JPH1196594A - 追記情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH1196594A JPH1196594A JP9260015A JP26001597A JPH1196594A JP H1196594 A JPH1196594 A JP H1196594A JP 9260015 A JP9260015 A JP 9260015A JP 26001597 A JP26001597 A JP 26001597A JP H1196594 A JPH1196594 A JP H1196594A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度化でも良いジッター特性をもつ追記型
光情報記録媒体を得る。 【解決手段】 少なくとも、透明基板及び記録層を有
し、光学的特性の変化により情報を記録する光情報記録
媒体において、記録層直下に第ＶＩ族に属する元素を除
く元素からなる結晶化促進層を設ける。
光情報記録媒体を得る。 【解決手段】 少なくとも、透明基板及び記録層を有
し、光学的特性の変化により情報を記録する光情報記録
媒体において、記録層直下に第ＶＩ族に属する元素を除
く元素からなる結晶化促進層を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度化に優れた
追記型光情報記録媒体に関するものである。
追記型光情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光情報記録媒体（以下、光ディス
クともいう）は、膨大な情報量を記録・再生・消去する
手段として盛んに研究開発が行われている。特に、光学
記録層が結晶質と非晶質との二状態間で可逆的に相変化
することを利用して情報の記録・消去を行ういわゆる相
変化型光ディスクは、レーザー光のパワーを変化させる
だけで古い情報を消去しながら同時に新たな情報を記録
する（以下オーバーライトと称する）ことが出来るとい
う利点を有していることから、有望視されている。この
オーバーライト可能な相変化型光ディスクの記録材料と
しては,低融点でかつレーザー光の吸収効率の高いＩｎ
−Ｓｅ系合金（Appl.Phys.Lett.第５０巻、６６７ペー
ジ、１９８７年）やＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（Appl.Phys.Let
t.第５０巻、１６ページ、１９８７年）、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金（特開昭６２−５３８８６号公報）等のカルコ
ゲン合金が主として用いられている。
クともいう）は、膨大な情報量を記録・再生・消去する
手段として盛んに研究開発が行われている。特に、光学
記録層が結晶質と非晶質との二状態間で可逆的に相変化
することを利用して情報の記録・消去を行ういわゆる相
変化型光ディスクは、レーザー光のパワーを変化させる
だけで古い情報を消去しながら同時に新たな情報を記録
する（以下オーバーライトと称する）ことが出来るとい
う利点を有していることから、有望視されている。この
オーバーライト可能な相変化型光ディスクの記録材料と
しては,低融点でかつレーザー光の吸収効率の高いＩｎ
−Ｓｅ系合金（Appl.Phys.Lett.第５０巻、６６７ペー
ジ、１９８７年）やＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅ（Appl.Phys.Let
t.第５０巻、１６ページ、１９８７年）、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金（特開昭６２−５３８８６号公報）等のカルコ
ゲン合金が主として用いられている。
【０００３】一方、追記型光情報記録媒体の研究も盛ん
である。現在ではＣＤ−Ｒ記録媒体がもっとも良く知ら
れている。また、酸化テルルを用いた追記型記録材料の
研究開発もなされている。追記型記録材料の最大の特徴
は一度記録すると消せないために証拠能力を有すること
である。また、一度しか記録しないために高密度化が比
較的容易であり、かつ安価に作製できる可能性をもって
いる。
である。現在ではＣＤ−Ｒ記録媒体がもっとも良く知ら
れている。また、酸化テルルを用いた追記型記録材料の
研究開発もなされている。追記型記録材料の最大の特徴
は一度記録すると消せないために証拠能力を有すること
である。また、一度しか記録しないために高密度化が比
較的容易であり、かつ安価に作製できる可能性をもって
いる。
【０００４】現在高密度化の要求が進んでおり、高密度
記録時の優れたジッター特性をもつ材料が待たれてい
る。
記録時の優れたジッター特性をもつ材料が待たれてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高密
度記録した際により優れたジッター特性をもつ追記型光
情報記録媒体を提供することにある
度記録した際により優れたジッター特性をもつ追記型光
情報記録媒体を提供することにある
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
について鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成させた。
即ち、本発明は（１）少なくとも、透明基板及び記録層
を有し、光学的特性の変化により情報を記録する光情報
記録媒体において、記録層直下に第ＶＩ族に属する元素
を除く元素からなる結晶化促進層を設けたことを特徴と
する追記型光情報記録媒体を提供する。また、本願は更
に以下の（２）〜（５）の発明も提供する。 （２）結晶化促進層が島状結晶化促進層である上記
（１）記載の追記型光情報記録媒体。 （３）結晶化促進層が、Ｓｂ単体、Ｂｉ単体、Ｓｂ合
金、Ｓｂの金属化合物、Ｓｂの金属化合物、Ｓｂ化合
物、Ｂｉ合金、Ｂｉの金属化合物、及びＢｉ化合物から
なる群から選ばれる一つ以上の材料からなることを特徴
とする上記（１）または（２）記載の追記型光情報記録
媒体。 （４）結晶化促進層に積層した記録層が成膜終了時に結
晶化していることを特徴とする上記（１）、（２）、ま
たは（３）記載の追記型光情報記録媒体。 （５）記録層がＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、またはＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉ合金からなることを特徴とする上記
（１）、（２）、（３）、または（４）記載の追記型光
情報記録媒体。
について鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成させた。
即ち、本発明は（１）少なくとも、透明基板及び記録層
を有し、光学的特性の変化により情報を記録する光情報
記録媒体において、記録層直下に第ＶＩ族に属する元素
を除く元素からなる結晶化促進層を設けたことを特徴と
する追記型光情報記録媒体を提供する。また、本願は更
に以下の（２）〜（５）の発明も提供する。 （２）結晶化促進層が島状結晶化促進層である上記
（１）記載の追記型光情報記録媒体。 （３）結晶化促進層が、Ｓｂ単体、Ｂｉ単体、Ｓｂ合
金、Ｓｂの金属化合物、Ｓｂの金属化合物、Ｓｂ化合
物、Ｂｉ合金、Ｂｉの金属化合物、及びＢｉ化合物から
なる群から選ばれる一つ以上の材料からなることを特徴
とする上記（１）または（２）記載の追記型光情報記録
媒体。 （４）結晶化促進層に積層した記録層が成膜終了時に結
晶化していることを特徴とする上記（１）、（２）、ま
たは（３）記載の追記型光情報記録媒体。 （５）記録層がＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ合金、またはＧｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｂ−Ｂｉ合金からなることを特徴とする上記
（１）、（２）、（３）、または（４）記載の追記型光
情報記録媒体。
【０００７】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
おける光情報記録媒体は、少なくとも結晶化促進層、記
録層が透明基板上に順次形成されており、好ましくは、
結晶化促進層、記録層、誘電体層と反射層が透明基板上
に順次形成されており、更に好ましくは、結晶化促進層
と基板との間に誘電体層（第１の誘電体層）が形成され
た五層構造をとることが望ましい。
おける光情報記録媒体は、少なくとも結晶化促進層、記
録層が透明基板上に順次形成されており、好ましくは、
結晶化促進層、記録層、誘電体層と反射層が透明基板上
に順次形成されており、更に好ましくは、結晶化促進層
と基板との間に誘電体層（第１の誘電体層）が形成され
た五層構造をとることが望ましい。
【０００８】さらに透明基板上に、例えば、蒸着法、ス
パッタ法やイオンプレーティング法によって、第１の誘
電体層、結晶化促進層、光学記録層、第２の誘電体層、
反射層を順次積層されていることが好ましい。結晶化促
進層は記録層を積層する前に成膜する事が必須である。
また、更に必要な層を加えることも可能である。結晶化
促進層形成後に成膜される記録層が結晶化していること
が重要であり、結晶化促進層は結晶化していてもいなく
てもどちらでも良い。
パッタ法やイオンプレーティング法によって、第１の誘
電体層、結晶化促進層、光学記録層、第２の誘電体層、
反射層を順次積層されていることが好ましい。結晶化促
進層は記録層を積層する前に成膜する事が必須である。
また、更に必要な層を加えることも可能である。結晶化
促進層形成後に成膜される記録層が結晶化していること
が重要であり、結晶化促進層は結晶化していてもいなく
てもどちらでも良い。
【０００９】本発明に用いられる結晶化促進層とは、そ
の上に記録層を成膜すると、成膜終了時に記録層を結晶
化させるものを意味し、その材料としては、好ましく
は、Ｓｂ単体、Ｂｉ単体、Ｓｂ合金、Ｓｂの金属化合
物、Ｓｂの金属化合物、Ｓｂ化合物、Ｂｉ合金、Ｂｉの
金属化合物、Ｂｉ化合物等の中から選ぶことができる。
本発明に用いられる結晶化促進層の膜厚は、２０ｎｍ以
下であることが好ましい。この場合、該結晶化促進層の
態様は連続膜、島状どちらでも構わない。また、結晶化
促進層の膜厚は、できれば１０ｎｍ以下がさらに望まし
い。この膜厚が厚いと記録膜の均一組成をふれる幅が狭
くなる。結晶化促進層上に積層する記録層の結晶性が不
十分な場合は、結晶化促進層を成膜する直前または直後
あるいは記録層を成膜する直前または直後に光照射、又
は基板ごと加熱するなどの工程を加えることで記録膜の
結晶性を向上させることも可能である。前述したよう
に、本発明の追記型光情報記録媒体は、記録層の結晶相
にレーザでアモルファス相を作製することにより記録を
行う。
の上に記録層を成膜すると、成膜終了時に記録層を結晶
化させるものを意味し、その材料としては、好ましく
は、Ｓｂ単体、Ｂｉ単体、Ｓｂ合金、Ｓｂの金属化合
物、Ｓｂの金属化合物、Ｓｂ化合物、Ｂｉ合金、Ｂｉの
金属化合物、Ｂｉ化合物等の中から選ぶことができる。
本発明に用いられる結晶化促進層の膜厚は、２０ｎｍ以
下であることが好ましい。この場合、該結晶化促進層の
態様は連続膜、島状どちらでも構わない。また、結晶化
促進層の膜厚は、できれば１０ｎｍ以下がさらに望まし
い。この膜厚が厚いと記録膜の均一組成をふれる幅が狭
くなる。結晶化促進層上に積層する記録層の結晶性が不
十分な場合は、結晶化促進層を成膜する直前または直後
あるいは記録層を成膜する直前または直後に光照射、又
は基板ごと加熱するなどの工程を加えることで記録膜の
結晶性を向上させることも可能である。前述したよう
に、本発明の追記型光情報記録媒体は、記録層の結晶相
にレーザでアモルファス相を作製することにより記録を
行う。
【００１０】本発明に用いられる記録層には、照射され
るレーザパワーの差で光学特性に変化を生じる材料、特
に好ましくは、結晶質と非晶質の二状態間で相変化が生
じる材料、この場合、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金およびＧ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｂｉ系合金を用いることが好ましい。
添加剤として様々なガス及び元素をこれらの合金に添加
することも可能である。このような添加剤としては、例
えば、水素、窒素、酸素、炭素、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂが
挙げられる。記録層の膜厚としては５ｎｍから１００ｎ
ｍが望ましく、５ｎｍ以下では充分な記録感度を得るこ
とができず、１００ｎｍ以上は記録感度及び分解能の点
で問題が生じ好ましくない。
るレーザパワーの差で光学特性に変化を生じる材料、特
に好ましくは、結晶質と非晶質の二状態間で相変化が生
じる材料、この場合、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金およびＧ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｂｉ系合金を用いることが好ましい。
添加剤として様々なガス及び元素をこれらの合金に添加
することも可能である。このような添加剤としては、例
えば、水素、窒素、酸素、炭素、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂが
挙げられる。記録層の膜厚としては５ｎｍから１００ｎ
ｍが望ましく、５ｎｍ以下では充分な記録感度を得るこ
とができず、１００ｎｍ以上は記録感度及び分解能の点
で問題が生じ好ましくない。
【００１１】本発明に用いられる第１、２の誘電体層に
は、耐熱性が高く融点が１０００℃以上の材料、例えば
ＺｎＳ−ＳｉＯ２混合物、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４等が用いられる。第１の誘電体層の膜厚
については特に規定しないが、第２の誘電体層の膜厚に
ついては５ｎｍから５０ｎｍが望ましく、５ｎｍ以下で
は記録感度が低下し、５０ｎｍ以上では繰り返し特性が
低下する。
は、耐熱性が高く融点が１０００℃以上の材料、例えば
ＺｎＳ−ＳｉＯ２混合物、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４等が用いられる。第１の誘電体層の膜厚
については特に規定しないが、第２の誘電体層の膜厚に
ついては５ｎｍから５０ｎｍが望ましく、５ｎｍ以下で
は記録感度が低下し、５０ｎｍ以上では繰り返し特性が
低下する。
【００１２】本発明で用いられる透明基板としては、通
常の光情報記録媒体で使用される基板が用いられ、好ま
しいものとしてはポリカーボネート基板が挙げられる。
また、本発明で用いられる反射層としても、通常の光情
報記録媒体で使用される反射層が用いられ、好ましいも
のとしてはＡｌ合金が挙げられる。反射層の膜厚は、３
０ｎｍ以上が好ましい。
常の光情報記録媒体で使用される基板が用いられ、好ま
しいものとしてはポリカーボネート基板が挙げられる。
また、本発明で用いられる反射層としても、通常の光情
報記録媒体で使用される反射層が用いられ、好ましいも
のとしてはＡｌ合金が挙げられる。反射層の膜厚は、３
０ｎｍ以上が好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、実施例、比較例をもとに本
発明を具体的に説明する。 （評価法）ＤＶＤ−Ｒ用の規格に準拠した評価を行っ
た。評価機はパルステック社製ＤＶＤ−Ｒ用評価機を用
いて測定を行った。最短マーク長は０．４４μｍ。ベー
シックストラテジーを用いて記録した。記録時の線速は
６ｍ／ｓ、読みとり時の線速は４．４ｍ／ｓを用いて測
定を行った。初回記録時のジッターを測定した。
発明を具体的に説明する。 （評価法）ＤＶＤ−Ｒ用の規格に準拠した評価を行っ
た。評価機はパルステック社製ＤＶＤ−Ｒ用評価機を用
いて測定を行った。最短マーク長は０．４４μｍ。ベー
シックストラテジーを用いて記録した。記録時の線速は
６ｍ／ｓ、読みとり時の線速は４．４ｍ／ｓを用いて測
定を行った。初回記録時のジッターを測定した。
【００１４】
【比較例１】レーザー案内溝を設けた直径９０ｍｍ、厚
さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上にＧｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金からなるターゲットを用いスパッタリング法に
よりおよそ２２０Åの記録層を形成した。次にこの記録
層の上に膜厚４００ＡのＳｂからなる反射層、ＺｎＳ−
ＳｉＯ２からなる膜厚２００Åの誘電体層を順次スッパ
ッタ法により形成した。さらにその上にＵＶ硬化樹脂を
スピンコート法により積層し光記録媒体を作製した。
さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上にＧｅ−Ｔｅ−
Ｓｂ合金からなるターゲットを用いスパッタリング法に
よりおよそ２２０Åの記録層を形成した。次にこの記録
層の上に膜厚４００ＡのＳｂからなる反射層、ＺｎＳ−
ＳｉＯ２からなる膜厚２００Åの誘電体層を順次スッパ
ッタ法により形成した。さらにその上にＵＶ硬化樹脂を
スピンコート法により積層し光記録媒体を作製した。
【００１５】測定したジッター値は９．４５％であっ
た。
た。
【００１６】
【比較例２】レーザー案内溝を設けた直径９０ｍｍ、厚
さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上にＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２からなるターゲットを用いスパッタリング法により
およそ１４００Åの第１の誘電体層を形成した。次にこ
の誘電体層の上にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる膜厚
２５０Åの光学記録層、及びＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる
第２の誘電体層を１５０Å、Ａｌ合金からなる反射層を
７００Å順次スッパッタ法により形成した。さらにその
上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により積層し光記録
媒体を作製した。
さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上にＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２からなるターゲットを用いスパッタリング法により
およそ１４００Åの第１の誘電体層を形成した。次にこ
の誘電体層の上にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる膜厚
２５０Åの光学記録層、及びＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる
第２の誘電体層を１５０Å、Ａｌ合金からなる反射層を
７００Å順次スッパッタ法により形成した。さらにその
上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート法により積層し光記録
媒体を作製した。
【００１７】測定したジッター値は８．６８％であっ
た。
た。
【００１８】
【実施例１】レーザー案内溝を設けた直径９０ｍｍ、厚
さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上にＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２からなるターゲットを用いスパッタリング法により
およそ９５０Åの第１の誘電体層を形成した。次にこの
誘電体層の上に膜厚５０ＡのＢｉからなる結晶化促進
層、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる膜厚２２０Åの光
学記録層、及びＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２の誘電体
層を１３０Å、Ａｌ合金からなる反射層を８００Å順次
スッパッタ法により形成した。さらにその上にＵＶ硬化
樹脂をスピンコート法により積層し光記録媒体を作製し
た。
さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上にＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ２からなるターゲットを用いスパッタリング法により
およそ９５０Åの第１の誘電体層を形成した。次にこの
誘電体層の上に膜厚５０ＡのＢｉからなる結晶化促進
層、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系合金からなる膜厚２２０Åの光
学記録層、及びＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる第２の誘電体
層を１３０Å、Ａｌ合金からなる反射層を８００Å順次
スッパッタ法により形成した。さらにその上にＵＶ硬化
樹脂をスピンコート法により積層し光記録媒体を作製し
た。
【００１９】測定したジッター値は７．２３％であっ
た。
た。
【００２０】
【発明の効果】本発明により、高密度記録時に優れたジ
ッター特性をもつ追記型光情報記録媒体が提供される。
ッター特性をもつ追記型光情報記録媒体が提供される。
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも、透明基板及び記録層を有
し、光学的特性の変化により情報を記録する光情報記録
媒体において、記録層直下に第ＶＩ族に属する元素を除
く元素からなる結晶化促進層を設けたことを特徴とする
追記型光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9260015A JPH1196594A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 追記情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9260015A JPH1196594A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 追記情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1196594A true JPH1196594A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17342130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9260015A Withdrawn JPH1196594A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 追記情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1196594A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6511788B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-01-28 | Sony Corporation | Multi-layered optical disc |
| US6699637B2 (en) | 1997-04-16 | 2004-03-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Process for producing optical information recording medium and optical information recording medium produced by the process |
-
1997
- 1997-09-25 JP JP9260015A patent/JPH1196594A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6699637B2 (en) | 1997-04-16 | 2004-03-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Process for producing optical information recording medium and optical information recording medium produced by the process |
| US6511788B1 (en) * | 1999-02-12 | 2003-01-28 | Sony Corporation | Multi-layered optical disc |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041207 |