JPH1174186A - 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法

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JPH1174186A
JPH1174186A JP9247501A JP24750197A JPH1174186A JP H1174186 A JPH1174186 A JP H1174186A JP 9247501 A JP9247501 A JP 9247501A JP 24750197 A JP24750197 A JP 24750197A JP H1174186 A JPH1174186 A JP H1174186A
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stage
surface position
amount
wafer
positioning
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JP9247501A
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English (en)
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Yukio Yamane
幸男 山根
Tsuneo Takashima
常雄 高嶋
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特別な検出手段を追加することなく、微動も
含めたステージの移動動作に要する時間を短縮する。 【解決手段】 基板を保持する保持面を定盤に対してX
Yの各軸方向に移動可能なXYテーブルと、該XYテー
ブルに搭載され前記基板をXYの各軸回りに回転可能で
かつZ方向に移動可能な回転テーブルと、前記XYテー
ブルおよび前記回転テーブルを駆動制御する制御手段
と、前記基板の面位置を検出する面位置検出手段とを備
えた位置決め装置において、前記XYテーブルの移動時
に生じる前記基板の面位置の変化量を前記制御手段に予
め保持しておき、これを用いて前記面位置検出時におけ
る前記回転テーブルのXY各軸回りの回転量を最終的な
位置決め時の回転量とは独立して補正駆動する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハまた
は液晶パネル等の平板状物体にパターンを形成するため
の露光装置などに用いられる位置決め装置に関し、特に
半導体メモリや演算素子等の高密度集積回路チップの製
造の際に回路パターンの焼付けを行なうべきウエハ等の
被露光体の姿勢を的確に保持して高精度な露光を行なう
ことのできる位置決め装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、露光装置などに用いられる位置決
め装置は、一般にXY平面内をX方向およびY方向に移
動・位置決めするXYステージと、そのXYステージ上
に設置され、Z方向の移動・位置決め、Z軸に対する回
転・位置決めおよびX・Y両軸に対する回転・位置決め
を行なう微動ステージと、ウエハの露光領域の傾きを検
出する面位置検出装置から構成されている。これによ
り、XY平面内を所定距離だけ高速に移動しウエハの露
光領域の面位置を検出して微動ステージでこれを補正し
た後に露光動作する、いわゆるステップアンドリピート
を行なって半導体の回路パターン等の焼付けが行なわれ
る。
【0003】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例ではステップ動作の開始時および終了時に、進
行方向に対するピッチング(縦揺れ)が避けられなかっ
た。特にステップ動作終了時のピッチングは、ウエハ面
が露光面に対して傾くように作用するので、ピッチング
の収束を待ってから面位置の検出を開始せざるを得なか
った。また、基準面自体も加工精度の限界から面のゆが
みがあり、またその上をある重量を持ったステージが移
動するので移動荷重による変形の発生も無視できないた
め、所定の位置への移動が完了した後に面位置の検出を
開始せざるを得なかった。そして、その後に測定された
面位置を補正するように微動ステージが駆動し、それが
完了してから初めて露光動作が開始できた。すなわち、
XYステージの移動とウエハ面位置の測定と微動ステー
ジの補正駆動とを並行して行なうことできず、これらの
動作を順次行なう必要があったため、結果として微動も
含めたステージの移動動作に要する時間が長くなり、ひ
いては装置全体のスループットを悪化させるといった問
題点があった。
【0004】また、上記問題点に対処するために、微動
ステージの基準面に対する傾きを検出するための角変位
センサを設けたり、微動ステージの傾き変化を検出する
ための角加速度計や角速度計等を設け、その信号をもと
にして微動ステージのチルティング制御を行なうことで
上記ピッチングの影響を補正をする方法も考えられる
が、検出器をつけることによって移動部の重量が増して
ステージの高速性が損なわれたり、検出手段の検出動作
や演算動作や制御手段への通信動作などが追加になるた
めにステップ時間が長くなったり、コストが上昇すると
いった問題点があった。
【0005】本発明は、上述の従来例におけるに問題点
を解決するためのもので、特別な検出手段を追加するこ
となく、微動も含めたステージの移動動作に要する時間
を短縮し、露光装置に用いて装置全体のスループット向
上に寄与する位置決め装置を提供することを目的とす
る。
【0006】
【問題点を解決するための手段】上記の目的を達成する
ため本発明では、基板を保持する保持面を定盤に対して
XYの各軸方向に移動可能なXYテーブルと、該XYテ
ーブルに搭載され前記基板をXYの各軸回りに回転可能
でかつZ方向に移動可能な回転テーブルと、前記XYテ
ーブルおよび前記回転テーブルを駆動制御する制御手段
と、前記基板の面位置を検出する面位置検出手段とを備
えた位置決め装置において、前記XYテーブルの移動時
に生じる前記基板の面位置の変化量を前記制御手段に予
め保持しておき、これを用いて前記面位置検出手段の検
出時における前記回転テーブルのXY各軸回りの回転量
を最終的な位置決め時の回転量とは独立して補正駆動す
ることを特徴とする。
【0007】前記XYテーブルの移動時に生じる前記基
板の面位置の変化量として、前記制御手段は、前記XY
テーブルの移動量および/または移動方向に応じたXY
の各軸回りの回転方向の回転角およびZ方向変位に関す
る数値を予め計算または測定によって求めておき、それ
を前記XYテーブルの移動量および/または移動方向を
変数としたテーブルまたは関数として保持する。あるい
は、前記XYテーブルのXY座標に応じた前記XYの各
軸回りの回転角およびZ方向変位の補正値を予め計算ま
たは測定によって求めておき、それを前記XYテーブル
のXY座標を変数としたテーブルまたは関数として保持
する。
【0008】
【作用】本発明の位置決め装置は、ステップアンドリピ
ート式の露光装置に好適に適用される。その場合、予め
ステージのピッチング量や基準面の変形量を求めて、こ
れに起因する基板の露光領域における高さと傾きの変化
値を保持しておき、上記面位置の計測する瞬間における
微動ステージのチルティング角を最終的な位置決め時に
おけるチルティング角とは独立して補正駆動すること
で、特別な検出手段を追加することなく、ステージがま
だ移動している時でも上記面位置検出装置による正確な
検出ができる。なお、上記の予め求める基板の露光領域
における高さと傾きの変化値は、ステップ移動の距離に
応じたテーブルや、ステージのXY座標に応じたテーブ
ルとして保持しておく。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図1は本発明の一実施例に係る露光
装置用位置決め装置の構成を示す。図中、1はステージ
定盤であり、2(2a,2b)はY方向の駆動を行なう
Yリニアモータ、3はY方向の直動ガイドを行なうYガ
イド、4(4a,4b)はY方向の移動を行なうととも
に後述のXガイドを搭載するYステージである。5はX
方向の駆動を行なうXリニアモータ、6はX方向の直動
ガイドを行なうXガイド、7はX方向に移動するXステ
ージである。これらはYステージ4(4a,4b)に結
合されているので、Xステージ7はX方向およびY方向
の両方に自在に移動可能である。8はエアーパッドであ
り、上記Yステージ4(4a,4b)およびXステージ
7を上記ステージ定盤1に対して数μmないし数十μm
浮上させている。9はZ方向の移動およびXYZの各軸
回りの回転方向に可動な微動ステージであり、10は真
空吸着で微動ステージ9上に吸着固定されたウエハであ
る。11はウエハ10の面位置測定用の光照射手段であ
り、12はそれをウエハ10の露光領域およびその周辺
に導くための反射ミラーである。13はウエハ10の露
光領域の面位置および傾きを検出する面位置検出手段、
14はウエハ10からの面位置測定用の光束の反射を面
位置検出手段13に導く反射ミラーである。
【0010】図2は図1の装置における動作を示す図で
ある。図中、図1と同一番号を付したものは同一の要素
を示している。図2において、111は白色ランプなど
の光源であり、112は光源111からの光束を断面の
強度分布が略均一の平行光束として射出するコリメータ
ーレンズである。113はプリズム形状のスリット部材
であり、複数の開口部(例えば5個のピンホールなど)
を有している。114は投光レンズ系であり、両テレセ
ントリック系より成り、スリット部材113の複数の開
口部を通過した複数の光束をミラー12を介してウエハ
10面上の複数の測定点に導光している。これらの部材
111,112,113,114から上記光照射手段1
1が構成されている。131は受光レンズであり、両テ
レセントリック系より成りウエハ10からの複数の測定
点をミラー14を介して受光する。132は受光レンズ
131によってウエハ10上の各測定点に対して形成さ
れる複数のピンホール像を示す。133は複数のピンホ
ール像132からの光束を、後述する光電変換手段の検
出面上に互いに同一の大きさになるように再結像させる
複数の補正光学系(図では簡略化のために代表して1個
のみ記載)である。134は2次元CCDなどの光電変
換手段である。これらの部材131,133,134か
ら上記面位置検出手段13が構成されている。15a,
15bはZアクチュエータであり、チルティング用アク
チュエータも兼用している。すなわち、それぞれのZ方
向の変位を相対的に増減することでXおよびY軸回りの
回転方向(チルティング)の変位も同時に得られる。ま
た、図では簡略化のため2個のアクチュエータとして記
載したがXY両軸回りの回転方向に可動にするためには
少なくとも3個またはそれ以上のアクチュエータが必要
である。16はこれらステージ全体を制御する制御ボッ
クスである。17は面位置検出手段13の検出信号をも
とにウエハ10の露光領域の高さと傾きを求めるフォー
カス制御ボックスである。18は予め求めておいた、ス
テップ量およびXY座標とウエハ10の像面に対する傾
きの変動量との関係を保持しておく参照テーブルであ
る。
【0011】次に図1および2に示す装置における本発
明に係る動作を順に説明する。例えば図のX方向にステ
ップ動作をする場合、Xリニアモータ5はXステージ7
に対して推力を与え、Xステージ7はXガイド6に沿っ
て直線上に移動し、所定距離だけ移動した後、Xリニア
モータ5はXステージ7に対して制動力を与え、所定位
置に停止する。次に光源111から投光された光束はコ
リメータレンズ112により略平行光束として射出さ
れ、スリット部材を透過して複数の独立した測定用光束
となり、投光レンズ系114およびミラー12を介して
ウエハ10の露光領域およびその周辺の測定点に投光さ
れる。複数の測定光はウエハ10の面上で反射しミラ−
14および受光レンズ131により各測定点に対して複
数のピンホール像132が形成され、これはさらに補正
光学系133によって光電変換手段134上に再結像さ
れ、光電変換手段134はこれを各測定点のそれぞれの
高さに関する信号として複数の電気信号に変換する。こ
れらの信号はフォーカス制御ボックス17に入力され、
ある所定の基準面に対する各測定点の高さが求められ、
次に各測定点の高さの平均値から露光領域の基準面に対
する高さが計算され、各測定点の高さの相対差から露光
領域のXおよびY軸回りの回転方向(チルティング)の
変位すなわち傾きが計算される。このようにしてウエハ
10の厚さばらつきや楔形状や反りに起因する、露光領
域の投影レンズ(図示せず)の像面に対する傾きが求め
られる。
【0012】ところが、Xリニアモータ5の発生力F
は、その作用線と、Xステージ7の重心位置Gとが必ず
しも一致しないため、加速時および減速時には図2に示
すようにモーメント力として作用する。一方、エアーパ
ッド8は原理的にステージ定盤1とのギャップが狭まれ
ば浮上力は増大し、広がれば減少するという特性を持っ
ているので、Xステージ7の傾きを水平位置に復元する
復元力として作用する。すなわち、Xステージ7の加減
速時には、上記Xリニアモータ5によるモーメントカと
上記エアーパッド8による復元力の釣り合う角度のピッ
チング角が生じることになる。
【0013】また、同じ原理で微動ステージ9のXステ
ージに対する相対変位についても同様の現象が生じる。
すなわち微動ステージ9は一般にフィードバック制御に
よってステージ7の移動中であっても常に一定の傾きを
保つように保持されているが、一方Xステージ7の加減
速時には上記Xリニアモータ5によって発生したモーメ
ント力が発生し、このモーメント力は構造上微動ステー
ジ9の重心とリニアモータ5の作用線より離れているた
めにより大きいモーメント力として作用する。従って、
このモーメント力と上記フィードバック制御による復元
力とが釣り合う角度のピッチング角がここでも生じるこ
とになる。
【0014】これらの現象は、Y方向のステップ動作を
する場合もまったく同様に生じる。さらに、ステージ定
盤はその加工精度の限界から面のゆがみが避けられない
ため、ステージの位置によって上面の傾きが僅かに異な
り、当然ステージ定盤を基準とするXステージもある傾
き誤差を持つことになる。
【0015】またステージ定盤の上をある重量を持った
Xステージ、Yステージおよび微動ステージの各ステー
ジが移動するので、この移動荷重による面歪みも避けら
れない。従って、従来の装置においては、上記ウエハ1
0の露光領域の傾きの測定を行なうには、ステップ動作
が完了してステージ定盤1に対するXステージ7のピッ
チングとXステージ7に対する微動ステージ9のピッチ
ングが解消している必要があった。またステージ定盤1
の加工精度に起因する面歪みや移動荷重による面歪みが
あるために、傾きの測定を行なう位置と露光位置とを一
致しなければならず、結局ステップ動作が完了している
必要があった。あるいは、完全にステップ動作が完了し
ない状態であっても、これら測定誤差が所定の許容値以
内になると予想される、ステップ動作完了の若干手前に
おいて傾きを測定する必要があった。すなわち、XYス
テージの移動とウエハ面位置の測定と微動ステージの補
正駆動とを並行して行なうことができず、順次行なう必
要があったため、ステージの移動動作に要する時間が長
くなり、結果としてステップ開始から露光動作に入れる
までに要する時間が長くなり、装置全体のスループット
を悪化させるといった問題点があった。
【0016】また、上記問題点に対処するために、Xス
テージ7や微動ステージ9の基準面に対する傾きを検出
するための角変位センサを設けたり、微動ステージの傾
き変化分を検出するための角加速度計や角速度計等を設
け、その信号をもとにしてウエハ10の傾きの測定値を
補正をする方法も考えられるが、検出器をつけることに
よって移動部の重量が増してステージの高速性が損なわ
れたり、検出手段の検出動作や演算動作や制御手段への
通信動作などが追加になるためにステップ時間が長くな
ったり、コストが上昇するといった問題点があった。ま
た、この場合でもステージ定盤の加工精度に起因する傾
きや、移動荷重によるステージ定盤の変形に起因する傾
きは、検出することが困難であった。
【0017】ところで、ステージ定盤1とXステージ7
との相対的なピッチング量は、リニアモータによる加速
度および加速時間と、エアーパッドによる復元力および
粘性抵抗と、Xステージ7とZリニアモータ15a,1
5bと微動ステージ9およびその搭載物からなる移動体
の重心位置および慣性モーメントとで決定される。この
うち加速度および加速時間以外は装置固有の値である。
また、リニアモータによる加速度と加速時間はステップ
移動量によって決定されるので、ステップ移動量さえ分
かっていれば、予めピッチング量と減衰特性は一意に求
めることができる。また、同様にXステージ7と微動ス
テージ9との相対的なピッチング量は、リニアモータに
よる加速度および加速時間と、フィードバック制御によ
る復元力などの制御特性と、微動ステージ9およびその
搭載物の重心位置および慣性モーメントとで決定される
ため、これもまたステップ移動量さえ分かっていれば、
予めピッチング量と減衰特性は一意に求めることができ
る。さらに、ステージ定盤1の加工精度による面歪みや
移動荷重による面歪みに起因するXステージ7の傾きは
予め測定などによって求めておけば、XYステージの位
置によってのみ決定されるため、XY座標が分かれば一
意に求めることができる。
【0018】本発明は、この点に着目したものであり、
ウエハ10の傾きの測定をステージの移動途中の比較的
早い段階、例えば定速度移動段階や減速段階など定めら
れた測定タイミングで行ない、その測定タイミングにお
けるピッチング量を予めステップ移動量、移動方向およ
びXY座標の少なくとも1つに関するテーブルまたは関
数の形で保持しておき、この測定タイミングにおける微
動ステージ9のチルティング駆動を最終的な位置決め時
のチルティング駆動量とは独立して補正駆動すること
で、傾き測定をする瞬間における上記ピッチングの影響
を打ち消し、測定精度を維持しつつ全体のステップ時間
の短縮を図るものである。
【0019】すなわち、例えばステージの定速度移動段
階や減速段階での露光領域の傾きの予め定められた計測
タイミングにおける各種のステップ移動量と移動方向に
応じたステージ定盤1とXステージ7との相対的なピッ
チング量およびXステージ7と微動ステージ9との相対
的なピッチング量を予め計算で求めておくか、または工
場検査時等に上記の各ピッチング量を測定しておいて、
テーブルまたは関数の形で参照テーブル18に保持して
おく。次に同様にして工場検査時等に、露光領域の傾き
の計測タイミングにおけるXY座標に応じたステージ定
盤1の加工精度による面歪みや移動荷重による面歪みに
起因するXステージ7の傾きを測定し、テーブルなどの
形で参照テーブル18に保持しておく。実際の装置の運
用時においては、ステージの移動途中例えば定速度移動
段階や減速段階における露光領域の傾きの予め定められ
た計測タイミングにおける上記保持しておいたピッチン
グ量に関する諸数値を参照テーブル18から制御ボック
ス16に通知する。これは、ステップ駆動の度に行なっ
てもよく、あるいは予め一連の露光動作の開始時に一括
して行なってもよい。制御ボックス16はこのピッチン
グ量を補正するように微動ステージ9のZアクチュエー
タ15を駆動し、そのタイミングにおけるウエハ10の
傾きを像面に略一致するよう、実際の位置決め完了時に
おける駆動量とは独立に補正駆動する。この補正駆動を
行なう時期はステップ開始時としてもよいし、ステップ
中の定められた時期としてもよいし、ウエハ10の露光
領域の傾き計測の直前としてもよい。次に、その予め定
められたタイミングにおいて上述した一連の動作により
ウエハ10の露光領域の傾きを測定する。これにより、
ウエハ10露光領域の傾きはステージが完全に停止する
前であっても上記ピッチングの影響は回避されているの
で常に正確な測定値が得られる。また、この微動ステー
ジ9が種々のピッチングの影響を打ち消すために行なう
補正駆動動作は、露光領域の傾きの測定時の限られた時
間にのみ行なえば良いので、常時動的に補正する方式に
比べ非常に容易に実現できる。次に、フォーカス制御ボ
ックス17は得られた傾き値を制御ボックス16に通知
する。制御ボックス16はこの測定された傾きから露光
動作を行なう位置におけるウエハ10の露光領域の傾き
を投影レンズの像面に正確に一致させるようなZアクチ
ュエータ15a,15bの駆動量を算出して駆動指令を
与える。Zアクチュエータ15a,15bが微動ステー
ジ9の傾きを変化させ、露光動作を行なう位置における
ウエハ10の露光領域が完全に投影レンズの像面に一致
するようにする。但しこの段階においては上述したよう
なステージの移動に伴う各種のピッチングがまだ残って
いるから、必ずしもその瞬間のウエハ10の高さや傾き
が像面に一致している必要はない。そして、相前後して
Xステージ7の移動が完了し、目標位置すなわち露光動
作するべき位置に達し整定が完了する。その後、直ちに
露光動作が行なわれ、その完了後、次のステップ動作が
開始される。すなわち、XYステージの移動とウエハ面
位置の測定と微動ステージの補正駆動が並行動作できる
ため、結果として微動も含めたステージの移動動作に要
する時間が短くなり、延ては装置全体のスループットを
向上させることができる。
【0020】上記の例では、ステージ定盤1とXステー
ジ7との相対的なピッチング量およびXステージ7と微
動ステージ9との相対的なピッチング量を、ステップ移
動量と移動方向に応じたテーブルまたは関数の形で保持
するとしたが、ステージのXY座標も付け加えたテーブ
ルまたは関数としてもよい。この場合は各リニアモータ
の発生推力ムラや、位置による推力バランスの違いか
ら、XY座標によってピッチングの状態の変化を加味し
た、より精度のよい補正動作が期待できる。
【0021】また上記各種の測定を、装置の現地設置の
際に行なったり、実運用の中での初期動作シーケンスの
一つとして行なってもよい。これにより装置の設置の状
態も加味した、より正確な補正動作を行なうことができ
る。
【0022】また、上記の例では、各項目によるピッチ
ング量を個別に計算または測定して保持しておく例につ
いて述べてきたが、個別に計算または測定した値をもと
に、最終的にウエハ面の面位置測定値に対して補正する
べき補正値を計算しておき、これを補正テーブル18に
保持してもよい。また、ピッチング量を個別に計算また
は測定するのではなく、工場検査時や装置の現地設置の
際や実運用の中での初期動作シーケンスの中で、各種の
ステップ量やXY座標に関するウエハ面位置測定の傾き
の定常的な誤差として一括して測定し、これを保持して
もよい。この場合、測定項目が減少し、保持しておくデ
ータ量も削減できることから、より簡便な補正動作が実
現できる。
【0023】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施
例を説明する。図3は微小デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1
(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含
む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷(ステップ7)される。
【0024】図4は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン
打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した位置決め装置を有す
る露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼
付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハ
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジ
スト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成され
る。
【0025】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ステージ移動途中にウエハ露光領域の面位置を測定する
に際し、移動中に測定するために生じるピッチング量を
予め求めておいたステップ動作の移動量または移動方向
または移動座標に応じたテーブルや関数を用いて補正駆
動してから計測するので、測定精度を落とさずに位置決
め時間を短縮でき、装置全体のスループットを向上させ
ることができる。また、特別なセンサ等を設ける必要が
ないため、測定時間や演算時間を増加させたり、移動体
の重量を増加させたり、コストを増加させることもな
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る位置決め装置の概略
の構成を示す図である。
【図2】 図1の装置の動作を示す説明図である。
【図3】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図4】 図3におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
【符号の説明】
1:ステージ定盤、2:Yリニアモータ、3:Yガイ
ド、4:Yステージ、5:Xリニアモータ、6:Xガイ
ド、7:Xステージ、8:エアーパッド、9:微動ステ
ージ、10:ウエハ、11:光照射手段、13:面位置
検出手段、16:制御ボックス、18:参照テーブル。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持する保持面を定盤に対してX
    Yの各軸方向に移動可能なXYテーブルと、該XYテー
    ブルに搭載され前記基板をXYの各軸回りに回転可能で
    かつZ方向に移動可能な回転テーブルと、前記XYテー
    ブルおよび前記回転テーブルを駆動制御する制御手段
    と、前記基板の面位置を検出する面位置検出手段とを備
    えた位置決め装置において、 前記XYテーブルの移動時に生じる前記基板の面位置の
    変化量を前記制御手段に予め保持しておき、これを用い
    て前記面位置検出手段の検出時における前記回転テーブ
    ルのXY各軸回りの回転量を最終的な位置決め時の回転
    量とは独立して補正駆動することを特徴とする位置決め
    装置。
  2. 【請求項2】 前記制御手段は、前記面位置の変化量と
    して、前記XYテーブルの移動量および/または移動方
    向に応じたXYの各軸回りの回転方向の回転角およびZ
    方向変位に関する数値を予め計算または測定によって求
    めておき、それを前記XYテーブルの移動量および/ま
    たは移動方向を変数としたテーブルまたは関数として保
    持することを特徴とする、請求項1に記載の位置決め装
    置。
  3. 【請求項3】 前記制御手段は、前記面位置の変化量と
    して、前記XYテーブルのXY座標に応じた前記XYの
    各軸回りの回転角およびZ方向変位の補正値を予め計算
    または測定によって求めておき、それを前記XYテーブ
    ルのXY座標を変数としたテーブルまたは関数として保
    持することを特徴とする、請求項1に記載の位置決め装
    置。
  4. 【請求項4】 請求項1、2または3に記載の位置決め
    装置を用いた露光装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の露光装置を用いてデバ
    イスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093813A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Nec Corp ステッパ式露光方法
WO2005001913A1 (ja) * 2003-06-30 2005-01-06 Nikon Corporation ステージ制御装置及び方法並びに露光装置及び方法
KR100469987B1 (ko) * 2000-12-27 2005-02-04 산에이 기껜 가부시키가이샤 기판위치 결정장치 및 노광장치
KR100890133B1 (ko) * 2001-05-10 2009-03-20 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 노광장치
WO2011125260A1 (ja) * 2010-04-07 2011-10-13 株式会社安川電機 θZ駆動装置およびステージ装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093813A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Nec Corp ステッパ式露光方法
KR100469987B1 (ko) * 2000-12-27 2005-02-04 산에이 기껜 가부시키가이샤 기판위치 결정장치 및 노광장치
KR100890133B1 (ko) * 2001-05-10 2009-03-20 가부시키가이샤 아도테크 엔지니어링 노광장치
WO2005001913A1 (ja) * 2003-06-30 2005-01-06 Nikon Corporation ステージ制御装置及び方法並びに露光装置及び方法
JPWO2005001913A1 (ja) * 2003-06-30 2006-08-10 株式会社ニコン ステージ制御装置及び方法並びに露光装置及び方法
WO2011125260A1 (ja) * 2010-04-07 2011-10-13 株式会社安川電機 θZ駆動装置およびステージ装置
JP5387760B2 (ja) * 2010-04-07 2014-01-15 株式会社安川電機 θZ駆動装置およびステージ装置

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