貫通孔１１の内面にも内周電極として形成される。こ
の結果、２本の非貫通孔１１の内面の内周電極は２本の
同軸型共振器の内導体として見なすことができる。誘電
体ブロック１０の外周面にはさらに、電極１２から分離
されて入出力端子１３が２つ形成されている。このモノ
リシック誘電体フィルタは、電極１２がアース電位とな
るように実装基板等に実装されると、入出力端子１３
で、共振器２本で構成されたバンドパスフィルタとして
機能する。
【０００４】図９に示した非貫通孔型モノリシックフィ
ルタの特性を図１０に示す。Ａで示した部分が通過帯域
であり、通過帯域よりも高い周波数帯域に減衰極Ｂが構
成されている。
ルタの特性を図１０に示す。Ａで示した部分が通過帯域
であり、通過帯域よりも高い周波数帯域に減衰極Ｂが構
成されている。
【０００５】一般に、誘電体フィルタは高周波帯の無線
通信等に用いられ、主に携帯電話やコードレス電話等に
使用されることが多いが、使用される周波数帯域や必要
とする特性はシステムによって異なる。したがって、シ
ステムに合わせて減衰量が必要な帯域付近に減衰極を設
けることによって、誘電体フィルタに所望の特性を実現
している。
通信等に用いられ、主に携帯電話やコードレス電話等に
使用されることが多いが、使用される周波数帯域や必要
とする特性はシステムによって異なる。したがって、シ
ステムに合わせて減衰量が必要な帯域付近に減衰極を設
けることによって、誘電体フィルタに所望の特性を実現
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図９の非貫通孔型モノ
リシックフィルタの場合、共振器の開放端となる非貫通
孔の先端と外周面アース電極との間に容量が発生するた
め、容量結合が減少し、その結果、共振器結合は誘導性
結合となり、通過帯域より高い周波数帯域に減衰極が構
成される。即ち、図９の非貫通孔型モノリシックフィル
タは図１０に示したように通過帯域Ａより高い周波数帯
域に減衰極Ｂが形成された特性をもつ。したがってその
減衰極Ｂが形成された帯域に大きな減衰量を必要として
いるシステムに使用する事に問題はないが、減衰極Ｂの
周波数帯域以外に、減衰量を必要としているシステムに
対応できない。そのシステムに対応できるような特性の
フィルタを実現するためには、減衰極の位置を変化させ
る必要がある。
リシックフィルタの場合、共振器の開放端となる非貫通
孔の先端と外周面アース電極との間に容量が発生するた
め、容量結合が減少し、その結果、共振器結合は誘導性
結合となり、通過帯域より高い周波数帯域に減衰極が構
成される。即ち、図９の非貫通孔型モノリシックフィル
タは図１０に示したように通過帯域Ａより高い周波数帯
域に減衰極Ｂが形成された特性をもつ。したがってその
減衰極Ｂが形成された帯域に大きな減衰量を必要として
いるシステムに使用する事に問題はないが、減衰極Ｂの
周波数帯域以外に、減衰量を必要としているシステムに
対応できない。そのシステムに対応できるような特性の
フィルタを実現するためには、減衰極の位置を変化させ
る必要がある。
【０００７】しかし、図９に示した従来の非貫通孔型モ
ノリシックフィルタは設計の自由度が低く、通過帯域よ
りも低い周波数帯域に減衰極を構成することはできな
い。つまり、従来の非貫通孔型モノリシックフィルタ
は、通過帯域よりも低い周波数帯域に大きな減衰量を必
要としているシステムには対応できないということにな
る。一般的にはほとんどのシステムで、バンドパスフィ
ルタには通過帯域の下側に大きな減衰を必要としている
ため、従来の非貫通孔型モノリシックフィルタは、ほと
んどのシステムにおいて対応出来ないことになる。
ノリシックフィルタは設計の自由度が低く、通過帯域よ
りも低い周波数帯域に減衰極を構成することはできな
い。つまり、従来の非貫通孔型モノリシックフィルタ
は、通過帯域よりも低い周波数帯域に大きな減衰量を必
要としているシステムには対応できないということにな
る。一般的にはほとんどのシステムで、バンドパスフィ
ルタには通過帯域の下側に大きな減衰を必要としている
ため、従来の非貫通孔型モノリシックフィルタは、ほと
んどのシステムにおいて対応出来ないことになる。
【０００８】本発明は、電磁界の漏洩が少なく、金属ケ
ースを必要としないという従来の非貫通孔型モノリシッ
クフィルタの利点を維持したまま、通過帯域の高低に関
係なく所望の位置に減衰極を形成できる設計自由度の高
い誘電体フィルタを提供することを課題としている。
ースを必要としないという従来の非貫通孔型モノリシッ
クフィルタの利点を維持したまま、通過帯域の高低に関
係なく所望の位置に減衰極を形成できる設計自由度の高
い誘電体フィルタを提供することを課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、共振器
間にスリットを形成することによって、共振器間結合の
誘導性結合を減少させ、共振器間結合が容量性となるよ
うにして、通過帯域より低い周波数帯域に減衰極が構成
されるようにしている。また、誘導性結合は共振器短絡
端近傍で強く結合しているため、短絡端近傍にスリット
を形成することによって、効率的に共振器間結合を容量
性にして、通過帯域より低い周波数帯域に減衰極が構成
されるようにしている。
間にスリットを形成することによって、共振器間結合の
誘導性結合を減少させ、共振器間結合が容量性となるよ
うにして、通過帯域より低い周波数帯域に減衰極が構成
されるようにしている。また、誘導性結合は共振器短絡
端近傍で強く結合しているため、短絡端近傍にスリット
を形成することによって、効率的に共振器間結合を容量
性にして、通過帯域より低い周波数帯域に減衰極が構成
されるようにしている。
【００１０】本発明によれば、一面に開口し並んでのび
た複数の非貫通孔を有する誘電体材料からなるブロック
と、前記複数の非貫通孔の各々に設けた内周電極と、前
記ブロックの外周面に設けたアース電極と、前記ブロッ
クの一部に設けた入出力電極とを備えた誘電体フィルタ
であって、前記ブロックの外周面のうち前記複数の非貫
通孔の隣接するもの間に対応する部分に少なくとも一つ
のスリットを設けたことを特徴とする誘電体フィルタが
得られる。
た複数の非貫通孔を有する誘電体材料からなるブロック
と、前記複数の非貫通孔の各々に設けた内周電極と、前
記ブロックの外周面に設けたアース電極と、前記ブロッ
クの一部に設けた入出力電極とを備えた誘電体フィルタ
であって、前記ブロックの外周面のうち前記複数の非貫
通孔の隣接するもの間に対応する部分に少なくとも一つ
のスリットを設けたことを特徴とする誘電体フィルタが
得られる。
【００１１】好ましくは、前記アース電極は前記少なく
とも一つのスリットの表面にも設けられている。
とも一つのスリットの表面にも設けられている。
【００１２】好ましくは、前記複数の非貫通孔は互いに
平行にのびており、前記スリットは前記複数の非貫通孔
に沿ってのびている。
平行にのびており、前記スリットは前記複数の非貫通孔
に沿ってのびている。
【００１３】好ましくは、前記少なくとも一つのスリッ
トは、前記ブロックの前記複数の非貫通孔が開口した面
の近傍に形成されている。
トは、前記ブロックの前記複数の非貫通孔が開口した面
の近傍に形成されている。
【００１４】好ましくは、前記少なくとも一つのスリッ
トの長さによって特性が調整されている。
トの長さによって特性が調整されている。
【００１５】好ましくは、前記少なくとも一つのスリッ
トの深さによって特性が調整されている。
トの深さによって特性が調整されている。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態に係
る誘電体フィルタを示す。この誘電体フィルタは非貫通
孔型モノリシックフィルタであり、誘電体材料からなる
ブロック即ち誘電体ブロック１０に２本の非貫通孔１１
が互いに平行に形成されている。誘電体ブロック１０の
表面全体は電極１２で被われている。電極１２は２本の
非貫通孔１１の内面にも内周電極として形成される。こ
の結果、２本の非貫通孔１１の内面の内周電極は２本の
同軸型共振器の内導体として見なすことができる。誘電
体ブロック１０の外周面にはさらに、電極１２から分離
されて入出力端子１３が２つ（一方のみ図示した）形成
されている。
る誘電体フィルタを示す。この誘電体フィルタは非貫通
孔型モノリシックフィルタであり、誘電体材料からなる
ブロック即ち誘電体ブロック１０に２本の非貫通孔１１
が互いに平行に形成されている。誘電体ブロック１０の
表面全体は電極１２で被われている。電極１２は２本の
非貫通孔１１の内面にも内周電極として形成される。こ
の結果、２本の非貫通孔１１の内面の内周電極は２本の
同軸型共振器の内導体として見なすことができる。誘電
体ブロック１０の外周面にはさらに、電極１２から分離
されて入出力端子１３が２つ（一方のみ図示した）形成
されている。
【００１７】誘電体ブロック１０の外周面には２本の非
貫通孔１１の間に対応した部分に、非貫通孔１１の長手
方向と平行にのびたスリット１４が上下２個形成されて
いる。そして電極１２は各スリット１４の表面にも設け
てある。各スリット１４は断面Ｖ字型であり、非貫通孔
１１の開口を有する面に引き続いて形成されている。
貫通孔１１の間に対応した部分に、非貫通孔１１の長手
方向と平行にのびたスリット１４が上下２個形成されて
いる。そして電極１２は各スリット１４の表面にも設け
てある。各スリット１４は断面Ｖ字型であり、非貫通孔
１１の開口を有する面に引き続いて形成されている。
【００１８】この誘電体フィルタは、外周面の電極１２
とスリット１４の電極がアース電位となるように配線基
板等に実装されると、入出力端子１３間で、共振器２本
で構成されたバンドパスフィルタとして機能する。
とスリット１４の電極がアース電位となるように配線基
板等に実装されると、入出力端子１３間で、共振器２本
で構成されたバンドパスフィルタとして機能する。
【００１９】図１に示した誘電体フィルタの周波数特性
を図２に示す。Ａで示した部分が通過帯域であり、通過
帯域よりも低い周波数帯域に減衰極Ｂが構成されてい
る。従来の非貫通孔型誘電体フィルタの場合通過帯域よ
り低い周波数帯域に減衰極を構成することが不可能であ
ったが、図１に示した誘電体フィルタでは実現すること
が可能となった。
を図２に示す。Ａで示した部分が通過帯域であり、通過
帯域よりも低い周波数帯域に減衰極Ｂが構成されてい
る。従来の非貫通孔型誘電体フィルタの場合通過帯域よ
り低い周波数帯域に減衰極を構成することが不可能であ
ったが、図１に示した誘電体フィルタでは実現すること
が可能となった。
【００２０】図３−図８は本発明の実施の他の異なる形
態に係る誘電体フィルタを夫々示す。これらの誘電体フ
ィルタにおいて、図１の同様な部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。
態に係る誘電体フィルタを夫々示す。これらの誘電体フ
ィルタにおいて、図１の同様な部分には同じ符号を付し
て説明を省略する。
【００２１】図３−図８の誘電体フィルタはスリット１
４の数や形状において図１の誘電体フィルタとは異な
る。図３−図８の誘電体フィルタにおいても、図２に示
した誘電体フィルタの周波数特性と同様に、通過帯域よ
りも低い周波数帯域に減衰極が構成できる。
４の数や形状において図１の誘電体フィルタとは異な
る。図３−図８の誘電体フィルタにおいても、図２に示
した誘電体フィルタの周波数特性と同様に、通過帯域よ
りも低い周波数帯域に減衰極が構成できる。
【００２２】また、図１、図３、図４、図５、図６、図
７、及び図８に示した誘電体フィルタは、スリット１４
の深さによって減衰極周波数を変化させることができ
る。スリットを深くした場合には減衰極周波数は低周波
側に移動し、スリットを浅くした場合には減衰極周波数
は高周波側に移動する。
７、及び図８に示した誘電体フィルタは、スリット１４
の深さによって減衰極周波数を変化させることができ
る。スリットを深くした場合には減衰極周波数は低周波
側に移動し、スリットを浅くした場合には減衰極周波数
は高周波側に移動する。
【００２３】また、図１、図３、図４、図５、図６、図
７、及び図８に示した誘電体フィルタは、スリット１４
の長さによって減衰極周波数を変化させることができ
る。スリットを長くした場合には減衰極周波数は低周波
側に移動し、スリットを短くした場合には減衰極周波数
は高周波側に移動する。
７、及び図８に示した誘電体フィルタは、スリット１４
の長さによって減衰極周波数を変化させることができ
る。スリットを長くした場合には減衰極周波数は低周波
側に移動し、スリットを短くした場合には減衰極周波数
は高周波側に移動する。
【００２４】このスリット１４の形状と減衰極周波数と
の関係を利用することによって、任意の周波数帯に減衰
極を構成することが可能となる。
の関係を利用することによって、任意の周波数帯に減衰
極を構成することが可能となる。
【００２５】スリット形状と減衰極周波数の関係は、通
過帯域よりも高い周波数帯域に減衰極が構成されている
フィルタであっても、適用可能である。即ち、図９に示
した従来の非貫通孔型モノリシックフィルタの周波数特
性は、通過帯域よりも高い周波数帯域に減衰極が構成さ
れているが、非貫通孔型モノリシックフィルタのブロッ
ク１０に図１もしくは図３−図８に示したと同様な浅い
スリットまたは短いスリットを形成すると、減衰極は低
周波側に移動する。よって、任意の周波数帯に減衰極を
構成することが可能となる。
過帯域よりも高い周波数帯域に減衰極が構成されている
フィルタであっても、適用可能である。即ち、図９に示
した従来の非貫通孔型モノリシックフィルタの周波数特
性は、通過帯域よりも高い周波数帯域に減衰極が構成さ
れているが、非貫通孔型モノリシックフィルタのブロッ
ク１０に図１もしくは図３−図８に示したと同様な浅い
スリットまたは短いスリットを形成すると、減衰極は低
周波側に移動する。よって、任意の周波数帯に減衰極を
構成することが可能となる。
【００２６】なお誘電体ブロックに非貫通孔を２本形成
したものについて説明したが、少なくとも２本即ち複数
本であればよく、３本以上の非貫通孔を形成したもので
も同様に実施できる。また誘電体ブロックのスリットは
少なくとも１つ形成されるが、３つ以上形成される場合
もあり得る。またスリットの形状は図示例に限らず様々
な変形が可能なことは言うまでもない。またアース電極
となる電極は、誘電体ブロックの全表面に形成されても
よいし、非貫通孔の開口部を有する面及びこれに対向す
る面の一方若しくは両方を除いた表面にのみ形成されて
もよい。
したものについて説明したが、少なくとも２本即ち複数
本であればよく、３本以上の非貫通孔を形成したもので
も同様に実施できる。また誘電体ブロックのスリットは
少なくとも１つ形成されるが、３つ以上形成される場合
もあり得る。またスリットの形状は図示例に限らず様々
な変形が可能なことは言うまでもない。またアース電極
となる電極は、誘電体ブロックの全表面に形成されても
よいし、非貫通孔の開口部を有する面及びこれに対向す
る面の一方若しくは両方を除いた表面にのみ形成されて
もよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電磁界の漏洩が少なく金属ケースを必要としないという
非貫通孔型誘電体フィルタの機能を保ったまま、減衰極
を構成する周波数帯を自由に設定することができ、設計
自由度が高い表面実装型誘電体フィルタを実現すること
が可能となる。
電磁界の漏洩が少なく金属ケースを必要としないという
非貫通孔型誘電体フィルタの機能を保ったまま、減衰極
を構成する周波数帯を自由に設定することができ、設計
自由度が高い表面実装型誘電体フィルタを実現すること
が可能となる。
【図１】本発明の実施の一形態に係る誘電体フィルタの
外観斜視図。
外観斜視図。
【図２】図１の誘電体フィルタの特性を示したグラフ。
【図３】本発明の実施の他の形態に係る誘電体フィルタ
の外観斜視図。
の外観斜視図。
【図４】本発明の実施のさらに他の形態に係る誘電体フ
ィルタの外観斜視図。
ィルタの外観斜視図。
【図５】本発明の実施のさらに他の形態に係る誘電体フ
ィルタの外観斜視図。
ィルタの外観斜視図。
【図６】本発明の実施のさらに他の形態に係る誘電体フ
ィルタの外観斜視図。
ィルタの外観斜視図。
【図７】本発明の実施のさらに他の形態に係る誘電体フ
ィルタの外観斜視図。
ィルタの外観斜視図。
【図８】本発明の実施のさらに他の形態に係る誘電体フ
ィルタの外観斜視図。
ィルタの外観斜視図。
【図９】従来の誘電体フィルタの外観斜視図。
【図１０】図９の誘電体フィルタの特性を示したグラ
フ。
フ。
１０ 誘電体ブロック １１ 非貫通孔 １２ 電極 １３ 入出力端子 １４ スリット Ａ 通過帯域 Ｂ 減衰極
Claims (6)
- 【請求項１】 一面に開口し並んでのびた複数の非貫通
孔を有する誘電体材料からなるブロックと、前記複数の
非貫通孔の各々に設けた内周電極と、前記ブロックの外
周面に設けたアース電極と、前記ブロックの一部に設け
た入出力電極とを備えた誘電体フィルタであって、 前記ブロックの外周面のうち前記複数の非貫通孔の隣接
するもの間に対応する部分に少なくとも一つのスリット
を設けたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項２】 前記アース電極は前記少なくとも一つの
スリットの表面にも設けられている請求項１記載の誘電
体フィルタ。 - 【請求項３】 前記複数の非貫通孔は互いに平行にのび
ており、前記スリットは前記複数の非貫通孔に沿っての
びている請求項１又は２記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項４】 前記少なくとも一つのスリットは、前記
ブロックの前記複数の非貫通孔が開口した面の近傍に形
成されている請求項１−３のいずれかに記載の誘電体フ
ィルタ。 - 【請求項５】 前記少なくとも一つのスリットの長さに
よって特性が調整された請求項１−４のいずれかに記載
の誘電体フィルタ。 - 【請求項６】 前記少なくとも一つのスリットの深さに
よって特性が調整された請求項１−４のいずれかに記載
の誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21479597A JPH1168406A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21479597A JPH1168406A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1168406A true JPH1168406A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16661660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21479597A Withdrawn JPH1168406A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1168406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110391486A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-10-29 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 双工器、介质滤波器及其容性耦合结构 |
| CN111129671A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-05-08 | 苏州海瓷达材料科技有限公司 | 一种介质波导滤波器的电容耦合结构 |
-
1997
- 1997-08-08 JP JP21479597A patent/JPH1168406A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110391486A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-10-29 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 双工器、介质滤波器及其容性耦合结构 |
| CN110391486B (zh) * | 2019-08-27 | 2024-11-08 | 京信通信技术(广州)有限公司 | 双工器、介质滤波器及其容性耦合结构 |
| CN111129671A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-05-08 | 苏州海瓷达材料科技有限公司 | 一种介质波导滤波器的电容耦合结构 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |