JPH118410A - ｎ型窒化物半導体の電極 - Google Patents
ｎ型窒化物半導体の電極Info
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- JPH118410A JPH118410A JP16072697A JP16072697A JPH118410A JP H118410 A JPH118410 A JP H118410A JP 16072697 A JP16072697 A JP 16072697A JP 16072697 A JP16072697 A JP 16072697A JP H118410 A JPH118410 A JP H118410A
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- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10H20/80—Constructional details
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- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｎ型層に形成するｎ電極がｎ型層との好まし
いオーミック接触を得ると共に、過酷な使用条件でも変
質しにくいｎ電極を提供する。 【解決手段】 ｎ型窒化物半導体層表面１２に形成され
た電極２３が、少なくとも、チタン、ジルコニウム及び
タングステンの少なくとも１種からなる第一の電極材
料、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムの少なくと
も１種からなる第二の電極材料、並びにロジウムからな
る第三の電極材料を含有する、また第一〜第三の電極材
料と金からなる第四の電極材料を含有する。
いオーミック接触を得ると共に、過酷な使用条件でも変
質しにくいｎ電極を提供する。 【解決手段】 ｎ型窒化物半導体層表面１２に形成され
た電極２３が、少なくとも、チタン、ジルコニウム及び
タングステンの少なくとも１種からなる第一の電極材
料、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムの少なくと
も１種からなる第二の電極材料、並びにロジウムからな
る第三の電極材料を含有する、また第一〜第三の電極材
料と金からなる第四の電極材料を含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、レーザーダイオード（ＬＤ）あるいは他の電子デ
バイス、パワーデバイス、受光デバイス等に使用される
窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）から
なる素子の電極に係り、特にｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層（以下、ｎ型層という。）に形成される電極
（負電極）に関する。
Ｄ）、レーザーダイオード（ＬＤ）あるいは他の電子デ
バイス、パワーデバイス、受光デバイス等に使用される
窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）から
なる素子の電極に係り、特にｎ型窒化ガリウム系化合物
半導体層（以下、ｎ型層という。）に形成される電極
（負電極）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、実用レベルの青色発光ダイオード
や、室温での連続発振が可能な青色レーザが実現されて
いる。そして発光ダイオードを用いた高光度フルカラー
の高画質化や、レーザを用いたディジタルビデオディス
ク（ＤＶＤ）あるいは他の電子デバイス、パワーデバイ
ス、受光デバイスなどの光ディスクの高密度記録の短波
長青色発光素子の実現化のために、更なる開発が進めら
れている。その開発の一つに発光効率の向上がある。発
光効率は、窒化物半導体層と電極との接触抵抗率が低く
オーミック接触が良好であると、順方向電圧が下がり、
それによって向上する。本発明者等は、ｎ型窒化物半導
体層（以下単にｎ型層という）とオーミック接触が良好
であるｎ型層の電極（以下ｎ電極という）として、特開
平７−４５８６７号公報に記載のチタンとアルミニウム
からなるｎ電極を開示している。しかしこの公報に記載
の電極は、アルミニウムが酸化されやすいことから、ボ
ンディング時にワイヤーからできるボールとｎ電極との
接着強度が弱くなり易い傾向にある。
や、室温での連続発振が可能な青色レーザが実現されて
いる。そして発光ダイオードを用いた高光度フルカラー
の高画質化や、レーザを用いたディジタルビデオディス
ク（ＤＶＤ）あるいは他の電子デバイス、パワーデバイ
ス、受光デバイスなどの光ディスクの高密度記録の短波
長青色発光素子の実現化のために、更なる開発が進めら
れている。その開発の一つに発光効率の向上がある。発
光効率は、窒化物半導体層と電極との接触抵抗率が低く
オーミック接触が良好であると、順方向電圧が下がり、
それによって向上する。本発明者等は、ｎ型窒化物半導
体層（以下単にｎ型層という）とオーミック接触が良好
であるｎ型層の電極（以下ｎ電極という）として、特開
平７−４５８６７号公報に記載のチタンとアルミニウム
からなるｎ電極を開示している。しかしこの公報に記載
の電極は、アルミニウムが酸化されやすいことから、ボ
ンディング時にワイヤーからできるボールとｎ電極との
接着強度が弱くなり易い傾向にある。
【０００３】また、本発明者等は、特開平７−２２１１
０３号公報に、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）
及びＡｌより高融点の金属からなるｎ電極を開示した。
この技術は、オーミック接触が良好であると共に電極の
耐久性を向上させることができる。
０３号公報に、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）
及びＡｌより高融点の金属からなるｎ電極を開示した。
この技術は、オーミック接触が良好であると共に電極の
耐久性を向上させることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記技術はＬ
ＥＤにおいては良好であるが、ＬＥＤよりも電流密度が
高く電極での発熱が大きいＬＤでは電極が変質しやす
く、素子の寿命が低下し十分満足できるものでない。そ
こで本発明の目的は、ｎ型層に形成するｎ電極がｎ型層
との好ましいオーミック接触を得ると共に、過酷な使用
条件でも変質しにくいｎ電極を提供することにある。
ＥＤにおいては良好であるが、ＬＥＤよりも電流密度が
高く電極での発熱が大きいＬＤでは電極が変質しやす
く、素子の寿命が低下し十分満足できるものでない。そ
こで本発明の目的は、ｎ型層に形成するｎ電極がｎ型層
との好ましいオーミック接触を得ると共に、過酷な使用
条件でも変質しにくいｎ電極を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は、
下記（１）〜（３）の構成によって達成することができ
る。 （１） ｎ型窒化物半導体層表面に形成された電極にお
いて、該電極が少なくとも、チタン（Ｔｉ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）及びタングステン（Ｗ）の少なくとも１種
からなる第一の電極材料、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ
素（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の少なくとも１種
からなる第二の電極材料、並びにロジウム（Ｒｈ）から
なる第三の電極材料を含有することを特徴とするｎ型窒
化物半導体の電極。 （２） 前記電極の第四の電極材料として、金（Ａｕ）
を含有することを特徴とする前記（１）に記載のｎ型窒
化物半導体の電極。
下記（１）〜（３）の構成によって達成することができ
る。 （１） ｎ型窒化物半導体層表面に形成された電極にお
いて、該電極が少なくとも、チタン（Ｔｉ）、ジルコニ
ウム（Ｚｒ）及びタングステン（Ｗ）の少なくとも１種
からなる第一の電極材料、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ
素（Ｓｉ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）の少なくとも１種
からなる第二の電極材料、並びにロジウム（Ｒｈ）から
なる第三の電極材料を含有することを特徴とするｎ型窒
化物半導体の電極。 （２） 前記電極の第四の電極材料として、金（Ａｕ）
を含有することを特徴とする前記（１）に記載のｎ型窒
化物半導体の電極。
【０００６】つまり、本発明は、ｎ電極の材料として上
記特定の金属の組み合わせ、特にＲｈを組み合わせて用
いることにより、良好なオーミック接触及び酸化等によ
る電極の劣化を防止し、電極の耐久性の向上を可能にし
た。また電極の最上にＡｕを設けることにより、酸化等
の電極の変質を良好に防止でき、更にボールとｎ電極と
の接着性を向上させることができ好ましい。
記特定の金属の組み合わせ、特にＲｈを組み合わせて用
いることにより、良好なオーミック接触及び酸化等によ
る電極の劣化を防止し、電極の耐久性の向上を可能にし
た。また電極の最上にＡｕを設けることにより、酸化等
の電極の変質を良好に防止でき、更にボールとｎ電極と
の接着性を向上させることができ好ましい。
【０００７】
【実施の形態】本発明のｎ電極は、第一〜第三の電極材
料、更に本発明の効果を良好とするために第四の電極材
料から構成される。また本発明の効果を阻害しない範囲
であればその他の金属を含有してもよい。第一の電極材
料は、Ｔｉ、Ｚｒ及びＷの少なくとも１種であり、第二
の電極材料は、Ａｌ、Ｓｉ及びＧｅの少なくとも１種で
あり、第三の電極材料は、Ｒｈである。二種以上からな
る第一の電極材料及び第二の電極材料は、一種でも二種
以上の金属を用いてもよい。
料、更に本発明の効果を良好とするために第四の電極材
料から構成される。また本発明の効果を阻害しない範囲
であればその他の金属を含有してもよい。第一の電極材
料は、Ｔｉ、Ｚｒ及びＷの少なくとも１種であり、第二
の電極材料は、Ａｌ、Ｓｉ及びＧｅの少なくとも１種で
あり、第三の電極材料は、Ｒｈである。二種以上からな
る第一の電極材料及び第二の電極材料は、一種でも二種
以上の金属を用いてもよい。
【０００８】本発明のｎ電極は、第一の電極材料〜第三
の電極材料からなる金属薄膜を積層して形成される。こ
こで本発明における電極材料は、いずれもｎ型窒化物半
導体に接して形成されてもよく、また各電極材料の積層
順は特に限定されない。また電極形成時に、同一の電極
材料を二度以上用いてもよい。電極材料の積層順として
は、例えば第一の電極材料がｎ型層に接して積層され、
第一の電極材料の上に第二の電極材料が積層され、最後
に第三の電極材料が積層されている積層順等を挙げるこ
とができる。また、同一の電極材料を二度以上用いる積
層順として、例えば第一、第二、第一、そして最後に第
三の順で各電極材料を積層する積層順等が挙げられる。
このように積層されていると、再現性良くオーミック接
触が得られるため好ましい。また、上記の積層順で第三
の電極材料がｎ型層から最も遠い、つまりｎ電極の最上
に積層されていると、第三の電極材料であるＲｈが第二
の電極材料より高融点であり、且つ酸化されにくいため
電極の酸化を防止するのに効果的である。
の電極材料からなる金属薄膜を積層して形成される。こ
こで本発明における電極材料は、いずれもｎ型窒化物半
導体に接して形成されてもよく、また各電極材料の積層
順は特に限定されない。また電極形成時に、同一の電極
材料を二度以上用いてもよい。電極材料の積層順として
は、例えば第一の電極材料がｎ型層に接して積層され、
第一の電極材料の上に第二の電極材料が積層され、最後
に第三の電極材料が積層されている積層順等を挙げるこ
とができる。また、同一の電極材料を二度以上用いる積
層順として、例えば第一、第二、第一、そして最後に第
三の順で各電極材料を積層する積層順等が挙げられる。
このように積層されていると、再現性良くオーミック接
触が得られるため好ましい。また、上記の積層順で第三
の電極材料がｎ型層から最も遠い、つまりｎ電極の最上
に積層されていると、第三の電極材料であるＲｈが第二
の電極材料より高融点であり、且つ酸化されにくいため
電極の酸化を防止するのに効果的である。
【０００９】また二種以上の金属を電極材料として用い
る場合、例えば第一の電極材料として二種以上の金属を
用いる場合は、電極形成時に一種ずつ金属をそれぞれ積
層し多層膜とするかあるいは二種以上の金属を合金化し
て積層する。また第一〜第三の電極材料はいずれの組み
合わせでもよい。例えば各電極材料の組み合わせの一例
として［Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ］、［Ｔｉ、Ｓｉ、Ｒｈ］、
［Ｚｒ、Ａｌ、Ｒｈ］、［（Ｔｉ−Ｗ）、Ｇｅ、Ｒ
ｈ］、［Ｗ、（Ａｌ−Ｓｉ）、Ｒｈ］、［Ｔｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｒｈ］、等の組み合わせをとることができる。上
記の各電極材料の組み合わせはほんの一例を示したにす
ぎず、本発明はこれに限定されない。また上記の各電極
材料の組み合わせにおける電極形成時の積層順は種々可
能である。また上記の例で第一の電極材料がＴｉとＷの
二種の金属を用いる等、第一及び第二の電極材料が二種
以上の金属を用いる場合の各金属の割合は、特に限定さ
れるものではなく、任意に変更することができる。金属
の割合の調節は、例えば２種以上の金属を第一の電極材
料とする場合を例に取ると、各金属を積層する場合には
金属薄膜の膜厚を調整し、あるいは合金化されて積層さ
れる場合には合金の各金属の割合を調節する。
る場合、例えば第一の電極材料として二種以上の金属を
用いる場合は、電極形成時に一種ずつ金属をそれぞれ積
層し多層膜とするかあるいは二種以上の金属を合金化し
て積層する。また第一〜第三の電極材料はいずれの組み
合わせでもよい。例えば各電極材料の組み合わせの一例
として［Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ］、［Ｔｉ、Ｓｉ、Ｒｈ］、
［Ｚｒ、Ａｌ、Ｒｈ］、［（Ｔｉ−Ｗ）、Ｇｅ、Ｒ
ｈ］、［Ｗ、（Ａｌ−Ｓｉ）、Ｒｈ］、［Ｔｉ、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｒｈ］、等の組み合わせをとることができる。上
記の各電極材料の組み合わせはほんの一例を示したにす
ぎず、本発明はこれに限定されない。また上記の各電極
材料の組み合わせにおける電極形成時の積層順は種々可
能である。また上記の例で第一の電極材料がＴｉとＷの
二種の金属を用いる等、第一及び第二の電極材料が二種
以上の金属を用いる場合の各金属の割合は、特に限定さ
れるものではなく、任意に変更することができる。金属
の割合の調節は、例えば２種以上の金属を第一の電極材
料とする場合を例に取ると、各金属を積層する場合には
金属薄膜の膜厚を調整し、あるいは合金化されて積層さ
れる場合には合金の各金属の割合を調節する。
【００１０】更に本発明は、電極の第四の電極材料とし
て、金（Ａｕ）を含有することが効果を得る上で好まし
い。Ａｕからなる第四の電極材料は、上記第一〜第三の
電極材料とともに電極を形成する際、各材料の積層順は
特に限定されないが、好ましくはｎ型層から最も遠いｎ
電極の最上に形成される。Ａｕは電極の酸化を防止しワ
イヤーからできるボールとの接着強度を強くすることが
できる。
て、金（Ａｕ）を含有することが効果を得る上で好まし
い。Ａｕからなる第四の電極材料は、上記第一〜第三の
電極材料とともに電極を形成する際、各材料の積層順は
特に限定されないが、好ましくはｎ型層から最も遠いｎ
電極の最上に形成される。Ａｕは電極の酸化を防止しワ
イヤーからできるボールとの接着強度を強くすることが
できる。
【００１１】上記のように第一の電極材料から第三の電
極材料を積層した後、あるいは第一の電極材料から第四
の電極材料を積層した後、積層した電極材料と窒化物半
導体層との接触を良くしてオーミック接触を得るためア
ニーリング処理をする。その際、第一及び第二の電極材
料が二種以上の金属を用い且つ各金属を多層膜として積
層してあると、多層膜はアニーリング条件（主として
熱）や電極材料の膜厚等により多層膜の一部、または全
部が合金化する。また各積層されたそれぞれの電極材料
の間で合金が起こっている場合もある。本発明で言う合
金化は、各金属が均一に混合している訳でなく渾然一体
となった状態である。また合金化されていない場合であ
っても金属の薄膜がはっきり分離されている訳ではな
く、各電極材料の接触面付近でわずかな金属の移動が起
こり、微視的に見ると各電極材料の接触面で本発明で言
う合金化が生じている場合がある。
極材料を積層した後、あるいは第一の電極材料から第四
の電極材料を積層した後、積層した電極材料と窒化物半
導体層との接触を良くしてオーミック接触を得るためア
ニーリング処理をする。その際、第一及び第二の電極材
料が二種以上の金属を用い且つ各金属を多層膜として積
層してあると、多層膜はアニーリング条件（主として
熱）や電極材料の膜厚等により多層膜の一部、または全
部が合金化する。また各積層されたそれぞれの電極材料
の間で合金が起こっている場合もある。本発明で言う合
金化は、各金属が均一に混合している訳でなく渾然一体
となった状態である。また合金化されていない場合であ
っても金属の薄膜がはっきり分離されている訳ではな
く、各電極材料の接触面付近でわずかな金属の移動が起
こり、微視的に見ると各電極材料の接触面で本発明で言
う合金化が生じている場合がある。
【００１２】本発明においてｎ電極の厚さは、各電極材
料の積層後の膜厚の総膜厚であり、各電極材料の膜厚を
変えることにより、ｎ電極の膜厚が調整される。第一の
電極材料の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは
１０ｎｍ〜５０ｎｍである。この範囲であるとｎ型層と
オーミックが得られやすい。第二の電極材料の膜厚は、
５０ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜２００
ｎｍである。この範囲であるとｎ型層と好ましいオーミ
ックが得られると共に、熱に対しても安定な電極が得ら
れる。第三の電極材料の膜厚は、１００ｎｍ〜１０００
ｎｍ、好ましくは３００ｎｍ〜５００ｎｍである。この
範囲であると電極の酸化が防止でき更に、接着強度が向
上する。第四の電極材料の膜厚は、１００ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは２００ｎｍ〜５００ｎｍである。この範
囲であると電極の酸化の防止が良好となると共に、ｎ電
極の最上に第四の電極材料が用いられるとボールとの接
着強度が向上する。
料の積層後の膜厚の総膜厚であり、各電極材料の膜厚を
変えることにより、ｎ電極の膜厚が調整される。第一の
電極材料の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは
１０ｎｍ〜５０ｎｍである。この範囲であるとｎ型層と
オーミックが得られやすい。第二の電極材料の膜厚は、
５０ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜２００
ｎｍである。この範囲であるとｎ型層と好ましいオーミ
ックが得られると共に、熱に対しても安定な電極が得ら
れる。第三の電極材料の膜厚は、１００ｎｍ〜１０００
ｎｍ、好ましくは３００ｎｍ〜５００ｎｍである。この
範囲であると電極の酸化が防止でき更に、接着強度が向
上する。第四の電極材料の膜厚は、１００ｎｍ〜１μ
ｍ、好ましくは２００ｎｍ〜５００ｎｍである。この範
囲であると電極の酸化の防止が良好となると共に、ｎ電
極の最上に第四の電極材料が用いられるとボールとの接
着強度が向上する。
【００１３】本発明において、ｎ電極の形成方法は、第
一〜第三あるいは第四の電極材料を積層して行われる。
各電極材料の積層順は、上記したように特に限定され
ず、好ましい積層順は、第一、第二、第三続いて第四の
各電極材料を積層して電極を形成することが好ましい。
そしてこれらの電極材料は、金属あるいは合金を、例え
ば蒸着、スパッタ等の装置を用いて積層され電極を形成
する。二種以上の金属を電極材料とする第一及び第二の
電極材料の場合、一種ずつの金属を積層した多層膜は、
アニーリング処理により合金化していることがある。
一〜第三あるいは第四の電極材料を積層して行われる。
各電極材料の積層順は、上記したように特に限定され
ず、好ましい積層順は、第一、第二、第三続いて第四の
各電極材料を積層して電極を形成することが好ましい。
そしてこれらの電極材料は、金属あるいは合金を、例え
ば蒸着、スパッタ等の装置を用いて積層され電極を形成
する。二種以上の金属を電極材料とする第一及び第二の
電極材料の場合、一種ずつの金属を積層した多層膜は、
アニーリング処理により合金化していることがある。
【００１４】本発明は、上記第一〜第三の電極材料を積
層後、あるいは第一〜第四の電極材料を積層後、良好な
オーミック接触を得るために、アニーリング処理を行
う。アニーリング温度は、４００℃以上、好ましくは６
００℃以上であり、上限は特に限定されないが好ましく
は１２００℃以下である。４００℃以上でアニーリング
をすると抵抗率が下がり始め好ましいオーミック接触が
得られ、また１２００℃以下であると窒化物半導体の分
解を防止することができ好ましい。
層後、あるいは第一〜第四の電極材料を積層後、良好な
オーミック接触を得るために、アニーリング処理を行
う。アニーリング温度は、４００℃以上、好ましくは６
００℃以上であり、上限は特に限定されないが好ましく
は１２００℃以下である。４００℃以上でアニーリング
をすると抵抗率が下がり始め好ましいオーミック接触が
得られ、また１２００℃以下であると窒化物半導体の分
解を防止することができ好ましい。
【００１５】本発明において、電極が形成される窒化物
半導体は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ、ＭＯＶＰ
Ｅ）、ハイドライド気相成長法（ＨＤＣＶＤ）等の気相
成長法を用いて成長される。ｎ電極はｎ型の窒化物半導
体に、ｐ電極はｐ型の窒化物半導体にそれぞれ形成され
る。ここでｎ型あるいはｐ型とは、ｎ型あるいはｐ型の
不純物が含有された窒化物半導体を示す。また、本発明
のｎ電極はいずれの層構成を有する窒化物半導体にも適
用させることができる。また本発明のｎ電極とともにｐ
型層に形成されるｐ電極はいずれのものでもよい。
半導体は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ、ＭＯＶＰ
Ｅ）、ハイドライド気相成長法（ＨＤＣＶＤ）等の気相
成長法を用いて成長される。ｎ電極はｎ型の窒化物半導
体に、ｐ電極はｐ型の窒化物半導体にそれぞれ形成され
る。ここでｎ型あるいはｐ型とは、ｎ型あるいはｐ型の
不純物が含有された窒化物半導体を示す。また、本発明
のｎ電極はいずれの層構成を有する窒化物半導体にも適
用させることができる。また本発明のｎ電極とともにｐ
型層に形成されるｐ電極はいずれのものでもよい。
【００１６】
【実施例】以下、実施例において本発明を更に詳細に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 ［実施例１］本発明に係る実施例１は図４に示す窒化物
半導体素子（ＬＤ素子）の作成例であり、以下の手順で
作製される。まず、サファイア（Ｃ面）よりなる基板１
０を反応容器内にセットし、容器内を水素で十分置換し
た後、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで
上昇させ、基板のクリーニングを行う。続いて、温度を
５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにア
ンモニア（ＮＨ3）とＴＭＧ（トリメチルガリウム）と
を用い、基板１０上にＧａＮよりなるバッファ層１１を
約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 ［実施例１］本発明に係る実施例１は図４に示す窒化物
半導体素子（ＬＤ素子）の作成例であり、以下の手順で
作製される。まず、サファイア（Ｃ面）よりなる基板１
０を反応容器内にセットし、容器内を水素で十分置換し
た後、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで
上昇させ、基板のクリーニングを行う。続いて、温度を
５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにア
ンモニア（ＮＨ3）とＴＭＧ（トリメチルガリウム）と
を用い、基板１０上にＧａＮよりなるバッファ層１１を
約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００１７】バッファ層１１成長後、ＴＭＧのみ止め
て、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃にな
ったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガスを用
い、キャリア濃度１×１０18／cm3アンドープＧａＮよ
りなる第２のバッファ層１１２を５μｍの膜厚で成長さ
せる。第２のバッファ層１１２はＩｎXＡｌYＧａ1-X-Y
Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で構成でき、その組
成は特に問うものではないが、好ましくはアンドープで
Ａｌ（Ｙ値）が０．１以下のＡｌYＧａ1-YＮ、最も好ま
しくはアンドープのＧａＮとする。続いて、１０５０℃
でＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスにシランガス（Ｓｉ
Ｈ 4）を用い、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型Ｇ
ａＮよりなるｎ側コンタクト層１２を１μｍの膜厚で成
長させる。このｎ側コンタクト層１２は超格子で形成す
るとさらに好ましい。
て、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃にな
ったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガスを用
い、キャリア濃度１×１０18／cm3アンドープＧａＮよ
りなる第２のバッファ層１１２を５μｍの膜厚で成長さ
せる。第２のバッファ層１１２はＩｎXＡｌYＧａ1-X-Y
Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で構成でき、その組
成は特に問うものではないが、好ましくはアンドープで
Ａｌ（Ｙ値）が０．１以下のＡｌYＧａ1-YＮ、最も好ま
しくはアンドープのＧａＮとする。続いて、１０５０℃
でＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスにシランガス（Ｓｉ
Ｈ 4）を用い、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型Ｇ
ａＮよりなるｎ側コンタクト層１２を１μｍの膜厚で成
長させる。このｎ側コンタクト層１２は超格子で形成す
るとさらに好ましい。
【００１８】次に、温度を８００℃にして、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18
／cm3ドープしたＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防
止層１３を５００オングストロームの膜厚で成長させ
る。
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18
／cm3ドープしたＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防
止層１３を５００オングストロームの膜厚で成長させ
る。
【００１９】そして、温度を１０５０℃にして、ＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニア、シ
ランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／cm3ドープしたｎ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層を２０オングスト
ロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡ、シランを止
め、アンドープＧａＮよりなる第２の層を２０オングス
トロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれ
ぞれ１００回繰り返し、総膜厚０．４μｍの超格子層よ
りなるｎ側クラッド層１４を成長させる。
（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニア、シ
ランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／cm3ドープしたｎ
型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層を２０オングスト
ロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡ、シランを止
め、アンドープＧａＮよりなる第２の層を２０オングス
トロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれ
ぞれ１００回繰り返し、総膜厚０．４μｍの超格子層よ
りなるｎ側クラッド層１４を成長させる。
【００２０】続いて、１０５０℃でアンドープＧａＮよ
りなるｎ側光ガイド層１５を０．１μｍの膜厚で成長さ
せる。次に、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、シランガス
を用いて活性層１６を成長させる。活性層１６は温度を
８００℃に保持して、まずＳｉを８×１０18／cm3でド
ープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オング
ストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を
変化させるのみで同一温度で、Ｓｉを８×１０ 18／cm3
ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層を５０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回繰
り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングス
トロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層１６を
成長させる。
りなるｎ側光ガイド層１５を０．１μｍの膜厚で成長さ
せる。次に、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、シランガス
を用いて活性層１６を成長させる。活性層１６は温度を
８００℃に保持して、まずＳｉを８×１０18／cm3でド
ープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オング
ストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を
変化させるのみで同一温度で、Ｓｉを８×１０ 18／cm3
ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層を５０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回繰
り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングス
トロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層１６を
成長させる。
【００２１】次に、温度を１０５０℃に上げ、原料ガス
にＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、不純物ガスにＣｐ2Ｍ
ｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、活性
層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、Ｍｇを１
×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりな
るｐ側キャップ層１７を３００オングストロームの膜厚
で成長させる。続いて、１０５０℃で、バンドギャップ
エネルギーがｐ側キャップ層１７よりも小さい、アンド
ープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１８を０．１μｍの
膜厚で成長させる。
にＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、不純物ガスにＣｐ2Ｍ
ｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、活性
層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、Ｍｇを１
×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりな
るｐ側キャップ層１７を３００オングストロームの膜厚
で成長させる。続いて、１０５０℃で、バンドギャップ
エネルギーがｐ側キャップ層１７よりも小さい、アンド
ープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１８を０．１μｍの
膜厚で成長させる。
【００２２】続いて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃ
ｐ2Ｍｇを用い、１０５０℃でＭｇを１×１０20／cm3ド
ープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層を２０
オングストロームの膜厚で成長させ、続いてＴＭＡのみ
を止め、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮ
よりなる第２の層を２０オングストロームの膜厚で成長
させる。そしてこの操作をそれぞれ１００回繰り返し、
総膜厚０．４μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層１
９を形成する。最後に、１０５０℃で、ｐ側クラッド層
１９の上に、Ｍｇを２×１０20／cm3ドープしたｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ側コンタクト層２０を１５０オングスト
ロームの膜厚で成長させる。
ｐ2Ｍｇを用い、１０５０℃でＭｇを１×１０20／cm3ド
ープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層を２０
オングストロームの膜厚で成長させ、続いてＴＭＡのみ
を止め、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮ
よりなる第２の層を２０オングストロームの膜厚で成長
させる。そしてこの操作をそれぞれ１００回繰り返し、
総膜厚０．４μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層１
９を形成する。最後に、１０５０℃で、ｐ側クラッド層
１９の上に、Ｍｇを２×１０20／cm3ドープしたｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ側コンタクト層２０を１５０オングスト
ロームの膜厚で成長させる。
【００２３】反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出
し、図１に示すように、ＲＩＥ装置により最上層のｐ側
コンタクト層２０と、ｐ側クラッド層１９とをエッチン
グして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形状とす
る。
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出
し、図１に示すように、ＲＩＥ装置により最上層のｐ側
コンタクト層２０と、ｐ側クラッド層１９とをエッチン
グして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形状とす
る。
【００２４】次にリッジ表面にマスクを形成し、図１に
示すように、ストライプ状のリッジに対して左右対称に
して、ｎ側コンタクト層１２の表面を露出させる。
示すように、ストライプ状のリッジに対して左右対称に
して、ｎ側コンタクト層１２の表面を露出させる。
【００２５】次にｐ側コンタクト層２０のストライプリ
ッジ最表面のほぼ全面にＮｉとＡｕよりなるｐ電極２１
を形成する。一方、Ｔｉを１０ｎｍと、Ａｌを２００ｎ
ｍと、Ｒｈを２００ｎｍと、Ａｕを２００ｎｍの膜厚で
順に蒸着してｎ電極２３をストライプ状のｎ側コンタク
ト層１２のほぼ全面に形成する。ｐ電極１４を形成後、
マスクを除去し、ウェーハをアニーリング装置に入れ、
不活性ガス雰囲気中６００℃で１０分間アニーリングす
る。
ッジ最表面のほぼ全面にＮｉとＡｕよりなるｐ電極２１
を形成する。一方、Ｔｉを１０ｎｍと、Ａｌを２００ｎ
ｍと、Ｒｈを２００ｎｍと、Ａｕを２００ｎｍの膜厚で
順に蒸着してｎ電極２３をストライプ状のｎ側コンタク
ト層１２のほぼ全面に形成する。ｐ電極１４を形成後、
マスクを除去し、ウェーハをアニーリング装置に入れ、
不活性ガス雰囲気中６００℃で１０分間アニーリングす
る。
【００２６】次に、図１に示すようにｐ電極２１と、ｎ
電極２３との間に露出した窒化物半導体層の表面にＳｉ
Ｏ2よりなる絶縁膜２５を形成し、この絶縁膜２５を介
してｐ電極２１と電気的に接続したｐパッド電極２２、
及びｎパッド電極２４を形成する。以上のようにして、
ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハを研磨装置に移送
し、ダイヤモンド研磨剤を用いて、窒化物半導体を形成
していない側のサファイア基板１をラッピングし、基板
の厚さを５０μｍとする。ラッピング後、さらに細かい
研磨剤で１μｍポリシングして基板表面を鏡面状とす
る。
電極２３との間に露出した窒化物半導体層の表面にＳｉ
Ｏ2よりなる絶縁膜２５を形成し、この絶縁膜２５を介
してｐ電極２１と電気的に接続したｐパッド電極２２、
及びｎパッド電極２４を形成する。以上のようにして、
ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハを研磨装置に移送
し、ダイヤモンド研磨剤を用いて、窒化物半導体を形成
していない側のサファイア基板１をラッピングし、基板
の厚さを５０μｍとする。ラッピング後、さらに細かい
研磨剤で１μｍポリシングして基板表面を鏡面状とす
る。
【００２７】基板研磨後、研磨面側をスクライブして、
ストライプ状の電極に垂直な方向でバー状に劈開し、劈
開面に共振器を作製する。共振器面にＳｉＯ2とＴｉＯ2
よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な
方向で、バーを切断してレーザチップとした。次にチッ
プをフェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した
状態）でヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイ
ヤーボンディングして、ＬＤ素子を作製した。このＬＤ
素子を室温でレーザ発振を試みたところ、室温におい
て、しきい値電流密度２．９ｋＡ／cm2、しきい値電圧
４．４Ｖで良好なオーミック接触が得られた。更にこの
ＬＤ素子より無造作に１００個抽出し、４０℃、９０％
ＲＨの高温高湿状態で連続発振をさせたところ、いずれ
の素子も１０時間以上の寿命を示し、高湿でも電極が変
質することなく十分な耐久性を有することがわかった。
ストライプ状の電極に垂直な方向でバー状に劈開し、劈
開面に共振器を作製する。共振器面にＳｉＯ2とＴｉＯ2
よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な
方向で、バーを切断してレーザチップとした。次にチッ
プをフェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した
状態）でヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイ
ヤーボンディングして、ＬＤ素子を作製した。このＬＤ
素子を室温でレーザ発振を試みたところ、室温におい
て、しきい値電流密度２．９ｋＡ／cm2、しきい値電圧
４．４Ｖで良好なオーミック接触が得られた。更にこの
ＬＤ素子より無造作に１００個抽出し、４０℃、９０％
ＲＨの高温高湿状態で連続発振をさせたところ、いずれ
の素子も１０時間以上の寿命を示し、高湿でも電極が変
質することなく十分な耐久性を有することがわかった。
【００２８】［実施例２］実施例１において、ｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層の表面に形成する電極を、Ｚｒを６０ｎ
ｍ、Ｓｉを３０ｎｍ、Ｒｈを２００ｎｍ、Ａｕを２００
ｎｍの膜厚で順に蒸着した他は同様にして行ったとこ
ろ、同様に良好なオーミック接触が得られた。更に、実
施例１と同様に高温高湿状態で連続発振をさせたとこ
ろ、実施例１と同様に良好な結果が得られた。
Ｎコンタクト層の表面に形成する電極を、Ｚｒを６０ｎ
ｍ、Ｓｉを３０ｎｍ、Ｒｈを２００ｎｍ、Ａｕを２００
ｎｍの膜厚で順に蒸着した他は同様にして行ったとこ
ろ、同様に良好なオーミック接触が得られた。更に、実
施例１と同様に高温高湿状態で連続発振をさせたとこ
ろ、実施例１と同様に良好な結果が得られた。
【００２９】［実施例３］実施例１において、ｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層の表面に形成する電極を、Ｔｉを４０ｎ
ｍ、Ａｌを１５０ｎｍ、Ｔｉを３０ｎｍ、Ｒｈを２００
ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍの膜厚で順に蒸着した他は同様
にして行ったところ、同様に良好なオーミック接触が得
られた。更に、実施例１と同様に高温高湿状態で連続発
振をさせたところ、実施例１とほぼ同様の結果が得られ
た。
Ｎコンタクト層の表面に形成する電極を、Ｔｉを４０ｎ
ｍ、Ａｌを１５０ｎｍ、Ｔｉを３０ｎｍ、Ｒｈを２００
ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍの膜厚で順に蒸着した他は同様
にして行ったところ、同様に良好なオーミック接触が得
られた。更に、実施例１と同様に高温高湿状態で連続発
振をさせたところ、実施例１とほぼ同様の結果が得られ
た。
【００３０】［比較例１］実施例１において、ｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層の表面に形成する電極を、Ｔｉを１０ｎ
ｍ、Ｓｉを５０ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍの膜厚で順に蒸
着した他は同様にして行ったところ、同様に良好なオー
ミック接触が得られたものも、実施例１と同様に高温高
湿状態で連続発振をさせたところ、１時間未満しか連続
発振できなかった。
Ｎコンタクト層の表面に形成する電極を、Ｔｉを１０ｎ
ｍ、Ｓｉを５０ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍの膜厚で順に蒸
着した他は同様にして行ったところ、同様に良好なオー
ミック接触が得られたものも、実施例１と同様に高温高
湿状態で連続発振をさせたところ、１時間未満しか連続
発振できなかった。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、ｎ型窒化物半導体層と非常に
好ましいオーミック接触を有し、過酷な条件で発光素子
が使用されても、変質しにくく素子の寿命特性が良好な
ｎ電極を提供することができる。
好ましいオーミック接触を有し、過酷な条件で発光素子
が使用されても、変質しにくく素子の寿命特性が良好な
ｎ電極を提供することができる。
【図１】本発明のｎ電極を設けることのできる一実施形
態である窒化物半導体発光素子の構造を示す模式断面図
である。
態である窒化物半導体発光素子の構造を示す模式断面図
である。
１０・・・・基板 １１・・・・バッファ層 １１２・・・・第２のバッファ層 １２・・・・ｎ側コンタクト層 １３・・・・クラック防止層 １４・・・・ｎ側クラッド層（超格子層） １５・・・・ｎ側光ガイド層 １６・・・・活性層 １７・・・・キャップ層 １８・・・・ｐ側光ガイド層 １９・・・・ｐ側クラッド層（超格子層） ２０・・・・ｐ側コンタクト層 ２１・・・・ｐ電極 ２２・・・・ｐパッド電極 ２３・・・・ｎ電極 ２４・・・・ｎパッド電極 ２５・・・・絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型窒化物半導体層表面に形成された電
極において、該電極が少なくとも、チタン、ジルコニウ
ム及びタングステンの少なくとも１種からなる第一の電
極材料、アルミニウム、ケイ素及びゲルマニウムの少な
くとも１種からなる第二の電極材料、並びにロジウムか
らなる第三の電極材料を含有することを特徴とするｎ型
窒化物半導体の電極。 - 【請求項２】 前記電極の第四の電極材料として、金を
含有することを特徴とする請求項１に記載のｎ型窒化物
半導体の電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16072697A JPH118410A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | ｎ型窒化物半導体の電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16072697A JPH118410A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | ｎ型窒化物半導体の電極 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001341208A Division JP3941464B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118410A true JPH118410A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15721145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16072697A Pending JPH118410A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | ｎ型窒化物半導体の電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118410A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077862A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子用のｎ型電極 |
| US7015053B2 (en) | 1999-03-04 | 2006-03-21 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| JP2006156639A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム |
| US7135714B2 (en) | 2000-06-30 | 2006-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element |
| JP2007258327A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
| EP1868251A4 (en) * | 2005-04-08 | 2009-05-27 | Mitsubishi Chem Corp | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP5242156B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2013-07-24 | 古河電気工業株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系化合物半導体装置、及び電極形成方法 |
| US8981420B2 (en) | 2005-05-19 | 2015-03-17 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| EP2763192A4 (en) * | 2011-09-30 | 2015-06-24 | Soko Kagaku Co Ltd | NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| JP2022172366A (ja) * | 2018-10-17 | 2022-11-15 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP16072697A patent/JPH118410A/ja active Pending
Cited By (19)
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|---|---|---|---|---|
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| US7496124B2 (en) | 1999-03-04 | 2009-02-24 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser device |
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| US7135714B2 (en) | 2000-06-30 | 2006-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element |
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| US7221002B2 (en) | 2000-06-30 | 2007-05-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element |
| US7872274B2 (en) | 2001-09-06 | 2011-01-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | n-Electrode for III group nitride based compound semiconductor element |
| JP2003077862A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体素子用のｎ型電極 |
| JP2006156639A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム |
| EP1868251A4 (en) * | 2005-04-08 | 2009-05-27 | Mitsubishi Chem Corp | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US8012783B2 (en) | 2005-04-08 | 2011-09-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor element and method for manufacturing same |
| US8981420B2 (en) | 2005-05-19 | 2015-03-17 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
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| JP2007258327A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
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| US9281439B2 (en) | 2011-09-30 | 2016-03-08 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Nitride semiconductor element and method for producing same |
| JP2022172366A (ja) * | 2018-10-17 | 2022-11-15 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
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