JPH1176740A - 有機フッ素系排ガスの分解処理方法及び分解処理装置 - Google Patents
有機フッ素系排ガスの分解処理方法及び分解処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 半導体産業に代表される減圧を利用した
半導体製造技術、例えば減圧ＣＶＤ法熱ＣＶＤ法，プラ
ズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法，プラズマエッチング法，イ
オンインプランテーション法等において、これらの各種
装置から排出される有機フッ素系排ガスを減圧下におい
て、高周波誘導結合方式の低温プラズマによって分解処
理する方法において、被処理ガスに分解促進剤を用いる
ことにより高い分解効率を達成しようとするものであ
る。 【効果】 これまで高周波誘導結合方式の低温プラズマ
による分解処理においても分解が困難であった、有機フ
ッ素系排ガス、例えばテトラフルオロメタン，ヘキサフ
ルオロエタン，ジクロロジフルオロメタン，ジクロロテ
トラフルオロエタン，モノクロロジフルオロメタン，モ
ノクロロジフルオロエタン，トリフルオロメタン，トリ
フルオロエタン等を高い分解効率で分解処理できる。ま
た、上記排ガスを容易に無害化処理できる性状に分解処
理することで上記排ガスの大気への放出量が削減され、
地球環境維持に貢献できる。
半導体製造技術、例えば減圧ＣＶＤ法熱ＣＶＤ法，プラ
ズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法，プラズマエッチング法，イ
オンインプランテーション法等において、これらの各種
装置から排出される有機フッ素系排ガスを減圧下におい
て、高周波誘導結合方式の低温プラズマによって分解処
理する方法において、被処理ガスに分解促進剤を用いる
ことにより高い分解効率を達成しようとするものであ
る。 【効果】 これまで高周波誘導結合方式の低温プラズマ
による分解処理においても分解が困難であった、有機フ
ッ素系排ガス、例えばテトラフルオロメタン，ヘキサフ
ルオロエタン，ジクロロジフルオロメタン，ジクロロテ
トラフルオロエタン，モノクロロジフルオロメタン，モ
ノクロロジフルオロエタン，トリフルオロメタン，トリ
フルオロエタン等を高い分解効率で分解処理できる。ま
た、上記排ガスを容易に無害化処理できる性状に分解処
理することで上記排ガスの大気への放出量が削減され、
地球環境維持に貢献できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機フッ素系排ガ
スを放電処理法により分解処理する方法及び装置に関す
る。詳しくは半導体産業に代表される減圧を利用した半
導体製造技術、例えば減圧ＣＶＤ法，熱ＣＶＤ法，プラ
ズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法，プラズマエッチング法，イ
オンインプランテーション法等において、各種装置から
排出される各種フッ素系排ガスの内の特に有機フッ素系
排ガスを減圧下で放電により分解処理する方法及び装置
に関する。さらに詳しくは、上記各種装置以降の減圧下
において、ガス流通空間により連結されている、ガス導
入口とガス導出口を具備する絶縁性容器の外側に誘導結
合方式の放電用電極を設けて構成した放電発生部と、該
電極と接続される放電用高周波電源とからなる有機フッ
素系排ガス処理装置において、上記各装置から排出され
る有機フッ素系排ガスに分解促進剤を用いて、高周波誘
導結合方式の低温プラズマにて分解処理する方法及びこ
れを達成するための装置に関する。
スを放電処理法により分解処理する方法及び装置に関す
る。詳しくは半導体産業に代表される減圧を利用した半
導体製造技術、例えば減圧ＣＶＤ法，熱ＣＶＤ法，プラ
ズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法，プラズマエッチング法，イ
オンインプランテーション法等において、各種装置から
排出される各種フッ素系排ガスの内の特に有機フッ素系
排ガスを減圧下で放電により分解処理する方法及び装置
に関する。さらに詳しくは、上記各種装置以降の減圧下
において、ガス流通空間により連結されている、ガス導
入口とガス導出口を具備する絶縁性容器の外側に誘導結
合方式の放電用電極を設けて構成した放電発生部と、該
電極と接続される放電用高周波電源とからなる有機フッ
素系排ガス処理装置において、上記各装置から排出され
る有機フッ素系排ガスに分解促進剤を用いて、高周波誘
導結合方式の低温プラズマにて分解処理する方法及びこ
れを達成するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業に代表される減圧を利用した
半導体製造等の各種プロセスにおいて、使用される反応
性ガスは、必ずしも該プロセスで全量消費はされず、そ
の大部分は系外へ排出される。本発明の対象とする有機
フッ素系排ガスは、未処理のまま大気中に放出されると
災害や公害の原因となるとともに、現在地球規模での環
境問題となっているオゾン層破壊や地球温暖化を引き起
こすため、その処理は必要不可欠である。フッ素系排ガ
スの分解処理方法としては従来から多く提案されてお
り、乾式吸着法，燃焼分解法，熱分解法，超臨界水分解
法，プラズマ分解法等が知られている。
半導体製造等の各種プロセスにおいて、使用される反応
性ガスは、必ずしも該プロセスで全量消費はされず、そ
の大部分は系外へ排出される。本発明の対象とする有機
フッ素系排ガスは、未処理のまま大気中に放出されると
災害や公害の原因となるとともに、現在地球規模での環
境問題となっているオゾン層破壊や地球温暖化を引き起
こすため、その処理は必要不可欠である。フッ素系排ガ
スの分解処理方法としては従来から多く提案されてお
り、乾式吸着法，燃焼分解法，熱分解法，超臨界水分解
法，プラズマ分解法等が知られている。
【０００３】特にプラズマ分解法において、その分解方
式としては高温プラズマ法，低温プラズマ法その他各種
の方式が、またプラズマの発生方式においても高周波誘
導結合方式，低周波及び高周波容量結合方式，マイクロ
波あるいはヘリコン波による方式等が研究されている。
高温プラズマ法は大容量の処理には適しているが、系全
体を高温に保つために設備が複雑かつ大型となり、前記
半導体製造等の各種プロセスにおいて消費されるガス量
の処理には適さない。
式としては高温プラズマ法，低温プラズマ法その他各種
の方式が、またプラズマの発生方式においても高周波誘
導結合方式，低周波及び高周波容量結合方式，マイクロ
波あるいはヘリコン波による方式等が研究されている。
高温プラズマ法は大容量の処理には適しているが、系全
体を高温に保つために設備が複雑かつ大型となり、前記
半導体製造等の各種プロセスにおいて消費されるガス量
の処理には適さない。
【０００４】一方、プラズマ発生方式については、プラ
ズマの密度が高く、設備面での取り扱いが容易な高周波
誘導結合方式が上記排ガスの処理において効率的かつ実
用的である。該方式は、電磁界の反転が速いため、イオ
ンあるいは電子の移動距離が短くなり、必ずしもイオン
あるいは電子等が電極に到達しなくても放電を維持でき
る為、電極が放電領域中に存在しなくても放電の維持が
可能となる。さらに該方式は放電用電極が放電容器外に
あることにより、プラズマにより分解され励起状態にあ
るフッ素ラジカル、フッ素イオンによる腐食・消耗を受
けないという利点があり、高周波誘導結合方式の低温プ
ラズマによる分解処理方法に関して、発明者らは特開平
０５−１０３９４５にてその処理技術を開示した。
ズマの密度が高く、設備面での取り扱いが容易な高周波
誘導結合方式が上記排ガスの処理において効率的かつ実
用的である。該方式は、電磁界の反転が速いため、イオ
ンあるいは電子の移動距離が短くなり、必ずしもイオン
あるいは電子等が電極に到達しなくても放電を維持でき
る為、電極が放電領域中に存在しなくても放電の維持が
可能となる。さらに該方式は放電用電極が放電容器外に
あることにより、プラズマにより分解され励起状態にあ
るフッ素ラジカル、フッ素イオンによる腐食・消耗を受
けないという利点があり、高周波誘導結合方式の低温プ
ラズマによる分解処理方法に関して、発明者らは特開平
０５−１０３９４５にてその処理技術を開示した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、高周波誘導結
合方式の低温プラズマによる分解処理においても、フッ
素系排ガスの内の特に有機フッ素系排ガス、例えばテト
ラフルオロメタン，ヘキサフルオロエタン，ジクロロジ
フルオロメタン，ジクロロテトラフルオロエタン，モノ
クロロジフルオロメタン，モノクロロジフルオロエタ
ン，トリフルオロメタン，トリフルオロエタン等の炭素
及びフッ素からなる化合物、あるいは炭素及びフッ素を
含む化合物は炭素とフッ素の結合が強く、シラン，ジシ
ラン，ジクロルシラン等の珪素含有化合物系の排ガスや
三フッ化窒素等の無機フッ素系排ガスと比較した場合，
分解が困難であることが指摘されている。加えて、有機
フッ素系排ガスは一旦プラズマ化して分解されても、ま
た元のガスあるいは他の有機フッ素系ガスに再結合しや
すく、最終的な分解効率としてはシラン，ジシラン，ジ
クロルシランや三フッ化窒素等と比較して低い値にとど
まる。
合方式の低温プラズマによる分解処理においても、フッ
素系排ガスの内の特に有機フッ素系排ガス、例えばテト
ラフルオロメタン，ヘキサフルオロエタン，ジクロロジ
フルオロメタン，ジクロロテトラフルオロエタン，モノ
クロロジフルオロメタン，モノクロロジフルオロエタ
ン，トリフルオロメタン，トリフルオロエタン等の炭素
及びフッ素からなる化合物、あるいは炭素及びフッ素を
含む化合物は炭素とフッ素の結合が強く、シラン，ジシ
ラン，ジクロルシラン等の珪素含有化合物系の排ガスや
三フッ化窒素等の無機フッ素系排ガスと比較した場合，
分解が困難であることが指摘されている。加えて、有機
フッ素系排ガスは一旦プラズマ化して分解されても、ま
た元のガスあるいは他の有機フッ素系ガスに再結合しや
すく、最終的な分解効率としてはシラン，ジシラン，ジ
クロルシランや三フッ化窒素等と比較して低い値にとど
まる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の分解処理
が難しい有機フッ素系排ガスの高周波誘導結合方式の低
温プラズマによる分解処理において、分解促進剤を用い
ることにより高い分解率で分解処理する方法及び分解処
理装置を提供するものであり、具体的には、次の(I)〜
(III)の分解処理方法、(IV)〜(VII)の分解処理装置を提
供するものである。
が難しい有機フッ素系排ガスの高周波誘導結合方式の低
温プラズマによる分解処理において、分解促進剤を用い
ることにより高い分解率で分解処理する方法及び分解処
理装置を提供するものであり、具体的には、次の(I)〜
(III)の分解処理方法、(IV)〜(VII)の分解処理装置を提
供するものである。
【０００７】(I)半導体製造装置より排出される有機フ
ッ素系排ガスを分解促進剤の存在下に、０．０１〜３０
Ｔorrの減圧下、周波数が１〜１００ＭＨzの高周波誘導
結合方式の低温プラズマにて分解処理することを特徴と
する有機フッ素系排ガスの分解処理方法。
ッ素系排ガスを分解促進剤の存在下に、０．０１〜３０
Ｔorrの減圧下、周波数が１〜１００ＭＨzの高周波誘導
結合方式の低温プラズマにて分解処理することを特徴と
する有機フッ素系排ガスの分解処理方法。
【０００８】(II)分解促進剤として、酸素、水蒸気、水
素、０．０１〜３０Ｔorrの減圧下でガス状の酸素及び
／または水素を含有する化合物、０．０１〜３０Ｔorr
の減圧下でガス状の珪素含有化合物、並びに、珪素もし
くは固体状の珪素含有化合物から選択される１種以上を
用いることを特徴とする(I)記載の有機フッ素系排ガス
の分解処理方法。
素、０．０１〜３０Ｔorrの減圧下でガス状の酸素及び
／または水素を含有する化合物、０．０１〜３０Ｔorr
の減圧下でガス状の珪素含有化合物、並びに、珪素もし
くは固体状の珪素含有化合物から選択される１種以上を
用いることを特徴とする(I)記載の有機フッ素系排ガス
の分解処理方法。
【０００９】(III)０．０１〜３０Ｔorrの減圧下でガス
状分解促進剤を、半導体製造装置より排出される有機フ
ッ素系排ガスに対して、容積比で０．１〜１０倍添加す
る(II)記載の有機フッ素系排ガスの分解処理方法。
状分解促進剤を、半導体製造装置より排出される有機フ
ッ素系排ガスに対して、容積比で０．１〜１０倍添加す
る(II)記載の有機フッ素系排ガスの分解処理方法。
【００１０】(IV)（ａ）被処理ガス導入ライン、ガス状
分解促進剤の導入ライン及び／又は固体状分解促進剤の
充填器具、並びに、プラズマ分解後のガス導出ラインを
備え、石英ガラス又はセラミックス材料でガス流通空間
を構成した電気的絶縁性容器 （ｂ）一方をインピーダンス自動整合器を介して放電用
高周波電源装置と接続し、かつ、他方を接地し、該電気
的絶縁性容器のガス流通空間の外周部に設置したコイル
形状の放電用電極からなる放電発生部、並びに、（ｃ）
（ａ）及び（ｂ）の制御装置から構成され、真空排気装
置に接続され０．０１〜３０Ｔorrの減圧下、周波数が
１〜１００ＭＨzの高周波誘導結合方式の低温プラズマ
を電気的絶縁性容器の放電発生部に発生可能な被処理ガ
スの分解処理装置。
分解促進剤の導入ライン及び／又は固体状分解促進剤の
充填器具、並びに、プラズマ分解後のガス導出ラインを
備え、石英ガラス又はセラミックス材料でガス流通空間
を構成した電気的絶縁性容器 （ｂ）一方をインピーダンス自動整合器を介して放電用
高周波電源装置と接続し、かつ、他方を接地し、該電気
的絶縁性容器のガス流通空間の外周部に設置したコイル
形状の放電用電極からなる放電発生部、並びに、（ｃ）
（ａ）及び（ｂ）の制御装置から構成され、真空排気装
置に接続され０．０１〜３０Ｔorrの減圧下、周波数が
１〜１００ＭＨzの高周波誘導結合方式の低温プラズマ
を電気的絶縁性容器の放電発生部に発生可能な被処理ガ
スの分解処理装置。
【００１１】(V)電気的絶縁性容器のガス流通空間が２
重構造であり、内側容器が石英ガラス、シリカ、窒化珪
素、コーディエライト、ムライトまたはサイアロンから
なり、交換可能なことを特徴とする(IV)記載の被処理ガ
スの分解処理装置。 (VI)コイル形状の放電用電極が、冷却媒体を通すことが
可能な導電体金属の中空パイプからなることを特徴とす
る請求項４記載の被処理ガスの分解処理装置。 (VII) (IV)〜 (VI)のいずれか１項に記載の被処理ガス
の分解処理装置を、直列及び／又は並列に複数個接続し
た被処理ガスの分解処理装置システム
重構造であり、内側容器が石英ガラス、シリカ、窒化珪
素、コーディエライト、ムライトまたはサイアロンから
なり、交換可能なことを特徴とする(IV)記載の被処理ガ
スの分解処理装置。 (VI)コイル形状の放電用電極が、冷却媒体を通すことが
可能な導電体金属の中空パイプからなることを特徴とす
る請求項４記載の被処理ガスの分解処理装置。 (VII) (IV)〜 (VI)のいずれか１項に記載の被処理ガス
の分解処理装置を、直列及び／又は並列に複数個接続し
た被処理ガスの分解処理装置システム
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、半導体製造装置より排出される有機フ
ッ素系排ガスとは、半導体産業に代表される減圧を利用
した半導体製造技術、例えば減圧ＣＶＤ法，熱ＣＶＤ
法，プラズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法，プラズマエッチン
グ法，イオンインプランテーション法等において、これ
らの各種装置から排出される有機フッ素系排ガスであ
る。
本発明において、半導体製造装置より排出される有機フ
ッ素系排ガスとは、半導体産業に代表される減圧を利用
した半導体製造技術、例えば減圧ＣＶＤ法，熱ＣＶＤ
法，プラズマＣＶＤ法，光ＣＶＤ法，プラズマエッチン
グ法，イオンインプランテーション法等において、これ
らの各種装置から排出される有機フッ素系排ガスであ
る。
【００１３】具体的には、テトラフルオロメタン，テト
ラフルオロエチレン，テトラフルオロアレン，ヘキサフ
ルオロエタン，オクタフルオロプロパン，オクタフルオ
ロブテン等のパーフルオロカーボン類、トリクロロフル
オロメタン，ジクロロジフルオロメタン，モノクロロト
リフルオロメタン，テトラクロロジフルオロエタン，ト
リクロロトリフルオロエタン，ジクロロテトラフルオロ
エタン，モノクロロペンタフルオロエタン等のクロロフ
ルオロカーボン類、モノクロロモノフルオロメタン，モ
ノクロロジフルオロメタン，ジクロロモノフルオロメタ
ン，モノクロロジフルオロエタン，ジクロロフルオロエ
タン，ジクロロトリフルオロエタン，モノクロロテトラ
フルオロエタン等のハイドロクロロフルオロカーボン
類、トリフルオロメタン，ジフルオロメタン，モノフル
オロメタン，モノフルオロエタン，ジフルオロエタン，
トリフルオロエタン，テトラフルオロエタン，ペンタフ
ルオロエタン等のハイドロフルオロカーボン類、その他
炭素を含有するフッ素化合物のガス及びそれらの混合ガ
スを含む排ガス全般が挙げられる。前記の各種半導体製
造装置より排出されるこれらの排ガスの量としては、通
常数十ｍＬ／分〜数Ｌ／分である。
ラフルオロエチレン，テトラフルオロアレン，ヘキサフ
ルオロエタン，オクタフルオロプロパン，オクタフルオ
ロブテン等のパーフルオロカーボン類、トリクロロフル
オロメタン，ジクロロジフルオロメタン，モノクロロト
リフルオロメタン，テトラクロロジフルオロエタン，ト
リクロロトリフルオロエタン，ジクロロテトラフルオロ
エタン，モノクロロペンタフルオロエタン等のクロロフ
ルオロカーボン類、モノクロロモノフルオロメタン，モ
ノクロロジフルオロメタン，ジクロロモノフルオロメタ
ン，モノクロロジフルオロエタン，ジクロロフルオロエ
タン，ジクロロトリフルオロエタン，モノクロロテトラ
フルオロエタン等のハイドロクロロフルオロカーボン
類、トリフルオロメタン，ジフルオロメタン，モノフル
オロメタン，モノフルオロエタン，ジフルオロエタン，
トリフルオロエタン，テトラフルオロエタン，ペンタフ
ルオロエタン等のハイドロフルオロカーボン類、その他
炭素を含有するフッ素化合物のガス及びそれらの混合ガ
スを含む排ガス全般が挙げられる。前記の各種半導体製
造装置より排出されるこれらの排ガスの量としては、通
常数十ｍＬ／分〜数Ｌ／分である。
【００１４】本願発明では、分解促進剤として酸素、水
蒸気、水素、０．０１〜３０Ｔorrの減圧下で気体の酸
素及び/又は水素を含有する化合物、０．０１〜３０Ｔo
rrの減圧下で気体の珪素含有化合物、並びに、珪素もし
くは固体状の珪素含有化合物から選択される１種以上を
用いる。分解促進剤としては、酸素、水蒸気、水素のほ
か、０．０１〜３０Ｔorrの減圧下でガス状の酸素及び/
又は水素を含有する化合物として、オゾン、過酸化水
素、亜酸化窒素等、メタノールあるいはエタノール等の
アルコール類，アンモニアが挙げられ、０．０１〜３０
Ｔorrの減圧下でガス状の珪素含有化合物としてはテト
ラエトキシシラン、シラン、ジシラン、ジクロルシラン
等が挙げられ、固体状の珪素含有化合物としては、石
英、シリカ、窒化珪素、コーディエライト、ムライト、
サイアロン等が挙げられる。分解促進剤としてこれらか
ら選択される１種またはこれらを複数組み合わせて用い
低温プラズマ分解することにより分解効率を高めること
が可能となる。
蒸気、水素、０．０１〜３０Ｔorrの減圧下で気体の酸
素及び/又は水素を含有する化合物、０．０１〜３０Ｔo
rrの減圧下で気体の珪素含有化合物、並びに、珪素もし
くは固体状の珪素含有化合物から選択される１種以上を
用いる。分解促進剤としては、酸素、水蒸気、水素のほ
か、０．０１〜３０Ｔorrの減圧下でガス状の酸素及び/
又は水素を含有する化合物として、オゾン、過酸化水
素、亜酸化窒素等、メタノールあるいはエタノール等の
アルコール類，アンモニアが挙げられ、０．０１〜３０
Ｔorrの減圧下でガス状の珪素含有化合物としてはテト
ラエトキシシラン、シラン、ジシラン、ジクロルシラン
等が挙げられ、固体状の珪素含有化合物としては、石
英、シリカ、窒化珪素、コーディエライト、ムライト、
サイアロン等が挙げられる。分解促進剤としてこれらか
ら選択される１種またはこれらを複数組み合わせて用い
低温プラズマ分解することにより分解効率を高めること
が可能となる。
【００１５】本願発明の有機フッ素系排ガスの分解処理
方法は、前記した有機フッ素系排ガスの分解処理装置を
用い、接続する真空排気装置により０．０１〜３０Ｔor
rの減圧下、周波数が１〜１００ＭＨzの高周波誘導結合
方式の低温プラズマを用いて、半導体製造装置より排出
される有機フッ素系排ガスを分解処理する。
方法は、前記した有機フッ素系排ガスの分解処理装置を
用い、接続する真空排気装置により０．０１〜３０Ｔor
rの減圧下、周波数が１〜１００ＭＨzの高周波誘導結合
方式の低温プラズマを用いて、半導体製造装置より排出
される有機フッ素系排ガスを分解処理する。
【００１６】本願発明の方法を実施する減圧下とは、高
周波誘導結合方式の低温プラズマが安定して形成される
０．００１〜１００Ｔorrの真空領域をいい、本発明に
よる効果を奏する真空領域としては好ましくは０．０１
〜３０Ｔorrである。また、高周波とは、一般的に０．
１〜５００ＭＨzの周波数領域を指すが、本発明による
効果を奏する周波数領域は１〜１００ＭＨzが好まし
い。さらに、低温プラズマとは、プラズマ中のガス温度
が電子温度よりも極端に低く、室温に近い状態のプラズ
マをいう。
周波誘導結合方式の低温プラズマが安定して形成される
０．００１〜１００Ｔorrの真空領域をいい、本発明に
よる効果を奏する真空領域としては好ましくは０．０１
〜３０Ｔorrである。また、高周波とは、一般的に０．
１〜５００ＭＨzの周波数領域を指すが、本発明による
効果を奏する周波数領域は１〜１００ＭＨzが好まし
い。さらに、低温プラズマとは、プラズマ中のガス温度
が電子温度よりも極端に低く、室温に近い状態のプラズ
マをいう。
【００１７】本願発明の有機フッ素系排ガスの分解処理
方法に用いる被処理ガスの分解処理装置において、
（ａ）の電気的絶縁性容器は、ガスラインを設置したフ
ランジ部及び石英ガラス又はセラミックス材料からなる
筒状体で構成されるガス流通空間から形成されることが
好ましい。該フランジ部はプラズマ分解処理時の発熱に
よる温度上昇を抑えるために、水等の冷却媒体を通して
冷却可能なジャケット構造とし、点検・保守のための開
口部を設け、また、真空度測定のため絶対圧真空計を設
置することが好ましい。
方法に用いる被処理ガスの分解処理装置において、
（ａ）の電気的絶縁性容器は、ガスラインを設置したフ
ランジ部及び石英ガラス又はセラミックス材料からなる
筒状体で構成されるガス流通空間から形成されることが
好ましい。該フランジ部はプラズマ分解処理時の発熱に
よる温度上昇を抑えるために、水等の冷却媒体を通して
冷却可能なジャケット構造とし、点検・保守のための開
口部を設け、また、真空度測定のため絶対圧真空計を設
置することが好ましい。
【００１８】電気的絶縁性容器のガス流通空間は、２重
の筒状構造とし、内側筒状構造の材質は石英ガラス、シ
リカ、窒化珪素、コーディエライト、ムライトまたはサ
イアロンとし、交換、保守が容易な構造であることが好
ましい。また、（ｂ）コイル形状の放電用電極は、冷却
媒体を通すことが可能な導電体金属の中空パイプである
ことが好ましく、銀メッキを施した銅パイプコイルが特
に好ましい。
の筒状構造とし、内側筒状構造の材質は石英ガラス、シ
リカ、窒化珪素、コーディエライト、ムライトまたはサ
イアロンとし、交換、保守が容易な構造であることが好
ましい。また、（ｂ）コイル形状の放電用電極は、冷却
媒体を通すことが可能な導電体金属の中空パイプである
ことが好ましく、銀メッキを施した銅パイプコイルが特
に好ましい。
【００１９】本発明の方法を実施する工程としては、
一般的に半導体製造装置の後段には、半導体製造装置の
反応容器内を減圧に保つとともに、反応後の排ガスを系
外へ排出するための真空排気装置が設置されているの
で、半導体製造装置と真空排気装置の間、もしくは本発
明の実施工程以降に別の真空排気装置が設けられるなど
上記減圧が保たれるような装置構成である場合には上記
真空排気装置以降であってもよい。尚、本発明の方法を
半導体製造装置と真空排気装置との間で実施する場合に
は、本発明の実施工程でのなんらかのトラブル発生によ
る該製造装置への悪影響を防止するために、半導体製造
装置と本発明の実施工程の間にブースターポンプ等の真
空排気装置を設置することが推奨される。
一般的に半導体製造装置の後段には、半導体製造装置の
反応容器内を減圧に保つとともに、反応後の排ガスを系
外へ排出するための真空排気装置が設置されているの
で、半導体製造装置と真空排気装置の間、もしくは本発
明の実施工程以降に別の真空排気装置が設けられるなど
上記減圧が保たれるような装置構成である場合には上記
真空排気装置以降であってもよい。尚、本発明の方法を
半導体製造装置と真空排気装置との間で実施する場合に
は、本発明の実施工程でのなんらかのトラブル発生によ
る該製造装置への悪影響を防止するために、半導体製造
装置と本発明の実施工程の間にブースターポンプ等の真
空排気装置を設置することが推奨される。
【００２０】以下に本発明に係わる有機フッ素系排ガス
の分解処理方法及び分解処理装置に関して、図面を用い
てさらに詳しく説明する。まず分解処理装置の構造につ
いて述べると、図１において、被処理ガスを導入するた
めの、被処理ガス導入ライン１及びガス状分解促進剤を
導入するための、定量供給装置を備えた分解促進剤導入
ライン２を具備するガス導入フランジ３と、プラズマ分
解処理後のガス導出ライン５を具備するガス導出フラン
ジ４は、図示されていない真空シール材を介して電気的
絶縁性容器７に接続されており、該シール材によりこれ
らは気密が保たれる構造となっている。
の分解処理方法及び分解処理装置に関して、図面を用い
てさらに詳しく説明する。まず分解処理装置の構造につ
いて述べると、図１において、被処理ガスを導入するた
めの、被処理ガス導入ライン１及びガス状分解促進剤を
導入するための、定量供給装置を備えた分解促進剤導入
ライン２を具備するガス導入フランジ３と、プラズマ分
解処理後のガス導出ライン５を具備するガス導出フラン
ジ４は、図示されていない真空シール材を介して電気的
絶縁性容器７に接続されており、該シール材によりこれ
らは気密が保たれる構造となっている。
【００２１】ガス導入フランジ３及びガス導出フランジ
４はプラズマ分解処理時の発熱による温度上昇を抑える
ために、水を通して冷却するジャケット構造となってい
るとともに、該フランジ３の下部及び４の上部には点検
・保守のための開口部を設けている。また、該フランジ
３及び４には内部空間の真空度を測定するための、絶対
圧真空計６Ａ及び６Ｂが設置されている。
４はプラズマ分解処理時の発熱による温度上昇を抑える
ために、水を通して冷却するジャケット構造となってい
るとともに、該フランジ３の下部及び４の上部には点検
・保守のための開口部を設けている。また、該フランジ
３及び４には内部空間の真空度を測定するための、絶対
圧真空計６Ａ及び６Ｂが設置されている。
【００２２】ここで、被処理ガス導入ライン１，分解促
進剤導入ライン２，ガス導出ライン５における配管及び
ガス導入フランジ３，ガス導出フランジ４の材料として
は、被処理ガスあるいは分解促進剤が腐食性である場合
もあり、特にガス導出フランジ４，ガス導出ライン５に
おける配管にあっては、被処理ガスがプラズマにて分解
された際に発生するフッ素ラジカルあるいはフッ素イオ
ン等により腐食を受けることから高耐食性材料のものが
望ましく、フッ素樹脂，ステンレススチール，チタン，
ハステロイ，ジルコン等が考えられるが、経済面を考慮
した場合一般的にはステンレススチールが推奨される。
進剤導入ライン２，ガス導出ライン５における配管及び
ガス導入フランジ３，ガス導出フランジ４の材料として
は、被処理ガスあるいは分解促進剤が腐食性である場合
もあり、特にガス導出フランジ４，ガス導出ライン５に
おける配管にあっては、被処理ガスがプラズマにて分解
された際に発生するフッ素ラジカルあるいはフッ素イオ
ン等により腐食を受けることから高耐食性材料のものが
望ましく、フッ素樹脂，ステンレススチール，チタン，
ハステロイ，ジルコン等が考えられるが、経済面を考慮
した場合一般的にはステンレススチールが推奨される。
【００２３】尚、被処理ガス及びガス状分解促進剤の性
状によっては、分解処理後に固形あるいは粉末状の反応
物が生成する可能性があることから、ガス導出フランジ
４から真空排気装置の間にこれらを捕捉する、例えばフ
ィルター，サイクロン等の集塵機構を設けることが推奨
される。一方、分解促進剤が珪素及び固体状の珪素含有
化合物である場合には、その用い方は後述の電気的絶縁
性容器７の内部に装填する必要があるが、その形状はプ
ラズマが安定して形成されるものであれば特に限定され
ない。よってその装填については形状に適した方式ある
いは構造とする必要がある。例えば上記促進剤がペレッ
ト状のものにあっては、これを受けて保持する目皿等の
機構が具備される。
状によっては、分解処理後に固形あるいは粉末状の反応
物が生成する可能性があることから、ガス導出フランジ
４から真空排気装置の間にこれらを捕捉する、例えばフ
ィルター，サイクロン等の集塵機構を設けることが推奨
される。一方、分解促進剤が珪素及び固体状の珪素含有
化合物である場合には、その用い方は後述の電気的絶縁
性容器７の内部に装填する必要があるが、その形状はプ
ラズマが安定して形成されるものであれば特に限定され
ない。よってその装填については形状に適した方式ある
いは構造とする必要がある。例えば上記促進剤がペレッ
ト状のものにあっては、これを受けて保持する目皿等の
機構が具備される。
【００２４】次に、電気的絶縁性容器７の内側には、さ
らに別の電気的絶縁性容器８を備えている。ここで、電
気的絶縁性容器８の必要性，目的を述べると、該容器７
のみでプラズマ分解処理を行った場合、被処理ガスの分
解時に発生するフッ素ラジカルあるいはフッ素イオン等
によりその内壁が甚だしく腐食を受ける。この腐食が進
むと穴があいて真空が保持できなくなるとともに、前段
の半導体製造装置や後段の真空排気装置等へ悪影響を及
ぼす。これを防止するため、該容器７の保護用として電
気的絶縁性管８を備えているのであり、その交換，保守
は容易な構造となっている。
らに別の電気的絶縁性容器８を備えている。ここで、電
気的絶縁性容器８の必要性，目的を述べると、該容器７
のみでプラズマ分解処理を行った場合、被処理ガスの分
解時に発生するフッ素ラジカルあるいはフッ素イオン等
によりその内壁が甚だしく腐食を受ける。この腐食が進
むと穴があいて真空が保持できなくなるとともに、前段
の半導体製造装置や後段の真空排気装置等へ悪影響を及
ぼす。これを防止するため、該容器７の保護用として電
気的絶縁性管８を備えているのであり、その交換，保守
は容易な構造となっている。
【００２５】また、該容器７の外側には金属製中空パイ
プをコイル状に加工した放電用電極９が設置され、イン
ピーダンス自動整合器１０を介して放電用高周波電源装
置１１と、給電接続部１２で接続されている。さらに、
該電極９は接地接続部１３により大地に接地されてい
る。ここで、該電極９に高周波の電力を供給した場合、
その抵抗分により発熱し高温となるため、図示されてい
ないが、その両端には冷却用の水供給配管が接続されて
いる。
プをコイル状に加工した放電用電極９が設置され、イン
ピーダンス自動整合器１０を介して放電用高周波電源装
置１１と、給電接続部１２で接続されている。さらに、
該電極９は接地接続部１３により大地に接地されてい
る。ここで、該電極９に高周波の電力を供給した場合、
その抵抗分により発熱し高温となるため、図示されてい
ないが、その両端には冷却用の水供給配管が接続されて
いる。
【００２６】尚、図１では該電極９において、給電接続
部１２及び接地接続部１３はそれぞれ１箇所としている
が、インピーダンス自動整合器１０において整合の範囲
を広くし整合をとり易くする目的、さらにはプラズマを
安定して形成せしめる目的から、給電接続部１２あるい
は接地接続部１３を複数設けることもある。ここで、電
気的絶縁性容器７は電気的に絶縁性の材料であれば特に
限定されない。耐熱性、耐食性及び機械的強度の面から
通常石英ガラスが用いられるが、現在新素材として注目
を集めているセラミクス材料であってもよい。
部１２及び接地接続部１３はそれぞれ１箇所としている
が、インピーダンス自動整合器１０において整合の範囲
を広くし整合をとり易くする目的、さらにはプラズマを
安定して形成せしめる目的から、給電接続部１２あるい
は接地接続部１３を複数設けることもある。ここで、電
気的絶縁性容器７は電気的に絶縁性の材料であれば特に
限定されない。耐熱性、耐食性及び機械的強度の面から
通常石英ガラスが用いられるが、現在新素材として注目
を集めているセラミクス材料であってもよい。
【００２７】電気的絶縁性容器８は、前記目的によるこ
とから、電気的絶縁性容器７と同等以上の耐熱性，耐食
性を有する材料が望ましいが、一方で、本発明によると
ころの分解促進剤としての役割を果たすことも可能であ
り、その場合には被処理ガスがプラズマにて分解された
際に発生する生成物質と反応，結合しやすい物質を含む
材料であることが望ましく、石英ガラス，シリカ，窒化
珪素，コーディエライト，ムライト，サイアロン等があ
げられる。
とから、電気的絶縁性容器７と同等以上の耐熱性，耐食
性を有する材料が望ましいが、一方で、本発明によると
ころの分解促進剤としての役割を果たすことも可能であ
り、その場合には被処理ガスがプラズマにて分解された
際に発生する生成物質と反応，結合しやすい物質を含む
材料であることが望ましく、石英ガラス，シリカ，窒化
珪素，コーディエライト，ムライト，サイアロン等があ
げられる。
【００２８】放電用電極９において、本発明の装置では
中空の銅パイプをコイル状に加工して電気的絶縁性容器
７の外周に設置しているが、その材質は導電体であれば
特に限定されないし、形状についても高周波電源による
誘導電磁界によってプラズマが安定に形成できるもので
あれば特に限定されるものではない。また、本発明の装
置には、装置全体を制御する制御装置１４が備えられて
おり、該制御装置により放電用高周波電源装置１１の起
動・停止やプラズマの安定形成の監視、プラズマ形成空
間の真空度の監視、さらには放電用電極９及びガス導入
フランジ３，ガス導出フランジ４への冷却水の供給量の
監視を行い、そのいづれかにおいて異常が生じた場合に
は、例えば放電用高周波電源装置１１からの電力の供給
を停止する等の適切な安全措置を講ずる機能を備えてい
る。
中空の銅パイプをコイル状に加工して電気的絶縁性容器
７の外周に設置しているが、その材質は導電体であれば
特に限定されないし、形状についても高周波電源による
誘導電磁界によってプラズマが安定に形成できるもので
あれば特に限定されるものではない。また、本発明の装
置には、装置全体を制御する制御装置１４が備えられて
おり、該制御装置により放電用高周波電源装置１１の起
動・停止やプラズマの安定形成の監視、プラズマ形成空
間の真空度の監視、さらには放電用電極９及びガス導入
フランジ３，ガス導出フランジ４への冷却水の供給量の
監視を行い、そのいづれかにおいて異常が生じた場合に
は、例えば放電用高周波電源装置１１からの電力の供給
を停止する等の適切な安全措置を講ずる機能を備えてい
る。
【００２９】次に、被処理ガスの分解処理過程について
述べると、ＣＶＤ装置やエッチング装置等の半導体製造
装置より排出された被処理ガス及びガス状分解促進剤
は、本発明の装置の後段に設置されている真空排気装置
によりそれぞれ被処理ガス導入ライン１及び分解促進剤
導入ライン２を通じてガス導入フランジ３内に導入され
混合される。
述べると、ＣＶＤ装置やエッチング装置等の半導体製造
装置より排出された被処理ガス及びガス状分解促進剤
は、本発明の装置の後段に設置されている真空排気装置
によりそれぞれ被処理ガス導入ライン１及び分解促進剤
導入ライン２を通じてガス導入フランジ３内に導入され
混合される。
【００３０】上記ガス状分解促進剤は被処理ガス流量に
対して０．１〜１０倍となるように分解促進剤導入ライ
ン２にて調整して添加するが、被処理ガス及び被処理ガ
スの分解生成物と完全に反応するに足るガス量とするこ
とが重要である。インピーダンス自動整合器１０を介し
て放電用高周波電源装置１１から放電用電極９に電力が
供給されると、該電極で高周波誘導電磁界が発生する。
上記の混合ガスは電気的絶縁性容器７内において、該電
磁界によってプラズマ化し分解される。ここで、インピ
ーダンス自動整合器１０では供給された電力に対し、放
電で消費される電力を最大とすべく自動的に整合を行
う。このとき、ガス状分解促進剤が例えば酸素及び酸素
含有化合物の場合では、分解された被処理ガス中の反応
生成物と該促進剤の酸素とが反応，結合して、例えばＣ
Ｏ，ＣＯ2，ＣＯＦ2等のガスが生成する。
対して０．１〜１０倍となるように分解促進剤導入ライ
ン２にて調整して添加するが、被処理ガス及び被処理ガ
スの分解生成物と完全に反応するに足るガス量とするこ
とが重要である。インピーダンス自動整合器１０を介し
て放電用高周波電源装置１１から放電用電極９に電力が
供給されると、該電極で高周波誘導電磁界が発生する。
上記の混合ガスは電気的絶縁性容器７内において、該電
磁界によってプラズマ化し分解される。ここで、インピ
ーダンス自動整合器１０では供給された電力に対し、放
電で消費される電力を最大とすべく自動的に整合を行
う。このとき、ガス状分解促進剤が例えば酸素及び酸素
含有化合物の場合では、分解された被処理ガス中の反応
生成物と該促進剤の酸素とが反応，結合して、例えばＣ
Ｏ，ＣＯ2，ＣＯＦ2等のガスが生成する。
【００３１】また、該促進剤が水蒸気，水素及び水素含
有化合物の場合では、上記と同様にして例えばＨＦ等の
ガスが生成する。さらに、該促進剤が珪素及び珪素含有
化合物の場合には、上記と同様にして例えばＳiＦ４等
のガスが生成する。これらのガスはガス導出フランジ
４，ガス導出ライン５，真空排気装置を経て系外に排出
される。因みにこれらのガスは、半導体製造装置の排気
系の末端に装備される既存の湿式スクラバーで容易に除
害処理が可能である。
有化合物の場合では、上記と同様にして例えばＨＦ等の
ガスが生成する。さらに、該促進剤が珪素及び珪素含有
化合物の場合には、上記と同様にして例えばＳiＦ４等
のガスが生成する。これらのガスはガス導出フランジ
４，ガス導出ライン５，真空排気装置を経て系外に排出
される。因みにこれらのガスは、半導体製造装置の排気
系の末端に装備される既存の湿式スクラバーで容易に除
害処理が可能である。
【００３２】尚、図１の装置では被処理ガスとガス状分
解促進剤をガス導入フランジ３に同時に供給し、その混
合ガスをプラズマ分解処理する構造となっているが、被
処理ガスの種類や処理量が多い場合や、被処理ガスの分
解生成物あるいは分解促進剤の種類によっては、プラズ
マ分解処理を多段で行うことでより一層分解効率を高め
ることが可能となる。
解促進剤をガス導入フランジ３に同時に供給し、その混
合ガスをプラズマ分解処理する構造となっているが、被
処理ガスの種類や処理量が多い場合や、被処理ガスの分
解生成物あるいは分解促進剤の種類によっては、プラズ
マ分解処理を多段で行うことでより一層分解効率を高め
ることが可能となる。
【００３３】ここで、多段とは図２に示すように、電気
的絶縁性容器７，８と放電用電極９とからなる放電発生
部とガス導入フランジ３とガス導出フランジ４が並列に
複数段設けられた形態、あるいは図３に示すように上記
各機器が直列に複数段設けられた形態、あるいはこれら
が組み合わされた複合形態をいう。この多段処理を行う
場合には、被処理ガスあるいはガス状分解促進剤の導入
位置が重要となり、これらを自由に選択できる構造とな
っている。
的絶縁性容器７，８と放電用電極９とからなる放電発生
部とガス導入フランジ３とガス導出フランジ４が並列に
複数段設けられた形態、あるいは図３に示すように上記
各機器が直列に複数段設けられた形態、あるいはこれら
が組み合わされた複合形態をいう。この多段処理を行う
場合には、被処理ガスあるいはガス状分解促進剤の導入
位置が重要となり、これらを自由に選択できる構造とな
っている。
【００３４】上記多段処理においては、上記の形態に伴
って放電用高周波電源装置１１やインピーダンス自動整
合器１０が複数あってもよい。本発明の方法及び装置は
これらを全て包含するものである。以上から、従来高周
波誘導結合方式の低温プラズマによっても分解処理が難
しかった有機フッ素系排ガスに対して、分解促進剤を用
いることで分解効率を大幅に向上させることが可能とな
ったのである。
って放電用高周波電源装置１１やインピーダンス自動整
合器１０が複数あってもよい。本発明の方法及び装置は
これらを全て包含するものである。以上から、従来高周
波誘導結合方式の低温プラズマによっても分解処理が難
しかった有機フッ素系排ガスに対して、分解促進剤を用
いることで分解効率を大幅に向上させることが可能とな
ったのである。
【００３５】尚、本発明の方法及び装置は半導体製造装
置からの排ガスに限らず、例えば液晶製造プロセスある
いはその他の各種産業における製造プロセスから排出さ
れる有機フッ素系排ガスの分解処理にも有効である。さ
らに、本発明の方法は、用いる分解促進剤の種類によっ
ては上記有機フッ素系排ガス以外の、例えばシラン，ジ
シラン，ジクロルシラン，三フッ化窒素，六フッ化硫黄
等の排ガス処理にも有効である。
置からの排ガスに限らず、例えば液晶製造プロセスある
いはその他の各種産業における製造プロセスから排出さ
れる有機フッ素系排ガスの分解処理にも有効である。さ
らに、本発明の方法は、用いる分解促進剤の種類によっ
ては上記有機フッ素系排ガス以外の、例えばシラン，ジ
シラン，ジクロルシラン，三フッ化窒素，六フッ化硫黄
等の排ガス処理にも有効である。
【００３６】
【実施例】以下に本発明の方法及び装置を用いた実施例
について説明する。 実施例１ 図１に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して、外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として、外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍの石英ガラス容器を用いた。放電用
電極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ
径６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用いた。被処
理ガスとしてテトラフルオロメタン（ＣＦ4）を流量１
Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤として酸素を流量１．５
Ｌ／ｍｉｎ添加しながら、後段の真空排気装置（メカニ
カルブースターポンプとドライポンプの組み合わせ）に
より該容器内を１Ｔｏｒｒの圧力となるように調整した
後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波電源装置か
ら自動整合器を介して該電極に５ｋＷの電力を供給して
プラズマ分解処理を行った。尚、電力は該電極の中央部
より給電し、その両端を接地した。ガス導出フランジと
真空排気装置の間の減圧下において、差動排気四重極質
量分析計により分解処理後のガス分析を行った結果、次
の反応が生じることによって分解性能は分解促進剤無し
と比較し約１３０％改善された。 ＣＦ4 ＋ Ｏ2 → ＣＯ2 ＋ ２Ｆ2 表１に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
について説明する。 実施例１ 図１に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して、外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として、外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍの石英ガラス容器を用いた。放電用
電極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ
径６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用いた。被処
理ガスとしてテトラフルオロメタン（ＣＦ4）を流量１
Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤として酸素を流量１．５
Ｌ／ｍｉｎ添加しながら、後段の真空排気装置（メカニ
カルブースターポンプとドライポンプの組み合わせ）に
より該容器内を１Ｔｏｒｒの圧力となるように調整した
後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波電源装置か
ら自動整合器を介して該電極に５ｋＷの電力を供給して
プラズマ分解処理を行った。尚、電力は該電極の中央部
より給電し、その両端を接地した。ガス導出フランジと
真空排気装置の間の減圧下において、差動排気四重極質
量分析計により分解処理後のガス分析を行った結果、次
の反応が生じることによって分解性能は分解促進剤無し
と比較し約１３０％改善された。 ＣＦ4 ＋ Ｏ2 → ＣＯ2 ＋ ２Ｆ2 表１に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
【００３７】
【表１】 ※分解率とは、原料ガス中のフロン量から排ガス中のフ
ロン量を引いた値を原料ガス中のフロン量で除した値を
百分率で表現したものである。
ロン量を引いた値を原料ガス中のフロン量で除した値を
百分率で表現したものである。
【００３８】実施例２ 図１に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して、外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍの窒化珪素容器を用いた。放電用電
極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ径
６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、５巻き）を用いた。被処理ガ
スとしてトリフルオロメタン（ＣＨＦ3）を流量２Ｌ／
ｍｉｎ、ガス状分解促進剤としてオゾン５％含有酸素を
流量２Ｌ／ｍｉｎ添加しながら、後段の真空排気装置
（メカニカルブースターポンプとドライポンプの組み合
わせ）により該容器内を２Ｔｏｒｒの圧力となるよう調
整した後、周波数２ＭＨｚの放電用高周波電源装置から
自動整合器を介して該電極に１０ｋＷの電力を供給して
プラズマ分解処理を行った。尚、電力は該電極の一端か
ら給電し、他端を接地した。ガス導出フランジと真空排
気装置の間の減圧下において、差動排気四重極質量分析
計により分解処理後のガス分析を行った結果、次の反応
が生じることによって分解性能は分解促進剤無しと比較
し約９０％改善された。 ＣＨＦ3 ＋ Ｏ2（Ｏ3） → ＣＯ2 ＋ Ｆ2
＋ ＨＦ 表２に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
して、外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍの窒化珪素容器を用いた。放電用電
極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ径
６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、５巻き）を用いた。被処理ガ
スとしてトリフルオロメタン（ＣＨＦ3）を流量２Ｌ／
ｍｉｎ、ガス状分解促進剤としてオゾン５％含有酸素を
流量２Ｌ／ｍｉｎ添加しながら、後段の真空排気装置
（メカニカルブースターポンプとドライポンプの組み合
わせ）により該容器内を２Ｔｏｒｒの圧力となるよう調
整した後、周波数２ＭＨｚの放電用高周波電源装置から
自動整合器を介して該電極に１０ｋＷの電力を供給して
プラズマ分解処理を行った。尚、電力は該電極の一端か
ら給電し、他端を接地した。ガス導出フランジと真空排
気装置の間の減圧下において、差動排気四重極質量分析
計により分解処理後のガス分析を行った結果、次の反応
が生じることによって分解性能は分解促進剤無しと比較
し約９０％改善された。 ＣＨＦ3 ＋ Ｏ2（Ｏ3） → ＣＯ2 ＋ Ｆ2
＋ ＨＦ 表２に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
【００３９】
【表２】
【００４０】実施例３ 図２に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して、外径４４ｍｍ、内径３８ｍｍ、全長３００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として、外径３６ｍｍ、内径３０ｍ
ｍ、全長３００ｍｍの石英ガラス容器を使用した。放電
用電極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイ
プ径６ｍｍ、巻き径５８ｍｍ、５巻き）を用いた。被処
理ガスとしてヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）を流量
０．３Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤として過酸化水素
を流量２Ｌ／ｍｉｎ添加しながら、後段の真空排気装置
（メカニカルブースターポンプとドライポンプの組み合
わせ）により該容器内を０．７Ｔｏｒｒの圧力となるよ
う調整した後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波
電源装置から自動整合器を介して２つの放電用電極に各
々１ｋＷの電力を供給して、並列接続方式にてプラズマ
分解処理を行った。尚、電力は該電極の一端より給電
し、他端を接地した。ガス導出フランジと真空排気装置
の間の減圧下において、差動排気四重極質量分析計によ
り分解処理後のガス分析を行った結果、次の反応が生じ
ることによって分解性能は分解促進剤無しと比較し約５
０％改善された。 Ｃ2Ｆ6 ＋ ３Ｈ2Ｏ2 → ２ＣＯ2 ＋ ６ＨＦ
＋ Ｏ2 表３に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
して、外径４４ｍｍ、内径３８ｍｍ、全長３００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として、外径３６ｍｍ、内径３０ｍ
ｍ、全長３００ｍｍの石英ガラス容器を使用した。放電
用電極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイ
プ径６ｍｍ、巻き径５８ｍｍ、５巻き）を用いた。被処
理ガスとしてヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）を流量
０．３Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤として過酸化水素
を流量２Ｌ／ｍｉｎ添加しながら、後段の真空排気装置
（メカニカルブースターポンプとドライポンプの組み合
わせ）により該容器内を０．７Ｔｏｒｒの圧力となるよ
う調整した後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波
電源装置から自動整合器を介して２つの放電用電極に各
々１ｋＷの電力を供給して、並列接続方式にてプラズマ
分解処理を行った。尚、電力は該電極の一端より給電
し、他端を接地した。ガス導出フランジと真空排気装置
の間の減圧下において、差動排気四重極質量分析計によ
り分解処理後のガス分析を行った結果、次の反応が生じ
ることによって分解性能は分解促進剤無しと比較し約５
０％改善された。 Ｃ2Ｆ6 ＋ ３Ｈ2Ｏ2 → ２ＣＯ2 ＋ ６ＨＦ
＋ Ｏ2 表３に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
【００４１】
【表３】
【００４２】実施例４ 図１に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの石
英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置する
電気的絶縁性容器として、外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍの石英ガラス容器を用いた。放電用
電極として銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ径
６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用いた。被処理
ガスとしてジクロロジフルオロメタン（ＣＣｌ2Ｆ2）を
流量１Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤として水蒸気を流
量３Ｌ／ｍｉｎを添加しながら、後段の真空排気装置
（メカニカルブースターポンプとドライポンプの組み合
わせ）により該容器内を１．５Ｔｏｒｒの圧力となるよ
う調整した後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波
電源装置から自動整合器を介して該電極に１０ｋＷの電
力を供給してプラズマ分解処理を行った。尚、電力はコ
イル中央部より給電し、その両端を接地した。ガス導出
フランジと真空排気装置の間の減圧下において、差動排
気四重極質量分析計により分解処理後のガス分析を行っ
た結果、次の反応が生じることによって分解性能は分解
促進剤無しと比較し約６０％改善された。 ＣＣｌ2Ｆ2 ＋ ２Ｈ2Ｏ → ＣＯ2 ＋ ２ＨＣ
ｌ ＋ ２ＨＦ 表４に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
して外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの石
英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置する
電気的絶縁性容器として、外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍの石英ガラス容器を用いた。放電用
電極として銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ径
６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用いた。被処理
ガスとしてジクロロジフルオロメタン（ＣＣｌ2Ｆ2）を
流量１Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤として水蒸気を流
量３Ｌ／ｍｉｎを添加しながら、後段の真空排気装置
（メカニカルブースターポンプとドライポンプの組み合
わせ）により該容器内を１．５Ｔｏｒｒの圧力となるよ
う調整した後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波
電源装置から自動整合器を介して該電極に１０ｋＷの電
力を供給してプラズマ分解処理を行った。尚、電力はコ
イル中央部より給電し、その両端を接地した。ガス導出
フランジと真空排気装置の間の減圧下において、差動排
気四重極質量分析計により分解処理後のガス分析を行っ
た結果、次の反応が生じることによって分解性能は分解
促進剤無しと比較し約６０％改善された。 ＣＣｌ2Ｆ2 ＋ ２Ｈ2Ｏ → ＣＯ2 ＋ ２ＨＣ
ｌ ＋ ２ＨＦ 表４に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
【００４３】
【表４】
【００４４】実施例５ 図１に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して、外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として窒化珪素容器を用いた。放電
用電極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイ
プ径６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用いた。被
処理ガスとしてテトラフルオロメタン（ＣＦ4）を流量
０．５Ｌ／ｍｉｎ、珪素含有の固体状分解促進剤として
ペレット状石英を装填し、後段の真空排気装置（メカニ
カルブースターポンプとドライポンプの組み合わせ）に
より該容器内を０．５Ｔｏｒｒの圧力となるように調整
した後、周波数４０ＭＨｚの放電用高周波電源装置から
自動整合器を介して該電極に５ｋＷの電力を供給してプ
ラズマ分解処理を行った。尚、電力は該電極の中央部よ
り給電し、その両端を接地した。ガス導出フランジと真
空排気装置の間の減圧下において、差動排気四重極質量
分析計により分解処理後のガス分析を行った結果、次の
反応が生じることによって分解性能は分解促進剤無しと
比較し約４０％改善された。 ＣＦ4 ＋ ＳｉＯ2 → ＣＯ2 ＋ ＳｉＦ4 表５に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
して、外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの
石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置す
る電気的絶縁性容器として窒化珪素容器を用いた。放電
用電極として、銀メッキを施した銅パイプコイル（パイ
プ径６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用いた。被
処理ガスとしてテトラフルオロメタン（ＣＦ4）を流量
０．５Ｌ／ｍｉｎ、珪素含有の固体状分解促進剤として
ペレット状石英を装填し、後段の真空排気装置（メカニ
カルブースターポンプとドライポンプの組み合わせ）に
より該容器内を０．５Ｔｏｒｒの圧力となるように調整
した後、周波数４０ＭＨｚの放電用高周波電源装置から
自動整合器を介して該電極に５ｋＷの電力を供給してプ
ラズマ分解処理を行った。尚、電力は該電極の中央部よ
り給電し、その両端を接地した。ガス導出フランジと真
空排気装置の間の減圧下において、差動排気四重極質量
分析計により分解処理後のガス分析を行った結果、次の
反応が生じることによって分解性能は分解促進剤無しと
比較し約４０％改善された。 ＣＦ4 ＋ ＳｉＯ2 → ＣＯ2 ＋ ＳｉＦ4 表５に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
【００４５】
【表５】
【００４６】実施例６ 図１に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して外径１４０ｍｍ、内径１３４ｍｍ、全長５００ｍｍ
の石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置
する電気的絶縁性容器として、外径１３２ｍｍ、内径１
２６ｍｍ、全長５００ｍｍの石英ガラス容器を用いた。
放電用電極として銀メッキを施した銅パイプコイル（パ
イプ径６ｍｍ、巻き径１５４ｍｍ、１０巻き）を用い
た。被処理ガスとしてモノクロロジフルオロメタン（Ｃ
ＨＣｌＦ2）を流量１０Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤
として水素を流量３Ｌ／ｍｉｎ添加すると共に固体状分
解促進剤のペレット状石英を装填しておき、後段の真空
排気装置（メカニカルブースターポンプとドライポンプ
の組み合わせ）により該容器内を８Ｔｏｒｒの圧力とな
るよう調整した後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高
周波電源装置から自動整合器を介して該電極に３０ｋＷ
の電力を供給してプラズマ分解処理を行った。尚、電力
はコイル中央部より給電し、その両端を接地した。ガス
導出フランジと真空排気装置の間の減圧下において、差
動排気四重極質量分析計により分解処理後のガス分析を
行った結果、次の反応が生じることによって分解性能は
分解促進剤無しと比較し約４０％改善された。 ４ＣＨＣｌＦ2 ＋ Ｈ2＋ ２ＳｉＯ2 → ４ＣＯ＋４Ｈ
Ｃｌ＋２ＳｉＦ4＋Ｈ2 表６に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
して外径１４０ｍｍ、内径１３４ｍｍ、全長５００ｍｍ
の石英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置
する電気的絶縁性容器として、外径１３２ｍｍ、内径１
２６ｍｍ、全長５００ｍｍの石英ガラス容器を用いた。
放電用電極として銀メッキを施した銅パイプコイル（パ
イプ径６ｍｍ、巻き径１５４ｍｍ、１０巻き）を用い
た。被処理ガスとしてモノクロロジフルオロメタン（Ｃ
ＨＣｌＦ2）を流量１０Ｌ／ｍｉｎ、ガス状分解促進剤
として水素を流量３Ｌ／ｍｉｎ添加すると共に固体状分
解促進剤のペレット状石英を装填しておき、後段の真空
排気装置（メカニカルブースターポンプとドライポンプ
の組み合わせ）により該容器内を８Ｔｏｒｒの圧力とな
るよう調整した後、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高
周波電源装置から自動整合器を介して該電極に３０ｋＷ
の電力を供給してプラズマ分解処理を行った。尚、電力
はコイル中央部より給電し、その両端を接地した。ガス
導出フランジと真空排気装置の間の減圧下において、差
動排気四重極質量分析計により分解処理後のガス分析を
行った結果、次の反応が生じることによって分解性能は
分解促進剤無しと比較し約４０％改善された。 ４ＣＨＣｌＦ2 ＋ Ｈ2＋ ２ＳｉＯ2 → ４ＣＯ＋４Ｈ
Ｃｌ＋２ＳｉＦ4＋Ｈ2 表６に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
【００４７】
【表６】
【００４８】実施例７ 図３に示す装置を使用し実施した。電気的絶縁性容器と
して外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの石
英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置する
電気的絶縁性容器として、外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍのサイアロン容器を用いた。放電用
電極として銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ径
６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用い、電力はコ
イル中央部より給電しその両端を接地した。ガス状分解
促進剤は後段該容器のガス導入口より供給すると共に、
固体状分解促進剤の石英を後段該容器内に装填した。被
処理ガスは、ヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）、酸素、
四フッ化珪素及び二酸化炭素がそれぞれ４０％、２０
％、２０％、２０％の濃度で総流量４Ｌ／ｍｉｎを供給
し、真空排気装置（メカニカルブースターポンプとドラ
イポンプの組み合わせ）により前段該容器内を３Ｔｏｒ
ｒの圧力となるよう調整した。周波数１３．５６ＭＨｚ
の放電用高周波電源装置から自動整合器を介して該電極
に５ｋＷの電力を供給してプラズマ分解処理を行った。
前段の放電発生部で処理した排ガスに酸素を流量１Ｌ／
ｍｉｎ添加し、後段の該容器内を２Ｔｏｒｒの圧力とな
るよう調整し、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波
電源装置から自動整合器を介して該電極に３ｋＷの電力
を供給してプラズマ分解処理を行った。真空排気装置の
前段の減圧下において、差動排気四重極質量分析計によ
り分解処理後のガス分析を行った結果、次の反応が生じ
ることによって分解性能は分解促進剤無しと比較し約７
０％改善された。 ２Ｃ2Ｆ6 ＋ ３Ｏ2 ＋ ＳｉＯ2 → ４ＣＯ2 ＋ Ｓｉ
Ｆ4 ＋ ４Ｆ2 表７に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
して外径８０ｍｍ、内径７４ｍｍ、全長５００ｍｍの石
英ガラス容器を使用した。又、該容器の内側に設置する
電気的絶縁性容器として、外径７２ｍｍ、内径６６ｍ
ｍ、全長５００ｍｍのサイアロン容器を用いた。放電用
電極として銀メッキを施した銅パイプコイル（パイプ径
６ｍｍ、巻き径９４ｍｍ、１０巻き）を用い、電力はコ
イル中央部より給電しその両端を接地した。ガス状分解
促進剤は後段該容器のガス導入口より供給すると共に、
固体状分解促進剤の石英を後段該容器内に装填した。被
処理ガスは、ヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）、酸素、
四フッ化珪素及び二酸化炭素がそれぞれ４０％、２０
％、２０％、２０％の濃度で総流量４Ｌ／ｍｉｎを供給
し、真空排気装置（メカニカルブースターポンプとドラ
イポンプの組み合わせ）により前段該容器内を３Ｔｏｒ
ｒの圧力となるよう調整した。周波数１３．５６ＭＨｚ
の放電用高周波電源装置から自動整合器を介して該電極
に５ｋＷの電力を供給してプラズマ分解処理を行った。
前段の放電発生部で処理した排ガスに酸素を流量１Ｌ／
ｍｉｎ添加し、後段の該容器内を２Ｔｏｒｒの圧力とな
るよう調整し、周波数１３．５６ＭＨｚの放電用高周波
電源装置から自動整合器を介して該電極に３ｋＷの電力
を供給してプラズマ分解処理を行った。真空排気装置の
前段の減圧下において、差動排気四重極質量分析計によ
り分解処理後のガス分析を行った結果、次の反応が生じ
ることによって分解性能は分解促進剤無しと比較し約７
０％改善された。 ２Ｃ2Ｆ6 ＋ ３Ｏ2 ＋ ＳｉＯ2 → ４ＣＯ2 ＋ Ｓｉ
Ｆ4 ＋ ４Ｆ2 表７に分解促進剤を添加しない場合と本発明方法による
分解率の比較を示す。
【００４９】
【表７】
【００５０】比較例１ 実施例１に記載の条件にて、ＣＦ4流量１Ｌ／ｍｉｎ、
分解促進剤の酸素を２０ｃｃ／ｍｉｎ（０．０２倍）添
加した場合と、酸素を加えない場合を比較した結果、ほ
ぼ同じ分解性能であった。又、ＣＦ4流量１Ｌ／ｍｉ
ｎ、分解促進剤の酸素を１５Ｌ／ｍｉｎ（１５倍）添加
した場合と、酸素を加えない場合を比較すると、分解性
能は約２００％低下した。
分解促進剤の酸素を２０ｃｃ／ｍｉｎ（０．０２倍）添
加した場合と、酸素を加えない場合を比較した結果、ほ
ぼ同じ分解性能であった。又、ＣＦ4流量１Ｌ／ｍｉ
ｎ、分解促進剤の酸素を１５Ｌ／ｍｉｎ（１５倍）添加
した場合と、酸素を加えない場合を比較すると、分解性
能は約２００％低下した。
【００５１】比較例２ 実施例３に記載の条件にて、Ｃ2Ｆ6 流量０．３Ｌ／ｍ
ｉｎ、分解促進剤の過酸化水素を１５ｃｃ／ｍｉｎ
（０．０５倍）添加した場合と、過酸化水素を加えない
場合を比較した結果、ほぼ同じ分解性能であった。又、
Ｃ2Ｆ6 流量０．３Ｌ／ｍｉｎ、分解促進剤の過酸化水
素を６Ｌ／ｍｉｎ（２０倍）添加した場合と、過酸化水
素を加えない場合を比較すると、分解性能は約２３０％
低下した。
ｉｎ、分解促進剤の過酸化水素を１５ｃｃ／ｍｉｎ
（０．０５倍）添加した場合と、過酸化水素を加えない
場合を比較した結果、ほぼ同じ分解性能であった。又、
Ｃ2Ｆ6 流量０．３Ｌ／ｍｉｎ、分解促進剤の過酸化水
素を６Ｌ／ｍｉｎ（２０倍）添加した場合と、過酸化水
素を加えない場合を比較すると、分解性能は約２３０％
低下した。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
これまで高周波誘導結合方式の低温プラズマによる分解
処理においても分解が困難であった有機フッ素系排ガ
ス、例えばテトラフルオロメタン，ヘキサフルオロエタ
ン，ジクロロジフルオロメタン，ジクロロテトラフルオ
ロエタン，モノクロロジフルオロメタン，モノクロロジ
フルオロエタン，トリフルオロメタン，トリフルオロエ
タン等を高い分解効率で分解処理できるという効果が得
られる。また、本発明により上記排ガスを容易に無害化
処理できる性状に分解処理することで上記排ガスの大気
への放出量が削減され、地球環境維持に貢献できる。
これまで高周波誘導結合方式の低温プラズマによる分解
処理においても分解が困難であった有機フッ素系排ガ
ス、例えばテトラフルオロメタン，ヘキサフルオロエタ
ン，ジクロロジフルオロメタン，ジクロロテトラフルオ
ロエタン，モノクロロジフルオロメタン，モノクロロジ
フルオロエタン，トリフルオロメタン，トリフルオロエ
タン等を高い分解効率で分解処理できるという効果が得
られる。また、本発明により上記排ガスを容易に無害化
処理できる性状に分解処理することで上記排ガスの大気
への放出量が削減され、地球環境維持に貢献できる。
【図１】本発明の有機フッ素系排ガス処理装置について
示した概略図
示した概略図
【図２】本発明の有機フッ素系排ガス処理装置の一部に
ついて示した概略図
ついて示した概略図
【図３】本発明の有機フッ素系排ガス処理装置の一部に
ついて示した概略図
ついて示した概略図
１，１’ 被処理ガス導入ライン ２，２’ 分解促進剤導入ライン ３，３’ ガス導入フランジ ４，４’ ガス導出フランジ ５ ガス導出ライン ６Ａ，６Ｂ 絶対圧真空計 ７，７’ 電気的絶縁性容器 ８，８’ 電気的絶縁性容器 ９，９’ 放電用電極 １０ インピーダンス自動整合器 １１ 放電用高周波電源装置 １２，１２’給電接続部 １３，１３’接地接続部 １４ 制御装置 １５ フランジ接続管
Claims (7)
- 【請求項１】半導体製造装置より排出される有機フッ素
系排ガスを分解促進剤の存在下に、０．０１〜３０Ｔor
rの減圧下、周波数が１〜１００ＭＨzの高周波誘導結合
方式の低温プラズマにて分解処理することを特徴とする
有機フッ素系排ガスの分解処理方法。 - 【請求項２】分解促進剤として、酸素、水蒸気、水素、
０．０１〜３０Ｔorrの減圧下でガス状の酸素及び／ま
たは水素を含有する化合物、０．０１〜３０Ｔorrの減
圧下でガス状の珪素含有化合物、並びに、珪素もしくは
固体状の珪素含有化合物から選択される１種以上を用い
ることを特徴とする請求項第１項記載の有機フッ素系排
ガスの分解処理方法。 - 【請求項３】０．０１〜３０Ｔorrの減圧下でガス状分
解促進剤を、半導体製造装置より排出される有機フッ素
系排ガスに対して、容積比で０．１〜１０倍添加する請
求項第２項記載の有機フッ素系排ガスの分解処理方法。 - 【請求項４】（ａ）被処理ガス導入ライン、ガス状分解
促進剤の導入ライン及び／又は固体状分解促進剤の充填
器具、並びに、プラズマ分解後のガス導出ラインを備
え、石英ガラス又はセラミックス材料でガス流通空間を
構成した電気的絶縁性容器、（ｂ）一方をインピーダン
ス自動整合器を介して放電用高周波電源装置と接続し、
かつ、他方を接地し、該電気的絶縁性容器のガス流通空
間の外周部に設置した放電用電極からなる放電発生部、
並びに、（ｃ）（ａ）及び（ｂ）を制御する為の装置か
ら構成され、真空排気装置に接続され０．０１〜３０Ｔ
orrの減圧下、周波数が１〜１００ＭＨzの高周波誘導結
合方式の低温プラズマを電気的絶縁性容器の放電発生部
に発生可能な被処理ガスの分解処理装置。 - 【請求項５】電気的絶縁性容器のガス流通空間が２重構
造であり、内側容器が石英ガラス、シリカ、窒化珪素、
コーディエライト、ムライトまたはサイアロンからな
り、交換可能なことを特徴とする請求項４記載の被処理
ガスの分解処理装置。 - 【請求項６】コイル形状の放電用電極が、冷却媒体を通
すことが可能な導電体金属の中空パイプからなることを
特徴とする請求項４記載の被処理ガスの分解処理装置。 - 【請求項７】請求項４〜６記載のいずれか１項に記載の
被処理ガスの分解処理装置を、直列及び／又は並列に複
数個接続した被処理ガスの分解処理装置システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241090A JPH1176740A (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | 有機フッ素系排ガスの分解処理方法及び分解処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241090A JPH1176740A (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | 有機フッ素系排ガスの分解処理方法及び分解処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1176740A true JPH1176740A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=17069147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9241090A Pending JPH1176740A (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | 有機フッ素系排ガスの分解処理方法及び分解処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1176740A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2002210330A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-30 | Pearl Kogyo Kk | 半導体プロセス用排ガス処理装置 |
| KR100358750B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2002-10-25 | (주)케이.씨.텍 | 과불화 화합물 가스의 처리 장치 |
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| CN117547928A (zh) * | 2023-11-15 | 2024-02-13 | 上海开鸿环保科技有限公司 | 有机氟代化合物ahf法合成尾气深冷耦合吸附脱硝净化系统 |
-
1997
- 1997-09-05 JP JP9241090A patent/JPH1176740A/ja active Pending
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| WO2018225979A1 (ko) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 한국화학연구원 | 아산화질소 함유 기체화합물의 고주파 유도 가열 열분해 공정 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070306 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070717 |