JPH1192298A - ＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の作製方法 - Google Patents
ＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の作製方法Info
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- JPH1192298A JPH1192298A JP26109897A JP26109897A JPH1192298A JP H1192298 A JPH1192298 A JP H1192298A JP 26109897 A JP26109897 A JP 26109897A JP 26109897 A JP26109897 A JP 26109897A JP H1192298 A JPH1192298 A JP H1192298A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＺｎＳｅ単結晶基板を用いたＺｎＳｅ系化合
物半導体のエピタキシャル薄膜をＭＢＥ法で作製する方
法において、表面がスムーズで表面欠陥が少なく、か
つ、結晶欠陥も少ない高品質なＺｎＳｅ系化合物半導体
エピタキシャル薄膜の作製方法を提供しようとするもの
である。 【解決手段】 ＺｎＳｅ単結晶基板を２７５〜３７５℃
の温度に加熱し、ＳｅとＺｎの分子線強度比を２．０〜
５．０の範囲で調節してＭＢＥ法でＺｎＳｅ系化合物半
導体のエピタキシャル薄膜を作製する方法である。
物半導体のエピタキシャル薄膜をＭＢＥ法で作製する方
法において、表面がスムーズで表面欠陥が少なく、か
つ、結晶欠陥も少ない高品質なＺｎＳｅ系化合物半導体
エピタキシャル薄膜の作製方法を提供しようとするもの
である。 【解決手段】 ＺｎＳｅ単結晶基板を２７５〜３７５℃
の温度に加熱し、ＳｅとＺｎの分子線強度比を２．０〜
５．０の範囲で調節してＭＢＥ法でＺｎＳｅ系化合物半
導体のエピタキシャル薄膜を作製する方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＺｎＳｅ単結晶基
板上にＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜を
作製する方法に関する。
板上にＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜を
作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】“Jpn. J. Appl. Phys. 28(1989)pp.156
0 〜1563”には、ＺｎＳｅ単結晶基板を６０℃のアンモ
ニアと過酸化水素の水溶液とカセイソーダ水溶液で化学
エッチングした後、基板を５５０℃に加熱し、次いで、
３７０〜４００℃の温度でＳｅとＺｎのビーム強度比
１．１で厚さ５０〜６０ｎｍのＺｎＳｅエピタキシャル
薄膜を成長し、さらに５５０℃で熱処理して、ＲＨＥＥ
Ｄ観察によるｃ（２×２）ストリークの清浄表面を得た
と報告されるている。
0 〜1563”には、ＺｎＳｅ単結晶基板を６０℃のアンモ
ニアと過酸化水素の水溶液とカセイソーダ水溶液で化学
エッチングした後、基板を５５０℃に加熱し、次いで、
３７０〜４００℃の温度でＳｅとＺｎのビーム強度比
１．１で厚さ５０〜６０ｎｍのＺｎＳｅエピタキシャル
薄膜を成長し、さらに５５０℃で熱処理して、ＲＨＥＥ
Ｄ観察によるｃ（２×２）ストリークの清浄表面を得た
と報告されるている。
【０００３】しかし、この方法では、ＺｎＳｅ単結晶基
板表面の清浄化が実質的に行われておらず、基板とエピ
タキシャル薄膜との界面には多くの結晶欠陥が発生して
いるものと考えられる。
板表面の清浄化が実質的に行われておらず、基板とエピ
タキシャル薄膜との界面には多くの結晶欠陥が発生して
いるものと考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記の問題点を解消し、ＺｎＳｅ単結晶基板を用いたＺｎ
Ｓｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜をＭＢＥ法で
作製する方法において、表面がスムーズで表面欠陥が少
なく、かつ、結晶欠陥も少ない高品質なＺｎＳｅ系化合
物半導体エピタキシャル薄膜の作製方法を提供しようと
するものである。
記の問題点を解消し、ＺｎＳｅ単結晶基板を用いたＺｎ
Ｓｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜をＭＢＥ法で
作製する方法において、表面がスムーズで表面欠陥が少
なく、かつ、結晶欠陥も少ない高品質なＺｎＳｅ系化合
物半導体エピタキシャル薄膜の作製方法を提供しようと
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記の構成を
採用することにより、上記の課題の解決に成功した。 (1) ＭＢＥ法でＺｎＳｅ単結晶基板上にＺｎＳｅ系化合
物半導体のエピタキシャル薄膜を作製する方法におい
て、前記基板を２７５〜３７５℃の温度に加熱し、Ｓｅ
とＺｎの分子線強度比を２．０〜５．０の範囲で調節す
ることを特徴とするＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキ
シャル薄膜の作製方法。
採用することにより、上記の課題の解決に成功した。 (1) ＭＢＥ法でＺｎＳｅ単結晶基板上にＺｎＳｅ系化合
物半導体のエピタキシャル薄膜を作製する方法におい
て、前記基板を２７５〜３７５℃の温度に加熱し、Ｓｅ
とＺｎの分子線強度比を２．０〜５．０の範囲で調節す
ることを特徴とするＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキ
シャル薄膜の作製方法。
【０００６】(2) 前記基板を、硫酸系溶液によるエッチ
ングを行った後、前記エピタキシャル薄膜を作製するこ
とを特徴とする上記(1) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体
のエピタキシャル薄膜の作製方法。 (3) 前記エッチングを行った後、有機洗浄を行い、次い
で、前記エピタキシャル薄膜を作製することを特徴とす
る上記(2) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシ
ャル薄膜の作製方法。 (4) 前記有機洗浄を行った後、希塩酸で洗浄を行い、次
いで、前記エピタキシャル薄膜を作製することを特徴と
する上記(3) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキ
シャル薄膜の作製方法。
ングを行った後、前記エピタキシャル薄膜を作製するこ
とを特徴とする上記(1) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体
のエピタキシャル薄膜の作製方法。 (3) 前記エッチングを行った後、有機洗浄を行い、次い
で、前記エピタキシャル薄膜を作製することを特徴とす
る上記(2) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシ
ャル薄膜の作製方法。 (4) 前記有機洗浄を行った後、希塩酸で洗浄を行い、次
いで、前記エピタキシャル薄膜を作製することを特徴と
する上記(3) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキ
シャル薄膜の作製方法。
【０００７】(5) 前記エピタキシャル薄膜を成長する前
に、ＭＢＥ装置内で前記基板を２５０〜３５０℃の温度
に加熱し、１０〜１２０分間水素プラズマを照射して基
板を清浄化し、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製
することを特徴とする上記(1) 〜(4) のいずれか１つに
記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の
作製方法。
に、ＭＢＥ装置内で前記基板を２５０〜３５０℃の温度
に加熱し、１０〜１２０分間水素プラズマを照射して基
板を清浄化し、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製
することを特徴とする上記(1) 〜(4) のいずれか１つに
記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の
作製方法。
【０００８】(6) 前記水素プラズマを照射した後、Ｓｅ
を照射し、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製する
ことを特徴とする上記(5) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導
体のエピタキシャル薄膜の作製方法。 (7) 前記Ｓｅ照射を、基板付近におけるＳｅの分子線強
度を１×１０-6〜１×１０-5の範囲に調整することを特
徴とする上記(6) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピ
タキシャル薄膜の作製方法。
を照射し、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製する
ことを特徴とする上記(5) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導
体のエピタキシャル薄膜の作製方法。 (7) 前記Ｓｅ照射を、基板付近におけるＳｅの分子線強
度を１×１０-6〜１×１０-5の範囲に調整することを特
徴とする上記(6) 記載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピ
タキシャル薄膜の作製方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、化学洗浄により十分に
洗浄したＺｎＳｅ単結晶基板をＭＢＥ装置内にセットし
て、水素プラズマを所定の条件で照射し、さらに、Ｓｅ
分子線を照射して基板表面を清浄化した後、基板温度を
所定の温度に保持し、ＳｅとＺｎの分子線強度比を最適
値に調整してＺｎＳｅ系化合物半導体をエピタキシャル
成長することにより、表面ホモロジーが良好で結晶欠陥
の少ないエピタキシャル薄膜を得ることに成功した。
洗浄したＺｎＳｅ単結晶基板をＭＢＥ装置内にセットし
て、水素プラズマを所定の条件で照射し、さらに、Ｓｅ
分子線を照射して基板表面を清浄化した後、基板温度を
所定の温度に保持し、ＳｅとＺｎの分子線強度比を最適
値に調整してＺｎＳｅ系化合物半導体をエピタキシャル
成長することにより、表面ホモロジーが良好で結晶欠陥
の少ないエピタキシャル薄膜を得ることに成功した。
【００１０】本発明では、化学洗浄として、硫酸系溶液
によるエッチング、有機洗浄、希塩酸洗浄を選択するこ
とにより、５μｍ以上の深くエッチングしても平坦性に
優れ、鏡面を有し、かつ、Ｓｅ化合物の析出もなく、酸
化膜も薄くすることを可能にした。アンモニア系洗浄等
の他の化学洗浄では、上記の平坦性に優れた表面を得る
ことはできない。
によるエッチング、有機洗浄、希塩酸洗浄を選択するこ
とにより、５μｍ以上の深くエッチングしても平坦性に
優れ、鏡面を有し、かつ、Ｓｅ化合物の析出もなく、酸
化膜も薄くすることを可能にした。アンモニア系洗浄等
の他の化学洗浄では、上記の平坦性に優れた表面を得る
ことはできない。
【００１１】本発明では、上記の化学洗浄を行ったＺｎ
Ｓｅ単結晶基板を２５０〜３５０℃、好ましくは２５０
〜３００℃の温度に加熱しながら、水素プラズマを１０
〜１２０分間、好ましくは３０〜６０分間照射して基板
表面を完全に清浄化した。上記の基板の加熱温度を２５
０℃未満とすると、表面酸化膜の除去が不完全となり、
３５０℃を超えると、表面が荒れる。また、水素プラズ
マ照射時間を１０分未満にすると、表面酸化膜の除去が
困難になり、１２０分を超えると、表面が荒れるという
不都合が生ずる。
Ｓｅ単結晶基板を２５０〜３５０℃、好ましくは２５０
〜３００℃の温度に加熱しながら、水素プラズマを１０
〜１２０分間、好ましくは３０〜６０分間照射して基板
表面を完全に清浄化した。上記の基板の加熱温度を２５
０℃未満とすると、表面酸化膜の除去が不完全となり、
３５０℃を超えると、表面が荒れる。また、水素プラズ
マ照射時間を１０分未満にすると、表面酸化膜の除去が
困難になり、１２０分を超えると、表面が荒れるという
不都合が生ずる。
【００１２】さらに、本発明では、ＭＢＥ装置内で、水
素プラズマ照射により清浄化したＺｎＳｅ単結晶基板を
２７５〜３７５℃、好ましくは３００〜３５０℃の温度
に加熱しながら、Ｓｅの分子線を１０〜１２０分間、好
ましくは３０〜６０分間照射してＭＢＥ法によるエピタ
キシャル成長用基板を作製する。Ｓｅ分子線照射時の基
板温度が２７５℃を下回ると、Ｓｅが表面に堆積する不
都合が生じ、３７５℃を超えると、Ｓｅが再蒸発し、表
面荒れが起こるという不都合が生ずる。また、照射時間
が１０分間を下回ると、平坦性の回復が困難であり、１
２０分間を超えて成長させる意味がない。
素プラズマ照射により清浄化したＺｎＳｅ単結晶基板を
２７５〜３７５℃、好ましくは３００〜３５０℃の温度
に加熱しながら、Ｓｅの分子線を１０〜１２０分間、好
ましくは３０〜６０分間照射してＭＢＥ法によるエピタ
キシャル成長用基板を作製する。Ｓｅ分子線照射時の基
板温度が２７５℃を下回ると、Ｓｅが表面に堆積する不
都合が生じ、３７５℃を超えると、Ｓｅが再蒸発し、表
面荒れが起こるという不都合が生ずる。また、照射時間
が１０分間を下回ると、平坦性の回復が困難であり、１
２０分間を超えて成長させる意味がない。
【００１３】本発明のＭＢＥ法によるエピタキシャル成
長条件としては、上記のように清浄化したＺｎＳｅ基板
を２７５〜３７５℃、好ましくは３００〜３５０℃の温
度に加熱し、ＳｅとＺｎの分子線強度比を２．０〜５．
０の範囲、好ましくは２．５〜５．０の範囲に調節する
のがよい。基板を温度が２７５℃を下回ると、原子のマ
イブレーションが低下し、３７５℃を超えると、Ｓｅの
再蒸発が起こり始めるという不都合がある。また、Ｓｅ
とＺｎの分子線強度比が２．０を下回ると、Ｓｅが枯渇
し、空格子欠陥が生成し、５．０を超えると、Ｚｎマイ
ブレーションが低下するという不都合が生ずる。
長条件としては、上記のように清浄化したＺｎＳｅ基板
を２７５〜３７５℃、好ましくは３００〜３５０℃の温
度に加熱し、ＳｅとＺｎの分子線強度比を２．０〜５．
０の範囲、好ましくは２．５〜５．０の範囲に調節する
のがよい。基板を温度が２７５℃を下回ると、原子のマ
イブレーションが低下し、３７５℃を超えると、Ｓｅの
再蒸発が起こり始めるという不都合がある。また、Ｓｅ
とＺｎの分子線強度比が２．０を下回ると、Ｓｅが枯渇
し、空格子欠陥が生成し、５．０を超えると、Ｚｎマイ
ブレーションが低下するという不都合が生ずる。
【００１４】
〔実施例１〕固相法で作製したＺｎＳｅ単結晶基板を用
い、該基板の加工歪み層を除去するために、上記の基板
を硫酸、重クロム酸カリウム及び水の混合溶液でエッチ
ングし、その後、トリフロロエチレン、アセトン、イソ
プロピルアルコールを順次用いて超音波洗浄を行い、上
記エッチングで生じたＳｅ水和物を除去した。さらに、
２５℃の希塩酸（塩酸：水＝１：１０）で基板上の酸化
膜を薄くした。
い、該基板の加工歪み層を除去するために、上記の基板
を硫酸、重クロム酸カリウム及び水の混合溶液でエッチ
ングし、その後、トリフロロエチレン、アセトン、イソ
プロピルアルコールを順次用いて超音波洗浄を行い、上
記エッチングで生じたＳｅ水和物を除去した。さらに、
２５℃の希塩酸（塩酸：水＝１：１０）で基板上の酸化
膜を薄くした。
【００１５】このように化学洗浄されたＺｎＳｅ単結晶
基板を分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ装置）に
セットし、流量１ｓｃｃｍ、ＲＦパワー１００Ｗの水素
プラズマを基板に照射し、３００℃まで昇温した。約５
分でｃ（２×２）の再配列パターンが現れたが、その後
も３０分間照射を継続した。
基板を分子線エピタキシャル成長装置（ＭＢＥ装置）に
セットし、流量１ｓｃｃｍ、ＲＦパワー１００Ｗの水素
プラズマを基板に照射し、３００℃まで昇温した。約５
分でｃ（２×２）の再配列パターンが現れたが、その後
も３０分間照射を継続した。
【００１６】その後、プラズマ照射を停止し、蒸気圧の
高いＳｅ分子線を３０分間照射した状態で、基板を３５
０℃に昇温し、さらに、Ｚｎ分子線を照射してＺｎＳｅ
薄膜の作製を開始し、約１μｍの厚さのＺｎＳｅエピタ
キシャル膜を作製した。この場合のＳｅとＺｎの分子線
強度比を２．５に維持した。なお、分子線強度はイオン
ゲージ法で測定した。
高いＳｅ分子線を３０分間照射した状態で、基板を３５
０℃に昇温し、さらに、Ｚｎ分子線を照射してＺｎＳｅ
薄膜の作製を開始し、約１μｍの厚さのＺｎＳｅエピタ
キシャル膜を作製した。この場合のＳｅとＺｎの分子線
強度比を２．５に維持した。なお、分子線強度はイオン
ゲージ法で測定した。
【００１７】得られたエピタキシャル薄膜の表面をノマ
ルスキー顕微鏡で観察すると、その表面は図１にみるよ
うにスムーズで表面欠陥の少ないＺｎＳｅエピタキシャ
ル薄膜が得られたことが分かる。また、１０℃の臭素と
メタノールの混合溶液でエッチング処理して生成するエ
ッチピットを観察して結晶欠陥を評価した結果を図２に
示した。図２から求めると、基板並みの１．２×１０5
ｃｍ-2という低欠陥の薄膜であった。
ルスキー顕微鏡で観察すると、その表面は図１にみるよ
うにスムーズで表面欠陥の少ないＺｎＳｅエピタキシャ
ル薄膜が得られたことが分かる。また、１０℃の臭素と
メタノールの混合溶液でエッチング処理して生成するエ
ッチピットを観察して結晶欠陥を評価した結果を図２に
示した。図２から求めると、基板並みの１．２×１０5
ｃｍ-2という低欠陥の薄膜であった。
【００１８】〔実施例２〕実施例１において、水素プラ
ズマ照射の際の基板温度を２５０〜３８０℃の範囲で変
化させ、その他の条件を実施例１と同様にしてＺｎＳｅ
エピタキシャル薄膜を作製して、結晶欠陥の変化を調査
した。図３は、この調査結果を示したものであり、上記
の基板温度が３５０℃以上になると表面荒れが起こり、
結晶欠陥が増加することが分かる。この結果を踏まえ、
本発明では、水素プラズマ照射の際の基板温度を２５０
〜３５０℃、好ましくは２５０〜３００℃の範囲に保持
することとした。
ズマ照射の際の基板温度を２５０〜３８０℃の範囲で変
化させ、その他の条件を実施例１と同様にしてＺｎＳｅ
エピタキシャル薄膜を作製して、結晶欠陥の変化を調査
した。図３は、この調査結果を示したものであり、上記
の基板温度が３５０℃以上になると表面荒れが起こり、
結晶欠陥が増加することが分かる。この結果を踏まえ、
本発明では、水素プラズマ照射の際の基板温度を２５０
〜３５０℃、好ましくは２５０〜３００℃の範囲に保持
することとした。
【００１９】〔実施例３〕実施例１のように、水素プラ
ズマ照射の際の基板温度を３００℃に固定し、かつ、Ｓ
ｅとＺｎの分子線強度比を２．５と一定にし、薄膜作製
の際の基板温度を２５０〜３８０℃の範囲で変化させた
以外は実施例１と同様にしてＺｎＳｅエピタキシャル薄
膜を作製して、結晶欠陥及び表面欠陥の変化を調査し
た。図４は、この調査結果を示したものであり、上記の
基板温度が３００〜３５０℃の範囲で結晶欠陥及び表面
欠陥が最小となった。この結果を踏まえ、本発明では、
薄膜作製の際の基板温度を２７５〜３７５℃、好ましく
は３００〜３５０℃の範囲に保持することとした。
ズマ照射の際の基板温度を３００℃に固定し、かつ、Ｓ
ｅとＺｎの分子線強度比を２．５と一定にし、薄膜作製
の際の基板温度を２５０〜３８０℃の範囲で変化させた
以外は実施例１と同様にしてＺｎＳｅエピタキシャル薄
膜を作製して、結晶欠陥及び表面欠陥の変化を調査し
た。図４は、この調査結果を示したものであり、上記の
基板温度が３００〜３５０℃の範囲で結晶欠陥及び表面
欠陥が最小となった。この結果を踏まえ、本発明では、
薄膜作製の際の基板温度を２７５〜３７５℃、好ましく
は３００〜３５０℃の範囲に保持することとした。
【００２０】〔実施例４〕実施例１のように、薄膜作製
の際の基板温度を３５０℃に固定し、ＳｅとＺｎの分子
線強度比を１から５まで変化させた以外は実施例１と同
様にしてＺｎＳｅエピタキシャル薄膜を作製して、結晶
欠陥及び表面欠陥の変化を調査した。図５は、この調査
結果を示したものであり、上記の分子線強度比が２．５
以上で結晶欠陥及び表面欠陥が最小となった。この結果
を踏まえ、本発明では、薄膜作製の際の分子線強度比を
２．０〜５．０、好ましくは２．５〜５．０の範囲に保
持することとした。
の際の基板温度を３５０℃に固定し、ＳｅとＺｎの分子
線強度比を１から５まで変化させた以外は実施例１と同
様にしてＺｎＳｅエピタキシャル薄膜を作製して、結晶
欠陥及び表面欠陥の変化を調査した。図５は、この調査
結果を示したものであり、上記の分子線強度比が２．５
以上で結晶欠陥及び表面欠陥が最小となった。この結果
を踏まえ、本発明では、薄膜作製の際の分子線強度比を
２．０〜５．０、好ましくは２．５〜５．０の範囲に保
持することとした。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、ＺｎＳｅ単結晶基板上に高品質のＺｎＳｅ系化合
物半導体のエピタキシャル薄膜の作製が可能になり、高
性能の青色や緑色等のレーザやＬＥＤの提供を可能にし
た。
より、ＺｎＳｅ単結晶基板上に高品質のＺｎＳｅ系化合
物半導体のエピタキシャル薄膜の作製が可能になり、高
性能の青色や緑色等のレーザやＬＥＤの提供を可能にし
た。
【図１】実施例１で作製したＺｎＳｅエピタキシャル薄
膜の光学顕微鏡写真である。
膜の光学顕微鏡写真である。
【図２】実施例１で作製したＺｎＳｅエピタキシャル薄
膜を臭素系溶液でエッチングし、結晶欠陥に対応したピ
ットを現出した薄膜表面の光学顕微鏡写真である。
膜を臭素系溶液でエッチングし、結晶欠陥に対応したピ
ットを現出した薄膜表面の光学顕微鏡写真である。
【図３】実施例２のＺｎＳｅエピタキシャル薄膜の作製
における、水素プラズマ照射時の基板温度に対する結晶
欠陥及び表面欠陥の密度の変化を示したグラフである。
における、水素プラズマ照射時の基板温度に対する結晶
欠陥及び表面欠陥の密度の変化を示したグラフである。
【図４】実施例３のＺｎＳｅエピタキシャル薄膜の作製
時の基板温度に対する結晶欠陥及び表面欠陥の密度の変
化を示したグラフである。
時の基板温度に対する結晶欠陥及び表面欠陥の密度の変
化を示したグラフである。
【図５】実施例４のＺｎＳｅエピタキシャル薄膜の作製
時のＳｅとＺｎの分子線強度比に対する結晶欠陥及び表
面欠陥の密度の変化を示したグラフである。
時のＳｅとＺｎの分子線強度比に対する結晶欠陥及び表
面欠陥の密度の変化を示したグラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＭＢＥ法でＺｎＳｅ単結晶基板上にＺｎ
Ｓｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜を作製する方
法において、前記基板を２７５〜３７５℃の温度に加熱
し、ＳｅとＺｎの分子線強度比を２．０〜５．０の範囲
で調節することを特徴とするＺｎＳｅ系化合物半導体の
エピタキシャル薄膜の作製方法。 - 【請求項２】 前記基板を、硫酸系溶液によるエッチン
グを行った後、前記エピタキシャル薄膜を作製すること
を特徴とする請求項１記載のＺｎＳｅ系化合物半導体の
エピタキシャル薄膜の作製方法。 - 【請求項３】 前記エッチングを行った後、有機洗浄を
行い、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製すること
を特徴とする請求項２記載のＺｎＳｅ系化合物半導体の
エピタキシャル薄膜の作製方法。 - 【請求項４】 前記有機洗浄を行った後、希塩酸で洗浄
を行い、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製するこ
とを特徴とする請求項３記載のＺｎＳｅ系化合物半導体
のエピタキシャル薄膜の作製方法。 - 【請求項５】 前記エピタキシャル薄膜を成長する前
に、ＭＢＥ装置内で前記基板を２５０〜３５０℃の温度
に加熱し、１０〜１２０分間水素プラズマを照射して基
板を清浄化し、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製
することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
載のＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の作
製方法。 - 【請求項６】 前記水素プラズマを照射した後、Ｓｅを
照射し、次いで、前記エピタキシャル薄膜を作製するこ
とを特徴とする請求項５記載のＺｎＳｅ系化合物半導体
のエピタキシャル薄膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26109897A JPH1192298A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | ＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26109897A JPH1192298A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | ＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192298A true JPH1192298A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17357063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26109897A Pending JPH1192298A (ja) | 1997-09-10 | 1997-09-10 | ＺｎＳｅ系化合物半導体のエピタキシャル薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1192298A (ja) |
-
1997
- 1997-09-10 JP JP26109897A patent/JPH1192298A/ja active Pending
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