JPH1190969A

JPH1190969A - モールド方法およびモールド装置ならびに半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH1190969A
Application number: JP25631297A
Authority: JP
Inventors: Yasuhito Kimura; 靖仁木村; Yasuhiko Kurokawa; 泰彦黒川
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1997-09-22
Filing date: 1997-09-22
Publication date: 1999-04-06

Abstract

(57)【要約】【課題】封止樹脂を成型するキャビティにおける温度
分布の偏りや変動をなくして成型不良の発生を防止す
る。【解決手段】下型キャビティブロック４１（上型キャ
ビティブロック４２）を、上型キャビティブロック４２
（下型キャビティブロック４１）に対する対向面に複数
のキャビティ４１ａ（キャビティ４２ａ）が刻設された
型面部材４１ｂ（型面部材４２ｂ）と、上部開口端が型
面部材４１ｂ（型面部材４２ｂ）にて密閉された箱状の
外殻４１ｃ（外殻４２ｃ）とし、外殻４１ｃ（外殻４２
ｃ）の内部空間に伝熱流体４１ｄ（伝熱流体４２ｄ）を
充満させ、ヒータ４１ｅ（ヒータ４２ｅ）にて伝熱流体
４１ｄ（伝熱流体４２ｄ）を加熱することにより、伝熱
流体４１ｄ（伝熱流体４２ｄ）の対流にて、型面部材４
１ｂ（キャビティ４１ａ）（型面部材４２ｂ（キャビテ
ィ４２ａ））の全体を均一な所定の成型温度に加熱す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、モールド技術およ
び半導体装置の製造技術に関し、特に、たとえば比較的
大型の樹脂封止パッケージの成型等に適用して有効な技
術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程では、所望の機能
を有する半導体ペレット（素子）を環境から保護するた
めに成型樹脂で封止してパッケージを構成することが行
われている。

【０００３】このパッケージの成型方法としては、たと
えば、日刊工業新聞社、１９９４年１１月３０日、第３
版１刷発行、日本半導体製造装置協会編「半導体製造装
置用語辞典」Ｐ２６４〜Ｐ２６９等の文献にも記載され
ているように、従来、パッケージの形状のキャビティが
刻設されたキャビティブロックの合わせ面の間に半導体
ペレットを搭載したリードフレームを挟み込み、キャビ
ティ内部の中央部に位置する半導体ペレットの周囲の空
間に熱硬化性樹脂を充填してパッケージを成型すること
が行われていた。この場合、封止樹脂を硬化させる等の
目的でキャビティブロックを所定の成型温度に加熱する
必要があり、従来では、キャビティブロックの内部に棒
状のヒータを貫通して組み込むことが一般に行われてい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術のよう
に、キャビティブロックの内部に棒状ヒータを組み込む
方法では、当該キャビティブロックの温度分布を所定の
温度に均一に制御することが困難であった。

【０００５】特に、たとえば成型されるパッケージが大
型化し、キャビティブロックに形成されるキャビティの
寸法が大きくなると、個々のキャビティ内部の温度分布
に偏りが発生しやすく、樹脂の充填不足や、半導体ペレ
ット（を搭載したリードフレームのタブ）の位置がキャ
ビティ中心から厚さ方向に変動し、半導体ペレットの周
囲の封止樹脂の厚さに偏りが発生するタブ変動、等の成
型不良が発生する、という技術的課題があった。

【０００６】本発明の目的は、封止樹脂を成型するキャ
ビティにおける温度分布の偏りや変動をなくして成型不
良の発生を防止することが可能なモールド技術を提供す
ることにある。

【０００７】本発明の他の目的は、封止工程における成
型不良の発生を防止して、半導体装置の組立工程におけ
る歩留りを向上させることが可能な半導体装置の製造技
術を提供することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１０】本発明は、金型のキャビティに充填されて
成型される樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド
方法において、キャビティを構成する金型部材を流体を
介して所望の温度に加熱するものである。

【００１１】また、金型のキャビティに充填されて成型
される樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド方法
において、キャビティを構成する金型部材を少なくとも
一つの板状ヒータを用いて所望の温度に加熱するもので
ある。

【００１２】また、金型のキャビティに充填されて成型
される樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド方法
において、キャビティを構成する金型部材の周囲の少な
くとも一部を断熱部材にて覆うものである。

【００１３】また、金型のキャビティに充填されて成型
される樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド方法
において、キャビティを構成する金型部材においてキャ
ビティ部分を選択的に所望の温度に加熱するものであ
る。

【００１４】上記した本発明によれば、たとえば対流に
よって温度が均一化しやすい流体を介してキャビティが
加熱されるので、キャビティ（型面）の加熱を均一に行
うことができる。また、板状ヒータを用いてキャビティ
を構成する金型部材を加熱することにより、キャビティ
の加熱を均一に行うことができる。また、キャビティを
構成する金型部材の周囲の少なくとも一部を断熱部材に
て覆うことにより、キャビティの温度分布を均一化でき
る。また、キャビティを構成する金型部材においてキャ
ビティ部分を選択的に所望の温度に加熱することによ
り、キャビティの温度分布を均一化できる。

【００１５】これにより、キャビティ（型面）の加熱温
度の偏りや変動等に起因する成型不良を確実に防止する
ことができる。従って、このような本発明のモールド技
術を半導体装置の製造工程における封止組立工程に採用
することにより、半導体装置の歩留りを向上させること
が可能になる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。

【００１７】（実施の形態１）図１は、本発明の一実施
の形態である半導体装置の製造方法およびモールド方法
が実施されるモールド装置の構成の一例を示す断面図で
あり、図２は、その一部を取り出して示す平面図であ
る。なお、図１は、図２の線Ｉ−Ｉにて示される部分の
断面を示している。

【００１８】本実施の形態のモールド装置は、上下方向
に対向する下型チェイス１０と上型チェイス２０からな
る成型金型を備えており、下型チェイス１０および上型
チェイス２０は、図示しないプレス機構等によって互い
に独立に上下動することが可能になっている。

【００１９】下型チェイス１０は、カル１１ａおよびラ
ンナ１１ｂが形成された下型センタブロック１１と、下
型キャビティブロック４１と、これらを一体に保持する
ホルダ１２からなる。

【００２０】上型チェイス２０は、カル１１ａに対応す
る位置にプランジャ２１ｂが圧入されるポット２１ａが
形成された上型センタブロック２１と、上型キャビティ
ブロック４２と、これらを一体に保持するホルダ２２か
らなる。

【００２１】下型キャビティブロック４１は、上型キャ
ビティブロック４２に対する対向面に複数のキャビティ
４１ａ、および個々のキャビティ４１ａを、下型センタ
ブロック１１のランナ１１ｂに連通させるサブランナ３
１およびゲート３２と、キャビティ４１ａから空気を逃
がす働きをするエアベント３３と、リードフレーム８０
が収容されて位置決めされる凹部３４等が刻設された型
面部材４１ｂと、上部開口端がこの型面部材４１ｂにて
密閉された箱状の外殻４１ｃとからなる。

【００２２】この場合、外殻４１ｃと型面部材４１ｂで
構成される密閉空間の内部には、伝熱流体４１ｄが充満
されているとともに、複数のキャビティ４１ａの配列方
向に貫通するように、棒状のヒータ４１ｅが設けられて
いる。そして、この棒状のヒータ４１ｅから発生する熱
は、伝熱流体４１ｄの対流等によって型面部材４１ｂに
伝達され、キャビティ４１ａが均一に加熱される構成と
なっている。

【００２３】上型キャビティブロック４２は、下型キャ
ビティブロック４１に対する対向面に個々のキャビティ
４１ａに重なり合う位置に複数のキャビティ４２ａが刻
設された型面部材４２ｂと、上部開口端がこの型面部材
４２ｂにて密閉された箱状の外殻４２ｃとからなる。

【００２４】この場合、外殻４２ｃと型面部材４２ｂで
構成される密閉空間の内部には、伝熱流体４２ｄが充満
されているとともに、複数のキャビティ４２ａの配列方
向に貫通するように、棒状のヒータ４２ｅが設けられて
いる。そして、この棒状のヒータ４２ｅから発生する熱
は、伝熱流体４２ｄの対流等によって型面部材４２ｂに
伝達され、キャビティ４２ａが均一に加熱される構成と
なっている。

【００２５】伝熱流体４１ｄおよび伝熱流体４２ｄは、
必要な成型温度（たとえば１７５±５℃）に応じて、伝
熱特性、沸点、不燃性等の物性が最適な流体を選択して
用いる。具体的には、一例として、鉱物油や低融点の金
属や合金等からなる溶融金属等を用いることが考えられ
る。

【００２６】型面部材４１ｂおよび型面部材４２ｂは、
たとえば工具鋼（ＳＫＨ５５）等の耐摩耗性の高い素材
にて構成されている。外殻４１ｃおよび外殻４２ｃは、
断熱部材を用いることができる。

【００２７】リードフレーム８０は、その中央部に設け
られたタブ８１に、所望の機能を有する半導体ペレット
８２を搭載しており、タブ８１を取り囲むように配置さ
れた複数のリード８３の各々と、半導体ペレット８２の
図示しないボンディングパッドとが、図示しないボンデ
ィングワイヤにて電気的に接続されている。

【００２８】また、上型センタブロック２１のポット２
１ａには、後述のように、所望の温度に予熱された封止
樹脂塊であるタブレット９０が投入される。

【００２９】以下、本実施の形態の半導体装置の製造方
法およびモールド方法が実施されるモールド装置の作用
の一例を説明する。

【００３０】まず、待機状態では、予め、下型キャビテ
ィブロック４１および上型キャビティブロック４２は、
ヒータ４１ｅおよび伝熱流体４１ｄ、ヒータ４２ｅおよ
び伝熱流体４２ｄを作動させることによって所定の成型
温度に予熱されている。この時、ヒータ４１ｅおよび４
２ｅの熱は、伝熱流体４１ｄ、４２ｄの対流によって、
型面部材４１ｂ、４２ｂに均一に伝達されるので、キャ
ビティ４１ａおよび４２ａは、所定の成型温度に均一に
加熱される。

【００３１】同様に、下型センタブロック１１および上
型センタブロック２１も図示しないヒータにて所望の成
型温度に予熱されている。

【００３２】この状態で、下型チェイス１０と上型チェ
イス２０を離間させ、下型キャビティブロック４１の凹
部３４に、リードフレーム８０をセットした後、下型チ
ェイス１０と上型チェイス２０とを密着させる型締めを
行う。この状態が、図１である。

【００３３】その後、ポット２１ａに予熱されたタブレ
ット９０を投入して、プランジャ２１ｂで加圧すると、
タブレット９０は、流動状態となって、ランナ１１ｂ、
サブランナ３１、ゲート３２を経由して、中央の半導体
ペレット８２を取り囲むキャビティ４１ａおよびキャビ
ティ４２ａに流入し、キャビティ４１ａおよびキャビテ
ィ４２ａ内の空気はエアベント３３を通じて外部に排出
され、半導体ペレット８２の周囲のキャビティ４１ａお
よびキャビティ４２ａには、成型樹脂が充填される。

【００３４】この時、本実施の形態の場合には、キャビ
ティ４１ａ（型面部材４１ｂ）およびキャビティ４２ａ
（型面部材４２ｂ）が、伝熱流体４１ｄおよび伝熱流体
４２ｄを介して均一に加熱されているので、たとえば、
キャビティ４１ａ（型面部材４１ｂ）およびキャビティ
４２ａ（型面部材４２ｂ）における温度分布の偏りや変
動等に起因する樹脂の充填不足や、タブ変動等の樹脂封
止欠陥の発生が回避され、良好な樹脂封止結果を得るこ
とができる。特に温度分布の偏りが発生しやすいサイズ
の大きな樹脂パッケージの半導体装置等の封止に適用し
て効果が大きい。

【００３５】半導体ペレット８２の周囲のキャビティ４
１ａおよびキャビティ４２ａに充填された樹脂は、所定
のキュアタイムを経ることによって熱硬化し、その後、
下型チェイス１０と上型チェイス２０を離間させ、図示
しないエジェクタピン等を作動させることによって、成
型済のリードフレーム８０は、下型チェイス１０および
上型チェイス２０の型面部材４１ｂおよび型面部材４２
ｂから離型され、後の図示しないバリ取り工程や、リー
ド切断成型工程等を経て、最終的な製品である半導体装
置となる。

【００３６】このように、本実施の形態の半導体装置の
製造方法によれば、樹脂封止工程における封止欠陥の発
生が減少するので、半導体装置の歩留りが向上する。

【００３７】（実施の形態２）図３は、本発明の他の実
施の形態であるモールド装置の断面図である。なお、前
述の図１および図２に例示された構成と共通の部分につ
いては、同一の符号を付して説明は割愛する。

【００３８】この実施の形態２の場合には、下型キャビ
ティブロック４１および上型キャビティブロック４２の
各々の、型面部材４１ｂおよび型面部材４２ｂを除く外
周部を断熱材４１ｆおよび断熱材４２ｆにてそれぞれ覆
う構成としたものである。

【００３９】これにより、ヒータ４１ｅおよび４２ｅの
熱を、キャビティ４１ａ（型面部材４１ｂ）およびキャ
ビティ４２ａ（型面部材４２ｂ）の加熱により有効に利
用できるとともに、下型キャビティブロック４１および
上型キャビティブロック４２の各々からの不均一な熱放
散等に起因するキャビティ４１ａ（型面部材４１ｂ）お
よびキャビティ４２ａ（型面部材４２ｂ）の温度分布の
偏りや変動を防止でき、良好な樹脂封止結果を得ること
ができる。

【００４０】（実施の形態３）図４は、本発明のさらに
他の実施の形態であるモールド装置の断面図である。な
お、前述の図１および図２に例示された構成と共通の部
分については、同一の符号を付して説明は割愛する。

【００４１】この実施の形態３においては、下型キャビ
ティブロック４１および上型キャビティブロック４２の
各々の加熱手段として、上述の棒状のヒータ４１ｅおよ
び４２ｅの代わりに、下型キャビティブロック４１およ
び上型キャビティブロック４２の各々の型面部材４１ｂ
および型面部材４２ｂを除く外周部に、複数セクション
からなる板状ヒータ４１ｇおよび板状ヒータ４２ｇをそ
れぞれ設置し、伝熱流体４１ｄおよび伝熱流体４２ｄを
介して、キャビティ４１ａ（型面部材４１ｂ）およびキ
ャビティ４２ａ（型面部材４２ｂ）の加熱を行うように
したものである。

【００４２】この場合には、熱源が平面であるととも
に、複数セクションからなる板状ヒータ４１ｇおよび複
数セクションからなる板状ヒータ４２ｇの各セクション
の発熱温度を個別に制御することにより、伝熱流体４１
ｄおよび伝熱流体４２ｄを介したキャビティ４１ａ（型
面部材４１ｂ）およびキャビティ４２ａ（型面部材４２
ｂ）の加熱をより均一に行うことができる、という利点
がある。また、棒状のヒータを用いる場合に比較して省
スペースとなる。なお、複数セクションからなる板状ヒ
ータ４１ｇおよび複数セクションからなる板状ヒータ４
２ｇの各々の外側に図３に例示したような断熱材を配置
して保温してもよいことは言うまでもない。

【００４３】（実施の形態４）図５は、本発明のさらに
他の実施の形態であるモールド装置の断面図である。な
お、前述の図１および図２に例示された構成と共通の部
分については、同一の符号を付して説明は割愛する。

【００４４】この実施の形態４の場合、下型キャビティ
ブロック５１は、中実な、たとえば工具鋼（ＳＫＨ５
５）等の耐摩耗性の高い素材にて構成され、その型面５
１ｂに所望の形状のキャビティ５１ａ、サブランナ３
１、ゲート３２、エアベント３３、リードフレーム８０
が収容される凹部３４等が刻設されている。そして、下
型キャビティブロック５１における型面５１ｂ以外の外
周部には、複数セクションからなる板状ヒータ５１ｇが
配置され、下型キャビティブロック５１の外周全体か
ら、型面５１ｂのキャビティ５１ａの加熱を行う構造と
なっている。複数セクションからなる板状ヒータ５１ｇ
の各セクションは、独立に発熱温度の制御が可能であ
る。

【００４５】同様に、上型キャビティブロック５２は、
中実な、たとえば工具鋼（ＳＫＨ５５）等の耐摩耗性の
高い素材にて構成され、その型面５２ｂには、下型キャ
ビティブロック５１のキャビティ５１ａに重なり合う位
置に所望の形状のキャビティ５２ａ、等が刻設されてい
る。そして、上型キャビティブロック５２における型面
５２ｂ以外の外周部には、複数セクションからなる板状
ヒータ５２ｇが配置され、上型キャビティブロック５２
の外周全体から、型面５２ｂのキャビティ５２ａの加熱
を行う構造となっている。複数セクションからなる板状
ヒータ５２ｇの各セクションは、独立に発熱温度の制御
が可能である。

【００４６】このように、本実施の形態４の場合には、
中実な下型キャビティブロック５１および上型キャビテ
ィブロック５２の各々の外周部を取り囲むように配置さ
れた複数セクションからなる板状ヒータ５１ｇおよび複
数セクションからなる板状ヒータ５２ｇにて、下型キャ
ビティブロック５１および上型キャビティブロック５２
の各々の加熱を行う構成であるため、加熱効率が向上す
るとともに、キャビティ５１ａ（型面５１ｂ）およびキ
ャビティ５２ａ（型面５２ｂ）の加熱温度の均一化を実
現することができ、温度分布の偏りや変動等に起因する
樹脂成型不良の発生を確実に防止することができ、樹脂
封止工程での歩留りが向上する。

【００４７】（実施の形態５）図６は、本発明のさらに
他の実施の形態であるモールド装置の断面図である。な
お、前述の図１および図２に例示された構成と共通の部
分については、同一の符号を付して説明は割愛する。

【００４８】この実施の形態５の場合には、図５に例示
される前述の実施の形態４における複数セクションから
なる板状ヒータ５１ｇおよび複数セクションからなる板
状ヒータ５２ｇの代わりに、下型キャビティブロック５
１および上型キャビティブロック５２の各々の内部に軸
方向（図６の紙面に垂直な方向に）に埋め込まれた棒状
のヒータ５１ｅおよび棒状のヒータ５２ｅを配置するこ
とによって、下型キャビティブロック５１および上型キ
ャビティブロック５２の各々の加熱を行う構成となって
いる。

【００４９】また、この場合、下型キャビティブロック
５１および上型キャビティブロック５２の各々におい
て、型面５１ｂおよび型面５２ｂを除く外周部は、断熱
材５１ｆおよび断熱材５２ｆにて覆われる構成としてい
る。

【００５０】このように、断熱材５１ｆおよび断熱材５
２ｆにて下型キャビティブロック５１および上型キャビ
ティブロック５２の各々を覆うことにより、加熱効率が
向上するとともに、キャビティ５１ａ（型面５１ｂ）お
よびキャビティ５２ａ（型面５２ｂ）の加熱温度の均一
化を実現することができ、温度分布の偏りや変動等に起
因する樹脂成型不良の発生を確実に防止することがで
き、樹脂封止工程での歩留りが向上する。

【００５１】（実施の形態６）図７は、本発明のさらに
他の実施の形態であるモールド装置の断面図である。な
お、前述の図１および図２に例示された構成と共通の部
分については、同一の符号を付して説明は割愛する。

【００５２】この実施の形態６の場合、下型キャビティ
ブロック６１は、たとえば工具鋼（ＳＫＨ５５）等の耐
摩耗性の高い素材からなる板状の型面部材６１ｂに所望
の形状のキャビティ６１ａ、サブランナ３１、ゲート３
２、エアベント３３、リードフレーム８０が収容される
凹部３４等が刻設されている。そして、型面部材６１ｂ
の背面には当該型面部材６１ｂの平面に沿って配置され
た板状ヒータ６１ｇと、この板状ヒータ６１ｇの背面を
さらに覆う断熱材６１ｆが設けられ、板状ヒータ６１ｇ
にて、下型キャビティブロック６１の型面部材６１ｂ
（キャビティ６１ａ）の加熱を行うとともに、断熱材６
１ｆにて型面部材６１ｂの保温が行われる構造となって
いる。

【００５３】同様に、上型キャビティブロック６２は、
たとえば工具鋼（ＳＫＨ５５）等の耐摩耗性の高い素材
からなる板状の型面部材６２ｂに所望の形状のキャビテ
ィ６２ａが刻設されている。そして、型面部材６２ｂの
背面には当該型面部材６２ｂの平面に沿って配置された
板状ヒータ６２ｇと、この板状ヒータ６２ｇの背面をさ
らに覆う断熱材６２ｆが設けられ、板状ヒータ６２ｇに
て、上型キャビティブロック６２の型面部材６２ｂ（キ
ャビティ６２ａ）の加熱を行うとともに、断熱材６２ｆ
にて型面部材６２ｂの保温が行われる構造となってい
る。

【００５４】このように、板状の型面部材６１ｂおよび
型面部材６２ｂを板状ヒータ６１ｇおよび板状ヒータ６
２ｇにて加熱するので、型面部材６１ｂ（キャビティ６
１ａ）および型面部材６２ｂ（キャビティ６２ａ）の全
体を均一な温度に加熱することができ、温度分布の偏り
や変動等に起因する樹脂成型不良の発生を確実に防止す
ることができ、樹脂封止工程での歩留りが向上する。

【００５５】また、板状ヒータ６１ｇおよび板状ヒータ
６２ｇを用いることにより、金型全体の厚さ寸法の低減
による省スペース効果も得られる。

【００５６】なお、簡単のため、板状ヒータ６１ｇおよ
び板状ヒータ６２ｇの各々を単一体で図示してあるが、
板状ヒータ６１ｇおよび板状ヒータ６２ｇの各々を、平
面方向に複数のセクションに分割した構成とし、各セク
ションの温度を独立に制御可能な構成としてもよい。

【００５７】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５８】たとえば、伝熱流体の加熱方法としては、
型内に設けられた熱源を用いることに限らず、たとば、
外部に設けられた熱源と金型とを伝熱流体が流通する配
管で接続し、キャビティブロック内部に、外部の熱源に
て所定温度に制御された流体を流通させることで、キャ
ビティブロックの加熱を行う構成としてもよい。その場
合、キャビティブロックは、単純な箱状に限らず、たと
えば中実のブロック体の内部に流体通路が任意の経路に
て穿設された、いわゆるマニホールド形状等、任意の形
状にすることができる。

【００５９】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である半導
体装置の製造工程におけるモールド工程に適用した場合
を例に採って説明したが、樹脂成型を必要とする一般の
技術に広く適用することが可能である。

【００６０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００６１】本発明のモールド方法によれば、封止樹脂
を成型するキャビティにおける温度分布の偏りや変動を
なくして成型不良の発生を防止することができる、とい
う効果が得られる。

【００６２】本発明のモールド装置によれば、封止樹脂
を成型するキャビティにおける温度分布の偏りや変動を
なくして成型不良の発生を防止することができる、とい
う効果が得られる。

【００６３】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、封止工程における成型不良の発生を防止して、半
導体装置の組立工程における歩留りを向上させることが
できる、という効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造
方法およびモールド方法が実施されるモールド装置の構
成の一例を示す断面図である。

【図２】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造
方法およびモールド方法が実施されるモールド装置の一
部を取り出して示す平面図である。

【図３】本発明の実施の形態２であるモールド装置の断
面図である。

【図４】本発明の実施の形態３であるモールド装置の断
面図である。

【図５】本発明の実施の形態４であるモールド装置の断
面図である。

【図６】本発明の実施の形態５であるモールド装置の断
面図である。

【図７】本発明の実施の形態６であるモールド装置の断
面図である。

【符号の説明】

１０下型チェイス１１下型センタブロック１１ａカル１１ｂランナ１２ホルダ２０上型チェイス２１上型センタブロック２１ａポット２１ｂプランジャ２２ホルダ３１サブランナ３２ゲート３３エアベント３４凹部４１下型キャビティブロック４１ａキャビティ４１ｂ型面部材（金型部材）４１ｃ外殻４１ｄ伝熱流体４１ｅヒータ４１ｆ断熱材４１ｇ板状ヒータ４２上型キャビティブロック４２ａキャビティ４２ｂ型面部材（金型部材）４２ｃ外殻４２ｄ伝熱流体４２ｅヒータ４２ｆ断熱材４２ｇ板状ヒータ５１下型キャビティブロック５１ａキャビティ５１ｂ型面（金型部材）５１ｅヒータ５１ｆ断熱材５１ｇ板状ヒータ５２上型キャビティブロック５２ａキャビティ５２ｂ型面（金型部材）５２ｅヒータ５２ｆ断熱材５２ｇ板状ヒータ６１下型キャビティブロック６１ａキャビティ６１ｂ型面部材（金型部材）６１ｆ断熱材６１ｇ板状ヒータ６２上型キャビティブロック６２ａキャビティ６２ｂ型面部材（金型部材）６２ｆ断熱材６２ｇ板状ヒータ８０リードフレーム８１タブ８２半導体ペレット８３リード９０タブレット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩ // Ｂ２９Ｌ 31:34

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金型のキャビティに充填されて成型され
る樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド方法であ
って、前記キャビティを構成する金型部材を流体を介し
て所望の温度に加熱することを特徴とするモールド方
法。
【請求項２】金型のキャビティに充填されて成型され
る樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド方法であ
って、前記キャビティを構成する金型部材を少なくとも
一つの板状ヒータを用いて所望の温度に加熱することを
特徴とするモールド方法。
【請求項３】金型のキャビティに充填されて成型され
る樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド方法であ
って、前記キャビティを構成する前記金型部材の周囲の
少なくとも一部を断熱部材にて覆うことを特徴とするモ
ールド方法。
【請求項４】金型のキャビティに充填されて成型され
る樹脂にて半導体ペレットを封止するモールド方法であ
って、前記キャビティを構成する前記金型部材において
前記キャビティ部分を選択的に所望の温度に加熱するこ
とを特徴とするモールド方法。
【請求項５】所望の機能を有する半導体ペレットと、
前記半導体ペレットを封止する封止樹脂とを含む半導体
装置の製造方法であって、請求項１，２，３または４記
載のモールド方法を用いて前記封止樹脂の成型を行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】半導体ペレットを金型のキャビティに充
填されて成型される樹脂にて封止するモールド装置であ
って、前記キャビティを構成する金型部材と、熱源と、
前記熱源が発生する熱を前記金型部材に伝達して所望の
温度に加熱する流体と、を備えたことを特徴とするモー
ルド装置。
【請求項７】半導体ペレットを金型のキャビティに充
填されて成型される樹脂にて封止するモールド装置であ
って、前記キャビティを構成する金型部材と、前記金型
部材を所望の温度に加熱する少なくとも一つの板状ヒー
タと、を備えたことを特徴とするモールド装置。
【請求項８】半導体ペレットを金型のキャビティに充
填されて成型される樹脂にて封止するモールド装置であ
って、前記キャビティを構成する金型部材と、前記金型
部材を所望の温度に加熱する加熱手段と、前記金型部材
の少なくとも一部を覆う断熱部材と、を備えたことを特
徴とするモールド装置。
【請求項９】請求項６または８記載のモールド装置に
おいて、前記熱源または前記加熱手段が、少なくとも一
つの板状ヒータからなることを特徴とするモールド装
置。
【請求項１０】所望の機能を有する半導体ペレット
と、前記半導体ペレットを封止する封止樹脂とを含む半
導体装置の製造方法であって、請求項６，７，８または
９記載のモールド装置を用いて前記封止樹脂の成型を行
うことを特徴とする半導体装置の製造方法。