JPH1184152A - 位相マスクを用いた短周期反射ブラッグ回析格子の書き込み法 - Google Patents

位相マスクを用いた短周期反射ブラッグ回析格子の書き込み法

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JPH1184152A
JPH1184152A JP10186004A JP18600498A JPH1184152A JP H1184152 A JPH1184152 A JP H1184152A JP 10186004 A JP10186004 A JP 10186004A JP 18600498 A JP18600498 A JP 18600498A JP H1184152 A JPH1184152 A JP H1184152A
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bragg
optical waveguide
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Patricio Espindra Roland
パトリシオ エスピンドラ ローランド
Ashish Madhukar Vengsarkar
マドフーカー ヴェングサーカー アシシュ
Jefferson Lynn Wagener
リン ワジェナー ジェファーソン
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Lucent Technologies Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 位相マスクを用いた短周期ブラッグ反射回析
格子の書き込み法に係る。 【解決手段】 本発明の実施例は、位相マスクを用いた
ブラッグ反射回析格子の作製方法及びグラグ反射器作製
用の振幅マスク装置を含む。本発明のブラッグ反射回析
格子は、従来の短周期回析格子より大きいが、従来の長
周期回析格子よりはるかに小さい周期をもつ。本発明の
実施例に従う短周期ブラッグ反射回析格子は、たとえば
１μｍないし１０μｍの範囲の周期をもつ。作製方法は
対象とする感光性導波路上に、中に形成された適当なス
リットを有する振幅マスクを配置し、次にスリットを通
して導波路を照射し、それにより、ブラッグ反射器の特
性である屈折率変動の周期的パターンを光で導入するこ
とを含む。本発明の振幅マスクにより生じた短周期ブラ
ッグ回析格子は、反射特性がほぼ９９．９９％に達する
反射回析格子である。本発明に従って作製された反射性
回析格子は、波長分割多重システム中にチャネルを加え
ること及び減すこと、レーザの安定化及び構造的不完全
性の検出といった用途で、有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【本発明の分野】本発明は光ファイバを含む光導波路に
係る。より具体的には、本発明は光ファイバ中にブラッ
グ回析格子を書き込むことに係る。
【０００２】
【関連技術の記述】回析格子は光ファイバの感光性コア
の屈折率の周期的変化である。屈折率の周期的変動又は
変調の領域（たとえば、ブラッグ回析格子）は、ファイ
バコア中を伝送される光の狭い波長範囲の反射を生じさ
せるのに有用で、一方狭い範囲の外の波長は、反射せず
ファイバを通して伝送できる。この種の回析格子は、た
とえばフィルタとして用いられる。
【０００３】入射光の波長に対する回析周期の寸法及び
回析格子の長さは、波長範囲及び伝送される光の割合と
いう点で、ファイバを通る光伝送に影響を与える。すな
わち、約１μｍかそれ以下の周期をもつ短周期の回析格
子は、反射性回析格子で、それはレーザの安定化、構造
的不完全性の検知、波長分割多重（ＷＤＭ）システム中
にチャネルを加え、減らすために用いると、有用であ
る。たとえば、約５０μｍないし約１５００μｍの範囲
内の周期をもつ長周期回析格子又は伝送性回析格子は、
帯域通過フィルタ及び光増幅器中の利得等化器として有
用である。
【０００４】従来、短周期回析格子の場合、屈折率変動
は（たとえば米国特許第４，４７４，４２７号に述べら
れているように）ファイバ端から入射させた光を用い
て、ファイバの長さに沿って、紫外（ＵＶ）又は他の適
当な光の定在波干渉パターンを照射することにより、光
ファイバのコアの上に書かれる。この技術において、回
析格子の周期は、定在波の周期に等しい。あるいは回析
格子はＵＶ光のいくつかの横方向ビームを角度をつけて
照射することにより、光ファイバの外側に生じた干渉パ
ターンを用いて、ファイバの長さ方向に沿って書かれ
る。（１９８８年２月１６日、グレン（Glenn） らに承
認された米国特許第４，７２５，１１０号及び１９８９
年２月２８日にグレン（Glenn） らに承認された米国特
許第４，８０７，９５０号を参照のこと）このようにし
て、回析格子周期は、干渉ビームの入射角により、制御
される。また、得られた回析格子は、たとえば１．５５
μｍといったはるかに長い波長で、光を反射する。この
波長は現在の光ファイバ通信システムで関心をもたれて
いる波長である。そのような技術は、得られるパターン
の正確さのため、短周期回析格子を書き込むのに、特に
適している。
【０００５】短周期回析格子の書き込みを更に展開し、
位相マスク又は位相シフトマスクが生じた。たとえば、
１９９４年１１月２日にヒル（Hill）らに承認された米
国特許第５，３６７，５８８号を参照のこと。位相マス
クは照射光の位相を空間的に変調するのに、適した形状
の回析格子をもつ表面浮き彫りパターンを用いる。干渉
パターンは位相マスクにＵＶ光をレーザ照射することに
より、光ファイバ中に印される。（光で導入される。）
【０００６】回析格子上に干渉パターンを印す位相マス
クを用いる技術は、回析格子パターンに対して非常に正
確で、したがって短周期回析格子の作製に特に有用であ
る。しかし、そのような干渉技術は典型的な場合、位置
合わせが難しく、特に量産型の中では難しい。更に、わ
ずかな位置合わせのずれでも生成する回析格子パターン
が比較的高度の正確さをもつため、拡大される。
【０００７】それに比較すると、長周期回析格子は典型
的な場合、より長い周期とより大きな回析格子パター
ン、従って書き込みの際、正確さはあまり要求されない
ことを特徴とする。従って、光導波路デバイスの量産に
より可能性のある回析格子書き込み技術が、光ファイバ
中に長周期回析格子書き込み法として、発展した。その
ような方法の１つには、中にスリットを有するマスクを
通して、側面からファイバを照射することが含まれる。
（たとえば、１９９２年４月１４日にヒル（Hill）らに
承認された米国特許第５，１０４，２０９号を参照のこ
と。）この具体的な技術において、スリットの幅は屈折
率の変動の所望の幅と等しく、屈折率変動はスリットに
対してファイバを動かし、回析格子の周期を作るよう
に、一点毎にファイバ上に書かれる。
【０００８】しかし、光ファイバ中に回析格子を形成す
る上で、ファイバコア上に書かれる複数の屈折率変動
は、一定の周期をもたなければならない。従って、単一
のスリットをその中にもつスリットマスクは、一定の周
期とともに個々の屈折率変動を書き込むのに必要な正確
さには、よく適さない。更に、周期的な屈折率変動を書
き込むことに含まれる連続的な正確により、位置合わせ
のずれと正確さの低下を招く。従って、スリットマスク
は振幅マスクに展開し、それは複数の周期的スリットを
その中に含む。（たとえば、１９９５年７月４日にベン
グサルカール（Vengsarbar）に承認された米国特許第
５，４３０，８１７号を参照のこと。）伝送中、振幅マ
スクの複数の周期的変動は、光ファイバのコアに沿っ
て、回析格子を作るために用いられる。振幅マスクは伝
送用、長周期回析格子のみに実施されてきたと信じられ
る。
【０００９】長周期伝送回析格子を形成するために用い
られた時の振幅マスク及び短周期ブラッグ反射器を形成
するために用いられた時の干渉回析格子書き込み技術の
両方の利点を有利に用いた方式での反射回析格子作製の
必要性がある。そのような作製は、量産技術に関連した
位置合わせに使いやすく、なお回析格子書き込みの干渉
法に固有の正確さを犠牲にしないことが望ましい。
【００１０】
【本発明の要約】本発明は特許請求の範囲により規定さ
れる。本発明の実施例には、振幅マスクを用いた高次の
ブラッグ反射回析格子の作製方法及びそのようなブラッ
グ反射器を作製するための振幅マスク装置が含まれる。
本発明のブラッグ反射回析格子は、従来の短周期回析格
子より長い周期をもつが、従来の長周期回析格子よりは
るかに短い周期をもつ。本発明の実施例に従う短周期ブ
ラッグ反射回析格子は、たとえば、１μｍないし１０μ
ｍの範囲内にある。作製方法には、中に形成された適切
なスリットを有する振幅マスクを、対称とする感光性導
波路上に置き、スリットを通して導波路を照射し、それ
によりブラッグ反射器の特徴である屈折率変動の周期的
パターンを光で導入することが含まれる。本発明の振幅
マスクにより生じる短周期ブラッグ回析格子は、その反
射特性がほぼ９９．９９％に近づく反射回析格子であ
る。本発明の実施例に従って作製される反射回析格子
は、波長分割多重システム中にチャネルを加えるか減ら
すことに、またレーザ安定化及び構造的不完全性検知と
いった応用に、有用である。
【００１１】
【詳細な記述】以下の記述において、参照数字は図面の
説明を通して、本発明をより理解しやすくするため、同
様の要素を示す。
【００１２】具体的なパターン、構成及び装置について
以下に述べるが、それらは説明のためだけにそうするこ
とを、理解する必要がある。当業者は本発明の精神及び
視野を離れることなく、他の工程、構成及び装置も使用
できることを認識するであろう。
【００１３】図１を参照すると、本発明の実施例に従う
作製プロセス（１０）の簡略化されたブロックダイヤグ
ラムが示されている。以下でより詳細に述べるように、
本発明の実施例に従う作製プロセス（１０）は、振幅マ
スクを構成する第１の工程（１４）、導波路に隣接し
て、振幅マスクを配置又は位置合わせする第２の工程
（１６）、振幅マスクを通して、導波路を選択的に露出
する第３の工程（１８）を含む。
【００１４】図２は本発明の実施例に従う短周期ブラッ
グ反射回析格子を有する通信システム（２０）を示す。
通信システム（２０）は光信号を変調するための源（２
２）、光進行を伝送するための光ファイバのような光導
波路（２４）、光信号を受け復調するための受信機（２
６）を含む。源（２２）はディジタル的に変調した１．
５５μｍの信号のような光信号を伝送するのに適した任
意のデバイスである。光導波路（２４）はたとえば、ほ
ぼλに中心をもつ波長の広帯域光を伝送するための、光
ファイバである。光導波路（２４）は少なくとも１個の
本発明に従う短周期ブラッグ反射回析格子又は回析格子
領域を含む。
【００１５】図３は本発明の実施例に従う光ファイバ
（２４）中の短周期ブラッグ反射回析格子領域（２８）
を示す。光ファイバ（２４）はコア（３２）より低い屈
折率をもつクラッド（３４）に囲まれたコア（３２）を
有する。コア（３２）は変動（３６）の周期がほぼΛに
なるように、幅Ｗをもち、図示されたように離された複
数の屈折率変動（３６）を有する少なくとも１個の回析
格子領域（２８）を含む。屈折率変動（３６）の幅Ｗ
は、たとえばほぼ１／２Λである。典型的な場合、幅Ｗ
は１／５Λ≦Ｗ≦４／５Λである。屈折率変動（３６）
は典型的な場合、光ファイバ（２４）の縦軸（（３８）
と示されている）に対し、垂直であるように書かれる。
しかし、変動（３６）が光ファイバ（２４）のコア（３
２）の縦軸（３８）と角θ（たとえば、２°≦θ≦９０
°）をなすことは可能である。
【００１６】当業者には知られているように、変動（３
６）の周期は、回析格子が結合するよう設計された２つ
のモード間の運動量（伝播定数）不整合を橋渡しするよ
う、選択される。構造、位相整合した共鳴波長におい
て、結合されたモード間の効率よいパワー交換が可能で
ある。例えば、ブラッグ回析格子領域を有する導波路か
ら反射された光の波長λB は、ほぼ２ｎEFFΛ／ｍに等
しい。ここでｎEFFは光ファイバモードの実効屈折率、
ｍは回析格子の次数、Λは導波路中の屈折率変動の周期
である。光モードの実効屈折率ｎEFF は、ｎ1 及びｎ2
には独立である。ｎ1 及びｎ2 はそれぞれ、導波路コア
及びクラッドの材料屈折率である。
【００１７】従来の導波路システムにおいて、ｍは典型
的な場合１で、ｎEFF は約１．５、Λは約０．５μｍで
従って約１．５μｍの波長λB において光を反射する周
期ができる。本発明の実施例に従うと、振幅マスクを用
いると、高次の回析格子が書かれる。すなわち、１以上
のｍ及び典型的な場合、約２ないし約２０の範囲内の場
合、回析格子は約１μｍないし約１０μｍの範囲の周期
をもつように書かれる。
【００１８】先に述べたように、短周期回析格子はそれ
が比較的寸法が小さいため、従来干渉技術又は位相マス
クを用いて、書かれてきた。それに対し、屈折率変動
（３６）が少なくとも約１０倍、典型的な場合５０ない
し１５００倍、光の波長（λ）より大きい周期をもつ長
周期回析格子は、従来スリットマスク又は振幅マスクを
用いて作られ、作製、構成及び位置合わせが容易であ
る。また、スリットマスク及び振幅マスクは、回析格子
の寸法及びパターン分解能という点で、必ずしも干渉技
術と同様に正確ではないとはいえ、量産により適してい
る。
【００１９】本発明の実施例に従うと、例えば約１μｍ
ないし約１０μｍの範囲内の周期をもつ屈折率変動を有
するブラッグ反射回析格子は、振幅マスクを用いて作製
される。そのような反射回析格子は短周期回析格子と考
えられる。なぜなら、それらの周期は従来の短周期回析
格子ほど小さくない（Λ≦１μｍ）とはいえ、それらの
周期は従来の長周期回析格子（Λ≧１０μｍ）より、は
るかに小さいからである。
【００２０】本発明の実施例に従うと、導波路（２４）
はゲルマニウム、ホウ素又はリンといった感光性材料を
ドープしたシリカコアを有するシングルモード光ファイ
バである。あるいは、導波路（２４）は本発明の実施例
に従って使用できるマルチモード光ファイバ又は他の適
切な導波路である。また、導波路（２４）はその感光性
を増すため、水素を添加した光ファイバでもよい。
【００２１】図４は振幅マスク（４２）と本発明の実施
例に従う短周期ブラッグ反射回析格子を作製する際の使
用を示す。回析格子領域は振幅マスク（４２）中に形成
された１ないし複数のスリット（４４）を通して、コア
（３２）を選択的に露出することにより、形成される。
先に述べたように、振幅マスク（４２）中のスリット
（４４）は、たとえば変動の所望の幅Ｗとほぼ同じ大き
さをもつようにされ、それは典型的な場合、所望の周期
Λの大きさの約半分である。
【００２２】振幅マスク（４２）は幅Ｗで、Λの中心間
隔をもつ複数のスリット（４４）をその中に形成するこ
とにより、構成される。振幅マスクの一例は、紫外（Ｕ
Ｖ）光の透過を妨げるクロムメッキ領域を有するシリカ
基板で作られる。従って、シリカ部分はスリット（４
４）を形成し、それを通してＵＶ光を透過させ、クロム
部分はＵＶ光の透過を妨げる。与えられた回析格子領域
（２８）内の変動の数は、用途に依存するが、典型的な
場合、回析格子領域は、回析格子領域当たり約１００な
いし約１００，０００の変動をもつ。
【００２３】振幅マスク（４２）は導波路（２４）に隣
接して位置合わせされるか配置され、そうでなければ回
析格子領域のための所望の露出領域で、導波路（２４）
に固着される。それはたとえば、任意の従来のあるいは
他の配置、位置合わせ又はデバイス固着技術を用いて、
行うことができる。たとえば、“光ファイバの表面上に
振幅フォトマスクを生成させるためのマイクロコンタク
ト印刷の使用：イン−ファイバ回析格子の生成法”，ア
プライド・フィジックス・レターズ（Appl.Phys.Lett）
７０（１），１９９７年１月６日を参照のこと。
【００２４】次に、導波路（２４）はスリット（４４）
を通して光（４６）のビームを向けることにより、振幅
マスク（４２）を通して、選択的に露出される。このよ
うにして、図３に示されるような短周期ブラッグ反射領
域（２８）が作製される。この場合、回析格子領域（２
８）は幅Ｗおよび周期Λの複数の変動（３６）を有す
る。光ビーム（４６）はたとえば連続波（ＣＷ）レー
ザ、走査レーザ、ＫｒＦエキシマレーザ又は他の適当な
源からの紫外（ＵＶ）放射である。
【００２５】本発明の実施例に従うと、変動（３６）は
波長λで透過した光の少なくとも約５０％が、逆向きの
進行波モードに結合するように、寸法が決められる。た
とえば、約１０ないし約１００ミリワット（ｍＷ）の範
囲のパワーを用するＣＷレーザを用い、約１０分ないし
約５０分の露出時間とすると、約５０％以上の反射率を
もつ回析格子ができることがわかっている。何十分かで
ファイバ上にパターンを保持できることは、より簡単で
あることに注意する必要がある。それは従来の短周期ブ
ラッグ回析格子に比べ、本発明の実施例の周期は、相対
的に長いためである。
【００２６】図５ａ−ｃは本発明の実施例に従う感光性
（重水素添加）ファイバ中に作製された各種回析格子の
透過スペクトルを示す。図５ａからわかるように、ｍ＝
４及びΛ＝２．２μｍを有する回析格子領域は、約１５
５５ナノメータ（ｎｍ）に中心をもつ主反射率と、約−
３．０デシベル（ｄＢ）に達する透過降下を有し、それ
らは約５０％の反射に対応する。特性が図５ａに示され
たこの回析格子は、波長２５７ｎｍのＣＷ光と１０分の
露出時間で書き込まれた。
【００２７】同様に、図５ｂにおいて、幅１．１μｍ及
び２．２μｍの周期の変動を有する回析格子領域は、約
１５５５ｎｍに中心をもつ主反射率を有した。そのよう
な回析格子領域は約−３０ないし−４０ｄＢの一般的な
範囲の透過降下（すなわち、９９．９％以上の反射）を
有した。この比較的高い反射率は、約７５分の露出で得
られた。
【００２８】本発明の実施例に従って作製された別の回
析格子が、図５ｃに示されている。ｍ＝５の回析格子変
動は、幅１．３４μｍで、周期Λは２．６８μｍであっ
た。ピーク反射率は約１５６０ｎｍに中心をもち、９９
％反射に対応する約−２０ｄＢ以下の透過降下を有し
た。
【００２９】上で述べた例は円状光ファイバを含むが、
本発明の実施例はまた、平面導波路を有する使用にも適
していることに、注意すべきである。
【００３０】本発明の実施例では、短周期回析格子の作
製に、振幅マスクのようなリソグラフィ技術を用いるの
が便利である。従来、短周期（たとえば典型的な場合、
約１μｍ以下）をもつ回析格子は、光導波路上に書き込
むために、位相マスクのような干渉技術と干渉パターン
の正確さを必要とする。
【００３１】しかし、本発明の実施例に従う回析格子
は、従来の短周期回析格子より長い周期が許容される用
途で用いると有利である。すなわち、約０．５μｍの周
期を有する従来の短周期ブラッグ反射回析格子は、典型
的な場合１．５５μｍの波長において、透過光の約９９
％を反射する。本発明の実施例に従うと、たとえば約１
μｍないし約１０μｍの範囲内の周期をもつブラッグ反
射回析格子は、振幅マスクのようなリソグラフィ技術を
用いて作製され、９９．９９％に達するピーク反射率を
有する。このようにして、本発明の実施例に従う回析格
子は、これまで長周期回析格子でのみ示されてきた振幅
マスクのようなリソグラフィ書き込み技術を用いると、
有利である。
【００３２】本発明の別の実施例に従うと、マルチファ
イバ回析格子が、一群の光ファイバの一連のプロセスに
より、単一の振幅マスクから生成する。
【００３３】あるいはまた、複合回析格子が単一の光フ
ァイバの空間的に分離された領域中に書き込まれる。こ
れを実現する１つの方法は、２つ又はそれ以上のスリッ
ト領域を含み、それぞれがファイバ領域の１つに対応す
る単一の振幅マスクを準備することである。これらの領
域は、同時又は順次照射してよい。順次照射すること
は、たとえば連続した走査又は別々の露出工程により、
行える。照射は単一光ビーム、単一光源から分離した複
合光ビーム、又は複数の光源からの光ビームによる。
【００３４】別の実施例において、振幅マスクは“波立
ち”マスクである。すなわち、マスクの周期は不均一で
ある。たとえば、周期は一端における約２．２μｍか
ら、他端における約２．４μｍまで、直線的に変化す
る。そのような波立ちマスクは、複合光スペクトルで回
析格子を作製するのに、使用される。
【００３５】本発明の実施例に従う短周期ブラッグ反射
回析格子は、レーザ安定化、波長分割多重（ＷＤＭ）シ
ステム中へのチャネル増加と減少、及びある種の構造の
物理的不完全性の検出といった各種センサ操作に有用で
ある。このようにして、一連の短周期ブラッグ反射回析
格子領域が、ファイバ上に書き込まれ、それぞれの反射
率はファイバ全体を通して十分な量の光を伝送するよう
に十分低く、しかし試験すべきデバイスの構造的不安全
性を含んだ十分な光を反射するように、十分高い。
【００３６】当業者には、本発明に従う短周期ブラッグ
反射回析格子は、本発明の精神及び視野を離れることな
く、ここで特に示さなかった他の用途に使用できること
が、明らかであろう。また、当業者には、特許請求の範
囲で規定されたもの及び同等のもののような本発明の精
神及び視野を離れることなく、ここで述べた短周期ブラ
ッグ反射回析格子の実施例の多くの変更及び置き換え
が、明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従う作製プロセスの簡略化されたブロ
ックダイヤグラムの図である。
【図２】本発明の実施例に従う短周期ブラッグ反射回析
格子を用いた光通信システムの概略図である。
【図３】本発明の実施例に従う短周期ブラッグ反射回析
格子の概略断面図である。
【図４】本発明に従う振幅マスクの使用を示す本発明に
従う短周期ブラッグ反射回析格子作製の概略図である。
【図５ａ】本発明の実施例に従って作られたファイバ回
析格子の伝送スペクトルをグラフで示す図である。
【図５ｂ】本発明の実施例に従って作られたファイバ回
析格子の伝送スペクトルをグラフで示す図である。
【図５ｃ】本発明の実施例に従って作られたファイバ回
析格子の伝送スペクトルをグラフで示す図である。
【符号の説明】
１０ 作製プロセス １４ 第１の工程 １６ 第２の工程 １８ 第３の工程 ２０ 通信システム ２２ 源 ２４ 光導波路、光ファイバ ２６ 受信機 ２８ 短周期ブラッグ反射回析格子領域、回析格子領域 ３２ コア ３４ クラッド ３６ 変動、屈折率変動 ３８ 縦軸 ４２ 振幅マスク ４４ スリット ４６ 光ビーム
フロントページの続き (72)発明者 アシシュ マドフーカー ヴェングサーカ ー アメリカ合衆国 07922 ニュージャーシ ィ，バークレイ ハイツ，ダリア レーン 10 (72)発明者 ジェファーソン リン ワジェナー アメリカ合衆国 22901 ヴァージニア, シャーロッツヴィル，グレイド レーン 341

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 感光性光導波路（２４）の一部分上に、
    振幅マスク（４２）を堆積させ、前記振幅マスクは短周
    期ブラッグ反射回析格子の変動（３６）に対応し、その
    中に形成された複数のスリット（４４）を有する工程；
    及び前記光導波路中に短周期ブラッグ反射回析格子（２
    ８）が書き込まれるように、前記振幅マスクのスリット
    を通して、前記光導波路を照射する工程を含む短周期ブ
    ラッグ反射回析格子（２８）の作製方法。
  2. 【請求項２】 前記振幅マスク中に形成された前記複数
    のスリットは、前記照射工程により、Λを約１μｍない
    し約１０μｍとするとき、変動が周期的な距離Λだけ離
    れた短周期ブラッグ反射回析格子が書き込まれるような
    寸法と間隔をもつ請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記光導波路は縦軸を有し、前記振幅マ
    スクのスリットは、前記照射工程により、前記光導波路
    の前記縦軸にほぼ垂直な複数の周期的屈折率回析格子を
    有する短周期ブラッグ反射回析格子が書き込まれるよう
    な形態になっている請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記照射工程は更に、 前記光導波路の少なくとも１つと、前記振幅マスクを相
    互に軸方向に動かす工程、及び前記振幅マスクの前記ス
    リットを通して、前記光導波路を照射する工程を含み、 前記移動及び照射工程は、前記光導波路中に複数の短周
    期反射性ブラッグ回析格子領域が書き込まれるように、
    交互に行われる請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記照射工程は、紫外（ＵＶ）光を用
    い、前記方法は更に、レーザを用いて、前記紫外光を発
    生させる工程を含む請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記レーザは連続波（ＣＷ）である請求
    項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記光導波路は縦軸を有し、前記振幅マ
    スクのスリットは、前記照射工程により、約２度ないし
    約９０度の範囲で、前記縦軸に対し角θをなすように複
    数の周期的屈折率回析格子をもつ短周期ブラッグ反射回
    析格子が書き込まれるような形態をもつ請求項１記載の
    方法。
  8. 【請求項８】 それを通して光信号を伝送できる光導波
    路及びΛを約１μｍないし約１０μｍの範囲内とすると
    き、周期的な距離Λだけ離れた複数の屈折率変動を含む
    １以上のｍを有する少なくとも１つの高次反射性ブラッ
    グ回析格子がその中に書き込まれている少なくとも１つ
    の領域を、前記導波路中に配置することを含む高次ブラ
    ッグ反射デバイス。
  9. 【請求項９】 前記光導波路は縦軸を有し、前記短周期
    反射性ブラッグ回析格子は、前記光導波路の前記縦軸に
    ほぼ垂直な複数の周期的屈折率回析格子を有する請求項
    ８記載のデバイス。
  10. 【請求項１０】 前記光導波路は縦軸を有し、前記短周
    期反射性ブラッグ回析格子は、約２度ないし約９０度の
    範囲内で、前記縦軸に対し角θをなす複数の周期的屈折
    率回析格子をもつ請求項８記載のデバイス。
JP10186004A 1997-07-01 1998-07-01 位相マスクを用いた短周期反射ブラッグ回析格子の書き込み法 Pending JPH1184152A (ja)

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