JPH1168408A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPH1168408A JPH1168408A JP22730497A JP22730497A JPH1168408A JP H1168408 A JPH1168408 A JP H1168408A JP 22730497 A JP22730497 A JP 22730497A JP 22730497 A JP22730497 A JP 22730497A JP H1168408 A JPH1168408 A JP H1168408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- dielectric filter
- films
- dielectric
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高減衰量が求められる周波数帯域に、減衰極
を形成することにより、挿入損失の増加を低減すること
ができ、帯域外で高減衰量でありながら、挿入損失の小
さい誘電体フィルタの提供。 【解決手段】 第一の導体膜６ａ，６ｂ，６ｃと第二の
導体膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとの間に形成される容量
によって、複数の同軸型共振器間を結合し、相隣合う第
二の導体膜５ｂ，５ｃ間にチップコンデンサ１４が接続
された誘電体セラミック基板４を備えた誘電体フィル
タ。
を形成することにより、挿入損失の増加を低減すること
ができ、帯域外で高減衰量でありながら、挿入損失の小
さい誘電体フィルタの提供。 【解決手段】 第一の導体膜６ａ，６ｂ，６ｃと第二の
導体膜５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとの間に形成される容量
によって、複数の同軸型共振器間を結合し、相隣合う第
二の導体膜５ｂ，５ｃ間にチップコンデンサ１４が接続
された誘電体セラミック基板４を備えた誘電体フィル
タ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に中心周波数が
数百ＭＨｚから数ＧＨｚで使用される移動体通信機器に
用いられる誘電体フィルタに関する。
数百ＭＨｚから数ＧＨｚで使用される移動体通信機器に
用いられる誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の誘電体フィルタの一例として、図
６に外観斜視図を示す。図６において、同軸型共振器１
は、基板２上に形成された接地導体３上に接地されてい
る。また、誘電体セラミック基板４は、図７に示すよう
に、下面に第一の導体膜６ａ〜６ｃが形成され、また上
面には、第二の導体膜５ａ〜５ｄが形成され、それぞれ
対向する矢印１５間の導体膜５ａ〜６ａ，６ａ〜５ｂ，
５ｂ〜６ｂ，６ｂ〜５ｃ，５ｃ〜６ｃ，６ｃ〜５ｄとの
間に容量が形成されている。なお、個々の導体膜の大き
さや位置は、容量の大きさによる。
６に外観斜視図を示す。図６において、同軸型共振器１
は、基板２上に形成された接地導体３上に接地されてい
る。また、誘電体セラミック基板４は、図７に示すよう
に、下面に第一の導体膜６ａ〜６ｃが形成され、また上
面には、第二の導体膜５ａ〜５ｄが形成され、それぞれ
対向する矢印１５間の導体膜５ａ〜６ａ，６ａ〜５ｂ，
５ｂ〜６ｂ，６ｂ〜５ｃ，５ｃ〜６ｃ，６ｃ〜５ｄとの
間に容量が形成されている。なお、個々の導体膜の大き
さや位置は、容量の大きさによる。
【０００３】また、第一の導体膜６ａ，６ｂ，６ｃは、
端子ピン７を介して同軸型共振器１の内導体８と接続さ
れている。また、第二の導体膜５ａと５ｄは、接続端子
９に入出力端子１０によって接続され、誘電体フィルタ
が構成されている。また、誘電体フィルタ全体を覆うよ
うに金属ケース１２が同軸型共振器１及び基板２の接地
面上に設置され、接地端子１１と電気的に接続されてい
る。また、この従来の誘電体フィルタの等価回路及び周
波数特性を図８及び図９に示す。
端子ピン７を介して同軸型共振器１の内導体８と接続さ
れている。また、第二の導体膜５ａと５ｄは、接続端子
９に入出力端子１０によって接続され、誘電体フィルタ
が構成されている。また、誘電体フィルタ全体を覆うよ
うに金属ケース１２が同軸型共振器１及び基板２の接地
面上に設置され、接地端子１１と電気的に接続されてい
る。また、この従来の誘電体フィルタの等価回路及び周
波数特性を図８及び図９に示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の誘電体
フィルタは、一般に、通過帯域内においては低挿入損
失、帯域外においては高減衰量が求められるが、減衰量
を大きくすると、挿入損失が増加するという問題があっ
た。
フィルタは、一般に、通過帯域内においては低挿入損
失、帯域外においては高減衰量が求められるが、減衰量
を大きくすると、挿入損失が増加するという問題があっ
た。
【０００５】従って、本発明は、高減衰量が求められる
周波数帯域に、減衰極を形成することにより、挿入損失
の増加を低減することができ、帯域外で高減衰量であり
ながら挿入損失の小さい誘電体フィルタを提供すること
にある。
周波数帯域に、減衰極を形成することにより、挿入損失
の増加を低減することができ、帯域外で高減衰量であり
ながら挿入損失の小さい誘電体フィルタを提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の同軸型
共振器を備えた誘電体フィルタであって、帯状の誘電体
セラミック基板の一方の面に前記同軸型共振器の内導体
と接続するための第一の導体膜が、ある所定の間隔をお
いて複数個形成され、該第一の導体膜と対向する他方の
面に、第二の導体膜が、ある所定の間隔をおいて複数個
形成され、前記第一の導体膜と前記第二の導体膜との間
に形成される容量によって複数の同軸型共振器間を結合
し、相隣り合う前記第二の導体膜間に、インダクタが接
続された前記誘電体セラミック基板を備えたことを特徴
とする誘電体フィルタである。
共振器を備えた誘電体フィルタであって、帯状の誘電体
セラミック基板の一方の面に前記同軸型共振器の内導体
と接続するための第一の導体膜が、ある所定の間隔をお
いて複数個形成され、該第一の導体膜と対向する他方の
面に、第二の導体膜が、ある所定の間隔をおいて複数個
形成され、前記第一の導体膜と前記第二の導体膜との間
に形成される容量によって複数の同軸型共振器間を結合
し、相隣り合う前記第二の導体膜間に、インダクタが接
続された前記誘電体セラミック基板を備えたことを特徴
とする誘電体フィルタである。
【０００７】また、本発明は、複数の同軸型共振器を備
えた誘電体フィルタであって、帯状の誘電体セラミック
基板の一方の面に前記同軸型共振器の内導体と接続する
ための第一の導体膜が、ある所定の間隔をおいて複数個
形成され、該第一の導体膜と対向する他方の面に、第二
の導体膜が、ある所定の間隔をおいて複数個形成され、
前記第一の導体膜と前記第二の導体膜との間に形成され
る容量によって複数の同軸型共振器間を結合し、相隣り
合う前記第二の導体膜間に、キャパシタが接続された前
記誘電体セラミック基板を備えたことを特徴とする誘電
体フィルタである。
えた誘電体フィルタであって、帯状の誘電体セラミック
基板の一方の面に前記同軸型共振器の内導体と接続する
ための第一の導体膜が、ある所定の間隔をおいて複数個
形成され、該第一の導体膜と対向する他方の面に、第二
の導体膜が、ある所定の間隔をおいて複数個形成され、
前記第一の導体膜と前記第二の導体膜との間に形成され
る容量によって複数の同軸型共振器間を結合し、相隣り
合う前記第二の導体膜間に、キャパシタが接続された前
記誘電体セラミック基板を備えたことを特徴とする誘電
体フィルタである。
【０００８】本発明は、上記において、誘電体フィルタ
の通過帯域近傍の減衰極は、図５（ａ）に示すように、
複数の共振器３１，３２，・・・，３ｎを結合させる結
合用キャパシタ４２，４３を跨ぐように、減衰極形成用
キャパシタ５１を接続することによって、通過帯域の低
周波側に減衰極を形成することができる。また、図５
（ｂ）に示すように、複数の共振器３１，３２，・・
・，３ｎを結合させるための結合用キャパシタ４２，４
３を跨ぐように、減衰極形成用インダクタ５２を接続す
ることによって、通過帯域の高周波側に減衰極を形成す
ることができる。また、このような結合素子を跨ぐよう
に、キャパシタまたはインダクタが複数接続されると、
それぞれ対応した複数の減衰極が形成される。
の通過帯域近傍の減衰極は、図５（ａ）に示すように、
複数の共振器３１，３２，・・・，３ｎを結合させる結
合用キャパシタ４２，４３を跨ぐように、減衰極形成用
キャパシタ５１を接続することによって、通過帯域の低
周波側に減衰極を形成することができる。また、図５
（ｂ）に示すように、複数の共振器３１，３２，・・
・，３ｎを結合させるための結合用キャパシタ４２，４
３を跨ぐように、減衰極形成用インダクタ５２を接続す
ることによって、通過帯域の高周波側に減衰極を形成す
ることができる。また、このような結合素子を跨ぐよう
に、キャパシタまたはインダクタが複数接続されると、
それぞれ対応した複数の減衰極が形成される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面により説明する。
て図面により説明する。
【００１０】まず、本発明の第１の実施の形態について
説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態の誘電体
フィルタの外観斜視図を示す。図１において、同軸型共
振器１は、基板２上に形成された接地導体３に設置され
ており、誘電体セラミック基板４の下面には、第一の導
体膜６ａ〜６ｄ及び上面には、第二の導体膜５ａ〜５ｄ
が形成され、それぞれ対向する導体膜５ａ〜６ａ、６ａ
〜５ｂ，５ｂ〜６ｂ，６ｂ〜５ｃ，５ｃ〜６ｃ，６ｃ〜
５ｄ間に容量が形成され、また、各導体膜は、端子ピン
７を介して同軸型共振器１の内導体８と接続されてい
る。また、誘電体セラミック基板４の上面に形成された
第二の導体膜５ｂ，５ｃに、チップコンデンサ（キャパ
シタ）１４が電気的に接続されている。
説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態の誘電体
フィルタの外観斜視図を示す。図１において、同軸型共
振器１は、基板２上に形成された接地導体３に設置され
ており、誘電体セラミック基板４の下面には、第一の導
体膜６ａ〜６ｄ及び上面には、第二の導体膜５ａ〜５ｄ
が形成され、それぞれ対向する導体膜５ａ〜６ａ、６ａ
〜５ｂ，５ｂ〜６ｂ，６ｂ〜５ｃ，５ｃ〜６ｃ，６ｃ〜
５ｄ間に容量が形成され、また、各導体膜は、端子ピン
７を介して同軸型共振器１の内導体８と接続されてい
る。また、誘電体セラミック基板４の上面に形成された
第二の導体膜５ｂ，５ｃに、チップコンデンサ（キャパ
シタ）１４が電気的に接続されている。
【００１１】また、この第１の実施の形態の誘電体フィ
ルタの周波数特性を図２に示す。図２において、中心周
波数は９００ＭＨｚで、挿入損失は２.２７ｄＢ、ま
た、通過帯域近傍の低周波側の８５０ＭＨｚ付近に減衰
極を形成することによって、減衰量は、４６.５ｄＢと
従来構成に比べ、挿入損失を劣化することなく、２２.
４ｄＢ改善した。
ルタの周波数特性を図２に示す。図２において、中心周
波数は９００ＭＨｚで、挿入損失は２.２７ｄＢ、ま
た、通過帯域近傍の低周波側の８５０ＭＨｚ付近に減衰
極を形成することによって、減衰量は、４６.５ｄＢと
従来構成に比べ、挿入損失を劣化することなく、２２.
４ｄＢ改善した。
【００１２】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態の誘電体
フィルタの外観斜視図を示す。図３において、誘電体セ
ラミック基板４の上面に形成された第二の導体膜５ｂ、
５ｃにインダクタ１３が電気的に接続されている以外
は、第１の実施の形態で述べたと同様である。
説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態の誘電体
フィルタの外観斜視図を示す。図３において、誘電体セ
ラミック基板４の上面に形成された第二の導体膜５ｂ、
５ｃにインダクタ１３が電気的に接続されている以外
は、第１の実施の形態で述べたと同様である。
【００１３】また、この第２の実施の形態の誘電体フィ
ルタの周波数特性を図４に示す。図４において、通過帯
域近傍の高周波側に減衰極が形成されている。この誘電
体フィルタの中心周波数は９００ＭＨｚで、挿入損失は
２.２７ｄＢ、また、通過帯域近傍の高周波側の９５０
ＭＨｚ付近に減衰極を形成することによって、減衰量
は、４６.５ｄＢと従来構成に比べ、挿入損失をほとん
ど劣化することなく、減衰量を２２.４ｄＢ改善するこ
とができた。
ルタの周波数特性を図４に示す。図４において、通過帯
域近傍の高周波側に減衰極が形成されている。この誘電
体フィルタの中心周波数は９００ＭＨｚで、挿入損失は
２.２７ｄＢ、また、通過帯域近傍の高周波側の９５０
ＭＨｚ付近に減衰極を形成することによって、減衰量
は、４６.５ｄＢと従来構成に比べ、挿入損失をほとん
ど劣化することなく、減衰量を２２.４ｄＢ改善するこ
とができた。
【００１４】以上の実施の形態は、説明のため単純化し
ているが、同軸型共振器及び接続されるチップコンデン
サ（キャパシタ）、インダクタも複数個あっても構わな
い。さらに、キャパシタとインダクタが複数個組み合わ
されていても構わない。
ているが、同軸型共振器及び接続されるチップコンデン
サ（キャパシタ）、インダクタも複数個あっても構わな
い。さらに、キャパシタとインダクタが複数個組み合わ
されていても構わない。
【００１５】
【発明の効果】以上、述べたごとく、本発明によれば、
誘電体セラミック基板上に形成された導体膜に、チップ
コンデンサ（キャパシタ）またはコイル（インダクタ）
を外付けすることによって、通過帯域近傍に減衰極を形
成することによって、通過帯域での挿入損失を劣化させ
ることなく、減衰量を大きくできる誘電体フィルタを提
供することができる。
誘電体セラミック基板上に形成された導体膜に、チップ
コンデンサ（キャパシタ）またはコイル（インダクタ）
を外付けすることによって、通過帯域近傍に減衰極を形
成することによって、通過帯域での挿入損失を劣化させ
ることなく、減衰量を大きくできる誘電体フィルタを提
供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の誘電体フィルタの
外観斜視図。
外観斜視図。
【図２】図１の誘電体フィルタの周波数特性図。
【図３】本発明の第２の実施の形態の誘電体フィルタの
外観斜視図。
外観斜視図。
【図４】図３の誘電体フィルタの周波数特性図。
【図５】本発明の減衰極を形成するための誘電体フィル
タの等価回路。
タの等価回路。
【図６】従来技術による誘電体フィルタの外観斜視図。
【図７】誘電体セラミック基板の構造図。
【図８】従来技術の誘電体フィルタの等価回路を示す
図。
図。
【図９】従来技術による誘電体フィルタの周波数特性を
示す図。
示す図。
１ 同軸型共振器 ２ 基板 ３ 接地導体 ４ 誘電体セラミック基板 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ （第二の）導体膜 ６ａ，６ｂ，６ｃ （第一の）導体膜 ７ 端子ピン ８ 内導体 ９ 接続端子 １０ 入出力端子 １１ 接地端子 １２ 金属ケース １３ インダクタ １４ チップコンデンサ（キャパシタ） １５ 矢印 ３１，３２，・・・，３ｎ 共振器 ４１，４２，・・・，４ｎ 結合用キャパシタ ５１ 減衰極形成用キャパシタ ５２ 減衰極形成用インダクタ Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3，Ｃ4 キャパシタ
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の同軸型共振器を備えた誘電体フィ
ルタであって、誘電体セラミック基板の一方の面に前記
同軸型共振器の内導体と接続するための第一の導体膜
が、ある所定の間隔をおいて複数個形成され、該第一の
導体膜と対向する他方の面に、第二の導体膜が、ある所
定の間隔をおいて複数個形成され、前記第一の導体膜と
前記第二の導体膜との間に形成される容量によって複数
の同軸型共振器間を結合し、相隣り合う前記第二の導体
膜間に、インダクタが接続されたことを特徴とする誘電
体フィルタ。 - 【請求項２】 複数の同軸型共振器を備えた誘電体フィ
ルタであって、誘電体セラミック基板の一方の面に前記
同軸型共振器の内導体と接続するための第一の導体膜
が、ある所定の間隔をおいて複数個形成され、該第一の
導体膜と対向する他方の面に、第二の導体膜が、ある所
定の間隔をおいて複数個形成され、前記第一の導体膜と
前記第二の導体膜との間に形成される容量によって複数
の同軸型共振器間を結合し、相隣り合う前記第二の導体
膜間に、キャパシタが接続されたことを特徴とする誘電
体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22730497A JPH1168408A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22730497A JPH1168408A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1168408A true JPH1168408A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16858720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22730497A Pending JPH1168408A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1168408A (ja) |
-
1997
- 1997-08-08 JP JP22730497A patent/JPH1168408A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100202464B1 (ko) | 스트립라인 공진기 | |
| EP1432133A1 (en) | Duplexer and communication apparatus | |
| JPH10290108A (ja) | 方向性結合器 | |
| JPH11186819A (ja) | 帯域阻止フィルタ及びデュプレクサ | |
| JP3071528B2 (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JPH0234001A (ja) | 帯域阻止フイルタ | |
| JPH10163708A (ja) | 有極型誘電体フィルタ及びこれを用いた誘電体デュプレクサ | |
| US6369668B1 (en) | Duplexer and communication apparatus including the same | |
| US7782157B2 (en) | Resonant circuit, filter circuit, and multilayered substrate | |
| KR100550878B1 (ko) | 적층형 유전체 필터 | |
| JPH1168408A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2000091807A (ja) | 誘電体バンドパス・フィルタ | |
| JPH1141008A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP3521868B2 (ja) | フィルタ、アンテナ共用器及び通信機装置 | |
| JPH0818306A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| JP2002164710A (ja) | 積層型デュプレクサ | |
| KR100344228B1 (ko) | 공진기 결합형 유전체 필터 | |
| JPH07131204A (ja) | 誘電体フィルタ | |
| KR19990049687A (ko) | 듀플렉스 유전체 필터 | |
| JP2002016403A (ja) | 誘電体フィルタ、アンテナ共用器及び通信機器 | |
| US6429753B1 (en) | High-frequency filter, complex electronic component using the same, and portable radio apparatus using the same | |
| KR100323544B1 (ko) | 유전체 필터 및 그 제조방법 | |
| JPH048645Y2 (ja) | ||
| JPS63212202A (ja) | 共振器 | |
| JPH10190311A (ja) | 誘電体フィルタ |