JPH1180939A

JPH1180939A - 薄膜の形成方法

Info

Publication number: JPH1180939A
Application number: JP23747897A
Authority: JP
Inventors: Mariko Hosaka; 真理子保坂; Yasuhiro Iijima; 康裕飯島; Nobuyuki Sadakata; 伸行定方; Takashi Saito; 隆斉藤
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 1997-09-02
Filing date: 1997-09-02
Publication date: 1999-03-26
Anticipated expiration: 2017-09-02
Also published as: JP4004598B2

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザーの照射条件を最適なものとし、ター
ゲットの割れを防止し、ターゲットの構成材を有効に使
用して広い面積の基材に薄膜を形成することが可能であ
る薄膜の形成方法を提供するを提供する。【解決手段】レーザー光をターゲットに間欠的に照射
して、ターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発さ
せて、基材の表面に該構成粒子を堆積させることにより
薄膜を形成する方法であって、レーザー光の照射位置を
ターゲットの表面上で移動させることで走査しながらレ
ーザー光を間欠照射させてレーザー蒸着する際に、ター
ゲットに照射するレーザー光の走査速度を２〜２０ｍｍ
／秒、レーザー光の照射エネルギーを２００〜４００ｍ
Ｊ、レーザー光を間欠照射するときの照射周波数を１０
〜２００Ｈｚとすることを特徴とする薄膜の形成方法を
採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光をター
ゲットに照射してターゲットの構成粒子を叩き出し若し
くは蒸発させ、基材の表面に該構成粒子を堆積させるこ
とにより薄膜を形成する薄膜の形成方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】酸化物超電導体を導電体として使用する
ためには、テープ状などの長尺の基材上に、結晶配向性
の良好な酸化物超電導体の薄膜を形成する必要がある
が、一般には、金属テープ自体が多結晶体でその結晶構
造も酸化物超電導体と大きく異なるために、結晶配向性
の良好な酸化物超電導体の薄膜を形成させることはでき
なかった。

【０００３】そこで本発明者らは、図２に示すようなハ
ステロイテープなどの金属テープからなる基材１の上に
結晶配向性に優れたイットリウム安定化ジルコニア（Ｙ
ＳＺ）などの多結晶中間薄膜２を形成し、この多結晶中
間薄膜２上に、酸化物超電導体の中でも臨界温度が約９
０Ｋであり、液体窒素（７７Ｋ）中で用いることができ
る安定性に優れたＹ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x系の酸化物超電導体
の薄膜３を形成することで超電導特性の優れた酸化物超
電導導体４を製造する試みが行なわれており、本発明者
らは先に、特願平３ー１２６８３６号、特願平３ー１２
６８３７号、特願平３ー２０５５５１号、特願平４ー１
３４４３号、特願平４ー２９３４６４号などにおいて特
許出願を行なっている。

【０００４】これらの特許出願に記載された技術おいて
は、Ｙ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x系の酸化物超電導体の薄膜３を形
成させるために、レーザー蒸着法による薄膜の形成方法
が採用されている。レーザー蒸着法は、レーザー光の照
射位置をターゲットの表面上で移動させることで走査し
ながら、ターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発
させて、基材の表面に該構成粒子を堆積させることによ
り薄膜を形成する薄膜の形成方法である。レーザーとし
ては、構成粒子を叩き出すことができるものであれば、
ＹＡＧレーザー、ＣＯ₂レーザー、エキシマレーザーな
どのいずれのものを用いることができる。ターゲットと
しては、成膜しようとする酸化物超電導体の組成と同等
か近似する組成のものであって、酸化物超電導体の焼結
体等が用いられている。

【０００５】上述の薄膜の形成方法によれば、成膜しよ
うとする酸化物超電導体の組成と同等か近似する組成の
ターゲットが１つあれば済む。また、レーザー光は、大
気中でもその強度が減衰することがないので、酸素雰囲
気下で蒸着させることが可能であり、結晶成長を酸素雰
囲気下で行うことが好ましい酸化物超電導体の薄膜形成
に好都合である。更に、レーザー光の照射エネルギー
は、ターゲット上のレーザー光が照射された部分にのみ
作用し、その周辺には影響を与えることがないので、レ
ーザー光の照射エネルギーによる熱によって酸化物超電
導体の組成が局部的に変化してしまうことがなく、基材
に薄膜を形成する場合にも、均一な組成の薄膜を得るこ
とができる。更にまた、レーザー光によって叩き出され
若しくは蒸発されたターゲットの構成粒子は、結晶配向
性が良好な多結晶中間薄膜上においてエピタキシャル成
長をしながら堆積するので、結晶配向性に優れた酸化物
超電導体の薄膜を得ることが可能であり、得られた酸化
物超電導導体の臨界電流値、臨界電流密度等の超電導特
性を良好にすることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のレーザ
ー蒸着法による薄膜の形成方法においては、通常、レー
ザー光の走査速度を１ｍｍ／秒、レーザー光の照射周波
数を１０〜２００Ｈｚ、レーザー光の照射エネルギーを
２００〜４００ｍＪとしているが、比較的走査速度が遅
く、ターゲットが受けるレーザー光による熱エネルギー
が大きいために、レーザー光が照射されたターゲットの
一部分の温度が局所的に上昇し、この温度上昇によって
酸化物が局所的に膨張して焼結体であるターゲットが割
れたり、或いは孔が生じたりしてしまうという課題があ
った。

【０００７】また、上述の照射条件では、１度レーザー
光が照射されたターゲットの表面には、再度レーザーを
照射することができない。即ち、ターゲットの表面が、
レーザー光によってターゲットの構成粒子が叩き出され
若しくは蒸発されて凹状になり、表面の平滑性が損なわ
れ、同じ部分に再度レーザー光を照射しても、叩き出さ
れた構成粒子の飛行する方向が偏ってしまい構成粒子を
基材に均一に堆積させることができなくなるからであ
る。従って、未だ酸化物超電導体の焼結体が残存してい
ても、ターゲットの全面にレーザー光が１度照射されれ
ばターゲットは寿命となり、ターゲットを有効に利用で
きないという課題があった。また、１つのターゲットで
形成できる薄膜の面積を大きくすることができないとい
う課題もあった。

【０００８】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、ターゲットの割れを防止し、ター
ゲットの構成材を有効に使用して広い面積の基材に薄膜
を形成することが可能である薄膜の形成方法を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、以下の構成を採用した。請求項１に記載の薄膜の
形成方法は、レーザー光をターゲットに間欠的に照射し
て、ターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ
て、基材の表面に該構成粒子を堆積させることにより薄
膜を形成する方法であって、レーザー光の照射位置をタ
ーゲットの表面上で移動させることで走査しながらレー
ザー光を間欠照射させてレーザー蒸着する際に、ターゲ
ットに照射するレーザー光の走査速度を２〜２０ｍｍ／
秒、レーザー光の照射エネルギーを２００〜４００ｍ
Ｊ、レーザー光を間欠照射するときの照射周波数を１０
〜２００Ｈｚとすることを特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、酸化物超電導体の薄膜３
を形成するためのレーザー蒸着装置の一例を示す。この
例のレーザー蒸着装置１１は、処理容器１２を有し、こ
の処理容器１２の内部の蒸着処理室１３に、薄膜積層体
１４と、酸化物超電導体のターゲット１５とを設置でき
るようになっている。即ち、蒸着処理室１３の底部には
基台１６が設けられ、この基台１６の上面に薄膜積層体
１４を設置できるようになっているとともに、基台１６
の斜め上方に支持ホルダ１７によって支持された酸化物
超電導体のターゲット１５が傾斜状態で設けられてい
る。また、図中符号１８は薄膜積層体１４の送出装置、
１９は薄膜積層体１４の巻取装置を示す。また、処理容
器１２は、排気孔２０を介して真空排気装置２１に接続
されて蒸着処理室１３を所定の圧力に減圧できるように
なっている。

【００１１】薄膜積層体１４は、ハステロイ等の金属テ
ープ状の基材１に、イオンビームアシストスパッタリン
グ法等によってＹＳＺの多結晶中間薄膜２を形成したも
のである。基材１の構成材料としては、ステンレス鋼、
銅、または、ハステロイなどのニッケル合金などの合金
各種金属材料から適宜選択される長尺の金属テープを用
いることができる。この基材１の厚みは、０．０１〜
０．５ｍｍ、好ましくは０．０２〜０．１５ｍｍとされ
る。基材１の厚みが０．５ｍｍ以上では、後述する酸化
物超電導体の薄膜３の膜厚に比べて厚く、オーバーオー
ル（酸化物超電導導体全断面積）あたりの臨界電流密度
としては低下してしまう。一方、基材１の厚みが０．０
１ｍｍ未満では、著しく基材１の強度が低下し、酸化物
超電導導体４の補強効果を消失してしまう。多結晶中間
薄膜２は、立方晶系の結晶構造を有する結晶の集合した
微細な結晶粒が多数相互に結晶粒界を介して接合一体化
されてなるものであり、各結晶粒の結晶軸のｃ軸は基材
１の上面（成膜面）に対してほぼ直角に向けられ、各結
晶粒の結晶軸のａ軸どうしおよびｂ軸どうしは、互いに
同一方向に向けられて面内配向されている。多結晶中間
薄膜２の厚みは、０．１〜１．０μｍとされる。多結晶
中間薄膜２２の厚みを１．０μｍを超えて厚くしてもも
はや効果の増大は期待できず、経済的にも不利となる。
一方、多結晶中間薄膜２の厚みが０．１μｍ未満である
と、薄すぎて酸化物超電導体の薄膜３を十分支持できな
い恐れがある。この多結晶中間薄膜２の構成材料として
はＹＳＺの他に、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ₃等を用いること
ができる。

【００１２】酸化物超電導体のターゲット１５は、形成
しようとする酸化物超電導体の薄膜３と同等または近似
した組成、あるいは、成膜中に逃避しやすい成分を多く
含有させた複合酸化物の焼結体あるいは酸化物超電導体
などの板体からなっている。従って酸化物超電導体のタ
ーゲット１５は、Ｙ₁Ｂa₂Ｃｕ₃Ｏ_x、Ｙ₂Ｂa₄Ｃｕ₈Ｏ_x、
Ｙ₃Ｂa₃Ｃｕ₆Ｏ_xなる組成、（Ｂｉ,Ｐｂ）₂Ｃａ₂Ｓｒ₂
Ｃｕ₃Ｏ_x、（Ｂｉ,Ｐｂ）₂Ｃａ₂Ｓｒ₃Ｃｕ₄Ｏ_xなる組
成、あるいはＴｌ₂Ｂａ₂Ｃａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x、Ｔｌ₁Ｂａ₂Ｃ
ａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x、Ｔｌ₁Ｂａ₂Ｃａ₃Ｃｕ₄Ｏ_xなる組成などに
代表される臨界温度の高い酸化物超電導体の薄膜３を形
成するために使用するので、これと同一の組成か近似し
た組成のものを用いることが好ましい。

【００１３】基台１６は加熱ヒータを内蔵したもので、
薄膜積層体１４を必要に応じて加熱できるようになって
いる。一方、処理容器１２の側方には、レーザ発光装置
２２と第１反射鏡２３と集光レンズ２４と第２反射鏡２
５とが設けられ、レーザ発光装置２２が発生させたレー
ザビームを処理容器１２の側壁に取り付けられた透明窓
２６を介してターゲット１５に集光照射できるようにな
っている。レーザ発光装置２２はターゲット１５から構
成粒子を叩き出すことができるものであれば、ＹＡＧレ
ーザ、ＣＯ₂レーザ、エキシマレーザなどのいずれのも
のを用いても良い。

【００１４】ターゲット上でレーザー光を走査させ、そ
の走査速度を調整する手段として、酸化物超電導体のタ
ーゲット１５の支持ホルダ１７をモータ等の駆動源と接
続してその位置を移動自在とすることができるように構
成されている。レーザーの照射出力の調整は、レーザー
発光装置２２に電力を供給する増幅装置（図示せず）の
出力を調整することにより行うことができる。また、レ
ーザーの照射周波数は、１秒間当たりに間欠的に発振さ
れるレーザーのパルスの数を示すものであり、この調整
は、レーザー発光装置２２に電力を一定の周波数をもっ
て間欠的に供給するか、レーザー光が通過する経路のど
こかに、回転セクタ等の機械的シャッタを設け、この機
械的シャッタを一定の周波数をもって作動させることに
より、調整することができる。

【００１５】ターゲット１５の表面上をレーザー光が移
動する際の軌跡（一点鎖線）の例を、図３（ａ）、図３
（ｂ）に示す。図３（ａ）においては、レーザー光が、
円形のターゲット１５ａの円周に沿って、徐々にターゲ
ット１５ａの中心に向けて回転させるように走査する。
図３（ｂ）においては、レーザー光が、四角形のターゲ
ット１５ｂの短辺に沿って移動し、次にターゲット１５
ｂの長手方向に沿ってわずかに移動し、再びターゲット
１５ｂの短辺に沿って移動するように走査する。

【００１６】次に、薄膜積層体１４の上にＹ₁Ｂａ₂Ｃｕ
₃Ｏ_Xの酸化物超電導体の薄膜３を形成する方法について
説明する。ＹＳＺの多結晶中間薄膜２が形成された薄膜
積層体１４をこの多結晶中間薄膜２側を上にして基台１
６上に設置し、酸化物超電導体のターゲット１５として
Ｙ ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_Xのターゲットを設置し、蒸着処理室１
３を真空排気装置２１で減圧する。ここで必要に応じて
蒸着処理室１３に酸素ガスを導入して蒸着処理室１３を
酸素雰囲気としても良い。また、基台１６の加熱ヒータ
を作動させて薄膜積層体１４を所望の温度に加熱しても
良い。

【００１７】送出装置１８から薄膜積層体１４を送り出
しつつ、レーザビームを酸化物超電導体のターゲット１
５に集光照射する。これによってターゲット１５の構成
粒子がえぐり出されるか蒸発されてその粒子が多結晶中
間薄膜２上に堆積する。

【００１８】多結晶中間薄膜２は、その結晶粒が予めｃ
軸配向し、ａ軸とｂ軸でも配向するようにイオンビーム
アシスト法により形成されているので、酸化物超電導体
の薄膜３の結晶のｃ軸とａ軸とｂ軸も多結晶中間薄膜２
の結晶にに整合するようにエピタキシャル成長して結晶
化する。これにより結晶配向性の良好なＹ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃
Ｏ_Xの酸化物超電導体の薄膜３が得られる。なお、成膜
後に必要に応じて酸化物超電導体の薄膜３の結晶構造を
整えるための熱処理を施しても良い。この酸化物超電導
体の薄膜３の厚みは０．５〜５μｍ程度とされる。

【００１９】ターゲットにレーザー光を照射する際の走
査速度は２〜２０ｍｍ／秒の範囲であることが好まし
い。走査速度が２ｍｍ／秒以下であると、ターゲットが
受けるレーザー光の熱エネルギーが大きくなり、ターゲ
ットの局部的な温度上昇による割れが発生するので好ま
しくない。また、構成粒子の叩き出し若しくは蒸発の程
度が大きくなり、１度レーザー光の照射を受けた部分の
表面平滑性が損なわれて同じ部分に再度レーザー光を照
射することができなくなるため、ターゲットの寿命を延
ばすことができなくなるので好ましくない。走査速度が
２０ｍｍ／秒以上であると、ターゲットからの構成粒子
の叩き出し若しくは蒸発を充分に行えず、酸化物超電導
体の薄膜の形成速度が低下してしまうので効率的でな
い。

【００２０】また、上述の走査速度の範囲でターゲット
にレーザー光を照射する場合には、レーザー光の照射エ
ネルギーが２００〜４００ｍＪの範囲であることが必要
である。レーザー光の照射エネルギーが２００ｍＪ以下
であると、走査速度を２ｍｍ／秒としても、ターゲット
に与える熱エネルギーが小さすぎて、ターゲットの構成
粒子を十分に叩き出し若しくは蒸発させることができな
いので、酸化物超電導体の薄膜の形成速度が低下してし
まい効率的でない。レーザー光の出力が４００ｍＪ以上
であると、走査速度を２０ｍｍ／秒としても、ターゲッ
トに与えるエネルギーが大きすぎて、ターゲットに割れ
が生じてしまうので好ましくない。

【００２１】更に、レーザー光の照射周波数が１０〜２
００Ｈｚの範囲であることが必要である。レーザー光の
照射周波数が１０Ｈｚ以下であると、照射出力を４００
ｍＪとし、走査速度を２ｍｍ／秒としても、ターゲット
に与えるエネルギーが小さすぎて、ターゲットの構成粒
子を十分に叩き出すことができないので、酸化物超電導
体の薄膜の形成速度が低下してしまい効率的でない。レ
ーザー光の照射周波数が２００Ｈｚより大きいと、照射
出力を２００ｍＪとし、走査速度を２０ｍｍ／秒として
も、ターゲットに与えるエネルギーが大きすぎて、ター
ゲットに割れが生じてしまうので好ましくない。

【００２２】上述の薄膜の形成方法によれば、ターゲッ
トに照射するレーザー光の走査速度を２〜２０ｍｍ／
秒、レーザー光の照射エネルギーを２００〜４００ｍ
Ｊ、照射周波数を１０〜２００Ｈｚとするので、ターゲ
ットの表面がレーザー光によって局所的に温度上昇する
ことがなく、その温度上昇による酸化物の膨張を防止し
て、焼結体であるターゲットが割れを防ぐことができ
る。また、ターゲットは、レーザー光による構成粒子の
叩き出し若しくは蒸発が適度に抑えられることにより、
その表面の平滑性が保たれるので、同じ部分に再度レー
ザー光を照射することが可能となり、１度のレーザー照
射で残存した酸化物超電導体の焼結体を再度叩き出し若
しくは蒸発させることができるので、ターゲットを有効
に利用することができる。また、１つのターゲットで形
成できる薄膜の面積を大きくすることができる。

【００２３】

【実施例】

（実施例１）レーザー光の走査速度を２ｍｍ／秒、レー
ザー光の照射エネルギーを２００ｍＪ、照射周波数を１
００Ｈｚとし、厚さ０．７μｍのＹＳＺ多結晶中間薄膜
を形成させた長さ０．３ｍのハステロイテープを５本用
意して、ターゲットとしてＹ ₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_x系材料を使
用して、それぞれのハステロイテープに厚さ１μｍのＹ
₁Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_xの薄膜を形成させて、５組の酸化物超電
導導体を作製した。尚、この場合、レーザー光をターゲ
ットの全面に照射したときに、少なくとも１本のハステ
ロイテープに薄膜を形成させることができるので、５組
のの酸化物超電導導体を作製するには、レーザー光を複
数回繰り返してターゲットに照射することになる。（実施例２）レーザー光の走査速度を５ｍｍ／秒、レー
ザー光の照射エネルギーを４００ｍＪとした以外は実施
例１と同様にして、５組の酸化物超電導導体を作製し
た。

【００２４】（実施例３）レーザー光の走査速度を１０
ｍｍ／秒、レーザー光の照射出力を４００ｍＪ、照射周
波数を２００Ｈｚとした以外は実施例１と同様にして、
５組の酸化物超電導導体を作製した。（実施例４）レーザー光の走査速度を２ｍｍ／秒、レー
ザー光の照射出力を４００ｍＪ、照射周波数を２００Ｈ
ｚとした以外は実施例１と同様にして、１組の酸化物超
電導導体を作製した。（実施例５）レーザー光の走査速度を２０ｍｍ／秒、レ
ーザー光の照射出力を２００ｍＪ、照射周波数を１０Ｈ
ｚとした以外は実施例１と同様にして、１組の酸化物超
電導導体を作製した。

【００２５】（比較例１）レーザー光の走査速度を１ｍ
ｍ／秒、レーザー光の照射エネルギーを４００ｍＪとし
た以外は実施例１と同様にして、５組の酸化物超電導導
体を作製した。（比較例２）レーザー光の走査速度を１ｍｍ／秒、レー
ザー光の照射エネルギーを４００ｍＪ、照射周波数を２
００Ｈｚとした以外は実施例１と同様にして、５組の酸
化物超電導導体を作製した。（比較例３）レーザー光の走査速度を２５ｍｍ／秒、レ
ーザー光の照射エネルギーを１００ｍＪ、照射周波数を
１００Ｈｚとした以外は実施例１と同様にして、１組の
酸化物超電導導体を作製した。

【００２６】（比較例４）レーザー光の走査速度を１ｍ
ｍ／秒、レーザー光の照射エネルギーを４５０ｍＪ、照
射周波数を１００Ｈｚとした以外は実施例１と同様にし
て、１組の酸化物超電導導体を作製した。（比較例５）レーザー光の走査速度を２ｍｍ／秒、レー
ザー光の照射エネルギーを４００ｍＪ、照射周波数を５
Ｈｚとした以外は実施例１と同様にして、１組の酸化物
超電導導体を作製した。

【００２７】実施例と比較例において作製した酸化物超
電導導体を液体窒素で冷却しつつ、７７Ｋ、０Ｔの条件
での臨界電流値と臨界電流密度を測定した。結果を表１
に示す。さらに、レーザー光を照射した後のターゲット
の表面を肉眼で観察した。結果を表２に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】

【表２】

【００３０】実施例１〜５の酸化物超電導導体は、臨界
電流値、臨界電流密度が良好である。比較例１、２、４
の酸化物超電導導体は、実施例１〜５に比較して、表１
から、臨界電流密度が同等なものもあるが、ターゲット
へのレーザー光の照射が進むにつれて臨界電流密度が低
くなっている。比較例１、２の場合には、良好な特性を
持つ酸化物超電導導体はそれぞれ２組しか得られなかっ
た。更に、比較例１、２のターゲットを観察すると、割
れや孔が確認される。更に、比較例４は、レーザーを照
射させた直後にターゲットに割れが生じた。これは、レ
ーザー光の照射条件が強すぎるために、ターゲットに与
える熱エネルギーが大きく、ターゲットの表面平滑性が
損なわれたり、割れが生じたりすることにより、２組目
以降の酸化物超電導体の薄膜の形成を均一に行うことが
できなかったためと推定される。

【００３１】比較例３、５のいずれの酸化物超電導導体
も、実施例１〜５に比較して、表１から、臨界電流値が
低くなっている。これは、レーザー光の照射条件が弱す
ぎるために、酸化物超電導体の薄膜の形成が不十分とな
り、オーバーオールが小さくなっているためと推定され
る。

【００３２】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
薄膜の形成方法は、レーザー光をターゲットに間欠的に
照射して、ターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸
発させて、基材の表面に該構成粒子を堆積させることに
より薄膜を形成する薄膜の形成方法であって、前記ター
ゲットに照射するレーザー光の照射周波数を１０〜２０
０Ｈｚ、走査速度を２〜２０ｍｍ／秒、レーザー光の照
射エネルギーを２００〜４００ｍＪとすることにより、
ターゲットがレーザー光によって局所的に温度上昇する
ことがなく、酸化物の膨張を防止して、焼結体であるタ
ーゲットの割れを防ぐことができる。また、ターゲット
の表面が、レーザー光による構成粒子の叩き出し若しく
は蒸発が適度に抑えられることにより、表面の平滑性が
保たれるので、同じ部分に再度レーザー光を照射するこ
とが可能となり、１度のレーザー照射で残存した酸化物
超電導体の焼結体を再度叩き出し若しくは蒸発させるこ
とができるので、ターゲットを有効に利用することがで
きる。また、１つのターゲットで形成できる薄膜の面積
を大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態であるレーザー蒸着装置
を示す構成図である。

【図２】本発明の実施の形態である酸化物超電導導体
を示す斜視断面図である。

【図３】本発明の実施の形態であるレーザー蒸着装置
において、ターゲットにレーザー光を照射したときのレ
ーザー光の軌跡を示す図であって、（ａ）は円形のター
ゲットにおけるレーザー光の軌跡を示す概略図であり、
（ｂ）は四角形のターゲットにおけるレーザー光の軌跡
を示す概略図である。

【符号の説明】

１基材２多結晶中間薄膜３酸化物超電導体の薄膜４酸化物超電導導体１１レーザー蒸着装置１４薄膜積層体１５ターゲット２２レーザー発光装置２３第一反射鏡２４集光レンズ２５第二反射鏡

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斉藤隆東京都江東区木場１丁目５番１号株式会社フジクラ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザー光をターゲットに間欠的に照射
して、ターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発さ
せて、基材の表面に該構成粒子を堆積させることにより
薄膜を形成する方法であって、レーザー光の照射位置をターゲットの表面上で移動させ
ることで走査しながらレーザー光を間欠照射させてレー
ザー蒸着する際に、ターゲットに照射するレーザー光の
走査速度を２〜２０ｍｍ／秒、レーザー光の照射エネル
ギーを２００〜４００ｍＪ、レーザー光を間欠照射する
ときの照射周波数を１０〜２００Ｈｚとすることを特徴
とする薄膜の形成方法。