JPH118196A5 - - Google Patents
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- JPH118196A5 JPH118196A5 JP1997173151A JP17315197A JPH118196A5 JP H118196 A5 JPH118196 A5 JP H118196A5 JP 1997173151 A JP1997173151 A JP 1997173151A JP 17315197 A JP17315197 A JP 17315197A JP H118196 A5 JPH118196 A5 JP H118196A5
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Claims (8)
- 珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、面方位は｛ 111 ｝配向であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5 × 10 18 atoms/cm 3 未満または 0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5 × 10 19 atoms/cm 3 未満または 0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体薄膜。
- 珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、｛ 111 ｝配向比率が 0.9 以上であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5 × 10 18 atoms/cm 3 未満または 0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5 × 10 19 atoms/cm 3 未満または 0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体薄膜。
- 請求項１又は２において、前記半導体薄膜にはハロゲン元素が 1 × 10 15 〜 1 × 10 20 atoms/cm 3 の濃度で含まれていることを特徴とする半導体薄膜。
- 前記複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項 1 乃至３のいずれか一に記載の半導体薄膜。
- 珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される半導体装置であって、前記半導体薄膜の面方位は｛ 111 ｝配向であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5 × 10 18 atoms/cm 3 未満または 0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5 × 10 19 atoms/cm 3 未満または 0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体装置。
- 珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される半導体装置であって、前記半導体薄膜の｛ 111 ｝配向比率が 0.9 以上であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5 × 10 18 atoms/cm 3 未満または 0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5 × 10 19 atoms/cm 3 未満または 0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項５又は６において、前記半導体薄膜にはハロゲン元素が 1 × 10 15 〜 1 × 10 20 atoms/cm 3 の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
- 前記複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315197A JPH118196A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体薄膜および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315197A JPH118196A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体薄膜および半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007055158A Division JP4801608B2 (ja) | 2007-03-06 | 2007-03-06 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118196A JPH118196A (ja) | 1999-01-12 |
| JPH118196A5 true JPH118196A5 (ja) | 2005-04-14 |
Family
ID=15955057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17315197A Withdrawn JPH118196A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体薄膜および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118196A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000208771A (ja) | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置、液晶表示装置およびこれらの製造方法 |
| JP4495805B2 (ja) | 1999-09-29 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 結晶性半導体薄膜とその製造方法、および薄膜トランジスタとその製造方法 |
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-
1997
- 1997-06-13 JP JP17315197A patent/JPH118196A/ja not_active Withdrawn
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