JPH118070A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH118070A JPH118070A JP9175167A JP17516797A JPH118070A JP H118070 A JPH118070 A JP H118070A JP 9175167 A JP9175167 A JP 9175167A JP 17516797 A JP17516797 A JP 17516797A JP H118070 A JPH118070 A JP H118070A
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 隣接する画素への光もれを抑制して鮮明な表
示ができる表示装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板12の背面にブラックマスク
13をライン幅が小さくなるように形成し、ブラックマ
スク13で区画される空隙に光拡散層16を形成する。
ブラックマスク13および光拡散層16の背面に保護膜
17を介して、順次前面電極18、有機EL層19、背
面電極20を形成する。この有機EL層19の発光部
(電極どうしが重なる領域)が光拡散層16より小さく
設定されている。このように構成することにより、発光
部からの光がブラックマスク13で隣接する画素領域へ
入射することが抑制できるため、光もれのない鮮明な表
示を可能にする。
示ができる表示装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板12の背面にブラックマスク
13をライン幅が小さくなるように形成し、ブラックマ
スク13で区画される空隙に光拡散層16を形成する。
ブラックマスク13および光拡散層16の背面に保護膜
17を介して、順次前面電極18、有機EL層19、背
面電極20を形成する。この有機EL層19の発光部
(電極どうしが重なる領域)が光拡散層16より小さく
設定されている。このように構成することにより、発光
部からの光がブラックマスク13で隣接する画素領域へ
入射することが抑制できるため、光もれのない鮮明な表
示を可能にする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、表示装置に関
し、さらに詳しくは、エレクトロルミネッセンス(以
下、ELという)発光を行う表示装置に関する。
し、さらに詳しくは、エレクトロルミネッセンス(以
下、ELという)発光を行う表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年では、EL発光を用いた表示装置と
して、特に有機EL材料を用いた有機EL表示装置が注
目されている。この有機EL表示装置は、例えば図16
に示すように、ガラス基板1の背面に、複数の透明な前
面電極2が平行をなすように形成され、ガラス基板1お
よび前面電極2を覆うように有機EL層3が形成され、
この有機EL層3の背面に前面電極2と直交する方向に
平行をなす複数の背面電極4が形成されて構成されてい
る。有機EL層3としては、発光層やキャリア輸送層な
どを備えた2層構造や3層構造などのものがある。この
表示装置では、前面電極2と背面電極4との間に直流電
圧を印加することにより、有機EL層3中にキャリアを
注入して、ホールとエレクトロンとの再結合の作用によ
り発光を起こすよういなっている。
して、特に有機EL材料を用いた有機EL表示装置が注
目されている。この有機EL表示装置は、例えば図16
に示すように、ガラス基板1の背面に、複数の透明な前
面電極2が平行をなすように形成され、ガラス基板1お
よび前面電極2を覆うように有機EL層3が形成され、
この有機EL層3の背面に前面電極2と直交する方向に
平行をなす複数の背面電極4が形成されて構成されてい
る。有機EL層3としては、発光層やキャリア輸送層な
どを備えた2層構造や3層構造などのものがある。この
表示装置では、前面電極2と背面電極4との間に直流電
圧を印加することにより、有機EL層3中にキャリアを
注入して、ホールとエレクトロンとの再結合の作用によ
り発光を起こすよういなっている。
【0003】また、カラー表示が行える有機EL表示装
置としては、例えば図17に示すような構成が提案され
ている。この表示装置は、同図に示すように、ガラス基
板1の背面にカラーフィルタ5R、5G、5Bが配置さ
れ、これらカラーフィルタ5R(赤)、5G(緑)、5
B(青)を覆うように透明な保護膜6が形成され、この
保護膜6の背面に前面電極2、白色光を発生させる有機
EL層3、背面電極4が順次形成されている。なお、各
カラーフィルタ5R、5G、5Bは、前面電極2と背面
電極4とが交差する部分(発光部分)に対応するように
配置されている。
置としては、例えば図17に示すような構成が提案され
ている。この表示装置は、同図に示すように、ガラス基
板1の背面にカラーフィルタ5R、5G、5Bが配置さ
れ、これらカラーフィルタ5R(赤)、5G(緑)、5
B(青)を覆うように透明な保護膜6が形成され、この
保護膜6の背面に前面電極2、白色光を発生させる有機
EL層3、背面電極4が順次形成されている。なお、各
カラーフィルタ5R、5G、5Bは、前面電極2と背面
電極4とが交差する部分(発光部分)に対応するように
配置されている。
【0004】さらに、カラーフィルタを用いずにカラー
表示を行う表示装置としては、例えば図18に示すよう
な構成のものが提案されている。この表示装置は、同図
に示すように、ガラス基板1の背面に、入射光を吸収し
て前記入射光と異なる波長域の光を出射する光波長変換
層7R、7Gが配置されている。光波長変換層7Rは青
色光を吸収して赤色光を出射する作用をもち、光波長変
換層7Gは青色光を吸収して緑色光を出射する作用をも
つ。このため、光波長変換層7Rは赤表示を行うドット
部に配置され、光波長変換層7Gは緑表示を行うドット
部に配置されている。そして、ガラス基板1および光波
長変換層7R、7Gを覆うように保護膜6が形成されて
いる。この保護膜6の背面には、前面電極2、有機EL
層3および背面電極4が順次形成されている。なお、こ
の表示装置の有機EL層3は青色光を発生するように設
定されている。このため、光波長変換層が配置されてい
ないドット部では青色光が出射され、光波長変換層7R
に入射した青色光は吸収されてこの光波長変換層7Rか
ら赤色光が出射され、光波長変換層7Gに入射した青色
光は吸収されてこの光波長変換層7Gから緑色光が出射
される。このようにして、図18に示す表示装置では、
カラー表示を行うことができる。
表示を行う表示装置としては、例えば図18に示すよう
な構成のものが提案されている。この表示装置は、同図
に示すように、ガラス基板1の背面に、入射光を吸収し
て前記入射光と異なる波長域の光を出射する光波長変換
層7R、7Gが配置されている。光波長変換層7Rは青
色光を吸収して赤色光を出射する作用をもち、光波長変
換層7Gは青色光を吸収して緑色光を出射する作用をも
つ。このため、光波長変換層7Rは赤表示を行うドット
部に配置され、光波長変換層7Gは緑表示を行うドット
部に配置されている。そして、ガラス基板1および光波
長変換層7R、7Gを覆うように保護膜6が形成されて
いる。この保護膜6の背面には、前面電極2、有機EL
層3および背面電極4が順次形成されている。なお、こ
の表示装置の有機EL層3は青色光を発生するように設
定されている。このため、光波長変換層が配置されてい
ないドット部では青色光が出射され、光波長変換層7R
に入射した青色光は吸収されてこの光波長変換層7Rか
ら赤色光が出射され、光波長変換層7Gに入射した青色
光は吸収されてこの光波長変換層7Gから緑色光が出射
される。このようにして、図18に示す表示装置では、
カラー表示を行うことができる。
【0005】なお、上記した従来の各表示装置において
は、前面電極2や背面電極4を形成する場合に、図19
(a)に示すように予め配線形状に開口8Aが形成され
たメタルマスク8をガラス基板1や保護膜6や有機EL
層3の背面に密着させた状態で、真空蒸着やスパッタな
どにより開口8A内に配線メタルを成膜する方法が行わ
れている。
は、前面電極2や背面電極4を形成する場合に、図19
(a)に示すように予め配線形状に開口8Aが形成され
たメタルマスク8をガラス基板1や保護膜6や有機EL
層3の背面に密着させた状態で、真空蒸着やスパッタな
どにより開口8A内に配線メタルを成膜する方法が行わ
れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したメタルマスク
8を用いる場合、形成できる配線の最小ライン幅および
最小スペース幅は、メタルマスク8の厚みに依存する。
図19(b)に示すように、メタルマスク8のラインが
例えば背面電極4のスペースになるが、メタルマスク8
のライン幅はマスク強度を維持するために、マスク厚み
と1:1(アスペクト比1)が最小となる。現在、マス
クの最小厚みは0.1mmが実用レベルである。マスク
を薄くすれば、そのライン幅を狭くすることは可能であ
るが、マスクの強度に問題が生じる。したがって、現状
の方法では、有機EL層の背面に形成する背面電極4の
最小スペースは0.1mm程度となる。このため、画素
どうしの間隔を0.1mm以下にすることが困難であっ
た。また、仮に有機EL層3の画素どうしの間隔を狭く
できたとしても所定の画素で発生した光が隣接する画素
領域へもれるため、光が滲むという問題が発生すると考
えられる。また、背面電極4のライン幅を細くすると、
発光領域自体が小さくなり見やすい表示が行えないとい
う問題があった。
8を用いる場合、形成できる配線の最小ライン幅および
最小スペース幅は、メタルマスク8の厚みに依存する。
図19(b)に示すように、メタルマスク8のラインが
例えば背面電極4のスペースになるが、メタルマスク8
のライン幅はマスク強度を維持するために、マスク厚み
と1:1(アスペクト比1)が最小となる。現在、マス
クの最小厚みは0.1mmが実用レベルである。マスク
を薄くすれば、そのライン幅を狭くすることは可能であ
るが、マスクの強度に問題が生じる。したがって、現状
の方法では、有機EL層の背面に形成する背面電極4の
最小スペースは0.1mm程度となる。このため、画素
どうしの間隔を0.1mm以下にすることが困難であっ
た。また、仮に有機EL層3の画素どうしの間隔を狭く
できたとしても所定の画素で発生した光が隣接する画素
領域へもれるため、光が滲むという問題が発生すると考
えられる。また、背面電極4のライン幅を細くすると、
発光領域自体が小さくなり見やすい表示が行えないとい
う問題があった。
【0007】また、背面電極をキャラクタパターンや、
複雑に入り組んだ形状や、ドーナツ形状などに形成する
場合、メタルマスクに開口部としてそのような形状の加
工ができないため、実現が困難であった。また同様に、
数字表記などに用いる7セグメントパターンの実現も困
難であった。さらに、背面電極の形状として実現可能な
図形であっても、引き出し配線と対向する電極との間の
有機EL層に電界が生じ発光してしまう問題があり、ま
た前面電極と背面電極とのアライメントに高精度が要求
されるという問題があった。
複雑に入り組んだ形状や、ドーナツ形状などに形成する
場合、メタルマスクに開口部としてそのような形状の加
工ができないため、実現が困難であった。また同様に、
数字表記などに用いる7セグメントパターンの実現も困
難であった。さらに、背面電極の形状として実現可能な
図形であっても、引き出し配線と対向する電極との間の
有機EL層に電界が生じ発光してしまう問題があり、ま
た前面電極と背面電極とのアライメントに高精度が要求
されるという問題があった。
【0008】さらに、多色表示を行う表示装置の場合、
図17に示したように、白色発光とカラーフィルタの組
み合わせでは、白色発光を起こすためのエネルギー効率
が悪いため、発光効率の低下を招くという問題があっ
た。さらに、図18に示したように、光波長変換層7
R、7Gを用いた表示装置では、有機EL層3の発光色
が青色であるため発光効率は高いが、光波長変換層7
R、7Gの膜厚が薄い場合には、効率的な光の吸収、変
換が困難なため発光色の青色が透過してしまう問題があ
った。また、光波長変換層を厚くすれば単位面積当たり
の蛍光色素が増すために、光波長変換効率が向上し光波
長変換層からの出射光の色純度が上がるものの、エネル
ギー効率が低下するため、光波長変換後の輝度が低下す
るという問題があった。
図17に示したように、白色発光とカラーフィルタの組
み合わせでは、白色発光を起こすためのエネルギー効率
が悪いため、発光効率の低下を招くという問題があっ
た。さらに、図18に示したように、光波長変換層7
R、7Gを用いた表示装置では、有機EL層3の発光色
が青色であるため発光効率は高いが、光波長変換層7
R、7Gの膜厚が薄い場合には、効率的な光の吸収、変
換が困難なため発光色の青色が透過してしまう問題があ
った。また、光波長変換層を厚くすれば単位面積当たり
の蛍光色素が増すために、光波長変換効率が向上し光波
長変換層からの出射光の色純度が上がるものの、エネル
ギー効率が低下するため、光波長変換後の輝度が低下す
るという問題があった。
【0009】この発明が解決しようとする課題は、隣接
する画素への光もれを抑制して鮮明な表示を可能とする
表示装置を得るにはどのような手段を講じればよいかと
いう点にある。また、この発明が解決しようとする課題
は、複雑な形状の背面電極パターンやセグメント電極か
らの引き出し線の影響を最小限にすることのできる表示
装置を得るにはどのような手段を講じればよいかという
点にある。
する画素への光もれを抑制して鮮明な表示を可能とする
表示装置を得るにはどのような手段を講じればよいかと
いう点にある。また、この発明が解決しようとする課題
は、複雑な形状の背面電極パターンやセグメント電極か
らの引き出し線の影響を最小限にすることのできる表示
装置を得るにはどのような手段を講じればよいかという
点にある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
EL層の前面に透明な前面電極が形成され、かつ前記E
L層の背面に背面電極が形成されると共に、前記前面電
極と前記背面電極とが前記EL層を介して重なり合う発
光部分に対応するように、前記前面電極の前方に光拡散
層が配置されていることを特徴としている。請求項1記
載の発明においては、光拡散層が、前面電極と背面電極
とが重なり合う発光部分に対応するように前面電極の前
方に配置されているため、発光部分から入射した光を拡
散させることができ、見やすい表示を可能にする。
EL層の前面に透明な前面電極が形成され、かつ前記E
L層の背面に背面電極が形成されると共に、前記前面電
極と前記背面電極とが前記EL層を介して重なり合う発
光部分に対応するように、前記前面電極の前方に光拡散
層が配置されていることを特徴としている。請求項1記
載の発明においては、光拡散層が、前面電極と背面電極
とが重なり合う発光部分に対応するように前面電極の前
方に配置されているため、発光部分から入射した光を拡
散させることができ、見やすい表示を可能にする。
【0011】請求項2記載の発明は、前記光拡散層が、
対応する前記発光部分よりも広く形成されていることを
特徴としている。請求項2記載の発明においては、光拡
散層が発光部分よりも広く設定されているため、前面電
極や背面電極の幅が小さく、これら電極が重なり合う部
分(発光部分)が小さくても大きな表示画素面積を稼ぐ
ことができる。このため、従来のメタルマスクを用いて
ライン幅の小さい配線を形成してもよい。
対応する前記発光部分よりも広く形成されていることを
特徴としている。請求項2記載の発明においては、光拡
散層が発光部分よりも広く設定されているため、前面電
極や背面電極の幅が小さく、これら電極が重なり合う部
分(発光部分)が小さくても大きな表示画素面積を稼ぐ
ことができる。このため、従来のメタルマスクを用いて
ライン幅の小さい配線を形成してもよい。
【0012】請求項3記載の発明は、前記光拡散層が、
フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて形
成されたブラックマスクで囲まれていることを特徴とし
ている。請求項3記載の発明においては、光拡散層内で
散乱する光が隣接する画素領域へ入射するのをブラック
マスクで阻止することができる。このため、光もれや色
にじみのない鮮明な表示を行うことができる。また、ブ
ラックマスクがフォトリソグラフィー法およびエッチン
グ法を用いて形成されているため、ブラックマスクの線
幅を極めて小さくできるため、隣接する画素どうしを近
接させることができ、緻密な表示が可能となる。
フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて形
成されたブラックマスクで囲まれていることを特徴とし
ている。請求項3記載の発明においては、光拡散層内で
散乱する光が隣接する画素領域へ入射するのをブラック
マスクで阻止することができる。このため、光もれや色
にじみのない鮮明な表示を行うことができる。また、ブ
ラックマスクがフォトリソグラフィー法およびエッチン
グ法を用いて形成されているため、ブラックマスクの線
幅を極めて小さくできるため、隣接する画素どうしを近
接させることができ、緻密な表示が可能となる。
【0013】請求項4記載の発明は、前記光拡散層が、
透明性を有する樹脂バインダに光散乱性の微粒子を分散
させてなることを特徴としている。
透明性を有する樹脂バインダに光散乱性の微粒子を分散
させてなることを特徴としている。
【0014】請求項5記載の発明は、前記光拡散層が、
入射光を吸収して前記入射光と異なる波長域の光を出射
する光波長変換層中に光散乱性の微粒子を分散させてな
ることを特徴としている。
入射光を吸収して前記入射光と異なる波長域の光を出射
する光波長変換層中に光散乱性の微粒子を分散させてな
ることを特徴としている。
【0015】請求項6記載の発明は、前記エレクトロル
ミネッセンス層は、有機エレクトロルミネッセンス層で
あることを特徴としている。
ミネッセンス層は、有機エレクトロルミネッセンス層で
あることを特徴としている。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る表示装置の
詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。 (実施形態1)図1〜図3は、本発明に係る表示装置の
実施形態1を示している。図1は表示装置の要部断面
図、図2は平面説明図、図3は要部断面説明図である。
図中11は表示装置であり、ガラス基板12の背面に各
画素を格子状にブラックマスク13がフォトリソグラフ
ィー技術およびエッチング技術を用いて形成されてい
る。本実施形態では、例えば、ブラックマスク13のラ
イン幅が0.03mm、スペース幅が0.47mmに設
定されている。このブラックマスク13で区画される空
隙には、図1および図3に示すように、透明な樹脂バイ
ンダ14中に光散乱性をもつ光拡散粒子15を分散させ
たものを充填してなる光拡散層16が形成されている。
なお、この光拡散層16もフォトリソグラフィー技術を
用いて形成することができる。そして、ガラス基板12
に形成されたブラックマスク13および光拡散層16を
覆うように、透明性を有する合成樹脂でなる保護膜17
が形成されている。保護膜17の背面には、平面的に見
て列をなす光拡散層16の幅方向の略中央を通るように
それぞれの光拡散層16の列に対応する、複数の前面電
極18が形成されている。また、保護膜17および前面
電極18の背面側には、有機EL層19が表示領域全域
に亙って形成されている。さらに、有機EL層19の背
面には、前面電極18と直交する方向に、複数の背面電
極20が形成されている。本実施形態では、例えば、背
面電極20と前面電極18のライン幅が0.3mm、ス
ペース幅が0.2mmに設定されている。この背面電極
20と前面電極18とが交差する部分は、それぞれの光
拡散層16の略中央に位置するようになっている。な
お、これら前面電極18と背面電極20とは、例えば図
19に示すようなメタルマスク8を用いて形成すること
ができる。
詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。 (実施形態1)図1〜図3は、本発明に係る表示装置の
実施形態1を示している。図1は表示装置の要部断面
図、図2は平面説明図、図3は要部断面説明図である。
図中11は表示装置であり、ガラス基板12の背面に各
画素を格子状にブラックマスク13がフォトリソグラフ
ィー技術およびエッチング技術を用いて形成されてい
る。本実施形態では、例えば、ブラックマスク13のラ
イン幅が0.03mm、スペース幅が0.47mmに設
定されている。このブラックマスク13で区画される空
隙には、図1および図3に示すように、透明な樹脂バイ
ンダ14中に光散乱性をもつ光拡散粒子15を分散させ
たものを充填してなる光拡散層16が形成されている。
なお、この光拡散層16もフォトリソグラフィー技術を
用いて形成することができる。そして、ガラス基板12
に形成されたブラックマスク13および光拡散層16を
覆うように、透明性を有する合成樹脂でなる保護膜17
が形成されている。保護膜17の背面には、平面的に見
て列をなす光拡散層16の幅方向の略中央を通るように
それぞれの光拡散層16の列に対応する、複数の前面電
極18が形成されている。また、保護膜17および前面
電極18の背面側には、有機EL層19が表示領域全域
に亙って形成されている。さらに、有機EL層19の背
面には、前面電極18と直交する方向に、複数の背面電
極20が形成されている。本実施形態では、例えば、背
面電極20と前面電極18のライン幅が0.3mm、ス
ペース幅が0.2mmに設定されている。この背面電極
20と前面電極18とが交差する部分は、それぞれの光
拡散層16の略中央に位置するようになっている。な
お、これら前面電極18と背面電極20とは、例えば図
19に示すようなメタルマスク8を用いて形成すること
ができる。
【0017】次に、本実施形態の表示装置11の作用に
ついて説明する。前面電極18と背面電極20とが線順
次駆動された場合、所定の前面電極18と背面電極20
との間に電圧が印加され、前面電極18と背面電極20
との交差する部分の有機EL層19にキャリアが注入さ
れてEL発光が起こる。この発光領域は、これら電極の
交差領域であり、本実施形態では一辺が0.3mmの正
方形の領域である。この発光領域に対応する光拡散層1
6は、一辺が0.47mmの正方形の領域である。発光
領域から出射された光は、光拡散層16に入射し、光拡
散粒子15で散乱される。このため、実際の発光領域よ
り大きい領域である光拡散層16全体が発光するように
見える。また、隣接する光拡散層16どうしの間隔は、
ブラックマスク13のライン幅0.03mmであり、実
際の発光領域どうしの間隔(電極のスペース幅0.2m
m)に比較して非常に小さくなり、緻密な表示を行うこ
とができる。また、この発光領域で発生した光は、ブラ
ックマスク13が在るため隣接する光拡散層16へは入
射しにくい構造となっており、表示光が隣接画素にもれ
て滲みが発生するのを抑制することができる。このよう
に、本実施形態では、前面電極18や背面電極20をメ
タルマスクを用いて形成した場合に、これらの電極のス
ペース幅は0.1mm程度が現状では限界だが、これに
対してブラックマスク13をフォトリソグラフィー技術
を用いて0.1mm未満のライン/スペースの加工が容
易に行えるため、従来よりも狭いスペースで表示エリア
を形成することができるという利点がある。
ついて説明する。前面電極18と背面電極20とが線順
次駆動された場合、所定の前面電極18と背面電極20
との間に電圧が印加され、前面電極18と背面電極20
との交差する部分の有機EL層19にキャリアが注入さ
れてEL発光が起こる。この発光領域は、これら電極の
交差領域であり、本実施形態では一辺が0.3mmの正
方形の領域である。この発光領域に対応する光拡散層1
6は、一辺が0.47mmの正方形の領域である。発光
領域から出射された光は、光拡散層16に入射し、光拡
散粒子15で散乱される。このため、実際の発光領域よ
り大きい領域である光拡散層16全体が発光するように
見える。また、隣接する光拡散層16どうしの間隔は、
ブラックマスク13のライン幅0.03mmであり、実
際の発光領域どうしの間隔(電極のスペース幅0.2m
m)に比較して非常に小さくなり、緻密な表示を行うこ
とができる。また、この発光領域で発生した光は、ブラ
ックマスク13が在るため隣接する光拡散層16へは入
射しにくい構造となっており、表示光が隣接画素にもれ
て滲みが発生するのを抑制することができる。このよう
に、本実施形態では、前面電極18や背面電極20をメ
タルマスクを用いて形成した場合に、これらの電極のス
ペース幅は0.1mm程度が現状では限界だが、これに
対してブラックマスク13をフォトリソグラフィー技術
を用いて0.1mm未満のライン/スペースの加工が容
易に行えるため、従来よりも狭いスペースで表示エリア
を形成することができるという利点がある。
【0018】(実施形態2)図4は、この発明に係る表
示装置の実施形態2を示す断面図である。本実施形態の
表示装置の構成は、同図に示すように、ガラス基板12
の前面にブラックマスク13が形成され、このブラック
マスク13で区画される空隙に光拡散層16が形成され
ている。また、ガラス基板12の後面にX−Yマトリク
スを構成する前面電極18と背面電極20とに挟まれる
ように有機EL層19が設けられている。なお、ブラッ
クマスク13と光拡散層16とを覆うように保護膜17
が形成されている。本実施形態では、ガラス基板12の
前面に光拡散層16およびブラックマスク13を形成
し、ガラス基板12の背面に前面電極18、有機EL層
19、および背面電極20を形成するため、それぞれの
加工が容易になる。本実施形態における他の作用および
効果は、上記した実施形態1と同様である。
示装置の実施形態2を示す断面図である。本実施形態の
表示装置の構成は、同図に示すように、ガラス基板12
の前面にブラックマスク13が形成され、このブラック
マスク13で区画される空隙に光拡散層16が形成され
ている。また、ガラス基板12の後面にX−Yマトリク
スを構成する前面電極18と背面電極20とに挟まれる
ように有機EL層19が設けられている。なお、ブラッ
クマスク13と光拡散層16とを覆うように保護膜17
が形成されている。本実施形態では、ガラス基板12の
前面に光拡散層16およびブラックマスク13を形成
し、ガラス基板12の背面に前面電極18、有機EL層
19、および背面電極20を形成するため、それぞれの
加工が容易になる。本実施形態における他の作用および
効果は、上記した実施形態1と同様である。
【0019】(実施形態3)図5は、この発明に係る表
示装置の実施形態3を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの後面にブラ
ックマスク13と光拡散層16とが形成され、これらブ
ラックマスク16および光拡散層16を覆うように保護
膜17が形成されている。また、別のガラス基板12B
の後面に、前面電極18と有機EL層19と背面電極2
0とが形成されている。本実施形態の表示装置11は、
光拡散層16が形成されたガラス基板12Aの後方に有
機EL層19が形成されたガラス基板12Bを配置した
構成でなる。このように、ブラックマスク13および光
拡散層16と、有機EL層およびこれを挟む電極と、を
別々に製造することができるため、歩留まりを向上させ
ることができる。本実施形態における作用、効果は、上
記した実施形態1と同様である。
示装置の実施形態3を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの後面にブラ
ックマスク13と光拡散層16とが形成され、これらブ
ラックマスク16および光拡散層16を覆うように保護
膜17が形成されている。また、別のガラス基板12B
の後面に、前面電極18と有機EL層19と背面電極2
0とが形成されている。本実施形態の表示装置11は、
光拡散層16が形成されたガラス基板12Aの後方に有
機EL層19が形成されたガラス基板12Bを配置した
構成でなる。このように、ブラックマスク13および光
拡散層16と、有機EL層およびこれを挟む電極と、を
別々に製造することができるため、歩留まりを向上させ
ることができる。本実施形態における作用、効果は、上
記した実施形態1と同様である。
【0020】(実施形態4)図6は、この発明に係る表
示装置の実施形態4を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの前面にブラ
ックマスク13、光拡散層16並びに保護膜17が形成
され、このガラス基板12Aの背面に各光拡散層16に
対応する位置、または背面全面にホログラム21が形成
されている。このガラス基板12Aの後方には、上記し
た実施形態3と同様な構成のガラス基板12B側が配置
されている。本実施形態においては、ガラス基板12A
の背面に凹凸状のホログラム21を形成したことによ
り、有機EL層19側から出射された表示光をホログラ
ム21が効率よく選択的に光拡散層16へ入射させるこ
とができる。このため、ブラックマスク13が隣接する
画素への光もれを防止すると共に、ホログラム21が発
光部からの光が隣接する光拡散層16へ入射しないよう
に入射方向を規制するため、効率よくより鮮明な表示を
可能にすることができる。
示装置の実施形態4を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの前面にブラ
ックマスク13、光拡散層16並びに保護膜17が形成
され、このガラス基板12Aの背面に各光拡散層16に
対応する位置、または背面全面にホログラム21が形成
されている。このガラス基板12Aの後方には、上記し
た実施形態3と同様な構成のガラス基板12B側が配置
されている。本実施形態においては、ガラス基板12A
の背面に凹凸状のホログラム21を形成したことによ
り、有機EL層19側から出射された表示光をホログラ
ム21が効率よく選択的に光拡散層16へ入射させるこ
とができる。このため、ブラックマスク13が隣接する
画素への光もれを防止すると共に、ホログラム21が発
光部からの光が隣接する光拡散層16へ入射しないよう
に入射方向を規制するため、効率よくより鮮明な表示を
可能にすることができる。
【0021】(実施形態5)図7は、この発明に係る表
示装置の実施形態5を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの前面にブラ
ックマスク13、光拡散層16並びに保護膜17が形成
され、このガラス基板12Aの背面に各光拡散層16に
対応する位置、または背面全面にマイクロレンズ22が
形成されている。このガラス基板12Aの後方には、上
記した実施形態3と同様な構成のガラス基板12B側が
配置されている。本実施形態においては、ガラス基板1
2Aの背面にマイクロレンズ22を形成したことによ
り、有機EL層19側から出射された表示光をマイクロ
レンズ22が効率よく選択的に光拡散層16へ入射させ
ることができる。このため、ブラックマスク13が隣接
する画素への光もれを防止すると共に、マイクロレンズ
22が有機EL層19における電極18,20の交差部
からなる発光部からの光が隣接する光拡散層16へ入射
しないように入射方向を規制するため、より鮮明な表示
を可能にすることができる。
示装置の実施形態5を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの前面にブラ
ックマスク13、光拡散層16並びに保護膜17が形成
され、このガラス基板12Aの背面に各光拡散層16に
対応する位置、または背面全面にマイクロレンズ22が
形成されている。このガラス基板12Aの後方には、上
記した実施形態3と同様な構成のガラス基板12B側が
配置されている。本実施形態においては、ガラス基板1
2Aの背面にマイクロレンズ22を形成したことによ
り、有機EL層19側から出射された表示光をマイクロ
レンズ22が効率よく選択的に光拡散層16へ入射させ
ることができる。このため、ブラックマスク13が隣接
する画素への光もれを防止すると共に、マイクロレンズ
22が有機EL層19における電極18,20の交差部
からなる発光部からの光が隣接する光拡散層16へ入射
しないように入射方向を規制するため、より鮮明な表示
を可能にすることができる。
【0022】(実施形態6)図8は、この発明に係る表
示装置の実施形態6を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの前面にブラ
ックマスク13、光拡散層16並びに保護膜17が形成
され、このガラス基板12Aの背面に各光拡散層16に
対応する位置、または背面全面に微細格子23が形成さ
れている。このガラス基板12Aの後方には、上記した
実施形態3と同様な構成のガラス基板12B側が配置さ
れている。本実施形態においては、ガラス基板12Aの
背面に微細格子23を形成したことにより、有機EL層
19側から出射された表示光を微細格子23が効率よく
選択的に光拡散層16へ入射させることができる。この
ため、ブラックマスク13が隣接する画素への光もれを
防止すると共に、微細格子23が発光部からの光が隣接
する光拡散層16へ入射しないように入射方向を規制す
るため、より鮮明な表示を可能にすることができる。
示装置の実施形態6を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ガラス基板12Aの前面にブラ
ックマスク13、光拡散層16並びに保護膜17が形成
され、このガラス基板12Aの背面に各光拡散層16に
対応する位置、または背面全面に微細格子23が形成さ
れている。このガラス基板12Aの後方には、上記した
実施形態3と同様な構成のガラス基板12B側が配置さ
れている。本実施形態においては、ガラス基板12Aの
背面に微細格子23を形成したことにより、有機EL層
19側から出射された表示光を微細格子23が効率よく
選択的に光拡散層16へ入射させることができる。この
ため、ブラックマスク13が隣接する画素への光もれを
防止すると共に、微細格子23が発光部からの光が隣接
する光拡散層16へ入射しないように入射方向を規制す
るため、より鮮明な表示を可能にすることができる。
【0023】(実施形態7)図9は、この発明に係る表
示装置の実施形態7を示す断面図である。本実施形態の
表示装置11は、上記した実施形態1における光拡散層
16がそれぞれ光拡散粒子を含む光波長変換層16R、
16G、および透明層16Bで置き換えられたものであ
る。光波長変換層16Rは、青色光を吸収して赤色光に
相当する波長域の光を出射する機能がある。また、光波
長変換層16Gは、青色光を吸収して緑色光に相当する
波長域の光を出射、拡散する機能をもつ。さらに、透明
層16Bは、例えば透明な合成樹脂材料に光で形成され
ており光透過機能と拡散機能をもつ。光波長変換層16
R、16Gは、光波長変換材料に光散乱性をもつ光拡散
粒子を分散させて構成されている。なお、光波長変換材
料は、樹脂バインダ中に蛍光色素が分子レベルで分散さ
れたものであり、短波長側の光を吸収して長波長側の光
を蛍光させて発光させる性質をもつ。そして、本実施形
態においてもブラックマスク13および光拡散層13を
覆うように、例えば透明性を有する合成樹脂でなる保護
膜17が形成されている。また、保護膜17の背面に
は、前面電極18、有機EL層19、背面電極20が形
成されている。特に、本実施形態では、有機EL層19
で青色光が発生するように設定されている。青色発光を
起こす有機EL層の構成としては、例えばAlq3でな
る電子輸送層と、ジスチリルアーリレン誘導体という一
群の青色発光材料(DTVBiなど)でなる発光層と、
α−NPDでなる正孔輸送層と、を積層した構成を挙げ
ることができる。なお、本実施形態における他の構成
は、上記した実施形態1と同様である。
示装置の実施形態7を示す断面図である。本実施形態の
表示装置11は、上記した実施形態1における光拡散層
16がそれぞれ光拡散粒子を含む光波長変換層16R、
16G、および透明層16Bで置き換えられたものであ
る。光波長変換層16Rは、青色光を吸収して赤色光に
相当する波長域の光を出射する機能がある。また、光波
長変換層16Gは、青色光を吸収して緑色光に相当する
波長域の光を出射、拡散する機能をもつ。さらに、透明
層16Bは、例えば透明な合成樹脂材料に光で形成され
ており光透過機能と拡散機能をもつ。光波長変換層16
R、16Gは、光波長変換材料に光散乱性をもつ光拡散
粒子を分散させて構成されている。なお、光波長変換材
料は、樹脂バインダ中に蛍光色素が分子レベルで分散さ
れたものであり、短波長側の光を吸収して長波長側の光
を蛍光させて発光させる性質をもつ。そして、本実施形
態においてもブラックマスク13および光拡散層13を
覆うように、例えば透明性を有する合成樹脂でなる保護
膜17が形成されている。また、保護膜17の背面に
は、前面電極18、有機EL層19、背面電極20が形
成されている。特に、本実施形態では、有機EL層19
で青色光が発生するように設定されている。青色発光を
起こす有機EL層の構成としては、例えばAlq3でな
る電子輸送層と、ジスチリルアーリレン誘導体という一
群の青色発光材料(DTVBiなど)でなる発光層と、
α−NPDでなる正孔輸送層と、を積層した構成を挙げ
ることができる。なお、本実施形態における他の構成
は、上記した実施形態1と同様である。
【0024】本実施形態では、光波長変換層16R、1
6Gを構成する波長変換材料の光変換効率が高いため、
発光効率の高いカラー表示を行うことができる。なお、
光波長変換層16R、16Gおよび透明層16Bには、
光拡散粒子が含まれているため、入射光の行路長を増す
ことが可能になり、蛍光色素への吸収確率を高め、蛍光
強度を増すことが可能になる。このため、光波長変換層
16R、16Gの膜厚を薄くすることが可能となる。な
お、本実施形態でも、上記した実施形態1と同様に狭い
スペースでも発光エリアを確保することが可能である。
なお、本実施形態では、青色光を赤色と緑色の光となる
ように波長変換を行う構成としたが、青よりも長波長側
の色であれば、黄色、オレンジなどの他の色の波長域に
波長変換するようにしてもよい。また、有機EL層19
での発光が青色以外の色の発光としてもよく、例えば緑
色発光するも有機EL層を用いて、緑から黄、オレン
ジ、赤などの、緑よりも長波長側に波長変換する蛍光色
素と光拡散粒子を分散させた光波長変換層を設けても勿
論よい。さらに、本実施形態では、光波長変換層を蛍光
色素と光拡散粒子とを樹脂バインダに配合した構成とし
たが、光散乱性をもつ蛍光顔料を配合する構成としても
よい。この場合、蛍光顔料としては、無機物の微粒子ま
たは蛍光色素をバインダに溶解して固化させたものを粉
砕したものを用いることができる。そして、蛍光顔料か
らの蛍光波長のピークは光波長変換層に分散されている
蛍光材料と同程度になるようなものを用いる。また、蛍
光顔料は入射光を吸収しやすい特性を有しているので、
入射光のうち光波長変換層を励起する波長域の光の吸収
率も向上させることができるため光波長変換層の蛍光特
性が向上し、さらに蛍光顔料からの蛍光が加わることに
より光波長変換効率を向上させることができる。
6Gを構成する波長変換材料の光変換効率が高いため、
発光効率の高いカラー表示を行うことができる。なお、
光波長変換層16R、16Gおよび透明層16Bには、
光拡散粒子が含まれているため、入射光の行路長を増す
ことが可能になり、蛍光色素への吸収確率を高め、蛍光
強度を増すことが可能になる。このため、光波長変換層
16R、16Gの膜厚を薄くすることが可能となる。な
お、本実施形態でも、上記した実施形態1と同様に狭い
スペースでも発光エリアを確保することが可能である。
なお、本実施形態では、青色光を赤色と緑色の光となる
ように波長変換を行う構成としたが、青よりも長波長側
の色であれば、黄色、オレンジなどの他の色の波長域に
波長変換するようにしてもよい。また、有機EL層19
での発光が青色以外の色の発光としてもよく、例えば緑
色発光するも有機EL層を用いて、緑から黄、オレン
ジ、赤などの、緑よりも長波長側に波長変換する蛍光色
素と光拡散粒子を分散させた光波長変換層を設けても勿
論よい。さらに、本実施形態では、光波長変換層を蛍光
色素と光拡散粒子とを樹脂バインダに配合した構成とし
たが、光散乱性をもつ蛍光顔料を配合する構成としても
よい。この場合、蛍光顔料としては、無機物の微粒子ま
たは蛍光色素をバインダに溶解して固化させたものを粉
砕したものを用いることができる。そして、蛍光顔料か
らの蛍光波長のピークは光波長変換層に分散されている
蛍光材料と同程度になるようなものを用いる。また、蛍
光顔料は入射光を吸収しやすい特性を有しているので、
入射光のうち光波長変換層を励起する波長域の光の吸収
率も向上させることができるため光波長変換層の蛍光特
性が向上し、さらに蛍光顔料からの蛍光が加わることに
より光波長変換効率を向上させることができる。
【0025】(実施形態8)図10は、本発明に係る表
示装置の実施形態8を示す断面図である。本実施形態の
構成は、上記した実施形態7の構成において、同図に示
すように、ガラス基板12と、光波長変換層16R、1
6Gおよび透明層16と、の間にそれぞれ赤色フィルタ
層24R、緑色フィルタ層24G、青色フィルタ層24
Bを介在させた構成である。赤色フィルタ層24Rは、
赤色の波長域を含む光が入射されると実質的に赤色の波
長域の光を出射し、その他の波長域の可視光を吸収する
特性を有し、緑色フィルタ層24Gは、緑色の波長域を
含む光が入射されると実質的に緑色の波長域の光を出射
し、その他の波長域の可視光を吸収する特性を有し、青
色フィルタ層24Bは、色の波長域を含む光が入射され
ると実質的に赤色の波長域の光を出射し、その他の波長
域の可視光を吸収する特性を有する。本実施形態では、
光波長変換層16R、16Gおよび透明層16Bから出
射されるR、G、Bの光を各色フィルタ層で色純度を高
めることができる。
示装置の実施形態8を示す断面図である。本実施形態の
構成は、上記した実施形態7の構成において、同図に示
すように、ガラス基板12と、光波長変換層16R、1
6Gおよび透明層16と、の間にそれぞれ赤色フィルタ
層24R、緑色フィルタ層24G、青色フィルタ層24
Bを介在させた構成である。赤色フィルタ層24Rは、
赤色の波長域を含む光が入射されると実質的に赤色の波
長域の光を出射し、その他の波長域の可視光を吸収する
特性を有し、緑色フィルタ層24Gは、緑色の波長域を
含む光が入射されると実質的に緑色の波長域の光を出射
し、その他の波長域の可視光を吸収する特性を有し、青
色フィルタ層24Bは、色の波長域を含む光が入射され
ると実質的に赤色の波長域の光を出射し、その他の波長
域の可視光を吸収する特性を有する。本実施形態では、
光波長変換層16R、16Gおよび透明層16Bから出
射されるR、G、Bの光を各色フィルタ層で色純度を高
めることができる。
【0026】(実施形態9)図11は、本発明に係る表
示装置の実施形態9を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ブラックマスク13で区画され
る空隙内にそれぞれ赤色フィルタ層24R、緑色フィル
タ層24G、青色フィルタ層24Bを形成したものであ
り、有機EL層19では白色光が発生するように設定さ
れている。そして、各色フィルタ層24R、24G、2
4Bには、光拡散粒子が分散されたものであり、これら
各色フィルタ層24R、24G、24Bが光拡散層とし
ての機能をもつ。なお、本実施形態における他の構成
は、上記した実施形態1と同様である。
示装置の実施形態9を示す断面図である。本実施形態で
は、同図に示すように、ブラックマスク13で区画され
る空隙内にそれぞれ赤色フィルタ層24R、緑色フィル
タ層24G、青色フィルタ層24Bを形成したものであ
り、有機EL層19では白色光が発生するように設定さ
れている。そして、各色フィルタ層24R、24G、2
4Bには、光拡散粒子が分散されたものであり、これら
各色フィルタ層24R、24G、24Bが光拡散層とし
ての機能をもつ。なお、本実施形態における他の構成
は、上記した実施形態1と同様である。
【0027】本実施形態では、有機EL層19のそれぞ
れのドット部で発生する白色光を、各色フィルタ層を通
過させることでR、G、Bの色の光にすることができ
る。本実施形態の作用、効果は、上記した実施形態1と
同様である。
れのドット部で発生する白色光を、各色フィルタ層を通
過させることでR、G、Bの色の光にすることができ
る。本実施形態の作用、効果は、上記した実施形態1と
同様である。
【0028】(実施形態10)図12は、本発明に係る
表示装置の実施形態10の要部を示す平面説明図であ
る。本実施形態では、同図に示すように、ブラックマス
ク13に光が透過する表示用開口部13A、13Bを形
成したものである。この表示用開口部13A、13B内
には、樹脂バインダ中に光拡散粒子が分散されてなる光
拡散層16が形成されている。本実施形態では、表示用
開口部13A、13Bが同心の円とドーナツ形状のもの
であり、前面電極18と背面電極20とが交差する領域
内にこれら表示用開口部13A、13Bが収まるように
形成されている。このように、ブラックマスク13およ
び光拡散層16の形状を加工することにより、様々な形
状の発光表示を可能にすることができるため、従来にお
いて形成できなかったキャラクタパターン表示を実現す
ることができる。
表示装置の実施形態10の要部を示す平面説明図であ
る。本実施形態では、同図に示すように、ブラックマス
ク13に光が透過する表示用開口部13A、13Bを形
成したものである。この表示用開口部13A、13B内
には、樹脂バインダ中に光拡散粒子が分散されてなる光
拡散層16が形成されている。本実施形態では、表示用
開口部13A、13Bが同心の円とドーナツ形状のもの
であり、前面電極18と背面電極20とが交差する領域
内にこれら表示用開口部13A、13Bが収まるように
形成されている。このように、ブラックマスク13およ
び光拡散層16の形状を加工することにより、様々な形
状の発光表示を可能にすることができるため、従来にお
いて形成できなかったキャラクタパターン表示を実現す
ることができる。
【0029】(実施形態11)図13は、本発明に係る
表示装置の実施形態11のブラックマスクおよび光拡散
層を示す平面図である。本実施形態は、ブラックマスク
13の開口部の形状を7セグメントの形状に形成したも
のであり、これらの開口部内に光拡散層16が形成され
ている。なお、ブラックマスク13の開口部に対する前
面電極(セグメント)18と背面電極(コモン)の形状
は、図14に示すように、前面電極18と背面電極20
とが重なる部分は、開口部よりも小さく形成してもよ
い。これにより、メタルマスクを用いて形成することが
困難であった7セグメントパターンの形成が可能にな
る。すなわち、前面電極18と背面電極20とが重なる
部分が開口部より小さくてよいため、各セグメントから
の引き出し線を形成する領域の自由度が増し、パターン
ルールを緩和することができる。
表示装置の実施形態11のブラックマスクおよび光拡散
層を示す平面図である。本実施形態は、ブラックマスク
13の開口部の形状を7セグメントの形状に形成したも
のであり、これらの開口部内に光拡散層16が形成され
ている。なお、ブラックマスク13の開口部に対する前
面電極(セグメント)18と背面電極(コモン)の形状
は、図14に示すように、前面電極18と背面電極20
とが重なる部分は、開口部よりも小さく形成してもよ
い。これにより、メタルマスクを用いて形成することが
困難であった7セグメントパターンの形成が可能にな
る。すなわち、前面電極18と背面電極20とが重なる
部分が開口部より小さくてよいため、各セグメントから
の引き出し線を形成する領域の自由度が増し、パターン
ルールを緩和することができる。
【0030】(実施形態12)図15は、本発明に係る
表示装置の実施形態12を示す分解斜視図である。本実
施形態は、同図に示すように、ガラス基板12上に画素
毎に背面電極としての画素電極25が形成され、それぞ
れの画素電極25に、スイッチング素子としての薄膜ト
ランジスタ(TFT)26が接続され、アクティブ駆動
を可能にしたものである。また、前面電極18は、表示
領域全域に亙り形成された共通の電極であり、この前面
電極18の上にブラックマスク13と光拡散層16が形
成されている。なお、本実施形態における他の構成は、
上記した実施形態1と同様である。本実施形態では、ブ
ラックマスク13のライン幅をフォトリソグラフィー技
術により小さく設定することができるため、画素電極2
5の大きさに拘わらず開口率を大きくすることが可能と
なる。
表示装置の実施形態12を示す分解斜視図である。本実
施形態は、同図に示すように、ガラス基板12上に画素
毎に背面電極としての画素電極25が形成され、それぞ
れの画素電極25に、スイッチング素子としての薄膜ト
ランジスタ(TFT)26が接続され、アクティブ駆動
を可能にしたものである。また、前面電極18は、表示
領域全域に亙り形成された共通の電極であり、この前面
電極18の上にブラックマスク13と光拡散層16が形
成されている。なお、本実施形態における他の構成は、
上記した実施形態1と同様である。本実施形態では、ブ
ラックマスク13のライン幅をフォトリソグラフィー技
術により小さく設定することができるため、画素電極2
5の大きさに拘わらず開口率を大きくすることが可能と
なる。
【0031】以上、実施形態1〜実施形態12について
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例
えば、上記した各実施形態では、有機EL層19を2層
構造のものや3層構造のものなど各種の構造に適宜設定
することが可能であり、電子輸送層、発光層、正孔輸送
層などの材料の選択も適宜可能である。
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例
えば、上記した各実施形態では、有機EL層19を2層
構造のものや3層構造のものなど各種の構造に適宜設定
することが可能であり、電子輸送層、発光層、正孔輸送
層などの材料の選択も適宜可能である。
【0032】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、隣接する画素への光もれを抑制して鮮明な
表示ができる表示装置を実現することができる。また、
複雑な形状の電極パターンやセグメント電極からの引き
出し線の影響を最小限に留める表示装置を得ることがで
きる。
明によれば、隣接する画素への光もれを抑制して鮮明な
表示ができる表示装置を実現することができる。また、
複雑な形状の電極パターンやセグメント電極からの引き
出し線の影響を最小限に留める表示装置を得ることがで
きる。
【図1】本発明に係る表示装置の実施形態1を示す断面
図。
図。
【図2】実施形態1の要部平面説明図。
【図3】実施形態1の要部拡大断面図。
【図4】本発明に係る表示装置の実施形態2を示す断面
図。
図。
【図5】本発明に係る表示装置の実施形態3を示す断面
図。
図。
【図6】本発明に係る表示装置の実施形態4を示す断面
図。
図。
【図7】本発明に係る表示装置の実施形態5を示す断面
図。
図。
【図8】本発明に係る表示装置の実施形態6を示す断面
図。
図。
【図9】本発明に係る表示装置の実施形態7を示す断面
図。
図。
【図10】本発明に係る表示装置の実施形態8を示す断
面図。
面図。
【図11】本発明に係る表示装置の実施形態9を示す断
面図。
面図。
【図12】本発明に係る表示装置の実施形態10を示す
平面説明図。
平面説明図。
【図13】本発明に係る表示装置の実施形態11を示す
ブラックマスクおよび光拡散層の平面説明図。
ブラックマスクおよび光拡散層の平面説明図。
【図14】実施形態11の電極構成を示す平面説明図。
【図15】本発明に係る表示装置の実施形態12を示す
分解斜視図。
分解斜視図。
【図16】従来の表示装置を示す断面図。
【図17】従来のカラー表示装置を示す断面図。
【図18】従来の他のカラー表示装置を示す断面図。
【図19】(a)はメタルマスクを示す平面図、(b)
は(a)のA−A断面図。
は(a)のA−A断面図。
11 表示装置 12 ガラス基板 13 ブラックマスク 13A、13B 表示用開口部 14 樹脂バインダ 15 光拡散粒子 16 光拡散層 16R、16G、16B 光波長変換層 18 前面電極 19 有機EL層 20 背面電極 21 ホログラム 22 マイクロレンズ 23 微細格子 24R 赤色フィルタ層 24G 緑色フィルタ層 24B 青色フィルタ層 25 画素電極 26 薄膜トランジスタ
Claims (6)
- 【請求項1】 エレクトロルミネッセンス層の前面に透
明な前面電極が形成され、かつ前記エレクトロルミネッ
センス層の背面に背面電極が形成されると共に、前記前
面電極と前記背面電極とが前記エレクトロルミネッセン
ス層を介して重なり合う発光部分に対応するように、前
記前面電極の前方に光拡散層が配置されていることを特
徴とする表示装置。 - 【請求項2】 前記光拡散層は、対応する前記発光部分
よりも広く形成されていることを特徴とする請求項1に
記載の表示装置。 - 【請求項3】 前記光拡散層は、フォトリソグラフィー
法およびエッチング法を用いて形成されたブラックマス
クで囲まれていることを特徴とする請求項1または請求
項2に記載の表示装置。 - 【請求項4】 前記光拡散層は、透明性を有する樹脂バ
インダに光散乱性の微粒子を分散させてなることを特徴
とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の表示装
置。 - 【請求項5】 前記光拡散層は、入射光を吸収して前記
入射光と異なる波長域の光を出射する光波長変換層中に
光散乱性の微粒子を分散させてなることを特徴とする請
求項1〜請求項3のいずれかに記載の表示装置。 - 【請求項6】 前記エレクトロルミネッセンス層は、有
機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする
請求項1〜請求項5のいずれかに記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9175167A JPH118070A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9175167A JPH118070A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118070A true JPH118070A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15991443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9175167A Pending JPH118070A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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