JPH1196924A - プラズマディスプレイおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高精細で、電極に断線欠陥がなくパネル化した
状態で鮮明、かつ高品位な画像が得られるプラズマディ
スプレイの提供。 【解決手段】基板上に電極が形成されたプラズマディス
プレイであって、該電極の厚みが１〜１０μｍ、線幅が
２０〜８０μｍであり、直径２０μｍ以上のピンホール
がないことを特徴とするプラズマディスプレイ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イおよびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、回路材料やディスプレイにおい
て、小形化や高密度化、高精細化、高信頼性の要求が高
まっており、それに伴って、パターン加工技術も技術向
上が望まれている。特に、導体回路パターンの微細化は
小形化、高密度化には不可欠な要求として各種の方法が
提案されている。

【０００３】プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）は、液晶
パネルに比べて高速の表示が可能であり且つ大型化が容
易であることから、ＯＡ機器および情報表示装置などの
分野に浸透している。また、高品位テレビジョンの分野
などでの進展が非常に期待されている。

【０００４】このような用途の拡大に伴って、微細で多
数の表示セルを有するカラーＰＤＰが注目されている。
ＰＤＰは、前面ガラス基板と背面ガラス基板との間に備
えられた放電空間内で対抗するアノードおよびカソード
電極間にプラズマ放電を生じさせ、上記放電空間内に封
入されているガスから発光させることにより表示を行う
ものである。この場合、ガラス基板上のアノードおよび
カソード電極は、複数本の線状電極を平行に配置されて
おり、互いの電極が僅小な間隙を介して対抗し且つ互い
の線状電極が交差する方向を向くように重ね合わせて構
成される。ＰＤＰの中で、蛍光体によるカラー表示に適
した３電極構造の面放電型ＰＤＰは、互いに平行に隣接
した一対の表示電極からなる複数の電極対と、各電極対
と直交する複数のアドレス電極とを有する。

【０００５】上記の各種電極パターンにおいて、ピンホ
ールが少なく、低抵抗値であり、断線欠陥が少ないこと
が求められるが、電極厚さが薄くなるにつれピンホール
が多く発生するという問題があった。ピンホールが多い
と、抵抗値が高くなり消費電力が上がる。また、半田食
われが起き、剥がれや亀裂が生じ断線となる。断線欠陥
は、ディスプレイにおいて画素の欠落などを招き、鮮明
な映像が得られないので大きな問題である。

【０００６】また、アドレス電極は、通常スクリーン印
刷法でアドレス電極に対応するマスクパターンを有した
印刷マスクを用いて、ガラス基板上に銀ペーストなどを
印刷した後焼成して形成される。しかしながら、スクリ
ーン印刷法ではマスクパターン精度、スクイーズ硬さ、
印刷速度、分散性などの最適化を図っても電極パターン
の幅を１００μｍ以下に細くすることができず、電極断
面形状がかまぼこ形状になり、ファインパターン化には
限界があった。また、スクリーン印刷による方法では、
印刷マスクの精度は、マスク製版の精度に依存するので
印刷マスクが大きくなるとマスクパターンの寸法誤差が
大きくなってしまう。このため２５インチ以上の大面積
のＰＤＰの場合に、高精細のＰＤＰ作製がますます技術
的に困難となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高精
細で、かつ大型のプラズマディスプレイを提供すること
にある。このために、微細パターンを有する電極の断線
欠陥をなくし、パネル化した状態で鮮明な、かつ高品位
な画像が得られるようにすることを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、基板上
に電極が形成されたプラズマディスプレイであって、該
電極の厚みが１〜１０μｍ、線幅が２０〜８０μｍであ
り、直径２０μｍ以上のピンホールがないことを特徴と
するプラズマディスプレイによって達成される。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明において使用される電極は
焼成後の厚みが１〜１０μｍであることが必要であり、
２〜５μｍの範囲がより好ましい。１μｍ未満では、導
体膜が薄くなり過ぎてピンホールやしろ抜けが発生す
る。また、比抵抗値が大きくなり接着強度も低下するよ
うになる。さらに、焼成後エッジ部がめくれあがる「エ
ッジカール」が発生する。１０μｍを越えると断面形状
で観察した場合、焼成後エッジ部に角が出るような形に
収縮する。このため電極上に誘電体層を形成した場合
に、電極の凸凹や熱膨張係数の違いによる熱応力が生
じ、誘電体に亀裂が発生するので好ましくない。

【００１０】線幅については、２０μｍ〜８０μｍであ
ることが必要である。好ましくは２０〜４０μｍであ
る。２０μｍ未満では、導体膜が細すぎて比抵抗値が大
きくなる。８０μｍを越えると収縮が大きくなり、断面
形状で観察した場合、焼成後エッジ部に角がでたような
形になるので好ましくない。

【００１１】本発明において使用される電極は、直径２
０μｍ以上のピンホールがないことが必要である。直径
が２０μｍ以上のピンホールが存在すると比抵抗値が大
きくなり接着強度も低下するようになる。また、半田食
われが起き、剥がれや亀裂が生じ断線しやすくなる。直
径２０μｍ未満のピンホールであれば、上記のような影
響が小さく、ピンホールがあっても断線に至りにくい。
直径１０μｍ以上のピンホールがないことが好ましく、
直径５μｍ以上のピンホールがないことがより好まし
い。

【００１２】本発明に使用される電極は、長さ２００μ
ｍ当たりのピンホールの総数が２０個以下であることが
剥がれ、亀裂の起こりにくさの点で好ましい。

【００１３】本発明に使用される電極は、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｄ、ＮｉおよびＰｔの群から選ばれる少なくとも１種
を含むことが、接着強度、剥がれ、亀裂の起こりにくさ
の点で好ましい。

【００１４】本発明に使用される電極は、結着剤として
ガラス成分を含有することが、接着強度、剥がれ、亀裂
の起こりにくさの点で好ましい。該ガラス成分が、酸化
物換算表記でＢｉ₂Ｏ₃を３０〜９５重量％含有すること
がより好ましく、さらには、酸化物換算表記で Ｂｉ₂Ｏ₃ ３０〜８５重量％ ＳｉＯ₂ ５〜３０重量％ Ｂ₂Ｏ₃ ５〜２０重量％ ＺｒＯ₂ ３〜１０重量％ Ａｌ₂Ｏ₃ １〜 ５重量％ の組成範囲からなるものを８０重量％以上含有し、かつ
Ｎａ₂Ｏ、Ｌｉ₂Ｏを実質的に含有しないことが好まし
い。

【００１５】本発明において使用される導電性粉末はＡ
ｇ、Ａｕ、Ｐｄ、ＮｉおよびＰｔの群から選ばれる少な
くとも１種を含むものが好ましく、ガラス基板上に６０
０℃以下の温度で焼き付けできる低抵抗の導体粉末が使
用される。これらは、単独または混合粉末として用いる
事ができる。例えばＡｇ（８０−９８）−Ｐｄ（２０−
２）、Ａｇ（９０−９８）−Ｐｄ（１０−２）−Ｐｔ
（２−１０）、Ａｇ（８５−９８）−Ｐｔ（１５−２）
（以上（ ）内は重量％を表す）などの３元系或いは２
元系の混合貴金属粉末が用いられる。

【００１６】これらの導電性粉末は平均粒子径が１．０
〜４．０μｍ、より好ましくは、１．２〜２．０μｍの
ものが用いられる。平均粒子径が１．０μｍ未満と小さ
くなると紫外線の露光時に光が印刷後の膜中をスムーズ
に透過せず、電極導体の線幅６０μｍ以下の微細パター
ンの形成が困難となる。また粒子径が４．０μｍを越え
て大きくなると印刷後の電極パターンの表面が粗くな
り、１０μｍ以下の薄膜導体のパターン精度や厚み・寸
法精度が低下するようになる。

【００１７】導電性粉末の比表面積は、０．３〜２．５
ｍ² ／ｇのサイズを有していることが好ましい。より
好ましくは、比表面積０．８〜１．５ｍ² ／ｇであ
る。比表面積が０．３ｍ² ／ｇ未満では、電極パターン
の精度が低下する。また２．５ｍ² ／ｇを越えると粉末
の表面積が大きくなり過ぎて紫外線が散乱されて、下部
まで露光硬化が十分行われないために現像時に剥がれが
生じてパターン精度が低下する。

【００１８】また、導電性粉末のタップ密度は３〜５ｇ
／cm³であるのが好ましい。より好ましくは、３．５〜
５ｇ／cm³の範囲である。タップ密度がこの範囲にある
と紫外線透過性が良く、電極パターン精度が向上する。
さらに、ペーストの印刷後の塗布膜でレベリング性の良
い緻密な膜が得られる。

【００１９】導電性粉末の形状は、粒状（粒子状）、多
面体状、球状のものが使用できるが、単分散粒子で、凝
集がなく、球状であることが好ましい。この場合、球状
とは球形率が９０個数％以上が好ましい。球形率の測定
は、粉末を光学顕微鏡で３００倍の倍率にて撮影し、こ
のうち計数可能な粒子を計数し、球形のものの比率を表
した。球状であると露光時に紫外線の散乱が非常に少な
くなり、高精度のパターンが得られ、照射エネルギーが
少なくて済む。

【００２０】本発明に使用される感光性有機成分とは、
感光性導電ペースト中の感光性を有する化合物を含む有
機成分のことである。

【００２１】本発明の感光性導電ペーストに関しては、
感光性化合物の含有率が感光性有機成分の１０重量％以
上であることが光に対する感度の点で好ましい。さらに
は３０重量％以上であることが好ましい。

【００２２】感光性化合物としては、光不溶化型のもの
と光可溶化型のものがあり、光不溶化型のものとして、
（１）分子内に不飽和基などを１つ以上有する官能性の
モノマー、オリゴマーまたはポリマーを含有するもの、
（２）芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、有機
ハロゲン化合物などの感光性化合物を含有するもの、
（３）ジアゾ系アミンとホルムアルデヒドとの縮合物な
どいわゆるジアゾ樹脂といわれるもの、等がある。

【００２３】また、光可溶型のものとしては、（４）ジ
アゾ化合物の無機塩や有機酸とのコンプレックス、キノ
ンジアゾ類を含有するもの、（５）キノンジアゾ類を適
当なポリマーバインダーと結合させた、例えばフェノー
ル、ノボラック樹脂のナフトキノン１、２−ジアジド−
５−スルフォン酸エステル、等がある。

【００２４】本発明においては、上記のすべてを用いる
ことができるが、取り扱いの容易性や品質設計の容易性
においては、上記（１）が好ましい。

【００２５】分子内に官能基を有する感光性モノマーの
具体的な例として、メチルアクリレート、エチルアクリ
レート、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアク
リレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルア
クリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、イソ−ブチ
ルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｎ−
ペンチルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジル
アクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシ
トリエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシル
アクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシ
クロペンテニルアクリレート、２−エチルヘキシルアク
リレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアク
リレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、２−
ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシ
ルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリル
アクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メト
キシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチ
レングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルア
クリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリ
ルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アリ
ル化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジ
アクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジ
エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリ
コールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアク
リレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアク
リレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレー
ト、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘ
キシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアク
リレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリ
プロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロー
ルジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレートお
よび上記化合物の分子内のアクリレートを一部もしくは
すべてをメタクリレートに変えたもの、γ−メタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピ
ロリドンなどが挙げられる。

【００２６】また、フェニル（メタ）アクリレート、フ
ェノキシエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メ
タ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレー
ト、２−ナフチル（メタ）アクリレート、ビスフェノー
ルＡジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ−エチ
レンオキサイド付加物のジ（メタ）アクリレート、ビス
フェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジ（メ
タ）アクリレート、１−ナフチル（メタ）アクリレー
ト、２−ナフチル（メタ）アクリレート、チオフェノー
ル（メタ）アクリレート、ベンジルメルカプタン（メ
タ）アクリレートなどのアクリレート類、スチレン、ｐ
−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルス
チレン、α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、
ヒドロキシメチルスチレンなどのスチレン類、またこれ
らの芳香環中の水素原子の一部もしくはすべてを塩素、
臭素原子、ヨウ素あるいはフッ素に置換したしたもの、
および上記化合物の分子内のアクリレートの一部もしく
はすべてをメタクリレートに変えたものを用いることが
できる。

【００２７】本発明ではこれらを１種または２種以上使
用することができる。これら以外に、不飽和カルボン酸
等の不飽和酸を加えることによって、感光後の現像性を
向上することができる。不飽和カルボン酸の具体的な例
としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、ク
ロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、または
これらの酸無水物などがあげられる。

【００２８】一方、分子内に官能基を有するオリゴマー
やポリマーの例としては、前述のモノマーの内少なくと
も１種類を重合して得られたオリゴマーやポリマーの側
鎖または分子末端に官能基を付加させたものなどを用い
ることができる。少なくともアクリル酸アルキルあるい
はメタクリル酸アルキルを含むこと、より好ましくは、
少なくともメタクリル酸メチルを含むことによって、熱
分解性の良好な重合体を得ることができる。

【００２９】好ましい官能基は、エチレン性不飽和基を
有するものである。エチレン性不飽和基としては、ビニ
ル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などがあげ
られる。

【００３０】このような官能基をオリゴマーやポリマー
に付加させる方法は、ポリマー中のメルカプト基、アミ
ノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グリシジル基
やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物や
アクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたは
アリルクロライドを付加反応させて作る方法がある。

【００３１】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グ
リシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル
酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロト
ン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グリシジルエ
ーテルなどがあげられる。

【００３２】イソシアネート基を有するエチレン性不飽
和化合物としては、（メタ）アクリロイルイソシアネー
ト、（メタ）アクリロイルエチルイソシアネート等があ
る。

【００３３】また、グリシジル基やイソシアネート基を
有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライ
ド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライド
は、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカ
ルボキシル基に対して０．０５〜１モル当量付加させる
ことが好ましい。

【００３４】また、不飽和カルボン酸等の不飽和酸を共
重合することによって、感光後の現像性を向上すること
ができる。不飽和カルボン酸の具体的な例としては、ア
クリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マ
レイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、またはこれらの酸無
水物などがあげられる。

【００３５】こうして得られた側鎖にカルボキシル基等
の酸性基を有するポリマーもしくはオリゴマーの酸価
（ＡＶ）は５０〜１５０、さらには５０〜１２０の範囲
が好ましい。酸価が５０未満であると、現像許容幅が狭
くなる。また、酸価が１５０を越えると未露光部の現像
液に対する溶解性が低下するようになるため現像液濃度
を濃くすると露光部まで剥がれが発生し、高精細なパタ
ーンが得られにくい。

【００３６】さらにバインダーとして、ポリビニルアル
コール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル
重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステ
ル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレ
ン重合体、ブチルメタクリレート樹脂などに非感光性の
ポリマーを加えてもよい。

【００３７】感光性モノマーをオリゴマーやポリマーに
対して０．０５〜１０倍量用いることが好ましい。より
好ましくは０．１〜３倍量である。１０倍量を越えると
ペーストの粘度が小さくなり、ペースト中での分散性が
低下する恐れがある。０．０５倍量未満では、未露光部
の現像液への溶解性が不良となりやすい。

【００３８】本発明においては、感光性導電ペースト中
に、ガラスフリットを含有することができる。ガラスフ
リットは導電性粉末をガラス基板上に焼き付けるために
また導電性粉末を焼結するための焼結助剤や導体抵抗を
下げる効果があるためである。ガラスフリットのガラス
転移温度（Ｔｇ）およびガラス軟化点（Ｔｓ）は、それ
ぞれ４００〜５００℃、４５０〜５５０℃であることが
好ましい。好ましくはＴｇおよびＴｓがそれぞれ４４０
〜５００℃、４６０〜５３０℃である。Ｔｇ、Ｔｓがそ
れぞれ４００℃、４５０℃未満では、ポリマーやモノマ
ーなどの感光性有機化合物が蒸発する前にガラスの焼結
が始まり、有機化合物の脱バインダーがうまくいかず、
焼成後に残留炭素となり、電極剥がれの原因となり、緻
密かつ低抵抗の導体膜が得られないので好ましくない。
Ｔｇ、Ｔｓがそれぞれ５００℃、５５０℃を越えるとガ
ラスフリットでは、６００℃以下の温度で焼き付けたと
きに導体膜とガラス基板とで充分な接着強度や緻密な膜
が得られない。

【００３９】ガラスフリットの粉末粒子径は、平均粒子
径（Ｄ５０）が０．５〜１．４μｍ、１０％粒子径（Ｄ
１０）が、０．３〜０．６、９０％粒子径（Ｄ９０）が
０．７〜２μｍおよび最大サイズが４．５μｍ以下であ
ることが好ましい。より好ましくは、Ｄ５０が０．５〜
１、Ｄ１０が０．３〜０．５、Ｄ９０が０．７〜１．
５、トップサイズが２μｍ以下である。Ｄ５０、Ｄ１
０、Ｄ９０％粒子径がそれぞれ０．５、０．３、０．７
μｍ未満では、ガラスフリットの粒子サイズが小さくな
り過ぎて紫外線が未露光部まで散乱され、電極のエッジ
部・端部の光硬化が起こり、完全に現像できなくなる。
このため、電極のパターンの切れ・解像度が低下する。
また、Ｄ５０、Ｄ１０、Ｄ９０％粒子径およびトップサ
イズがそれぞれ１．４、０．６、２，４．５μｍをそれ
ぞれ越えると、粗大なガラスフリットが電極間に残留し
た場合、ショート欠陥になる。

【００４０】ガラスフリットの５０〜４００℃での熱膨
張係数α₅₀〜₄₀₀は、７５〜９０×１０^-7／Ｋであるこ
とがガラス基板上に焼き付けた導体膜が基板とガラスフ
リットとのαの違いによる膜剥がれを抑止する点で好ま
しい。

【００４１】本発明においては、ガラスフリットの組成
としては、Ｂｉ₂ Ｏ₃ は３０−９５重量％の範囲で配合
することが好ましい。３０重量％未満の場合は、導電ペ
ーストをガラス基板上に焼き付けする時に、ガラス転移
点や軟化点を制御するのに十分でなく、基板に対する導
体膜の接着強度を高めるのに効果が少ない。また９５重
量％を越えるとガラスフリットの軟化点が低くなり過ぎ
てペースト中のバインダーが蒸発する前にガラスフリッ
トが溶融する。このためペーストの脱バインダー性が悪
くなり、導体膜の焼結性が低下し、また基板との接着強
度が低下する。

【００４２】さらに、ガラスフリットが、酸化物換算表
記で Ｂｉ₂ Ｏ₃ ３０〜８５重量部 ＳｉＯ₂ ５〜３０重量部 Ｂ₂Ｏ₃ ６〜２０重量部 ＺｎＯ ２〜２０重量部 の組成範囲からなるものを８０重量％以上含有すること
が好ましい。この範囲であると５５０〜６００℃で導体
膜をガラス基板上に強固に焼き付けできるガラスフリッ
トが得られる。

【００４３】特に、本発明のガラスフリット組成を用い
ると感光性有機成分のゲル化反応を起こしやすいＰｂＯ
などを用いずに好ましいガラスフリットを得ることがで
き、ゲル化反応によるペースト粘度上昇やパターン形成
ができない問題を回避でき、安定な導電ペーストを得る
ことができる。

【００４４】ＳｉＯ₂ は５〜３０重量％の範囲で配合す
ることが好ましく、５重量％未満の場合は基板上に焼き
付けた時の接着強度の低下やガラスフリットの安定性が
低下する。また３０重量％より多くなると耐熱温度が増
加し、６００℃以下でガラス基板上に焼き付けが難しく
なる。

【００４５】Ｂ₂ Ｏ₃ は６〜２０重量％の範囲で配合す
ることが好ましい。Ｂ₂ Ｏ₃ は導電ペーストの電気絶縁
性、接着強度、熱膨張係数などの電気、機械および熱的
特性を損なうことのないように焼き付け温度を５５０〜
６００℃の範囲に制御するために配合される。６重量％
未満では密着強度が低下し、また２０重量％を越えると
ガラスフリットの安定性が低下する。

【００４６】ＺｎＯは２〜２０重量％の範囲で配合する
ことが好ましい。２重量％未満では導電ペーストをガラ
ス基板上に焼き付けする時に、焼き付け温度を制御する
効果が少ない。２０重量％を越えるとガラスの耐熱温度
が低くなり過ぎてガラス基板上への焼き付けが難しくな
る。

【００４７】ガラスフリット粉末には、プラズマの放電
特性を劣化させるＮａ₂ Ｏ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｋ₂ Ｏなどのア
ルカリ金属酸化物を含まないことが好ましい。ガラスフ
リット中のアルカリ成分と銀粉末が反応し、ガラス基板
が黄色化する問題があるので、含有した場合にも０．５
重量％以下が好ましい。より好ましくは、０．１重量％
以下である。

【００４８】また、ガラスフリット中にＡｌ₂ Ｏ₃ 、Ｂ
ａＯ、ＴｉＯ₂ 、ＺｒＯ₂ などを含有せしめることによ
って熱膨張係数、ガラス転移点、ガラス軟化点を制御で
きるが、その量は１０重量％未満であることが好まし
い。

【００４９】感光性導電ペースト中のガラスフリット含
有量としては、１〜４重量％であることが好ましい。よ
り好ましくは１〜３．５重量％である。ＰＤＰの前面板
および背面板の電極の低抵抗化・薄膜化を図るにはガラ
スフリットの量が低いほうが好ましい。ガラスフリット
は電気絶縁性であるので含有量が４重量％を越えると電
極の抵抗が増大したりするので好ましくない。また、ガ
ラスフリットが多くなると１０μｍ以下の薄膜の導体で
は、導電性粉末とガラスフリットの熱膨張係数の違いに
よる膜剥がれがおこる。また、１重量％未満では、電極
膜とガラス基板との強固な接着強度が得られにくい。

【００５０】本発明に用いられる感光性導電ペースト中
には、必要に応じて光重合開始剤、増感剤、増感助剤、
重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、酸化防止剤、
分散剤、有機或いは無機の沈殿防止剤などの添加剤成分
を加えられる。

【００５１】本発明で使用する光重合開始剤としての具
体的な例として、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息
香酸メチル、４、４−ビス（ジメチルアミン）ベンゾフ
ェノン、４、４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノ
ン、α−アミノ・アセトフェノン、４、４−ジクロロベ
ンゾフェノン、４−ベンゾイル−４−メチルジフェニル
ケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２、２−ジ
エトキシアセトフェノン、２、２−ジメトキシ−２−フ
ェニル−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ
−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロ
ロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキ
サントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピ
ルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジ
ル、ベンジルジメチルケタノール、ベンジル−メトキシ
エチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２
−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノ
ン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズア
ントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４
−アジドベンザルアセトフェノン、２、６−ビス（ｐ−
アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、２、６−ビス
（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサ
ノン、２−フェニル−１、２−ブタジオン−２−（ｏ−
メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパ
ンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、
１、３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（ｏ−エ
トキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エト
キシ−プロパントリオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキ
シム、ミヒラ−ケトン、２−メチル−［４−（メチルチ
オ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、
ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニル
クロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４、４−ア
ゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、
ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィ
ン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェ
ニルスルホン、過酸化ベンゾイン及びエオシン、メチレ
ンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリ
エタノールアミンなどの還元剤の組み合わせなどが挙げ
られる。本発明ではこれらを１種または２種以上使用す
ることができる。

【００５２】さらに、光重合開始剤は、感光性有機成分
に対して、通常０．１〜３０重量％、より好ましくは、
２〜２０重量％用いる。光重合開始剤の量が少なすぎる
と、光感度が不良となり、光重合開始剤の量が多すぎれ
ば、露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれがある。

【００５３】本発明において、電極パターン形成のため
に有機染料からなる紫外線吸光剤を添加すると好まし
い。紫外線吸収効果の高い吸光剤を添加することによっ
て焼き付け後の電極厚み２〜１０μｍにおいて線幅１０
〜４０μｍ、電極間の線間隔１０〜４０μｍの高解像度
のパターンが形成できる。さらに、電極断面が矩形形状
になり、パターン端部の切れが優れ、滲みおよびエッジ
カールのない電極パターンが得られる。

【００５４】すなわち、通常、導電性粉末だけでは、紫
外線が１μｍ以下の導体粉末や不均一な形状の凝集した
導体粉末によって散乱されて余分な部分まで光硬化し、
露光マスク通りのパターンができなくなる。このためマ
スク以外の部分が現像できなくなることが起こる。この
原因について本発明者らが鋭意検討を行った結果、散乱
された紫外光が吸収されてあるいは弱められて露光マス
クによる遮光部分にまでまわり込むことが原因であるこ
とが判明した。したがって紫外線吸光剤を添加すること
によって直進光の割合が増加し、散乱光のまわり込みが
ほぼ回避され、マスク部分の感光性樹脂の硬化を防ぎ、
露光マスクに相当したパターンが形成される。

【００５５】さらに、本発明の感光性導電ペーストは、
ｇ線（波長；４３６ｎｍ）領域に高い全光線透過率を有
するペースト組成設計になっている。紫外線吸光剤をｇ
線より長波長側および低波長側の光をカットすることに
よってｇ線領域だけの光を通すフィルターとしての機能
を持たすことができるので好ましい。

【００５６】紫外線吸光剤としては有機染料からなるも
のが用いられ、中でも３５０〜４５０ｎｍの波長範囲で
高ＵＶ吸収係数を有する有機染料が好ましく用いられ
る。有機染料としてアゾ系染料、アミノケトン系染料、
キサンテン系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染
料、アントラキノン系、ベンゾフェノン系、ジフェニル
シアノアクリレート系、トリアジン系、ｐ−アミノ安息
香酸系染料などが使用できる。有機染料は吸光剤として
添加した場合にも、焼成後の電極導体膜中に残存しない
で吸光剤による導体膜特性の低下を少なくできるので好
ましい。これらの中でもアゾ系およびベンゾフェノン系
染料は、ｇ線より長波長側の光をカットできるフィルタ
ーとしての機能を有しているので好ましい。

【００５７】アゾ系染料としての代表的なものとして、
スダンブルー（Ｓｕｄａｎ Ｂｌｕｅ、Ｃ₂₂Ｈ₁₈Ｎ₂ Ｏ
₂ ＝３４２．４）、スダンＲ（Ｃ₁₇Ｈ₁₄Ｎ₂ Ｏ₂ ＝２７
８．３１）、スダンII（Ｃ₁₈Ｈ₁₄Ｎ₂ Ｏ＝２７６．３
４）、スダンIII （Ｃ₂₂Ｈ₁₆Ｎ₄ ０＝３５２．４）、ス
ダンIV（Ｃ₂₄Ｈ₂₀Ｎ₄ ０＝３８０．４５）、オイルオレ
ンジＳＳ（Ｏｉｌ Ｏｒａｎｇｅ ＳＳ、ＣＨ₃ Ｃ₆ Ｈ
₄ Ｎ：ＮＣ₁₀Ｈ₆ ＯＨ＝２６２．３１）オイルバイオレ
ット（Ｏｉｌ Ｖｉｏｌｅｔ、Ｃ₂₄Ｈ₂₁Ｎ₅ ＝３７９．
４６）、オイルイエローＯＢ（Ｏｉｌ Ｙｅｌｌｏｗ
ＯＢ、ＣＨ₃ Ｃ₄Ｈ₄ Ｎ：ＮＣ₁₀Ｈ₄ ＮＨ₂ ＝２６１．
３３）などである。

【００５８】ベンゾフェノン系染料としては、ユビナー
ルＤ−５０（Ｃ₁₃Ｈ₁₀Ｏ₅ ＝２４６．２２、２，２´，
４，４−テトラハイドロオキシベンゾフェノン）、ユビ
ナールＭＳ４０（Ｃ₁₄Ｈ₁₂Ｏ₆ Ｓ＝３０８、２−ヒドロ
キシ−４−メトキシベンゾフェノン５−スルフォン
酸）、ユビナールＤＳ４９（Ｃ₁₅Ｈ₁₂Ｏ₁₁Ｓ₂ Ｎａ₂ ＝
４７８、２、２−ジヒドロキシ−４、４´−ジメトキシ
ベンゾフェノン５、５´−ジスルフォン酸ナトリウム）
などがあるが、２５０〜５２０ｎｍで吸収することがで
きる染料が使用できる。

【００５９】有機染料の添加量は、０．０１から０．５
重量％が好ましい。より好ましくは０．０１から０．１
重量％である。０．０１重量％未満では添加効果が低
く、パターンの切れや滲みやエッジ部のカールをなくす
効果が少ない。０．５重量％を越えると紫外線吸収効果
が大きくなり過ぎて導体膜の下部まで光が到達しにくく
なり現像時に膜が剥がれやすくなったり、高精細なパタ
ーン形成ができない。

【００６０】本発明において、好ましい吸光度の積分値
（波長測定範囲；３５０〜４５０ｎｍ）の範囲がある。
吸光度の積分値は、粉末の状態で測定されるもので、有
機染料でコートした粉末について測定される。

【００６１】本発明で、吸光度は下記のように定義され
る。すなわち、市販の分光光度計を使用して積分球の中
で光を測定用試料に当て、そこで反射された光を集めて
検出する。また積分球により検出された光以外は、すべ
て吸収光とみなして下記の式から求められる。

【００６２】対照光の光強度をＩｒ、（Ｉｒは試料の吸
光度を測定する前に、積分球内面に塗布してある材料と
同じ材料のＢａＳＯ₃ を試料台に取り付けて反射による
光強度を測定したデータ）、試料に入射した光の光強度
をＩ、試料に当たった後、吸収分の光強度をＩｏとする
と、試料からの反射分の光強度は（Ｉ−Ｉｏ）で表さ
れ、吸光度は下記の（１）式のように定義される。上記
で光強度の単位は、Ｗ／cm² で表す。

【００６３】 吸光度＝ −ｌｏｇ（（Ｉ−Ｉｏ）／Ｉｒ） （１） 吸光度の測定は下記のようにして行う。

【００６４】まず、吸光剤を添加した粉末をプレス機で
直径２０mm、厚み４mmのサイズに成型する。次に分光光
度計を用いて積分球の反射試料の取り付け口に粉末の成
型体を取り付けて、反射光による吸光度を波長範囲２０
０〜６５０ｎｍで測定すると図１のようなグラフが得ら
れる。縦軸は（１）式の吸光度で、横軸は測定波長を示
す。次に図１で波長３５０〜４５０ｎｍの区間の面積を
求め、その面積Ｓを波長３５０〜４５０ｎｍにおける吸
光度の積分値として定義した。

【００６５】本発明で上記の吸光度の積分値の好ましい
範囲は、３０〜６０であり、さらに好ましい範囲は３５
〜５０である。吸光度が３０未満であると紫外線露光時
において光が導体膜の下部まで十分透過する前に導電性
粉末によって散乱されて未露光部を硬化するようにな
り、高解像度のパターン形成ができない。また吸光度が
６０を超えると光が導体膜の下部に達する前に吸収され
てしまい、下部の導体膜まで光が透過しないため光硬化
できなくなる。この結果、現像時に剥がれるようにな
り、電極の形成が困難になる。

【００６６】本発明においてガラスフリットに微量含ま
れるＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯなどの金属お
よび酸化物がペースト中に含有する感光性ポリマーのカ
ルボキシル基と反応してペーストが短時間でゲル化し、
塊となったり粘度が上昇し、ペーストとして印刷できな
くなる。また、現像ができなくなってパターン解像度が
低下したり、形成できなくなる場合が起こる。これはポ
リマーのイオン架橋反応によるゲル化と推定されるが、
このような反応を防止するために、悪い影響を与えない
範囲で、安定化剤を添加してゲル化を防止することが好
ましい。すなわち、ゲル化反応を引き起こす金属あるい
は酸化物粉末との錯体化あるいは酸官能基との塩形成な
どの効果のある化合物で粉末を表面処理し、感光性導電
ペーストを安定化させる。そのような安定化剤として
は、トリアゾール化合物が好ましく用いられる。トリア
ゾール化合物の中でも特にベンゾトリアゾールやリン化
合物が有効に作用する。

【００６７】本発明において使用されるベンゾトリアゾ
ールによるガラスフリット粉末の表面処理は次のように
して行うと好ましい。すなわちガラスフリットに対して
所定の量のベンゾトリアゾールを酢酸メチル、酢酸エチ
ル、エチルアルコール、メチルアルコールなどの有機溶
媒に溶解した後、これら粉末を十分に浸す事ができるよ
うに溶液中に３〜２４時間浸積する。浸積後、好ましく
は２０〜３０℃下で自然乾燥して溶媒を蒸発させてトリ
アゾール処理を行った後、５０〜８０℃で５〜１２時
間、真空乾燥して粉末を作製する。

【００６８】本発明において使用される安定化剤の割合
（安定化剤／ガラスフリット）は０．２〜４重量％が好
ましく、さらに０．４〜３重量％であることがより好ま
しい。０．２重量％未満ではポリマーの架橋反応を防止
するのに効果がなく、短時間でゲル化する。また４重量
％を越えると安定化剤の量が多くなり過ぎて非酸化性雰
囲気中での導電ペーストの焼成時においてポリマー、モ
ノマーおよび安定化剤などの脱バインダーが困難とな
り、導体膜の特性が低下する。

【００６９】また上記において導電ペースト中に微量含
有する水分が存在すると導電ペーストのゲル化を促進す
る。これを防止するため感光性有機成分（感光性ポリマ
ー、感光性モノマー、光重合開始剤、増感剤、光重合促
進剤、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、有機分散剤など）に
微量含有する水分を完全に除去するのが好ましい。水分
の除去は、固体か液体かの種類によって異なるが、真空
乾燥処理、モレキュラシーブ、ロータリーエバポレイタ
ーなどで除去する。さらに、ガラスフリットの場合は、
ガラスフリットを１５０〜４００℃で５〜１５時間乾燥
して水分を十分除去するとゲル化が防止できるので好ま
しい。

【００７０】本発明において、ガラスフリットに加えて
焼結助剤となる金属および／または金属酸化物を添加す
ると、導電性粉末が焼結時に異常粒子成長を回避でき
る、あるいは焼結を遅らせるなどのいわゆる焼結助剤と
して有効に作用するので好ましい。この結果、導体膜と
ガラス基板との接着強度をあげるので好ましい。そのよ
うな酸化物粉末としてＣｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌあるいは
Ｎｉなどの金属および／または金属酸化物が使用でき
る。これらのうちで金属酸化物は電気的に絶縁物として
作用するので添加物の量は少ない方がよく、３重量％以
下である。３重量％を越えると導体膜の電気抵抗が増加
するのでよくない。また、金属酸化物と金属を併用する
ことも好ましく行われる。

【００７１】増感剤は、感度を向上させるために添加さ
れる。増感剤の具体例としては、２、３−ビス（４−ジ
エチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２、６−ビ
ス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、
２、６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メ
チルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４、４−ビス
（ジエチルアミノ）−ベンゾフェノン、４、４−ビス
（ジメチルアミノ）カルコン、４、４−ビス（ジエチル
アミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデン
インダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノ
ン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）−イ
ソナフトチアゾール、１、３−ビス（４−ジメチルアミ
ノベンザル）アセトン、１，３−カルボニル−ビス（４
−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボ
ニル−ビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタ
ノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、Ｎ−フ
ェニルエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソ
アミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェ
ニル−５−ベンゾイルチオ−テトラゾール、１−フェニ
ル−５−エトキシカルボニルチオ−テトラゾールなどが
挙げられる。本発明ではこれらを１種または２種以上使
用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始
剤としても使用できるものがある。

【００７２】増感剤を本発明の導電性ペーストに添加す
る場合、その添加量は反応性成分に対して通常０．１〜
１０重量％、より好ましくは０．２〜５重量％である。
増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発
揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小
さくなりすぎるおそれがある。

【００７３】本発明の導電性ペーストにおいて保存時の
熱安定性を向上させるため、熱重合禁止剤を添加すると
良い。熱重合禁止剤の具体的な例としては、ヒドロキノ
ン、Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、
ｐ−ｔ−ブチルカテコール、Ｎ−フェニルナフチルアミ
ン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−メチルフェノール、
クロラニール、ピロガロールなどが挙げられる。熱重合
禁止剤を添加する場合、その添加量は、感光性導電ペー
スト中に、通常、０．１〜５重量％、より好ましくは、
０．２〜３重量％である。熱重合禁止剤の量が少なすぎ
れば、保存時の熱的な安定性を向上させる効果が発揮さ
れず、熱重合禁止剤の量が多すぎれば、露光部の残存率
が小さくなりすぎるおそれがある。

【００７４】可塑剤としては、例えばジブチルフタレー
ト（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ポリ
エチレングリコール、グリセリンなどが用いられる。

【００７５】また本発明の導電性ペーストには保存時に
おけるアクリル系共重合体の酸化を防ぐために酸化防止
剤を添加できる。酸化防止剤の具体的な例として２，６
−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキ
シアニソール、２、６−ジ−ｔ−４−エチルフェノー
ル、２，２−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−
ブチルフェノール）、２，２−メチレン−ビス−（４−
エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４−ビス−
（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，
３−トリス−（２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ル）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロ
キシ−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ビス［３，３−ビ
ス−（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）ブチ
リックアシッド］グリコールエステル、ジラウリルチオ
ジプロピオナート、トリフェニルホスファイトなどが挙
げられる。酸化防止剤を添加する場合、その添加量は通
常、感光性導電ペースト中に、０．０１〜５重量％、よ
り好ましくは０．１〜１重量％である。酸化防止剤の量
が少なければ保存時のアクリル系共重合体の酸化を防ぐ
効果が得られず、酸化防止剤の量が多すぎれば露光部の
残存率が小さくなりすぎるおそれがある。

【００７６】本発明の感光性導電ペーストには、溶液の
粘度を調整したい場合、有機溶媒を加えてよい。このと
き使用される有機溶媒としては、メチルセロソルブ、エ
チルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケト
ン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロ
ペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアル
コール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシ
ド、γ−ブチロラクトンなどがあげられる。これらの有
機溶媒は、単独あるいは２種以上併用して用いられる。

【００７７】感光性導電ペーストの好ましい組成として
は、次の範囲で選択するのが良い。

【００７８】（ａ）導電性粉末 ；（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）の和に対して８４〜９４重量％ （ｂ）感光性ポリマーと感光性モノマー；（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）の和に対して１５〜５重量％ （ｃ）ガラスフリット ；（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の
和に対して１〜４重量％ （ｄ）光重合開始剤 ；（ｂ）対して５〜２０重量
％ （ｅ）紫外線吸光剤 ；（ａ）に対して０．０１〜
０．５重量％ 上記においてより好ましくは、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
の組成が、それぞれ８６〜９２重量％、１１〜７重量
％、１〜３重量％である。この範囲にあると露光時にお
いて紫外線がよく透過し、光硬化の機能が十分発揮さ
れ、現像時における露光部の膜強度が高くなり、微細な
解像度を有する電極パターンが形成できる。焼成後の導
体膜が低抵抗で、接着強度が高くなるので好ましい。

【００７９】さらに必要に応じて増感剤、光重合促進
剤、可塑剤、分散剤、安定化剤、チキソトロピー剤、有
機あるいは無機の沈殿防止剤を添加し、混合物のスラリ
ーとする。所定の組成となるように調整されたスラリー
はホモジナイザなどの攪拌機で均質に混合した後、３本
ローラや混練機で均質に分散し、ペーストを作製する。

【００８０】ペーストの粘度は導電性粉末、有機溶媒、
ガラスフリットの組成・種類、可塑剤、チキソトロピー
剤、沈殿防止剤および有機のレベリング剤などの添加割
合によって適宜調整されるが、その範囲は３ｒｐｍにお
いて、１万〜１５万ｃｐｓ（センチ・ポイズ）である。
例えばガラス基板への塗布をスクリーン印刷法やバーコ
ータ、ローラコータ、アプリケータで１〜２回塗布して
膜厚１０〜２０μｍを得るには、３千〜１万ｃｐｓが好
ましい。

【００８１】次に本発明のＰＤＰ用感光性導電ペースト
を用いてＰＤＰの電極パターンなどを形成する方法につ
いて説明する。

【００８２】すなわち、本発明のＰＤＰ用感光性導電ペ
ーストは、ガラス基板上に通常スクリーン印刷法で塗布
される。印刷厚みはスクリーンの材質（ポリエステルま
たはステンレス製）、２５０から３２５メッシュのスク
リーン、スクリーンの張力、ペーストの粘度を調製する
ことによって任意に制御できるが、３〜２０μｍであ
る。さらに好ましい厚みの範囲は、６〜１５μｍであ
る。３μｍ未満になると印刷法では、均質な厚みを得る
ことは難しくなる。また２０μｍを越えると電極パター
ン精度が低下したり、断面形状が逆台形になり、最小線
幅／最小幅間隔が３０μｍ／３０μｍ以下の高精細なパ
ターンやエッジ切れが悪くなる。

【００８３】なお、感光性導電ペーストをガラス基板上
に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるため
に基板の表面処理を行うとよい。表面処理液としてはシ
ランカップリング剤、例えばビニルトリクロロシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、トリス−（２−メトキシエトキシ）ビニルシラン、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ
（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシランなどあるいは有機金属例えば有機
チタン、有機アルミニウム、有機ジルコニウムなどであ
る。シランカップリング剤或いは有機金属を有機溶媒例
えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、メチルアルコール、エ
チルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコー
ルなどで０．１〜５％の濃度に希釈したものを用いる。
次にこの表面処理液をスピナーなどで基板上に均一に塗
布した後に８０〜１４０℃で１０〜６０分間乾燥する事
によって表面処理ができる。

【００８４】次にこのような感光性導電ペーストを基板
上に塗布した膜を７０〜１２０℃で２０〜６０分加熱し
て乾燥し溶媒類を蒸発させてから、フォトリソグラフィ
法により、電極パターンを有するフィルムまたはクロム
マスクなどのマスクを用いて紫外線を照射して露光し、
感光性ペーストを光硬化させる。この際使用される活性
光源としては、紫外線、電子線、Ｘ線などが挙げられる
が、これらの中で紫外線が好ましく、その光源としては
たとえば低圧水銀灯、高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺
菌灯などが使用できる。これらのなかでも超高圧水銀灯
が好適である。露光条件は導体膜の厚みによって異なる
が、５〜１００ｍＷ／cm²の出力の超高圧水銀灯を用い
て１〜３０分間露光を行うのが好ましい。

【００８５】次に現像液を用いて前記露光によって硬化
していない部分を除去し、（いわゆるネガ型の）電極パ
ターンを形成する。現像は、浸漬法やスプレー法で行
う。現像液としては前記の感光性有機成分の混合物が溶
解可能である有機溶媒を使用できる。また該有機溶媒に
その溶解力が失われない範囲で水を添加してもよい。ま
たカルボキシル基もつ反応性成分が存在する場合、アル
カリ水溶液で現像できる。アルカリ水溶液として水酸化
ナトリウム、炭酸ナトリウムや水酸化カルシウム水溶液
などのような金属アルカリ水溶液を使用できるが、有機
アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ成分を除
去しやすいので好ましい。有機アルカリの具体例として
は、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメ
チルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、モノエタノ
ールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げられる。ア
ルカリ水溶液の濃度は通常０．０５〜０. ５重量％、よ
り好ましくは０．１〜０．５重量％である。アルカリ水
溶液濃度が０．０５重量％未満だと溶解力が低下し、未
露光部が除去されず、０．５重量％を越えると露光部を
腐食させるおそれがある。

【００８６】次に、露光、現像後の塗布膜を空気中で焼
成する。感光性有機成分である感光性ポリマー、感光性
モノマーなどの反応性成分およびバインダー、光重合開
始剤、紫外線吸光剤、増感剤、増感助剤、可塑剤、増粘
剤、有機溶媒、分散剤などの添加成分あるいは溶媒など
の有機物を完全に酸化、蒸発させる。焼成後の電極中に
は感光性有機成分が残存しないように酸化させ、蒸発さ
せることが必要である。感光性有機成分が残存している
と電極として緻密な膜が得られないために、導体の抵抗
が増加したり、ガラス基板と電極膜との密着力が低下し
たりするからである。５６０〜６１０℃で１５分〜１時
間焼成し、ガラス基板上に焼き付けることが好ましい。
５６０℃未満では、焼成が不充分なために導体膜の緻密
性が低下し、比抵抗が高くなり、また基板との接着強度
が低下するため好ましくない。６１０℃を越えるとガラ
ス基板が熱変形し、パターンの平坦性が低下する。

【００８７】本発明の電極に使用されるＰＤＰ用感光性
導電ペーストの調合、印刷、露光、現像工程では紫外線
を遮断できるところで行う必要がある。そうでないとペ
ーストあるいは塗布膜が紫外線によって光硬化してしま
い、本発明の効果を発揮できる導体膜が得られない。

【００８８】本発明の電極に使用される感光性導電ペー
ストを用いて電極パターンを形成した場合、例えば焼成
後の導体膜の厚みが４〜１５μｍにおいて導体の最小線
幅が２０μｍ、導体間の最小幅間隔２０μｍが得られ
る。

【００８９】電極パネルでのピンホール総数が多いと、
比抵抗値が高くなり消費電力が上がる。また、接着強度
も低下し、断線になりやすい。断線欠陥は、プラズマデ
ィスプレイパネル製造後の表示不良となり、表示特性の
低下原因となることから、直径２０μｍ以上のピンホー
ルがないことが必要になる。

【００９０】次に本発明に用いる電極の評価・測定方法
について述べる。電極厚みおよび線幅については、触針
式表面粗さ計で断面形状の測定を行う。ピンホールの大
きさおよび個数については、光学顕微鏡（透過光）によ
る目視観察で評価を行う。倍率は５０〜２００倍が好ま
しい。４０倍以下だと、ピンホールの大きさが小さすぎ
たりして、正確な評価ができないので好ましくない。

【００９１】

【実施例】以下の実施例で、本発明を具体的に説明す
る。以下に示すＡ〜Ｈの材料およびａ〜fの手順で電極
を形成、評価した。下記の実施例において、濃度は特に
断らない限り全て重量％で表す。

【００９２】実施例１〜１２ 導電性粉末およびガラスフリットの粒度分布（平均粒子
径、比表面積、等）は、Leed&Northrup社のマイクロト
ラック粒度分析計を用いて測定した。

【００９３】Ａ．導電性粉末（銀） 単分散球状、平均粒子径１．４μｍ、比表面積１．１０
ｍ² ／ｇ、タップ密度４．１７ｇ／cm³ Ｂ．感光性ポリマー（以下、ポリマーと略す） ４０モル％のメタクリル酸（ＭＡＡ）、３０モル％のメ
チルメタクリレート（ＭＭＡ）及び３０モル％のスチレ
ン（Ｓｔ）からなる共重合体にＭＡＡに対して０．４当
量のグリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）を付加反応さ
せたポリマー Ｃ．感光性モノマー（以下モノマーと略す） トリメチロールプロパントリアクリレート Ｄ．ガラスフリット ガラスフリットＩ；成分（重量％）酸化ビスマス（４
６．２）、二酸化珪素（２７．１）、酸化硼素（１１．
８）、酸化亜鉛（２．６）、酸化ナトリウム（４．
７）、酸化アルミニウム（２．８）、酸化ジルコニウム
（４．８）、ガラス転移点；４６１℃、ガラス軟化点；
５１３℃、平均粒子径；１．０μｍ、９０％粒子径；
１．５μｍ、トップサイズ；３．５μｍ、５０〜４００
℃の熱膨張係数（α）５０〜４００；８２×１０^-7／゜
Ｋ ガラスフリットII；成分（重量％）酸化ビスマス（４
７．９）、酸化珪素（７．０）、酸化硼素（１４．
３）、酸化亜鉛（１５．４）、酸化バリウム（１５．
４）、ガラス転移点；４６９℃、ガラス軟化点；４９５
℃、平均粒子径；０．６μｍ、９０％粒子径；１．０μ
ｍ、トップサイズ；２．５μｍ、５０〜４００℃の熱膨
張係数（α）５０〜４００；８５×１０^-7／゜Ｋ Ｅ．溶媒 γ−ブチロラクトン Ｆ．光重合開始剤 ２−メチル−１−[４−（メチルチオ）フェニル]−２−
モルフォリノ−１−プロパノンと２，４−ジエチルチオ
キサントンをポリマーとモノマーとの総和に対して２０
％添加した。

【００９４】Ｇ．可塑剤 ジブチルフタレート（ＤＢＰ）をポリマーの１０％添加
した。

【００９５】Ｈ．増粘剤 酢酸２−（２−ブトキシエトキシ）エチルに溶解させた
ＳｉＯ₂（濃度１５％）をポリマーに対して４％添加し
た。

【００９６】ａ．有機ビヒクルの作製 溶媒及びポリマーを混合し、攪拌しながら６０℃まで加
熱し全てのポリマーを均質に溶解させた。ついで溶液を
室温まで冷却する。

【００９７】ｂ．ペースト作製 上記の有機ビヒクルに導電性粉末、分散剤、ガラスフリ
ット、モノマー、光重合開始剤、可塑剤、増粘剤および
溶媒を所定の組成となるように添加し、３本ローラで混
合・分散してペーストを作製した。ペーストの組成を表
１、表２、表３に示す。

【００９８】ｃ．印刷 上記のペーストを３２５メッシュのスクリーンを用いて
ガラス基板（１２０mm角で、厚み１．２mm）上に１００
mm角の大きさにベタに印刷し、８０℃で４０分間保持し
て乾燥した。

【００９９】ｄ．露光、現像 上記で作製した塗布膜を２０、４０、８０μｍのファイ
ンパターンを有するプラズマディスプレイパネル用電極
を形成したクロムマスクを用いて、上面から１５ｍＷ／
cm²の出力の超高圧水銀灯で６０秒間紫外線露光した。
次に２５℃に保持したモノエタノールアミンの０．１重
量％の水溶液に浸漬して現像し、その後スプレーを用い
て未露光部を水洗浄した。

【０１００】ｅ．焼成 ガラス基板上に印刷した塗布膜を空気中昇温速度２５０
℃／時間で加熱し、５９０℃で１５分間焼成を行い、電
極導体膜を作製した。焼成後膜厚は２〜１０μｍであっ
た。

【０１０１】ｆ．評価 焼成後の電極パネルについて、光学顕微鏡（透過光）を
用いて、倍率を１００倍にし、目視観察にて評価を行っ
た。電極の長さ２００μｍ当たりで直径２０μｍ以上の
ピンホールの数と、１０μｍ以下のピンホールの数を求
めた。その結果、直径２０μｍ以上のピンホールはなく
良好な結果が得られた。次いで、この電極パネルを用い
てプラズマディスプレイを形成して画像表示性能を評価
した。得られた画像は、鮮明であり、断線欠陥のない優
れた表示が達成された。

【０１０２】比較例１〜３ ガラスフリットの平均粒子径および９０％粒子径、トッ
プサイズをそれぞれ表３に示すように変更した以外は上
記の実施例と同じ条件にて電極を作製した。焼成後の電
極について、実施例と同様にして、電極の長さ２００μ
ｍ当たりで直径２０μｍ以上のピンホールの数と、１０
μｍ以下のピンホールの数を求めた。その結果、いずれ
の場合もピンホールの数は２０個以上発生した。次い
で、この電極パネルを用いてプラズマディスプレイを形
成して画像表示性能を評価した。得られた画像には、表
示欠陥が認められ、画像品位の点では問題となるレベル
であった。

【０１０３】

【発明の効果】このように高精細で、微細パターンを有
している電極において、ピンホール直径２０μｍ以上の
ピンホールがなく、断線欠陥のない電極パネルをプラズ
マディスプレイに使用することにより、鮮明、かつ高品
位な画像が得られる。

【０１０４】

【表１】

【表２】

【表３】

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に電極が形成されたプラズマディス
   プレイであって、該電極の厚みが１〜１０μｍ、線幅が
   ２０〜８０μｍであり、直径２０μｍ以上のピンホール
   がないことを特徴とするプラズマディスプレイ。
2. 【請求項２】直径１０μｍ以上のピンホールがないもの
   である請求項１記載のプラズマディスプレイ。
3. 【請求項３】電極の長さ２００μｍ当たりのピンホール
   の総数が２０個以下である請求項１もしくは２に記載の
   プラズマディスプレイ。
4. 【請求項４】電極が、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、ＮｉおよびＰ
   ｔの群から選ばれる少なくとも１種を含有するものであ
   る請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレ
   イ。
5. 【請求項５】電極がガラス成分を含有するものである請
   求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイ。
6. 【請求項６】ガラス成分が、酸化物換算表記でＢｉ₂Ｏ₃
   を３０〜９５重量％含有するものである請求項５に記載
   のプラズマディスプレイ。
7. 【請求項７】ガラス成分が、酸化物換算表記で Ｂｉ₂Ｏ₃ ３０〜８５重量％ ＳｉＯ₂ ５〜３０重量％ Ｂ₂Ｏ₃ ５〜２０重量％ ＺｒＯ₂ ３〜１０重量％ Ａｌ₂Ｏ₃ １〜 ５重量％ の組成範囲からなるものを８０重量％以上含有し、かつ
   Ｎａ₂Ｏ、Ｌｉ₂Ｏを実質的に含有しないものである請求
   項５記載のプラズマディスプレイ。
8. 【請求項８】酸化物換算表記でＢｉ₂Ｏ₃を３０〜９５重
   量％含有するガラスフリット、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｎｉ
   およびＰｔの群から選ばれる少なくとも１種を含有する
   導電性粉末および感光性有機成分を主成分とする感光性
   導電ペーストを基板上に塗布し、フォトリソグラフィ法
   でパターン形成した後、焼成することを特徴とする請求
   項１記載のプラズマディスプレイの製造方法。
9. 【請求項９】ガラスフリットの平均粒子径が０．５〜
   １．４μｍ、９０％粒子径が１〜２μｍおよびトップサ
   イズが４．５μｍ以下である請求項８記載のプラズマデ
   ィスプレイの製造方法。