JPH1187115A - チップ部品の製造方法 - Google Patents

チップ部品の製造方法

Info

Publication number
JPH1187115A
JPH1187115A JP9241447A JP24144797A JPH1187115A JP H1187115 A JPH1187115 A JP H1187115A JP 9241447 A JP9241447 A JP 9241447A JP 24144797 A JP24144797 A JP 24144797A JP H1187115 A JPH1187115 A JP H1187115A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
slurry
molding frame
cavity
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9241447A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Inai
雅之 稲井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP9241447A priority Critical patent/JPH1187115A/ja
Publication of JPH1187115A publication Critical patent/JPH1187115A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板切断や基板分割の手法を用いる場合の不
具合を解消して、高品質のチップ部品を安定に得ること
ができるチップ部品の製造方法を提供する。 【解決手段】 単位チップ3に整合した形状を有する複
数のキャビティ1aを備え、且つ焼成時の付加熱によっ
て消失可能な成形枠1を使用し、成形枠のキャビティ1
aに焼成可能なスラリー2を充填した後、スラリー充填
後の成形枠1を焼成温度で加熱してキャビティ1a内の
スラリー2を焼成して単位チップ化すると共に、焼成時
の付加熱によって成形枠1を消失させて単位チップ3を
得るようにしているので、単位チップ3を得るため従来
のようにセラミック基板を切断したり分割する必要がな
く、基板切断や基板分割によって生じていたチッピング
やバリ等の不具合を解消して、所定形状の単位チップ3
を容易且つ高精度で得ることができ、これにより高品質
のチップ抵抗器を製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器等の
チップ部品に好適な製造方法に係り、特に単位チップの
作成手法に改良を加えたチップ部品の製造方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】チップ部品として周知のチップ抵抗器
は、概ね以下のようにして製造されている。
【0003】まず、多数個取りに応じた大きさを備えた
アルミナ磁器等から成るセラミック基板を用意し、該セ
ラミック基板の一面に、銀,ニッケル等の金属粉末にバ
インダ及び溶剤等を混合して調製した電極ペーストを、
スクリーン印刷等の手法を利用して所定の形状及び配列
で塗布し、これをペースト組成に応じた温度で焼き付け
て引出電極を形成する。
【0004】次に、同セラミック基板の一面に、酸化ル
テニウム等の金属粉末にバインダ及び溶剤等を混合して
調製した抵抗ペーストを、スクリーン印刷等の手法を利
用して所定の形状及び配列で塗布、詳しくは、両端部が
前記一対の引出電極と重なるように塗布し、これをペー
スト組成に応じた温度で焼き付けて抵抗膜を形成する。
【0005】次に、引出電極及び抵抗膜を形成したセラ
ミック基板を、該セラミック基板に対して予め設定した
X・Y方向の複数ラインに沿って切断する。この切断に
はダイヤモンドブレード等のカッティングブレードを備
えたダイシング装置が用いられており、切断後の個々の
チップは1つの抵抗膜とこれと導通する一対の引出電極
をその一面に備えたものとなる。
【0006】この後、個々のチップには、各引出電極と
導通するように一対の外部電極が形成され、且つ抵抗膜
と引出電極の一部を覆うように外装膜が形成されて、所
期のチップ抵抗器が製造される。
【0007】ちなみに、個々のチップを得る方法として
は、セラミック基板に予めチップ寸法に合わせて分割溝
を格子状に形成しておき、該セラミック基板に引出電極
と抵抗膜を形成した後にこれを溝に沿って分割して個々
のチップを得る方法も存在する。また、外装膜を基板切
断前または基板分割前に形成しておき、切断または分割
後のチップに外部電極を形成する製造手順も存在する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述のチッ
プ抵抗器に限らず、セラミック基板をカッティングブレ
ードを用いて個々のチップに切断する場合、基板自体の
硬度が高いためにダイヤモンドブレードを用いてもその
切断は容易ではなく、切断条件を適正に設定しないと切
断時の応力によってチッピングや寸法不良を生じる不具
合がある。また、セラミック基板を予め形成された溝に
沿って個々のチップに分割する場合、分割時の応力によ
ってチッピングやバリを生じる頻度が前記の切断に比べ
て高いため、チップ部品の品質が低下し易い不具合があ
る。
【0009】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、基板切断や基板分割の手
法を用いる場合の不具合を解消して、高品質のチップ部
品を安定に得ることができるチップ部品の製造方法を提
供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るチップ部品の製造方法は、請求項1に
記載のように、単位チップに整合した形状を有する複数
のキャビティを備え、且つ焼成時の付加熱によって消失
可能な成形枠を使用し、成形枠のキャビティに焼成可能
なスラリーを充填する工程と、スラリー充填後の成形枠
を焼成温度で加熱してキャビティ内のスラリーを焼成し
て単位チップ化すると共に、焼成時の付加熱によって成
形枠を消失させて単位チップを得る工程とを備えたこと
をその特徴としている。
【0011】また、請求項2に記載のように、単位チッ
プに整合した形状を有する複数のキャビティを備え、且
つ焼成時の付加熱に対して耐熱性を有する成形枠を使用
し、成形枠のキャビティに焼成可能なスラリーを充填す
る工程と、スラリー充填後の成形枠を焼成温度で加熱し
てキャビティ内のスラリーを焼成して単位チップ化する
工程と、成形枠のキャビティから単位チップを取り出す
工程とを備えたことをその特徴としている。
【0012】さらに、請求項3に記載のように、単位チ
ップに整合した形状を有する複数のキャビティを備えた
成形枠を使用し、成形枠のキャビティに自然硬化可能な
スラリーを充填し、該スラリーを硬化させて単位チップ
化する工程と、成形枠のキャビティから単位チップを取
り出す工程とを備えたことをその特徴としている。
【0013】請求項1に記載の製造方法では、成形枠の
キャビティに焼成可能なスラリーを充填した後、スラリ
ー充填後の成形枠全体を焼成温度で加熱してキャビティ
内のスラリーを焼成して単位チップ化すると共に、焼成
時の付加熱によって成形枠を消失させて単位チップを得
ることにより、従来のような基板切断や基板分割の手法
を用いることなく、所定形状の単位チップを容易且つ高
精度で得ることができる。
【0014】また、請求項2に記載の製造方法では、成
形枠のキャビティに焼成可能なスラリーを充填した後、
スラリー充填後の成形枠を焼成温度で加熱してキャビテ
ィ内のスラリーを焼成して単位チップ化し、そして成形
枠のキャビティから単位チップを取り出すことにより、
従来のような基板切断や基板分割の手法を用いることな
く、所定形状の単位チップを容易且つ高精度で得ること
ができる。
【0015】さらに、請求項3に記載の製造方法では、
成形枠のキャビティに自然硬化可能なスラリーを充填
し、該スラリーを硬化させて単位チップ化した後、成形
枠のキャビティから単位チップを取り出すことにより、
従来のような基板切断や基板分割の手法を用いることな
く、所定形状の単位チップを容易且つ高精度で得ること
ができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
[第1実施形態]図1乃至図6は本発明をチップ抵抗器
に適用した第1実施形態に係るもので、以下、同図に従
ってチップ抵抗器の製造手順を説明する。
【0017】製造に際しては、まず、図1に示すような
成形枠1を用意する。この成形枠1は、後述の単位チッ
プ3に整合した形状(図示例では直方体形状)を有する
複数のキャビティ1aを所定の配列で備えている。ま
た、成形枠1は、後述の焼成時の付加熱(アルミナ磁器
の場合は1300〜1500℃)で消失可能な材料、例
えば、前記の焼成温度下での燃焼を可能とした樹脂や木
材等から形成されている。材料の種類に拘わらず、燃焼
負荷が低くなるように成形枠1の肉厚は極力薄くすると
よく、特に樹脂の場合には発泡樹脂(好ましくは表面に
気孔の存在しないもの)を用いると消失を容易に行うこ
とができる。また、木材の場合にはセラミックスラリー
が浸透する恐れがあるので、その表面に樹脂コーティン
グ等を施すとよい。
【0018】次に、図2に示すように、成形枠1のキャ
ビティ1aそれぞれにセラミックスラリー2をほぼ一杯
に充填する。このセラミックスラリー2は、アルミナ等
のセラミック粉末にバインダ及び溶剤等を混合して調製
された周知のものである。
【0019】次に、スラリー充填後の成形枠1を焼成用
加熱炉(図示省略)に投入して、前記セラミックスラリ
ー2の組成に応じた所定の条件によって、キャビティ1
a内のセラミックスラリー2の焼成を行う。また、この
焼成課程では、焼成時の付加熱によって成形枠1が消失
する。つまり、焼成を完了した状態では、図3に示すよ
うに、成形枠1が消失し(実際のものでは多少の残骸は
残る)、焼成後の単位チップ3がキャビティ1aに応じ
た配列で並ぶ。
【0020】次に、複数の単位チップ3を焼成用加熱炉
から取り出して隙間なく整列し、図4に示すように、整
列された各単位チップ3の一面に、銀,ニッケル等の金
属粉末にバインダ及び溶剤等を混合して調製した周知の
電極ペーストを、スクリーン印刷等の手法を利用して所
定の形状及び配列で塗布し、これをペースト組成に応じ
た温度で焼き付けて引出電極4を形成する。
【0021】次に、図5に示すように、整列された各単
位チップ3の同一面に、酸化ルテニウム等の金属粉末に
バインダ及び溶剤等を混合して調製した周知の抵抗ペー
ストを、スクリーン印刷等の手法を利用して所定の形状
及び配列で塗布、詳しくは、両端部が前記一対の引出電
極と重なるように塗布し、これをペースト組成に応じた
温度で焼き付けて抵抗膜5を形成する。
【0022】勿論、前記の引出電極4及び抵抗膜5は、
スパッタリングや電解・無電解メッキ等の薄膜手法によ
って形成することも可能である。
【0023】次に、整列された各単位チップ3をばら
し、図6に示すように、各単位チップ3に対し、引出電
極5と導通するように一対の外部電極6を形成し、且つ
抵抗膜5と引出電極4の一部を覆うように外装膜7を形
成する。外部電極6と外装膜7の形成順序はどちらが先
でもよい。ちなみに、外部電極6は、銀,ニッケル等の
金属粉末にバインダ及び溶剤等を混合して調製した周知
の電極ペーストを、ディップやローラ塗布等の手法を利
用して塗布し、これをペースト組成に応じた温度で焼き
付けることにより作成される。また、外装膜7は、エポ
キシ等のプラスチックやシリコン系等のガラスを主成分
とした周知の外装ペーストを、スクリーン印刷やローラ
塗布や転写等の手法を利用して塗布し、これをペースト
組成に応じた温度で焼き付けることにより作成される。
以上で、図6に示すような縦断面形状を備えたチップ抵
抗器を得ることができる。
【0024】本第1実施形態では、単位チップ3に整合
した形状を有する複数のキャビティ1aを備え、且つ焼
成時の付加熱によって消失可能な成形枠1を使用し、成
形枠のキャビティ1aに焼成可能なスラリー2を充填し
た後、スラリー充填後の成形枠1を焼成温度で加熱して
キャビティ1a内のスラリー2を焼成して単位チップ化
すると共に、焼成時の付加熱によって成形枠1を消失さ
せて単位チップ3を得るようにしているので、単位チッ
プ3を得るため従来のようにセラミック基板を切断した
り分割する必要がなく、基板切断や基板分割によって生
じていたチッピングやバリ等の不具合を解消して、所定
形状の単位チップ3を容易且つ高精度で得ることがで
き、これにより高品質のチップ抵抗器を製造できる。
【0025】尚、前述の第1実施形態では、成形枠1の
キャビティ1aに1種類のセラミックスラリー2を充填
したものを示したが、図7(a)(b)に示すように、
組成の異なる2種類のセラミックスラリー8,9を所定
量ずつ充填すれば、同図(c)に示すように、組成が異
なる2つの層10a,10bを持つ単位チップ10を得
ることができる。同様にして、図8(a)に示すような
3層構造の単位チップ11や、図8(b)に示すような
5層構造の単位チップ12を任意に形成することができ
る。
【0026】このような多層構造の場合に、抵抗膜等が
形成される表面側の一方の層10a,11a,12aを
気孔率の低い緻密なものとし、他方の層10b,11
b,11cを気孔率の高いものとしておけば、抵抗膜等
を高精度に形成できると共に、単位チップ1個当たりの
重量を減らして軽量化を図ることができる。
【0027】[第2実施形態]図9乃至図11は本発明
をチップ抵抗器に適用した第2実施形態に係るもので、
以下、同図に従ってチップ抵抗器の製造手順を説明す
る。
【0028】製造に際しては、まず、図9に示すような
成形枠21を用意する。この成形枠21は、後述の単位
チップ23に整合した形状(図示例では直方体形状)を
有する複数のキャビティ21aを所定の配列で備えてい
る。また、成形枠21は、後述の焼成時の付加熱(アル
ミナ磁器の場合は1300〜1500℃)に対して耐熱
性を有する材料、例えば、前記の焼成温度よりも融点の
高い金属等から形成されている。
【0029】次に、図10に示すように、成形枠21の
キャビティ21aそれぞれにセラミックスラリー22を
ほぼ一杯に充填する。このセラミックスラリー22は、
アルミナ等のセラミック粉末にバインダ及び溶剤等を混
合して調製された周知のものである。
【0030】次に、スラリー充填後の成形枠21を焼成
用加熱炉(図示省略)に投入して、前記セラミックスラ
リー22の組成に応じた所定の条件によって、キャビテ
ィ21a内のセラミックスラリー22の焼成を行う。先
に述べたように、成形枠21は焼成時の付加熱に対して
耐熱性を有しているので、焼成課程で該成型枠21の形
状が崩れるようなことはない。つまり、焼成を完了した
状態では、成形枠21のキャビティ21a内に焼成後の
単位チップ3がそのまま残る。
【0031】次に、焼成用加熱炉から成形枠21を取り
出し、図11に示すように、該成形枠21を逆さにし
て、キャビティ21a内にある焼成後の単位チップ23
を抜き出す。単位チップ23がキャビティ21aの内面
とくっついているような場合でも、成形枠21に捻り力
を加えたり衝撃を与えれば該単位チップ23を簡単に取
り出すことができる。
【0032】次に、成形枠21から抜き出した複数の単
位チップ23を隙間なく整列し、図4と同様に、整列さ
れた各単位チップ23の一面に、引出電極を所定の形状
及び配列で形成する。次に、図5と同様に、整列された
各単位チップ23の同一面に、抵抗膜を所定の形状及び
配列で形成する。勿論、前記の引出電極及び抵抗膜は、
スパッタリングや電解・無電解メッキ等の薄膜手法によ
って形成することも可能である。
【0033】次に、整列された各単位チップ23をばら
し、図6と同様に、各単位チップ3に対し、各引出電極
と導通するように一対の外部電極を形成し、且つ抵抗膜
と引出電極の一部を覆うように外装膜7を形成する。外
部電極と外装膜の形成順序はどちらが先でもよい。以上
で、図6同様の縦断面形状を備えたチップ抵抗器を得る
ことができる。
【0034】本第2実施形態では、単位チップ23に整
合した形状を有する複数のキャビティ21aを備え、且
つ焼成時の付加熱に対して耐熱性を有する成形枠21を
使用し、成形枠21のキャビティ21aに焼成可能なス
ラリー22を充填した後、スラリー充填後の成形枠21
を焼成温度に加熱してキャビティ21a内のスラリー2
2を焼成して単位チップ化し、これを成形枠21のキャ
ビティ21aから取り出すようにしているので、単位チ
ップ23を得るため従来のようにセラミック基板を切断
したり分割する必要がなく、基板切断や基板分割によっ
て生じていたチッピングやバリ等の不具合を解消して、
所定形状の単位チップ23を容易且つ高精度で得ること
ができ、これにより高品質のチップ抵抗器を製造でき
る。
【0035】尚、前述の第2実施形態では、成形枠21
のキャビティ21aに1種類のセラミックスラリー22
を充填したものを示したが、図7及び図8と同様に、組
成の異なる複数種類のセラミックスラリーを所定量ずつ
充填すれば、多層構造の単位チップを簡単に得ることが
できる。
【0036】また、前述の第2実施形態では、焼成後の
単位チップ23を成形枠21のキャビティ21aから取
り出してから、これら単位チップ23に引出電極や抵抗
膜を形成したが、図12に示すように、成形枠21のキ
ャビティ21aから単位チップ23を取り出す前に、キ
ャビティ21a内にある単位チップ23の露出面に引出
電極24や抵抗膜25等を形成するようにしてもよく、
このようにすれば、引出電極や抵抗膜等を形成するため
に単位チップ23を整列させる必要がなく、整列に要す
る治具や装置も省略できる利点がある。
【0037】[第3実施形態]図13及び図14は本発
明をチップ抵抗器に適用した第3実施形態に係るもの
で、以下、同図に従ってチップ抵抗器の製造手順を説明
する。
【0038】製造に際しては、まず、図13に示すよう
な成形枠31を用意する。この成形枠31は、単位チッ
プに整合した形状(図示例では直方体形状)を有する複
数のキャビティ31aを所定の配列で備えている。ま
た、成形枠31には第1,第2実施形態のような物性制
限は特段なく、該成形枠31は樹脂,金属等から任意に
形成することができる。
【0039】次に、図14に示すように、成形枠31の
キャビティ31aそれぞれに自然硬化を可能したスラリ
ー32、例えば、石膏スラリーをほぼ一杯に充填する。
この石膏スラリーは、焼き石膏または無水石膏プラスタ
ーを水で練った周知のものである。
【0040】次に、スラリー充填後の成形枠31を前記
スラリー32の組成に応じた時間だけ放置し、キャビテ
ィ31a内のスラリー32の硬化を行う。つまり、硬化
を完了した状態では、成形枠31のキャビティ31a内
に焼成後の単位チップがそのまま残る。
【0041】次に、図11と同様に、成形枠31を逆さ
にして、キャビティ31a内にある硬化後の単位チップ
を抜き出す。
【0042】次に、成形枠31から抜き出した複数の単
位チップを隙間なく整列し、図4と同様に、整列された
各単位チップの一面に、引出電極を所定の形状及び配列
で形成する。次に、図5と同様に、整列された各単位チ
ップの同一面に、抵抗膜を所定の形状及び配列で形成す
る。勿論、前記の引出電極及び抵抗膜は、スパッタリン
グや電解・無電解メッキ等の薄膜手法によって形成する
ことも可能である。
【0043】次に、整列された各単位チップをばらし、
図6と同様に、各単位チップに対し、各引出電極と導通
するように一対の外部電極を形成し、且つ抵抗膜と引出
電極の一部を覆うように外装膜を形成する。外部電極と
外装膜の形成順序はどちらが先でもよい。以上で、図6
同様の縦断面形状を備えたチップ抵抗器を得ることがで
きる。
【0044】本第3実施形態では、単位チップに整合し
た形状を有する複数のキャビティ31aを備えた成形枠
31を使用し、成形枠31のキャビティ31aに自然硬
化可能なスラリー32を充填した後、キャビティ31a
内のスラリー32を硬化させて単位チップ化し、これを
成型枠31のキャビティ31aから取り出すようにして
いるので、単位チップを得るため従来のようにセラミッ
ク基板を切断したり分割する必要がなく、基板切断や基
板分割によって生じていたチッピングやバリ等の不具合
を解消して、所定形状の単位チップを容易且つ高精度で
得ることができ、これにより高品質のチップ抵抗器を製
造できる。
【0045】尚、前述の第3実施形態では、成形枠31
のキャビティ31aに1種類のセラミックスラリー32
を充填したものを示したが、図7及び図8と同様に、組
成の異なる複数種類のセラミックスラリーを所定量ずつ
充填すれば、多層構造の単位チップを簡単に得ることが
できる。
【0046】また、前述の第3実施形態では、硬化後の
単位チップを成形枠31のキャビティ31aから取り出
してから、これら単位チップに引出電極や抵抗膜を形成
したが、図12と同様に、成形枠31のキャビティ31
aから単位チップを取り出す前に、キャビティ31a内
にある単位チップの露出面に引出電極や抵抗膜等を形成
するようにしてもよく、このようにすれば、引出電極や
抵抗膜等を形成するために単位チップを整列させる必要
がなく、整列に要する治具や装置も省略できる利点があ
る。
【0047】以上、前述の各実施形態では何れもチップ
抵抗器に本発明を適用したものを示したが、本発明はチ
ップ抵抗器以外のチップ部品、例えば、回路構成部が平
面形状を有するインダクタやジャンパ等にも広く適用で
き、同様の効果を得ることができる。
【0048】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
単位チップを得るため従来のようにセラミック基板を切
断したり分割する必要がなく、基板切断や基板分割によ
って生じていたチッピングやバリ等の不具合を解消し
て、所定形状の単位チップを容易且つ高精度で得ること
ができ、これにより高品質のチップ部品を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る成形枠の斜視図
【図2】成形枠にスラリーを充填した状態を示す斜視図
【図3】焼成によって型枠が消失して単位チップのみが
残った状態を示す斜視図
【図4】単位チップに引出電極を形成した状態を斜視図
【図5】単位チップに抵抗膜を形成した状態を示す斜視
【図6】単位チップに外部電極と外装膜を形成した状態
を示す縦断面図
【図7】他のスラリー充填方法と、同方法に準じて得ら
れた多層構造の単位チップの縦断面図
【図8】図7に示した以外の多層構造の単位チップの縦
断面図
【図9】本発明の第2実施形態に係る成形枠の斜視図
【図10】成形枠にスラリーを充填した状態を示す斜視
【図11】成形枠から単位チップを取り出した状態を示
す斜視図
【図12】成形枠のキャビティ内にある単位チップに引
出電極及び抵抗膜を形成した状態を示す斜視図
【図13】本発明の第3実施形態に係る成形枠の斜視図
【図14】成形枠にスラリーを充填した状態を示す斜視
【符号の説明】
1…成形枠、1a…キャビティ、2…スラリー、3…単
位チップ、4…引出電極、5…抵抗膜、6…外部電極、
7…保護膜、8,9…スラリー、10,11,12…単
位チップ、21…成形枠、21a…キャビティ、22…
スラリー、23…単位チップ、24…引出電極、25…
抵抗膜、31…成形枠、31a…キャビティ、32…ス
ラリー。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定形状の単位チップを得る工程の少な
    くとも前または後の工程で、単位チップに対応した回路
    構築用の各種膜を形成するチップ部品の製造方法におい
    て、 単位チップに整合した形状を有する複数のキャビティを
    備え、且つ焼成時の付加熱によって消失可能な成形枠を
    使用し、 成形枠のキャビティに焼成可能なスラリーを充填する工
    程と、 スラリー充填後の成形枠を焼成温度で加熱してキャビテ
    ィ内のスラリーを焼成して単位チップ化すると共に、焼
    成時の付加熱によって成形枠を消失させて単位チップを
    得る工程とを備えた、 ことを特徴とするチップ部品の製造方法。
  2. 【請求項2】 所定形状の単位チップを得る工程の少な
    くとも前または後の工程で、単位チップに対応した回路
    構築用の各種膜を形成するチップ部品の製造方法におい
    て、 単位チップに整合した形状を有する複数のキャビティを
    備え、且つ焼成時の付加熱に対して耐熱性を有する成形
    枠を使用し、 成形枠のキャビティに焼成可能なスラリーを充填する工
    程と、 スラリー充填後の成形枠を焼成温度で加熱してキャビテ
    ィ内のスラリーを焼成して単位チップ化する工程と、 成形枠のキャビティから単位チップを取り出す工程とを
    備えた、 ことを特徴とするチップ部品の製造方法。
  3. 【請求項3】 所定形状の単位チップを得る工程の少な
    くとも前または後の工程で、単位チップに対応した回路
    構築用の各種膜を形成するチップ部品の製造方法におい
    て、 単位チップに整合した形状を有する複数のキャビティを
    備えた成形枠を使用し、 成形枠のキャビティに自然硬化可能なスラリーを充填
    し、該スラリーを硬化させて単位チップ化する工程と、 成形枠のキャビティから単位チップを取り出す工程とを
    備えた、 ことを特徴とするチップ部品の製造方法。
  4. 【請求項4】 成形枠のキャビティから単位チップを取
    り出す工程の前に、キャビティ内にある単位チップの露
    出面に回路構築用の各種膜の一部を形成する工程を備え
    た、 ことを特徴とする請求項2または3記載のチップ部品の
    製造方法。
JP9241447A 1997-09-05 1997-09-05 チップ部品の製造方法 Withdrawn JPH1187115A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9241447A JPH1187115A (ja) 1997-09-05 1997-09-05 チップ部品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9241447A JPH1187115A (ja) 1997-09-05 1997-09-05 チップ部品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1187115A true JPH1187115A (ja) 1999-03-30

Family

ID=17074450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9241447A Withdrawn JPH1187115A (ja) 1997-09-05 1997-09-05 チップ部品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1187115A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006121053A (ja) * 2004-09-14 2006-05-11 Stmicroelectronics Sa 電子部品のための薄いガラスチップ及びその製造方法
JP2006173159A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ部品の製造方法
US8426249B2 (en) 2004-12-13 2013-04-23 Panasonic Corporation Chip part manufacturing method and chip parts

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006121053A (ja) * 2004-09-14 2006-05-11 Stmicroelectronics Sa 電子部品のための薄いガラスチップ及びその製造方法
JP2006173159A (ja) * 2004-12-13 2006-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ部品の製造方法
US8426249B2 (en) 2004-12-13 2013-04-23 Panasonic Corporation Chip part manufacturing method and chip parts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3716783B2 (ja) セラミック多層基板の製造方法及び半導体装置
US7004984B2 (en) Method of producing ceramic multilayer substrate
EP0535995B1 (en) Method of manufacturing electronic components
JPH08139230A (ja) セラミック回路基板とその製造方法
JPH1187115A (ja) チップ部品の製造方法
JPH08236393A (ja) 積層セラミックコンデンサーの製造方法
JP2955442B2 (ja) セラミックス回路基板の製造方法
JP2004319706A (ja) 導体ペースト並びに多層基板及びその製造方法
US6846375B2 (en) Method of manufacturing multilayer ceramic wiring board and conductive paste for use
JP2006120779A (ja) 多層基板及びその製造方法
JP3162539B2 (ja) 導体ペーストによって導体を形成したセラミック配線基板の製造方法
JP2006173240A (ja) セラミック基板の製造方法
KR20060099859A (ko) 기판의 치수변형을 최소화할 수 있는 ltcc기판의제조방법 및 이로부터 제조된 ltcc기판
JPH0834341B2 (ja) 厚膜抵抗体付回路基板の製造方法
JP5397539B2 (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法
KR100940375B1 (ko) 서지 흡수기 및 그의 제조방법
TW555721B (en) Manufacturing method of low temperature cofired ceramic
JP2681328B2 (ja) 回路基板の製造方法
JP4552367B2 (ja) 低温焼成セラミック基板の製造方法
JPH1187102A (ja) チップ部品用セラミック基板及びその製造方法
JP2021190636A (ja) 電気検査用基板
JP2023151388A (ja) 多数個取りセラミック基板、及びその製造方法
JP2512570B2 (ja) 異方導電性セラミックス複合体の製造方法
JP2001308524A (ja) 配線基板の製造方法
JPH0521930A (ja) 回路基板およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041207