JPH1186218A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH1186218A JPH1186218A JP9249221A JP24922197A JPH1186218A JP H1186218 A JPH1186218 A JP H1186218A JP 9249221 A JP9249221 A JP 9249221A JP 24922197 A JP24922197 A JP 24922197A JP H1186218 A JPH1186218 A JP H1186218A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/012—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic disks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ磁界による不必要な磁気記録を阻止す
る。 【解決手段】 書き込み素子２は、ポール部２０を有す
る。ポール部２０は第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２
２、ギャップ膜２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性
膜２５を、この順序で隣接させた構造を持つ。第４の磁
性膜２５の媒体対向面２５０は、第３の磁性膜２４の媒
体対向面２４０における幅Ｗ２１内に位置する。
る。 【解決手段】 書き込み素子２は、ポール部２０を有す
る。ポール部２０は第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２
２、ギャップ膜２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性
膜２５を、この順序で隣接させた構造を持つ。第４の磁
性膜２５の媒体対向面２５０は、第３の磁性膜２４の媒
体対向面２４０における幅Ｗ２１内に位置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュ−タの記憶装置を構成する磁気
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、薄膜
書き込み素子と、磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子と
を有する複合型のものが主に用いられるようになってい
る。ＭＲ読み取り素子は、磁気ディスクとの間の相対速
度に依存せず、高い分解能が得られる。ＭＲ読み取り素
子は、第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子
とを含んでいる。第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜
は、適当な非磁性絶縁物を介して、互いに間隔を隔てて
配置され、ＭＲ素子は第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド
膜の間に配置されている。
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドとして、薄膜
書き込み素子と、磁気抵抗効果（ＭＲ）読み取り素子と
を有する複合型のものが主に用いられるようになってい
る。ＭＲ読み取り素子は、磁気ディスクとの間の相対速
度に依存せず、高い分解能が得られる。ＭＲ読み取り素
子は、第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子
とを含んでいる。第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜
は、適当な非磁性絶縁物を介して、互いに間隔を隔てて
配置され、ＭＲ素子は第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド
膜の間に配置されている。
【０００３】書き込み素子としては、誘導型電磁変換素
子が用いられ、ＭＲ読み取り素子の上に積層される。書
き込み素子となる誘導型薄膜磁気変換素子は、ＭＲ読み
取り素子に対する第２シ−ルド膜を兼ねている下部磁性
膜、上部ヨ−ク、ギャップ膜及び絶縁膜によって支持さ
れたコイル膜等を有している。
子が用いられ、ＭＲ読み取り素子の上に積層される。書
き込み素子となる誘導型薄膜磁気変換素子は、ＭＲ読み
取り素子に対する第２シ−ルド膜を兼ねている下部磁性
膜、上部ヨ−ク、ギャップ膜及び絶縁膜によって支持さ
れたコイル膜等を有している。
【０００４】下部磁性膜及び上部ヨ−クの先端部は微小
厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポール
片とから構成されており、下部及び上部ポール片におい
て書き込みを行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜は、そ
のヨ−クが下部及び上部ポール片とは反対側にあるバッ
クギャップ部において、磁気回路を完成するように互い
に結合されている。コイル膜はヨ−クの結合部のまわり
を渦巻状にまわるように形成されている。
厚みのギャップ膜を隔てて対向する下部及び上部ポール
片とから構成されており、下部及び上部ポール片におい
て書き込みを行なう。下部磁性膜及び上部磁性膜は、そ
のヨ−クが下部及び上部ポール片とは反対側にあるバッ
クギャップ部において、磁気回路を完成するように互い
に結合されている。コイル膜はヨ−クの結合部のまわり
を渦巻状にまわるように形成されている。
【０００５】この種の薄膜磁気ヘッドを用いて、高記録
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度の向上は、書き込み素子の能力向上ととも
に、磁気ディスク等の磁気記録媒体の性能向上、及び、
書き込み回路の高周波化によって達成される。
密度に対応するためには、磁気ディスクの単位面積当た
りに記憶されるデ−タ量（面密度）を高めなければなら
ない。面密度の向上は、書き込み素子の能力向上ととも
に、磁気ディスク等の磁気記録媒体の性能向上、及び、
書き込み回路の高周波化によって達成される。
【０００６】書き込み素子の能力を向上させて面密度を
向上させる一つの手段は、ポール片間のギャップ長を小
さくすることである。但し、ギャップ長の短縮は、ポー
ル片間の記録磁界強度の減少を招くので、おのずと限界
がある。
向上させる一つの手段は、ポール片間のギャップ長を小
さくすることである。但し、ギャップ長の短縮は、ポー
ル片間の記録磁界強度の減少を招くので、おのずと限界
がある。
【０００７】面密度を高めるもう一つの手段は、磁気デ
ィスクに記録できるデ−タトラック数を増やすことであ
る。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通常、Ｔ
ＰＩ(track per inch)として表現される。書き込み素子
のＴＰＩ能力は、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド
寸法を小さくすることによって高めることができる。こ
のヘッド寸法は、通常、ヘッドのトラック幅と称されて
いる。
ィスクに記録できるデ−タトラック数を増やすことであ
る。磁気ディスクに記録できるトラック数は、通常、Ｔ
ＰＩ(track per inch)として表現される。書き込み素子
のＴＰＩ能力は、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド
寸法を小さくすることによって高めることができる。こ
のヘッド寸法は、通常、ヘッドのトラック幅と称されて
いる。
【０００８】上述した従来の一般的な薄膜磁気ヘッドの
場合、書き込み素子において、下部磁性膜がＭＲ読み取
り素子の第２シ−ルド膜として兼用されているため、下
部の幅を狭くすることができず、このため、記録中にか
なり大きなサイドフリンジング磁界が生じる。この磁界
は、幅を小さくした上部ポール片から、幅が縮小されて
いない下部磁性膜への磁束の漏れによって生じる。サイ
ドフリンジング磁界は達成可能な最小幅を制限し、トラ
ック密度の向上に限界を生じさせる。また、書き込まれ
たトラック．デ−タをＭＲ素子で読み取るときのオフト
ラック性能を劣化させる。
場合、書き込み素子において、下部磁性膜がＭＲ読み取
り素子の第２シ−ルド膜として兼用されているため、下
部の幅を狭くすることができず、このため、記録中にか
なり大きなサイドフリンジング磁界が生じる。この磁界
は、幅を小さくした上部ポール片から、幅が縮小されて
いない下部磁性膜への磁束の漏れによって生じる。サイ
ドフリンジング磁界は達成可能な最小幅を制限し、トラ
ック密度の向上に限界を生じさせる。また、書き込まれ
たトラック．デ−タをＭＲ素子で読み取るときのオフト
ラック性能を劣化させる。
【０００９】上述する問題点を解決する手段として、特
開平7-262519号公報及び特開平7-225917号公報は、イオ
ン．ビ−ム．ミリングにより、下部の幅を、上部ポール
片の幅に合わせる手段を開示している。しかし、上述し
た公知文献は、書き込み素子のポール片幅を縮小して、
面密度を向上させる技術を開示するに留まり、高保磁力
の磁気記録媒体への記録性能に優れた薄膜磁気ヘッドの
構造を開示するものではない。
開平7-262519号公報及び特開平7-225917号公報は、イオ
ン．ビ−ム．ミリングにより、下部の幅を、上部ポール
片の幅に合わせる手段を開示している。しかし、上述し
た公知文献は、書き込み素子のポール片幅を縮小して、
面密度を向上させる技術を開示するに留まり、高保磁力
の磁気記録媒体への記録性能に優れた薄膜磁気ヘッドの
構造を開示するものではない。
【００１０】次に、U.S.Pat.No.5,600,519号は、下部磁
性膜及び上部磁性膜について、ゼロスロート点と、拡張
部との間にテーパ部を設ける構造を開示しているが、零
スロート点より先のポール片の書き込み能力の確保につ
いては開示がない。
性膜及び上部磁性膜について、ゼロスロート点と、拡張
部との間にテーパ部を設ける構造を開示しているが、零
スロート点より先のポール片の書き込み能力の確保につ
いては開示がない。
【００１１】更に、U.S.Pat.No.5,452,164号は、上部ヨ
ーク幅を上部ポール片の幅よりも大きくし、上部ヨーク
の幅方向の両側面を、上部ポール片の両側面から突出さ
せた構造を開示している。しかし、この先行技術文献
は、上部ヨークの幅方向の両側面から漏洩する磁束によ
る磁気記録を阻止する手段を開示していない。
ーク幅を上部ポール片の幅よりも大きくし、上部ヨーク
の幅方向の両側面を、上部ポール片の両側面から突出さ
せた構造を開示している。しかし、この先行技術文献
は、上部ヨークの幅方向の両側面から漏洩する磁束によ
る磁気記録を阻止する手段を開示していない。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ヨー
クとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘッドを提供
することである。
クとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘッドを提供
することである。
【００１３】本発明のもう一つの課題は、分離型にした
場合に、漏れる磁界による不必要な磁気記録を阻止し、
トラック密度を高め、高密度記録を達成し得る薄膜磁気
ヘッドを提供することである。
場合に、漏れる磁界による不必要な磁気記録を阻止し、
トラック密度を高め、高密度記録を達成し得る薄膜磁気
ヘッドを提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、少なくとも１つの
書き込み素子を有する。前記書き込み素子は、ポール部
を有している。前記ポール部は、第１の磁性膜、第２の
磁性膜、ギャップ膜、第３の磁性膜及び第４の磁性膜
を、この順序で隣接させた構造を持つ。前記第４の磁性
膜は、媒体対向面が、前記第３の磁性膜の媒体対向面に
おける幅内に位置する。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、少なくとも１つの
書き込み素子を有する。前記書き込み素子は、ポール部
を有している。前記ポール部は、第１の磁性膜、第２の
磁性膜、ギャップ膜、第３の磁性膜及び第４の磁性膜
を、この順序で隣接させた構造を持つ。前記第４の磁性
膜は、媒体対向面が、前記第３の磁性膜の媒体対向面に
おける幅内に位置する。
【００１５】上述した本発明に係る薄膜磁気ヘッドにお
いて、書き込み素子のポール部は、第１の磁性膜、第２
の磁性膜、ギャップ膜、第３の磁性膜及び第４の磁性膜
を、この順序で隣接させた構造を持つ。この構造によれ
ば、第１の磁性膜〜第４の磁性膜の４つの磁性膜のう
ち、第２の磁性膜及び第３の磁性膜をポール片として用
い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２
の磁性膜及び第３の磁性膜の幅によって定まる微小寸法
に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成するこ
とができる。
いて、書き込み素子のポール部は、第１の磁性膜、第２
の磁性膜、ギャップ膜、第３の磁性膜及び第４の磁性膜
を、この順序で隣接させた構造を持つ。この構造によれ
ば、第１の磁性膜〜第４の磁性膜の４つの磁性膜のう
ち、第２の磁性膜及び第３の磁性膜をポール片として用
い、デ−タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２
の磁性膜及び第３の磁性膜の幅によって定まる微小寸法
に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記録を達成するこ
とができる。
【００１６】一方、第１の磁性膜及び第４の磁性膜は、
ポール部から後方に延ばし、後方に延ばされた部分でヨ
ークを構成させることができる。この構造により、ヨー
クとなる第１の磁性膜及び第４の磁性膜から、ポール片
を構成する第２の磁性膜及び第３の磁性膜に対して、書
き込みに必要な磁束が供給される。すなわち、本発明に
よれば、ポール部とヨークとを分離した分離型磁気ヘッ
ドを得ることができる。
ポール部から後方に延ばし、後方に延ばされた部分でヨ
ークを構成させることができる。この構造により、ヨー
クとなる第１の磁性膜及び第４の磁性膜から、ポール片
を構成する第２の磁性膜及び第３の磁性膜に対して、書
き込みに必要な磁束が供給される。すなわち、本発明に
よれば、ポール部とヨークとを分離した分離型磁気ヘッ
ドを得ることができる。
【００１７】本発明において、第４の磁性膜は、媒体対
向面が、第３の磁性膜の媒体対向面における幅内に位置
している。従って、第３の磁性膜の媒体対向面における
幅Ｗ２１と、第４の磁性膜の媒体対向面おける幅Ｗ２２
とは、必ず、Ｗ２２≦Ｗ２１の関係を満たす。この構造
によれば、第３の磁性膜に磁束を供給する第４の磁性膜
において、その媒体対向面の幅方向の両側から漏洩する
磁束を抑制し、漏洩磁界による磁気記録媒体への磁気記
録を阻止できる。よって、トラック密度を高め、高密度
記録を達成することができる。
向面が、第３の磁性膜の媒体対向面における幅内に位置
している。従って、第３の磁性膜の媒体対向面における
幅Ｗ２１と、第４の磁性膜の媒体対向面おける幅Ｗ２２
とは、必ず、Ｗ２２≦Ｗ２１の関係を満たす。この構造
によれば、第３の磁性膜に磁束を供給する第４の磁性膜
において、その媒体対向面の幅方向の両側から漏洩する
磁束を抑制し、漏洩磁界による磁気記録媒体への磁気記
録を阻止できる。よって、トラック密度を高め、高密度
記録を達成することができる。
【００１８】本発明は、更に、書き込み能力（オーバー
ライト特性）を確保でき、かつ、第４の磁性膜から漏洩
する漏洩磁界による磁気記録を阻止し得る幅Ｗ２１及び
Ｗ２２の幅比及び第４の磁性膜の形状を開示する。
ライト特性）を確保でき、かつ、第４の磁性膜から漏洩
する漏洩磁界による磁気記録を阻止し得る幅Ｗ２１及び
Ｗ２２の幅比及び第４の磁性膜の形状を開示する。
【００１９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、通常は、
ＭＲ読み取り素子を含んでいる。ＭＲ読み取り素子は、
第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含
み、第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子が第１シ−ルド膜及び第２シ
−ルド膜の間に配置されている。
ＭＲ読み取り素子を含んでいる。ＭＲ読み取り素子は、
第１シ−ルド膜と、第２シ−ルド膜と、ＭＲ素子とを含
み、第１シ−ルド膜及び第２シ−ルド膜が互いに間隔を
隔てて配置され、ＭＲ素子が第１シ−ルド膜及び第２シ
−ルド膜の間に配置されている。
【００２０】書き込み素子は、ＭＲ読み取り素子の上に
積層される。この場合、第２シ−ルド膜は、書き込み素
子の第１の磁性膜として兼用される。この構造によれ
ば、薄型化が可能である。
積層される。この場合、第２シ−ルド膜は、書き込み素
子の第１の磁性膜として兼用される。この構造によれ
ば、薄型化が可能である。
【００２１】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図、図２は図１の２−２線に沿った断面図、図
３は図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドのポール片の
拡大斜視図である。図において、寸法は誇張されてい
る。この実施例は、書き込み素子２と、ＭＲ読み取り素
子３とを併せ持つ複合型の薄膜磁気ヘッドを示してい
る。書き込み素子２及びＭＲ読み取り素子３は、スライ
ダとして用いられる基体１の上に付着されて、読み書き
部分が基体１の空気ベアリング面１０に位置している。
矢印ａは磁気記録媒体の回転方向（空気の流れ方向）を
示している。
ドの断面図、図２は図１の２−２線に沿った断面図、図
３は図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドのポール片の
拡大斜視図である。図において、寸法は誇張されてい
る。この実施例は、書き込み素子２と、ＭＲ読み取り素
子３とを併せ持つ複合型の薄膜磁気ヘッドを示してい
る。書き込み素子２及びＭＲ読み取り素子３は、スライ
ダとして用いられる基体１の上に付着されて、読み書き
部分が基体１の空気ベアリング面１０に位置している。
矢印ａは磁気記録媒体の回転方向（空気の流れ方向）を
示している。
【００２３】書き込み素子２は、誘導型薄膜磁気変換素
子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２は、ポール部２０を有する。ポール部２
０は第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２、ギャップ膜
２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５を、この
順序で重ねた構造を持つ。第１の磁性膜２１〜第４の磁
性膜２５は、一般には、パーマロイで構成できる。ギャ
ップ膜２３はAl2O3、SiO2等の金属酸化物や、AlN、BN、
SiN等の窒化物によって構成できる。あるいは、Au、Cu
またはNiP等の導電性非磁性材料によって構成してもよ
い。
子であり、ＭＲ読み取り素子３の上に積層されている。
書き込み素子２は、ポール部２０を有する。ポール部２
０は第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２、ギャップ膜
２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５を、この
順序で重ねた構造を持つ。第１の磁性膜２１〜第４の磁
性膜２５は、一般には、パーマロイで構成できる。ギャ
ップ膜２３はAl2O3、SiO2等の金属酸化物や、AlN、BN、
SiN等の窒化物によって構成できる。あるいは、Au、Cu
またはNiP等の導電性非磁性材料によって構成してもよ
い。
【００２４】上記構造において、第１の磁性膜２１〜第
４の磁性膜２５の４つの磁性膜のうち、第２の磁性膜２
２及び第３の磁性膜２４をポール片として用い、デ−
タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２の磁性膜
２２及び第３の磁性膜２４の幅Ｗ１１、Ｗ２１によって
定まる微小寸法に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記
録を達成することができる。実施例において、第２の磁
性膜２２は第１の磁性膜２１の上に突出して設けられて
おり、ギャップ膜２３は第２の磁性膜２２の上に付着さ
れている。更に、第３の磁性膜２４は、ギャップ膜２３
の上に付着されている。
４の磁性膜２５の４つの磁性膜のうち、第２の磁性膜２
２及び第３の磁性膜２４をポール片として用い、デ−
タ．トラックの幅を決めるヘッド寸法を、第２の磁性膜
２２及び第３の磁性膜２４の幅Ｗ１１、Ｗ２１によって
定まる微小寸法に設定し、ＴＰＩ能力を高め、高密度記
録を達成することができる。実施例において、第２の磁
性膜２２は第１の磁性膜２１の上に突出して設けられて
おり、ギャップ膜２３は第２の磁性膜２２の上に付着さ
れている。更に、第３の磁性膜２４は、ギャップ膜２３
の上に付着されている。
【００２５】一方、第１の磁性膜２１〜第４の磁性膜２
５の４つの磁性膜のうち、第１の磁性膜２１及び第４の
磁性膜２５は、ポール部２０から後方に延びていて、後
方に延びた部分がヨーク２１１、２５１をそれぞれ構成
している。後方とは媒体対向面とは反対方向を意味す
る。第１の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５によるヨー
ク２１１、２５１は、後方結合部２５２において互いに
結合させ、薄膜磁気回路を完成させる。結合部２５２の
周りには、渦巻き状に回るコイル膜２６が備えられてお
り、コイル膜２６は絶縁膜２７によって支持されてい
る。コイル膜２６の巻数および層数は任意である。この
構造により、ヨーク２１１、２５１となる第１の磁性膜
２１及び第４の磁性膜２５から、ポール片となる第２の
磁性膜２２及び第３の磁性膜２４に対して、書き込みに
必要な磁束が供給される。すなわち、ポール部とヨーク
とを分離した磁極分離型磁気ヘッドを得ることができ
る。
５の４つの磁性膜のうち、第１の磁性膜２１及び第４の
磁性膜２５は、ポール部２０から後方に延びていて、後
方に延びた部分がヨーク２１１、２５１をそれぞれ構成
している。後方とは媒体対向面とは反対方向を意味す
る。第１の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５によるヨー
ク２１１、２５１は、後方結合部２５２において互いに
結合させ、薄膜磁気回路を完成させる。結合部２５２の
周りには、渦巻き状に回るコイル膜２６が備えられてお
り、コイル膜２６は絶縁膜２７によって支持されてい
る。コイル膜２６の巻数および層数は任意である。この
構造により、ヨーク２１１、２５１となる第１の磁性膜
２１及び第４の磁性膜２５から、ポール片となる第２の
磁性膜２２及び第３の磁性膜２４に対して、書き込みに
必要な磁束が供給される。すなわち、ポール部とヨーク
とを分離した磁極分離型磁気ヘッドを得ることができ
る。
【００２６】本発明の特徴点は、第４の磁性膜２５の媒
体対向面２５０が、第３の磁性膜２４の媒体対向面２４
０における幅Ｗ２１内に位置することである。従って、
第３の磁性膜２４の媒体対向面２４０における幅Ｗ２１
と、第４の磁性膜２５の媒体対向面２５０における幅Ｗ
２２とは、Ｗ２２≦Ｗ２１の関係を必ず満たす。この構
造によれば、第３の磁性膜２４に磁束を供給する第４の
磁性膜２５において、その媒体対向面２５０の幅方向Ｗ
の両側から漏洩する磁束を抑制し、漏洩磁界による磁気
記録媒体への磁気記録を阻止できる。よって、トラック
密度を高め、高密度記録を達成することができる。
体対向面２５０が、第３の磁性膜２４の媒体対向面２４
０における幅Ｗ２１内に位置することである。従って、
第３の磁性膜２４の媒体対向面２４０における幅Ｗ２１
と、第４の磁性膜２５の媒体対向面２５０における幅Ｗ
２２とは、Ｗ２２≦Ｗ２１の関係を必ず満たす。この構
造によれば、第３の磁性膜２４に磁束を供給する第４の
磁性膜２５において、その媒体対向面２５０の幅方向Ｗ
の両側から漏洩する磁束を抑制し、漏洩磁界による磁気
記録媒体への磁気記録を阻止できる。よって、トラック
密度を高め、高密度記録を達成することができる。
【００２７】実施例において、第４の磁性膜２５は、媒
体対向面２５０から後方に向かうにつれて、幅が拡大す
る。この構造によれば、第４の磁性膜２５から漏洩する
磁界による磁気記録を生じることなしに、第４の磁性膜
２５から第３の磁性膜２４へ書き込み磁束を集中させ、
書き込み能力を維持することができる。この場合、第４
の磁性膜２５は、図４に示すように、媒体対向面２５０
と平行な線分Ｌ１と、幅方向Ｗに位置する両側面２５３
とのなす角度θが、２０°≦θ≦９０°を満たすような
広がりを持たせる。特に好ましくは、３０°≦θ≦９０
°の範囲である。
体対向面２５０から後方に向かうにつれて、幅が拡大す
る。この構造によれば、第４の磁性膜２５から漏洩する
磁界による磁気記録を生じることなしに、第４の磁性膜
２５から第３の磁性膜２４へ書き込み磁束を集中させ、
書き込み能力を維持することができる。この場合、第４
の磁性膜２５は、図４に示すように、媒体対向面２５０
と平行な線分Ｌ１と、幅方向Ｗに位置する両側面２５３
とのなす角度θが、２０°≦θ≦９０°を満たすような
広がりを持たせる。特に好ましくは、３０°≦θ≦９０
°の範囲である。
【００２８】角度θが２０°よりも小さいと、第４の磁
性膜２５から第３の磁性膜２４へ集中する磁束のため
に、第３の磁性膜２４が磁気飽和し、記録減磁を引き起
こす。角度θが９０°よりも大きくなると、第４の磁性
膜２５から第３の磁性膜２４へ充分な磁束を供給できな
いために、書き込み能力が低下する。本発明において、
第４の磁性膜２５の媒体対向面２５０が第３の磁性膜２
４の幅Ｗ２１内に位置することが必要であるので、第４
の磁性膜２５の媒体対向面２５０の幅方向Ｗの両端は、
最大広がった場合でも、第３の磁性膜２４の両隅の位置
に制限される。
性膜２５から第３の磁性膜２４へ集中する磁束のため
に、第３の磁性膜２４が磁気飽和し、記録減磁を引き起
こす。角度θが９０°よりも大きくなると、第４の磁性
膜２５から第３の磁性膜２４へ充分な磁束を供給できな
いために、書き込み能力が低下する。本発明において、
第４の磁性膜２５の媒体対向面２５０が第３の磁性膜２
４の幅Ｗ２１内に位置することが必要であるので、第４
の磁性膜２５の媒体対向面２５０の幅方向Ｗの両端は、
最大広がった場合でも、第３の磁性膜２４の両隅の位置
に制限される。
【００２９】第３の磁性膜２５の幅Ｗ２１は２．０μｍ
未満にする。これにより、トラック密度を向上させるこ
とができる。このような狭いポール幅は、本発明に係る
薄膜磁気ヘッドが磁極分離型であるために実現できるも
のであり、磁極分離型にすることによる大きなメリット
でもある。磁極分離型でない従来タイプの磁気ヘッドで
は、このような微少なポール幅を実現することは困難で
ある。
未満にする。これにより、トラック密度を向上させるこ
とができる。このような狭いポール幅は、本発明に係る
薄膜磁気ヘッドが磁極分離型であるために実現できるも
のであり、磁極分離型にすることによる大きなメリット
でもある。磁極分離型でない従来タイプの磁気ヘッドで
は、このような微少なポール幅を実現することは困難で
ある。
【００３０】第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２、ギ
ャップ膜２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５
は、各媒体対向面２１０、２２０、２３０、２４０及び
２５０が同一の平面を構成する。各媒体対向面２１０〜
２５０で構成される平面は、ＡＢＳ面１０の一部を構成
する。第２の磁性膜２２、ギャップ膜２３及び第３の磁
性膜２４は、媒体対向面２２０〜２４０とは反対側にお
いて、実質的に同一の平面である後方壁面を構成する。
この後方壁面は、媒体対向面が作るＡＢＳ面１０と実質
的に平行である。
ャップ膜２３、第３の磁性膜２４及び第４の磁性膜２５
は、各媒体対向面２１０、２２０、２３０、２４０及び
２５０が同一の平面を構成する。各媒体対向面２１０〜
２５０で構成される平面は、ＡＢＳ面１０の一部を構成
する。第２の磁性膜２２、ギャップ膜２３及び第３の磁
性膜２４は、媒体対向面２２０〜２４０とは反対側にお
いて、実質的に同一の平面である後方壁面を構成する。
この後方壁面は、媒体対向面が作るＡＢＳ面１０と実質
的に平行である。
【００３１】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの効果
について、具体的な実験データを参照して説明する。図
５は薄膜磁気ヘッドを用いて書き込まれた磁気記録を読
み出したときの再生波形データである。このデータを得
るために用いられた本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、次
の構成になる。
について、具体的な実験データを参照して説明する。図
５は薄膜磁気ヘッドを用いて書き込まれた磁気記録を読
み出したときの再生波形データである。このデータを得
るために用いられた本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、次
の構成になる。
【００３２】幅Ｗ１１及びＷ２１：１．３μｍ 幅Ｗ２２：１．１μｍ 角度θ：４５° ギャップ膜２３によるギャップ：０．３μｍ 第１の磁性膜２１：膜厚２．５μｍ、NiFeメッキ膜 第２の磁性膜２２：膜厚０．５μｍ、NiFeメッキ膜 第３の磁性膜２４：膜厚０．５μｍ、NiFeメッキ膜 第４の磁性膜２５：膜厚２．５μｍ、NiFeメッキ膜 コイル膜２６：１０ターン 上記構造の薄膜磁気ヘッドを用い、コイル膜２６に４０
ｍＡｏｐの記録電流を供給し、保磁力Ｈｃが２３００
（Ｏｅ）、残留磁化ｔ・Ｂｒが８０Ｇμｍである磁気記
録媒体に磁気記録を行なった。次に、再生トラック幅
１．０μｍの磁気異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素
子）を有する再生ヘッドで再生した。
ｍＡｏｐの記録電流を供給し、保磁力Ｈｃが２３００
（Ｏｅ）、残留磁化ｔ・Ｂｒが８０Ｇμｍである磁気記
録媒体に磁気記録を行なった。次に、再生トラック幅
１．０μｍの磁気異方性磁気抵抗効果素子（ＡＭＲ素
子）を有する再生ヘッドで再生した。
【００３３】比較例として、従来の薄膜磁気ヘッドを用
いて磁気記録を行ない、上記と同じＡＭＲ素子を有する
再生ヘッドで再生した。実験に供された従来の薄膜磁気
ヘッドは、幅Ｗ２２が２．０μｍで、角度θが９０°で
ある点を除いて、本発明に係る上記薄膜磁気ヘッドと同
じ構成を持つ。
いて磁気記録を行ない、上記と同じＡＭＲ素子を有する
再生ヘッドで再生した。実験に供された従来の薄膜磁気
ヘッドは、幅Ｗ２２が２．０μｍで、角度θが９０°で
ある点を除いて、本発明に係る上記薄膜磁気ヘッドと同
じ構成を持つ。
【００３４】図５において、実線で表示された特性Ｐｍ
（メインパルス）が本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用い
て記録した場合の再生波形、実線で表示された特性Ｐｍ
と、点線Ｐｓ１、Ｐｓ２（サイドパルス）とを含む特性
が従来の薄膜磁気ヘッドの再生波形である。図５を参照
すると、従来の薄膜磁気ヘッドを用いて記録した場合、
再生波形に、メインパルスＰｍの他、サイドパルスＰｓ
１、Ｐｓ２が現れている。これに対して、 本発明に係
る薄膜磁気ヘッドでは、メインパルスＰｍのみが現れて
おり、漏洩磁界による磁気記録に起因するサイドパルス
Ｐｓ１、Ｐｓ２が読み出されていない。
（メインパルス）が本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用い
て記録した場合の再生波形、実線で表示された特性Ｐｍ
と、点線Ｐｓ１、Ｐｓ２（サイドパルス）とを含む特性
が従来の薄膜磁気ヘッドの再生波形である。図５を参照
すると、従来の薄膜磁気ヘッドを用いて記録した場合、
再生波形に、メインパルスＰｍの他、サイドパルスＰｓ
１、Ｐｓ２が現れている。これに対して、 本発明に係
る薄膜磁気ヘッドでは、メインパルスＰｍのみが現れて
おり、漏洩磁界による磁気記録に起因するサイドパルス
Ｐｓ１、Ｐｓ２が読み出されていない。
【００３５】図６は幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）とオーバー
ライト特性との関係を示すデータである。実験に供され
た薄膜磁気ヘッドは、図５のデータを得る際に用いられ
た本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ１１
及びＷ２１を、１．３μｍの一定値に固定し、幅Ｗ２２
を変化させて、幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）を変えた。
ライト特性との関係を示すデータである。実験に供され
た薄膜磁気ヘッドは、図５のデータを得る際に用いられ
た本発明に係る薄膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ１１
及びＷ２１を、１．３μｍの一定値に固定し、幅Ｗ２２
を変化させて、幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）を変えた。
【００３６】図６を参照すると、０．５≦Ｗ２２／Ｗ２
１≦１．０の範囲で２６（ｄＢ）以上のオーバーライト
特性が得られている。特に、０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１≦
１．０の範囲では、３０（ｄＢ）以上のオーバーライト
特性が得られ、しかも、（Ｗ２２／Ｗ２１）の変化に対
するオーバーライト特性の増加率が著しくなる。
１≦１．０の範囲で２６（ｄＢ）以上のオーバーライト
特性が得られている。特に、０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１≦
１．０の範囲では、３０（ｄＢ）以上のオーバーライト
特性が得られ、しかも、（Ｗ２２／Ｗ２１）の変化に対
するオーバーライト特性の増加率が著しくなる。
【００３７】通常、磁気記録分野では、２６（ｄＢ）以
上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーライト特性を満
たすことが要求されている。図６を参照すれば、０．５
≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲、好ましくは０．７≦
Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲に設定することにより、
この要求を満たし得ることは明らかである。特に、０．
７≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲では、（Ｗ２２／Ｗ
２１）の変化に対するオーバーライト特性の増加率が著
しくなるので、優れたオーバーライト特性改善効果が得
られる。
上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーライト特性を満
たすことが要求されている。図６を参照すれば、０．５
≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲、好ましくは０．７≦
Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲に設定することにより、
この要求を満たし得ることは明らかである。特に、０．
７≦Ｗ２２／Ｗ２１≦１．０の範囲では、（Ｗ２２／Ｗ
２１）の変化に対するオーバーライト特性の増加率が著
しくなるので、優れたオーバーライト特性改善効果が得
られる。
【００３８】図７は角度θとオーバーライト特性との関
係を示すデータである。実験に供された薄膜磁気ヘッド
は、図５のデータを得る際に用いられた本発明に係る薄
膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ１１及びＷ２１を１．
３μｍとし、幅Ｗ２２を１．１μｍとし、角度θを変
え、オーバーライト特性を測定した。
係を示すデータである。実験に供された薄膜磁気ヘッド
は、図５のデータを得る際に用いられた本発明に係る薄
膜磁気ヘッドである。但し、幅Ｗ１１及びＷ２１を１．
３μｍとし、幅Ｗ２２を１．１μｍとし、角度θを変
え、オーバーライト特性を測定した。
【００３９】既に述べたように、磁気記録分野では、２
６（ｄＢ）以上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーラ
イト特性を満たすことが要求されている。図７を参照す
れば、角度θを、２０°≦θ≦９０°の範囲、特に好ま
しくは、３０°≦θ≦９０°の範囲に設定することによ
り、この要求を満たし得ることは明らかである。
６（ｄＢ）以上、好ましくは３０ｄＢ以上のオーバーラ
イト特性を満たすことが要求されている。図７を参照す
れば、角度θを、２０°≦θ≦９０°の範囲、特に好ま
しくは、３０°≦θ≦９０°の範囲に設定することによ
り、この要求を満たし得ることは明らかである。
【００４０】第１の磁性膜２１、第３の磁性膜２４及び
ギャップ膜２３の周りは、非磁性絶縁膜２８によって埋
められている。非磁性絶縁膜２８は、上面が平坦化さ
れ、平坦化された上面が第３の磁性膜２４の表面と実質
的に同一平面を形成している。非磁性絶縁膜２８として
は、Al2O3、SiO2等が用いられる。参照符号２９は全体
を覆う保護膜であり、Al2O3、SiO2等で構成される。
ギャップ膜２３の周りは、非磁性絶縁膜２８によって埋
められている。非磁性絶縁膜２８は、上面が平坦化さ
れ、平坦化された上面が第３の磁性膜２４の表面と実質
的に同一平面を形成している。非磁性絶縁膜２８として
は、Al2O3、SiO2等が用いられる。参照符号２９は全体
を覆う保護膜であり、Al2O3、SiO2等で構成される。
【００４１】第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４
は、一般には、パーマロイで構成される。別の態様とし
て、第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４の少なくと
も一方は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密
度材料で構成することができる。この場合には、高保持
力の磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮す
ることができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイと
の比較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。
例としては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された
少なくとも一種を挙げることができる。ここで、ＭはN,
C,B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化学記号）
から選択された少なくとも一種である。第２の磁性膜２
２及び第３の磁性膜２４の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
は、一般には、パーマロイで構成される。別の態様とし
て、第２の磁性膜２２及び第３の磁性膜２４の少なくと
も一方は、パ−マロイとの比較において、高飽和磁束密
度材料で構成することができる。この場合には、高保持
力の磁気記録媒体に対しても、充分な記録性能を発揮す
ることができる。高飽和磁束密度材料は、パーマロイと
の比較において、飽和磁束密度の高いものを選択する。
例としては、Fe-Co,Fe-MまたはFe-Co-Mから選択された
少なくとも一種を挙げることができる。ここで、ＭはN,
C,B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb（何れも化学記号）
から選択された少なくとも一種である。第２の磁性膜２
２及び第３の磁性膜２４の両者を上述した高飽和磁束密
度材料で構成してもよいし、何れか一方だけを上述した
高飽和磁束密度材料で構成してもよい。
【００４２】第１の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５の
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書き
込み回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマ
ロイを用いた場合に比較して、低減させることができ
る。高抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルフ
ァス，Fe-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co
-Nから選択された少なくとも一種を挙げることができ
る。ここで、Ｍは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb
（何れも化学記号）から選択された少なくとも一種であ
る。第１の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５の両者を上
述した高抵抗率材料で構成してもよいし、何れか一方の
みを上述した高抵抗率材料で構成してもよい。
少なくとも一方を、パ−マロイとの比較において、高抵
抗率材料で構成することもできる。この場合には、書き
込み回路が高周波化された場合の渦電流損失を、パーマ
ロイを用いた場合に比較して、低減させることができ
る。高抵抗率材料の具体例としては、Fe-Co系アモルフ
ァス，Fe-M-N,Fe-M-O,Fe-Co-M-N,Fe-Co-M-OまたはFe-Co
-Nから選択された少なくとも一種を挙げることができ
る。ここで、Ｍは、B,Si,Al,Ti,Zr,Hf,Mo,TaまたはNb
（何れも化学記号）から選択された少なくとも一種であ
る。第１の磁性膜２１及び第４の磁性膜２５の両者を上
述した高抵抗率材料で構成してもよいし、何れか一方の
みを上述した高抵抗率材料で構成してもよい。
【００４３】ＭＲ読み取り素子３は、第１シ−ルド膜３
１と、第２シ−ルド膜３２と、ＭＲ素子３３と、リード
導体膜３５とを含む。第１シ−ルド膜３１及び第２シ−
ルド膜３２は互いに間隔を隔てて配置されており、ＭＲ
素子３３は第１シ−ルド膜３１及び第２シ−ルド膜３２
の間に配置されている。第２シ−ルド膜３２は書き込み
素子２の第１の磁性膜２１を構成している。第１シ−ル
ド膜３１及び第２シ−ルド膜３２の間には非磁性絶縁膜
３４があり、ＭＲ素子３３及びリード導体膜３５は非磁
性絶縁膜３４の内部に配置されている。
１と、第２シ−ルド膜３２と、ＭＲ素子３３と、リード
導体膜３５とを含む。第１シ−ルド膜３１及び第２シ−
ルド膜３２は互いに間隔を隔てて配置されており、ＭＲ
素子３３は第１シ−ルド膜３１及び第２シ−ルド膜３２
の間に配置されている。第２シ−ルド膜３２は書き込み
素子２の第１の磁性膜２１を構成している。第１シ−ル
ド膜３１及び第２シ−ルド膜３２の間には非磁性絶縁膜
３４があり、ＭＲ素子３３及びリード導体膜３５は非磁
性絶縁膜３４の内部に配置されている。
【００４４】書き込み素子２は、ＭＲ読み取り素子３の
上に積層される。この場合、第２シ−ルド膜３２は、書
き込み素子２の第１の磁性膜２１として兼用される。第
２の磁性膜２２は第１の磁性膜２１の上に突出して設け
られているから、第２シ−ルド膜３２の幅を、ＭＲ読み
取り素子３を保護するのに必要な寸法に保ったままで、
第２の磁性膜２２の幅Ｗ１１を狭小化することができ
る。
上に積層される。この場合、第２シ−ルド膜３２は、書
き込み素子２の第１の磁性膜２１として兼用される。第
２の磁性膜２２は第１の磁性膜２１の上に突出して設け
られているから、第２シ−ルド膜３２の幅を、ＭＲ読み
取り素子３を保護するのに必要な寸法に保ったままで、
第２の磁性膜２２の幅Ｗ１１を狭小化することができ
る。
【００４５】本発明において、書き込み素子２を構成す
る誘導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のタイプ
のものが使用できる。ＭＲ読み取り素子３としては、パ
−マロイ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したも
の、スピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表さ
れる巨大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案
され、またはこれから提案されることのある各種のタイ
プのものが使用できる。書き込み素子２及びＭＲ読み取
り素子３は、スライダ上に搭載される。スライダは、一
本以上のレ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たない
ものであっても用いることができる。
る誘導型薄膜磁気変換素子としては、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのある各種のタイプ
のものが使用できる。ＭＲ読み取り素子３としては、パ
−マロイ膜等の磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したも
の、スピンバルブ膜や、トンネル接合効果膜等で代表さ
れる巨大磁気抵抗効果を利用したもの等、これまで提案
され、またはこれから提案されることのある各種のタイ
プのものが使用できる。書き込み素子２及びＭＲ読み取
り素子３は、スライダ上に搭載される。スライダは、一
本以上のレ−ルを有するタイプの他、レ−ルを持たない
ものであっても用いることができる。
【００４６】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００４７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）ヨークとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。 （ｂ）分離型において、漏れる磁界による不必要な磁気
記録を阻止し、トラック密度を高め、高密度記録を達成
し得る薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）ヨークとポールとを分離した分離型の薄膜磁気ヘ
ッドを提供することができる。 （ｂ）分離型において、漏れる磁界による不必要な磁気
記録を阻止し、トラック密度を高め、高密度記録を達成
し得る薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図２】図１の２−２線に沿った断面図である。
【図３】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドのポール
領域部分の拡大斜視図である。
領域部分の拡大斜視図である。
【図４】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドのポール
領域部分の拡大平面図である。
領域部分の拡大平面図である。
【図５】磁気ヘッドの再生出力特性を示す図である。
【図６】幅比（Ｗ２２／Ｗ２１）とオーバーライト特性
との関係を示すデータである。
との関係を示すデータである。
【図７】角度θとオーバーライト特性との関係を示すデ
ータである。
ータである。
１ 基体 １０ 空気ベアリング面 ２ 書き込み素子 ２１ 第１の磁性膜 ２２ 第２の磁性膜 ２３ ギャップ膜 ２５ 第４の磁性膜
Claims (12)
- 【請求項１】 少なくとも１つの書き込み素子を有する
薄膜磁気ヘッドであって、 前記書き込み素子は、ポール部を有しており、 前記ポール部は、第１の磁性膜、第２の磁性膜、ギャッ
プ膜、第３の磁性膜及び第４の磁性膜を、この順序で隣
接させた構造を持ち、 前記第４の磁性膜は、媒体対向面が、前記第３の磁性膜
の媒体対向面における幅内に位置している薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記第３の磁性膜の前記媒体対向面における幅をＷ２１
とし、前記第４の磁性膜の媒体対向面における幅をＷ２
２としたとき、Ｗ２２≦Ｗ２１の関係を満たす薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項３】 請求項２に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記幅Ｗ２１及びＷ２２は、０．５≦Ｗ２２／Ｗ２１≦
１．０の関係を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項３に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記幅Ｗ２１及びＷ２２は、０．７≦Ｗ２２／Ｗ２１の
関係を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４の何れかに記
載された薄膜磁気ヘッドであって、 前記幅Ｗ２１は、２．０μｍ未満である薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５の何れか
に記載された薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性膜は、前記ポール部から後方に延びる部
分を持ち、この部分がヨークを構成しており、 前記第２の磁性膜及び前記第３の磁性膜は、ポール片を
構成しており、 前記第４の磁性膜は、前記ポール部から後方に延びる部
分を持ち、この部分がヨークを構成し、前記ヨークの後
方において、前記第１の磁性膜の前記ヨークと結合され
ている薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 請求項１、２、３、４、５または６の何
れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、 前記第１の磁性膜、前記第２の磁性膜、前記ギャップ
膜、前記第３の磁性膜及び前記第４の磁性膜は、それぞ
れの媒体対向面が実質的に同一平面を構成する薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項８】 請求項５に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、 前記第２の磁性膜、前記ギャップ膜及び前記第３の磁性
膜は、前記媒体対向面とは反対側において、実質的に同
一の平面である後方壁面を構成しており、 前記後方壁面は、前記媒体対向面の作る前記平面と実質
的に平行である薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項６、７または８の何れかに記載さ
れた薄膜磁気ヘッドであって、 前記第４の磁性膜は、前記媒体対向面から後方に向かう
につれて、幅が拡大する薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項９に記載された薄膜磁気ヘッド
であって、 前記第４の磁性膜は、前記媒体対向面と平行な線分と、
幅方向に位置する両側面とのなす角度θが、２０°≦θ
≦９０°を満たす薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記角度θは、３０°≦θ≦９０°を満たす薄膜磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１２】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、１０または１１の何れかに記載された薄膜磁気
ヘッドであって、 更に、ＭＲ読み取り素子を含んでおり、 前記ＭＲ読み取り素子は、第１シ−ルド膜と、第２シ−
ルド膜と、ＭＲ素子とを含み、前記ＭＲ素子が前記第１
シ−ルド膜及び前記第２シ−ルド膜の間に配置され、前
記第２シ−ルド膜が前記書き込み素子の前記第１の磁性
膜を構成する薄膜磁気ヘッド。
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