JPH1174569A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH1174569A JPH1174569A JP23122197A JP23122197A JPH1174569A JP H1174569 A JPH1174569 A JP H1174569A JP 23122197 A JP23122197 A JP 23122197A JP 23122197 A JP23122197 A JP 23122197A JP H1174569 A JPH1174569 A JP H1174569A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光半導体素子を収容する容器の内部に外部より
光が入り込み、光半導体素子が励起する光のみを光ファ
イバーに正確に入射伝達させることができない。 【解決手段】基体1及び蓋体2とから成る容器と、該容
器内に収容される光半導体素子Sと、前記基体1と蓋体
2を接合し、容器の気密封止をする封止用ガラス部材4
と、該封止用ガラス部材4を貫通し、容器の外部から内
部にかけて配される光ファイバー3とを具備する光半導
体装置であって、前記封止用ガラス部材4の外表面を遮
光膜5で被覆した。
光が入り込み、光半導体素子が励起する光のみを光ファ
イバーに正確に入射伝達させることができない。 【解決手段】基体1及び蓋体2とから成る容器と、該容
器内に収容される光半導体素子Sと、前記基体1と蓋体
2を接合し、容器の気密封止をする封止用ガラス部材4
と、該封止用ガラス部材4を貫通し、容器の外部から内
部にかけて配される光ファイバー3とを具備する光半導
体装置であって、前記封止用ガラス部材4の外表面を遮
光膜5で被覆した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信等に使用され
る光半導体装置に関するものである。
る光半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光通信等に使用される光半導体装
置は、図2に示すように、まず酸化アルミニウム質焼結
体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に光
半導体素子Sを載置するための載置部21aを有し、か
つ上面外周部に貫通穴23を設けた枠部22を有する基
体21と、該基体21の枠部22に設けた貫通穴23に
挿通され、ガラス、樹脂等の接着材を介して取着固定さ
れている筒状の光ファイバー固定用部材25と、前記基
体21の枠部22に両端が枠部22の内外部に導出する
ように設けられ、枠部の外側に導出する一端が外部電気
回路に接続される複数個のリード部材26と、前記基体
21の枠部22上面に封止材を介して取着され枠部22
の内側を気密に封止する蓋体27とから構成される光半
導体素子収納用パッケージを準備し、この光半導体素子
収納用パッケージの筒状の光ファイバー固定用部材25
の内部に光ファイバー28を挿通させるとともに接着剤
を介して固定し、次に前記基体21の載置部21a上に
シリコンから成る光伝送モジュール基板29に実装され
たレーザーダイオードやフォトダイオード等からなる光
半導体素子Sを載置固定するとともに該光半導体素子S
の各電極をリード部材26にボンディングワイヤ等の電
気的接続手段30を介して電気的に接続し、しかる後、
枠部22の上面に蓋体27を封止材を介して接合させ、
枠部22を有する基体21と蓋体27とから成る容器内
部に光半導体素子を気密に収容することによって製作さ
れている。
置は、図2に示すように、まず酸化アルミニウム質焼結
体等の電気絶縁材料から成り、その上面の略中央部に光
半導体素子Sを載置するための載置部21aを有し、か
つ上面外周部に貫通穴23を設けた枠部22を有する基
体21と、該基体21の枠部22に設けた貫通穴23に
挿通され、ガラス、樹脂等の接着材を介して取着固定さ
れている筒状の光ファイバー固定用部材25と、前記基
体21の枠部22に両端が枠部22の内外部に導出する
ように設けられ、枠部の外側に導出する一端が外部電気
回路に接続される複数個のリード部材26と、前記基体
21の枠部22上面に封止材を介して取着され枠部22
の内側を気密に封止する蓋体27とから構成される光半
導体素子収納用パッケージを準備し、この光半導体素子
収納用パッケージの筒状の光ファイバー固定用部材25
の内部に光ファイバー28を挿通させるとともに接着剤
を介して固定し、次に前記基体21の載置部21a上に
シリコンから成る光伝送モジュール基板29に実装され
たレーザーダイオードやフォトダイオード等からなる光
半導体素子Sを載置固定するとともに該光半導体素子S
の各電極をリード部材26にボンディングワイヤ等の電
気的接続手段30を介して電気的に接続し、しかる後、
枠部22の上面に蓋体27を封止材を介して接合させ、
枠部22を有する基体21と蓋体27とから成る容器内
部に光半導体素子を気密に収容することによって製作さ
れている。
【0003】かかる光半導体装置は光半導体素子Sにリ
ード部材26を介して外部電気回路から供給される電気
信号を印加し、光半導体素子Sに、例えば、1.33μ
m乃至1.55μmの波長の光を励起させるとともに該
励起した光を光ファイバー28に伝達させることによっ
て、或いは光ファイバー28を伝達する波長が1.33
μm乃至1.55μmの光を光半導体素子Sに照射し、
光半導体素子Sに照射された光に対応する電気信号を発
生させるととも該発生した電気信号をリード部材26を
介し取り出すことによって光通信に使用される。
ード部材26を介して外部電気回路から供給される電気
信号を印加し、光半導体素子Sに、例えば、1.33μ
m乃至1.55μmの波長の光を励起させるとともに該
励起した光を光ファイバー28に伝達させることによっ
て、或いは光ファイバー28を伝達する波長が1.33
μm乃至1.55μmの光を光半導体素子Sに照射し、
光半導体素子Sに照射された光に対応する電気信号を発
生させるととも該発生した電気信号をリード部材26を
介し取り出すことによって光通信に使用される。
【0004】なお、前記上面外周部に枠部22を有する
基体21は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成
る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に有機バイ
ンダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに該
泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法等に
よりシート状に成形してセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに所定の
打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、約1500
℃の高温で焼成することによって製作され、またリード
部材26は基体21となるセラミックグリーンシートの
一部にタングステンやモリブデン等の金属粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストをスク
リーン印刷法等により所定パターンに印刷塗布しておく
ことによって枠部22の外部から内部にかけて導出する
よう形成される。
基体21は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成
る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に有機バイ
ンダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに該
泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法等に
よりシート状に成形してセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに所定の
打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、約1500
℃の高温で焼成することによって製作され、またリード
部材26は基体21となるセラミックグリーンシートの
一部にタングステンやモリブデン等の金属粉末に適当な
有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストをスク
リーン印刷法等により所定パターンに印刷塗布しておく
ことによって枠部22の外部から内部にかけて導出する
よう形成される。
【0005】しかしながら、近時、通信機器に使用され
る光半導体装置は小型にして安価なものが強く要求さ
れ、この要求に基づいて従来の光半導体装置より製造工
程が簡易で部品点数の少ないもの、具体的には光半導体
素子と、該光半導体素子を内部に収容する基体と蓋体と
から成る容器と、該容器を気密に封止する封止用ガラス
部材と、該封止用ガラス部材を貫通し、容器の外部から
内部にかけて配される光ファイバーとで形成した光半導
体装置が考えられ、提案されている(特開昭60ー18
0183号参照)。
る光半導体装置は小型にして安価なものが強く要求さ
れ、この要求に基づいて従来の光半導体装置より製造工
程が簡易で部品点数の少ないもの、具体的には光半導体
素子と、該光半導体素子を内部に収容する基体と蓋体と
から成る容器と、該容器を気密に封止する封止用ガラス
部材と、該封止用ガラス部材を貫通し、容器の外部から
内部にかけて配される光ファイバーとで形成した光半導
体装置が考えられ、提案されている(特開昭60ー18
0183号参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この光
半導体装置は一般に封止用ガラス部材として酸化鉛30
〜50重量%、フッ化鉛10〜20重量%、酸化ビスマ
ス3〜13重量%、酸化ネウ素1〜5重量%、酸化亜鉛
1〜5重量%を含むガラス成分にチタン酸鉛系化合物を
フィラーとして25〜45重量%添加させた軟化溶融温
度が400℃以下の低融点ガラスが使用されており、か
かる低融点ガラスは波長が1.33μm乃至1.55μ
mの光に対して透過率が約40〜60%であり、透光性
がある。そのため、光半導体素子にリード部材を介して
外部電気回路から供給される電気信号を印加し、光半導
体素子に1.33μm乃至1.55μmの波長の光を励
起させるとともに該励起した光を光ファイバーに伝達さ
せることによって、或いは光ファイバーを伝達する波長
が1.33μm乃至1.55μmの光を光半導体素子に
照射し、光半導体素子に照射された光に対応する電気信
号を発生させるとともに該発生した電気信号をリード部
材を介し取り出すことによって光通信に使用する際、容
器の外部から1.33μm乃至1.55μmの波長の光
が封止用ガラス部材を介して容器内部に入り込むと、該
入り込んだ外部の光が光半導体素子の励起する光ととも
に光ファイバーを伝達したり、光半導体素子が光ファイ
バーを伝達する光とともに電気信号に変換されて光通信
に誤通信が生じるという欠点を誘発した。
半導体装置は一般に封止用ガラス部材として酸化鉛30
〜50重量%、フッ化鉛10〜20重量%、酸化ビスマ
ス3〜13重量%、酸化ネウ素1〜5重量%、酸化亜鉛
1〜5重量%を含むガラス成分にチタン酸鉛系化合物を
フィラーとして25〜45重量%添加させた軟化溶融温
度が400℃以下の低融点ガラスが使用されており、か
かる低融点ガラスは波長が1.33μm乃至1.55μ
mの光に対して透過率が約40〜60%であり、透光性
がある。そのため、光半導体素子にリード部材を介して
外部電気回路から供給される電気信号を印加し、光半導
体素子に1.33μm乃至1.55μmの波長の光を励
起させるとともに該励起した光を光ファイバーに伝達さ
せることによって、或いは光ファイバーを伝達する波長
が1.33μm乃至1.55μmの光を光半導体素子に
照射し、光半導体素子に照射された光に対応する電気信
号を発生させるとともに該発生した電気信号をリード部
材を介し取り出すことによって光通信に使用する際、容
器の外部から1.33μm乃至1.55μmの波長の光
が封止用ガラス部材を介して容器内部に入り込むと、該
入り込んだ外部の光が光半導体素子の励起する光ととも
に光ファイバーを伝達したり、光半導体素子が光ファイ
バーを伝達する光とともに電気信号に変換されて光通信
に誤通信が生じるという欠点を誘発した。
【0007】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は光半導体素子が励起する光のみを光ファ
イバーに伝達、或いは光ファイバーを伝達する光のみを
光半導体素子で電気信号に変換させ、正確な光通信を行
うことができる光半導体装置を提供することにある。
で、その目的は光半導体素子が励起する光のみを光ファ
イバーに伝達、或いは光ファイバーを伝達する光のみを
光半導体素子で電気信号に変換させ、正確な光通信を行
うことができる光半導体装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体及び蓋体
とから成る容器と、該容器内に収容される光半導体素子
と、前記基体と蓋体を接合し、容器の気密封止をする封
止用ガラス部材と、該封止用ガラス部材を貫通し、容器
の外部から内部にかけて配される光ファイバーとを具備
する光半導体装置であって、前記封止用ガラス部材の外
表面を遮光膜で被覆したことを特徴とするものである。
とから成る容器と、該容器内に収容される光半導体素子
と、前記基体と蓋体を接合し、容器の気密封止をする封
止用ガラス部材と、該封止用ガラス部材を貫通し、容器
の外部から内部にかけて配される光ファイバーとを具備
する光半導体装置であって、前記封止用ガラス部材の外
表面を遮光膜で被覆したことを特徴とするものである。
【0009】本発明の光半導体装置によれば、基体と蓋
体とを接合し、基体と蓋体とから成る容器の気密封止を
行う封止用ガラス部材の外表面を遮光膜で被覆したこと
から光半導体素子にリード部材を介して外部電気回路か
ら供給される電気信号を印加し、光半導体素子に1.3
3μm乃至1.55μmの波長の光を励起させるととも
に該励起した光を光ファイバーに伝達させることによっ
て、或いは光ファイバーを伝達する波長が1.33μm
乃至1.55μmの光を光半導体素子に照射し、光半導
体素子に照射された光に対応する電気信号を発生させる
とともに該発生した電気信号をリード部材を介し取り出
すことによって光通信に使用する際、封止用ガラス部材
を介して容器の外部から内部に1.33μm乃至1.5
5μmの波長の光が入り込むことはなく、その結果、光
半導体素子が励起する光のみを光ファイバーに伝達させ
る、或いは光ファイバーを伝達する光のみを光半導体素
子で電気信号に変換させることが可能となり、これによ
って極めて正確な光通信を行うことができる。
体とを接合し、基体と蓋体とから成る容器の気密封止を
行う封止用ガラス部材の外表面を遮光膜で被覆したこと
から光半導体素子にリード部材を介して外部電気回路か
ら供給される電気信号を印加し、光半導体素子に1.3
3μm乃至1.55μmの波長の光を励起させるととも
に該励起した光を光ファイバーに伝達させることによっ
て、或いは光ファイバーを伝達する波長が1.33μm
乃至1.55μmの光を光半導体素子に照射し、光半導
体素子に照射された光に対応する電気信号を発生させる
とともに該発生した電気信号をリード部材を介し取り出
すことによって光通信に使用する際、封止用ガラス部材
を介して容器の外部から内部に1.33μm乃至1.5
5μmの波長の光が入り込むことはなく、その結果、光
半導体素子が励起する光のみを光ファイバーに伝達させ
る、或いは光ファイバーを伝達する光のみを光半導体素
子で電気信号に変換させることが可能となり、これによ
って極めて正確な光通信を行うことができる。
【0010】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図1は、本発明の光半導体装置の一実施
例を示し、1は基体、2は蓋体である。この基体1と蓋
体2とで内部に光半導体素子Sを収容するための容器が
構成される。
細に説明する。図1は、本発明の光半導体装置の一実施
例を示し、1は基体、2は蓋体である。この基体1と蓋
体2とで内部に光半導体素子Sを収容するための容器が
構成される。
【0011】前記容器を構成する基体1及び蓋体2は、
例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成り、酸化アル
ミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウ
ム等のセラミック原料粉末に有機バインダー、溶剤等を
添加混合して泥漿物を作るとともに該泥漿物をドクター
ブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成
形してセラミックグリーンシートを得、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに所定の打ち抜き加工を施す
とともに複数枚積層し、約1500℃の高温で焼成する
ことによって、あるいは酸化アルミニウム、酸化珪素、
酸化マグネシウム、酸化カルシウムに有機バインダー、
溶剤を添加混合して調整したセラミック原料粉末を所定
形状の金型内に充填するとともにこれを所定の圧力で押
圧することによってセラミック成形体を得、しかる後、
前記セラミック成形体を約1500℃の温度で焼成する
ことによって製作される。
例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成り、酸化アル
ミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウ
ム等のセラミック原料粉末に有機バインダー、溶剤等を
添加混合して泥漿物を作るとともに該泥漿物をドクター
ブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成
形してセラミックグリーンシートを得、しかる後、前記
セラミックグリーンシートに所定の打ち抜き加工を施す
とともに複数枚積層し、約1500℃の高温で焼成する
ことによって、あるいは酸化アルミニウム、酸化珪素、
酸化マグネシウム、酸化カルシウムに有機バインダー、
溶剤を添加混合して調整したセラミック原料粉末を所定
形状の金型内に充填するとともにこれを所定の圧力で押
圧することによってセラミック成形体を得、しかる後、
前記セラミック成形体を約1500℃の温度で焼成する
ことによって製作される。
【0012】また前記容器を構成する基体1はその上面
に光半導体素子Sが載置される載置部1aを有してお
り、該載置部1a上にはシリコン等により形成された光
伝送モジュール基板Lに実装された光半導体素子Sがガ
ラス、樹脂等の接着剤を介して載置固定される。
に光半導体素子Sが載置される載置部1aを有してお
り、該載置部1a上にはシリコン等により形成された光
伝送モジュール基板Lに実装された光半導体素子Sがガ
ラス、樹脂等の接着剤を介して載置固定される。
【0013】前記基体1の載置部1a上に載置固定され
る光半導体素子Sはガリウムー砒素等の半導体から成
り、外部電気回路から供給される電気信号によって1.
33乃至1.55μmの波長の光を励起したり、後述す
る光ファイバー3から照射される光を所定の電気信号に
変換させる作用をなす。
る光半導体素子Sはガリウムー砒素等の半導体から成
り、外部電気回路から供給される電気信号によって1.
33乃至1.55μmの波長の光を励起したり、後述す
る光ファイバー3から照射される光を所定の電気信号に
変換させる作用をなす。
【0014】また前記基体1と蓋体2とはその外周の相
対向する面が封止用ガラス部材4により接合され、これ
によって基体1と蓋体2とから成る容器が内部に光半導
体素子Sを収容した状態で気密に封止される。
対向する面が封止用ガラス部材4により接合され、これ
によって基体1と蓋体2とから成る容器が内部に光半導
体素子Sを収容した状態で気密に封止される。
【0015】前記封止用ガラス部材4は、例えば、酸化
鉛30〜50重量%、フッ化鉛10〜20重量%、酸化
ビスマス3〜13重量%、酸化ネウ素1〜5重量%、酸
化亜鉛1〜5重量%を含むガラス成分にチタン酸鉛系化
合物をフィラーとして25〜45重量%添加させた低融
点ガラスからなり、該ガラス粉末に有機溶剤、溶媒を添
加混合して得たガラスペースト基体1と蓋体2の相対向
する面に所定厚みに被着させておき、しかる後、これを
約320℃の温度で加熱し、ガラス粉末を加熱溶融させ
ることによって基体1と蓋体2との間に容器を気密封止
するように取着される。
鉛30〜50重量%、フッ化鉛10〜20重量%、酸化
ビスマス3〜13重量%、酸化ネウ素1〜5重量%、酸
化亜鉛1〜5重量%を含むガラス成分にチタン酸鉛系化
合物をフィラーとして25〜45重量%添加させた低融
点ガラスからなり、該ガラス粉末に有機溶剤、溶媒を添
加混合して得たガラスペースト基体1と蓋体2の相対向
する面に所定厚みに被着させておき、しかる後、これを
約320℃の温度で加熱し、ガラス粉末を加熱溶融させ
ることによって基体1と蓋体2との間に容器を気密封止
するように取着される。
【0016】前記封止用ガラス部材4はまたその内部
に、即ち、封止用ガラス部材4を貫通し、容器の外部か
ら内部にかけて光ファイバー3が配されており、光ファ
イバー3は容器の内部に収容されている光半導体素子S
の励起する光を外部の他の装置に伝達する、あるいは他
の装置から発せられた光を伝達し、容器内部に収容する
光半導体素子Sに照射する作用をなす。
に、即ち、封止用ガラス部材4を貫通し、容器の外部か
ら内部にかけて光ファイバー3が配されており、光ファ
イバー3は容器の内部に収容されている光半導体素子S
の励起する光を外部の他の装置に伝達する、あるいは他
の装置から発せられた光を伝達し、容器内部に収容する
光半導体素子Sに照射する作用をなす。
【0017】前記光ファイバー3の封止用ガラス部材4
内への配置は基体1と蓋体2とをその相対向する面に被
着させたガラスペーストを加熱溶融させることによって
容器を気密に封止する際、基体1と蓋体2との間に予め
光ファイバー3をセットしておくことによって行われ
る。
内への配置は基体1と蓋体2とをその相対向する面に被
着させたガラスペーストを加熱溶融させることによって
容器を気密に封止する際、基体1と蓋体2との間に予め
光ファイバー3をセットしておくことによって行われ
る。
【0018】更に前記封止用ガラス部材4はその外表面
に遮光膜5が被着されており、該遮光膜5は封止用ガラ
ス部材4を介して容器の外部より内部に1.33μm乃
至1.55μmの光が入り込むのを防止する作用をな
し、これによって光半導体素子Sに外部電気回路から供
給される電気信号を印加し、光半導体素子Sに1.33
μm乃至1.55μmの波長の光を励起させるとともに
該励起した光を光ファイバー3に伝達させることによっ
て、或いは光ファイバー3を伝達する波長が1.33μ
m乃至1.55μmの光を光半導体素子Sに照射し、光
半導体素子Sに照射された光に対応する電気信号を発生
させる際、光ファイバー3に光半導体素子Sが励起した
光のみを伝達させる、或いは半導体素子Sに光ファイバ
ー3を伝達して照射される光のみを電気信号に変換させ
ることが可能となる。
に遮光膜5が被着されており、該遮光膜5は封止用ガラ
ス部材4を介して容器の外部より内部に1.33μm乃
至1.55μmの光が入り込むのを防止する作用をな
し、これによって光半導体素子Sに外部電気回路から供
給される電気信号を印加し、光半導体素子Sに1.33
μm乃至1.55μmの波長の光を励起させるとともに
該励起した光を光ファイバー3に伝達させることによっ
て、或いは光ファイバー3を伝達する波長が1.33μ
m乃至1.55μmの光を光半導体素子Sに照射し、光
半導体素子Sに照射された光に対応する電気信号を発生
させる際、光ファイバー3に光半導体素子Sが励起した
光のみを伝達させる、或いは半導体素子Sに光ファイバ
ー3を伝達して照射される光のみを電気信号に変換させ
ることが可能となる。
【0019】前記遮光膜5としては光を遮断する黒色系
に着色した紙、或いは黒色系の顔料や光を反射させるフ
ィラーを含有してなる有機樹脂、ガラス等から成り、黒
色系の顔料としてカーボンブラックを10重量%程度添
加したエポキシ樹脂は波長1.33μm乃至1.55μ
mの光を完全に遮断し、かつ封止用ガラス部材4との接
着性が強いことから遮光膜として好適に使用される。
に着色した紙、或いは黒色系の顔料や光を反射させるフ
ィラーを含有してなる有機樹脂、ガラス等から成り、黒
色系の顔料としてカーボンブラックを10重量%程度添
加したエポキシ樹脂は波長1.33μm乃至1.55μ
mの光を完全に遮断し、かつ封止用ガラス部材4との接
着性が強いことから遮光膜として好適に使用される。
【0020】なお、前記遮光膜5の封止用ガラス部材4
への被着は、顔料やフィラーを含有する有機樹脂の場
合、この有機樹脂の前駆体を封止用ガラス部材4の外表
面に塗布し、しかる後、これを熱硬化される、或いは有
機樹脂フィルムを予め形成しておき、これを封止用ガラ
ス部材4の外表面に貼付つけることによって行われる。
への被着は、顔料やフィラーを含有する有機樹脂の場
合、この有機樹脂の前駆体を封止用ガラス部材4の外表
面に塗布し、しかる後、これを熱硬化される、或いは有
機樹脂フィルムを予め形成しておき、これを封止用ガラ
ス部材4の外表面に貼付つけることによって行われる。
【0021】また前記封止用ガラス部材4にはその内部
に、即ち、封止用ガラス部材4を貫通し、容器の外部か
ら内部にかけて複数個のリード部材6が配されており、
該リード部材6は容器の内部に収容する光半導体素子S
の各電極を所定の外部電気回路に接続する作用をなし、
リード部材6の容器内部に位置する一端には光半導体素
子Sの電極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段7
を介して電気的に接続され、また容器の外部に露出する
部位は所定の外部電気回路に接続される。
に、即ち、封止用ガラス部材4を貫通し、容器の外部か
ら内部にかけて複数個のリード部材6が配されており、
該リード部材6は容器の内部に収容する光半導体素子S
の各電極を所定の外部電気回路に接続する作用をなし、
リード部材6の容器内部に位置する一端には光半導体素
子Sの電極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段7
を介して電気的に接続され、また容器の外部に露出する
部位は所定の外部電気回路に接続される。
【0022】前記リード部材6は鉄ーニッケルーコバル
ト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金等から成るインゴット
(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金
属加工法を施すことによって所定の形状に形成される。
ト合金や鉄ーニッケル合金等の金属材料から成り、例え
ば、鉄ーニッケルーコバルト合金等から成るインゴット
(塊)に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金
属加工法を施すことによって所定の形状に形成される。
【0023】前記リード部材6はまたその露出表面に耐
蝕性に優れ、ろう材と濡れ性に優れ、かつ良導電性であ
るニッケル、金等から成るめっき金属層が所定厚み(1
〜20μm)に被着されており、該めっき金属層によっ
てリード部材6は酸化腐蝕するのが有効に防止されてい
るとともにリード部材6に対し、ボンディングワイヤ等
の電気的接続手段7が良好に電気的接続されるようにな
っている。
蝕性に優れ、ろう材と濡れ性に優れ、かつ良導電性であ
るニッケル、金等から成るめっき金属層が所定厚み(1
〜20μm)に被着されており、該めっき金属層によっ
てリード部材6は酸化腐蝕するのが有効に防止されてい
るとともにリード部材6に対し、ボンディングワイヤ等
の電気的接続手段7が良好に電気的接続されるようにな
っている。
【0024】更に前記リード部材6の封止用ガラス部材
4への取着固定は、基体1と蓋体2とをその相対向する
面に被着させたガラスペーストを加熱溶融させることに
よって容器を気密に封止する際、基体1と蓋体2との間
に予めリード部材6をセットしておくことによって行わ
れる。
4への取着固定は、基体1と蓋体2とをその相対向する
面に被着させたガラスペーストを加熱溶融させることに
よって容器を気密に封止する際、基体1と蓋体2との間
に予めリード部材6をセットしておくことによって行わ
れる。
【0025】かくして本発明の光半導体装置によれば、
光半導体素子Sに外部電気回路から供給される電気信号
を印加し、光半導体素子Sに光を励起させるとともに該
励起した光を光ファイバー3に伝達させることによっ
て、或いは光ファイバー3を伝達する光を光半導体素子
Sに照射し、光半導体素子Sに照射された光に対応する
電気信号を発生させることによって光通信に使用され
る。
光半導体素子Sに外部電気回路から供給される電気信号
を印加し、光半導体素子Sに光を励起させるとともに該
励起した光を光ファイバー3に伝達させることによっ
て、或いは光ファイバー3を伝達する光を光半導体素子
Sに照射し、光半導体素子Sに照射された光に対応する
電気信号を発生させることによって光通信に使用され
る。
【0026】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能である。
【0027】
【発明の効果】本発明の光半導体装置によれば、基体と
蓋体とを接合し、基体と蓋体とから成る容器の気密封止
を行う封止用ガラス部材の外表面を遮光膜で被覆したこ
とから光半導体素子にリード部材を介して外部電気回路
から供給される電気信号を印加し、光半導体素子に1.
33μm乃至1.55μmの波長の光を励起させるとと
もに該励起した光を光ファイバーに伝達させることによ
って、或いは光ファイバーを伝達する波長が1.33μ
m乃至1.55μmの光を光半導体素子に照射し、光半
導体素子に照射された光に対応する電気信号を発生させ
るとともに該発生した電気信号をリード部材を介し取り
出すことによって光通信に使用する際、封止用ガラス部
材を介して容器の外部から内部に1.33μm乃至1.
55μmの波長の光が入り込むことはなく、その結果、
光半導体素子が励起する光のみを光ファイバーに伝達さ
せる、或いは光ファイバーを伝達する光のみを光半導体
素子で電気信号に変換させることが可能となり、これに
よって極めて正確な光通信を行うことができる。
蓋体とを接合し、基体と蓋体とから成る容器の気密封止
を行う封止用ガラス部材の外表面を遮光膜で被覆したこ
とから光半導体素子にリード部材を介して外部電気回路
から供給される電気信号を印加し、光半導体素子に1.
33μm乃至1.55μmの波長の光を励起させるとと
もに該励起した光を光ファイバーに伝達させることによ
って、或いは光ファイバーを伝達する波長が1.33μ
m乃至1.55μmの光を光半導体素子に照射し、光半
導体素子に照射された光に対応する電気信号を発生させ
るとともに該発生した電気信号をリード部材を介し取り
出すことによって光通信に使用する際、封止用ガラス部
材を介して容器の外部から内部に1.33μm乃至1.
55μmの波長の光が入り込むことはなく、その結果、
光半導体素子が励起する光のみを光ファイバーに伝達さ
せる、或いは光ファイバーを伝達する光のみを光半導体
素子で電気信号に変換させることが可能となり、これに
よって極めて正確な光通信を行うことができる。
【図1】本発明の光半導体装置の一実施例を示す断面図
である。
である。
【図2】従来の光半導体装置の断面図である。
1・・・基体 1a・・載置部 2・・・蓋体 3・・・光ファイバー 4・・・封止用ガラス部材 5・・・遮光膜 S・・・光半導体素子
Claims (1)
- 【請求項1】基体及び蓋体とから成る容器と、該容器内
に収容される光半導体素子と、前記基体と蓋体を接合
し、容器の気密封止をする封止用ガラス部材と、該封止
用ガラス部材を貫通し、容器の外部から内部にかけて配
される光ファイバーとを具備する光半導体装置であっ
て、前記封止用ガラス部材の外表面を遮光膜で被覆した
ことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23122197A JPH1174569A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23122197A JPH1174569A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174569A true JPH1174569A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16920226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23122197A Pending JPH1174569A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174569A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130105A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス被覆発光素子の製造方法、ガラス被覆発光装置及びその製造方法 |
| WO2017073538A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | 光半導体素子パッケージおよび光半導体装置 |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23122197A patent/JPH1174569A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009130105A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス被覆発光素子の製造方法、ガラス被覆発光装置及びその製造方法 |
| WO2017073538A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | 光半導体素子パッケージおよび光半導体装置 |
| JPWO2017073538A1 (ja) * | 2015-10-30 | 2018-07-19 | 京セラ株式会社 | 光半導体素子パッケージおよび光半導体装置 |
| US10483425B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-11-19 | Kyocera Corporation | Optical semiconductor component package and optical semiconductor device |
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