JPH1168669A - 光送信装置 - Google Patents
光送信装置Info
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- JPH1168669A JPH1168669A JP9226517A JP22651797A JPH1168669A JP H1168669 A JPH1168669 A JP H1168669A JP 9226517 A JP9226517 A JP 9226517A JP 22651797 A JP22651797 A JP 22651797A JP H1168669 A JPH1168669 A JP H1168669A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 入力信号のマーク率の変動に対しても外部変
調器の動作点を最適に制御する。 【解決手段】 ＬＤ１０からの光を、入力信号で強度変
調して光信号を出力する外部変調器１７を有し、ＬＤの
光出力の変化量を検出するとともに、強度変調された光
信号の平均値を平均値検出回路２０で検出し、変化量と
平均値に基づきバイアス電圧を制御し、制御されたバイ
アス電圧を外部変調器に印加する光送信装置において、
入力信号のマーク率をマーク率検出回路２１で検出し、
検出されたマーク率に基づいて光出力の変化量をＯＰア
ンプ１４で補正し、ＯＰアンプ２２でこの変化量に基づ
いて光信号の平均値を補正することによって、外部変調
器のバイアス電圧を制御る。
調器の動作点を最適に制御する。 【解決手段】 ＬＤ１０からの光を、入力信号で強度変
調して光信号を出力する外部変調器１７を有し、ＬＤの
光出力の変化量を検出するとともに、強度変調された光
信号の平均値を平均値検出回路２０で検出し、変化量と
平均値に基づきバイアス電圧を制御し、制御されたバイ
アス電圧を外部変調器に印加する光送信装置において、
入力信号のマーク率をマーク率検出回路２１で検出し、
検出されたマーク率に基づいて光出力の変化量をＯＰア
ンプ１４で補正し、ＯＰアンプ２２でこの変化量に基づ
いて光信号の平均値を補正することによって、外部変調
器のバイアス電圧を制御る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部変調器を用い
た光送信装置に関し、特に外部変調器のバイアス電圧を
制御する光送信装置に関する。
た光送信装置に関し、特に外部変調器のバイアス電圧を
制御する光送信装置に関する。
【０００２】
【関連する背景技術】従来、この種の光送信装置には、
例えば特開平５−２３２４１２号公報に示すように、レ
ーザダイオードの光出力を電圧に変換し、上記電圧に基
づいて、外部変調器の光出力の平均値と比較する基準電
圧を補償し、上記変調器の動作点のバイアス制御を行う
ことにより、上記動作点を常に最適の状態に保とうとす
るものがあった。
例えば特開平５−２３２４１２号公報に示すように、レ
ーザダイオードの光出力を電圧に変換し、上記電圧に基
づいて、外部変調器の光出力の平均値と比較する基準電
圧を補償し、上記変調器の動作点のバイアス制御を行う
ことにより、上記動作点を常に最適の状態に保とうとす
るものがあった。
【０００３】例えば、図５に示すように、伝送する入力
信号のマーク率が５０％の場合、上記変調器の光出力Ｐ
oは、最大振幅を得られるので、消光比は大きくなり、
この
信号のマーク率が５０％の場合、上記変調器の光出力Ｐ
oは、最大振幅を得られるので、消光比は大きくなり、
この
【０００４】
【外１】
【０００５】ic Half-wave Voltage）で、ＶMoptは、外
部変調器の使用する最適動作範囲の中
部変調器の使用する最適動作範囲の中
【０００６】
【外２】
【０００７】、Ｖin LとＶin Hは、Ｖinのローレベルと
ハイレベルで、ＶCは、ＤＣバイアス電圧である。
ハイレベルで、ＶCは、ＤＣバイアス電圧である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記装置で
は、伝送する入力信号のマーク率が変動した場合、外部
変調器の使用する最適動作範囲の中間点の入力電圧ＶMo
ptが変化していないにも関わらず、バイアス電圧が最適
値からずれるという問題点があった。すなわち、図６に
示すように、上記マーク率が５０％から１２．５％に変
化した直後の場合には、バイアス電圧ＶCは、０の状態
から変化していない状態である。また、ＶMoptは、変化
していないと仮定する。この状態で、入力信号Ｖinの平
均電圧は、−０．３７５であり、光出力Ｐoの平均値
は、０．１２５となり、マーク率５０％の場合より小さ
くなる。この時、変調器の光出力の平均値が小さくなる
が、レーザダイオードの光出力は、変化しないので、そ
れに伴うＡＰＣ回路の出力電圧は変化しない。従って、
従来例では、光源からの光出力の変化量と変調器の光出
力の平均値が、ＶCを大きくしてＰoの平均光出力をマー
ク率５０％の場合と同じ光出力とするように制御され
る。この時、ＶMoptは、変化していない（外部変調器の
特性は同じ）から、ＶCとＶMoptは一致しなくなり、そ
の結果、光出力Ｐoの消光比は劣化することとなる。
は、伝送する入力信号のマーク率が変動した場合、外部
変調器の使用する最適動作範囲の中間点の入力電圧ＶMo
ptが変化していないにも関わらず、バイアス電圧が最適
値からずれるという問題点があった。すなわち、図６に
示すように、上記マーク率が５０％から１２．５％に変
化した直後の場合には、バイアス電圧ＶCは、０の状態
から変化していない状態である。また、ＶMoptは、変化
していないと仮定する。この状態で、入力信号Ｖinの平
均電圧は、−０．３７５であり、光出力Ｐoの平均値
は、０．１２５となり、マーク率５０％の場合より小さ
くなる。この時、変調器の光出力の平均値が小さくなる
が、レーザダイオードの光出力は、変化しないので、そ
れに伴うＡＰＣ回路の出力電圧は変化しない。従って、
従来例では、光源からの光出力の変化量と変調器の光出
力の平均値が、ＶCを大きくしてＰoの平均光出力をマー
ク率５０％の場合と同じ光出力とするように制御され
る。この時、ＶMoptは、変化していない（外部変調器の
特性は同じ）から、ＶCとＶMoptは一致しなくなり、そ
の結果、光出力Ｐoの消光比は劣化することとなる。
【０００９】また、上記マーク率が５０％以外の場合、
信号の振幅の中心電圧がバイアス電圧と一致しないた
め、外部変調器の使用する最適動作範囲の中間点の入力
電圧が変化していないにも関わらず、上記バイアス電圧
を変化しなければならないという問題点があった。すな
わち、例えば、マーク率が１２．５％の定常状態の場合
には、ＶCと外部変調器の電気入力信号の中心電圧が一
致しないので、制御をかけていない状態で、ＶMoptがマ
ーク率５０％の時と変化していないと仮定すると、図７
に示すような光出力となる。つまり、平均光出力が小さ
くなり、消光比が劣化することとなる。
信号の振幅の中心電圧がバイアス電圧と一致しないた
め、外部変調器の使用する最適動作範囲の中間点の入力
電圧が変化していないにも関わらず、上記バイアス電圧
を変化しなければならないという問題点があった。すな
わち、例えば、マーク率が１２．５％の定常状態の場合
には、ＶCと外部変調器の電気入力信号の中心電圧が一
致しないので、制御をかけていない状態で、ＶMoptがマ
ーク率５０％の時と変化していないと仮定すると、図７
に示すような光出力となる。つまり、平均光出力が小さ
くなり、消光比が劣化することとなる。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、入力信号のマーク率の変動に対しても外部変調器の
動作点を最適に制御できる光送信装置を提供することを
目的とする。
で、入力信号のマーク率の変動に対しても外部変調器の
動作点を最適に制御できる光送信装置を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、入力信号のマーク率をマーク率検出回
路からなる検出手段で検出し、検出されたマーク率に基
づいて光出力の変化量をＯＰアンプからなる補正手段で
補正し、補正された変化量と光信号の平均値に基づいて
外部変調器のバイアス電圧を制御する。
め、本発明では、入力信号のマーク率をマーク率検出回
路からなる検出手段で検出し、検出されたマーク率に基
づいて光出力の変化量をＯＰアンプからなる補正手段で
補正し、補正された変化量と光信号の平均値に基づいて
外部変調器のバイアス電圧を制御する。
【００１２】すなわち、入力信号のマーク率の変動を検
出し、このマーク率の変動に対しても、補正された光出
力の変化量に基づいて光信号の平均値を補正し、バイア
ス電圧を制御することによって、外部変調器の動作点を
制御する。
出し、このマーク率の変動に対しても、補正された光出
力の変化量に基づいて光信号の平均値を補正し、バイア
ス電圧を制御することによって、外部変調器の動作点を
制御する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係る光送信装置を図１乃
至図４の図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係
る光送信装置の構成の一実施例を示すブロック図であ
る。図において、１０は、レーザダイオードであり、モ
ニタ用フォトダイオード１１は、レーザダイオード１０
からの後方光をモニタしており、モニタ用フォトダイオ
ード１１でモニタされた後方光の平均光出力は、ＡＰＣ
回路１２で検出される。ＡＰＣ回路１２は、フォトダイ
オード１１で検出された平均光出力に応じてレーザダイ
オード１０の光出力を安定化させるべく、出力電圧ＶB
を制御してＬＤ駆動回路１３に出力する。また、ＡＰＣ
回路１２の出力電圧ＶBは、ＯＰアンプ１４にも入力す
る。ＬＤ駆動回路１３は、入力する出力電圧ＶBに応じ
て光出力を安定化させる。
至図４の図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係
る光送信装置の構成の一実施例を示すブロック図であ
る。図において、１０は、レーザダイオードであり、モ
ニタ用フォトダイオード１１は、レーザダイオード１０
からの後方光をモニタしており、モニタ用フォトダイオ
ード１１でモニタされた後方光の平均光出力は、ＡＰＣ
回路１２で検出される。ＡＰＣ回路１２は、フォトダイ
オード１１で検出された平均光出力に応じてレーザダイ
オード１０の光出力を安定化させるべく、出力電圧ＶB
を制御してＬＤ駆動回路１３に出力する。また、ＡＰＣ
回路１２の出力電圧ＶBは、ＯＰアンプ１４にも入力す
る。ＬＤ駆動回路１３は、入力する出力電圧ＶBに応じ
て光出力を安定化させる。
【００１４】一方、入力信号は、ドライバアンプ１５で
増幅された後に、バイアス制御回路１６に入力する。外
部変調器１７は、例えばマッハツェンダ型光変調器から
なり、バイアス制御回路１６からの上記入力信号によっ
て、レーザダイオード１０から入力された光信号を光の
強度変調している。変調された光信号は、光カプラ１８
を介して出力される。また、光カプラ１８で分岐された
光信号は、フォトダイオード１９で検出されており、上
記検出された光信号は、平均値検出回路２０に入力され
る。平均値検出回路２０は、その光出力レベルＰoの平
均値を検出して、上記平均値に応じた出力電圧ＶAをＯ
Ｐアンプ２２に出力する。
増幅された後に、バイアス制御回路１６に入力する。外
部変調器１７は、例えばマッハツェンダ型光変調器から
なり、バイアス制御回路１６からの上記入力信号によっ
て、レーザダイオード１０から入力された光信号を光の
強度変調している。変調された光信号は、光カプラ１８
を介して出力される。また、光カプラ１８で分岐された
光信号は、フォトダイオード１９で検出されており、上
記検出された光信号は、平均値検出回路２０に入力され
る。平均値検出回路２０は、その光出力レベルＰoの平
均値を検出して、上記平均値に応じた出力電圧ＶAをＯ
Ｐアンプ２２に出力する。
【００１５】また、入力信号は、マーク率検出回路２１
にも入力している。マーク率検出回路２１は、図２に示
すように、上記入力信号を反転出力するＥＣＬバッファ
アンプ２１ａと、上記反転出力を取り込んで、入力信号
の平均値を出力する積分回路２１ｂと、上記平均値に基
づくマーク率を検出し、検出結果である出力電圧ＶMを
ＯＰアンプ１４に出力するＯＰアンプ２１ｃとから構成
されている。
にも入力している。マーク率検出回路２１は、図２に示
すように、上記入力信号を反転出力するＥＣＬバッファ
アンプ２１ａと、上記反転出力を取り込んで、入力信号
の平均値を出力する積分回路２１ｂと、上記平均値に基
づくマーク率を検出し、検出結果である出力電圧ＶMを
ＯＰアンプ１４に出力するＯＰアンプ２１ｃとから構成
されている。
【００１６】ＯＰアンプ１４は、入力するＡＰＣ回路１
２の出力電圧ＶBとマーク率検出回路２１の出力電圧ＶM
を比較して、比較結果である出力電圧ＶDをＯＰアンプ
２２に出力する。ＯＰアンプ２２は、入力するＯＰアン
プ１４の出力電圧ＶDと平均値検出回路２０の出力電圧
ＶAを比較して、比較結果である出力電圧、すなわちＤ
Ｃバイアス電圧ＶCをバイアス制御回路１６に出力す
る。バイアス制御回路１６は、入力するドライバアンプ
１５の入力信号とＯＰアンプ２２のＤＣバイアス電圧Ｖ
Cとを混合し、信号Ｖinとして外部変調器１７に出力す
る。
２の出力電圧ＶBとマーク率検出回路２１の出力電圧ＶM
を比較して、比較結果である出力電圧ＶDをＯＰアンプ
２２に出力する。ＯＰアンプ２２は、入力するＯＰアン
プ１４の出力電圧ＶDと平均値検出回路２０の出力電圧
ＶAを比較して、比較結果である出力電圧、すなわちＤ
Ｃバイアス電圧ＶCをバイアス制御回路１６に出力す
る。バイアス制御回路１６は、入力するドライバアンプ
１５の入力信号とＯＰアンプ２２のＤＣバイアス電圧Ｖ
Cとを混合し、信号Ｖinとして外部変調器１７に出力す
る。
【００１７】外部変調器１７は、レーザダイオード１０
からの入力光をバイアス制御回路１６からの信号Ｖinで
変調して、光出力Ｐoの光信号を出力することができ
る。なお、外部変調器１７の光出力Ｐoとマーク率との
関係は、図３に示すような関係になる。図３において、
入力信号が例えばＮＲＺ（Non Return to Zero）符号の
場合には、マーク率は５０％であり、例えばＲＺ（Retu
rn to Zero）符号の場合には、マーク率は１２．５％と
なる。従って、マーク率が変動すると、平均値検出回路
２０の出力電圧ＶAも変動することとなり、このために
ＤＣバイアス電圧ＶCが変化する。
からの入力光をバイアス制御回路１６からの信号Ｖinで
変調して、光出力Ｐoの光信号を出力することができ
る。なお、外部変調器１７の光出力Ｐoとマーク率との
関係は、図３に示すような関係になる。図３において、
入力信号が例えばＮＲＺ（Non Return to Zero）符号の
場合には、マーク率は５０％であり、例えばＲＺ（Retu
rn to Zero）符号の場合には、マーク率は１２．５％と
なる。従って、マーク率が変動すると、平均値検出回路
２０の出力電圧ＶAも変動することとなり、このために
ＤＣバイアス電圧ＶCが変化する。
【００１８】ここで、マーク率が変動した場合、光信号
の光出力Ｐoの消光比を劣化させないためには、ＤＣバ
イアス電圧ＶCを適切な値に変化させる必要がある。こ
のＤＣバイアス電圧ＶCを変化させるには、レーザダイ
オード１０の出力レベルや、外部変調器１７の使用する
最適動作範囲の中間点の入力電圧が変動しない場合で
も、ＯＰアンプ２２における基準電圧（ＯＰアンプ１４
の出力電圧）ＶDを変化させる必要がある。そして、こ
の基準電圧ＶDを変化させるには、ＯＰアンプ１４の入
力である出力電圧ＶMを変化させる必要がある。
の光出力Ｐoの消光比を劣化させないためには、ＤＣバ
イアス電圧ＶCを適切な値に変化させる必要がある。こ
のＤＣバイアス電圧ＶCを変化させるには、レーザダイ
オード１０の出力レベルや、外部変調器１７の使用する
最適動作範囲の中間点の入力電圧が変動しない場合で
も、ＯＰアンプ２２における基準電圧（ＯＰアンプ１４
の出力電圧）ＶDを変化させる必要がある。そして、こ
の基準電圧ＶDを変化させるには、ＯＰアンプ１４の入
力である出力電圧ＶMを変化させる必要がある。
【００１９】また、本実施例の上記各出力電圧とマーク
率との関係を示すと表１のようになる。なお、表１で
は、レーザダイオード１０の出力が一定の場合を考えた
もので、このためにＡＰＣ回路１２の出力ＶBは一定と
なっている。
率との関係を示すと表１のようになる。なお、表１で
は、レーザダイオード１０の出力が一定の場合を考えた
もので、このためにＡＰＣ回路１２の出力ＶBは一定と
なっている。
【００２０】
【表１】
【００２１】すなわち、マーク率と出力電圧ＶMとの関
係は、反比例の関係にあり、本実施例のマーク率検出回
路２１では、マーク率と出力電圧ＶMの変換利得を持
ち、マーク率５０％を基準とし、入力信号が例えばＮＲ
Ｚ符号からＲＺ符号に変わってマーク率が小さくなる
と、その小さくなったマーク率に応じて、高い出力電圧
ＶMをＯＰアンプ１４に出力してＡＰＣ回路１２の出力
電圧ＶBを補正する。これにより、ＯＰアンプ１４から
出力される出力電圧ＶDは、低くなる。また、図３の関
係から、平均値検出回路２０からの、低い出力電圧ＶA
が出力されるので、ＯＰアンプ２２からは、その比較結
果である低いＤＣバイアス電圧ＶCがバイアス制御回路
１６に出力されることとなる。
係は、反比例の関係にあり、本実施例のマーク率検出回
路２１では、マーク率と出力電圧ＶMの変換利得を持
ち、マーク率５０％を基準とし、入力信号が例えばＮＲ
Ｚ符号からＲＺ符号に変わってマーク率が小さくなる
と、その小さくなったマーク率に応じて、高い出力電圧
ＶMをＯＰアンプ１４に出力してＡＰＣ回路１２の出力
電圧ＶBを補正する。これにより、ＯＰアンプ１４から
出力される出力電圧ＶDは、低くなる。また、図３の関
係から、平均値検出回路２０からの、低い出力電圧ＶA
が出力されるので、ＯＰアンプ２２からは、その比較結
果である低いＤＣバイアス電圧ＶCがバイアス制御回路
１６に出力されることとなる。
【００２２】また、逆にマーク率が大きくなると、マー
ク率検出回路２１では、その大きくなったマーク率に応
じて、低い出力電圧ＶMをＯＰアンプ１４に出力してＡ
ＰＣ回路１２の出力電圧ＶBを補正する。これにより、
ＯＰアンプ１４から出力される出力電圧ＶDは、高くな
る。また、平均値検出回路２０からは、高い出力電圧Ｖ
Aが出力されるが、相対的には出力電圧ＶDの方が出力電
圧ＶAより大きいので、ＯＰアンプ２２からは、高いＤ
Ｃバイアス電圧ＶCがバイアス制御回路１６に出力され
ることとなる。
ク率検出回路２１では、その大きくなったマーク率に応
じて、低い出力電圧ＶMをＯＰアンプ１４に出力してＡ
ＰＣ回路１２の出力電圧ＶBを補正する。これにより、
ＯＰアンプ１４から出力される出力電圧ＶDは、高くな
る。また、平均値検出回路２０からは、高い出力電圧Ｖ
Aが出力されるが、相対的には出力電圧ＶDの方が出力電
圧ＶAより大きいので、ＯＰアンプ２２からは、高いＤ
Ｃバイアス電圧ＶCがバイアス制御回路１６に出力され
ることとなる。
【００２３】これにより、バイアス制御回路１６は、マ
ーク率が低くなると、光信号の出力レベルが小さくなる
ので、低いバイアスの信号Ｖinを外部変調器１７に出力
し、マーク率が高くなると、光信号の出力レベルが大き
くなるので、高いバイアスの信号Ｖinを外部変調器１７
に出力する。すなわち、例えば図４に示すように、マー
ク率が５０％から１２．５％に変動すると、上記マーク
率に基づく出力電圧ＶMでＡＰＣ回路の出力電圧ＶBを補
正し、この補正された出力電圧ＶDで外部変調器の出力
平均レベルのモニタ電圧（平均値検出回路の出力電圧）
ＶAを補正して、バイアス電圧ＶCを最適バイアス電圧値
−０．３７５に変化させる。
ーク率が低くなると、光信号の出力レベルが小さくなる
ので、低いバイアスの信号Ｖinを外部変調器１７に出力
し、マーク率が高くなると、光信号の出力レベルが大き
くなるので、高いバイアスの信号Ｖinを外部変調器１７
に出力する。すなわち、例えば図４に示すように、マー
ク率が５０％から１２．５％に変動すると、上記マーク
率に基づく出力電圧ＶMでＡＰＣ回路の出力電圧ＶBを補
正し、この補正された出力電圧ＶDで外部変調器の出力
平均レベルのモニタ電圧（平均値検出回路の出力電圧）
ＶAを補正して、バイアス電圧ＶCを最適バイアス電圧値
−０．３７５に変化させる。
【００２４】従って、本実施例では、マーク率が変動し
ても、上記変動に応じて外部変調器のバイアス電圧が最
適値になるように制御するので、外部変調器の動作点を
最適に制御してレーザダイオードからの入力光をバイア
ス制御回路からの入力信号で変調して出力することがで
き、これにより光出力レベルの消光比が劣化せず、マー
ク率の変動に伴う伝送品質の劣化を防止することができ
る。
ても、上記変動に応じて外部変調器のバイアス電圧が最
適値になるように制御するので、外部変調器の動作点を
最適に制御してレーザダイオードからの入力光をバイア
ス制御回路からの入力信号で変調して出力することがで
き、これにより光出力レベルの消光比が劣化せず、マー
ク率の変動に伴う伝送品質の劣化を防止することができ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、光源
からの光を、入力信号で強度変調して光信号を出力する
変調器を有し、前記光源からの光出力の変化量を検出す
るとともに、前記強度変調された光信号の平均値を検出
し、前記変化量と前記平均値に基づきバイアス電圧を制
御し、該制御されたバイアス電圧を前記変調器に印加す
る光送信装置において、前記入力信号のマーク率を検出
する検出手段と、前記検出されたマーク率に基づいて前
記変化量を補正する補正手段を備えたので、入力信号の
マーク率の変動に対しても、補正された変化量と光信号
の平均値に基づいてバイアス電圧を制御して外部変調器
の動作点を最適に制御できる。
からの光を、入力信号で強度変調して光信号を出力する
変調器を有し、前記光源からの光出力の変化量を検出す
るとともに、前記強度変調された光信号の平均値を検出
し、前記変化量と前記平均値に基づきバイアス電圧を制
御し、該制御されたバイアス電圧を前記変調器に印加す
る光送信装置において、前記入力信号のマーク率を検出
する検出手段と、前記検出されたマーク率に基づいて前
記変化量を補正する補正手段を備えたので、入力信号の
マーク率の変動に対しても、補正された変化量と光信号
の平均値に基づいてバイアス電圧を制御して外部変調器
の動作点を最適に制御できる。
【図１】本発明に係る光送信装置の構成の一実施例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２】図１に示したマーク率検出回路の構成の一実施
例を示す構成図である。
例を示す構成図である。
【図３】外部変調器出力レベルとマーク率の関係を示す
関係図である。
関係図である。
【図４】図１に示した光送信装置におけるマーク率が１
２．５％に変化した場合の光変調の波形を示す波形図で
ある。
２．５％に変化した場合の光変調の波形を示す波形図で
ある。
【図５】マーク率が５０％での従来例における光変調の
波形を示す波形図である。
波形を示す波形図である。
【図６】マーク率が１２．５％に変化した直後での従来
例における光変調の波形を示す波形図である。
例における光変調の波形を示す波形図である。
【図７】同じくマーク率が１２．５％での従来例におけ
る光変調の波形を示す波形図である。
る光変調の波形を示す波形図である。
１０ レーザダイオード １１ モニタ用フォトダイオード １２ ＡＰＣ回路 １３ ＬＤ駆動回路 １４ ＯＰアンプ １５ ドライバアンプ １６ バイアス制御回路 １７ 外部変調器 １８ 光カプラ １９ フォトダイオード ２０ 平均値検出回路 ２１ マーク率検出回路 ２２ ＯＰアンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 光源からの光を、入力信号で強度変調し
て光信号を出力する変調器を有し、前記光源からの光出
力の変化量を検出するとともに、前記強度変調された光
信号の平均値を検出し、前記変化量と前記平均値に基づ
きバイアス電圧を制御し、該制御されたバイアス電圧を
前記変調器に印加する光送信装置において、 前記入力信号のマーク率を検出する検出手段と、 前記検出されたマーク率に基づいて前記変化量を補正す
る補正手段を備えたことを特徴とする光信号装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9226517A JPH1168669A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 光送信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9226517A JPH1168669A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 光送信装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1168669A true JPH1168669A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16846379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9226517A Pending JPH1168669A (ja) | 1997-08-22 | 1997-08-22 | 光送信装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1168669A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096954A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 光送信器、光送信方法および光送信プログラム |
| JP2008078353A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光送信装置 |
| JP2012073475A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Hitachi Information & Communication Engineering Ltd | 光変調装置 |
-
1997
- 1997-08-22 JP JP9226517A patent/JPH1168669A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007096954A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | 光送信器、光送信方法および光送信プログラム |
| JP2008078353A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光送信装置 |
| JP2012073475A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Hitachi Information & Communication Engineering Ltd | 光変調装置 |
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