JPH1177908A - 高分子超微粒子吸着構造体及びその製造方法 - Google Patents

高分子超微粒子吸着構造体及びその製造方法

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JPH1177908A
JPH1177908A JP26779297A JP26779297A JPH1177908A JP H1177908 A JPH1177908 A JP H1177908A JP 26779297 A JP26779297 A JP 26779297A JP 26779297 A JP26779297 A JP 26779297A JP H1177908 A JPH1177908 A JP H1177908A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子材料や光学的材料等の機能性材料、具体
的にはセンサーや診断用の試験担体等に利用可能な高分
子超微粒子吸着構造体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 高分子超微粒子吸着構造体は、基板表面
に形成された荷電性高分子薄膜上に荷電性高分子超微粒
子が実質的に均一に分散して吸着してなる。その製法
は、基板上に荷電性高分子薄膜を形成後、荷電性高分子
超微粒子の分散液中に浸漬し、荷電性高分子超微粒子を
静電相互作用により実質的に均一に分散させて薄膜上に
吸着させることからなる。荷電性高分子薄膜は、カチオ
ン性の電荷を有する水溶性高分子と、アニオン性の電荷
を有する水溶性高分子とが少なくとも一層ずつ交互に積
層してなるのが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高分子超微粒子吸
着構造体及びその製造方法に関し、特に電子材料や光学
的材料等の機能性材料、各種センサー、診断試薬用担体
等に利用可能な高分子超微粒子吸着構造体及びその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】表面積
の大きな高分子超微粒子は従来より塗料、接着剤、クロ
マトグラフィーの固定相、化粧品、医薬品等多くの分野
における利用可能性が期待されており、これまでにポリ
スチレンラテックス、アクリルラテックス等種々の単分
散性ラテックスが実用化されている。
【0003】またこのような高分子超微粒子の集積体と
しては、高分子超微粒子の乳化・分散液を基板上に塗工
したものや、電着塗装により高分子超微粒子を基板上に
吸着あるいは凝集・堆積させたもの等が実用化されてい
る。しかしながら、このような方法で作製された高分子
超微粒子の集積体は、超微粒子の分散均一性が不十分で
あり、機能的にも超微粒子としての特性が発揮されない
という問題がある。
【0004】一方、静電的な相互作用を駆動力とした超
微粒子の積層技術としては、荷電ポリマーの静電複合化
法を使って超薄膜を作製する方法が報告されている。こ
のような方法は、具体的には鎖状ポリマー、タンパク
質、又は金属アルコキシドや(Chem. Lett. , 125 頁,
1996年)、シリカ等の酸化物粒子(Chem. Lett., 125
頁,1997 年)を静電相互作用を利用して積層するもので
ある。
【0005】さらに水面単分子膜化、溶媒の蒸発に伴う
ポリスチレン微粒子の配列化(特開平6-277501号、特開
平8-229474号、Langmuir, 12巻,1303 頁, 1996年)、電
場印加(Science , 272 巻,706 頁, 1996 年)等によ
る高分子微粒子の集積化の技術が検討されている。これ
らの技術によって得られる高分子超微粒子の集積体は、
装飾用途(特開平8-234007号)や光学用途(J.Colloid
Interface Sci.,144巻,2号,538 頁,1991年)等へ
の応用が検討されている。
【0006】しかしながら、上記の技術はいずれも高分
子超微粒子を最密充填又は凝集状態で集積・積層するも
のであり、高分子超微粒子の集積密度を制御し、高分子
超微粒子を均一に分散させつつ基板上に吸着させる方法
は実現されていない。
【0007】従って本発明の目的は、高分子超微粒子を
凝集させることなく実質的に均一に分散して、単層で基
板上に吸着させた高分子超微粒子吸着構造体、及びその
製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的に鑑み鋭意研究
の結果、本発明者等は、基板上に形成された荷電性高分
子薄膜上に、荷電性高分子超微粒子を静電的な相互作用
を主な駆動力として実質的に均一に吸着させることによ
り、センサーや試薬用担体を始めとして、電子材料、光
学材料等に利用可能な高分子超微粒子吸着構造体が得ら
れることを発見し、本発明を完成した。
【0009】すなわち、本発明の高分子超微粒子吸着構
造体は、基板表面に形成された荷電性高分子薄膜上に、
荷電性高分子超微粒子が実質的に均一に分散して吸着し
ていることを特徴とする。
【0010】また本発明の高分子超微粒子吸着構造体の
製造方法は、荷電性高分子薄膜を形成した基板を、荷電
性高分子超微粒子の分散液中に浸漬し、前記荷電性高分
子薄膜上に前記荷電性高分子超微粒子を静電相互作用に
より実質的に均一に分散して吸着させることを特徴とす
る。
【0011】
【発明の実施の形態】
[1] 高分子超微粒子吸着構造体の構成 (1) 荷電性高分子超微粒子 本発明に使用する荷電性高分子超微粒子は、界面活性剤
や保護コロイドの存在下又は界面活性剤の不存在下で、
乳化重合によって調製することができる。乳化重合法に
より、真球度の高い高分子超微粒子を得ることができ
る。素材としては、ポリスチレン、ポリメチルメタクリ
レート、メタクリル酸エステル/アクリル酸エステル共
重合体、スチレン/アクリル酸エステル共重合体、ポリ
酢酸ビニル、酢酸ビニル/メタクリル酸エステル共重合
体、酢酸ビニル/アクリル酸エステル共重合体、スチレ
ン/ブタジエン共重合体(SB)、アクリロニトリル/
ブタジエン共重合体(NB)、メチルメタクリレート/
ブタジエン共重合体(MB)、ポリブタジエン、ポリク
ロロプレン、これらのブレンド又はこれらの3元系以上
の共重合体を挙げることができる。
【0012】上記荷電性高分子超微粒子は、表面に結合
した官能基、重合開始剤断片、界面活性剤、又は保護コ
ロイドの電荷によって荷電性を示す。表面にカルボキシ
ル基、水酸基、スルホン基等の官能基又はアニオン性界
面活性剤が結合したアニオン性高分子超微粒子はアニオ
ン性を示し、表面にアミノ基、4級アンモニウム塩基等
の官能基又はカチオン性界面活性剤が結合したカチオン
性高分子超微粒子はカチオン性を示す。
【0013】荷電性高分子超微粒子の平均粒径は、一般
に数nm〜数十μmとすることができるが、作業性や分散
性等の観点から粒径のばらつきを小さくするのが好まし
い。平均粒径は10nm〜10μmの範囲が好ましく、50nm〜
3μmの範囲がより好ましく、70nm〜2μmの範囲が最
も好ましい。なお粒径は電子顕微鏡、レーザー光散乱法
等により測定することができる。
【0014】荷電性高分子超微粒子の単分散性の程度は
高分子超微粒子吸着構造体の用途により異なるが、いず
れの場合でも高分子超微粒子の粒径分布(C.V.)値は20
%以下であるのが好ましく、15%以下であるのがより好
ましい。特に高度の単分散性が要求される場合には、C.
V.値は5%以下、さらに3%以下であるのが好ましい。
C.V.値が20%を超えると、粒径のばらつきが大きくな
り、高分子超微粒子集合体の構造が不均一になるため好
ましくない。粒径分布(C.V.)は、平均粒径(R)の測
定値と標準偏差(S.D.)とから、C.V.=S.D./R(%)
の式により算出する。
【0015】荷電性高分子超微粒子は、分散媒として
水、又は水に水溶性高分子、界面活性剤又は水溶性塩類
等を溶解した溶液に懸濁して用いるのが好ましい。この
ような荷電性高分子超微粒子の分散液の市販品として
は、例えばSTANDEX SC、IMMUTEXG 、及び MPP(いずれ
も日本合成ゴム(株)製)、エスタポール(ローヌ・プ
ーラン社製)、ポリビード(フナコシ(株)製)等が挙
げられる。
【0016】(2) 荷電性高分子薄膜 基板上に形成する荷電性高分子薄膜は、荷電性高分子超
微粒子を単層で吸着するとともに、基板の凹凸を覆って
表面を平坦化する。
【0017】荷電性高分子薄膜は、ある程度の厚みを確
保するとともに表面上の荷電分布を均一にするために、
カチオン性の水溶性高分子とアニオン性の水溶性高分子
とをそれぞれ少なくとも一層ずつ交互に積層することに
より形成するのが好ましい。得られた積層体はコンプレ
ックスを形成して水に不溶化しており、安定である。荷
電性高分子薄膜の厚さは3nm〜1μmとするのが好まし
く、5nm〜0.1 μmとするのがより好ましい。
【0018】薄膜を形成する荷電性高分子は、ポリビニ
ル系、ポリアクリル酸エステル系、ポリメタクリル酸エ
ステル系、ポリスチレン系等の高分子にイオン性官能基
が結合したものである。イオン性官能基としては、ス
ルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基等のアルカリ金
属塩又はアルカリ土類金属塩(アニオン性)、又は1
級〜3級のアミノ基の塩酸塩、4級アンモニウム塩基
(カチオン性)等が挙げられる。このような荷電性高分
子の具体例を以下に例示する。
【0019】(イ) 下記式(1) :
【化1】 (ただし、nは重合度を表す整数である。)により表さ
れるポリアリルアミン塩酸塩。
【0020】(ロ) 下記式(2) :
【化2】 (ただし、nは重合度を表す整数である。)により表さ
れるポリトリメチルアンモニウムメチルスチレンクロラ
イド。
【0021】(ハ) 下記式(3) :
【化3】 (ただし、nは重合度を表す整数である。)により表さ
れるポリアクリル酸2-トリメチルアンモニウムエチルエ
ステルクロライド。
【0022】(ニ) 下記式(4) :
【化4】 (ただし、nは重合度を表す整数である。)により表さ
れるポリスチレンスルホン酸ナトリウム。
【0023】(ホ) 下記式(5) :
【化5】 (ただし、nは重合度を表す整数である。)により表さ
れるポリアミンサルホン。
【0024】上記荷電性高分子薄膜の形成方法として
は、基板の表面上に前記荷電性高分子を塗布する方
法、好ましくはカチオン性とアニオン性それぞれの荷電
性高分子溶液を交互に基板の表面上に塗布(乾燥)する
方法、他のプラスチック材料に荷電性高分子を混練し
成形する方法等が挙げられる。
【0025】この荷電性高分子薄膜形成時に、水溶性高
分子鎖中の電荷が水中で分離するのを促進させるととも
に、基板表面あるいは薄膜表面へ吸着及び堆積する速度
を向上させるために、アルカリ金属やアルカリ土類金属
のハロゲン化物等の電解質を共存させるのが好ましい。
電解質を共存させることにより、未添加の時に比較して
粒子の吸着速度や分散性が向上する。電解質の具体例と
しては、LiCl、LiBr、LiI 、NaCl、NaBr、NaI 、KCl 、
KBr 、KI、MgCl 2、MgBr 2、MgI 2 、CaCl 2、CaBr 2
CaI 2 等が挙げられるが、NaCl、NaBr、KCl 、KBr 等の
1価の塩が好ましい。電解質の濃度は0.01〜10Mの範囲
であるのが好ましく、0.02〜5Mの範囲であるのがより
好ましい。0.01M未満であると共存による効果が小さ
く、10Mを超えると過剰となるため好ましくない。
【0026】(3) 基板 基板の素材としては、例えばガラス、プラスチック、金
属、セラミックス、黒鉛や炭素繊維等の炭素系材料、も
しくは雲母、カオリン、モンモリロナイト等の粘土鉱物
のケイ酸塩類、及びこれらの複合体等が挙げられる。基
板の形状は、表面が十分に平滑であれば特に限定されな
い。
【0027】[2] 高分子超微粒子吸着構造体の製造方法 高分子超微粒子吸着構造体を製造するには、荷電性高分
子超微粒子が分散した液中に荷電性高分子薄膜を形成し
た基板を浸漬する方法が好ましい。例えばカチオン性の
高分子超微粒子を使用する場合、それを分散した液中に
アニオン性の水溶性高分子からなる薄膜(又はその表面
層)を有する基板を浸漬すると、前記カチオン性高分子
超微粒子が静電相互作用により表面に吸着する。またア
ニオン性の高分子超微粒子を使用する場合には、カチオ
ン性の水溶性高分子からなる薄膜(又はその表面層)を
有する基板を浸漬すると、同様に静電相互作用により前
記アニオン性高分子超微粒子が表面に吸着する。
【0028】荷電性高分子超微粒子の分散濃度は1×10
7 〜1015個/mlの範囲が好ましい。吸着量は分散濃度が
増すことによって増加する。分散媒は水、特に純水が好
ましいが、荷電性高分子超微粒子の荷電性を損なわず、
浸潤しないものであれば他の極性溶媒でも使用すること
ができる。
【0029】荷電性高分子超微粒子の吸着性を促進する
ために、浸漬温度は0〜60℃程度の範囲が好ましい。分
散媒が水である場合、浸漬温度は1〜30℃程度の範囲が
より好ましく、1〜15℃程度の温度範囲がさらに好まし
い。温度が高過ぎると荷電性高分子超微粒子が種類によ
っては分散液中で会合し易くなり、荷電性高分子超微粒
子は実質的に均一に分散して薄膜に吸着しない。
【0030】荷電性高分子超微粒子の所望の吸着量を達
成するために、浸漬時間は1分〜3時間の範囲が好まし
い。この範囲において吸着量は浸漬時間の経過とともに
増加する。ただし他の浸漬条件によってはさらに長時間
浸漬してもよく、吸着平衡に達した後の吸着量はほとん
ど変化しないと推測される。
【0031】本発明では、機能的に高分子超微粒子の単
粒子としての特性を発揮させるために、荷電性高分子超
微粒子は実質的に均一な分散状態で吸着させる。ここで
「実質的に均一」とは、吸着した超微粒子の相当数が実
質的に接触していないことを意味し、各粒子間の距離が
一定である必要はない。具体的には、荷電性高分子薄膜
に吸着している荷電性高分子超微粒子のうち、単粒子で
吸着しているものの割合を単粒子率とすると、単粒子率
は30%以上であるのが好ましく、特に40%以上が好まし
い。30%以上の単粒子率で吸着させると、高分子超微粒
子層は単層となる。
【0032】高分子薄膜が形成された基板を荷電性高分
子超微粒子の分散液中に所定時間浸漬した後、取り出
し、室温あるいは加熱下で、静置あるいは窒素, アルゴ
ン等の不活性ガスや空気等を送風して乾燥する。高分子
超微粒子は比表面積が大きいため、その吸着量に応じて
高分子超微粒子吸着構造体の表面積も大きくなる。
【0033】
【実施例】本発明を以下の実施例に基づいて具体的に説
明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【0034】実施例1 基板として水晶発振子マイクロバランス(QCM 、9MHz
)を用い、この基板をカチオン性の水溶性高分子とし
てポリアリルアミン塩酸塩(重量平均分子量Mw:8,500
〜11,000)の0.02mol %水溶液、及びアニオン性の水溶
性高分子としてポリスチレンスルホン酸ナトリウム(重
量平均分子量Mw:70,000)の0.02mol %水溶液に交互に
20℃で3回ずつ浸漬し、QCM の金電極表面に厚さ約6nm
の高分子薄膜を形成した。なおそれぞれの水溶液には2
MのNaClを添加した。高分子薄膜表面をカチオン性にす
るために、最後の浸漬液をポリアリルアミン塩酸塩水溶
液とした。
【0035】次に平均粒径548nm のポリスチレン超微粒
子(表面電荷アニオン性、ポリビード(フナコシ(株)
製))を、それぞれ(a) 19×1010個/ml、(b) 3.8 ×10
10個/ml、及び(c) 7.6 ×109 個/mlの濃度で純水中に
分散した20℃の液中に、上記高分子薄膜被覆電極を0〜
60分間浸漬し、その間基板表面の振動数変化ΔFをQCM
によりモニターした。電極表面の単位面積当たりのポリ
スチレン超微粒子の吸着重量Δm/S(ng/cm2 )は、
QCM によりモニターした振動数変化ΔFをもとに、以下
の関係式(6) : −ΔF= 0.87×Δm ・・・(6) (但しΔFは振動数変化を表し、Δm は吸着重量(ng)
を表す。)と電極表面積S(0.32cm2 )とから算出し
た。結果を図1に示す。図1から明らかなように、ポリ
スチレン超微粒子の吸着量は短時間の浸漬で急増した。
【0036】ポリスチレン超微粒子を3.8 ×1010個/ml
の濃度で分散した水中に高分子薄膜被覆電極を60分間浸
漬して作製したポリスチレン超微粒子吸着構造体を乾燥
後、薄膜表面のポリスチレン超微粒子をSEM(5,000
倍)観察した。結果を図2に示す。
【0037】図2より、高分子薄膜表面に分散状態(隣
接微粒子が接触しない状態で)で吸着しているポリスチ
レン超微粒子の単粒子率は約56%であることが分かっ
た。このポリスチレン超微粒子吸着構造体の表面に空気
流を吹付けたり水流を当ててもポリスチレン超微粒子が
脱離せず、安定な構造を維持していた。
【0038】実施例2 平均粒径548 nmのポリスチレン超微粒子を3.8 ×1010
/mlの濃度で純水に分散させ、それに実施例1と同じ高
分子薄膜被覆電極を表1に示す通り5〜40℃の範囲の温
度でそれぞれ60分間浸漬し、ポリスチレン超微粒子吸着
構造体を作製した。薄膜表面のポリスチレン超微粒子を
SEM(5,000 倍)観察した。SEM写真より、ポリス
チレン超微粒子の単粒子率は高分子薄膜表面の約30%以
上であることが分かった。
【0039】
【0040】実施例3 平均粒径が(a) 780 nm、(b) 548 nm、及び(c) 84 nm の
ポリスチレン超微粒子(ポリビード、フナコシ(株)
製)を3.8 ×1010個/mlの濃度で純水に分散した液を使
用した以外は実施例1と同様にして、ポリスチレン超微
粒子吸着構造体を作製した。表面の振動数変化をQCM に
よりモニターし、また上記式(6) により吸着重量(ng/
cm2 )を実施例1と同様にして算出した。結果を図3に
示す。
【0041】図3から明らかなように、浸漬時間の経過
とともにポリスチレン微粒子の吸着量が増加し、またポ
リスチレン微粒子の平均粒径が大きくなるにつれて吸着
量が飛躍的に増大した。
【0042】実施例4 荷電性高分子薄膜を形成する際に荷電性高分子水溶液に
添加するNaClの濃度を(a) 2M、(b) 0.2 M、及び(c)
0M(無添加)とし、かつ浸漬液中のポリスチレン超微
粒子(平均粒径:548 nm)の分散濃度を3.8 ×1010個/
mlとした以外は実施例1と同様にして、ポリスチレン超
微粒子吸着構造体を作製した。表面の振動数変化をQCM
によりモニターし、また上記式(6) により吸着重量(ng
/cm2 )を実施例1と同様にして算出した。結果を図4
に示す。
【0043】図4から明らかなように、NaClの添加量が
増大すると、同一浸漬時間におけるポリスチレン微粒子
の吸着量が増加した。NaCl無添加の場合(c) において、
60分間浸漬して作製したポリスチレン超微粒子吸着構造
体のポリスチレン超微粒子をSEM(5,000 倍)観察し
た。結果を図5に示す。図5から算出したポリスチレン
超微粒子の単粒子率は64%であった。
【0044】実施例5 実施例1と同じ条件で作製したポリスチレン超微粒子吸
着構造体(使用したポリスチレン超微粒子の濃度:3.8
×1010個/ml、60分間浸漬)の表面に、カチオン性の水
溶性高分子としてポリアリルアミン塩酸塩(重量平均分
子量:8,500 〜11,000)を0.02mol %含有する水溶液
(2MのNaCl含有)、及びアニオン性の水溶性高分子と
してポリスチレンスルホン酸ナトリウム(重量平均分子
量:70,000)を0.02 mol%含有する水溶液(2MのNaCl
含有)に15℃で交互に浸漬し、3層のポリアリルアミン
塩酸塩の層及び2層のポリスチレンスルホン酸ナトリウ
ムの層からなる厚さ約5nmの第二の高分子薄膜を形成し
た。ただし表面がカチオン性になるように、最上層はポ
リアリルアミン塩酸塩の層とした。
【0045】平均粒径548 nmのポリスチレン超微粒子を
3.8 ×1010個/mlの濃度で純水中に分散した15℃の液中
に、第二の高分子薄膜を被覆したポリスチレン超微粒子
吸着構造体を0〜60分間浸漬し、ポリスチレン超微粒子
吸着構造体の表面に、第二の荷電性高分子薄膜とポリス
チレン超微粒子とからなる組合せを積層した。その間振
動数変化をQCM によりモニターし、ポリスチレン超微粒
子の吸着重量(ng/cm2 )を実施例1と同様にして算出
した。結果を図6に示す。図6から明らかなように、浸
漬時間の経過とともにポリスチレン超微粒子の吸着量が
増加した。
【0046】また60分間浸漬することにより第二の荷電
性高分子薄膜表面に吸着させたポリスチレン超微粒子を
SEM(10,000倍)観察した。結果を図7に示す。図7
から明らかなように、2層目のポリスチレン超微粒子も
2層目の高分子薄膜上に実質的に均一に分散して吸着し
ていた。ただし図7において、第二の荷電性高分子薄膜
は実質的に透明であるので、下層にあるポリスチレン超
微粒子は暗い粒子として見え、上層にあるポリスチレン
超微粒子は明るい粒子として見える。
【0047】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
基板上に形成した高分子薄膜上に高分子超微粒子を実質
的に均一に分散させて(単層で)吸着させた高分子超微
粒子吸着構造体を簡便かつ迅速に得ることができる。単
分散性の高い高分子超微粒子を吸着させた高分子超微粒
子吸着構造体は、各種のセンサーや診断用等の試験担
体、或いは電子材料や光学的用途等へ利用することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1で得られたポリスチレン超微粒子吸
着構造体について、種々の濃度のポリスチレン超微粒子
の分散液への高分子薄膜被覆電極の浸漬時間と振動数変
化及びポリスチレン超微粒子の吸着重量との関係を示す
グラフである。
【図2】 実施例1で得られたポリスチレン超微粒子吸
着構造体の表面のSEM写真(倍率5,000 倍)である。
【図3】 実施例3で得られたポリスチレン超微粒子吸
着構造体について、種々の平均粒径のポリスチレン超微
粒子の分散液への高分子薄膜被覆電極の浸漬時間と振動
数変化及びポリスチレン超微粒子の吸着重量との関係を
示すグラフである。
【図4】 実施例4で得られたポリスチレン超微粒子吸
着構造体について、種々の濃度のNaClを添加して形成し
た高分子薄膜を被覆した電極をポリスチレン超微粒子の
分散液へ浸漬した場合に、浸漬時間と振動数変化及びポ
リスチレン超微粒子の吸着重量との関係を示すグラフで
ある。
【図5】 実施例4で得られたポリスチレン超微粒子吸
着構造体の表面のSEM写真(倍率5,000 倍)である。
【図6】 実施例5で得られたポリスチレン超微粒子吸
着構造体について、2層目用のポリスチレン超微粒子の
分散液への浸漬時間と振動数変化及びポリスチレン超微
粒子の吸着重量との関係を示すグラフである。
【図7】 実施例5で得られたポリスチレン超微粒子吸
着構造体の表面のSEM写真(倍率10,000倍)である。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板表面に形成された荷電性高分子薄膜
    上に、荷電性高分子超微粒子が実質的に均一に分散して
    吸着していることを特徴とする高分子超微粒子吸着構造
    体。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の高分子超微粒子吸着構
    造体において、前記荷電性高分子超微粒子が単層で吸着
    していることを特徴とする高分子超微粒子吸着構造体。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2に記載の高分子超微粒子
    吸着構造体において、前記荷電性高分子薄膜に吸着して
    いる前記荷電性高分子超微粒子のうち、単粒子で吸着し
    ているものの割合が30%以上であることを特徴とする高
    分子超微粒子吸着構造体。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の高分子
    超微粒子吸着構造体において、前記荷電性高分子超微粒
    子の平均粒径が10nm〜10μmであることを特徴とする高
    分子超微粒子吸着構造体。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の高分子
    超微粒子吸着構造体において、前記基板表面上に前記荷
    電性高分子薄膜及び前記荷電性高分子超微粒子層からな
    る組合せが2層以上積層されていることを特徴とする高
    分子超微粒子吸着構造体。
  6. 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の高分子
    超微粒子吸着構造体において、前記荷電性高分子薄膜
    は、カチオン性の電荷を有する水溶性高分子と、アニオ
    ン性の電荷を有する水溶性高分子とが少なくとも一層ず
    つ交互に積層してなることを特徴とする高分子超微粒子
    吸着構造体。
  7. 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の高分子
    超微粒子吸着構造体を製造する方法において、荷電性高
    分子薄膜が形成された基板を荷電性高分子超微粒子の分
    散液中に浸漬し、前記荷電性高分子超微粒子を静電相互
    作用により実質的に均一に分散させて前記荷電性高分子
    薄膜上に吸着させることを特徴とする方法。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の高分子超微粒子吸着構
    造体の製造方法において、前記荷電性高分子超微粒子を
    単層で吸着させることを特徴とする方法。
  9. 【請求項9】 請求項7又は8に記載の高分子超微粒子
    吸着構造体の製造方法において、前記荷電性高分子超微
    粒子の単粒子率を30%以上とすることを特徴とする方
    法。
  10. 【請求項10】 請求項7〜9のいずれかに記載の高分子
    超微粒子吸着構造体の製造方法において、前記荷電性高
    分子超微粒子の平均粒径が10nm〜10μmであることを特
    徴とする方法。
  11. 【請求項11】 請求項7〜10のいずれかに記載の高分子
    超微粒子吸着構造体の製造方法において、前記基板表面
    上に前記荷電性高分子薄膜及び前記荷電性高分子超微粒
    子層からなる組合せを2層以上積層することを特徴とす
    る方法。
  12. 【請求項12】 請求項7〜11のいずれかに記載の高分子
    超微粒子吸着構造体の製造方法において、前記荷電性高
    分子薄膜を、カチオン性の電荷を有する水溶性高分子
    と、アニオン性の電荷を有する水溶性高分子とを少なく
    とも一層ずつ交互に積層させて形成することを特徴とす
    る方法。
  13. 【請求項13】 請求項12に記載の高分子超微粒子吸着構
    造体の製造方法において、前記荷電性高分子薄膜を形成
    する際に、前記水溶性高分子の溶液中に電解質を共存さ
    せることを特徴とする方法。
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