JPH1186238A - 磁気ヘッド - Google Patents
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- JPH1186238A JPH1186238A JP9245840A JP24584097A JPH1186238A JP H1186238 A JPH1186238 A JP H1186238A JP 9245840 A JP9245840 A JP 9245840A JP 24584097 A JP24584097 A JP 24584097A JP H1186238 A JPH1186238 A JP H1186238A
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- G11B5/3143—Disposition of layers including additional layers for improving the electromagnetic transducing properties of the basic structure, e.g. for flux coupling, guiding or shielding
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】誘導型素子と磁気抵抗効果型素子を有する磁気
ヘッドに関し、記録磁界を効率良く発生させることを目
的とする。 【解決手段】基板2の上方に形成され且つ後方領域に切
欠部3dを有する平面略U字状の第一の磁性層3と、第
一の磁性層3の上に形成された第一の非磁性絶縁層4,
7と、切欠部3dよりも前方の領域において第一の非磁
性絶縁層4,7の上に形成された第二の磁性層8と、第
二の磁性層8の上に形成された第二の非磁性絶縁層12
と、第一の磁性層3の上方に形成され且つ一部が第二の
非磁性絶縁層12内を横切るコイル13と、コイル13
の隙間の一部を通って第二の磁性層8に接続され且つ第
二の非磁性絶縁層12の上に形成された第三の磁性層1
4と、コイル13の前方において第三の磁性層14と第
二の磁性層8の間に挟まれる非磁性ギャップ層11とを
含む。
ヘッドに関し、記録磁界を効率良く発生させることを目
的とする。 【解決手段】基板2の上方に形成され且つ後方領域に切
欠部3dを有する平面略U字状の第一の磁性層3と、第
一の磁性層3の上に形成された第一の非磁性絶縁層4,
7と、切欠部3dよりも前方の領域において第一の非磁
性絶縁層4,7の上に形成された第二の磁性層8と、第
二の磁性層8の上に形成された第二の非磁性絶縁層12
と、第一の磁性層3の上方に形成され且つ一部が第二の
非磁性絶縁層12内を横切るコイル13と、コイル13
の隙間の一部を通って第二の磁性層8に接続され且つ第
二の非磁性絶縁層12の上に形成された第三の磁性層1
4と、コイル13の前方において第三の磁性層14と第
二の磁性層8の間に挟まれる非磁性ギャップ層11とを
含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ヘッドに関
し、より詳しくは、誘導型素子と磁気抵抗効果型素子を
有し、磁気ディスク装置、磁気テープ装置のような磁気
記録再生装置内に取付けらる磁気ヘッドに関する。
し、より詳しくは、誘導型素子と磁気抵抗効果型素子を
有し、磁気ディスク装置、磁気テープ装置のような磁気
記録再生装置内に取付けらる磁気ヘッドに関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置や磁気テープ装置など
においては、磁気記録の高密度化を図り、記録、再生の
高速化を図るために記録用ヘッドと再生用ヘッドを分離
した複合磁気ヘッドが用いられている。複合磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッド(以下、MR
ヘッドという。)の上に、渦巻状コイルを有する誘導型
ヘッドを重ねた構造を有している。誘導型ヘッドによれ
ば記録と再生の双方が可能であるが、複合磁気ヘッドの
誘導型ヘッドは記録専用とされるのが一般的である。そ
して、複合磁気ヘッドは、誘導型ヘッドの磁極の一部を
MRヘッドの上側磁気シールド層とするかしないかの相
違によって共有型と分離型に分けられる。
においては、磁気記録の高密度化を図り、記録、再生の
高速化を図るために記録用ヘッドと再生用ヘッドを分離
した複合磁気ヘッドが用いられている。複合磁気ヘッド
は、磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッド(以下、MR
ヘッドという。)の上に、渦巻状コイルを有する誘導型
ヘッドを重ねた構造を有している。誘導型ヘッドによれ
ば記録と再生の双方が可能であるが、複合磁気ヘッドの
誘導型ヘッドは記録専用とされるのが一般的である。そ
して、複合磁気ヘッドは、誘導型ヘッドの磁極の一部を
MRヘッドの上側磁気シールド層とするかしないかの相
違によって共有型と分離型に分けられる。
【0003】共有型の複合磁気ヘッドは、図14(a) に
示すようにMRヘッド100 の上側磁気シールド層101 が
誘導型ヘッド110 の下部磁極としての機能を兼ね備えて
いる構造を有している。そのMRヘッド100 は、下側磁
気シールド層102 と上側磁気シールド層101 と磁気抵抗
効果素子103 とを有し、その磁気抵抗効果素子103 は絶
縁層104 により上側及び下側磁気シールド層101 、102
から絶縁されている。また、誘導型ヘッド110 は、一部
が絶縁層112 で被覆された渦巻状コイル111 を有し、渦
巻状コイル111 の1部は上側磁気シールド層101 と上部
磁極113 とから構成される磁極により囲まれている。
示すようにMRヘッド100 の上側磁気シールド層101 が
誘導型ヘッド110 の下部磁極としての機能を兼ね備えて
いる構造を有している。そのMRヘッド100 は、下側磁
気シールド層102 と上側磁気シールド層101 と磁気抵抗
効果素子103 とを有し、その磁気抵抗効果素子103 は絶
縁層104 により上側及び下側磁気シールド層101 、102
から絶縁されている。また、誘導型ヘッド110 は、一部
が絶縁層112 で被覆された渦巻状コイル111 を有し、渦
巻状コイル111 の1部は上側磁気シールド層101 と上部
磁極113 とから構成される磁極により囲まれている。
【0004】また、分離型の複合磁気ヘッドは、図14
(b) に示すようにMRヘッド120 の上側磁気シールド層
121 が誘導型ヘッド130 の下部磁極131 から分離された
構造を有している。そのMRヘッド120 は下側磁気シー
ルド層122 と上側磁気シールド層121 と磁気抵抗効果素
子123 とを有し、その磁気抵抗効果素子123 は絶縁層12
4 によって上側及び下側磁気シールド層121 、122 から
絶縁されている。また誘導型ヘッド130 は、渦巻状コイ
ル131 のうち絶縁層132 で被覆された部分をループ状の
磁極で囲む構造を有し、その磁極は下部磁極131 と上部
磁極133 とから構成されている。
(b) に示すようにMRヘッド120 の上側磁気シールド層
121 が誘導型ヘッド130 の下部磁極131 から分離された
構造を有している。そのMRヘッド120 は下側磁気シー
ルド層122 と上側磁気シールド層121 と磁気抵抗効果素
子123 とを有し、その磁気抵抗効果素子123 は絶縁層12
4 によって上側及び下側磁気シールド層121 、122 から
絶縁されている。また誘導型ヘッド130 は、渦巻状コイ
ル131 のうち絶縁層132 で被覆された部分をループ状の
磁極で囲む構造を有し、その磁極は下部磁極131 と上部
磁極133 とから構成されている。
【0005】なお、磁気抵抗効果素子103 、123 の上方
では、磁極に記録用ギャップgが形成されており、渦巻
状コイル111 、131 から発生した磁界は磁極を通って記
録用ギャップgで記録磁界となって磁気記録媒体(不図
示)に出力するようになっている。そのような共有型の
複合磁気ヘッドと分離型の複合磁気ヘッドでは、渦巻状
コイル111 、131 の下に階段状の凹凸が存在すると、渦
巻状コイル111 、131 を形成する際にその階段形状によ
って渦巻状コイル111 、131 が切断されたり、その階段
形状によって渦巻状コイル111 、131 が薄層化されて高
抵抗化する。さらに、その階段状の凹凸は、MRヘッド
の磁気抵抗効果素子103 、123 に接続されるリードを切
断したり或いは薄くする。
では、磁極に記録用ギャップgが形成されており、渦巻
状コイル111 、131 から発生した磁界は磁極を通って記
録用ギャップgで記録磁界となって磁気記録媒体(不図
示)に出力するようになっている。そのような共有型の
複合磁気ヘッドと分離型の複合磁気ヘッドでは、渦巻状
コイル111 、131 の下に階段状の凹凸が存在すると、渦
巻状コイル111 、131 を形成する際にその階段形状によ
って渦巻状コイル111 、131 が切断されたり、その階段
形状によって渦巻状コイル111 、131 が薄層化されて高
抵抗化する。さらに、その階段状の凹凸は、MRヘッド
の磁気抵抗効果素子103 、123 に接続されるリードを切
断したり或いは薄くする。
【0006】そこで、共有型の複合磁気ヘッドでは、磁
極113 が存在せず且つ磁気抵抗効果素子103 から離れた
後方領域にまで下側磁気シールド層102 を延在させるこ
とによって渦巻状コイル111 の下方に存在する凹凸差を
小さくするようにしている。また、分離型の複合磁気ヘ
ッドでは上部及び下部磁極133 ,134 が存在せず且つ磁
気抵抗効果素子123 から離れた後方領域にまで上側磁極
シールド層121 を延ばすことによって渦巻状コイル131
の下の凹凸差を小さくする構造が採用されている。
極113 が存在せず且つ磁気抵抗効果素子103 から離れた
後方領域にまで下側磁気シールド層102 を延在させるこ
とによって渦巻状コイル111 の下方に存在する凹凸差を
小さくするようにしている。また、分離型の複合磁気ヘ
ッドでは上部及び下部磁極133 ,134 が存在せず且つ磁
気抵抗効果素子123 から離れた後方領域にまで上側磁極
シールド層121 を延ばすことによって渦巻状コイル131
の下の凹凸差を小さくする構造が採用されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】そのような複合磁気ヘ
ッドにおいて、渦巻状コイル113 、123 に高周波の記録
電流を流して高周波の磁界を発生させると、磁極から漏
れた磁界は共有型の複合磁気ヘッドではMRヘッド100
の下側磁気シールド層102 内を通り、分離型の複合磁気
ヘッドではMRヘッド120 の上側磁気シールド層121 内
を通ることになる。
ッドにおいて、渦巻状コイル113 、123 に高周波の記録
電流を流して高周波の磁界を発生させると、磁極から漏
れた磁界は共有型の複合磁気ヘッドではMRヘッド100
の下側磁気シールド層102 内を通り、分離型の複合磁気
ヘッドではMRヘッド120 の上側磁気シールド層121 内
を通ることになる。
【0008】しかし、下側磁気シールド層102 又は上側
磁気シールド層121 を通る磁界の周波数が高くなるほ
ど、それらの磁気シールド層102 、121 で発生する渦電
流が増大するので、それらの磁気シールド層102 、121
を磁路の一部とする記録磁界の発生効率が悪くなる。本
発明の目的は、記録磁界を効率良く発生させる複合磁気
ヘッドを提供することにある。
磁気シールド層121 を通る磁界の周波数が高くなるほ
ど、それらの磁気シールド層102 、121 で発生する渦電
流が増大するので、それらの磁気シールド層102 、121
を磁路の一部とする記録磁界の発生効率が悪くなる。本
発明の目的は、記録磁界を効率良く発生させる複合磁気
ヘッドを提供することにある。
【0009】
(1)上記した課題は、図9及び図12(b) に例示する
ように、基板2の上方に形成され且つ後方領域に切欠部
3d、8Dを有する平面略U字状の第一の磁性層3、8
Aと、前記第一の磁性層3、8Aの上に形成された第一
の非磁性絶縁層4,7、17と、前記切欠部3dよりも
前方の領域において、前記第一の非磁性絶縁層4,7、
17の上に形成された第二の磁性層8、14Aと、前記
第二の磁性層8、14Aの上に形成された第二の非磁性
絶縁層12と、前記第一の磁性層3、8Aの上方に形成
され且つ一部が前記第二の非磁性絶縁層12内を横切る
コイル13と、前記コイル13の隙間の一部を通って前
記第二の磁性層8、14Aに接続され、且つ前記第二の
非磁性絶縁層12の上に形成された第三の磁性層14
と、前記コイル13の前方において前記第三の磁性層1
4と前記第二の磁性層8、14Aの間に挟まれる非磁性
ギャップ層11とを有することを特徴とする磁気ヘッド
によって解決する。
ように、基板2の上方に形成され且つ後方領域に切欠部
3d、8Dを有する平面略U字状の第一の磁性層3、8
Aと、前記第一の磁性層3、8Aの上に形成された第一
の非磁性絶縁層4,7、17と、前記切欠部3dよりも
前方の領域において、前記第一の非磁性絶縁層4,7、
17の上に形成された第二の磁性層8、14Aと、前記
第二の磁性層8、14Aの上に形成された第二の非磁性
絶縁層12と、前記第一の磁性層3、8Aの上方に形成
され且つ一部が前記第二の非磁性絶縁層12内を横切る
コイル13と、前記コイル13の隙間の一部を通って前
記第二の磁性層8、14Aに接続され、且つ前記第二の
非磁性絶縁層12の上に形成された第三の磁性層14
と、前記コイル13の前方において前記第三の磁性層1
4と前記第二の磁性層8、14Aの間に挟まれる非磁性
ギャップ層11とを有することを特徴とする磁気ヘッド
によって解決する。
【0010】上記磁気ヘッドにおいて、前記第一の磁性
層3と前記第二の磁性層8の間の第一の非磁性絶縁4,
7内には磁気抵抗効果素子5が形成されていることを特
徴とする。上記磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果
素子5の両側には第一及び第二のリード6a,6bが接
続され、該第一及び第二のリード6a,6bは前記切欠
部3dの両側方の領域まで延びていることを特徴とす
る。
層3と前記第二の磁性層8の間の第一の非磁性絶縁4,
7内には磁気抵抗効果素子5が形成されていることを特
徴とする。上記磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果
素子5の両側には第一及び第二のリード6a,6bが接
続され、該第一及び第二のリード6a,6bは前記切欠
部3dの両側方の領域まで延びていることを特徴とす
る。
【0011】上記磁気ヘッドにおいて、前記切欠部3
d,8Dの両側の縁線と該縁線に交差する前記コイル1
3の接線とがなす角度は、80度から100度の間の範
囲内であることを特徴とする。 (2)上記した課題は、図4、図11に例示するよう
に、基板1の上方に直接又は絶縁層2を介して形成さ
れ、且つ少なくとも後方に第一の電気抵抗率の高電気抵
抗領域を有する第一の磁性層3、8Aと、前記第一の磁
性層3、8Aの上に形成された第一の非磁性絶縁層4,
7、17と、前記高電気抵抗領域よりも前方にあって、
前記第一の非磁性絶縁層4,7、17の上に形成され、
且つ前記第一の電気抵抗率よりも小さな第二の電気抵抗
率の第二の磁性層8、14Aと、前記第二の磁性層8、
14Aの上に形成された第二の非磁性絶縁層12と、前
記第二の非磁性絶縁層12内を横切り、前記第一の磁性
層3、8Aの上方に形成されたコイル13と、前記コイ
ル13の隙間の一部を通って前記第二の磁性層8、14
Aに接続され、且つ前記第二の非磁性絶縁層12の上に
形成された第三の磁性層14、14Bと、前記コイル1
3の前方において前記第三の磁性層14、14Bと前記
第二の磁性層8、14Aの間に挟まれる非磁性ギャップ
層11とを有することを特徴とする磁気ヘッドによって
解決する。
d,8Dの両側の縁線と該縁線に交差する前記コイル1
3の接線とがなす角度は、80度から100度の間の範
囲内であることを特徴とする。 (2)上記した課題は、図4、図11に例示するよう
に、基板1の上方に直接又は絶縁層2を介して形成さ
れ、且つ少なくとも後方に第一の電気抵抗率の高電気抵
抗領域を有する第一の磁性層3、8Aと、前記第一の磁
性層3、8Aの上に形成された第一の非磁性絶縁層4,
7、17と、前記高電気抵抗領域よりも前方にあって、
前記第一の非磁性絶縁層4,7、17の上に形成され、
且つ前記第一の電気抵抗率よりも小さな第二の電気抵抗
率の第二の磁性層8、14Aと、前記第二の磁性層8、
14Aの上に形成された第二の非磁性絶縁層12と、前
記第二の非磁性絶縁層12内を横切り、前記第一の磁性
層3、8Aの上方に形成されたコイル13と、前記コイ
ル13の隙間の一部を通って前記第二の磁性層8、14
Aに接続され、且つ前記第二の非磁性絶縁層12の上に
形成された第三の磁性層14、14Bと、前記コイル1
3の前方において前記第三の磁性層14、14Bと前記
第二の磁性層8、14Aの間に挟まれる非磁性ギャップ
層11とを有することを特徴とする磁気ヘッドによって
解決する。
【0012】上記磁気ヘッドにおいて、前記第一の電気
抵抗率は、前記第二の電気抵抗率の2倍以上であること
を特徴とする。上記磁気ヘッドにおいて、前記第一の磁
性層3、8Aと前記第二の磁性層8、14Aの間には、
磁気抵抗効果素子5が形成されていることを特徴とす
る。 (3)上記した(1)又は(2)に記載された磁気ヘッ
ドは、分離型の複合磁気ヘッドに適用してもよく、例え
ば図11に示すように、前記基板1と前記第一の磁性層
8Aの間に形成された磁気シールド層3と、前記磁気シ
ールド層8Aと前記第一の磁性層3の間に形成された第
四の非磁性絶縁層4,7と、前記第四の非磁性絶縁層
4,7内に形成された磁気抵抗効果素子5とをさらに有
することを特徴とする。
抵抗率は、前記第二の電気抵抗率の2倍以上であること
を特徴とする。上記磁気ヘッドにおいて、前記第一の磁
性層3、8Aと前記第二の磁性層8、14Aの間には、
磁気抵抗効果素子5が形成されていることを特徴とす
る。 (3)上記した(1)又は(2)に記載された磁気ヘッ
ドは、分離型の複合磁気ヘッドに適用してもよく、例え
ば図11に示すように、前記基板1と前記第一の磁性層
8Aの間に形成された磁気シールド層3と、前記磁気シ
ールド層8Aと前記第一の磁性層3の間に形成された第
四の非磁性絶縁層4,7と、前記第四の非磁性絶縁層
4,7内に形成された磁気抵抗効果素子5とをさらに有
することを特徴とする。
【0013】次に、本発明の作用について説明する。本
発明によれば、共有型の混合磁気ヘッドにおいては再生
ヘッドの下部磁気シールド層の後部の平面形状をU字型
にするか、あるいは少なくとも後方領域の電気抵抗を高
くし、また、分離型の複合磁気ヘッドにおいては再生ヘ
ッドの上部磁気シールド層の後部の平面形状をU字型に
するか、あるいは少なくとも後部領域の電気抵抗を高く
した。
発明によれば、共有型の混合磁気ヘッドにおいては再生
ヘッドの下部磁気シールド層の後部の平面形状をU字型
にするか、あるいは少なくとも後方領域の電気抵抗を高
くし、また、分離型の複合磁気ヘッドにおいては再生ヘ
ッドの上部磁気シールド層の後部の平面形状をU字型に
するか、あるいは少なくとも後部領域の電気抵抗を高く
した。
【0014】これにより、記録ヘッドから漏洩した高周
波磁界がその下方の磁気シールドを通って記録ヘッドに
戻る磁路において、その磁気シールド層の高抵抗領域で
発生する渦電流が抑制されて損失が少なくなり、効率の
よい記録磁界が記録ヘッドから発生する。高抵抗領域
は、磁気シールド層の一部であってもよいし全部であっ
てもよい。その高抵抗領域としては、磁気シールド層の
その領域を高抵抗の磁性材によって形成したり、その領
域に不純物を含有させる方法によって得られる。また、
磁気シールド層の平面形状をU字形にする場合には、そ
のU字形状の切欠部の両側線とその上方に配置される渦
巻状コイルの接線との角度を80度〜100度の範囲内
に配置すると、U字形状の切欠部によって生じる段差に
起因する渦巻状コイルの切断や薄層化が防止される。
波磁界がその下方の磁気シールドを通って記録ヘッドに
戻る磁路において、その磁気シールド層の高抵抗領域で
発生する渦電流が抑制されて損失が少なくなり、効率の
よい記録磁界が記録ヘッドから発生する。高抵抗領域
は、磁気シールド層の一部であってもよいし全部であっ
てもよい。その高抵抗領域としては、磁気シールド層の
その領域を高抵抗の磁性材によって形成したり、その領
域に不純物を含有させる方法によって得られる。また、
磁気シールド層の平面形状をU字形にする場合には、そ
のU字形状の切欠部の両側線とその上方に配置される渦
巻状コイルの接線との角度を80度〜100度の範囲内
に配置すると、U字形状の切欠部によって生じる段差に
起因する渦巻状コイルの切断や薄層化が防止される。
【0015】
【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。 (第1の実施の形態)図1は、本発明の第1実施形態に
係る共有型の複合磁気ヘッドの一部を切断した状態を示
す斜視図、図2は、その複合磁気ヘッドを示す断面図で
ある。また、図3は、その複合磁気ヘッドの再生ヘッド
を示す平面図、図4は、その誘導型ヘッドを示す平面図
である。なお、図3及び図4では絶縁層が省略されてい
る。
を図面に基づいて説明する。 (第1の実施の形態)図1は、本発明の第1実施形態に
係る共有型の複合磁気ヘッドの一部を切断した状態を示
す斜視図、図2は、その複合磁気ヘッドを示す断面図で
ある。また、図3は、その複合磁気ヘッドの再生ヘッド
を示す平面図、図4は、その誘導型ヘッドを示す平面図
である。なお、図3及び図4では絶縁層が省略されてい
る。
【0016】図1〜図4において、基板1の上にはAl2O
3 などの絶縁材よりなる基板保護層2を介して再生用の
磁気抵抗効果ヘッド(MRヘッド)10と記録用の誘導
型ヘッド20が順に形成されている。基板保護層2の上
には、下側磁気シールド層3、Al2O3 よりなる下側非磁
性絶縁層4、磁気抵抗効果素子5、Al2O3 よりなる上側
非磁性絶縁層7及び上側磁気シールド層8が順に形成さ
れ、これらによってMRヘッド10が構成されている。
3 などの絶縁材よりなる基板保護層2を介して再生用の
磁気抵抗効果ヘッド(MRヘッド)10と記録用の誘導
型ヘッド20が順に形成されている。基板保護層2の上
には、下側磁気シールド層3、Al2O3 よりなる下側非磁
性絶縁層4、磁気抵抗効果素子5、Al2O3 よりなる上側
非磁性絶縁層7及び上側磁気シールド層8が順に形成さ
れ、これらによってMRヘッド10が構成されている。
【0017】下側磁気シールド層3を構成する第一磁性
材として、上側磁気シールド層8を構成する第二磁性材
に比べて電気抵抗が大きい材料が選択されている。例え
ば、上側磁気シールド層8をパーマロイ(Ni80Fe20)か
ら構成する場合には、下側磁気シールド層3を電気抵抗
率70μΩcm以上のニッケル鉄(Nix Fe100-x 、但し
x<50)、又はFeZrN 、又はCoZrNb、或いはその他の
電気抵抗率100μΩcm以上の磁性材などから構成す
る。また、下側磁気シールド層3としてSiFe層にAl2O3
粒子を混入させたグラニュラー層を用いてもよい。
材として、上側磁気シールド層8を構成する第二磁性材
に比べて電気抵抗が大きい材料が選択されている。例え
ば、上側磁気シールド層8をパーマロイ(Ni80Fe20)か
ら構成する場合には、下側磁気シールド層3を電気抵抗
率70μΩcm以上のニッケル鉄(Nix Fe100-x 、但し
x<50)、又はFeZrN 、又はCoZrNb、或いはその他の
電気抵抗率100μΩcm以上の磁性材などから構成す
る。また、下側磁気シールド層3としてSiFe層にAl2O3
粒子を混入させたグラニュラー層を用いてもよい。
【0018】なお、第一磁性材の電気抵抗は、電気抵抗
が100μΩcm以上となっていることが好ましい。な
お、下側磁気シールド層3の膜厚は約1.5μmであ
る。下側非磁性絶縁層3上に形成される磁気抵抗効果素
子5は、下側磁気シールド層3の先端寄りに配置され、
その磁気抵抗効果素子5の両側には図3に示すように金
(Au)よりなる第一及び第二のリード6a,6bが接続
されている。第一及び第二のリード6a,6bは、図3
に示すように、下側磁気シールド層3上でその両側寄り
に互いに分離して配置されている。
が100μΩcm以上となっていることが好ましい。な
お、下側磁気シールド層3の膜厚は約1.5μmであ
る。下側非磁性絶縁層3上に形成される磁気抵抗効果素
子5は、下側磁気シールド層3の先端寄りに配置され、
その磁気抵抗効果素子5の両側には図3に示すように金
(Au)よりなる第一及び第二のリード6a,6bが接続
されている。第一及び第二のリード6a,6bは、図3
に示すように、下側磁気シールド層3上でその両側寄り
に互いに分離して配置されている。
【0019】磁気抵抗効果素子5と第一及び第二のリー
ド6a,6bはそれらの先端を除いて上側の非磁性絶縁
層7により覆われており、その上側の非磁性絶縁層7の
上にはさらに上側磁気シールド層8が形成されている。
その上側磁気シールド層8は例えば膜厚3.5μmのパ
ーマロイなどの軟磁性材から形成され、その平面形状
は、図3に示すように、磁気抵抗効果素子5と第一及び
第二のリード6a,6bの前部の上方に存在するととも
に、図2に示すように、後述する渦巻状コイル13の一
部が重ねられる大きさに形成されている。また、上側の
非磁性絶縁層8の縁部のうち渦巻状コイル13と交差す
る部分は、渦巻状コイル13の湾曲の接線方向とほぼ直
交する形状を有しており、これにより渦巻状コイル13
の断線が防止されている。さらに、上側磁気シールド層
8は膜厚0.2〜0.6μm程度のAl2O3 よりなる絶縁
性ギャップ層11により覆われている。
ド6a,6bはそれらの先端を除いて上側の非磁性絶縁
層7により覆われており、その上側の非磁性絶縁層7の
上にはさらに上側磁気シールド層8が形成されている。
その上側磁気シールド層8は例えば膜厚3.5μmのパ
ーマロイなどの軟磁性材から形成され、その平面形状
は、図3に示すように、磁気抵抗効果素子5と第一及び
第二のリード6a,6bの前部の上方に存在するととも
に、図2に示すように、後述する渦巻状コイル13の一
部が重ねられる大きさに形成されている。また、上側の
非磁性絶縁層8の縁部のうち渦巻状コイル13と交差す
る部分は、渦巻状コイル13の湾曲の接線方向とほぼ直
交する形状を有しており、これにより渦巻状コイル13
の断線が防止されている。さらに、上側磁気シールド層
8は膜厚0.2〜0.6μm程度のAl2O3 よりなる絶縁
性ギャップ層11により覆われている。
【0020】上述した渦巻状コイル13はMRヘッド1
0の上で被覆絶縁層12により覆われ、さらに上側磁気
シールド層8の上方に存在する部分は被覆絶縁層12を
介して上部磁極14に覆われている。被覆絶縁層12
は、渦巻状コイル13を上下から挟む上側及び下側の有
機絶縁層12a,12bから構成され、コイル両端は図
示しない記録信号回路に接続されている。
0の上で被覆絶縁層12により覆われ、さらに上側磁気
シールド層8の上方に存在する部分は被覆絶縁層12を
介して上部磁極14に覆われている。被覆絶縁層12
は、渦巻状コイル13を上下から挟む上側及び下側の有
機絶縁層12a,12bから構成され、コイル両端は図
示しない記録信号回路に接続されている。
【0021】上部磁極14はパーマロイ等の軟磁性材か
ら形成されて、図2及び図4に示すように渦巻状コイル
13の中央の隙間と上側及び下側の有機絶縁層12a,
12bとを貫通して上側磁気シールド層8に接続されて
いる。これにより、上側磁気シールド層8は上部磁性1
4とともに誘導型ヘッド20の磁極となる。また、上部
磁極14はその先端部分で絶縁性ギャップ層11の上面
に接触し、これにより、上部磁極14の先端と上側磁気
シールド層8の先端との間には絶縁性ギャップ層11の
厚さに等しい大きさの記録ギャップGが形成されること
になる。
ら形成されて、図2及び図4に示すように渦巻状コイル
13の中央の隙間と上側及び下側の有機絶縁層12a,
12bとを貫通して上側磁気シールド層8に接続されて
いる。これにより、上側磁気シールド層8は上部磁性1
4とともに誘導型ヘッド20の磁極となる。また、上部
磁極14はその先端部分で絶縁性ギャップ層11の上面
に接触し、これにより、上部磁極14の先端と上側磁気
シールド層8の先端との間には絶縁性ギャップ層11の
厚さに等しい大きさの記録ギャップGが形成されること
になる。
【0022】この場合、上部磁性14渦巻状コイル1
3、被覆絶縁層12及び上側磁気シールド層8から誘導
型ヘッド20が構成され、その上側磁気シールド層8は
誘導型ヘッド20の下部磁極となる。なお、図1中符号
15は磁気記録媒体を示している。以上のような共有型
の複合磁気ヘッドにおいて、MRヘッド10の下側磁気
シールド層3の電気抵抗を上部磁極14よりも高くした
ところ、下側磁気シールド層3を通る記録磁界による渦
電流が低減され、この結果、記録磁界のうち下側の磁気
シールド層8内を通る成分が効率よく出力される。これ
により、誘導型ヘッド20から発生する記録磁界の効率
が良くなる。
3、被覆絶縁層12及び上側磁気シールド層8から誘導
型ヘッド20が構成され、その上側磁気シールド層8は
誘導型ヘッド20の下部磁極となる。なお、図1中符号
15は磁気記録媒体を示している。以上のような共有型
の複合磁気ヘッドにおいて、MRヘッド10の下側磁気
シールド層3の電気抵抗を上部磁極14よりも高くした
ところ、下側磁気シールド層3を通る記録磁界による渦
電流が低減され、この結果、記録磁界のうち下側の磁気
シールド層8内を通る成分が効率よく出力される。これ
により、誘導型ヘッド20から発生する記録磁界の効率
が良くなる。
【0023】そこで、下側磁気シールド層の磁性材をパ
ーマロイとした従来の共有型の複合磁気ヘッドの周波数
特性と、下側磁気シールド層3を電気抵抗率70μΩc
mのニッケル鉄から形成する共有型の複合磁気ヘッドの
周波数特性とを比較したところ、図5の一点鎖線で示す
ような結果が得られた。図5の縦軸は、従来の長手成分
記録磁界Hx (単位:kOe(キロエルステッド))の
値を“1”として規格化した値であって、本発明の第1
の実施形態の長手成分記録磁界Hx の値を示している。
その計算には、渦電流を考慮した二次元有限要素法を用
いている。また、その長手成分記録磁界Hx は下側磁気
シールド層3の長手方向(X方向)の磁界の成分であっ
て膜厚0.4μmの記録ギャップ層11の先端からX方
向の0.08μmの位置における磁界Hx の大きさを示
している。なお、図5の横軸は、渦巻状コイル13に印
加される方形波信号電圧の信号周波数(単位:MHz)
を示している。
ーマロイとした従来の共有型の複合磁気ヘッドの周波数
特性と、下側磁気シールド層3を電気抵抗率70μΩc
mのニッケル鉄から形成する共有型の複合磁気ヘッドの
周波数特性とを比較したところ、図5の一点鎖線で示す
ような結果が得られた。図5の縦軸は、従来の長手成分
記録磁界Hx (単位:kOe(キロエルステッド))の
値を“1”として規格化した値であって、本発明の第1
の実施形態の長手成分記録磁界Hx の値を示している。
その計算には、渦電流を考慮した二次元有限要素法を用
いている。また、その長手成分記録磁界Hx は下側磁気
シールド層3の長手方向(X方向)の磁界の成分であっ
て膜厚0.4μmの記録ギャップ層11の先端からX方
向の0.08μmの位置における磁界Hx の大きさを示
している。なお、図5の横軸は、渦巻状コイル13に印
加される方形波信号電圧の信号周波数(単位:MHz)
を示している。
【0024】図5の一点鎖線によれば本実施形態による
複合磁気ヘッドの方が従来のヘッドに比べて磁極から出
力される記録磁界が大きいことが明らかになった。特
に、50MHz以上の高い周波数帯では従来の複合磁気
ヘッドよりも約10%大きな記録磁界が得られることが
わかる。なお、図5の周波数特性を調査する際には、従
来の磁気ヘッドと本実施形態の磁気ヘッドの構造につい
て、下側磁気シールド層の構成材料以外は全て同一条件
とした。 (第2の実施の形態)第1の実施の形態では、MRヘッ
ド10の下側磁気シールド層3の全てを電気抵抗の高い
磁性材によって形成したが、その一部を電気抵抗率の高
い磁性材によって形成してもよく、その例を以下に説明
する。
複合磁気ヘッドの方が従来のヘッドに比べて磁極から出
力される記録磁界が大きいことが明らかになった。特
に、50MHz以上の高い周波数帯では従来の複合磁気
ヘッドよりも約10%大きな記録磁界が得られることが
わかる。なお、図5の周波数特性を調査する際には、従
来の磁気ヘッドと本実施形態の磁気ヘッドの構造につい
て、下側磁気シールド層の構成材料以外は全て同一条件
とした。 (第2の実施の形態)第1の実施の形態では、MRヘッ
ド10の下側磁気シールド層3の全てを電気抵抗の高い
磁性材によって形成したが、その一部を電気抵抗率の高
い磁性材によって形成してもよく、その例を以下に説明
する。
【0025】図6は、本発明の第2実施形態に係る共用
型の複合磁気ヘッド一部を示す断面図であり、図7は、
その複合磁気ヘッドの下側磁気シールド層を示す平面図
である。図6において図1と同じ符号は同じ要素を示し
ている。その複合磁気ヘッドにおいて、下側磁気シール
ド層3のうち上部磁性14の下の領域を含む第1領域3
aとこの第1領域3a以外の第2領域3bとは異なる磁
性材料から構成されており、第1領域3aと第2領域3
bの境界は、上部磁極14と上側磁気シールド層8が接
続し合っている位置よりも僅かに後方に存在している。
なお、下側磁気シールド層3のうち前方というのは磁気
記録媒体15に対向する方向であり、後方というのはそ
の逆の方向である。
型の複合磁気ヘッド一部を示す断面図であり、図7は、
その複合磁気ヘッドの下側磁気シールド層を示す平面図
である。図6において図1と同じ符号は同じ要素を示し
ている。その複合磁気ヘッドにおいて、下側磁気シール
ド層3のうち上部磁性14の下の領域を含む第1領域3
aとこの第1領域3a以外の第2領域3bとは異なる磁
性材料から構成されており、第1領域3aと第2領域3
bの境界は、上部磁極14と上側磁気シールド層8が接
続し合っている位置よりも僅かに後方に存在している。
なお、下側磁気シールド層3のうち前方というのは磁気
記録媒体15に対向する方向であり、後方というのはそ
の逆の方向である。
【0026】下側磁気シールド層3において、第2領域
3bの磁性材料は第1領域3aの磁性材料よりも電気抵
抗が高い材料から形成されている。第1領域3aと第2
領域3bの電気抵抗を変える方法としては、例えば、下
側磁気シールド層3を軟磁性材、例えばパーマロイから
形成する場合には、第1領域3aは軟磁性材のままにす
るとともに、第2領域3bにはカーボン等の元素をイオ
ン注入したり酸化したりすることにより第2領域3bの
電気抵抗率を第1領域3aの電気抵抗率よりも増加させ
る。また、第1領域3aと第2領域3bを構成する磁性
材を初めから変えてもよく、そのような磁性材としては
例えばSiFe層にAl2O3 粒子を含ませたグラニュラー層が
ある。
3bの磁性材料は第1領域3aの磁性材料よりも電気抵
抗が高い材料から形成されている。第1領域3aと第2
領域3bの電気抵抗を変える方法としては、例えば、下
側磁気シールド層3を軟磁性材、例えばパーマロイから
形成する場合には、第1領域3aは軟磁性材のままにす
るとともに、第2領域3bにはカーボン等の元素をイオ
ン注入したり酸化したりすることにより第2領域3bの
電気抵抗率を第1領域3aの電気抵抗率よりも増加させ
る。また、第1領域3aと第2領域3bを構成する磁性
材を初めから変えてもよく、そのような磁性材としては
例えばSiFe層にAl2O3 粒子を含ませたグラニュラー層が
ある。
【0027】以上のような構成を採用すると、下側磁気
シールド層3を通る高周波の磁界による渦電流は第2領
域3bで小さくなって記録磁界の発生効率を高くすると
ともに、第1領域3aを高透磁率のままに維持して磁気
シールド層としての能力の低下を防止できる。そこで、
下側磁気シールド層3の第1領域3aをパーマロイと
し、第2領域3bを電気抵抗率70μΩcmをもつ材料
から形成した共有型の複合磁気ヘッドの周波数特性と従
来の共有型の複合磁気ヘッドの周波数特性とを比較した
ところ、図5の破線で示すような結果が得られた。
シールド層3を通る高周波の磁界による渦電流は第2領
域3bで小さくなって記録磁界の発生効率を高くすると
ともに、第1領域3aを高透磁率のままに維持して磁気
シールド層としての能力の低下を防止できる。そこで、
下側磁気シールド層3の第1領域3aをパーマロイと
し、第2領域3bを電気抵抗率70μΩcmをもつ材料
から形成した共有型の複合磁気ヘッドの周波数特性と従
来の共有型の複合磁気ヘッドの周波数特性とを比較した
ところ、図5の破線で示すような結果が得られた。
【0028】図5の縦軸と横軸は、第1実施形態で説明
したものと同じである。その計算には、渦電流を考慮し
た二次元有限要素法を用いている。また、その長手成分
記録磁界Hx は下側の磁気シールド層3の長手方向の磁
界の成分であって膜厚0.4μmの記録ギャップ層11
の先端から0.08μmの位置における磁界Hx の大き
さを示している。
したものと同じである。その計算には、渦電流を考慮し
た二次元有限要素法を用いている。また、その長手成分
記録磁界Hx は下側の磁気シールド層3の長手方向の磁
界の成分であって膜厚0.4μmの記録ギャップ層11
の先端から0.08μmの位置における磁界Hx の大き
さを示している。
【0029】図5の破線によれば本実施形態による複合
磁気ヘッドは、従来のヘッドに比べて磁極から出力され
る磁界が大きいことが明らかになった。特に、50MH
z以上の高い周波数帯では従来の複合磁気ヘッド縒りも
約10%大きな記録磁界が得られることがわかる。な
お、従来の磁気ヘッドと本実施形態の磁気ヘッドの構造
の相違点は、下側の磁気シールド層の構成材料が異なる
ことだけである。 (第3の実施の形態)第1の実施の形態では、MRヘッ
ド10の下側の磁気シールド層3の全てを電気抵抗の高
い磁性材によって形成したが、その一部を除去してもよ
く、その例を以下に説明する。
磁気ヘッドは、従来のヘッドに比べて磁極から出力され
る磁界が大きいことが明らかになった。特に、50MH
z以上の高い周波数帯では従来の複合磁気ヘッド縒りも
約10%大きな記録磁界が得られることがわかる。な
お、従来の磁気ヘッドと本実施形態の磁気ヘッドの構造
の相違点は、下側の磁気シールド層の構成材料が異なる
ことだけである。 (第3の実施の形態)第1の実施の形態では、MRヘッ
ド10の下側の磁気シールド層3の全てを電気抵抗の高
い磁性材によって形成したが、その一部を除去してもよ
く、その例を以下に説明する。
【0030】図8は、本発明の第3実施の形態の共用型
の複合磁気ヘッドを構成するMRヘッドの平面図、図9
は、その複合磁気ヘッドの平面図であり、これらの図で
は絶縁層が省略されて描かれている。なお、図8、図9
において図1と同じ符号は同じ要素を示している。その
複合磁気ヘッドにおいて、下側磁気シールド層3のうち
上部磁極14と上側磁気シールド層8が接続している領
域よりも後方の領域にはこの領域を左右に分ける切欠部
3dが形成され、その切欠部3dの存在によって下側磁
気シールド層3の平面形状は略U字状になっている。図
8におてI−I線から見たMRヘッド10の断面は、図
10(a) のようになっている。
の複合磁気ヘッドを構成するMRヘッドの平面図、図9
は、その複合磁気ヘッドの平面図であり、これらの図で
は絶縁層が省略されて描かれている。なお、図8、図9
において図1と同じ符号は同じ要素を示している。その
複合磁気ヘッドにおいて、下側磁気シールド層3のうち
上部磁極14と上側磁気シールド層8が接続している領
域よりも後方の領域にはこの領域を左右に分ける切欠部
3dが形成され、その切欠部3dの存在によって下側磁
気シールド層3の平面形状は略U字状になっている。図
8におてI−I線から見たMRヘッド10の断面は、図
10(a) のようになっている。
【0031】このようなMRヘッド10の上に記録ギャ
ップ層11を形成し、さらに下側の有機絶縁層12aを
形成し、さらに渦巻状コイル13を形成すると、図10
(b)に示すような断面形状が得られる。ところで、下側
磁気シールド層3の切欠部3dの両側方の下側磁気シー
ルド層3の上には第1及び第2のリード6a,6bが引
き出されている。また、切欠部3dの縁のうち渦巻状コ
イル13と交差する部分は、渦巻状コイル13との接線
とほぼ直交する形状に形成されている。これによって、
切欠部3dにより生じた凹凸に起因する渦巻状コイル1
3の断線が防止されている。なお、切欠部3dの縁に対
する渦巻状コイル13の接線の角度θが約80℃〜10
0℃の範囲から外れている場合には、経験的に断線が生
じ易いことが実験により明かにされた。したがって、そ
のような大きさの角度を避けるように切欠部3dの縁部
の傾き角度θを決定する必要がある。
ップ層11を形成し、さらに下側の有機絶縁層12aを
形成し、さらに渦巻状コイル13を形成すると、図10
(b)に示すような断面形状が得られる。ところで、下側
磁気シールド層3の切欠部3dの両側方の下側磁気シー
ルド層3の上には第1及び第2のリード6a,6bが引
き出されている。また、切欠部3dの縁のうち渦巻状コ
イル13と交差する部分は、渦巻状コイル13との接線
とほぼ直交する形状に形成されている。これによって、
切欠部3dにより生じた凹凸に起因する渦巻状コイル1
3の断線が防止されている。なお、切欠部3dの縁に対
する渦巻状コイル13の接線の角度θが約80℃〜10
0℃の範囲から外れている場合には、経験的に断線が生
じ易いことが実験により明かにされた。したがって、そ
のような大きさの角度を避けるように切欠部3dの縁部
の傾き角度θを決定する必要がある。
【0032】このような条件で渦巻状コイル13を形成
した後には、図10(c) に示すように、渦巻状コイル1
3を覆う上側の有機絶縁層12bを形成し、さらに上側
及び下側の有機絶縁層12a,12bの一部を貫通して
上側の磁気シールド層8に接続する上部磁極14を上側
の有機絶縁層12aの上に形成することになる。以上の
ような構成を採用すると、下側磁気シールド層3を通る
高周波の磁界による渦電流の総和は切欠部3dの面積だ
け小さくなるので、記録磁界の損失が小さくなって効率
が高くなる。即ち、この切欠部3bは第1及び第2実施
形態と同じように高電気抵抗領域となる。
した後には、図10(c) に示すように、渦巻状コイル1
3を覆う上側の有機絶縁層12bを形成し、さらに上側
及び下側の有機絶縁層12a,12bの一部を貫通して
上側の磁気シールド層8に接続する上部磁極14を上側
の有機絶縁層12aの上に形成することになる。以上の
ような構成を採用すると、下側磁気シールド層3を通る
高周波の磁界による渦電流の総和は切欠部3dの面積だ
け小さくなるので、記録磁界の損失が小さくなって効率
が高くなる。即ち、この切欠部3bは第1及び第2実施
形態と同じように高電気抵抗領域となる。
【0033】そこで、下側磁気シールド層3をパーマロ
イから形成し、その後方の部分に切欠部3dを有する共
有型の複合磁気ヘッドの周波数特性と従来の共有型の複
合磁気ヘッドの周波数特性とを比較したところ、図5の
実線で示すような結果が得られた。図5の計算には、渦
電流を考慮した二次元有限要素法を用いている。また、
その長手成分記録磁界Hx は下側磁気シールド層3の長
手方向の磁界の成分であって膜厚0.4μmの記録ギャ
ップ層11の先端から0.08μmの位置における磁界
Hx の大きさを示している。
イから形成し、その後方の部分に切欠部3dを有する共
有型の複合磁気ヘッドの周波数特性と従来の共有型の複
合磁気ヘッドの周波数特性とを比較したところ、図5の
実線で示すような結果が得られた。図5の計算には、渦
電流を考慮した二次元有限要素法を用いている。また、
その長手成分記録磁界Hx は下側磁気シールド層3の長
手方向の磁界の成分であって膜厚0.4μmの記録ギャ
ップ層11の先端から0.08μmの位置における磁界
Hx の大きさを示している。
【0034】図5の実線によれば本実施形態に係る複合
磁気ヘッドは従来の複合磁気ヘッドに比べて磁極から出
力される記録磁界が大きいことが明らかになり、50M
Hz以上の高い周波数帯では従来よりも5%程度大きい
記録磁界が得られた。なお、特性を比較した従来の複合
磁気ヘッドと本実施形態の複合磁気ヘッドの構造の相違
点は、下側磁気シールド層、リード及び渦巻状コイルの
形状が異なることだけである。 (第4の実施の形態)上記した第1〜第4の実施の形態
では、主に下側の磁気シールド層の構造を従来と相違さ
せた共有型の複合磁気ヘッドについて説明した。そのよ
うな下側磁気シールド層の特徴を、分離型の複合磁気ヘ
ッドにおける上側磁気シールド層について適用してもよ
く、これにより磁極の記録ギャップから記録磁界を効率
よく発生させることが可能になる。
磁気ヘッドは従来の複合磁気ヘッドに比べて磁極から出
力される記録磁界が大きいことが明らかになり、50M
Hz以上の高い周波数帯では従来よりも5%程度大きい
記録磁界が得られた。なお、特性を比較した従来の複合
磁気ヘッドと本実施形態の複合磁気ヘッドの構造の相違
点は、下側磁気シールド層、リード及び渦巻状コイルの
形状が異なることだけである。 (第4の実施の形態)上記した第1〜第4の実施の形態
では、主に下側の磁気シールド層の構造を従来と相違さ
せた共有型の複合磁気ヘッドについて説明した。そのよ
うな下側磁気シールド層の特徴を、分離型の複合磁気ヘ
ッドにおける上側磁気シールド層について適用してもよ
く、これにより磁極の記録ギャップから記録磁界を効率
よく発生させることが可能になる。
【0035】即ち、図11に示すように、MRヘッド1
0Aの上側磁気シールド層8Aの全体を構成する磁性材
として、誘導型ヘッド20Aの上部磁性14B及び下部
磁極14Aを構成する材料よりも電気抵抗が高い材料を
選択する構造とする。また、図12(a) に示すように、
誘導型ヘッド20Aの上部磁極14Bと下部磁極14A
が接続する位置よりも後方に存在するMRヘッド10A
の上側磁気シールド層8Bの第2領域8bの電気抵抗率
をそれより前方の第1領域8aの電気抵抗率よりも高く
する構造とする。さらに、図12(b) に示すように、M
Rヘッド10Aの上側磁気シールド層8Cのうち上部磁
極14Bと下部磁極14Aが接続する位置よりも後方に
上側磁気シールド層8Cを左右に分離する切欠部8Dを
形成し、これによって上側磁気シールド層8Cを略U字
状の平面形状とし、その切欠部8Dを高抵抗領域とす
る。その切欠部8Dの形状は図8の切欠部3dと同じに
する。
0Aの上側磁気シールド層8Aの全体を構成する磁性材
として、誘導型ヘッド20Aの上部磁性14B及び下部
磁極14Aを構成する材料よりも電気抵抗が高い材料を
選択する構造とする。また、図12(a) に示すように、
誘導型ヘッド20Aの上部磁極14Bと下部磁極14A
が接続する位置よりも後方に存在するMRヘッド10A
の上側磁気シールド層8Bの第2領域8bの電気抵抗率
をそれより前方の第1領域8aの電気抵抗率よりも高く
する構造とする。さらに、図12(b) に示すように、M
Rヘッド10Aの上側磁気シールド層8Cのうち上部磁
極14Bと下部磁極14Aが接続する位置よりも後方に
上側磁気シールド層8Cを左右に分離する切欠部8Dを
形成し、これによって上側磁気シールド層8Cを略U字
状の平面形状とし、その切欠部8Dを高抵抗領域とす
る。その切欠部8Dの形状は図8の切欠部3dと同じに
する。
【0036】なお、図11、図12において、符号17
は、MRヘッド10Aと誘導型ヘッド20Aを分離する
ための非磁性絶縁材、例えばAl2O3 よりなる性分離層を
示している。また、図11、図12において、図1と同
じ符号は同じ要素を示している。 (第5の実施の形態)第1〜第4の実施の形態に記載し
た複合磁気ヘッドは、例えば図13に示すような磁気デ
ィスク装置に取り付けられる。
は、MRヘッド10Aと誘導型ヘッド20Aを分離する
ための非磁性絶縁材、例えばAl2O3 よりなる性分離層を
示している。また、図11、図12において、図1と同
じ符号は同じ要素を示している。 (第5の実施の形態)第1〜第4の実施の形態に記載し
た複合磁気ヘッドは、例えば図13に示すような磁気デ
ィスク装置に取り付けられる。
【0037】その磁気ディスク装置40のハウジング内
では、アーム41の先端に上記した構造の複合磁気ヘッ
ド42が取付けられ、そのアーム41は、その先端が磁
気ディスク43上を移動するように取付けられている。
では、アーム41の先端に上記した構造の複合磁気ヘッ
ド42が取付けられ、そのアーム41は、その先端が磁
気ディスク43上を移動するように取付けられている。
【0038】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、複合
磁気ヘッドにおいて、共有型の場合には再生ヘッドの下
部磁気シールド層の少なくとも後方領域の電気抵抗を高
くしたり、後方領域に切欠部を設け、また分離型の場合
には再生ヘッドの上部磁気シールド層の少なくとも後部
領域の電気抵抗を高くしたり、後方領域に切欠部を設け
たので、記録ヘッドから漏洩した高周波磁界がその下の
磁気シールドを通って記録ヘッドに戻る磁路において、
その磁気シールド層の高抵抗領域で発生する渦電流が抑
制されて損失が少なくなり、効率のよい記録磁界を記録
ヘッドから発生させることができる。
磁気ヘッドにおいて、共有型の場合には再生ヘッドの下
部磁気シールド層の少なくとも後方領域の電気抵抗を高
くしたり、後方領域に切欠部を設け、また分離型の場合
には再生ヘッドの上部磁気シールド層の少なくとも後部
領域の電気抵抗を高くしたり、後方領域に切欠部を設け
たので、記録ヘッドから漏洩した高周波磁界がその下の
磁気シールドを通って記録ヘッドに戻る磁路において、
その磁気シールド層の高抵抗領域で発生する渦電流が抑
制されて損失が少なくなり、効率のよい記録磁界を記録
ヘッドから発生させることができる。
【図1】図1は、本発明の第1実施形態に係る共有型の
複合磁気ヘッドの一部を切断した状態を示す斜視図であ
る。
複合磁気ヘッドの一部を切断した状態を示す斜視図であ
る。
【図2】図2は、本発明の第1実施形態に係る共有型の
複合磁気ヘッドを示す断面図である。
複合磁気ヘッドを示す断面図である。
【図3】図3は、本発明の第1実施形態に係る共有型の
複合磁気ヘッドを構成するMRヘッドを示す平面図であ
る。
複合磁気ヘッドを構成するMRヘッドを示す平面図であ
る。
【図4】図4は、本発明の第1実施形態に係る共有型の
複合磁気ヘッドを示す平面図である。
複合磁気ヘッドを示す平面図である。
【図5】図5は、本発明の第1〜第3実施形態に係る共
有型の複合磁気ヘッドの記録磁界と従来の複合磁気ヘッ
ドの記録磁界を比較した記録磁界・記録周波数特性図で
ある。
有型の複合磁気ヘッドの記録磁界と従来の複合磁気ヘッ
ドの記録磁界を比較した記録磁界・記録周波数特性図で
ある。
【図6】図6は、本発明の第2実施形態に係る共有型の
複合磁気ヘッドを示す断面図である。
複合磁気ヘッドを示す断面図である。
【図7】図7は、図6に示した複合磁気ヘッドの下側磁
気シールド層を示す平面図である。
気シールド層を示す平面図である。
【図8】図8は、本発明の第3実施形態に係る共有型の
複合磁気ヘッドを構成するMRヘッドを示す断面図であ
る。
複合磁気ヘッドを構成するMRヘッドを示す断面図であ
る。
【図9】図9は、本発明の第3実施形態に係る共有型の
複合磁気ヘッドを示す平面図である。
複合磁気ヘッドを示す平面図である。
【図10】図10(a) 〜図10(c) は、本発明の第3実
施形態に係る共有型の複合磁気ヘッドの誘導型ヘッドの
製造工程を示す断面図である。
施形態に係る共有型の複合磁気ヘッドの誘導型ヘッドの
製造工程を示す断面図である。
【図11】図11は、本発明の第4実施形態に係る分離
型の複合磁気ヘッドの第1例を示す断面図である。
型の複合磁気ヘッドの第1例を示す断面図である。
【図12】図12(a) は、本発明の第4実施形態に係る
分離型の複合磁気ヘッドの第2例のMRヘッドを示す平
面図、図12(b) は、本発明の第4実施形態の分離型の
複合磁気ヘッドの第3例のMRヘッドを示す平面図であ
る。
分離型の複合磁気ヘッドの第2例のMRヘッドを示す平
面図、図12(b) は、本発明の第4実施形態の分離型の
複合磁気ヘッドの第3例のMRヘッドを示す平面図であ
る。
【図13】図13は、本発明の複合磁気ヘッドを有する
磁気ディスク装置を示す平面図である。
磁気ディスク装置を示す平面図である。
【図14】図14(a),(b) は従来の共有型と分離型の複
合ヘッドを示す断面図である。
合ヘッドを示す断面図である。
1 基板 2 基板保護層 3 下側磁気シールド層 3a 第1領域 3b 第2領域 4 下側非磁性絶縁層 5 磁気抵抗効果素子 6a 第一のリード 6b 第二のリード 7 上側非磁性絶縁層 8,8A,8B,8C 上側磁気シールド層 8D 切欠部 10,10A MRヘッド 11 絶縁性ギャップ層 12 被覆絶縁層 12a,12b 有機絶縁層 13 渦巻状コイル 14,14B 上部磁性 14A 下部磁極 15 磁気記録媒体 20,20A 誘導型ヘッド
Claims (8)
- 【請求項1】基板の上方に形成され且つ後方領域に切欠
部を有する平面略U字状の第一の磁性層と、 前記第一の磁性層の上に形成された第一の非磁性絶縁層
と、 前記切欠部よりも前方の領域において、前記第一の非磁
性絶縁層の上に形成された第二の磁性層と、 前記第二の磁性層の上に形成された第二の非磁性絶縁層
と、 前記第一の磁性層の上方に形成され、一部が前記第二の
非磁性絶縁層内を横切るコイルと、 前記コイルの隙間の一部を通って前記第二の磁性層に接
続され、且つ前記第二の非磁性絶縁層の上に形成された
第三の磁性層と、 前記コイルの前方において前記第三の磁性層と前記第二
の磁性層の間に挟まれる非磁性ギャップ層とを有するこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項2】前記第一の磁性層と前記第二の磁性層の間
の第一の非磁性絶縁内には磁気抵抗効果素子が形成され
ていることを特徴とする請求項1に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項3】前記磁気抵抗効果素子の両側には第一及び
第二のリードが接続され、該第一及び第二のリードは前
記切欠部の両側方の領域まで延びていることを特徴とす
る請求項1記載の磁気ヘッド。 - 【請求項4】前記切欠部の両側の縁線と該縁線に交差す
る前記コイルの接線とがなす角度は、80度から100
度の間の範囲内であることを特徴とする請求項1記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項5】基板の上方に直接又は絶縁層を介して形成
され、且つ少なくとも後方に第一の電気抵抗率の高電気
抵抗領域を有する第一の磁性層と、 前記第一の磁性層の上に形成された第一の非磁性絶縁層
と、 前記高電気抵抗領域よりも前方にあって、前記第一の非
磁性絶縁層の上に形成され、且つ前記第一の電気抵抗率
よりも小さな第二の電気抵抗率の第二の磁性層と、 前記第二の磁性層の上に形成された第二の非磁性絶縁層
と、 前記第二の非磁性絶縁層内を横切り、前記第一の磁性層
の上方に形成されたコイルと、 前記コイルの隙間の一部を通って前記第二の磁性層に接
続され、且つ前記第二の非磁性絶縁層の上に形成された
第三の磁性層と、 前記コイルの前方において前記第三の磁性層と前記第二
の磁性層の間に挟まれる非磁性ギャップ層とを有するこ
とを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項6】第一の電気抵抗率は、前記第二の電気抵抗
率の2倍以上であることを特徴とする請求項5記載の磁
気ヘッド。 - 【請求項7】前記第一の磁性層と前記第二の磁性層の間
には、磁気抵抗効果素子が形成されていることを特徴と
する請求項6に記載の磁気ヘッド。 - 【請求項8】前記基板と前記第一の磁性層の間に形成さ
れた磁気シールド層と、 前記磁気シールド層と前記第一の磁性層の間に形成され
た第四の非磁性絶縁層と、 前記第四の非磁性絶縁層内に形成された磁気抵抗効果素
子とをさらに有することを特徴とする請求項1又は請求
項5に記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245840A JPH1186238A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 磁気ヘッド |
| US09/024,068 US6002555A (en) | 1997-09-10 | 1998-02-17 | Thin film magnetic head |
| DE19806598A DE19806598C2 (de) | 1997-09-10 | 1998-02-18 | Magnetkopf |
| KR1019980007044A KR100263248B1 (ko) | 1997-09-10 | 1998-03-04 | 자기 헤드 |
| CN98106025A CN1094628C (zh) | 1997-09-10 | 1998-03-05 | 磁头 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245840A JPH1186238A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1186238A true JPH1186238A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17139641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9245840A Withdrawn JPH1186238A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | 磁気ヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6002555A (ja) |
| JP (1) | JPH1186238A (ja) |
| KR (1) | KR100263248B1 (ja) |
| CN (1) | CN1094628C (ja) |
| DE (1) | DE19806598C2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH11110717A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Sony Corp | 薄膜単磁極ヘッド |
| JP2000020916A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 誘導型薄膜磁気ヘッド |
| JP3799168B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2006-07-19 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録再生装置 |
| US6633464B2 (en) * | 1998-12-09 | 2003-10-14 | Read-Rite Corporation | Synthetic antiferromagnetic pinned layer with Fe/FeSi/Fe system |
| US6417998B1 (en) * | 1999-03-23 | 2002-07-09 | Read-Rite Corporation | Ultra small advanced write transducer and method for making same |
| US6445537B1 (en) * | 1999-12-02 | 2002-09-03 | Storage Technology Corporation | Protective film for minimization of shield and pole tip recession in thin film shielded read heads and write heads |
| JP2006268947A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド構造 |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
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| US5872693A (en) * | 1993-08-10 | 1999-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thin-film magnetic head having a portion of the upper magnetic core coplanar with a portion of the lower magnetic core |
| JP3344039B2 (ja) * | 1993-11-25 | 2002-11-11 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜磁気抵抗効果型ヘッド |
| JPH07153022A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5438747A (en) * | 1994-03-09 | 1995-08-08 | International Business Machines Corporation | Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips |
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| SG34292A1 (en) * | 1994-12-30 | 1996-12-06 | Ibm | Read/write magnetoresistive (MR) head with sunken components |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP9245840A patent/JPH1186238A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-02-17 US US09/024,068 patent/US6002555A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-18 DE DE19806598A patent/DE19806598C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-04 KR KR1019980007044A patent/KR100263248B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-05 CN CN98106025A patent/CN1094628C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
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| DE19806598C2 (de) | 2001-03-01 |
| KR100263248B1 (ko) | 2000-08-01 |
| DE19806598A1 (de) | 1999-03-11 |
| CN1211028A (zh) | 1999-03-17 |
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| CN1094628C (zh) | 2002-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |